Memoria EPROM

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EPROM. La pequea ventana de cuarzo recibe luz UV durante el borrado.

Ventana de EPROM.

Una EPROM de 32KB (256Kbit).

Este microcontrolador 8749 almacena su programa en una EPROM interna.

Una EPROM de 4KB (32Kbit) 1984.

Vista detallada del interior de una memoria.

EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no voltil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Est formada por

celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fbrica sin carga, por lo que son ledos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas).
ndice
[ocultar]

1 Caractersticas 2 Borrado de un EPROM 3 Borrador de EPROM 4 Diferencia entre Eprom C y No-C 5 Decodificando los Nmeros de los EPROM 6 Cross list 7 Vase tambin

[editar]Caractersticas
Las memorias EPROM se programan mediante un dispositivo electrnico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrnicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0. Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposicin a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROM se reconocen fcilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a travs de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado. Como el cuarzo de la ventana es caro de fabricar, se introdujeron los chips OTP (One-Time Programmable, programables una sola vez). La nica diferencia con la EPROM es la ausencia de la ventana de cuarzo, por lo que no puede ser borrada. Las versiones OTP se fabrican para sustituir tanto a las EPROM normales como a las EPROM incluidas en algunos microcontroladores. Estas ltimas fueron siendo sustituidas progresivamente por EEPROMs (para fabricacin de pequeas cantidades donde el coste no es lo importante) y por memoria flash (en las de mayor utilizacin). Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte aos, y se puede leer un nmero ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por la luz del sol, la ventana de borrado debe permanecer cubierta. Las antiguas BIOS de los ordenadores personales eran frecuentemente EPROM y la ventana de borrado estaba habitualmente cubierta por una etiqueta que contena el nombre del productor de la BIOS, su revisin y una advertencia de copyright.

Las EPROM pueden venir en diferentes tamaos y capacidades. As, para la familia 2700 se pueden encontrar:

Tipo de EPROM Tamao bits Tamao Bytes Longitud (hex) ltima direccin (hex)

1702, 1702A

2 Kbits

256

100

000FF

2704

4 Kbits

512

200

001FF

2708

8 Kbits

1 KBytes

400

003FF

2716, 27C16

16 Kbits

2 KBytes

800

007FF

2732, 27C32

32 Kbits

4 KBytes

1000

00FFF

2764, 27C64

64 Kbits

8 KBytes

2000

01FFF

27128, 27C128

128 Kbits

16 KBytes

4000

03FFF

27256, 27C256

256 Kbits

32 KBytes

8000

07FFF

27512, 27C512

512 Kbits

64 KBytes

10000

0FFFF

27C010, 27C100

1 Mbits

128 KBytes

20000

1FFFF

27C020

2 Mbits

256 KBytes

40000

3FFFF

27C040

4 Mbits

512 KBytes

80000

7FFFF

27C080

8 Mbits

1 MBytes

100000

FFFFF

NOTA: 1702 EPROM son PMOS, las EPROM de las serie 27x que contienen una C en el nombre estn basadas en CMOS, el resto son NMOS

Pines de la EPROM 2764

+--------------+ VPP |1 A12 |2 A7 |3 A6 |4 A5 |5 A4 |6 A3 |7 A2 |8 A1 |9 A0 |10 D0 |11 D1 |12 D2 |13 GND |14 2764 +--+ 28| VCC 27| /PGM 26| NC 25| A8 24| A9 23| A11 22| /OE 21| A10 20| /CE 19| D7 18| D6 17| D5 16| D4 15| D3

+--------------+ [editar]Borrado

de un EPROM

Una memoria EPROM puede ser borrada con una lmpara de luz UV, del tipo UV-C, que emita radiacin en torno a los 2537 (Angstrom) o 254nm, a una distancia de unos 2,5 cm de la memoria. La radiacin alcanza las clulas de la memoria a travs de una ventanilla de cuarzo transparente situada en la parte superior de la misma. Para borrar una EPROM se necesita que la cantidad de radiacin recibida por la misma se encuentre en torno a los 15 W/cm^2 durante un segundo. El tiempo de borrado real suele ser de unos 20 minutos debido a que las lmparas utilizadas suelen tener potencias en torno a los 12 mW/cm (12 mW x 20 x 60 s = 14.4 W de potencia suministrada). Este tiempo tambin depende del fabricante de la memoria que se desee borrar. En este tiempo todos sus bits se ponen a 1. Es importante evitar la sobreexposicin del tiempo de radiacin a las EPROM; es decir, la potencia luminosa suministrada a la memoria, pues se produce un envejecimiento prematuro de las mismas. Debido a que la radiacin solar e incluso la luz artificial proveniente de tubos fluorescentes borra la memoria lentamente (de una semana a varios meses), es necesario tapar dicha ventanilla con una etiqueta opaca que lo evite, una vez que son grabadas.

Se debe aclarar que una EPROM no puede ser borrada parcial o selectivamente; de ah que por muy pequea que fuese la eventual modificacin a realizar en su contenido, inevitablemente se deber borrar y reprogramar en su totalidad.

[editar]Borrador

de EPROM

Un borrador de EPROM es un caja opaca pticamente, con una fuente de luz UV del tipo C, la cual tambin es utilizada para esterilizar instrumentos quirrgicos y/o como germicida.

Lmpara borradora de EPROM.

