UNION P-N

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Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tam i!n se fa rican de "ermanio ("e), de naturale#as $ y % segn su composicin a ni&el atmico. Estos tipos de cristal se o tienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impure#as, normalmente con algn otro metal o compuesto qu'mico.

(n Semiconductor tipo $ se o tiene lle&ando a ca o un proceso de dopado, sustituy!ndole algunos de los tomos de un semiconductor intr'nseco por tomos con menos electrones de &alencia que el semiconductor anfitrin, normalmente tri&alente, es decir con ) electrones en la capa de &alencia (normalmente oro), al

semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga li res (en este caso
positi&os, *uecos).

)iodo de Unin ,- ,olarizado sin arrastre. di1usin.

)iodo de Unin ,-

,olarizado sin

)iodo de Unin ,- ,olarizado sin electrones. arrastre.

)iodo de Unin ,-

,olarizado sin

Si cambiamos el 0olta2e en la 3arra de )esplazamiento 4ertical 567.o 48, obser0aremos!

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,&S.S!

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La ley de Shockley
(n diodo S*oc+ley es un dispositi&o de dos terminales que tiene dos estados esta les, uno de loqueo o de alta impedancia y de conduccin o a-a impedancia. %o se de e confundir con el diodo de arrera Sc*ott+y. Est formado por cuatro capas de semiconductor de tipo % y $, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. .a caracter'stica Tensin/0orriente (1/2) se muestra en la figura. .a regin 2 es la regin de alta impedancia y la 222, la regin de a-a impedancia. $ara pasar del estado apagado al de conduccin, se aumenta la tensin en el diodo *asta alcan#ar la tensin de conmutacin, denominada 1s. .a impedancia del diodo desciende ruscamente, *aciendo que la corriente que lo atra&iesa se incremente y disminuya la tensin, *asta alcan#ar un nue&o equili rio en la regin 222 ($unto B). $ara &ol&er al estado apagado, se disminuye la corriente *asta la corriente de mantenimiento, denominada 2*. En ese instante el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, toda&'a ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cru#ando la regin 22, *asta que alcan#a el nue&o equili rio en la regin 2 ($unto 3). .a tensin in&ersa de a0alanc a es denominada 1r . Este dispositi&o fue desarrollado por William 3rad1ord S oc:ley tras a andonar los 'aboratorios 3ell y fundar S oc:ley Semiconductor . 4ueron fa ricados por 0le&ite/S*oc+ley. 5iodo S*oc+ley sin 6ecom inacin

5iodo 5iodo S*oc+ley sin 0orrientes

S*oc+ley sin 0orrientes

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.os circuitos de ayuda a la conmutacin, tam i!n conocidos como Snu

er, tienen la funcin de a sor er la ien limitando los &alores

energ'a procedente de los elementos reacti&os del circuito durante el proceso de conmutacin controlando parmetros tales como la e&olucin de la tensin o corriente en el interruptor, o m7imos de tensin que *a de soportar. Se incrementa de esta forma la fia ilidad de los semiconductores al reducirse la degradacin que sufren de ido a los aumentos de potencia disipada y de la temperatura de la unin.

&l acer un clic en el botn ,&(;M$<(.S %I(%UI<., Se obser0ar la 0entana que se encuentra acia la )erec a. ,odemos cambiar los datos en 4( y 4=, %ambiarn los resultados y tambi/n la gr1ica.

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