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Detectores de radiaciones ionizantes

Propiedades generales Detectores de gas Detectores de centelleo Detectores de estado slido Problemas estadsticos del recuento de radiaciones

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Detectores de radiaciones
Propiedades generales
slido Medio de interaccin lquido gas
- Cada partcula individual (, e-, ) libera pares (e-, in) - El tiempo de interaccin es muy breve ns (gases), ps (liquidos y slidos) deteccin de partculas individuales
e- / in

e-

Medida de la carga liberada

directa / amplificada luz de centelleo


2

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Respuesta a una partcula individual

i(t)

tc

Q=

tc

i (t ) dt
tiempo

Respuesta a una sucesin de partculas


i(t)

tiempo
Tren de impulsos (elctricos, de centelleo,..) individuales deteccin de partculas individuales
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Modos de operacin
- Corriente (elctrica): Medida del flujo de partculas
i(t)

1 I (t ) = T

t T

i (t ' ) dt '
T
tiempo

Promedia las fluctuaciones en un intervalo de tiempo T T = tiempo de respuesta del detector Son habituales en dosimetra e
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e-

- Impulsos: Deteccin de partculas individuales


e e-

V(t)

Q=
i(t)

tc

i (t ) dt

V(t)
V(t) = R i(t)

tiempo

Caso a): RC << tc


Aplicacin: detectores para la medida de tiempos

tiempo

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- Impulsos: Deteccin de partculas individuales Caso b): RC >> tc


Aplicacin: detectores para la medida del espectro de energa

e-

V(t)

i(t)

Q=
tiempo

tc

i (t ) dt

Vmax = Q / C = H

V(t)

V e-t/RC

tiempo
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Caso b)
espectro de amplitudes espectro de energia

dH

tiempo dN dH
N0 = nmero total de impulsos

N0 =

dN dH dH

dH
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amplitud H

Caso b)

Resolucin en energa
Anchura a la semialtura

FWHM = 2.35

FWHM =

( diver . contrib .)
R= FWHM H0

Resolucin H0 R se expresa habitualmente en % H

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Eficiencia de deteccin (casos a y b)


No todas las partculas interaccionan con el detector Eficiencia intrnseca

int =

nmero de impulsos registrados nmero de partculas que atraviesan el detector

No todas las partculas emitidas por la fuente alcanzan el detector nmero de impulsos registrados nmero de partculas emitidas por la fuente
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Eficiencia absoluta

ab =

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Tiempo muerto (casos a y b)


Tiempo muerto = Tiempo mnimo entre dos sucesos consecutivos necesario para ser registrados como partculas diferentes. 0 Prdidas por tiempo muerto

Dos casos:
m=4 n=7 m=5
n = nmero verdadero de sucesos por unidad de tiempo m = nmero de sucesos registrados por unidad de tiempo
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paralizable m = n exp(-n)
tiempo

no paralizable n = m / (1-m)

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Detectores de radiaciones
Detectores de gas
Formacin de pares electrn in por interaccin de los electrones con el gas 33.85 eV/par(e-in) en aire - Detecta e- / partculas cargadas (radiacin directamente ionizante) - Detecta rayos (radiacin indirectamente ionizante)

Cmaras de ionizacin
I I

e-

alta irradiacin

baja irradiacin

V
Permiten medir la exposicin Funcionan habitualmente en modo corriente aunque tambin pueden operar en modo pulsado Funcionan en rgimen de saturacin (ausencia de recombinacin)
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Cmaras de ionizacin
Gas de llenado: Aire Geometra: Plana Cilndrica
V 10 100 voltios dec cent I 10-12 A (pA) C. I. C R Electrmetro V

Medida de la corriente: Electrmetro


R 108 1012 C. I.

