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Dispositivi Elettronici

Alberto Tibaldi
25 febbraio 2008
Indice
1 Propriet`a elettriche dei materiali 2
1.1 Metalli . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2 Semiconduttori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.2.1 Calcolo di n
i
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3 Caratterizzazione dei semiconduttori drogati . . . . . . . . . . 10
1.3.1 Calcolo di n e p in un semiconduttore drogato . . . . . 12
1.3.2 Equazioni di Shockley . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2 Modello matematico delle correnti nei semiconduttori 20
2.1 Correnti di diusione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2 Relazioni di Einstein ed Equazioni del Trasporto . . . . . . . . 26
2.3 Equazione di continuit` a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.4 Equazione di Poisson . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.4.1 Legame Carica - Campo Elettrico . . . . . . . . . . . . 30
2.4.2 Dimostrazione qualitativa dellEquazione di Poisson . . 31
2.5 Considerazioni su semiconduttori fuori equilibrio . . . . . . . . 32
2.6 Modello del Tasso di Ricombinazione Netto . . . . . . . . . . . 33
2.7 Esercizio Pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.7.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.7.2 Ipotesi di lato corto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3 Giunzione p-n 44
3.1 Studio qualitativo del diagramma a bande della giunzione p-n 47
3.2 Studio elettrostatico della giunzione p-n . . . . . . . . . . . . 51
3.2.1 Equazione di neutralit` a globale . . . . . . . . . . . . . 51
3.2.2 Analisi della barriera di potenziale . . . . . . . . . . . 52
3.2.3 Analisi formale dellandamento di campo e potenziale . 53
3.2.4 Risoluzione del sistema . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
3.3 Applicazione di una tensione esterna alla giunzione . . . . . . 57
3.3.1 Capacit`a di svuotamento . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3.4 Esercizio pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
1
3.4.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
3.5 Eetti di una tensione su di una giunzione p-n . . . . . . . . . 65
3.5.1 Quasi-Livelli di Fermi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.6 Leggi della Giunzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
3.7 Caratteristica statica della giunzione p-n . . . . . . . . . . . . 70
3.8 Studio delle correnti nella giunzione p-n . . . . . . . . . . . . . 74
3.8.1 Polarizzazione diretta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.8.2 Polarizzazione inversa: corrente inversa di saturazione . 76
3.9 Esercizio Pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
3.9.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
3.10 Cenni ad altri modelli della giunzione . . . . . . . . . . . . . . 81
3.10.1 Modello di ampio segnale . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
3.10.2 Modello di piccolo segnale . . . . . . . . . . . . . . . . 83
3.11 Valutazione di V

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
3.12 Meccanismi di rottura della giunzione . . . . . . . . . . . . . . 84
3.12.1 Eetto valanga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
3.12.2 Eetto tunnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
3.12.3 Diodi Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
3.13 Calcolo della capacit` a di diusione . . . . . . . . . . . . . . . 86
3.14 Modello a controllo di carica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
3.15 Modello di piccolo segnale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
3.16 Esercizio pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
3.16.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
4 Il transistore bipolare 95
4.1 Analisi delle correnti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
4.2 Calcolo delle correnti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
4.3 Modello statico del transistore bipolare . . . . . . . . . . . . . 101
4.3.1 Equazioni di Ebers-Moll . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
4.4 Modello circuitale statico del transistore bipolare . . . . . . . 106
4.4.1 Andamento della caratteristica statica . . . . . . . . . 108
4.4.2 Eetto Early . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
4.5 Esercizio Pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
4.5.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
5 Sistemi MOS 120
5.1 Analisi Elettrostatica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
5.1.1 Polarizzazione di un sistema MOS con tensione negativa124
5.1.2 Inversione di popolazione . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
5.2 Calcolo della carica di inversione . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
5.3 Determinazione della tensione di soglia di un sistema MOS . . 131
2
5.3.1 Calcolo della tensione di soglia . . . . . . . . . . . . . . 133
5.4 Il transistore MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
5.5 Caratteristica statica del MOSFET: Analisi a canale graduale 135
5.6 Esercizio Pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
5.6.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
3
Capitolo 1
Propriet`a elettriche dei
materiali
Dalla sica dello stato solido sappiamo che un solido `e rappresentabile me-
diante un diagramma a bande; il diagramma a bande `e un graco in cui
si riportano sulle ascisse una posizione (ossia una coordinata spaziale, nel
reticolo diretto, o un vettore donda, nel reticolo reciproco), sulle ordinate
unenergia E; si noti che per buona parte della trattazione tuttavia si consi-
dereranno materiali isotropi, quindi non si considereranno in un primo tempo
variazioni delle condizioni del solido nello spazio.
I due tipi di solidi che siamo interessati a studiare in dispositivistica sono
i metalli ed i semiconduttori; diamo alcuni cenni sul loro comportamento, a
partire dallo studio del diagramma a bande.
1.1 Metalli
4
Indichiamo ora il signicato dei diversi livelli energetici:
E
C
: Livello energetico in cui inizia la banda di conduzione;
E
F
: Livello di Fermi
E
B
: Livello del vuoto, ossia livello energetico da superare per estrarre
il metallo
q
M
: Lavoro di estrazione del metallo;

n
: Parametro della funzione di densit` a degli stati energetici.
Facciamo alcune osservazioni: linizio della banda di conduzione dei me-
talli, E
C
, si pu` o considerare al livello energetico E = 0, poich`e lenergia
dellelettrone in un metallo `e esclusivamente cinetica; il livello di Fermi si
trover`a dunque allinterno della banda di conduzione, allincirca a 4, 5 eV.
Allo zero assoluto, tutti gli elettroni saranno al di sotto del livello di Fermi
(come si pu` o osservare mediante lo studio della distribuzione di Fermi-Dirac);
si denisce dunque una funzione esprimente il lavoro di estrazione, q
M
, co-
me la minima energia in grado di estrarre, ad una temperatura pari a 0
K, un elettrone da un metallo. Gli elettroni pi` u facili da estrarre, ad una
temperatura di 0 K, saranno quelli in prossimit`a del livello di Fermi E
F
.
I due ingredienti per poter esprimere loccupazione di uno stato in un
metallo saranno dunque la funzione di densit`a degli stati energetici N(E), e la
funzione di occupazione f(E; T): poich`e trattiamo lo studio sulloccupazione
di stati da parte di elettroni, ossia fermioni, la funzione di occupazione in
questione sar`a la gi`a citata distribuzione di Fermi-Dirac.
N(E) =
n
E
1
2
f(E; T) =
1
1 +e
EE
F
kT
La funzione di densit` a degli stati eettivamente occupati,
n
, sar` a data
dal prodotto dei nostri due ingredienti: funzione di densit` a degli stati e
funzione di occupazione degli stati. Ci`o `e meglio motivabile con un esempio
classico: dato un numero di sedie vuote disponibili in un cinema, ed il numero
di spettatori, il prodotto delle due fornir`a il numero di sedie eettivamente
occupate dai potenziali spettatori.
Esprimiamo questa nostra intuizione, formulando la funzione
n
:

n
(E) = N(E)f(E; T)
5
In un metallo, accadr` a gracamente qualcosa di simile:
Questo graco ragura una situazione che non considera eetti termici,
ossia in cui la temperatura `e pari a 0 K, e quindi la funzione di Fermi-Dirac `e
di fatto un impulso rettangolare; in una condizione di notevole inuenza ter-
mica, con una temperatura sui 3000 K, la funzione di Fermi-Dirac cambier`a
sensibilmente, e di conseguenza la densit`a degli stati occupati.
Noi consideriamo per`o di trovarci ad una temperatura T ' 300 K, ossia
una temperatura ragionevolmente confrontabile alla temperatura ambiente;
a meno che non si parli di studi specici riguardanti eetti termici partico-
larmente inuenti, una temperatura come 300 K ci permetter` a una buona
approssimazione rispetto alla realt` a.
Per sapere esattamente quanti elettroni vi saranno nel metallo in ban-
da di conduzione, ad una certa temperatura, sar`a suciente integrare la
funzione di densit` a di popolazione da 0 (livello di inizio della banda di con-
duzione E
C
) a + (in prima approssimazione, infatti, il modello di Bethe-
Sommerfeld prevede una modellizzazione di un metallo come una buca di
potenziale innita).
n =
_
+
0

n
(E)dE =
_
+
0
N(E)f(E; T)dE 10
22
e

/cm
3
In un metallo, abbiamo quindi a disposizione circa 10
22
elettroni per cm
3
.
Abbiamo gi`a nominato il lavoro di estrazione, e la sua unit`a di misura,
lelettronvolt (eV): 1 eV `e lenergia che un elettrone ha se sottoposto ad
una dierenza di potenziale pari ad 1 V; questa unit`a di misura `e molto
compatibile con i problemi che si trattano in dispositivistica, e quindi molto
comoda. Alcuni lavori di estrazione noti sono quello dellalluminio Al, di
4,1 eV, o quello delloro Au, di 5 eV; cosa si intende per` o per lavoro di
estrazione, precisamente? Abbiamo gi` a dato una prima denizione; ora che
6
abbiamo parlato meglio di livello di Fermi, possiamo dire che il lavoro di
estrazione `e la distanza energetica tra il livello di Fermi E
F
e il livello del
vuoto, della buca modellizzante il metallo, E
B
.
1.2 Semiconduttori
Il diagramma a bande di un semiconduttore `e ben pi` u articolato di quello
di un metallo; analizziamone un modello semplicato, per poter iniziare una
prima trattazione dei semiconduttori; gli elementi in esso contenuti saranno:
E
C
: Inizio della banda di conduzione;
E
F
: Livello di Fermi;
E
V
: Termine della banda di valenza;
E
g
: Energy Gap, ossia distanza energetica tra banda di conduzione e
banda di valenza
Il livello di Fermi si trova, in un semiconduttore intrinseco, a met` a tra
il livello E
V
ed il livello E
C
. Si introduce una prima diversicazione delle
notazioni, inserendo, quando si parla di semiconduttori intrinseci, ossia puri,
regolari, e che non han subito trattamenti tecnologici di alcun tipo, un pedice
aggiuntivo i: parlando di livello di Fermi intrinseco, si parler` a di E
F
i
.
Abbiamo arettato alcune conclusioni, per quanto esse siano corrette,
parlando del livello di Fermi: E
F
non pu`o essere allinterno della banda di
valenza, altrimenti gli elettroni potrebbero andarsene liberamente in banda
di conduzione, e quindi il semiconduttore condurrebbe senza alcun proble-
ma, anche senza trattamenti particolari, anche allo zero assoluto; levidenza
sperimentale mostra che allo zero assoluto, e in condizioni di intrinsicit` a, la
banda di conduzione `e vuota, e quella di valenza completamente piena di
elettroni.
Anche parlando di semiconduttori, si introduce il concetto di densit`a degli
stati disponibili, anche se sar`a pi` u complesso rispetto a quello nei metalli:
Le densit`a degli stati, in questo ambito, avranno forma:
N
BC
=
n
(E E
C
)
1
2
N
BV
=
p
(E
V
E)
1
2
7
Unulteriore convenzione: il pedice n identica gli elettroni in banda di
conduzione; al contrario, il pedice p evidenzia le lacune lasciate dagli elettro-
ni, in banda di valenza. In un semiconduttore, vi saranno infatti due tipi di
portatori di carica, ossia gli elettroni in banda di conduzione (come ovvio,
anche dallo studio dei metalli), ma anche le lacune in banda di valenza, ossia
gli ammanchi di elettroni causati dalla transizione di questi verso livelli ener-
getici superiori ad E
V
(quali ad esempio la banda di conduzione). La tecnica
per trovare il numero eettivo di portatori, sar`a la stessa di prima, solo che
in questo caso, avendo due contributi, si dovranno risolvere due integrali:
n
i
=
_
+
E
C

n
(E E
C
)
1
2
f(E; T)dE
p
i
=
_
E
V

p
(E
V
E)
1
2
f(E; T)dE
Ma, come ci suggeriscono i pedici i, ci troviamo in un caso intrinseco, e
quindi possiamo dire senza indugi che
n
i
= p
i
Nel silicio, il semiconduttore per eccellenza nei nostri studi, n
i
= p
i
=
1, 45 10
10
elettroni per cm
3
, ad una condizione di temperatura di circa 300
K. Confrontando con i 10
22
elettroni in un metallo, la conduzione `e un evento
possibile, ma molto improbabile.
8
Continuiamo la nostra analisi sica del comportamento elettrico dei se-
miconduttori, proponendo due equazioni fondamentali, che saranno spesso
usate nella trattazione:
n = n
i
=
_
+
E
C
N
BC
(E)f(E)dE = N
C,EFF
e

E
C
E
F
kT
p = p
i
=
_
E
V

N
BV
(E)f(E)dE = N
V,EFF
e
E
V
E
F
kT
I due termini N
EFF
sarebbero termini ecaci, che si riferiscono alla
denizione
N
ef
=
(2m

kT)
3
2
h
Dove m

`e la massa ecace; sostituendo la massa ecace di elettroni o


lacune, si trovano rispettivamente la prima e la seconda equazione. Queste
due equazioni, si ottengono mediante unapprossimazione della distribuzione
di Fermi-Dirac alla distribuzione di Boltzmann, integrandola.
Ci imponiamo ora di calcolare la posizione energetica del livello di Fermi,
E
F
i
: considerando N
C
ed N
V
valori ecaci, possiamo dire che
n
i
= p
i
= N
C
e

E
C
E
F
i
kT
= N
V
e

E
F
i
E
V
kT
Sfruttiamo ora le condizioni di neutralit` a del semiconduttore intrinseco,
e cerchiamo di risolvere tale equazione rispetto al parametro E
F
i
:
e

