Rota tecnolgica para sensores no infravermelho Parte 2 Para que sensores no infravermelho?

? Mauricio Pamplona Pires Instituto de Fsica UFRJ

Emicro-NE, Natal, 15 de novembro de 2013

Rota tecnolgica para sensores no infravermelho Parte 2 Para que sensores no infravermelho?
1.! O que o infravermelho? 2.! Aplicaes 3.! Como detectar a luz?

Emicro-NE, Natal, 15 de novembro de 2013

Espectro Eletromagntico

700 nm
100.0 10.0 1.0

E = hc/! = 1.24 /! (m.eV)

! (m)"

400 nm
0.1 0.01

0.0124 0.124

1.24 12.4

124

E (eV)

Radiao de corpo negro

Objeto que absorve 100% da radiao incidente.

Lei de Wein !p T = 2898 m.K

Aplicaes para sensores de infravermelho

! ! ! ! ! ! ! ! Telecomunicaes Viso infravermelha (imageamento) Segurana industrial Monitoramento de processos industriais Medicina Militar Controle ambiental Controle de pragas agrcolas

Introduction Modlisation lectromagntique Applications polarimtriques Dtection bi-spectrale Conclusion

Imagerie infrarouge

! Infrarouge thermique (images QWIP 640x512)

QWIPs-men

Cathdrale Notre Dame de Paris

12/06/2012

Controle ambiental e agrcola

Primeira imagem do CBERS-1

Imagem no infravermelho prximo

!Focos de incndio. !Antecipao do aparecimento de pragas agrcolas. !Seleo de frutas. !Localizao de pequenos desmatamentos, como por exemplo, pistas clandestinas.

Introduction Modlisation lectromagntique Applications polarimtriques Dtection bi-spectrale Conclusion

Transmission atmosphrique

SWIR

MWIR

LWIR

VLWIR

! Transmission atmosphrique ! Short-Wave-IR (0.8 - 2.5 !m) ! Mid-Wave-IR (3 5 !m) ! Long-Wave-IR (8 11 !m) ! Very-Long-Wave-IR (11 15 !m)
12/06/2012

Image METEOSAT (! = 11.7 "m)

Telecomunicaes Free space

Janela tica em 10 m Taxa de erro menor que em outras janelas espectrais

Telecomunicaes Free space

10

Controle de vazamento de gases

Emissor

Receptor

Equipamento industrial Vazamento Interrupo do sinal

Aplicaes na medicina

Monitoramento de grande obras

Segurana de voos

Monitoramento circuitos

Detector de mentira

Veterinria e controle de doenas

Olhar para o passado

Obras pequenas em casas

Isolamento trmico de residncias

Astrofsica

Vulcanologia

So muitas as aplicaes Como fazer isto?

! Qual o mecanismo fsico que far com que a luz seja absorvida?

Como fazer isto?

E = hc/! = 1.24 /! (m.eV)

! Qual o mecanismo fsico que far com que a luz seja absorvida?

Como fazer isto?

Detectores trmicos
Bolmetros

Transio banda-banda em semicondutores III-V

! at 2m

Transio intra-banda em semicondutores III-V

! de 2m 15m

Como fazer isto?

Detectores trmicos
Bolmetros

Transio banda-banda em semicondutores III-V

! at 2m

Transio intra-banda em semicondutores III-V

! de 2m 15m

Tipos de detectores
! Detectores trmicos
! Absoro modifica um determinado parmetro fsico

! Bolmetros
! Resistncia eltrica

! ! ! ! !

Baixa sensibilidade Resposta lenta Baratos Operam a 300K Pouca seletividade espectral

Como fazer isto?

Detectores trmicos
Bolmetros

Transio banda-banda em semicondutores III-V

! at 2m

Transio intra-banda em semicondutores III-V

! de 2m 15m

Tipos de detectores
! Detectores de ftons Absoro de 1 fton Mudana no nvel de 1 eltron Gerao de uma corrente eltrica

1a idia:
Transio banda-banda:
BC h#" Eg h#" BV

Material macio
BC

h# > Eg
I

Vantagem: !Tecnologia mais desenvolvida Desvantagem: !! depende do gap do material

Campo eltrico
BV

Eg

Infravermelho

Visvel

GaP InxGa1-xP

AlAs GaxAl1-xAs GaAs

InP InxGa1-xAs

InAs InxAl1-xAs

MCT gap pequeno Dificuldade - FPA

Como fazer isto?