Medida de la carga integrada


Se desconecta la fuente de alimentacin Fernando Arqueros y se mide V = Q / C en un tiempo dado - Radiofisica
UCM

V0

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Contadores proporcionales
Modo pulsado Amplificacin de la carga por multiplicacin en el gas

Aplicacin: Deteccin y espectroscopa (energa)

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Regin G-M

Amplitud log H

2 MeV 1 MeV

V Cmara de ionizacin Contador proporcional


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Tubos Geiger Mller (1928)


Descarga generalizada (109 1010 pares e ion) Modo pulsado Aplicacin: Deteccin de partculas ionizantes

ctodo

nodo

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Tubos Geiger Mller


Polarizacin de un tubo G-M

Tiempo muerto en un tubo G-M

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Detectores de centelleo
centelleador fotomultiplicador
tiempo V

acoplamiento ptico

Centelleador: absorbe la energa (toda o parte) de la partcula convirtindola en radiacin visible (UV prxima). Epartcula E cinet. elect. fotones (UV). Fotomuliplicador (PMT): genera una seal elctrica (impulso) de amplitud proporcional a la seal luminosa de entrada. Acoplamiento ptico: dirige la luz del centelleador al PMT
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Centelleadores inorgnicos
banda de conduccin part. ionizante fotn de centelleo banda de valencia

Inorgnicos: Cristales dopados. La partcula ionizante eleva electrones de la banda de valencia a la de conduccin. Los huecos (+) migran hasta alcanzar tomos del dopante (ionizacin). Cuando un electrn llega a un in lo neutraliza y cae al estado fundamental emitiendo radiacin visible (UV). Vida media: en el rango del s. Espectro de tpico: 400 50 nm Alta fot : eficientes para rayos . Espectroscopia (RC >> ) Ejemplos: centelleador (nm) (s) NaI(Tl) CsI(Tl) Bi4Ge3O12 0.23 1.0 0.30 410 565 480
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Centelleadores orgnicos
Singletes
no radiativo

Tripletes Fosforescencia (lenta)

P. Ionizante Fluorescencia (ns) Singlete

Orgnicos: Plsticos, lquidos, cristales orgnicos. CxHy. La partcula ionizante excita estados singletes. Transferencia colisional a los tripletes. Desexcitacin en la zona del visible. Emisin en bandas espectrales muy anchas. Vida media: en el rango del ns. Alta resolucin temporal (RC ) Espectro de tpico: alrededor de 400 nm Baja fot : poco eficientes para rayos . Ms usados con partculas cargadas. Ejemplo: (nm) centelleador (ns)
Ne 102 2.4 423
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Fotomultiplicador

fotoctodo

amplificador de electrones

nodo
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Fotomultiplicadores
Fotoctodo: cada fotn visible genera un electrn por efecto fotoelctrico (fotoelectrn), con una probabilidad Q 10 20 % (eficiencia cuntica). Q = Q(). Diferentes fotoctodos para cada intervalo espectral uv ir. Amplificador de electrones: Dinodos = electrodos polarizados (+ respecto al fotocat.). En cada colisin se generan e- secundarios. ganancia (n e-/por colisin) n dinodos (106 108) Pueden contar fotones individuales. Anodo: Ultimo dinodo. Se recoge toda la carga. A travs de la resistencia (y capacidad) de carga se genera un impulso de tensin. Por cada partcula ionizante, el centelleador genera un gran nmero N de fotones (visibles). Amplitud del impulso proporcional a N
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Aplicaciones de los centelleadores


centelleador fotomultiplicador

acoplamiento ptico

C R

Deteccin de una partcula (e-, , ...) Medida del tiempo de paso. Medida de su energa (espectroscopa)

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Aplicaciones de los centelleadores

inorgnico orgnico

Los centelleadores inorgnicos (ejemp. NaI) se pueden emplear para espectroscopa de rayos . Son relativamente lentos ( s) Los centelleadores orgnicos (ejemp. plsticos centelleadores como NE102A) son tiles para electrones. Son muy rpidos ( ns)

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Detectores de centelleo
207Bi

e- de conversin 0.48 MeV 0.97 MeV

orgnico

Energa inorgnico
137Cs

rayos

0.66 MeV

Energa

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Espectroscopia de rayos con centelleadores


Energa cintica transferida a e- /e+ por un haz monoenergtico de rayos gamma (E0 = h).