Para borrar las EPROM no se puede utilizar las luz "UV Negra", (que es comnmente utilizada para verificar billetes, tickets, etc.), que emiten en la regin UV-A, (365 nm). La nica luz que funciona es la UV-C, (254 nm), la cual emite "luz peligrosa" o "germicida", (mata grmenes). Es "luz peligrosa" por que la exposicin prolongada puede causar cataratas a largo plazo y dao en la piel; sin embargo una exposicin breve, unos 5 segundos continuos en la piel, no debera de causar ms que una leve resequedad, por lo que es necesario tomar todas las precauciones para evitar estos problemas. Dado que este tipo de luz UV-C se encuentra en la luz solar, si se deja una EPROM directamente bajo sta, en algunas das o semanas se borraran; por lo que se requiere proteger las EPROM una vez se hayan programado. Se puede utilizar una lmpara de tubo normal de 4 W del tipo F4T5 (4 watt, 5 pulgadas) que da luz blanca (ver foto). Tambin un tubo de luz G4T5 "Germicidal UVC", que tiene el vidrio claro, para borrar las EPROM. La "G" es para germicidas, lo mismo que la "F" es para fosforescentes (aunque no tengan fsforo). Otro tipo de lmpara comnmente utilizada es la PHILIPS TUV 4W-G4T5-240805D-4WTUV.

Circuito simple para borrador de EPROM, (se le puede agregar temporizador).

Las lmparas UV que tienen el vidrio morado o lila son para el espectro UV-Visible o "UV Negra", normalmente estn marcadas como U4T5 o similar y no funcionan para borrar las EPROM. Un tubo de luz fluorescente de luz blanca, tiene una cubierta de fsforo en el interior del vidrio. La Luz UV del mercurio excita el fsforo, el cual re-radia la energa en el rango visible. Las lmparas UV para borradores de EPROM o germicidas usan directamente la luz del vapor de mercurio. El vidrio se debe de hacer de cuarzo, en lugar de vidrio ordinario, para evitar que el vidrio absorba la mayor parte de los rayos UV. El cuarzo es ms transparente en las longitudes UV del mercurio. Tambin podran ser borrados si son expuestos a la luz de la soldadura elctrica (de electrodo), con el riesgo que una chispa queme el chip, debido a que se debe de acercar la EPROM como a unos 10 o 15 cm para que reciban la suficiente radiacin para borrarlos. En teora tambin se pueden borrar con rayos X, "tomando radiografas del EPROM", el tiempo de borrado depender de la calibracin/emisin del equipo de rayos X utilizado.

[editar]Diferencia

entre Eprom C y No-C

La nica diferencia entre los 27256 y los 27C256 es que los 27256 usan NMOS mientras los 27C usan tecnologa CMOS. CMOS slo consume potencia apreciable cuando una seal est cambiando. NMOS usa canal N FET's con elementos resistores, mientras CMOS evita las resistencias que desperdician energa por utilizar ambos canales N y P FET. Adems los CMOS evitan la produccin de calor, permitiendo arreglos ms compactos de transistores de los que los NMOS son capaces. La alta densidad de elementos de los CMOS reduce las distancias de interconexin lo cual incrementa la velocidad. Adems CMOS brilla cuando hay una cantidad limitada de energa como cuando se utiliza un sistema alimentado por bateras. Se presentan algunos problemas en las EPROM CMOS usando programadores viejos, debido a a las diferencias en los voltajes de programacin, (CMOS tiene 12,5 Vpp). EPROM CMOS tambin requieren

una fuente de voltaje, (Vcc), de exactamente 6 Voltios. CMOS son fciles de borrar pero tienden a morir si son sobre expuestos a la luz UV.

[editar]Decodificando

los Nmeros de los EPROM

27(C)XXX son EPROM o OTPROMS. 57(C)XXX son EPROM o OTPROMS que permiten 8 lneas de direccin bajas a ser multiplezadas con la lnea de datos (Algunos MCU's multiplexan juntas la direcciones bajas y la lnea de datos). Estos todava se programan como los EPROM 27(C) XXX en los programadores de bolsillos, porque el algoritmo del software lo tiene en cuenta.

28(C)XXX son EEPROM con la C indicando para CMOS. 28FXXX son Flash EEPROM con la F sealando para Flash. No confundir con EPROM.

[editar]Cross

list

Las siguientes partes pueden ser la misma - (de acuerdo a las guas de referencia de los fabricantes), all pueden haber algunas diferencias incluyendo el algoritmo usado para programarlos.
Manufactu rer AMD AMI C Atmel Fujits u Hitac hi Hyni x INTE L Mitsu bishi M5M 27C3 2 27C6 4 27C1 28 27C2 56 NEC NSC SGS SST ST micro TI Toshi ba Winbon d PIN s

prefix

AM

AE

ASD

AT

MBM

HN

HY

UPD

NM 27C32 Q 27C64 Q 27C128 Q 27C256 Q

SST

TMS

TC

32K

2732

2732

2732

2732

D2732

2732

2732

N/A

64K

27C6 4 27C1 28 27C2 56

27C64

27C6 4 27C1 28 27C2 56

27C6 4 27C1 28 27C2 56

27C64

27C64

27C6 4 27C1 28 27SF2 56 27C2 56

N/A

128K

27C12 8 27C25 6

27C12 8 27C25 6

27C12 8 27C25 6

N/A

256K

27C256

27256

57256

28HC2 56 27C5 12 28F51 2 27C51 2 27C5 12 27C5 12 27C5 12 27C51 2 27C512 Q 27C51 2 27SF5 12 29EE5 12 39SF5 12 27C10 01 27C0 10 27C0 10 27C1 01 27C10 01 27C010 Q 27C10 01 27SF0 10 29F51 2 27C10 01 27C0 10 57100 0 27C51 2 27C5 12