E
C
E
F
i
kT
e
E
F
i
E
V
kT
=
N
V
N
C
e

2E
F
i
kT
e

E
V
+E
C
kT
=
N
V
N
C
=E
F
i
=
E
C
+E
V
2
+
kT
2
ln
N
V
N
C
Si noti tuttavia che le due concentrazioni N
V
ed N
C
dieriscono esclusiva-
mente per la massa ecace di rispettivamente lacune ed elettroni; possiamo
dunque dire che, in caso di semiconduttori intrinseci quali quelli che stiamo
attualmente trattando, il termine logaritmico corregga solo di pochi meV (al
pi` u una decina) il livello di Fermi:
kT
2
ln
N
V
N
C
' 0 =E
F
i
'
E
C
+E
V
2
9
Ci `e ora possibile quotare il livello di Fermi intrinseco, potendo dire con
unottima approssimazione che esso si trova a met` a del gap tra banda di
valenza e banda di conduzione. Di fatto, il livello di Fermi intrinseco perde
molto signicato sico, dal momento che raramente capita di aver a che fare
con semiconduttori intrinseci; sar`a per`o spesso usato come punto di riferimen-
to per i nostri calcoli e le nostre congetture. Ora `e veramente possibile quindi
disegnare il diagramma a bande dettagliato e quotato di un semiconduttore,
e nella fatispecie del silicio:
Valori fondamentali da ricordare, nel silicio, sono:
E
g
: Energy Gap (1,12 eV nel Silicio);
q: Anit` a Elettronica (4,05 eV nel Silicio);
q
S
: Lavoro di estrazione.
Abbiamo denito anche nel semiconduttore il lavoro di estrazione, q
S
;
si noti che questo perde il signicato sico fortissimo che aveva nel metallo,
in quanto al livello di Fermi intrinseco, E
F
i
, non abbiamo elettroni, e dunque
il lavoro necessario per estrarre elettroni sar` a ben maggiore di quello che
dovremmo compiere in un metallo. Anit` a elettronica ed energy gap sono
utili in quanto restano costanti, indipendentemente dai processi tecnologici
che vengono attuati sul substrato semiconduttivo, quindi utili riferimenti per
i calcoli che sar` a necessario attuare.
10
1.2.1 Calcolo di n
i
Abbiamo parlato del numero di elettroni in banda di conduzione, lo abbiamo
eguagliato al numero di lacune in banda di valenza per quanto riguarda semi-
conduttori intrinseci, e abbiamo accennato al fatto che il moto dei portatori
di carica, ossia la corrente elettrica, sar` a data sia dagli elettroni in banda di
conduzione, che dalle lacune in banda di valenza. Studiando un semicondut-
tore intrinseco, i fenomeni che stabiliscono la conduzione sono principalmente
due, uno in contrapposizione con laltro:
Generazione Termica (Gth): una temperatura non nulla muove un certo
numero di elettroni dalla banda di valenza alla banda di conduzione,
generando per lappunto termicamente coppie elettrone-lacuna;
Ricombinazione (R): gli elettroni, una volta separatisi dalle lacune,
possono ritornare nella banda di valenza, in seguito ad un certo transi-
torio di tempo trascorso in banda di conduzione, per ricombinarsi con
le lacune, facendo sparire una coppia elettrone-lacuna; si usa dire per
questo che sia il fenomeno antagonista della generazione termica.
Possiamo qualitativamente dire che i termini n
i
e p
i
rappresentino il punto
di equilibrio tra la ricombinazione termica e la ricombinazione, siano cio`e il
numero di coppie elettrone-lacuna presenti ad una certa temperatura. Voglia-
mo per`o studiare espressioni che ci permettano di calcolare n
i
, ed in seguito
pi` u generalmente n. I nostri punti di partenza, come abbiamo gi` a detto in
precedenza, sono:
n
i
= N
C
e

E
C
E
F
i
kT
p
i
= N
V
e

E
F
i
E
V
kT
Siamo stati soliti nora usare come condizione al contorno del nostro pro-
blema la neutralit` a; ci capiter` a spesso per` o di studiare condizioni molto meno
favorevoli, in cui la neutralit` a non sar`a presente nel sistema; moltiplichiamo
dunque n
i
e p
i
, tra loro, e vediamo che:
n
i
p
i
= n
2
i
= N
C
N
V
e

E
C
E
F
i
kT
e

E
F
i
E
V
kT
= N
C
N
V
e
E
V
E
C
kT
Quindi:
n
2
i
= N
C
N
V
e

E
g
kT
11
Vediamo alcune cose: sappiamo da osservazioni precedentemente fatte
che N
C
ed N
V
variano proporzionalmente a T
3
2
; di conseguenza, la concen-
trazione dei portatori intrinseci varier` a pi` u che esponenzialmente: oltre al
contributo dellesponenziale, c`e quello appena citato di N
C
ed N
V
. Anche
il gap energetico E
g
`e funzione della temperatura: aumentando T, E
g
tende
a diminuire; non esistono funzioni analitiche in grado di determinare un an-
damento del gap di energia in funzione della temperatura, a meno che non
si ricavino da processi di statistica inferenziale (tting), che studiano landa-
mento del passo reticolare medio al variare della temperatura; allaumentare
della temperatura, aumenta il passo reticolare medio, e quindi il gap ener-
getico tende a ridursi. Per questo motivo, il gap `e molto inuenzabile dalla
temperatura, ma poich`e noi consideriamo di trovarci sempre a 300 K, pos-
siamo considerare il nostro sistema invariante rispetto a problemi di questo
tipo.
1.3 Caratterizzazione dei semiconduttori dro-
gati
Abbiamo nora esaminato semiconduttori regolari, intrinseci, e quindi non
trattati tecnologicamente in alcun modo; iniziamo ora a considerare lo stu-
dio della variazione delle caratteristiche elettriche di un semiconduttore, al
variare di alcuni parametri tecnologicamente impiantati allinterno di un se-
miconduttore, considerando idealmente che essi vengano disposti in modo
regolare, e omogeneo nel substrato semiconduttivo.
Un semiconduttore si pu` o drogare in due modi: o tipo n, ossia incremen-
tando gli elettroni in banda di conduzione, o tipo p, incrementando le lacune
in banda di valenza. Concettualmente e a livello sico i due processi presen-
tano notevoli dierenze, anche se il risultato `e molto simile. Incominciamo
la trattazione dei semiconduttori drogati, parlando di un drogaggio tipo n.
Deniamo N
D
la concentrazione di drogante tipo n inserito nel semicon-
duttore. Droganti comunemente usati in processi di drogaggio del silicio
sono larsenico As, o il fosforo P. Cosa signica per` o, precisamente, drogare
un semiconduttore?
Drogare tipo n signica aggiungere stati articiali nellenergy gap, intro-
ducendo livelli energetici particolari, detti livelli donatori E
D
, in prossimit` a
di E
C
. Arsenico e fosforo sono ideali droganti per il silicio proprio perch`e si
andranno a posizionare tendenzialmente in prossimit`a dellinizio della banda
di conduzione (circa 40 meV larsenico, e pochi meV in pi` u il fosforo). I
drogaggi variano dallintroduzione di N
D
dai 10
14
ai 10
19
atomi su cm
3
.
12
In un semiconduttore drogato, le fenomenologie che provocheranno con-
duzione saranno tre:
Generazione termica;
Ricombinazione;
Ionizzazione.
Drogare signica introdurre nel semiconduttore un fenomeno di ionizza-
zione; ad una temperatura nulla, T=0, possiamo considerare i livello ener-
getici donatori E
D
come delle sorte di gusci, contenenti elettroni. Questi
gusci tenderanno ad aprirsi, allaumentare della temperatura T, e pi` u T au-
menter` a, pi` u saranno i gusci che si apriranno, lasciando liberi gli elettroni,
che tenderanno ad andare verso la banda di conduzione, vicinissima ai livelli
E
D
. Da un salto di 1,12 eV, essi dovranno solo saltare pochi meV, e dunque
un eetto termico pressoch`e minimo permetter`a una transizione in banda di
conduzione.
Si noti che la ionizzazione non ha un fenomeno antagonista, a dierenza
della ricombinazione e della generazione termica che si elidono tra loro: ci` o `e
dovuto sia dal fatto che a 300 K non vi `e la possibilit` a sica che un elettrone
tenda a tornare verso il proprio guscio, sia e soprattutto dal fatto che gli E
D
sono livelli energetici statici, localizzati, e non creano lacune. La ionizzazione
dunque realizza stati energetici che non dispongono assolutamente delle stesse
propriet` a di trasporto di cui disponevano le lacune in precedenza descritte.
Per il drogaggio tipo p, il discorso `e piuttosto simile, o meglio duale: gli
ioni droganti saranno identicati come N
A
, e daranno luogo a livelli accettori
E
A
, che tendono a disporsi in prossimit` a della banda di valenza, E
V
. Un
13
ottimo drogante tipo p per il silicio `e il boro B. Anche nel drogaggio tipo
p avverr` a un fenomeno di ionizzazione, che per` o agir`a in senso diverso, -
sicamente: gli atomi idonei per il drogaggio tipo p, sono in grado, a spesa
di un minimo eetto termico, di aprirsi ed accettare elettroni dalla banda di
valenza, come dei gusci che si aprono, e catturano elettroni, anzich`e liberarli
(a dierenza di prima). Man mano che la temperatura aumenta, sempre pi` u
gusci si apriranno e cattureranno elettroni. Anche qua il gap da saltare per
gli elettroni sar` a innitesimo, poich`e il buon drogante posizioner` a i propri
livelli accettori in prossimit` a del livello E
V
, e quindi daran vita a fenomeni
di trasporto in banda di valenza, senza avere fenomeni duali in contrapposi-
zione. Aldil`a di queste osservazioni siche qualitative, le fenomenologie sono
del tutto analoghe a quelle descritte nel semiconduttore tipo n.
A partire da ci` o che abbiamo nora descritto, facciamo alcune puntualiz-
zazioni onde evitare confusione:
Non tutti gli atomi sono in grado di drogare un substrato semicon-
duttivo, ma solo certi, in base ad alcune caratteristiche che devono
possedere. Nel caso del silicio, per drogare tipo n devono essere pen-
tavalenti, e posizionare i propri livelli donatori in prossimit` a di E
C
,
per drogare tipo p devono essere trivalenti e posizionare i propri livelli
accettori in prossimit`a di E
V
;
Leetto del drogaggio provoca una notevole alterazione della popola-
zione delle bande energetiche, e dunque del diagramma a bande;
Leetto del drogaggio non `e puramente additivo: non siamo sicuri che,
aggiungendo ad esempio 10
10
atomi di arsenico, gli elettroni raddop-
pieranno (dalla loro condizione iniziale a 300 K di 1, 45 10
10
, intrinse-
ci); siamo sicuri di un miglioramento nella conducibilit` a, per ora non
quanticabile, a causa di fenomeni intrinseci di ricombinazione.
1.3.1 Calcolo di n e p in un semiconduttore drogato
Per poter determinare parametri come le concentrazioni dei portatori attivi,
n e p, in un semiconduttore drogato (e quindi non pi` u intrinseco), dobbia-
mo innanzitutto cercare una condizione al contorno idonea per potervi poi
applicare le giuste equazioni. Supponiamo per ora di drogare tipo n, con
concentrazione di drogante N
D
. Il meccanismo di ionizzazione ha una for-
te dipendenza dalla temperatura, quindi di fatto degli N
D
droganti ne sar`a
attiva, ionizzata solo una parte, che chiameremo N
+
D
. Per ognuno di que-
sti droganti ionizzati, vi sar`a un elettrone libero, in banda di conduzione.
Dover studiare una dipendenza della ionizzazione alla temperatura `e molto
14
pesante per i conti che ne deriverebbero, ma si pu` o applicare una condizione
interessantissima che ci accompagner`a spesso nella trattazione: lipotesi di
completa ionizzazione. Studiando landamento della ionizzazione al variare
della temperatura, si nota che per una temperatura intorno ai 100 K, tutte
le impurit` a droganti saranno ionizzate, e dunque attive, dopodich`e aumen-
tando la temperatura si instaurer`a un regime di saturazione, poich`e non vi
sono ulteriori impurit` a da ionizzare. Poich`e noi dunque studiamo sistemi ad
una temperatura T 300 K, potremo sempre considerare valida lipotesi di
completa ionizzazione, e quindi
N
+
D
= N
D
Il livello di Fermi E
F
, nel drogaggio tipo n, si innalzer`a rispetto alla
posizione di partenza, nel semiconduttore intrinseco, E
F
i
. Si pu` o dire che
infatti il livello di Fermi sia una sorta di baricentro dei livelli energetici,
come vedremo tra breve; non allontaniamoci per ora dal problema di base,
ossia il calcolo delle concentrazioni n e p. Supponiamo di conoscere E
F
,
ossia il livello di Fermi alterato dal drogaggio. Consideriamo n
n
il numero
di elettroni in banda di conduzione in seguito al drogaggio tipo n (come
suggerisce il pedice), e p
n
il numero di lacune in banda di valenza sempre in
questo stato:
n
n
= N
C
e

E
C
E
F
kT
p
n
= N
V
e

E
F
E
V
kT
Consideriamo nuovamente, come prima, il prodotto delle due equazioni
membro a membro:
n
n
p
n
= N
C
N
V
e

E
C
E
F
kT
e

E
F
E
V
kT
= N
C
N
V
e

E
g
kT
= n
2
i
Abbiamo appena fatto, in seguito a questo semplice conto, una scoper-
ta interessantissima: qualsiasi siano le concentrazioni di portatori di carica
nelle bande, il loro prodotto `e una costante, e questa costante `e il quadrato
degli elettroni in banda di conduzione nel semiconduttore in stato intrinseco.
Questo fenomeno `e detto legge dellazione di massa:
n
n
p
n
= n
2
i
Ci` o ci fa rendere conto per` o anche di un problema gravissimo: tecnologi-
camente non `e possibile crescere una delle due concentrazioni senza andare a
scapito dellaltra: le due concentrazioni non possono crescere di pari passo,
poich`e il loro prodotto sar` a sempre e comunque costante.
15
Consideriamo anche un altro fatto: la carica totale del semiconduttore `e
nulla: ogni lacuna in banda di valenza ha un elettrone in banda di condu-
zione corrispondente, ed ogni elettrone derivante dal drogaggio ha un livello
(accettore in drogaggio tipo p, donatore nel drogaggio tipo n) ionizzato corri-
spondente. Esister` a dunque una condizione di neutralit`a del semiconduttore,
ma globale: la somma di tutte le cariche del semiconduttore sar`a nulla.
Appilichiamo dunque la condizione di neutralit`a globale del semicondut-
tore:
q(p
n
+N
+
D
n
n
) = 0 =p
n
+N
+
D
n
n
= 0
Dalla legge dellazione di massa, sappiamo che
p
n
=
n
2
i
n
n
=
n
2
i
n
n
+N
+
D
n
2
n
= 0
Dunque, abbiamo unequazione di secondo grado con variabile indipen-
dente n
n
; risolvendola, e considerando solo la radice positiva, si ottiene:
n
n
=
N
+
D
2
+