Detectores trmicos
Bolmetros

Transio banda-banda em semicondutores III-V

! at 2m LIMITADO PELO GAP DO MATERIAL

Transio intra-banda em semicondutores III-V

! de 2m 15m

Como fazer isto?

Detectores trmicos
Bolmetros

Transio banda-banda em semicondutores III-V

! at 2m

Transio intra-banda em semicondutores III-V

! de 2m 15m ! QWIPs - Quantum Well Infrared Photodetectors ! QDIPs - Quantum Dots Infrared Photodetectors

Transio intra-banda
Como fazer isto?
! QWIPs - Quantum Well Infrared Photodetectors ! QDIPs - Quantum Dots Infrared Photodetectors

Transio intra-banda
Como fazer isto?
! QWIPs - Quantum Well Infrared Photodetectors ! QDIPs - Quantum Dots Infrared Photodetectors

STOP

Nanotecnologia

! Richard P. Feynman
There's Plenty of Room at the Bottom Fevereiro de 1960
"The principles of physics, as far as I can see, do not speak against the possibility of maneuvering things atom by atom."

Mecnica Quntica
! Comprimento de onde de de Broglie !=h/p Dualidade

onda vs. partcula

! Limitao do movimento
! aprox. L

Quantizao da energia
tomo de hidrognio Slido

luz +

nveis eletrnicos

Partcula livre?

Material

A w

Mecnica Clssica Energia luz Nveis eletrnicos X Mecnica Quntica Posio

O eltron est confinado

Poo quntico

Ponto quntico

Poos Qunticos
Direo de crescimento Material B Material A Material B

Confinamento 2D

Direo de crescimento tA Mudana do material depositado com o tempo Taxa de crescimento $A e $B B Energia
e1

A w

B
BC

Espessura da camada A (w):

w= tA x $A w % 100

h#
hh1

BV

h#=Eg+Ee1+Ehh1

Posio

Direo de crescimento tA

B Energia
e1

A w

B
BC

Espessura da camada A (w):

h#
hh1

Cor da luz varia com a espessura da camada

BV

Posio

ok

Transio intra-banda
Como fazer isto?
! QWIPs - Quantum Well Infrared Photodetectors ! QDIPs - Quantum Dots Infrared Photodetectors

2a idia:
Transio intra-banda:
BC h#" E2 E1 h#" I BC

h# = E2-E1

Probabilidade de absorver Depende da polarizao da luz?

Campo eltrico

Probabilidade do eltron conseguir sair do material

Importante:
!Eficincia quntica (&) : define a razo entre ftons incidentes e eltrons gerados !Ganho (g): relao entre eltrons fotogerados e eltrons que geram corrente
Resposta espectral: Ri=!&qg/hc Ruido: In2 = 2 (G+R) Aet'fq2g2 Detectividade: D*=Ri(A0'f)1/2/In

QWIPs
! Transio intra-banda ! Fraco acoplamento com a luz

Componente do campo eltrico perpendicular a direo de crescimento no absorvida Incidncia normal: fraco acoplamento
! Formas de melhorar o acoplamento:

Transio intra-banda:
Material nano-estruturado: poos qunticos Transio intrabanda
BC h#" E2 E1 h#" I BC

h# = E2-E1

Vantagem:

!Absoro mais seletiva Desvantagem:

Campo eltrico

!No acopla radiao com incidncia normal

Introduction Modlisation lectromagntique Applications polarimtriques Dtection bi-spectrale Conclusion

QWIP : Multi-puits quantiques

metteur

!"#

Si+ Si+ Si+ Si+

Si+ Puits quantique en AlXGa1-XAs / GaAs ! Dtecteur extrinsque, photoconducteur ! Transport unipolaire : lectrons de la bande de conduction ! Transition inter-sous-bande rsonante (FWHM " 1 !m @ 8.5 !m)

collecteur

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Fraco acoplamento Direo de crescimento E

Poo quntico

Mximo acoplamento

Poo quntico

Como isto feito?