512K

27C512

57512

27E512

29C512

49C512

29EE512

1MEG

27C0 10

29F10 08

27C010

27E010

29C010 28F00 1 28F01 0 29EE0 10 27C20 01 27C0 20 27C0 20 27C2 01 27C20 01 27C020 Q 27C20 01 27SF0 20 29EE0 20 39SF0 20 27C4 27C40 27C040 27C40 27C20 01 27C0 20 39SF0 10 29F01 0

49F001 28F01 0

29EE011

49F010

29C010

2MEG

27C0 20

29F20 08

27C020

N/A

27E020

29F00 2

29C020 49F020 49F002

29F0 02

28F00 2

29F00 2

29C020

4MEG

27C0

27C40

27C0

27C0

27C0

57400

40

01 29C04 0 49F04 0 29F04 0 29F40 0 29010 29001 29001 1

40

40

01

01

01 28SF0 40 39SF0 40 28SF0 40 29F04 0 29F04 0

40

29F04 0

28F00 4

29040

29F04 0 29F40 0

29F0 40 29F4 00

BM29F0 40

x16

8MEG

27C80 1

32

29F08 0 29F80 0 29002 29002 1

29F08 0 29F80 0

29F0 80 29F8 00

x16

16MEG

32

32MEG

29400 29040 A 29800

32/4 8

64Meg

48

Las memorias EEPROM que funcionan bajo el protocolo I2C han ganando poco a poco un espacio en el hardware de los equipos electrnicos hasta transformarse en uno de los medios de almacenamiento de informacin ms populares por su practicidad y sencillez de manejo. Tener la posibilidad de almacenar datos de diversa ndole en una memoria no voltil, es una caracterstica importante de los equipos que les permite la desconexin prolongada de cualquier suministro energtico y conservar durante mucho tiempo informacin valiosa que de otro modo, se perdera al desconectar un sistema. Tambin conocidas como memorias de protocolo serie las 24CXX son infaltables en cualquier equipo electrnico de consumo masivo y aqu te ayudaremos a comprender su funcionamiento.
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Estos diminutos circuitos integrados poseen la capacidad de almacenar datos organizados, los que deben ser grabados de manera apropiada en su interior y adems tienen particularidades que los hacen sobresalir y destacar dentro de su gnero. Algunas de las caractersticas dignas de mencionar, pueden ser las que a continuacin enumeramos: Pueden ser escritas y borradas de forma elctrica = Electrically Erasable ProgramableRead Only Memory Estn garantizadas para 1 milln de ciclos de escritura/lectura. Pueden llegar a retener la informacin sin ser alimentadas durante cientos de aos. Se organizan por pginas para facilitar su direccionamiento y almacenamiento de la informacin. Utilizan para su funcionamiento una tensin nica (5Volts o 3,3Volts) Son compatibles con el protocolo serial I2C (Marca registrada de Philips) Bajsimo costo.

Amplia variedad de encapsulados para adaptar el modelo necesario, de acuerdo al tamao de la aplicacin.

Los electrodomsticos utilizan este tipo de memorias en forma masiva, almacenando datos de programacin muy importantes para su funcionamiento Repasemos el Concepto I2C El Bus I2C (Inter - Integrated Circuit) es un sistema de comunicacin de dos cables, con propiedades de velocidad de transferencia de datos considerada de media a baja (400 Khz. a 100 Khz.) y que fue desarrollado por Philips Semiconductor, a comienzos de la dcada del 80. Originalmente creado para reducir los costos de los equipos electrnicos, tuvo sus primeras aplicaciones en controles de contraste, brillo y volumen en aparatos de televisin pero actualmente encontramos conexiones por bus I2C en una gran variedad de computadoras, equipos industriales, entretenimiento, medicina, sistemas militares y un ilimitado abanico de aplicaciones e importantes usos potenciales. Antes de la aparicin del Bus I2C, las transferencias de datos de memorias a microprocesadores, eran realizadas en forma paralela requiriendo de esta forma encapsulados con una importante cantidades de pines (24, 28, o ms pines). La asignacin de funciones de los pines se repartan entre el direccionamiento de la memoria, la seleccin, el control y la transferencia de datos. Esta ltima solamente requera de 8 pines ms otros ocho pines para el direccionamiento, por mencionar algunos. En contraste con este despilfarro de pines, el Bus I2C permite la comunicacin chip-to-chip usando solo dos cables en una conexin serial,

permitiendo de esta forma comunicar dispositivos con muy pocas vas. Estos dos cables son llamados Clock (SCL) y Data (SDA) y son los encargados del direccionamiento, seleccin, control y transferencia de datos, de a un BIT por vez.

