Practica switcheo de un Mosfet por medio de un driver con BJT

John Serna Julin Andrs Victoria Flores

Universidad Autnoma de Occidente Facultad de Ingeniera Cali, Colombia

En el presente informe se presentan los resultados de la prctica de switcheo de un mosfet por medio de un driver con un BJT 2N3904, el cual consiste en el estudio de los drivers y frecuencias de switcheo a las cuales soporta un dispositivo mosfet, IRFP428 teniendo en cuenta sus corrientes de drain y las respuestas en el tiempo de conmutacin de este dispositivo, despus se hayo la corriente de drain con el fin de saber la potencia disipada por esta resistencia para evitar que se caliente el dispositivo, a continuacin se debe hallar la resistencia de base con el fin de encontrar un valor que garantice la corriente de colector y permita que este trabaje en corte y saturacin. Se monta el circuito en un software de simulacin para modelar el comportamiento del circuito y mostrar comparativamente las formas de onda de tensin y sus valores en los nodos del circuito. Se implemento prcticamente el circuito diseado para observar y medir las formas de onda de tensin en los nodos del circuito.

5 Anlisis y Resultados.
El transistor 2N3904 tiene una ( = 209) cuando su punto de operacin es (ICQ = 1 mA.) y (VCEQ = 6 V.) Se pretende polarizar este transistor mediante la tcnica de divisin de tensin. Se calcula el valor adecuado de los resistores (R1, R2, RC y RE) para cumplir con esa condicin de polarizacin y bajo los siguientes datos adicionales: (VCC = 12 V.) (VE = 1,2 V.) y (RB = 0,1RE).

Una vez polarizado el transistor, el circuito se utilizara como un amplificador en configuracin de Emisor comn. La seal a amplificar proviene de una fuente de tensin con resistencia interna de (Rs = 50 . La seal amplificada ser suministrada a una resistencia de carga (Rl = 1,2K .

Ilustracin 6 a) Amplificador PDT b) circuito equivalente para la seal la impedancia de entrada del

Se calculo el valor mnimo de capacitancia de cada uno de los capacitores de tal manera que en el amplificador se tenga un acoplamiento y desacoplamiento ideal para fines prcticos. La frecuencia de la seal estar comprendida entre 100 Hz y 20KHz.

f=100Hz

Clculos para amplificador

Otros clculos importantes

Para hallar el condensador 1

Para hallar el condensador 2

Calcular la impedancia de salida del amplificador.

Se calcula la ganancia de tensin del amplificador =

Tambin se calcula la ganancia de corriente del amplificador

Para hallar el condensador 3

6 Diagrama electrnico
Despus de encontrar todo los valores se puede armar el circuito de la ilustracin7

[3] Colaboradores de tutoriales. Punto esttico de operacin. [En lnea]. [fecha de consulta: abril del 2012]. Disponible en <http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_ bipolar.htm> [4] MALVINO, Albert Paul Punto esttico de operacin, Sexta Edicin; Esmeralda mora; p. 312. [5] Colaboradores de ocw. Recta de Carga. [En lnea]. [fecha de consulta: abril del 2012]. Disponible en <http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-ysistemas-electronicos/material-de-clase-1/tema-3.transistores-de-union-bipolar-bjt.pdf> [6] MALVINO, Albert Paul polariza un transistor, Sexta Edicin; Esmeralda mora; p. 231 y 205. [7] MALVINO, Albert Paul transistor como amplificador, Sexta Edicin; Esmeralda mora; p.303.

Ilustracin 7

7 Graficas simulacin

obtenidas

de

la

[8] MALVINO, Albert Paul, sin distorsin; Sexta Edicin; Esmeralda mora; p. 313. [9] Colaboradores de ocw. Independizacion. [En lnea]. [fecha de consulta: abril del 2012]. Disponible en <http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-ysistemas-electronicos/material-de-clase-1/tema3.-transistores-de-union-bipolar-bjt.pdf.>

8 Anlisis de la simulacin y de los datos obtenidos 9 Conclusiones

se debe hallar la resistencia de base, teniendo en cuenta que se usa el beta mnimo que proporciona el fabricante del transistor, para que llegado el caso de daarse y reemplazarse por otro, no presente problemas a la hora de ponerlo en conmutacin se debe tener en cuenta el voltaje de polarizacin del BJT en su base y del mosfet en su compuerta Gate, evitando daos en los dispositivos se debe calcular la potencia disipada en la resistencia de Drain con el fin de proteger el dispositivo de sobrecalentamiento calcular la resistencia de drain con el fin de no sobrepasar la corriente que soporta el dispositivo

Referencias
[1] MALVINO, Albert Paul DC, Sexta Edicin; Esmeralda mora; p. 208-209. [2] MALVINO, Albert Paul AC, Sexta Edicin; Esmeralda mora; p. 315-316.