Efecto fotoelctrico

dN/dE

E0

Dispersin Compton

dN/dE

Ec

E0

Produccin de pares

dN/dE

2mec2 E0 E
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Espectroscopia de rayos con centelleadores (caso ideal)

e+

511 keV

511 keV

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Espectroscopia de rayos con centelleadores (caso realista)

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Espectroscopia de rayos con centelleadores (detector pequeo)

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Resolucin en energa
Resolucin R = FWHM / E0 Fuentes de ensanchamiento:
FWHM

Espectroscopia de rayos con centelleadores

Variacin de la eficiencia del centelleador en su volumen activo Fluctuaciones en la conversin a fotoelectrones Fluctuaciones en la multiplicacion de electrones en el PMT

E0

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Espectros de energa de rayos gamma con un detector de centelleo inorgnico (NaI)


137Cs

0.662 MeV

Nmero de canal Energa


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Espectros de energa de rayos gamma con un detector de centelleo inorgnico (NaI)


60Co

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Nmero de canal Energa

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Detectores de estado slido (semiconductor)


Medio de interaccin: semiconductor (Ge o Si). Similar a los detectores de gas: el paso de la radiacin sobre el semiconductor genera pares electrn-hueco.
Energa (e- - hueco) 3 eV , Energa (e- - in) 30 eV cargas 10. Mayor densidad mayor poder de absorcin

Algunos detectores (Ge) necesitan trabajar a baja temperatura Deterioro por radiacin

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Semiconductores

Banda de valencia: electrn fijo en la red. Banda de conduccin: electrn se mueve libremente en la red.

Semiconductor: pequea diferencia de energa conduccin-valencia los electrones de valencia pueden pasar a la banda de conduccin creando hueco (cargas positivas) que se mueve en la red. Electrones y huecos son portadores de carga en la corriente elctrica.

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Recombinacin
Transicin e- de conduccin banda de valencia muy baja probabilidad ( prohibido). Posible por medios de impurezas que actan como centros de recombinacin. Centro de recombinacin modifica la estructura de niveles (niveles accesibles en la zona prohibida). El electrn en la banda de conduccin cae a uno de estos niveles tras lo cual: a) vuelve a la banda de conduccin (pequea E) b) cae a la banda de valencia capturando un hueco (aniquilacin e- - hueco) En todos los semiconductores existen inevitablemente impurezas que actan como centros de recombinacin. Tambin se pueden introducir artificialmente.
Banda de conduccin Centro de recombinacin Banda de valencia Fernando Arqueros - Radiofisica UCM

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Semiconductores dopados (extrnsecos)


Atomos (impurezas) en la red con un electrn de ms / menos que los tomos tetravalentes de la red (Ge o Si) con energas muy prximas a la banda de valencia (conduccin). Se pueden fabricar mediante tcnicas complejas. Donante: tomo pentavalente (As, P, Sb). Niveles prximos a la banda de conduccin. Un electrn en exceso en la banda de conduccin. E 0.01 eV (Ge), 0.05 eV (Li). Semiconductor tipo n Aceptante: tomo trivalente (Ga, B, In). Niveles prximos a la banda de valencia. Crean un hueco en la red. Semiconductor tipo p Donantes y aceptantes se pueden compensar. Lo que cuenta es la diferencia neta (ND-NA).

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Unin n-p
Difusin de dopantes de un signo en un semiconductor del signo opuesto. Inicialmente se establece una corriente elctrica. Difusin de electrones en la regin p llenando huecos y difusin de huecos en la n capturando electrones. Se crea una carga de espacio V (potencial de contacto) que frena la difusin de cargas creando una zona (muy pequea) despoblada de e- y huecos. Polarizando el semiconductor p (+), n (-) se establece una corriente elctrica (diodo).

Al incidir una partcula ionizante, se liberan pares e- - hueco (similar a un detector de gas).
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Polarizacin inversa de una unin n-p


Atrae huecos (electrones) a la regin p (n) expandiendo la regin de despoblacin. Muy eficiente para la deteccin de radiaciones ionizantes. Los pares e- - hueco generan una corriente elctrica medible.

- - - -

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Detectores de Si
Detector de barrera de superficie: - Unin semiconductor metal (Si n + Au, Si n + Al). La diferencia de energa de Fermi produce una modificacin de las bandas.