Una memoria 24C04 utilizada en un TV SDA est encargado del intercambio de datos, mientras que SCL se encarga de sincronizar al transmisor y al receptor durante la transferencia de los datos mencionados desde un IC al otro. Dentro del sistema de comunicacin I2C, los dispositivos estn identificados como Maestro (Master) y Esclavo (Slave), por lo que al dispositivo que inicia el contacto y abre el bus se lo denomina Master, mientras que al que recepciona y contesta el llamado se lo denomina Slave. Los dispositivos conectados al bus pueden ser Master solamente, Slave solamente o intercalar las funciones de Master y Slave de acuerdo como el sistema requiera, tal como es el caso que veremos de las memorias EEPROM I2C. Este sistema puede interconectar a muchos IC sobre el bus (hasta 255 dispositivos) y todos conectados a los mismos dos cables SDA y SCL. Cada dispositivo esclavo posee una nica direccin y cuando el Master transmita el llamado todos los ICs conectados al bus lo escucharn, pero solo le contestar aquel que posea la direccin que el transmisor incluy en su llamada y ser con este nico Slave, con quien iniciar la transferencia de datos hasta que decida cerrarla. Comenzando a comunicar La condicin de START o Inicio ocurre nicamente en la transicin de un estado ALTOa un

estado BAJO en la lnea SDA mientras la lnea SCL se encuentre en un nivelALTO. En cambio, la transicin de un estado BAJO a un estado ALTO en la lnea SDA, mientras la lnea SCL se encuentre en un nivel ALTO, indicar una condicin de STOP oParada. Las condiciones de START y STOP son siempre generadas por el dispositivo que asuma la condicin de Master dentro del bus. El bus se considerar ocupado despus de una situacin de START y pasar a estar nuevamente libre cierto tiempo despus de la transmisin de la condicin de STOP. Este cierto tiempo ser determinado por el Master y vendr especificado en la hoja de datos del mismo.

Transicin de SDA (H a L y viceversa) para generar las condiciones de START y STOP En Proton debemos indicarle al programa y/o al microcontrolador cules son los pines que cumplirn las funciones de SDA y SCL, porque pueden existir desarrollos en que estemos trabajando con un dispositivo que no posea un mdulo SSP nativo(Synchronous Serial Port). En este caso, no tendremos pines dedicados (por hardware) a tal fin en el microcontrolador y debemos indicarle al sistema mediante instrucciones de programa, que pines cumplirn la funcin de interconexin al Bus I2C. Esto se realiza al comienzo del programa antes de la declaracin de variables y se formaliza mediante un comando llamado DECLARE, quedndonos la secuencia de la siguiente forma: DECLARE SDA_PIN PORTB.0 DECLARE SCL_PIN PORTB.1 En el ejemplo propuesto, hemos ordenado que SDA sea el pin 0 del puerto B, mientras que SCL sea el pin 1 del mismo puerto. Esta aplicacin es vlida para cualquier puerto del microcontrolador mientras est configurado en modo digital y se debe tener en cuenta que si no se incluyen estas directivas al inicio del programa, por defecto se asignarn los pines PORTA.0 para SDA y PORTA.1 para SCL. Otra de las cosas que debemos indicarle a nuestro sistema durante el desarrollo es la velocidad a la que intercambiar datos el bus ya que la mayora de los dispositivos actuales puede realizarlo a 400Khz o a 100Khz. Si bien ya existen circuitos integrados capaces de trabajar a 1Mhz tambin nos encontramos en la actualidad con el contraste de memorias EEPROM que no pueden intercambiar datos a ms de 100Khz. Por lo tanto, si optamos por utilizar la

frecuencia mnima, incluiremos el siguiente comando: DECLARE SLOW_BUS=ON Luego de esto, ya estamos listos para abrir el dilogo dentro del bus y lo haremos con el sencillo comando: BSTART De esta forma, el bus ya habr sido abierto por nuestro microcontrolador asignndose ste la funcin de Master y pasando a estar todo listo para la transferencia de datos hacia el Slave que el microcontrolador decida, transmitiendo al bus la direccin pertinente. Para leer datos, en nuestro caso alojados en una memoria, lo haremos de la siguiente forma: BUSIN Control, Direccin, [Variable] La sintaxis expresada nos indica que el Master (nuestro microcontrolador) recibir (BUSIN) un dato, el que colocar dentro de una Variable luego de haberlo sacado de uno de los dispositivos colgados del Bus I2C. El circuito a quin desea extraer el dato le transmite a travs de la palabra de Control que va a extraer datos de l, y que dicho dato se encuentra en la Direccin apuntada. La palabra Control posee dos informaciones importantes a destacar que son el nombre que posee nuestro dispositivo remoto dentro del Bus y la instruccin acerca de que vamos a leer en l. Si por el contrario lo que desea hacer el sistema es escribir un dato en el dispositivoSlave seleccionado, lo har mediante la siguiente forma: BUSOUT Control, Direccin, [Variable] Con una sintaxis muy similar al caso anterior, el Master transmitir (BUSOUT) un dato, el que tomar de una Variable, y lo grabar en uno de los dispositivos conectados al bus y seleccionado con la palabra de Control. En esta palabra se indicar a cul de todos los dispositivos le hablar, indicndole que grabar en l y que a este proceso lo har en una Direccin definida dentro del programa principal. Cabe agregar en este punto que Proton y la mayora de los fabricantes de memorias recomiendan efectuar una rutina de demora o espera luego de haber grabado un dato a travs de BUSOUT, para asegurar la grabacin del dato, la que se efectiviza mediante la expresin:DELAYMS 10 , indicndonos con esto que efectuar un retardo o demora (Delay) de 10 milisegundos. Luego, slo nos queda cerrar el bus y lo haremos con la instruccin:BUSTOP Eso es todo. Ya tenemos la forma de abrir el bus, de leer o de grabar en un dispositivo Slave y de cerrar nuevamente el bus. Es momento de saber cmo manejar la palabra de Control y la Direccin de lectura/escritura. Organizacin Interna de las Memorias No todas las memorias EEPROM I2C se direccionan y controlan de la misma forma. Por lo tanto, haremos un breve resumen de los datos ms relevantes a tener en cuenta al momento de emplear la palabra Control dentro de los comandos BUSIN y BUSOUT. Palabra o Byte de Control La palabra o Byte de Control, nos indicar la direccin que posee la memoria dentro del bus y