Heterostructure Sample 1

Waveguide, hand made

Light path

Para acoplar a luz necessrio processar a amostra

Como escolher a geometria da grade?

Introduction Modlisation lectromagntique Applications polarimtriques Dtection bi-spectrale Conclusion

Localisation du champ absorbable

Cartographies FEM 2D
Dpt mtallique Contact suprieur 1.25

! Pixel sans rseau: ! Bords ! Faible recouvrement ! Achromatique

Zone active

Contact infrieur

Substrat
Intensit du champ absorbable @ 8.5 !m

0 5

! Pixel avec rseau : ! Priode = # / n ! Ordres 1 ! Modes vanescents ! Fort recouvrement

Rseau mtallique

Couche rseaux Zone active

Contact suprieur

Contact infrieur

Substrat
0

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Introduction Modlisation lectromagntique Applications polarimtriques Dtection bi-spectrale Conclusion

Autres lments du couplage

Cartographies FEM 2D
Rseau mtallique Couche rseaux Zone active Contact suprieur 10

! Substrat aminci : ! Effets de cavit Fabry-Prot verticale ! Rorganisation de la distribution de champ ! Traitement antireflet : ! Coefficient de rflexion 30% $ 4% #pic ! Modlisation numrique !

Contact infrieur
Substrat rsiduel Air 0 20

Intensit du champ absorbable @ 8.5 !m

Rseau mtallique Couche rseaux Zone active Contact suprieur

Contact infrieur
Substrat rsiduel Antireflet Air

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Obs:

Focal Planar Array

FPA

Introduction Modlisation lectromagntique Applications polarimtriques Dtection bi-spectrale Conclusion

Ralisation technologique
!! Epitaxie par jets molculaires !! Technologie III-V !! Mesa-pixel !! Structure de couplage optique
Silicium

n+ n+

Puits quantiques Substrat GaAs

10!m

=
Image MEB 80 12/06/2012

Air

!"#$%&'(&)*'+

Micro-section

Continuando: Poos qunticos

BC

E2 E1

Direo de crescimento

Material B Material A Material B

Confinamento 2D

(300 , 27%) (55 , n) (300 , 27%)

E2

GaAs/AlxGa1-xAs

E1 w

Espectro de absoro

Espectro de fotocorrente

300K

GaAs/AlxGa1-xAs

InGaAs/InAlAs poo/barreira

BC

E2 E1

'E

E2 E1

14.2m

E1

4.1m 3.54m

InGaAs/InAlAs (Apenas 1 amostra!!!)

InGaAs/InAlAs (Apenas 1 amostra!!!)

E2 E1 300meV

Detector de CO2

Absoro de CO2

Variao 10% do sinal

Medidas a baixa temperatura (77K) Processamento para melhorar o acoplamento necessrio

Como melhorar isto?

O eltron est confinado

Poo quntico

Ponto quntico

QDIPs
! QDIPs - Quantum Dots Infrared Photodetectors

Ponto quntico + eltron

luz IV

Eltron livre

Vantagem: !maior sensibilidade !maior acoplamento com a luz (incidncia normal absorvida) !menor rudo Desvantagem: !maior complexidade da nano-estrutura

Pontos Qunticos
! Confinamento nas 3 dimenses ! Pequeno o suficiente para apresentar efeitos de quantizao ! Semelhante a tomos ! 1980: ZnS sobre vidro ! Diversas formas de produo

Como se faz um Ponto Quntico?

