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Corso di Microelettronica

Docente: Prof. Niccol Rinaldi Dipartimento di Ingegneria Elettrica e delle Tecnologie dellInformazione via Claudio 21 80125 Napoli tel: 081 7683517 e-mail: nirinald@unina.it

aa 2013-2014 Introduzione al corso Cenni sul processo di fabbricazione dei circuiti integrati; breve storia della microelettronica; evoluzione dei circuiti integrati, legge di Moore.

Elementi di fisica dei semiconduttori Struttura cristallina del silicio, indici di Miller, legami covalenti, modello a bande di energia dei semiconduttori, diagramma E-k; funzione di distribuzione di Fermi, concentrazione dei portatori allequilibrio termodinamico, concentrazione intrinseca, legge dellazione di massa, semiconduttori drogati, calcolo della concentrazione dei portatori nei semiconduttori drogati in funzione della temperatura; semiconduttori degeneri: effetti di drogaggio elevato. Semiconduttori fuori dallequilibrio termodinamico: pseudo-livelli di Fermi. Fenomeni di trasporto nei semiconduttori: correnti di deriva, mobilit, dipendenza della mobilit dalla temperatura, dal drogaggio e dal campo elettrico; definizione del potenziale; calcolo della resistivit, resistenza di strato; studio di un campione di semiconduttore polarizzato: legge di Ohm. Fenomeni di diffusione nei semiconduttori; equazione di continuit; processi di ricombinazione: processi di ricombinazione indiretti e Auger; tempo di vita dei portatori; ricombinazione superficiale. Le equazioni dei semiconduttori nel modello di derivadiffusione e cenni sui programmi di simulazione dei dispositivi.

Strutture elementari Analisi della giunzione pn allequilibrio termodinamico, analisi della regione di svuotamento: calcolo della tensione di barriera e dellampiezza della regione svuotata. Giunzione pn in condizioni di polarizzazione: analisi del diagramma a bande e degli pseudo-livelli di Fermi; legge della giunzione, calcolo delle correnti in un diodo lungo e in un diodo corto, effetti di ricombinazione ai contatti metallici; correnti di generazione-ricombinazione, effetti di alta iniezione, caratteristica tensione-corrente del diodo, polarizzazione inversa, effetto della temperatura sulle caratteristiche I-V. Fenomeni reattivi: capacit di diffusione e capacit di giunzione; tempo di transito; capacit di giunzione nelle giunzioni diffuse. Processi di moltiplicazione a valanga, coefficiente di moltiplicazione ed integrale di ionizzazione, effetto della curvatura, effetto tunnel. Modello SPICE del diodo. Condensatore MOS. Diagramma a bande della struttura MOS ideale; analisi della struttura MOS in condizioni di polarizzazione, distribuzione di potenziale e carica nel semiconduttore. Tensione di bandapiatta, tensione di soglia. Capacit della struttura MOS. Fenomeni di tunneling. Cenni sui processi tecnologici Ossidazione: cenni sul processo, espansione di volume, segregazione del drogante, cariche nellossido. Diffusione termica: prima legge di Fick, coefficiente di diffusione, processi di predeposizione e drive in, solubilit solida. Impiantazione ionica: profili impiantati, annealing. Litografia: il processo litografico, design rules. Attacco chimico: processi wet e dry, isotropia e selettivit. Deposizione CVD: caratteristiche dei processi CVD, deposizione di polisilicio, di ossido di silicio drogato e non drogato. Epitassia. Tecniche di deposizione di film metallici. Cenni sulle propriet dei contatti metallo-semiconduttore: diodi Schottky e contatti ohmici. Processo di realizzazione dei contatti. Sistema alluminio-silicio. Elettromigrazione. Tipologie di film dielettrici. Planarizzazione: tecnica etchback e CMP. Ritardo RC nelle interconnessioni; organizzazione delle interconnessioni,

Il transistore bipolare Analisi del funzionamento del transistore bipolare, delle componenti di corrente, e calcolo delle correnti ai terminali. Circuiti equivalenti. Effetti reattivi: capacit di giunzione e di diffusione, tempo di transito in base e nellemettitore. Correnti di generazione-ricombinazione. Effetto Early e tensione di Early. Modello di Gummel e Poon del transistore bipolare (facoltativo). Analisi della corrente di collettore in condizioni di bassi ed elevati livelli di iniezione, dipendenza del guadagno di corrente dalla tensione base-emettitore. Analisi delliniezione di minoritari nellemettitore, calcolo della corrente dei portatori minoritari. Resistenza di base, fenomeni di depolarizzazione, resistenza di emettitore e di collettore. Effetti di alta iniezione nel collettore: quasi-saturazione ed effetto Kirk, modello SPICE. Funzionamento in regime di piccoli segnali, circuito equivalente e calcolo della frequenza di transizione, tempo di transito in base nei transistori a drogaggio variabile. Tensioni di rottura: definizione ed analisi. Emettitori in silicio policristallino: caratteristiche e processo di realizzazione. Processo di realizzazione di un transistore con isolamento a giunzione, caratteristiche delle diffusioni dello strato sepolto, di isolamento, della regione di base, di emettitore e dello strato epitassiale. Resistori integrati. Tecniche di isolamento LOCOS e trench. Analisi delle problematiche relative al progetto di un transistore bipolare. Cenni sullevoluzione della tecnologia bipolare (scaling), strutture avanzate: emettitori in silicio policristallino, strutture autoallineate, strutture ad impiantazione selettiva di collettore, strutture ad eterogiunzione silicio-germanio. Il transistore MOSFET Principio di funzionamento, calcolo della tensione di soglia. Caratteristica corrente-tensione: equazione della corrente di drain ed analisi della regione di saturazione, modelli SPICE, cenni sulle tecniche di estrazione dei parametri. Capacit del MOSFET; modello ad ampi segnali e a piccoli segnali; frequenza di transizione. Processo di fabbricazione del MOSFET. Analisi della dipendenza della mobilit dal campo elettrico, modelli SPICE. Modulazione della lunghezza di canale. Analisi degli effetti di canale corto e canale stretto, modelli SPICE. Analisi delle correnti di sotto-soglia, pendenza di sottosoglia, modello SPICE. Effetto DIBL. Perforazione source-drain. Effetti di portatori caldi, strutture DDD e LDD. Resistenze di source/drain e processo SALICIDE. Tecnologie VLSI Cenni di elettronica digitale: caratteristica di trasferimento dellinvertitore, margini di rumore, invertitore con carico resistivo, e con carico attivo. Invertitore CMOS, caratteristica di trasferimento, consumo di potenza ed immunit al rumore. Commutazione dellinvertitore CMOS. Capacit di carico. Strutture CMOS con n-well, p-well e doppia well. Esempio di processo con n-well. Tecnologia retrograde well. Problematiche relative alla definizione della tensione di soglia; dispositivi PMOS a canale sepolto, processi dual-poly. Isolamento nelle strutture CMOS: tecnica LOCOS e tecnica shallow trench. Esempio di un processo CMOS 180 nm. Analisi del latchup, meccanismi di innesco, criteri di progetto. Miniaturizzazione dei processi MOS ed analisi dei trend attuali: roadmap dei semiconduttori. Teoria di scaling a campo costante. Problematiche relative alla miniaturizzazione: dissipazione di potenza, ossidi sottili, giunzioni sottili, controllo degli effetti di canale corto (strutture halo well e retrograde well). Esempi di processi INTEL recenti.

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