si vamos a leer o a escribir en ella. 24C00 = 1|0|1|0|X|X|X|R/W R/W significa Read o Write, que en espaol equivale a Leer o Escribir respectivamente segn lo que decidamos hacer con la memoria. Si vamos a leer la memoria (Read) este bit adoptar el valor 1. En cambio, al grabar un dato en la misma (Write), el valor ser 0. Por su parte X, significa que el valor que adopte en estas posiciones no tiene relevancia, por lo que podemos adoptar para este lugar, un cero o un uno que el resultado ser el mismo. Como dato adicional podemos mencionar que la memoria 24C00 posee una capacidad de 128 bits, organizada en una sola pgina con 16 Bytes de 8 bits 24C01/24C02/24C04 = 1|0|1|0|A2|A1|A0|R/W Para este grupo de memorias tenemos la misma direccin en los cuatro bits iniciales ( 1010) que en el caso anterior, lo mismo para el bit final de R/W, pero encontramos un significativo cambio en las posiciones A0, A1 y A2 que coinciden con los pines uno, dos y tres respectivamente, segn las hojas de datos de las memorias.

Los pines A2, A1 y A0 se utilizan para seleccionar el chip al que direccionaremos la transferencia de datos Con estos tres bits, podemos direccionar hasta ocho memorias conectadas al mismo bus, trabajo que puede realizar cmodamente el microcontrolador. La nica que se diferencia de este grupo

es la 24C04 que debe tener siempre conectado A0 a GND o a VCC, pudiendo por lo tanto, direccionarse slo cuatro unidades de la misma a travs de A1 y A2. A0, en este caso, servir para direccionar el puntero de escritura o lectura, hacia la primer pgina de 256 Bytes o hacia la segunda. Aqu empezaremos a ver ya, cmo la estructura interna de estas memorias est organizada en pginas. Por ltimo, destacamos que en este grupo de memorias encontramos la siguiente caracterstica: sumarse a otras iguales para incrementar la capacidad de almacenamiento. Por su parte la memoria 24C02 posee una pgina de 256 Bytes y la 24C04 ya poseedos pginas de 256 Bytes cada una, sumando as 512 Bytes de capacidad. Vemos entonces, que las 24C01 y 24C02 poseen una sola pgina, por lo que la palabra de control para ellas ser igual a 1010000X, siendo X el bit que defina la lectura o escritura en la memoria, mientras que la 24C04 tendr dos palabras de control, segn la pgina donde decidamos trabajar. Esto es, 1010000X para la primer pgina y 1010001X para la segunda. 24C08/24C16 = 1|01|0|B2|B1|B0|R/W En el caso de estos modelos, repetimos los primeros cuatro bits iniciales que identifican a las memorias EEPROM seriales (1010) y el ltimo bit R/W, mientras que nos encontramos con la terminologa B2, B1 y B0 dentro de la palabra de control en estos modelos.

Tabla que nos muestra como seleccionar las pginas en memorias 24C08 y 24C16 En el caso de estas dos memorias, no podremos colocar en el bus mltiple cantidad de ellas sino que slo tendremos posibilidad de colocar una sola, a diferencia de las anteriores vistas hasta aqu. Esto es debido a que a pesar de poseer la misma disposicin de pines que los modelos anteriores, A2, A1 y A0 no poseen conexin interna colocndose generalmente estos a GND. Por su parte, B2, B1 y B0 sirven para identificar por software la pgina (o bloque) dentro de la memoria. Es decir, que para la 24C08 que posee una disposicin decuatro pginas de 256 Bytes (4 X 256 X 8 bits = 1 KByte = 8 Kbit); mientras que la 24C16, dispondr de 8

pginas de 256 Bytes de 8 bits lo que equivale a un total de 2KByte que es lo mismo que 16Kbit. Por lo tanto, razonando lo mencionado y analizando el cuadro superior, vemos que tendremos 4 palabras de control para la 24C08 y 8 Palabras de control para la 24C16: una por cada pgina de 256 Bytes.

24C08 y 24C16 son tamaos de memoria altamente utilizadas en los equipos de TV y DVD para almacenar informacin La palabra Direccin Habiendo llegado hasta aqu, nos queda resolver solamente la forma en que estar compuesta esta palabra, la que ser usada para decidir el casillero que ocuparemos con informacin dentro de la pgina que habremos seleccionado con anterioridad. En el caso de la 24C00 tenamos una pgina de tan slo 16 Bytes, por lo que tendremos apenas 16 filas para ubicar Bytes de informacin. Protn Lite acepta cualquiera de las tres notaciones para las palabras de Control y de Direccin, es decir: Binaria, Decimalo Hexadecimal, por lo que podemos escribir para facilitar el trabajo, un comando de la siguiente forma: BUSIN 161, 8, [Dato] En el ejemplo mostrado tenemos la palabra de control 161, lo que equivale a10100001 en binario y que nos indica que accederemos a la primer pgina (pgina cero) de cualquier memoria de las vistas y que la citada memoria ser leda. Luego viene el valor 8, que sera 00000100 en binario, lo que nos indica que se leer la octava de todas las filas de Bytes que tenga esta pgina. Mientras que por ltimo, el dato extrado ser volcado en una variable de tamao BYTE a la que hemos denominado Dato

Escribir en esta misma direccin sera: BUSOUT 160, 8, [Otro_Dato] El ltimo bit de la palabra de control a pasado a ser cero (antes tenamos 161 y ahora tenemos 160), y el valor a grabar ser el que exista en ese momento dentro de la variable Otro_Dato, tambin de tamao BYTE y declarada al inicio del listado del programa.