N
D
2

2
+n
i
Consideriamo il fatto che le grandezze sono funzione della temperatura
T:
n
n
(T) =
N
+
D
(T)
2
_
1 +

2n
i
(T)
2
N
+
D
(T)

+ 1
_
Per` o n
i
(T) `e nota, e di N
+
D
(T) conosciamo landamento. Possiamo pen-
sare in modo molto qualitativo che landamento dei portatori maggioritari,
ossia degli elettroni in banda di conduzione nel semiconduttore drogato tipo
n, al variare della temperatura, sia il seguente:
Si possono distinguere tre regioni, associate a tre regimi particolari:
1. Regime di congelamento: per temperature inferiori ai 100 K, latti-
vazione dei droganti non `e ancora completa, la generazione termica `e
molto bassa a causa della scarsa temperatura e dunque scarsa energia
termica del sistema, e quindi vi sar` a una bassa conducibilit` a;
2. Regime estrinseco: per temperature superiori a 100 K, si pu` o consi-
derare lipotesi di completa ionizzazione, e quindi si ha un regime di
saturazione: N
+
D
= N
D
, e n
n
' N
D
. Il fatto che si siano attivati
completamente i droganti, ma comunque vi siano scarsi eetti termi-
ci, fa prevalere la interazioni di tipo elettrostatico su tutte le altre,
16
nella fatispecie su quelle di origine termica. Questo `e il regime che
tendenzialmente si utilizza, studiando dispositivi a semiconduttore;
3. Regime intrinseco: per temperature alte, le interazioni fononiche, ossia
derivanti da eetti termici, prevalgono su quelle elettrostatiche, e cos`
leetto del drogaggio tende a perdersi, per farsi sostituire da elettroni
intrinseci del materiale; in questo regime, n
n
' n
i
(T). Questo tipo
di comportamento `e stato fatale per il germanio: il padre dei semi-
conduttori `e infatti stato lappena citato germanio, semiconduttore a
gap estremamente piccolo. Il fatto che il gap fosse cos` ridotto, fa s`
che il regime intrinseco si instauri con una temperatura molto inferiore
rispetto a quella che lo farebbe instaurare nel silicio, di conseguenza
n
i
cresce molto pi` u rapidamente, e quindi `e scarsamente utilizzabile in
regime estrinseco, ossia quello utile nella maggior parte dei dispositivi.
Abbiamo largamente discusso landamento della funzione n
n
(T); potrem-
mo ora chiederci quale sia landamento della funzione dei minoritari, p
n
(T),
ossia delle lacune in banda di valenza in un semiconduttore drogato tipo n.
Sappiamo che
p
n
(T) =
n
2
i
(T)
n
n
(T)
Noi conosciamo bene sia landamento di n
i
(T) che di n
n
(T); la dierenza
fondamentale da questultima `e che i portatori minoritari non hanno una zona
di saturazione, in un certo livello energetico, ma la concentrazione varier`a in
modo puramente intrinseco. Non `e inutile lo studio di questo andamento,
17
poich`e alcuni dispositivi si basano sullo studio dellandamento dei minoritari,
anche se ci`o sar`a molto meglio approfondito in seguito.
In un drogaggio tipo p, la situazione `e del tutto duale a quella appena
descritta:
q(p
P
N

A
n
p
) = 0 =p
p
N

A
n
p
= 0
Dallazione di massa,
n
p
=
n
2
i
p
p
=p
2
p
N

A
n
2
i
= 0
Da ci`o, ragionando dualmente a prima,
p
p
(T) =
N

A
(T)
2
_
_

1 +

2n
i
(T)
N

A
(T)

2
+ 1
_
_
Landamento `e dunque del tutto analogo al precedente, esistono i tre
regimi, con le stesse condizioni del drogaggio tipo n. Stessa cosa per la
concentrazione dei minoritari n
p
(T), al variare della temperatura.
Potremmo a questo punto riproporre un problema precedentemente ac-
cennato: immaginiamo di drogare un substrato semiconduttivo sia tipo p
che tipo n; supponiamo di essere tecnologicamente in grado di poter intro-
durre una concentrazione di droganti N
A
uguale a quella di droganti N
D
;
applicando la neutralit` a globale e la legge dellazione di massa, si ottiene
che:

p n = n
2
i
q(p n +N
+
D
N

A
) = 0
=

N
+
D
= N

A
p n = 0
Si capisce che leetto del drogante N
D
compensa quello di N
A
, e vicever-
sa; se i due drogaggi sono dunque uguali, il semiconduttore torna semplice-
mente ad essere intrinseco. Ci` o ci induce a pensare che vi sia un meccanismo
di compensazione dei droganti. Abbiamo dunque analizzato una casistica,
ossia N
D
= N
A
; analizziamo le rimanenti due, al ne di poter studiare pi` u
profondamente questo meccanismo di compensazione.
N
D
> N
A
: i donatori prevalgono sugli accettori, e cos` il drogante tipo
donatore in totale sar` a N
+
0
D
:
N
+
0
D
= N
+
D
N

A
18
N
D
< N
A
: situazione duale a prima, dove gli accettori prevalgono sui
donatori, e quindi N

0
A
sar` a:
N

0
A
= N

A
N
+
D
Un esempio pratico di semiconduttore drogato sia n che p `e il transistore
bipolare (anche se sar`a necessario introdurre molte altre nozioni prima di
arrivare a trattarlo); aprendo nestre tipo p in un semiconduttore drogato
tipo n, si pu`o ottenere un prototipo di transistore bipolare.
1.3.2 Equazioni di Shockley
Partendo dalle nostre conoscenze, siamo ora in grado di disegnare e quotare
il diagramma a bande dettagliato di un semiconduttore drogato tipo n:
I simboli usati sono sempre i soliti; si pu`o considerare valida lipote-
si di completa ionizzazione, e a partire da questa eettuare i nostri studi;
sappiamo che:
n
n
N
D
= N
C
e

E
C
E
F
kT
=E
C
E
F
= kT ln
N
C
N
D
Possiamo dunque calcolare E
C
E
F
, e da qui quotare il lavoro di estra-
zione:
q
S
n
= E
C
E
F
+q = q +kT ln
N
C
N
D
A seconda del drogaggio, il lavoro di estrazione varr`a dai 4,61 al 4,05 eV.
Il calcolo che per` o noi abbiamo eettuato di E
F
non `e ottimale: se do-
vessimo studiare il livello di Fermi in un semiconduttore drogato tipo p,
dovremmo ridisegnare da zero il diagramma a bande, rifare da capo le no-
stre congetture, e considerare la presenza di dati che comunemente non si
considerano, quali E
C
o E
V
. Utilizzando le relazioni appena studiate, in un
semiconduttore drogato tipo p il lavoro di estrazione sarebbe:
q
S
p
= q +E
g
kT ln
N
V
N
A
19
Proponiamo ora qualcosa di diverso, ossia un metodo pi` u globale, pi` u sem-
plice, pi` u generale per il calcolo del livello di Fermi E
F
, sia in semiconduttori
tipo n che in semiconduttori tipo p. Partiamo dalle solite:
n = N
C
e

E
C
E
F
kT
p = N
V
e

E
F
E
V
kT
Considerate in un semiconduttore intrinseco, esse saranno:
n
i
= N
C
e

E
C
E
F
i
kT
p
i
= N
V
e

E
F
i
E
V
kT
Ricaviamo ora da queste ultime due, N
C
ed N
V
, tenendo conto che in un
semiconduttore intrinseco, n
i
= p
i
:
N
C
= n
i
e
E
C
E
F
i
kT
N
V
= n
i
e
E
F
i
E
V
kT
Sostituendo le espressioni appena trovate a partire dalle equazioni in-
trinseche, N
C
ed N
V
, nelle equazioni del semiconduttore non intrinseco,
troviamo:
n = n
i
e
E
C
E
F
i
kT
e

E
C
E
F
kT
p = n
i
e
E
C
E
F
i
kT
e

E
F
E
V
kT
Ordinando e semplicando alcuni termini, si ricavano le cosiddette Equa-
zioni di Shockley, in onore del sico statunitense che le ha formulate per la
prima volta:
n = n
i
e
E
F
E
F
i
kT
p = n
i
e
E
F
i
E
F
kT
Queste equazioni sono particolarmente interessanti in quanto in esse spari-
scono i parametri estremamente scomodi che nelle relazioni precedentemente
utilizzate erano da considerare come noti; gli unici parametri richiesti sono
20
n
i
, che ci `e noto, e il livello di Fermi intrinseco, che si trover` a esattamente a
met` a dellenergy gap: quando si parlava di utilizzo del livello di Fermi intrin-
seco come punto di riferimento, si voleva proprio arrivare a questo risultato:
unequazione in grado di fornire informazioni enormi a partire da dati mini-
mi. A partire da queste, invertendole, sar` a semplicissimo calcolare il livello
di Fermi:
E
F
E
F
i
= kT ln
N
D
n
i
E
F
i
E
F
= kT ln
N
A
n
i
Dopo la formulazione delle Equazioni di Shockley, possiamo ritenere con-
clusa questa prima trattazione del comportamento sico di un semicondut-
tore, e utilizzare i mezzi appresi per studiare una prima modellazione di un
semiconduttore.
21
Capitolo 2
Modello matematico delle
correnti nei semiconduttori
In un metallo, gli elettroni come gi`a detto si trovano tutti in banda di con-
duzione, in continuo movimento, a causa di un moto di agitazione termica.
Essi possono solo essere trascinati da un campo elettrico , che provoca una
corrente di drift, cio`e di trascinamento.
In un semiconduttore allequilibrio termodinamico, le correnti sono nulle.
Supponiamo di considerare un semiconduttore con contatti metallici (al ne
di disperdere resistenze parassite), i quali sono collegati ad una batteria che
fornisce una tensione V
a
; allinterno del semiconduttore vi sar` a un campo
elettrico direzionato nel verso dellasse delle x da noi introdotto, E
x
= .
Ci poniamo a questo punto una domanda legittima: che eetto provoca
lapplicazione di una tensione V
a
, al semiconduttore? Come varier` a il suo
diagramma a bande in seguito allapplicazione di questa tensione esterna?
Supponiamo di studiare un condensatore, e di poter disporre di un volt-
metro ideale, in grado di misurare la V (x), ossia la dierenza di potenziale
al variare della posizione spaziale. Fissiamo lorigine del nostro sistema di
riferimento cartesiano spaziale sulla faccia sinistra del condensatore, e lasse
delle x ortogonale alla faccia, verso positivo da sinistra a destra; posizioniamo
uno dei due puntali del voltmetro a massa sulla faccia sinistra del condensa-
tore, e muoviamo laltro allinterno di questo sistema: avremo come risultato
una misura della dierenza di potenziale al variare della posizione, in riferi-
mento alla prima faccia. La tensione avr`a, al variare della x, un andamento
lineare, ossia varier`a come una retta, con pendenza positiva: man mano che
ci si allontana dalla faccia cui `e posta la massa, la tensione tra i due puntali
continuer`a ad aumentare. Giunti al punto d, ossia dopo aver raggiunto la
seconda faccia del condensatore, la tensione sar` a V
a
, ossia la tensione ai capi
del sistema (considerando condensatore a facce piane parallele, escludendo
22
eventuali eetti di bordo e quindi considerando un campo elettrico uniforme
su tutta la supercie del condensatore).
Come varier` a lenergia potenziale di un elettrone in questo condensatore?
Noi sappiamo, dallo studio dellelettrostatica, che:
=
V
a
d
; F = q = q