Se pueden conseguir espesores de 5 mm Muy tiles para partculas cargadas pesadas Desventaja: Sensibles a la luz (atraviesa la fina lmina de oro)
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Espectroscopa de rayos con detectores de barrera de superficie

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Detectores de Si
Diodo Si(Li): - Unin p-i-n. Se difunde Li (que acta como donante) en la superficie de Si-p convirtiendo el extremo del semiconductor en tipo-n. Este proceso crea una zona de compensacin que puede llegar a tener 10-15 mm gran eficiencia de deteccin. - Para poder mantener el Li en la zona de compensacin es necesario estar a baja temperatura aunque puede alcanzar la T ambiente por cortos periodos sin estropearse. - Util para partculas y rayos X de baja energa

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Detectores de Ge
Diodo Ge(Li): - Similar al detector de Si(Li). La regin de compensacin es de 15 - 20 mm - Debido a la gran movilidad del Li en el Ge los detectores de Ge(Li) debe estar permanentemente a baja temperatura (N2 lquido). Detector de Ge intrnseco (HPGe): - Germanio de muy alta pureza. Las impurezas residuales pueden ser donantes (Ge n) o aceptantes (Ge p). - Necesitan baja temperatura para reducir el ruido pero no se deterioran a temperatura ambiente.

Los detectores de Germanio son muy tiles para espectroscopia de alta resolucin de rayos por su gran zona sensible.
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Configuraciones de los detectores de Ge

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Detector de Germanio intrnseco

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Espectroscopa de rayos con detectores de Ge


Comparacin centelleador NaI / Ge (Li) Los detectores de semiconductor tienen mucha mejor resolucin en energa debido a que la partcula genera gran cantidad de pares (e- - hueco) menores fluctuaciones estadsticas

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Espectroscopa de rayos con un detector HPGe

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Alcance en Si
Problema: Empleando los datos de physics.nist.gov/PhysRefData, comprobar los resultados de la figura para partculas y comparar el alcance en Si y Ge. - Qu espesores de Si y Ge son necesarios para absorber totalmente partculas alfa de 5.0 MeV? - y para que el 50% de rayos de 1.0 MeV sean absorbidos por efecto fotoelctrico? Densidades.(Si) = 2.33 gcm-3 (Ge) = 5.32 gcm-3

Si

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Estadstica de recuento de radiaciones ionizantes

Distribucin binomial Distribucin de Poisson. Lmite gaussiano Errores estadsticos en el recuento de radiaciones ionizantes Distribucin de intervalos temporales

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Distribucin binomial
N pruebas independientes. Ejemplos: a) lanzar un dado b) comprobar si un ncleo radiactivo se ha desintegrado en un tiempo t. probabilidad de xito. Ejemplos: a) ha salido el nmero esperado en el dado b) el ncleo se ha desintegrado (i.e. = probabilidad de desintegracin en t)
Probabilidad de que n ncleos especficos se desintegren en t Probabilidad de que n ncleos cualesquiera se desintegren en t

N! n N n P ( n) = (1 ) n! ( N n)! Probabilidad de que


Combinaciones de N elementos en Arqueros grupos de n Fernando - Radiofisica UCM los dems ncleos no se desintegren

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Propiedades de la distribucin binomial

N! N n N n P ( n) = (1 ) = [ + (1 )] = 1 n =0 n = 0 n! ( N n)!
( x + y) =
N

N! x n y N n n = 0 n!( N n)!

Valor medio

n = nP(n) = N
n =0

varianza

= (n n
N 2 n =0

) P(n) = N (1 )
2
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Distribucin binomial
P ( n) = N! n (1 ) N n n! ( N n)!

=2/3 N=10

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Distribucin de Poisson
Una distribucin binomial que cumple:

N 0 N >> n

N! Nn (N n )!

(1 )N n exp(-N )
P ( n) = N! n (1 ) N n n! ( N n)!

( N ) P ( n) =
n!

exp( N )
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Propiedades de la distribucin de Poisson

P ( n) P ( n) =
n =0 n =0 n =0

(N )n exp( N ) = 1
n!

n ( N ) = n n P(n) = exp( N ) n! n =0 n =0
n n 1 ( N ) = N exp( N ) = N ; n =1 (n 1)!