Programa ejemplo para leer una EEPROM I2C con Proton Con este sencillo programa de ejemplo podemos leer la primer pgina de una memoria EEPROM I2C y colocar en un display LCD cada uno de los valores ledos durante medio segundo antes de pasar al prximo valor, hasta leerlos a todos. Para otras pginas, variaremos la palabra de control segn nuestras necesidades de uso. El ejemplo muestra la utilizacin de un PIC16F84A y la declaracin de los pines que se utilizarn como SDA y SCL. Tambin cabe destacar que se utilizar una baja velocidad de bus y que el LCD se conecta al puerto por defecto para tal fin, que en este caso es el B. De esta forma se pueden guardar una multitud de datos en una memoria EEPROM I2Cy tenerlos siempre listos para su utilizacin durante el desarrollo del programa. Adems, funciones extras dentro del programa del microcontrolador nos pueden permitir detectar el corte de la tensin de alimentacin y, mediante el uso de una batera de respaldo o Back-Up, grabar inmediatamente todas las variables dentro de la memoria para luego proceder a apagar el sistema de forma automtica hasta que se reponga la energa. Un ejemplo de esta aplicacin son los contadores de fichas de los videojuegos de saln, los flippers y la mayora de las mquinas recreativas que trabajan con fichas o monedas. Mientras la mquina funciona normalmente, la batera de respaldo se mantiene cargada y al momento de un apagn o de la desconexin para su traslado, la informacin se guarda de manera automtica para su posterior control. Lo sabas?

INTRODUCCIN

Las memorias son dispositivos semiconductores que sirven para guardar informacin; dicha informacin puede estar conformada por datos a ser procesados, comandos de programas o programas enteros inclusive.

Estructuralmente pueden estar compuestas por Flip-Flop's o por celdas capacitivas (en el caso de las RAM dinmicas), o por conexionado interno de matrices de diodos (en el caso de algunas PROM). Tecnolgicamente pueden estar constituidas por MOS, o por TTL, o por conexionado interno de matrices de diodos.
La capacidad de memoria se mide en Bytes, unidad consistente de 8 bits. La variedad de capacidades de memoria vara de unos pocos Bytes a varios Mega Bytes (MB), segn para el tipo de aplicacin que se requieran. En una memoria existen las lneas de datos, las lneas de direccionamiento o ADDRESS y las lneas de control, adems de las de alimentacin. La organizacin interna de un memoria est constituida por celdas (o casilleros de memoria) de un Byte c/u, las cuales tienen asignada una direccin de memoria (o nmero de casillero). El conjunto de celdas constituye la llamada matriz de memoria. Para realizar operaciones con las celdas dentro de la memoria existen los decodificadores de direccionamiento, el control de secuencia (comandado por el Clock) y las puertas de entrada/salida de datos (controladas por el Chip Selection y la orden R/W,

escritura/lectura). Con las lneas ADDRESS el microprocesador tiene cmo seleccionar una posicin de memoria para leer o escribir un dato. Esta seleccin o posicionamiento es ms conocido por direccionamiento. A travs de estas lneas el P solamente indica cul ser la celda a ser escrita o leda. Con las lneas de datos (o BUS de datos) el microprocesador recibe o enva informacin desde o hacia la memoria, cuando lee o escribe.

En este informe se ahondara en el subgrupo

de las EEPROM E

PROM(Electrically Eraseable PROM), cuyo mtodo de borrado y grabacin consiste en la aplicacin, de una manera determinada, de pulsos de tensin. En las memorias ms antiguas de este tipo se precisaba una lnea de tensin de valor bastante superior al de alimentacin del chip. Hoy en da, ya se encuentran algunas que manejan la operacin de escritura slo con la tensin de alimentacin normal. Este grupo tiene una capacidad de memoria bastante inferior a la de las EPROM debido a su complejidad estructural intrnseca. Pero tienen la ventaja de ser regrabables durante un procesamiento de datos, sin sacarlas de su emplazamiento. Son bsicamente de slo lectura; pero pueden ser usadas como de escritura "lenta" (Alrededor de 10 mS) para el almacenamiento prolongado de nuevos datos.