V
a
d

Lenergia potenziale al variare della posizione spaziale x, U(x), da 0 a


x, sar`a lintegrale di linea della forza elettrostatica del condensatore; poich`e
abbiamo posto il puntale a massa sulla faccia sinistra del condensatore, e lo
0 della posizione spaziale in prossimit` a della massa:
U(x) = U(0)
_
x
0
Fdx = 0
_
x
0
q
V
a
d
dx
Dunque, possiamo dire, risolvendo lintegrale, che:
U(x) =
qV
a
d
x
Misurando lenergia in eV, il graco coincide con il simmetrico rispetto
allasse delle x del graco appena visto per la tensione:
23
Esiste dunque un forte legame tra tensione ed energia potenziale di un
elettrone: poich`e abbiamo trovato unespressione dellenergia potenziale co-
me retta a pendenza negativa che da 0 raggiunge un livello qV
a
, e poich`e
il diagramma a bande altri non `e che il graco dellenergia di un elettrone,
una tensione esterna V
a
applicata ad un diagramma a banda, tende a ruotare
tutte le grandezze presenti allinterno del diagramma, di un certo angolo. Ef-
fettivamente sembra piuttosto stravagante come idea, ma del tutto sensata:
poich`e lenergia potenziale di un elettrone di fatto, in seguito allapplicazio-
ne di una tensione esterna, `e una retta a pendenza negativa, allora anche il
diagramma a bande dovr`a subire una sorta di pendenza negativa, per poter
tener conto degli eetti della tensione sullenergia dellelettrone. Fingendo
che ora al posto di un condensatore vi sia il nostro substrato semiconduttivo,
il discorso appena fatto `e perfettamente valido.
Questo diagramma inclinato rappresenta dunque il punto di vista degli
elettroni: il campo elettrico provocato dalla tensione V
a
far` a spostare verso
il basso (ossia in senso ad esso opposto) gli elettroni, e verso lalto (ossia
in verso ad esso concorde) le lacune. Possiamo quasi immaginare, per fare
un confronto azzardato ma ecace, che lapplicazione di una polarizzazione
V
a
, inclinando il diagramma a bande, faccia risalire le lacune, come se fossero
bollicine daria, e faccia scendere gli elettroni, come se fossero palline di ferro.
In seguito a questa premessa, che ci permette di capire in modo del tut-
to qualitativo il comportamento di un semiconduttore e la variazione del
suo diagramma a bande in seguito allapplicazione di una tensione esterna,
introduciamo alcuni nuovi concetti; si consideri sempre il fatto che il semi-
conduttore `e drogato in modo del tutto uniforme, e che dunque vi `e una
condizione di neutralit`a sicuramente globale, ma anche locale: se infatti se-
zionassimo il semiconduttore, vedremmo che ogni singola fetta `e localmente
neutra, ossia che la somma di tutti gli eccessi di cariche in essa presenti `e
nulla. Questo perch`e lapplicazione di un campo elettrico esterno non cam-
bia in alcun modo la concentrazione degli elettroni in banda di conduzione.
Possiamo immaginare che la dierenza di potenziale V
a
esterna sposti gli
24
elettroni verso destra, dove vi `e il contatto metallico nel quale gli elettroni
possono entrare liberamente; nel lato sinistro, capiter` a qualcosa di duale: il
semiconduttore a causa della tensione e del campo da essa derivante preleva
dal contatto ohmico sinistro elettroni. Un elettrone, assorbito dalla lamina
destra, lascia un buco, una lacuna, che sar` a poi in seguito ricombinata dalla
lamina sinistra, che fornisce elettroni al semiconduttore. Questo modello pu` o
intuitivamente spiegare cos` il trasporto di cariche.
Cerchiamo di formalizzare ora tutti questi concetti, partendo da una
denizione: vogliamo cercare di capire esattamente che cosa sia una corrente.
Una densit`a di corrente J `e un usso di cariche, ossia di elettroni; per
usso possiamo intendere semplicemente il prodotto di una velocit` a per una
densit` a. Date le ipotesi precedentemente illustrate, lunica corrente che avre-
mo a disposizione sar` a quella di drift; la densit` a di corrente dovuta agli
elettroni in banda di conduzione sar`a data da:
J

=
x,e
(q)
Il contributo delle correnti nel semiconduttore per` o sar` a dato anche da
una densit`a di corrente di lacune, formalizzata come:
J
+
=
x,e
+(+q)
In totale, possiamo dire che la totale densit`a di corrente sar`a data da:
J =
x,e
(q) +
x,e
+(+q)
Abbiamo per`o detto qualche parola riguardo questo usso, , senza ap-
profondire molto, dicendo che `e una densit` a di elementi moltiplicato per una
velocit` a di moto. Le ipotesi di neutralit` a ci spingono a considerare velocit`a
v
d
, ossia di drift. Partendo da ci` o, potremo dire che, date le nostre ipotesi,
le espressioni dei due ussi saranno:

x,e
= nv
d,e

x,e
+ = nv
d,e
+
Sostituendo nellespressione della densit` a totale di corrente J,
J = qnv
d,e
+qnv
d,e
+
Stiamo ora continuando a parlare della velocit` a di drift, senza per`o aver-
ne fornito alcuna informazione: essa `e una velocit` a non istantanea, ma me-
dia, dellintera popolazione: essa `e un parametro ttizio che descrive, ba-
25
sandosi sullo studio statistico di tutta la popolazione, la velocit` a media di
trascinamento di un singolo elettrone, tra un urto ed un altro con il reticolo.
Deniamo alcune nuove relazioni:
v
d,e
=
n

v
d,e
+ =
n

Dove rappresenta la mobilit` a dei portatori di carica, e `e il soli-


to campo elettrico derivante dalla polarizzazione esterna. Mediante alcune
osservazioni, si pu`o dire che:

n
=
q
m

p
=
q
m

p


N
th
Il parametro ha una forte dipendenza dalla regolarit` a del reticolo cri-
stallino, che noi consideriamo perfetto per ipotesi.
Riassumendo ci` o che abbiamo appena detto, la mobilit`a degli elettroni
`e maggiore di quella delle lacune, poich`e lunico parametro variabile `e la
massa ecace m

, notoriamente superiore nelle lacune che negli elettroni.


La mobilit`a dei portatori risente di alcune caratteristiche:
Maggiore sar`a la temperatura, maggiore sar`a linterazione fononica coi
nuclei, e dunque minore la mobilit`a dei portatori;
Maggiore sar`a il numero di imperfezioni del reticolo, minore sar` a la
mobilit` a dei portatori;
Maggiore sar`a il drogaggio, e dunque la somma delle concentrazioni
(N
A
+N
D
), e minore sar` a la mobilit` a dei portatori di carica, poich`e vi
sar` a una popolazione maggiore.
E possibile spesso trovare dei graci dei degradamenti di
n
e
p
:
Ora che abbiamo introdotto anche la mobilit`a elettronica, e una sua stima
graca, possiamo completare la denizione della densit`a di carica, ed arrivare
ad una prima denizione di conducibilit`a elettrica in un semiconduttore:
J
n,drift
= (q)n(
n
)
26
J
p,drift
= qp
p

La densit`a di corrente di drift totale, J, sar` a


J
d
= (q
n
n +q
p
p) =
Lespressione operativa della conducibilit` a in un semiconduttore sar` a dun-
que:
=
1

= q
n
n +q
p
p
In un metallo, la conducibilit` a `e solo adata al moto degli elettroni; in
un semiconduttore, bisogna dunque considerare anche le lacune in banda di
valenza, per avere un quadro completo delle correnti presenti.
2.1 Correnti di diusione
Potrebbe capitare che, a causa di fenomeni particolari o per motivi elettri-
ci/tecnologici, si abbia in un semiconduttore una concentrazione degli elet-
troni in banda di conduzione non uniforme; sezionando idealmente il semi-
conduttore, le fettine non avrebbero pi` u carica complessiva nulla, e quindi
la condizione di neutralit` a locale del semiconduttore sarebbe inapplicabile in
questo ambito. In una situazione come questa (che molto spesso trova riscon-
tro in applicazioni pratiche, come vedremo in seguito), avviene un fenomeno
di diusione degli elettroni, causato dal gradiente della concentrazione al
variare della posizione in cui ci si trova. Questo perch`e, qualitativamente
parlando, gli elettroni tendono ad uniformarsi, e dunque ad occupare le se-
zioni del semiconduttore meno popolate. La diusione degli elettroni causata
27
dal gradiente dunque provoca un usso di elettroni, ed anche un usso di la-
cune, poich`e anche esse tenderanno allomogeneit` a nel sistema. Il campo `e
del tutto ininuente in questo processo, o meglio il processo `e indipendente
da esso. Il campo elettrico provocava le correnti di drift precedentemente
studiate, ora avremo per`o due nuove correnti, provocate dalla diusione dei
portatori:
J
n,diff
= q
x,e

diff
J
p,diff
= q
x,e
+
diff
Possiamo dunque intuire ci`o:

x,e

diff
= D
n
n
x

x,e
+
diff
= D
p
p
x
I termini D
n
e D
p
sono i coecienti di diusione rispettivamente di elet-
troni in banda di conduzione e di lacune in banda di valenza, per ora non
ancora quanticati. Questi coecienti, moltiplicati per la variazione nello
spazio di concentrazione di portatori, ossia per la derivata parziale rispetto
a x dei portatori rispettivi, denisce i due ussi di diusione.
Possiamo considerare questo moto come confrontabile a quello di un gas;
il gradiente della concentrazione di elettroni `e negativo (secondo il sistema
di riferimento precedentemente denito), ma quindi il usso risulta essere
positivo. Si noti che in un metallo questa situazione `e assolutamente irrea-
lizzabile: nel metallo gli elettroni sono come un mare, che assorbe facilmente
qualsiasi perturbazione gli venga fornita. Tecnologicamente non `e dicile
creare correnti di diusione in un semiconduttore, come vedremo in seguito
parlando ad esempio della giunzione p-n.
2.2 Relazioni di Einstein ed Equazioni del Tra-
sporto
Formalizziamo ora tutto ci` o che abbiamo nora detto, partendo dalle ultime
relazioni discusse: la densit` a totale di corrente di diusione, J
diff
, `e data da:
J
diff
= J
n,diff
+J
p,diff
28
J
n,diff
= qD
n
n
x
J
p,diff
= qD
p
p
x
Si possono ricavare i due coecienti D
n
e D
p
, mediante le Relazioni di
Einstein, e scoprire che:
D
n
=
kT
q

n
D
p
=
kT
q

p
Per semplicit` a, si denisce il termine
kT
q
come equivalente in tensione
della temperatura: esso infatti dimensionalmente `e una tensione, chiamata
convenzionalmente V
T
:
V
T
=
kT
q
Il valore di V
T
ad una temperatura di 300 K, `e circa di 26 mV.
Mediante queste prime relazioni, abbiamo trovato i primi tasselli del puzz-
le rappresentante il modello matematico delle correnti in un semiconduttore:
le Relazioni di Einstein, e le equazioni del trasporto che ora esporremo in
forma ordinata:
J
n
= qn
n
+qD
n
n
x
J
p
= qp
p
qD
p
p
x
2.3 Equazione di continuit`a
Supponiamo di avere un cubo di lato innitesimo dx, e sezione A; vogliamo
quanticare la carica in esso contenuta. Supponiamo che il cubo si trovi,
sul nostro sistema di posizione cartesiano, nel punto x, e termini quindi nel
punto x +dx.
Nel punto x entrer` a una certa corrente, e quindi un certo usso di cariche,
mentre nel punto x +dx ve ne sar` a presumibilmente unaltra, non sappiamo
se uguale o meno. Formalizzando, possiamo dire che:
29
n
t
Adx =
J
n
(x)A
q
Cosa abbiamo detto qui: la variazione del numero di elettroni nel tempo,
allinterno del volume del cubo, `e uguale alla densit`a di carica diviso la carica
fondamentale, e quindi `e uguale al usso di cariche che circolano nel cubo. In
realt` a, sarebbe necessario considerare, nella transizione allinterno del cubo,
altri tipi di fenomenologie, quali la generazione termica e la ricombinazione.
Formalizzando ulteriormente, possiamo aggiungere che:
n
t
Adx =
J
n
(x)A
q

J
n
(x +dx)A
q
+ (Gth R)Adx
Sviluppiamo ora in serie di Taylor troncando al primo ordine il termine
J
n
(x +dx):
J
n
(x +dx) ' J
n
(x) +
J
n
(x)
x
dx
Sostituendo nellespressione appena trovata, si trova che:
n
t
Adx =
J
n
(x)A
q

J
n
(x)A
q
+
1
q
J
n
(x)
x
Adx

+ (Gth R)Adx
=
n
t
=
J
n
x
1
q
U
n
Dove si denisce U
n
come il tasso medio di ricombinazione:
U
n
= R Gth
30
In modo del tutto analogo si pu` o ricavare lequazione di continuit` a delle
lacune, partendo dalle stesse equazioni precedentemente usate, e sfruttando
tecniche analitiche ed algebriche del tutto uguali, si ottiene:
p
t
=
1
q
J
p
x
U
p
2.4 Equazione di Poisson
Il nostro modello matematico delle correnti nel semiconduttore `e ancora
molto carente: lequazione di continuit` a `e molto potente, tuttavia non sia-
mo in grado di riferirci con precisione ai termini della suddetta, in quanto
conosciamo molto poco riguardo ad essi.
Possiamo per`o sfruttare unidea geniale: sostituire le due equazioni di
continuit`a, allinterno delle equazioni di trasporto precedentemente ricavate:
le soluzioni di questo sistema di equazioni sar` a unespressione analitica delle
densit` a di portatori, in funzione di tempo e posizione, n(x; t) e p(x; t). Que-
ste non sono per`o le uniche incognite del problema: leggendo le equazioni
precedentemente introdotte, troviamo anche il campo elettrico , e il termine
di ricombinazione U
n
o U
p
a seconda se si studiano rispettivamente elettroni
o lacune.
Supponiamo dunque di avere, rispetto alla condizione di equilibrio, uno
spostamento di cariche, un accumulo locale di cariche, in grado di instaurare
gradienti di concentrazione e dunque un processo di diusione mediante il ge-
nerarsi di ussi di portatori. Formalizziamo, nel nostro modelo matematico,
questo moto di cariche.
Supponiamo di avere eccessi locali di cariche, uno negativo ed uno positi-
vo: globalmente, il sistema sar` a neutro. Gli eccessi di cariche daranno vita a
campi elettrici nella zona compresa tra i due eccessi, non trascurabili. Inco-
minciamo dunque a studiare la densit` a di distribuzione delle cariche, in tutti
31
gli eccessi, al variare della posizione x in cui osserviamo il semiconduttore in
questo stato:
(x) = +q
_
p(x; t) n(x; t) +N
+
D
(x) N

A
(x)
_
Data la distribuzione delle cariche, ora ci interessiamo del campo elettrico
. Per far ci` o, dobbiamo per` o aver ben presente il legame tra carica e campo
elettrico, senza aver ancora introdotto lEquazione di Poisson, risultato nale
di questa sezione della trattazione del modello matematico. Apriamo una
breve parentesi ad un primo studio del legame tra carica e campo elettrico.
2.4.1 Legame Carica - Campo Elettrico
Dato il solito modello semplicato di condensatore a facce piane parallele
non dotato di eetti di bordo, applicata sulle facce una tensione V =
V
a
, osserviamo che il campo elettrico (x) fuori dal condensatore `e nullo;
sappiamo dallo studio di Fisica riguardo lelettrostatica, e dallanalisi dei
campi vettoriali, che:
(x) =

x
Dove `e il potenziale. Utilizzando il teorema fondamentale del calcolo
integrale:
(x) =
_
d
0
(x)dx (x) = (0)
_
x
0