Transferncia de um padro (litografia)
Poo quntico (estrutura 2D) Confinamento lateral Crescimento Litografia e Ataque qumico

Ponto quntico

Mtodo bruto

Pontos qunticos produzidos por campos externos

Confinamento vertical Poo quntico Confinamento 3D Campo eltrico

Pontos Qunticos Auto-Organizados

! Estruturas auto-organizadas devido a tenso no material ! Dimenses que dependem das condies de crescimento (4 - 20 nm) ! Materiais com diferentes parmetros de rede ! Quantizao da energia nas 3 dimenses ! Altas densidades - 1011cm-2

Tipos de crescimento heteroepitaxial

Stranski-Krastanow
Fluxo de gases Tempo de deposio Tempo de cozimento Temperatura e presso

Variao das condies de crescimento

Tempo de crescimento dos pontos qunticos

InAs/InGaAs Casado

InAs/InGaAs Casado

InAs/InGaAs Tensionado

InAs/InP c/ defeitos

InAs/InP s/ defeitos

InAs/InP

Questes interessantes:
! Propriedades ticas ! Propriedades estruturais

vs.
! Parmetros de crescimento ! Dopagem ! Matriz

Detectores: Alta densidade + Alta homogeneidade

TEM

AFM

Simulao de Nano-estruturas Semicondutoras

Caracterizao de QDIPs

200

85

200

124 meV

Caracterizao de QDIPs
20 photocurrent (arb. u.) 15

5K 30mV 5K 5mV 5K -5mV

sample 990

10

10

15

20

25

wavelength (!m)

B3 B1 B2

QW

QD

O que mais...

Deteco de duas cores Defesa:

Turbina: 700 K ! 4 m

Contramedida: 2000 K ! 1 m

Como?

Introduction Modlisation lectromagntique Applications polarimtriques Dtection bi-spectrale Conclusion

Concept (1)
MWIR

!! Dtection dans les deux bandes spectrales MWIR et LWIR au sein du mme pixel : 2 zones actives distinctes !! Rseau de couplage : LWIR

LWIR

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Introduction Modlisation lectromagntique Applications polarimtriques Dtection bi-spectrale Conclusion

Concept (2)

! 2 zones actives ! Gravure du contact intermdiaire ! Couplage optique : Z.A. suprieure

Z.A. LWIR Z.A. MWIR

ZA LWIR ZA MWIR
116 November 26, 2013

ZA LWIR ZA MWIR

Introduction Modlisation lectromagntique Applications polarimtriques Dtection bi-spectrale Conclusion

Diaphotie
MWIR LWIR

!! Etage suprieur LWIR : performances standards !! Etage infrieur MWIR : image moins nette !! Couplage optique ? Contact suprieur

Zone active suprieure Zone active infrieure

Contact intermdiaire Contact infrieur Couches darrt AR

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Introduction Modlisation lectromagntique Applications polarimtriques Dtection bi-spectrale Conclusion

Diaphotie dans ltage LWIR

!! Longueur donde de simulation = 8.5!m (FEM 2D) polymre de remplissage

10

mtal
10

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Contato 1 InGaAs:n QWIP 4,1 m InAlAs InGaAs:n InAlAs InGaAs:n InAlAs:n 200nm InAlAs InAlAs PD 1,5 m InGaAs 7nm InAlAs InAlAs:p 100nm InP:p 200nm Contato 3 200nm 10nm X 20 500nm 300nm 3nm 30nm 500nm X 50 Contato 2

LUZ

Introduction Modlisation lectromagntique Applications polarimtriques Dtection bi-spectrale Conclusion

Principe dun pixel polarimtrique

!! Rseaux lamellaires : onde TM !! Cellule lmentaire : 4 pixels et orientations des rseaux diffrentes

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121

Introduction Modlisation lectromagntique Applications polarimtriques Dtection bi-spectrale Conclusion

Exemples de traitement de linformation polarimtrique

!!Superposition en temps rel :

Vido 640x512 (TOL)

12/06/2012 122

Parmetros importantes Posso mudar tudo que eu quiser?

Parmetros importantes ! ! ! ! ! Corrente de escuro Fotocorrente Rudo Performance Desenho otimizado

Desenvolvimento de detectores Crescimento epitaxial Fsica bsica + Fsica aplicada Propriedades ticas Optoeletrnica

Nanotecnologia