MEMORIAS EEPROM Las memorias EEPROM (electrically erasable and reprogrammable ROM) o E2PROMs como son llamadas habitualmente, son memorias ms caras y ms rpidas que las EPROM (pueden tener tiempos de acceso alrededor de 35 ns) y una vida media en torno a los 10.000 ciclos de borrado/escritura. Se caracterizan por usar una nica tensin para su lectura y su escritura, coincidiendo con la tensin de + 5 v. de alimentacin de un sistema digital. Este hecho las hace muy atractivas en muchas aplicaciones, pues permite alterar su contenido sin necesidad de extraer la memoria del sistema digital del que forma parte. Borrado de una EEPROM El proceso de borrado de una EEPROM es muy sencillo. En realidad las memorias actuales incorporan en su interior los recursos necesarios para borrar la propia memoria elctricamente. Durante el proceso de grabado, la propia memoria realiza el borrado previo del byte que va a grabar de forma automtica. No es necesaria ninguna tensin especial de borrado ni ningn procedimiento. Grabado de una EEPROM La grabacin de una memoria EEPROM no requiere ninguna tensin especial (basta con los + 5 v de la alimentacin general del sistema y de la propia memoria, su Vcc), ni dispone de terminales especiales de grabado como en el caso de la EPROM. Su aspecto, desde el punto de vista de terminales y de funcionalidad es similar al de una memoria SRAM (esttica) equivalente. Es el propio terminal de lectura/escritura el que hace las funciones de terminal de grabacin. Lo nico que vara con respecto a una memoria RAM es el tiempo necesario para grabar la memoria (en torno a los 10 ms/byte).

El hecho de necesitar slo una tensin de alimentacin/grabacin de + 5 v es debido al hecho de que las EEPROMs actuales incorporan las bombas de

carga necesarias durante el proceso de grabacin y funcionan con esta tensin.

Los fabricantes recomiendan seguir el siguiente procedimiento (algoritmo) para grabar sus memorias: 1.Establecer la direccin a grabar en el bus de direcciones de la EEPROM 2.Establecer el dato (byte) a grabar en el bus de datos de la EEPROM 3.Activar la seal R/W# a 0 (escritura) 4.Leer el byte que se acaba de grabar. Para leer el byte basta con poner la seal R/W# a 1. Leer el bit MS del byte grabado. 5.Compararlo con el bit MS del byte original 6.Si son distintos, volver a 4. Si son iguales, salir. Durante el proceso de grabacin de un byte, mientras se est grabando el dato, el bit de mayor peso (MS) tiene el valor complementado del valor real del mismo, es decir, si realmente es un 1 en el byte que se est grabando, mientras se realiza el proceso, valdr 0. Este mecanismo incorporado en la memoria permite simplificar el proceso de grabacin de la misma pues slo habr que esperar a que este bit MS deje de estar complementado (tiempo de grabacin de la memoria) para continuar grabando otro dato.

MEMORIAS EEPROM SERIAL

La tecnologa de EEPROM de serie es uno de las tecnologas de memoria no-voltiles que han surgido como una solucin principal de diseo.

Desgraciadamente, la mayora diseadores del sistema no son conscientes de los beneficios de EEPROM de serie. Tambin, la documentacin de apoyo en databooks no es a menudo adecuada, se consigue informacin incompleta o ambigua. Como resultado, el diseador del sistema selecciona a menudo una solucin no-voltil que no rene sus requisitos, o, el diseador debe enfrentar un diseo ms complicados con un EEPROM de serie Las opciones de memoria no-voltiles disponible ofrece una variedad de dispositivos diferentes. La mayor parte estas opciones de memoria pueden agruparse en dos categoras mayores: soluciones de serie y las soluciones paralelas. Esta categora discute los atributos de cada uno, conductas, un anlisis comparativo y en el proceso identifica los beneficios y ventajas de EEPROMs De serie. Caractersticas El rasgo principal de este dispositivo de serie es, como su nombre implica, la habilidad de comunicar a travs de una interface de serie. Esta memoria tiene numerosos beneficios:

1. Primero, la comunicacin de serie es cumplida con un nmero mnimo de I/O. 2. Las EEPROM de serie requieren slo dos a cuatro lneas (dependiendo del hardware y protocolo del software) para comunicacin completa. 2.1. Direccin de la memoria 2.2. Entrada de datos 2.3. Rendimiento 2.4. Mando del dispositivo 3. Otro beneficio de comunicacin de serie es tamao del paquete. Que va de las densidades de 16 a 256 Kbit; esta memoria est disponible en un chip de 8 pines, esto es obviamente muy beneficioso para las aplicaciones donde el tamao del producto y el peso es un factor del plan importante. 4. Consumo actual bajo. Debido a un nmero limitado de puertos de I/O operando corrientes que estn normalmente debajo de 3 mA. 5. El byte de programacin, habilidad de borrar y programar al mismo tiempo sin afectar el volumen del paquete. 6. La tasa del reloj esta entre 100KHz y 400KHz para dispositivos de dos conductores. Usos y aplicaciones Las EEPROMs de serie realizan una variedad de funciones en el mundo de las computadoras, en la industria, en las telecomunicaciones, en el parque automotor y aplicaciones del consumidor:

1) el almacenamiento de memoria de seleccionadores del cauce o los mandos analgicos (volumen, entonacin, etc.) 2) almacenamiento de baja potencia, detector de fallas diagnostico de errores. 3) eventos de tiempo real ( mantenimiento ) 4) el almacenamiento de la configuracin 5) para ver ltimos nmeros discados 6) monitoreo de circuitos Aplicaciones de EEPROM de serie Afinadores de TELEVISION de CONSUMIDOR, VCRs, juegos de CD, cmaras, radios, y telemandos. fotocopiadoras, PCs, palm y COMPUTADORAS porttiles, unidades de disco y organizadores. Lectores de cdigo de Barra INDUSTRIALES, puntos de venta, tarjetas inteligentes, cerraduras de cajas fuertes, abridores de puerta de garaje y equipos mdicos. En TELECOMUNICACIONES los telfonos Celulares, inalmbricos, facsmiles, mdems, pagers, y receptores del satlite En el parque AUTOMOTOR, el antibloqueo de los frenos, radios y entrada del teclado.