1
dx
Come sempre, consideriamo a 0 la massa del nostro sistema, dunque
(0) = 0; si otterr` a che:
(x) =
1
x =
1
=
V
a
d
Tuttavia, parlando di condensatori, si introduce la capacit` a denita come
il rapporto tra carica e tensione, ma anche come rapporto del dielettrico
contenuto nel condensatore,
0
, e della distanza tra le facce:
C =
Q
V
a
=

0
d
Possiamo dunque dire, invertendo lespressione, che
V
a
=
Q
C
=
Q

0
d
32
Riprendendo il legame tra campo e potenziale, si arriva nalmente a dire
che:

1
=
Q

0
Abbiamo trovato in questo particolare caso unespressione del campo
1
,
esplicitato in funzione della carica, anche detto Legge di Gauss (in realt`a essa
racchiude signicati ben pi` u profondi di quello appena mostrato, ma che non
sono utili alla trattazione). Questo `e un caso molto particolare, che dovremo
estendere per ottenere la pi` u generale formulazione del legame tra una carica
ed una dierenza di potenziale, ossia lEquazione di Poisson
2.4.2 Dimostrazione qualitativa dellEquazione di Pois-
son
Ci preoccupiamo ora di mostrare lequazione di Poisson, e di spiegarne il
signicato profondo, mediante una dimostrazione non rigorosa ma comunque
ecace. Lequazione di Poisson avr`a una forma del tipo:

x
2
=
(x)

S
Il termine
S
`e la costante dielettrica del semiconduttore: esso sar` a il
prodotto di
0
, ossia la costante dielettrica del vuoto, e di
rS
, ossia la costante
dielettrica relativa del semiconduttore. sar` a il campo elettrico provocato
dagli eccessi di carica descritti mediante la loro funzione di densit`a (x).
Poich`e sappiamo gi`a che:
=

x
Mediante lapplicazione dellequazione di Poisson possiamo dire che:
(x) =
_
(x)

S
dx
Dunque,
(x) =
(x)

S
x
Il campo avr` a una forma di questo tipo: da a x
1
il campo `e costan-
temente nullo; addentrandoci nella regione di cariche, il campo crescer`a, no
alluscita dalla regione, in x
2
. Il campo ora rimarr`a costante, no a quando
non ci si addentrer`a nella seconda regione di cariche, da x
3
, che ridurr` a il
33
campo, no ad annullarlo in x
4
. Andando da sinistra a destra, e considerando
prima una densit` a positiva (per x < 0), poi una positiva (in x > 0).
Integrando poi (x), si vedr`a che:
(x) =
_
(x)dx
Considerando come massa (x
1
) = 0. Vediamo dal precedente studio,
sul campo, che esso `e maggiore di 0 per qualsiasi posizione x si scelga nello
spazio. Lintegrale di tale funzione cambiata di segno sar` a dunque negativo,
ed avr`a un andamento di questo tipo: per x < x
1
, il potenziale sar`a sempre
0, come ssato anche dalla massa. Poich`e nella regione delle cariche, da x
1
a x
2
, abbiamo un campo ad andamento lineare, integrandolo ulteriormente
esso diverr` a quadratico, e quindi parabolico. Poich`e, ribaltando landamento
del campo, la retta avr`a pendenza negativa, allora la concavit`a del tratto di
parabola sar`a rivolta verso il basso. A questo punto, da x
2
a x
3
, si trova
un regime di campo costante, in cui il campo `e positivo, ma quindi ribaltato
negativo, e ci` o dar`a vita ad un tratto di retta a pendenza negativa, dal punto
x
2
al punto x
3
. Da x
3
a x
4
si ripeter`a il ragionamento precedente, ma questa
volta la distribuzione ribaltata del campo avr` a pendenza positiva, poich`e
dovr` a crescere no a 0, quindi il tratto di parabola avr` a concavit`a rivolta
verso lalto.
Lequazione di Poisson avr` a un ruolo fondamentale nel modello matema-
tico delle correnti in un semiconduttore, poich`e sar` a essa a fornirci le infor-
mazioni sul campo e sul potenziale, a partire dalla distribuzione di cariche
fornita o studiata nel problema.
2.5 Considerazioni su semiconduttori fuori equi-
librio
Prima di iniziare le nostre considerazioni sui semiconduttori fuori equlibrio,
aggiorniamo la simbologia che utilizzeremo dora in poi: quando trattere-
mo quantit`a allequilibrio, termodinamico, ottico o di qualunque altro tipo,
34
useremo il pedice aggiuntivo 0: esempi saranno n
p0
, n
n0
, n
i0
, p
n0
, p
p0
, p
i0
.
Senza il pedice 0, i simboli nora utilizzati indicheranno una condizione di
non equilibrio nel semiconduttore causata da un qualche fenomeno.
Ci chiediamo per`o: come possiamo creare, in un semiconduttore, una
situazione di non-equilibrio?
Prendiamo un semiconduttore drogato tipo n, con un drogaggio N
D
, ed
esponiamolo ad un fascio di fotoni dotati di energia ~ > E
g
, ossia dotati
di unenergia superiore al gap di energia tra banda di valenza e banda di
conduzione, in modo da facilitare le transizioni di elettroni.
Irradiamo una sola faccia del nostro semiconduttore con i fotoni ~, in
un punto che consideriamo come origine del sistema cartesiano; il fatto che
la loro energia sia suciente a provocare molte transizioni di elettroni dalla
banda di valenza a quella di conduzione, permette la generazione di diverse
coppie elettrone-lacuna: esse sbilanceranno le distribuzioni dei portatori in
prossimit` a del punto 0, n
n
(0)ep
n
(0) le quali varieranno rispetto ai valori
di equilibrio. Questo tipo di processo si pu` o chiamare generazione termica
(Gott), e lo consideriamo come un fenomeno puramente additivo: lunico
fenomeno ad essa contrapposto `e la ricombinazione. Di fatto la generazione
ottica inietta coppie elettrone-lacuna in un semiconduttore, ma esistono due
sostanziali livelli di iniezione:
Basso livello di iniezione: liniezione di coppie elettrone-lacuna altera
i portatori minoritari, ma non `e abbastanza elevata da poter variare
sensibilmente i portatori maggioritari. Ad esempio, se N
D
= 10
16
,
n
n0
= N
D
, p
n0
= 10
4
, i fotoni ~ generano 10
13
coppie elettrone-
lacuna, n
n
' n
n0
, poich`e 10
16
+ 10
13
' 10
16
, ma p
n
' G(~): infatti,
10
4
+ 10
13
' 10
13
.
Alto livello di iniezione: liniezione di coppie elettrone-lacuna `e tal-
mente elevata da riuscire ad alterare sensibilmente sia i minoritari che
i maggioritari: supponiamo di avere una situazione come prima, ossia
N
D
= 10
16
, n
n0
= N
D
, p
n0
= 10
4
, i fotoni ~ generano per`o 10
19
coppie
elettrone-lacuna. A queste condizioni, n
n
' p
n
' G(~): la generazio-
ne termica `e cos` potente da compensare interamente il drogaggio N
D
,
e cos` annullarlo.
2.6 Modello del Tasso di Ricombinazione Net-
to
Cerchiamo ora di completare il nostro modello matematico delle correnti in
un semiconduttore, introducendo un modello del tasso netto di ricombina-
35
zione: supponiamo, prima di iniziare con il formalismo, di avere un semicon-
duttore allequilibrio, e dunque n
n
= n
n0
, e p
n
= p
n0
. In questa situazione,
la generazione termica eguaglia la ricombinazione: per ogni generazione ter-
mica vi `e la ricombinazione antagonista, che non permette il perdurare di
uneventuale variazione della situazione. Possiamo immaginare che questo
sia un caso limite del nostro modello: vi dovrebbe essere un coeciente di
proporzionalit` a che permetta di regolare la ricombinazione, in questo modo:
R = n
n0
p
n0
In altre parole, aumentare uno dei due portatori, implicherebbe aumen-
tare anche il fenomeno di ricombinazione nel nostro semiconduttore. Con-
sideriamo questa proporzionalit` a come un assioma, e sviluppiamo il no-
stro modello; avevamo detto che, allequilibrio termodinamico, R = Gth,
e dunque:
R = n
n0
p
n0
= Gth
Ad un basso livello di iniezione, vi sar` a una variazione dei minoritari, in
questo ambito di p
n
, ma non dei maggioritari: in altre parole, n
n
= n
n0
. Il
livello di ricombinazione, da quello precedente, diventer`a:
R = n
n
p
n
Denendo U
n
il tasso medio di ricombinazione degli elettroni, ma soprat-
tutto U
p
il tasso medio di ricombinazione delle lacune, minoritarie in questo
ambito, vediamo che:
U
p
= R Gth = n
n
p
n
n
n0
p
n0
= n
n0
(p
n
p
n0
)
Ma poich`e consideriamo sempre valida lipotesi di completa ionizzazione,
possiamo tranquillamente dire che:
U
p
= N
D
(p
n
p
n0
)
Introduciamo dunque unulteriore denizione: il tempo di vita medio delle
lacune,
p

p
,
1
N
D

p
`e un tempo medio di vita delle lacune in una condizione a loro sfa-
vorevole, detto in modo molto approssimativo: poich`e ci troviamo in un
semiconduttore drogato tipo n, il tempo di vita degli elettroni in quanto
maggioritari sar` a molto superiore a quello delle lacune, dunque di fatto la
36
loro vita media sar` a inferiore, in quanto in proporzione saranno molto pi` u
colpite dalla ricombinazione degli elettroni (gli elettroni nati da ionizzazione
infatti non hanno un antagonista). Possiamo dunque nalmente terminare il
modello del tasso di ricombinazione, per le lacune, come:
U
p
=
p
n
p
n0

p
Cosa ci dice ci` o: drogando un semiconduttore, a seconda di quanto pi` u
drogante vi immetteremo, faremo sempre pi` u abbreviare la vita dei portatori
minoritari, poich`e aumenteremo la ricombinazione, che va principalmente a
loro scapito. Considerando p
n
p
n0
un eccesso di lacune, si suol denire
p
n
p
n0
= p
0
n
Dove lapice indica proprio fatto che si parla di un eccesso. In tali
condizioni, il tasso di ricombinazione netto sar`a:
U
p
=
p
0
n

p
Chiaramente, parlare di p
0
n
e di n
0
p
ha senso solo fuori equilibrio, in seguito
ad una perturbazione esterna, altrimenti la dierenza tra il valore nale della
concentrazione di minoritario e il valore allequilibrio sarebbe banalmente
nulla.
Le due relazioni che costituiranno il nostro modello di ricombinazione
saranno dunque:
U
p
=
p
n
p
n0

p
U
n
=
n
p
n
p0

n
Si noti che questo `e un modello di ricombinazione diretta, ossia basato
su semiconduttori a gap diretto, e dove cio`e le transizioni elettroniche da
un livello energetico ad un altro sono di tipo diretto, e quindi non consi-
deranti le interazioni fononiche. Esistono modelli che prevedono transizioni
indirette, ma ci` o non toglie lecacia di questo modello, nelle situazioni che
lo riguardano.
2.7 Esercizio Pratico
1. Dato un campione di silicio, drogato con N
A
= 10
16
atomi/cm
3
:
37
(a) Disegnare diagramma a bande dettagliato allequilibrio termodi-
namico quotando ogni dettaglio;
(b) Calcolare la resistenza sapendo che l=1mm; A = 1 mm
2
.
2. Successivamente, si droghi lo stesso campione, con N
D
= 10
17
atomi/cm
3
;
a questo punto:
(a) Disegnare diagramma a bande dettagliato allequilibrio termodi-
namico quotando ogni dettaglio
(b) Calcolare la resistenza sapendo che l=1mm; A = 1 mm
2
.
3. Sapendo che il semiconduttore `e illuminato con una radiazione luminosa
generante 10
13
coppie elettrone-lacuna sulla faccia posta in x=0, si
calcoli come le lacune in eccesso si redistribuiscono nel semiconduttore
con
p
= 1 ms.
4. Supponendo di ripetere lanalisi del punto precedente, avendo applicato
una tensione di polarizzazione V
a
= 1 V al campione, se ne valuti
leetto.
2.7.1 Risoluzione
Disegnare diagramma a bande dettagliato allequilibrio termodina-
mico quotando ogni dettaglio
Cerchiamo di quotare il nostro diagramma a bande, e quindi di trovare tutti
i dati che ci servono per avere un quadro completo della situazione. Siamo
in un semiconduttore drogato tipo p, e quindi, poich`e ci troviamo a 300 K,
possiamo dire che la condizione di completa ionizzazione `e applicabile, e non
siamo in un regime intrinseco:
p
p
(300) ' N
A
Calcoliamo dunque il livello di Fermi, partendo dallequazione di Shoc-
kley:
p
p
(300) ' N
A
= n
i
e

E
F
i
E
F
kT
=E
F
i
E
F
= kT ln
N
A
N
D
Poich`e come abbiam gi` a detto, kT ' 0, 026V , ed N
A
= 10
16
, facendo i
conti troviamo che il livello di Fermi E
F
vale 349 meV. Possiamo considerare
noto il gap di energia E
g
, e lanit` a elettronica q.
Il lavoro di estrazione, dunque, varr` a:
38
q
S
p
= q +
E
g
2
+E
F
i
E
F
= 4, 05 + 0, 56 + 0, 349 = 4, 959 eV
Calcolare la resistenza sapendo che l=1mm; A = 1 mm
2
Abbiamo quotato tutto ci`o che siamo in grado di fare, per questo possiamo
passare al calcolo della resistenza del semiconduttore. Partendo dalla legge
di Ohm, possiamo dire che:
R =
l
A
Disponiamo partendo dai dati del problema di l ed A, ma non abbiamo
alcuna informazione riguardante . Lunica cosa che sappiamo, `e che:
=
1