Valor medio

xn e = n = 0 n!
x

n = N

Varianza

2 = (n n 2 = N

= n 2 + n 2n n = n 2 n
2 2

n 2 = N + ( N )

(demostrar)
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Distribucin de Poisson

P ( n) =

n n!

n = N

<n> = 2.74

La distribucin de Poisson queda unvocamente definida por su valor medio


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Distribucin de Poisson: Lmite gaussiano (n

1 ln ( x !) = x ln x x + ln 2 x 2 x

Frmula asinttica de Stirling


( x )2 1 G ( x) = exp 2 2 2

(n n 1 P ( n) = exp 2n 2 n

Distribucin gaussiana con 2 = <n>

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Distribucin de Poisson: Lmite gaussiano (n


<n> = 27.4
1

)
)
2

(n n P ( n) = exp 2n 2 n

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N <n> finito binomial N Poisson <n>

gaussiana

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Aplicabilidad de la estadstica de Poisson


N 0
Ejemplos: - desintegracin de una muestra radiactiva n = nmero de ncleos que se desintegran en t N = nmero de ncleos radiactivos = probabilidad de desintegracin en t - deteccin de partculas ionizantes de una muestra n = nmero de partculas detectadas en t N = nmero de ncleos radiactivos = probabilidad de desintegracin en t eficiencia absoluta (ab) - deteccin de fotones visibles en una lmpara de descarga N = nmero de tomos excitados = probabilidad de desexcitacin probabilidad de deteccin - deteccin de fotones visibles, rayos , , etc. de una estrella N = nmero de tomos/ncleos excitados = probabilidad de desexcitacin probabilidad de deteccin Fernando Arqueros - Radiofisica
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<n> = N (finito)

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La estadstica de Poisson
- Se puede comprobar experimentalmente: a) medir muchas veces n, b) histogramar el resultado c) comprobar que la distribucin de probabilidad:

P ( n) =

n n!

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Ejemplos
experimental Poisson barras

<n> = 1.20
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<n> = 9.60
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Consecuencias de la estadstica de Poisson


Si solo disponemos de una medida n, nuestra mejor (nica) estimacin de <n> es <n> = n 2 = <n> = n

Error absoluto en la medida

= n

n n
n n
(68.3 %)

Error relativo

n 1 = r = n n

r 0
n

La nica forma de reducir el error relativo en la medida de <n> es detectar un gran nmero de partculas (sucesos)
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Consecuencias de la estadstica de Poisson


n es el nmero de partculas (sucesos) contadas. La propiedad 2(n)=n NO se puede aplicar de forma directa a una funcin de n. Ejemplos: actividad = n/t, seal-fondo (ns-nf )

f = f ( n)

d f 2 (f )= dn (n )
2

Ejemplo: actividad de una muestra radiactiva A = n/t (desintegraciones por segundo)

n A= t

( A) =
2

2 (n )
t2

n n = 2 ; ( A) = t t
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Consecuencias de la estadstica de Poisson


Magnitud dependiente de varias variables ni estadsticamente independientes
2

f = f (ni )
Ejemplos:

2( f ) =
i

f 2 (ni ) n i

- nmero total de partculas como suma de dos detecciones S = n1+n2

2 (S ) = n1 + n2 ; (S ) = n1 + n2
- restar las cuentas de fondo de un detector D = ns - nf

2 ( D ) = ns + n f ; ( D ) = ns + n f
r =
ns + n f ns n f
El error relativo en la medida de una seal similar al fondo es muy grande

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Distribucin de intervalos de tiempo entre sucesos consecutivos


Fuente de partculas ionizantes. Ejemplo: muestra radiactiva de actividad A(s-1) = (s-1) N El nmero medio de desintegraciones en un tiempo t es <n> = At
t=0
P ( n) = n n!
n

t+dt

Probabilidad de que el siguiente suceso tenga lugar entre t y t+dt

=
=

Probabilidad de que no haya ningn suceso entre 0 y t

Probabilidad de que ocurra un suceso entre t y t+dt

tiempo

P(t ) dt

( At ) 0 e At 0!
At

A dt

P(t ) dt = A e

dt

< t >=

t P(t ) d t
0

P(t ) d t
0

1 A
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Ejemplos
A = 2.40 s-1 experimental Poisson

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Probabilidad de interaccin despus de recorrer una distancia x


x
Probabilidad de no interaccionar en x

P ( x ) dx = e N x N d x
dx
Probabilidad de interaccionar x -- x+dx Probabilidad de interaccionar en dx

P(x)

P ( x ) = N e x /

1 = N

Camino libre medio

Probabilidad de desintegracin despus de transcurrir un tiempo t


P(t)

P (t ) = A e At

P(t ) dt = e At A d t
<t >= 1 A
Valor medio de t
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