MEMORIA 24XX256

Esta memoria es del tipo EEPROM - Electrical Erasable Programmable Read Only Memory , que en la traduccin sera memoria de solo lectura programable y borrable de forma elctrica, lo que significa que una vez que se le quita la corriente elctrica mantiene la informacin de forma indefinida y adems puede reprogramarse borrando su contenido de forma elctrica. Esto es una ventaja frente a las memorias EPROM que se deben borrar con luz ultravioleta.

Descripcin funcional

Es una memoria de 256 Kbits organizada es a 32 k *8 Soporta protocolo de transmisin de datos en bus de dos lneas. El bus se controla mediante un master que se encarga de generar el reloj ( SCL ),

el control de acceso al bus y adems genera las condiciones de START y STOP mientras el 24lc25616B actua como slave.

El rango de Vcc 1.8-5.5 V . Max frecuencia del clock 400 khz. Mxima corriente en escitura 3mA a 5.5V.

Mxima corriente en lectura 400A a 5.5 V.

La siguiente figura muestra una configuracin tpica de esta memoria :

Caractersticas del bus Slo puede iniciarse transferencia de datos cuando el bus est libre.
Durante la transferencia de datos estos deben permanecer estables mientras la lnea de reloj est a nivel alto. Si se producen cambio se interpretan como un Start o un Stop.

Condiciones del protocolo

Bus libre - Las lineas de datos y de reloj estan a valor alto. Start en la transferencia - Transicin de alto a abajo mientras el reloj est alto. Stop en la transferencia - Transicin de bajo a alto mientras el reloj est alto. Validacin de datos - La lnea de datos presenta un valor vlido cuando despus de la condicin start, la lnea se mantiene estable mientras el reloj est alto. Los datos unicamente pueden cambiar mientras el reloj est en valor bajo. ( Un pulso por dato )

Cada transferencia es iniciada con un start y finalizada con un stop. El

nmero de bytes entre ambos est determinado por el master y teoricamente no est limitado, a pesar de todo slo los ltimos 16 bytes se almacenan durante una operacin de escritura. Cuando se produce una sobreescritura se reemplazan los datos en un esquema FIFO ( First In First Out ) Reconocimiento - Cada receptor, cuando se le direcciona, est obligado a generar un ACK despus de la recepcin de cada byte. El master debe generar un pulso de reloj extra que se asocia al ACK. El ACK se da colocando un valor bajo sobre SDA durante el valor alto del reloj. La siguiente figura lo muestra cada fase :

Direccionamiento de un dispositivo y operacin

Despus del START se envia un byte de control, este consiste en cuatro bits que indican la operacin, tres bits indicando la pgina ( A2, A1, A0 ) que corresponden realmente a los bits de direccionamiento ms altos y el ltimo bit que indica la operacin a realizar ( un 1 - lectura, un 0 - escritura ). Una vez enviado el dispositivo responde con un ACK.

Operaciones de escritura La escritura comienza por un START, direccionamiento del dispositivo, direccin del byte y finalmente el byte a escribir, despus de cada elemento se aade un ACK por parte de la memoria como se indica en la figura.

Escritura secuencial
Si lo que se desea es escribir un grupo de 16 bytes slo es necesario enviar la direccin del primero de ellos y a continuacin el resto, la memoria posee un

contador interno que determina la direccin actual, este se ir incrementando para cada byte.

La diferencia respecto a la escritura de un nico byte estriba en el hecho del sealizador del STOP, si este no aparece es que se debe escribir sucesivos bytes. La figura muestra el caso. Una escritua incluye un borrado del contenido de la direccin por lo que esta es mucho ms lenta que una lectura.

Operaciones de lectura Las operaciones de lectura son 3, la lectura de la direccin actual( almacenada por el contador de direccin ), lectura arbitraria en cualquier posicin de la memoria y finalemente la lectura secuencial.

Lectura actual
Toma la posicin actual de la memoria, como puede verse en la figura, despus del dato no hay un ACK, ya que este va dirigido al master.

Lectura arbitraria
En esta lectura se indica la posicin a leer la informacin, hay que destacar que primero se ha de enviar la direccin y despues se recibe el dato, por eso existe un ACK despus de la direccin.

Lectura secuencial
La lectura secuencial toma la direccin actual y va extrayendo los datos uno detrs del otro, hay que tener en cuenta que se lee la pgina actual y esta no se cambia cuando se llega al final por lo que la lectura como mximo es de 16 byt es.

Descripcion de los pines. AO, A1,A2 son los pines de entrada, la cual es usada por el 24C256 para multiples operaciones. Los niveles de entrada son comparados con los bits correspondientes en la direccin del esclavo. El chip selecciona si la comparacin es verdad. SDA Data serial. Es un pin bidireccional (entrada y salida de data). Para habilitar el pin de SDA debe tener conectado una resistencia del pin (SDA) a VCC ( 10 k desde 100 khz y 2k desde 400 khz y 1 khz.). SDA puede estar habilitado solo cuando el pin SCL esta en nivel bajo. La cual puede trabajar en dos condiciones START o STOP. SCL SERIAL CLOCK. Sincroniza la transferencia de datos del dispositivo. WP. Es de seleccin de escritura y lectura va conectado a tierra o ha Vcc. Puede leer o escribir desde 0000- hasta 7FFF.

Diagrama de bloque