Abbiamo ampiamente studiato in precedenza, e siamo arrivati a dire


che:
= q(
n
n +
p
p)
Noi disponiamo di p, ma ci mancano sia i minoritari n, che le mobilit` a
relative ad n e p. Per queste ultime, `e necessario consultare un graco,
contenente la degenerazione delle mobilit` a al variare della temperatura e
della concentrazione di portatori N
A
+N
D
, e quindi possiamo dire che:

n
= 1050;
p
= 350
Per quanto riguarda invece i minoritari, `e suciente applicare la legge
dellazione di massa:
n
p
p
p
= n
2
i
=n
p
=
n
2
i
p
p
= 2, 1 10
4
Il fatto che il numero di minoritari sia inferiore a quello di maggiori-
tari di molti ordini di grandezza, ci permette di trascurarli, calcolando la
conducibilit` a elettrica. Possiamo dunque dire che:
' q
p
p
p
= 0, 746
Invertendo ora , troviamo , e possiamo quindi calcolare R:
R =
1

l
A
39
Abbiamo cos` risolto facilmente i primi due punti del problema; risolvere i
secondi `e del tutto inutile, in quanto il processo `e del tutto analogo, tenendo
semplicemente conto del fatto che vi `e una compensazione del drogante tipo p,
N
A
, in seguito allintroduzione di N
D
. Ricalcolando la nuova concentrazione
di minoritari mediante la legge dellazione di massa, e le nuove mobilit` a dei
portatori, si pu`o facilmente raggiungere lo stesso risultato appena trovato
(chiaramente le cifre saranno diverse).
Calcolo lacune in eccesso
Trattiamo il terzo punto del problema, che sar` a molto pi` u interessante dei
primi due. Talvolta, converr` a fare divagazioni, che torneranno molto utili
nello studio di dispositivi in un momento pi` u avanzato della trattazione.
Supponiamo dunque di avere 10
13
coppie elettrone-lacuna, e dunque di avere
un basso livello di iniezione. Ci` o che capiter` a, `e che:

p
n0
10
13
n
n0
10
13
Applichiamo per la prima volta il modello matematico, partendo dalle-
quazione di continuit` a:
p
n
t
=
1
q
J
p
x
U
p
Consideriamo il fatto che la generazione ottica non subisce variazioni nel
tempo, e che dunque, al variare del tempo t, il numero di coppie sar`a sempre
lo stesso, e quindi la derivata nel tempo sar`a nulla.
=
1
q
J
p
x
U
p
= 0
Introducendo il nostro modello di ricombinazione diretta,

1
q
J
p
x

p
n
p
n0

p
= 0
Consideriamo lequazione di trasporto della corrente, rappresentante la
densit` a di corrente J
p
, e quindi
J
p
= q
p
p
n
qD
p
p
n
x
Consideriamo per` o che il nostro semiconduttore `e isolato rispetto alle-
sterno, e dunque non vi sono fenomeni di polarizzazione, e il campo elettrico
dallesterno risulter` a essere nullo, poich`e non abbiamo polarizzazioni esterne.
40
Potremmo pensare per` o ad eccessi di carica interni generati dalliniezione ot-
tica: sarebbe un pensiero fuorviante, poich`e la generazione ottica provoca la
nascita di coppie elettrone-lacuna, e quindi non viene perturbato lequilibrio
in questo senso, dunque possiamo considerare = 0, ed =
ext
+
int
= 0.
Il vero problema che potrebbe nascere `e il seguente: la diusione di elettroni
e lacune avviene con una velocit` a dierente, poich`e la dierenza delle masse
ecaci di elettroni e lacune fa s` che queste seconde abbiano una mobilit`a
inferiore, ergo potrebbero generarsi campi elettrici momentanei, in seguito
a gradienti di diusione temporanei. Al ne di prevenire questa possibilit` a,
consideriamo unipotesi aggiuntiva: la quasi neutralit` a del semicondutto-
re: ' 0: infatti il campo elettrico eettivamente potrebbe agire, ma solo
sulla corrente dei minoritari, che quindi non ci riguarda, in quanto del tut-
to trascurabile. Accettando tale ipotesi, lequazione di trasporto si ridurr` a
semplicemente a:
J
p
' qD
p
p
n
x
Sostituendo lequazione di trasporto in quella di continuit` a, e consideran-
do solo gli eccessi di cariche dovuti alla ricombinazione, si otterr`a:
0 =
1
q
D
p

2
p
0
n
x
2

p
0
n

p
Questa di fatto rappresenta unequazione omogenea di secondo ordine a
coecienti costanti:

2
p
0
n
x
2
=
1
D
p

p
p
0
n
Considerando il polinomio caratteristico di questequazione, e riducendola
ad unequazione di secondo grado, si ottiene che gli autovalori del polinomio
caratteristico avranno forma:

2
=
1
D
p

p
=
1,2
=
1
_
D
p

p
Potremmo ora fare questosservazione: il termine D
p

p
`e una lunghez-
za quadratica, dimensionalmente parlando. Si denisce il parametro detto
lunghezza di diusione, relativo alle lacune, come:
L
p
=
_
D
p

p
Di fatto la lunghezza di diusione `e un parametro che ci permette di
capire quanto velocemente i minoritari iniettati si disperdono, man mano
41
che ci si allontana dalla zona di iniezione: se la posizione che si analizza `e
lontana alcune lunghezze di iniezione, si troveranno pochissimi minoritari.
Chiaramente, vale una relazione del tutto duale, per gli elettroni iniettati in
un semiconduttore drogato p, ossia:
L
n
=
_
D
n

n
Tornando al nostro problema, come sappiamo dalla teoria della risoluzione
delle equazioni dierenziali a coecienti costanti, le soluzioni dellequazione
dierenziale prima esposta avr` a forma del tipo:
p
0
n
(x) = Ae

1
x
+Be

2
x
Nella fatispecie, la soluzione sar`a:
p
0
n
(x) = Ae
x
L
p
+Be

x
L
p
Dobbiamo ora trovare le costanti di normalizzazione A e B: per far ci` o
serviranno due condizioni al contorno del problema:
1. Sappiamo che, lontano dalla zona di iniezione, le lacune si saranno in-
teramente ricombinate, e quindi, considerando di trovarci in una zona
molto lontana dalla zona di iniezione, possiamo dire che la ricombina-
zone avr` a annullato tutti i minoritari, e quindi
p
0
n
() = 0 =A = 0
2. Abbiamo una condizione al contorno sulla posizione iniziale: noi sappia-
mo infatti esattamente quante coppie elettrone-lacuna vengono inietta-
te otticamente, e quindi possiamo dire che, in quella che consideriamo
lorigine del sistema cartesiano, e lorigine delliniezione delle lacune,
p
0
n
(0) = 10
13
=B = 10
13
Siamo arrivati, analizzando il nostro semiconduttore in condizione di lato
lungo (che vedremo non essere sempre valida), ad esprimere una relazione in
grado di descrivere landamento degli eccessi di portatori minoritari iniettati
in un semiconduttore drogato. Ci chiediamo a questo punto, come studiare
landamento delle correnti, data la funzione appena trovata. Ci chiediamo
innanzitutto, se esistono correnti nel semiconduttore, a queste condizioni; la
corrente totale infatti, indipendentemente dallandamento della distribuzione
appena espressa, dovrebbe essere nulla: se cos` non fosse, signicherebbe che
42
vi sono accumuli nel tempo, che violerebbero la legge di conservazione della
carica. Dato che trattiamo un semiconduttore lungo,
p
0
n
(x) = p
0
n
(0)e

x
L
p
Quindi, possiamo ricavare la corrente derivando questa distribuzione;
infatti:
J
p,diff
(x) = qD
p
p
0
n
x
=
qp
0
n
(0)D
p
L
p
e

x
L
p
La variazione di concentrazione dovrebbe provocare una corrente di que-
sto tipo:
Ci` o `e in accordo con quanto abbiamo appena detto: allontanandoci dal
punto di iniezione, abbiamo un comportamento soddisfacente in quanto la
ricombinazione elimina tutte le correnti di minoritari, ma in un intorno del
punto di iniezione la corrente `e diversa da 0. Si pu`o intuire che vi sia un usso
di elettroni che controbilancia la corrente in questo intorno di punti, in modo
da garantire comunque la conservazione della carica. Questo problema sar`a
molto importante da studiare in seguito, trattando le correnti nella giunzione
p-n, che ora inizieremo a studiare.
2.7.2 Ipotesi di lato corto
Permettiamoci una digressione sul problema appena studiato: esistono con-
dizioni (molto comuni, parlando ad esempio di microelettronica o nanotec-
nologie), in cui un dispositivo elettronico ha una lunghezza confrontabile o
addirittura inferiore alla lunghezza di diusione, e quindi in cui il mecca-
nismo di ricombinazione del semiconduttore di fatto non riesce, nonostante
landamento esponenziale, a ridurre a zero il numero di lacune. Le condizioni
al contorno che abbiamo utilizzato, non sono dunque pi` u valide, in quanto
43
non `e possibile assimilare la lunghezza del lato a . Chiaramente, i passaggi
iniziali saranno del tutto analoghi, e la soluzione dellequazione dierenziale
cui arriveremo sar`a sempre della forma:
p
0
n
(x) = Ae
x
L
p
+Be

x
L
p
Al ne di poter ricavare nuove condizioni al contorno, sar` a necessario
proporre nuove ipotesi assuntive: il semiconduttore, per quanto corto, dovr` a
essere per esempio essere chiuso su di un metallo, mediante due placchette,
al ne di poter ottenere un contatto ohmico. Costruendo tecnologicamente
un dispositivo di questo tipo, la condizione al contorno che potremo appli-
care, sar`a la totale ricombinazione nel punto estremo del semiconduttore, d:
infatti, il contatto ohmico permette una totale ricombinazione con i minori-
tari non ancora ricombinati, allinterno del semiconduttore. Potremo dunque
considerare, come condizioni al contorno,
p
0
n
(d) = 0
p
0
n
(0) = A +B
Partendo da ci`o, troviamo che:
B = p
0
n
(0) A
0 = Ae
d
L
p
+ (p
0
n
(0) A)e

d
L
p
Svolgiamo ora alcuni passaggi algebrici, al ne di esplicitare in questo
ambito le costanti di normalizzazione A e B:
0 = A(e
d
L
p
e

d
L
p
) +p
0
n
(0)e

d
L
p
Ma notiamo che e
d
L
p
e

d
L
p
= 2 sinh(
d
L
p
); quindi:
A =
p
0
n
(0)e

d
L
p
2 sinh(
d
L
p
)
Sostituiamo ora in B:
B = p
0
n
(0) +
p
0
n
(0)e

d
L
p
2 sinh(
d
L
p
)
= 2 sinh(
d
L
p
)p
0
n
(0) +p
0
n
(0)e

d
L
p
=
44
=
p
0
n
(0)e
d
L
p
p
0
n
(0)e

d
L
p
+p
0
n
(0)e

d
L
p
2 sinh(
d
L
p
)
Quindi,
B =
p
0
n
(0)e
d
L
p
2 sinh(
d
L
p
)
Sostituendo A e B nellequazione di partenza, si ottiene che:
p
0
n
(x) =
p
0
n
(0)e

d
L
p
e
x
L
p
+p
0
n
(0)e
d
L
p
e

x
L
p
2 sinh(
d
L
p
)
=
p
0
n
(0)

e
dx
L
p
e

dx
L
p

2 sinh(
d
L
p
)
=
sinh(
dx
L
p
)
sinh(
d
L
p
)
Siamo dunque arrivati a dire che, dato un semiconduttore il cui lato `e
confrontabile con la lunghezza di diusione, ossia d L
p
, la distribuzione
delleccesso di minoritari (nel nostro caso, con un semiconduttore drogato
tipo n, p
0
n
(x),
p
0
n
(x) =
sinh(
dx
L
p
)
sinh(
d
L
p
)
Esiste un caso ancora pi` u estremo: se il lato del semiconduttore `e inferiore
alla lunghezza di diusione, e quindi d L
p
, possiamo dire che d x, e
quindi possiamo riutilizzare la precedente espressione, considerandola per
un x tendente a 0. Ci` o per` o signica che siamo in grado di semplicare
notevolmente la nostra espressione, sviluppandola in polinomio di Taylor:
p
0
n
(x)
p
0
n
(0)
dx
L
p
d
L
p
= p
0
n
(0)

1
x
d

Utilizzando gli andamenti degli eccessi di minoritari ora ricavati, sar`a


possibile calcolare le correnti facilmente, anche con ipotesi diverse da quella
di lato lungo, sfruttando sempre le stesse conoscenze utilizzate precedente-
mente.
45
Capitolo 3
Giunzione p-n
Siamo riusciti a fornire un modello soddisfacente dellandamento delle corren-
ti in un semiconduttore drogato, e abbiamo fatto un esempio applicativo di
come calcolarle. Ora vogliamo sfruttare queste conoscenze, in un dispositivo
usato molto comunemente, e alla base dellelettronica: la giunzione p-n.
Dati due semiconduttori (comunemente noi useremo il silicio), drogati
uno tipo n, ed uno tipo p, essi avranno un diagramma a bande abbastanza
diverso sotto alcuni punti di vista, anche se con le conoscenze nora apprese
siamo in grado di motivarlo senza problemi.
Immaginiamo didatticamente di unire i due semiconduttori; i potenziali
dei due, in principio separati, una volta uniti, avranno lo stesso sistema di
riferimento. Consideriamo come origine dei tempi listante in cui si uniscono
i due semiconduttori; in un tempo 0
+
, le due barriere di potenziale del vuoto,
le E
B
, saranno coincidenti. Anche gli altri livelli, quali E
C
, E
V
, E
F
i
, saranno
tutti coincidenti, tranne il livello di Fermi reale dei semiconduttori, E
F
, che
presenter` a una discontinuit` a in prossimit` a del punto di giunzione. Volessimo
dunque tracciare un diagramma a bande del semiconduttore in un istante
0
+
, esso avrebbe landamento appena descritto.
Consideriamo, in questo sistema, come origine degli assi, il punto di giun-
zione dei due semiconduttori. Convenzionalmente, si considera a sinistra il
lato p, a destra il lato n. Possiamo dunque dire che, a destra della giunzione,
avremo molti elettroni in banda di conduzione (maggioritari) e poche lacune
in banda di valenza (minoritari), e viceversa a sinistra i portatori maggiorita-
ri saranno le lacune in banda di valenza, ed i minoritari gli elettroni in banda
di conduzione. Di fatto, vi saranno accumuli di carica, che provocheranno
ussi di portatori: dal lato p al lato n di lacune, dal lato n al lato p, di
elettroni (sempre parlando di un istante t = 0
+
. Questi ussi di cariche sus-
sisteranno, no a quando sussisteranno le discontinuit`a nei livelli energetici,
e nella fatispecie la discontinuit` a del livello di Fermi. Per un certo transitorio
46
di tempo, dunque, a partire dallistante 0, si avranno due ussi netti, ossia
due ussi che prevarranno su tutti gli altri:
1.
x,e

BC
n p
2.
x,e
+
BV
p n
Vogliamo cercare per` o di capire come pu`o instaurarsi, a partire da questo
stato transitorio, una condizione di equilibrio. Possiamo dire, partendo dalle
informazioni sui due ussi, che vi siano due canali di scambio di portato-
ri, separati: generazione termica e ricombinazione rispetto a questi scambi
saranno fenomeni molto lenti e poco ecaci, e quindi trascurabili in un pri-
mo tempo. Se per un certo intervallo di tempo si ha uno spostamento di
portatori di carica, capiter` a che, venendo a mancare elettroni di banda di
conduzione nel lato n, e lacune in banda di valenza nel lato p, si perder`a la
condizione di neutralit`a locale: in banda di conduzione il semiconduttore p
si sar` a spopolato di lacune nelle regioni prossime al contatto con il lato n, e
viceversa il semiconduttore lato n si sar` a spopolato di elettroni nelle regioni
prossime al contatto con il lato p.
Gli ioni positivi nel lato n dunque non avranno, in prossimit`a della giun-
zione, un elettrone in grado di neutralizzarli localmente, e idem gli ioni
negativi nel lato p, non avranno lacune in grado di neutralizzarli localmente.
Per lo studio della giunzione dovremo attenerci ad un modello leggermente
semplicativo: considereremo, come ipotesi, che in prossimit`a della giunzione
avvenga un completo svuotamento: le zone svuotate per ipotesi non conter-
ranno portatori maggioritari dei rispettivi lati (o comunque una quantit`a del
47
tutto trascurabile rispetto al numero di ioni). Gli unici elementi di carica
che considereremo in gioco, saranno gli ioni dei livelli energetici introdotti
mediante il drogaggio. Sar` a dunque semplice rappresentare la distribuzione
spaziale della carica della giunzione:
Fino ad un certo punto x
p
, la distribuzione di ioni che non dispongono
di un maggioritario che lo neutralizza localmente sar` a del tutto nulla, per
poi avere un picco nel suddetto punto. La distribuzione di carica, negativa,
rester` a costante no allorigine, dove vi sar`a un ulteriore salto: vi sar`a una
distribuzione di carica positiva dal punto 0 al punto x
n
, anchessa costan-
te. Inoltre, considerando lipotesi di completo svuotamento in coincidenza
con lipotesi di completa ionizzazione, potremo dire che la densit` a di carica
coincider` a con la concentrazione di drogante introdotta nel substrato semi-
conduttivo, quindi potremo dire che laltezza del rettangolo di sinistra sar`a
N
A
, e laltezza del rettangolo destro sar` a N
D
.
48
Potremmo ora chiederci alcune domande: ma qual `e la posizione del
salto? Coincide veramente con lorigine degli assi, `e cio`e in prossimit` a della
giunzione? Dove le distribuzioni di cariche iniziano ad annullarsi? La risposta
`e la seguente: dove il livello di Fermi cessa di essere discontinuo.
Vogliamo capire e quanticare lestensione delle regioni di carica, studiar-
ne la geometria, quanticare i punti x
p
ed x
n
, e soprattutto i loro valori
una volta raggiunto lequilibrio, x
p0
ed x
n0
. Questi valori saranno ottenuti
in seguito ad una crescita temporale dei valori fuori equilibrio x
p
ed x
n
,
rispetto al loro stato iniziale. Nel punto di equilibrio, i ussi determinati dai
gradienti di concentrazione di carica saranno eguagliati dalla ricombinazione
e da ussi opposti, e quindi saranno nulli.
3.1 Studio qualitativo del diagramma a ban-
de della giunzione p-n
Facendo una prima analisi qualitativa del campo (senza considerare calcoli
analitici di alcun tipo, che verranno ripresi in seguito), possiamo vedere che
poich`e a sinistra la carica `e negativa, si avr`a, integrando, una retta decre-
scente da x
p
no a 0, e crescente da 0 no a x
n
. Il campo sar` a dunque
un triangolo, interamente negativo, con il vertice posto in 0. Integrando
ulteriormente, si ottiene un insieme di due contributi parabolici, il primo
con concavit` a verso lalto, il secondo con concavit`a verso il basso (poich`e si
inverte il segno del campo per lequazione di Poisson).
Ribaltando il graco del potenziale rispetto allasse x, si trover`a una fun-
zione monotona decrescente, trattabile come due parabole, la prima no a
0 con concavit` a verso il basso, la seconda no a x
n
con concavit` a verso lal-
to. Questo sar` a il graco dellenergia potenziale valutata in eV, ma sar`a
soprattutto utile se pensata come parte di un diagramma a bande: il graco
dellenergia potenziale, come gi` a accennato, `e il diario di bordo dellelettrone,
ossia `e il suo diagramma a bande. Ci`o che si trova con questa sorta di dop-
pio andamento parabolico, `e semplicemente il raccordo tra i livelli energetici
dei due lati, una volta raggiunto lequilibrio: infatti allequilibrio il livello di
Fermi reale del sistema diventa continuo, confrontabile con una retta, men-
tre i vari E
B
, E
C
, E
V
, E
F
i
, raggiungono livelli energetici diversi, ma non
49
presentano discontinuit` a, bens` un raccordo come quello appena descritto
qualitativamente (e che in seguito verr` a calcolato analiticamente). Possiamo
dire che il lato n tender` a a scendere rispetto al lato p, che salir`a relativamente
ad n. Lo spostamento di carica, determinante lequilibrio, ha determinato il
curvarsi dei livelli energetici, nellintorno della zona della giunzione. Il livello
di Fermi si sar` a riallineato, e tutti gli altri curvati con un andamento come
quello appena descritto.
Notiamo che si viene a formare una barriera di potenziale, man mano
che si instaura lequilibrio: pi` u passa il tempo, pi` u portatori tenderanno a
transire la barriera, e pi` u diventer` a dicile raggiungere laltro lato, poich`e
il campo continuer` a ad aumentare. Al livello di equilibrio, i ussi sono del
tutto bilanciati: il usso di elettroni in banda di conduzione dal lato n a
quello p equivale e bilancia quello di elettroni in banda di conduzione dal
lato p al lato n. Stesso discorso per le lacune. Possiamo esprimere con un
formalismo migliore, il fatto che si hanno in totale quattro ussi:
1.
x,e

BC
n p
2.
x,e

BC
p n
3.
x,e
+
BV
p n
4.
x,e
+
BV
n p

x,e

BC
n p =
x,e

BC
p n

x,e
+
BV
p n =
x,e
+
BV
n p
Quindi, si pu` o dire che:

1 = 2
3 = 4
Le barriere di potenziale causate dalla transizione di elettroni, e quindi
dalla non-neutralizzazione degli atomi droganti ionizzati, si modulano no a
bilanciare questi ussi. Ci` o coincide esattamente con il bilanciare il livello di
Fermi. Questo fatto nora espresso facilmente per` o non `e banale, e vediamo
come sia realmente possibile, mediante una semplice dimostrazione:
Dati due materiali, 1 e 2, essi saranno caratterizzati da una propria distri-
buzione degli stati energetici, e da una funzione di occupazione degli stati (in
questo caso poich`e si parla sempre di elettroni/lacune e quindi di fermioni,
50
la Fermi-Dirac), caratterizzata proprio dal livello di Fermi del materiale. I
due materiali saran dunque cos` caratterizzati:

g
1
(E)
f
1
(E; T) E
F1

g
2
(E)
f
2
(E; T) E
F2
Supponiamo ora che sia gi` a stato raggiunto lequilibrio termodinamico,
in seguito al contatto. Ci` o signica che per ogni generico livello energetico
E, bisogna garantire un egual usso di portatori, e cio`e i ussi di lacune e di
elettroni da un lato ad un altro devono essere tra loro bilanciati. Consideria-
mo anche soltanto gli elettroni: `e suciente come condizione per la nostra
dimostrazione: la nostra ipotesi dunque sar`a:

x,e
1 2 =
x,e
2 1
Quindi, esplicitando le funzioni caratterizzanti i ussi di portatori:

x,e
1 2 = [g
1
(E f
1
(E; T)] [g
2
(E) (1 f
2
(E; T))]

x,e
2 1 = [g
2
(E f
2
(E; T)] [g
1
(E) (1 f
1
(E; T))]
Ossia, perch`e i ussi di carica siano ecaci, deve essere presente un elet-
trone dal lato 1 in grado di eettuare la transizione, e vi deve essere uno
spazio libero (regolato dal complementare della funzione di occupazione) nel
lato 2; viceversa per il usso da 2 a 1. Svolgendo i conti, si ottiene che:
g
1
f
1
g
2
g
1
f
1
f
2
g
2
= g
2
f
2
g
1
g
1
f
1
f
2
g
2
=f
1
= f
2
Poich`e supponiamo di trovarci ad una temperatura di 300 K come nostro
solito, e consideriamo un qualunque livello energetico E, lunica variabile in
gioco ssate queste rimane il livello di Fermi: infatti, dire che le due funzioni
di occupazione sono uguali, implica dire che:
1
1 +e
EE
F1
kT
=
1
1 +e
EE
F2
kT
=E
F1
= E
F2
Questo, ssata una E qualsiasi.
Tentiamo ora di meglio denire ci` o che capita, stabilendo alcune osserva-
zioni in grado di guidarci nel rappresentare un diagramma a bande (per ora
qualitativo) di una giunzione p-n. In seguito eettueremo calcoli rigorosi per
51
il calcolo dei campi dovuti agli atomi ionizzati, e per la quanticazione della
barriera di potenziale.
Se tentassimo di costruire il diagramma a bande della giunzione, con le
nostre attuali competenze, dovremmo tener conto di queste osservazioni:
1. In una condizione di equilibrio, E
F
(x) `e una funzione costante, e dunque
E
F
(x) = E
F
:
2. Lontano dalla giunzione, i materiali si comportano come se la giunzione
non esistesse, poich`e la ricombinazione elimina tutti i portatori iniettati
dallaltra parte. Si ha dunque una neutralit`a globale, ma anche locale;
3. I livelli energetici sono quantit` a tutte continue, e non presentano dun-
que salti di alcun tipo;
4. Lanit`a elettronica `e una caratteristica intrinseca del materiale, non
`e modicabile, e quindi si pu`o sempre considerare invariata;
5. Il gap di energia tra livello E
C
e livello E
V
`e invariante, in una giunzione
p-n.
Propriet` a extra, abbastanza scontata, `e la seguente: se il semiconduttore
dispone di una carica positiva, il diagramma a banda in quella zona sar` a
convesso; se ha carica negativa, sar` a concavo.
Mediante queste cinque propriet` a, si disporr` a di un metodo per disegnare
il diagramma a bande, in modo qualitativo.
Possiamo ora pensare ad unidea: potremmo applicare sul livello di Fermi
intrinseco, anchesso variante a causa della giunzione, e quindi funzione della
posizione, E
F
i
(x), e su E
F
, le equazioni di Shockley; considerando un punto
molto distante dalla giunzione come nel lato p, e +molto distante nel
lato n; nel lato n, consideriamo dunque gli andamenti dei portatori in punti
distanti:
n
n
(+) = n
i
e
E
F
E
F
i
(+)
kT
P
n
() = n
i
e
E
F
i
()E
F
kT
Le equazioni di Shockley sono utili in quanto, mediante la loro applica-
zione, si potrebbe cercare immediatamente il numero di elettroni e lacune in
funzione della posizione, in ogni punto della giunzione.
Data ora questa prima impostazione qualitativa dello studio della giun-
zione, vorremmo passare ad unanalisi pi` u quantitativa, e quindi poter deter-
minare unespressione che ci permetta di calcolare alcuni parametri: x
p0
,
x
n0
, e la barriera di potenziale
i
.
52
3.2 Studio elettrostatico della giunzione p-n
Iniziamo ora uno studio dettagliato e quantitativo della giunzione p-n, in
modo da poter determinare i valori dei parametri mancanti, e poterne quotare
ogni grandezza del diagramma a bande.
Le tre incognite sono le seguenti:
x
p0
: ampiezza zona di svuotamento del lato p;
x
n0
: ampiezza zona di svuotamento del lato n;

i
: potenziale interno tra il lato p ed il lato n
Poich`e abbiamo tre incognite, avremo bisogno di tre condizioni al contor-
no, e quindi di tre equazioni tra esse indipendenti, in modo da poter avere un
problema ben posto. Le tre idee che ora aronteremo al ne di poter ultimare
un modello quantitativo elettrostatico della giunzione, sono le seguenti:
1. Lapplicazione della neutralit` a globale della giunzione p-n;
2. Lanalisi della barriera come dierenza tra i due lavori di estrazione dei
lati;
3. Lanalisi formale dellandamento di campo e potenziale della giunzione
in ogni zona.
3.2.1 Equazione di neutralit`a globale
In forma generale, lequazione di neutralit`a globale ha forma:

_
0
x
p
(x)dx =
_
x
n
0
(x)dx
Nel nostro caso specico, date le ipotesi di semiconduttore omogeneo, di
completa ionizzazione dei droganti e di completo svuotamento, lequazione
si ridurr`a semplicemente a:
qN
A
x
p0
= qN
D
x
n0
Ci mancano ora altre due equazioni. Lavoriamo in tale senso, al ne di
poter completare il sistema.
53
3.2.2 Analisi della barriera di potenziale
Data la barriera di potenziale
i
, possiamo pensarla, come gi`a anticipato,
come dierenza dei lavori di estrazione del lato p, e del lato n:

i
= q
S
p
q
S
n
Questa dierenza si pu`o pensare in termini della semplice dierenza dei
soli livelli di Fermi intrinseci, in punti distanti dalla giunzione:

i
= E
F
i
() E
F
i
(+)
Algebricamente, possiamo aggiungere e togliere lo stesso numero ad une-
quazione ed essa rimarr` a comunque invariata. Possiamo dunque aggiungere
e sottrarre la quantit` a E
F
:

i
= E
F
i
() E
F
+E
F
E
F
i
(+)
Ma ora `e possibile ricondurre alle equazioni di Shockley queste espressioni:
(E
F
i
() E
F
) + (E
F
E
F
i
(+)) = kT ln
N
A
n
i
+kT ln
N
D
n
i
=
= kT ln
N
A
N
D
n
2
i
= q
i
La barriera `e lenergia positiva cos` denita: q
i
. Si noti che la conven-
zione `e particolare: parlando quantitativamente di potenziale, avevamo preso
come riferimento, ossia come massa, il punto x
p0
; ora, parlando di energia,
consideriamo come punto di riferimento (ossia come una sorta di massa, par-
lando per` o di energia sarebbe pi` u corretto parlare di una sorta di energia
iniziale) il punto x
n0
: per questo, i segni risultano comunque essere positi-
vi, anche se in eetti il potenziale espresso in V `e semplicemente lopposto
dellenergia potenziale espressa in eV. Riassumendo dunque la convenzione:
q
i
= U() U(+)

i
= (+) ()
Ora, per terminare la formalizzazione, potremmo considerare la deni-
zione corretta di potenziale di contatto della giunzione p-n, non utilizzando
pi` u la convenzione a , ma utilizzando al posto di il valore x
p0
, e al
posto di + il valore x
n0
:
54

i
= (x
n0
) (x
p0
)
Abbiamo cos` trattato anche la seconda condizione del nostro sistema. Ci
manca ancora una condizione, ossia lapplicazione dellequazione di Poisson.
3.2.3 Analisi formale dellandamento di campo e po-
tenziale
Partiamo dallequazione di Poisson, e consideriamo quindi le due equazioni:
(x) =
_
(x)

S
dx
(x) =
_
(x)dx
Partendo dalla densit`a di carica (x) studiamo landamento del campo
elettrico. Dobbiamo per` o denire innanzitutto la funzione di densit`a di carica
(x) come una funzione a tratti:
(x) =
_

_
0 < x < x
p0
qN
A
x
p0
< x < 0
+qN
D
0 < x < x
n0
0 x
n0
< x < +
Considerando che abbiamo a che fare con una funzione denita a tratti,
possiamo calcolare il campo elettrico integrando ogni singolo intervallo: ba-
ster` a sfruttare lequazione di Poisson ed il teorema fondamentale del calcolo
integrale, nel seguente modo: considerando lintegrazione in un intervallo
[a; x],
(x) = (a) +
_
x
a
(x)

S
Si consideri inoltre che il campo deve ovviamente essere continuo, e che le
espressioni trovate devono essere tutte riferite alla stessa massa. Per questo,
sar` a necessario calcolare il valore nale del campo in un intervallo, e porlo
uguale al valore iniziale nellintervallo successivo. Tenendo conto di queste
cose, studiamo ora ciascuna delle quattro zone:
Per < x < x
p0
, (x) = 0, quindi il campo sar` a nullo nella regione;
si noti che il valore nale di questespressione sar` a 0, poich`e la funzione
integranda sar`a sempre 0, quindi possiamo tranquillamente dire anche
senza calcoli che (x
p0
) = 0.
55
Per x
p0
< x < 0, abbiamo che (x) = +qN
D
; applicando lespressione
prima proposta,
(x) = (x
p0
) +
_
x
x
p0

qN
A

S
dx =
qN
A

S
(x +x
p0
)
Questo poich`e il valore iniziale (x
p0
) = 0. Calcoliamo il valore nale
di questespressione, ossia nel punto x = 0, che diventer` a il valore
iniziale della prossima zona:
(0) =
qN
A

S
x
p0
Per x
p0
< x < 0, = +qN
D
, quindi calcoliamo che:
(x) = (0) +
_
x
0
qN
D

S
dx =
qN
A

S
x
p0
+
qN
D

S
x
Il valore nale di questo intervallo varr`a:
(x
n0
) =
qN
A

S
x
p0
+
qN
D

S
x
n0
Per x
n0
< x < +, potremmo riapplicare tutti i ragionamenti ed i
risultati analitici nora ricavati, per poter ricavare il valore del campo
elettrico (x) nella regione. In realt` a, possiamo ragionare in un modo
molto pi` u qualitativo ma altrettanto ecace: applicando la neutralit` a,
se il campo elettrico `e nullo a sinistra della regione di carica negativa,
se non fosse nullo a destra della regione di carica positiva, lipotesi di
neutralit` a sarebbe impossibile da applicare nella giunzione p-n. Appli-
cando in modo molto leggero lipotesi di neutralit` a, possiamo dunque
dire che
(x) = 0
Riassumendo, il valore del campo elettrico (x) sar`a:
(x) =
_

_
0 < x < x
p0

qN
A

S
(x +x
p0
) x
p0
< x < 0

qN
A

S
x
p0
+
qN
D

S
x 0 < x < x
n0
0 x
n0
< x < +
56
A questo punto, disponiamo di una funzione a tratti del campo elettrico
(x): possiamo ripetere un ragionamento analogo al precedente, utilizzando
la relazione:
(x) = (a)
_
x
a
(x)dx
Consideriamo dunque ciascuna delle quattro zone:
Per < x < x
p0
, (x) = 0, dunque lintegrale varr` a 0 in ogni punto
di questo primo intervallo. Anche il valore nale, (x
p0
) sar`a 0.
Per x
p0
< x < 0, abbiamo che (x) =
qN
A

S
(x +x
p0
). Integrando:
(x) = (x
p0
)
_
x
x
p0

qN
A

S
(x +x
p0
)dx =
qN
A

S
(x +x
p0
)
2
Il valore nale di questespressione, ossia il potenziale valutato in 0,
sar` a:
(0) =
qN
A

S
x
2
p0
Per 0 < x < x
n0
, (x) =
qN
A

S
x
p0
+
qN
D

S
x. Integrando la precedente
espressione:
(x) = (0)
_
x
0

qN
A

S
x
p0
+
qN
D

S
x

dx =
qN
A
2
S
x
2
p0
+
qN
A

S
x
p0
x
qN
D
2
S
x
2
Il valore nale di questa espressione, ossia il potenziale valutato in x
n0
,
sar` a:
(x
n0
) =
qN
A
2
S
x
2
p0
+
qN
A

S
x
p0
x
n0

qN
D
2
S
x
2
n0
=
i
Per x
n0
< x < +, applicando la neutralit` a come nel caso del campo
elettrico, vediamo che nulla pu`o modicare landamento del potenziale,
che rimane dunque costante, e dunque pari al valore del potenziale di
barriera
i
.
57
Avremo unespressione a tratti del potenziale:
(x) =
_

_
0 < x < x
p0
qN
A

S
(x +x
p0
)
2
x
p0
< x < 0
qN
A
2
S
x
2
p0
+
qN
A

S
x
p0
x
qN
D
2
S
x
2
0 < x < x
n0
qN
A
2
S
x
2
p0
+
qN
A

S
x
p0
x
n0

qN
D
2
S
x
2
n0
x
n0
< x < +
3.2.4 Risoluzione del sistema
Abbiamo gi` a applicato nel nostro sistema una prima volta lequazione di
neutralit` a, per semplicare alcuni conti; lapplicazione introdotta `e stata
tuttavia molto leggera; per poter risolvere il sistema, sar` a necessario fare di
pi` u, mettendo a sistema tra loro tutte le tre condizioni, ottenendo risultati
precisi. Dallo studio del potenziale con lequazione di Poisson, possiamo dire
che:

i
=
qN
A
2
S
x
2
p0
+
qN
D
2
S
x
2
n0
=
p
+
n
Ossia si pu`o distinguere la barriera come somma di due contributi, dovuti
uno al lato p, ed uno al lato n. Le tre equazioni che abbiamo ricavato dalle
nostre congetture sono le seguenti:
1.
qN
A
x
p0
= qN
D
x
n0
2.

i
=
kT
q
ln
N
A
N
D
n
2
i
3.

i
=
qN
A
2
S
x
2
p0
+
qN
D
2
S
x
2
n0
Mettendo a sistema la prima e la terza equazione, possiamo ricavare x
n0
o x
p0
:
x
p0
= x
n0
N
D
N
A
=
i
=
qN
A
2
S
x
2
n0
N
2
D
N
2
A
+
qN
D
2
S
x
2
n0
=
qN
D
2
S

N
A
+N
D
N
A

x
2
n0
Poich`e la seconda equazione ci fornisce unespressione operativa della
barriera di potenziale
i
, possiamo facilmente ricavare che:
58
x
n0
=

2
S
qN
D

i
N
A
N
A
+N
D
Possiamo ora dire di aver trovato ogni dato necessario per quotare il
diagramma a bande della giunzione p-n: ci imponiamo solo di mettere un
poco ordine nelle espressioni, esprimendo lultimo risultato trovato in modo
pi` u saggio: anzich`e considerare una singola ampiezza, consideriamo la totale
ampiezza (come somma delle due ampiezze) delle regioni di svuotamento,
x
d0
:
x
d0
= x
n0
+x
p0
Partendo da qua, scriviamo unespressione di x
d0
:
x
d0
= x
n0
+
N
D
N
A
x
n0
= x
n0

N
A
+N
D
N
A

N
A
+N
D
N
A

2
N
A
N
D
+N
A
2
S
qN
D

i
;
x
d0
=

N
A
+N
D
N
A

2
S
qN
D

i
Esprimendo ora la funzione con il concetto di drogaggio equivalente N
eq
,
denito come somma armonica dei due drogaggi:
N
eq
=
1
1
N
A
+
1
N
D
=
N
A
N
D
N
A
+N
D
Si ottiene che:
x
d0
=

2
S
qN
eq

i
3.3 Applicazione di una tensione esterna alla
giunzione
Abbiamo nora studiato la giunzione p-n in un caso di equilibrio. Potremmo
ora pensare a casi in cui non vi `e equilibrio, poich`e esso viene perturba-
to dallesterno, mediante lapplicazione di una batteria di tensione V
a
alla
giunzione.
Consideriamo la seguente convenzione: il + della batteria va collegato
al lato p, il - della batteria al lato n. I contatti di accesso alla giunzione
59
saranno metallici (supponiamo ad esempio di oro Au): un accesso ad un
semiconduttore (e quindi ad una giunzione) deve essere mediato da un con-
tatto ohmico, al ne di poter eliminare resistenze parassite. Avremo a che
fare quindi sostanzialmente con tre interfacce, e tre potenziali di contatto.
Potremmo dunque ridisegnare il diagramma a bande del nostro sistema Au-
Si-Au: supponendo di trovarci in uno stato di equilibrio, il livello di Fermi
sar` a ovunque costante. Il metallo non potr` a, a causa della natura uida
del suo mare di elettroni, presentare concavit` a in prossimit`a dei contatti, e
quindi solo il diagramma a bande dei semiconduttori potr` a subire curvature.
Lontano dalle interfacce, i materiali si comporteranno come isolati.
Cosa possiamo osservare: il metallo Au ha un livello di estrazione supe-
riore a quello del silicio; come gi` a detto, il raccordo sar` a solo da parte dei
semiconduttori poich`e la natura uida del mare di elettroni non permette
modiche al materiale. Oltre alla barriera
i
, avremo altre due barriere di
potenziale, causate dalla dierenza tra i lavori di estrazione. Ogni tensione di
contatto si pu`o circuitalmente rappresentare mediante una batteria: il con-
tatto Au-Si
p
sar` a una tensione positiva rispetto a p su n, poich`e `e dallalto
verso il basso. Il contatto Si
n
-Au sar`a una tensione dal basso verso lalto ri-
spetto a p, e quindi sar` a negativa. Circuitalmente, si pu`o pensare al sistema
come una maglia di batterie.
Lequazione di questa maglia sar` a la seguente:

Au,p

i
+
n,Au
= 0
Da ci`o `e facilmente ricavabile la tensione
i
:

i
=
n,Au

Au,p
60
Supponiamo di poter avere un voltmetro ideale: esso non potrebe misu-
rare niente, poich`e i potenziali di contatto bilanciano la tensione interna, che
quindi sar`a nulla.
Collegando nalmente la tensione esterna V
a
, supponendo che i contatti
metallici siano dei buoni contatti, ossia a bassissima resistenza, e che quindi
provocano una bassa caduta di tensione per le correnti che vi entrano, pos-
siamo pensare che le due resistenze serie dei contatti ohmici siano nulle, e
che quindi la tensione alla giunzione subir`a una variazione, raggiungendo un
valore V
j
, a noi incognito. La maglia di batterie sar` a modicata, ed avr`a
unequazione associata di questo tipo:
V
a

Au,p
V
j
+
n,Au
= 0
V
j
=
n,Au

Au,p
V
a
Ma noi abbiamo prima detto che
i
=
n,Au

Au,p
; dunque:
V
j
=
i
V
a
Quando applico una tensione positiva sul lato p, si abbassa la tensio-
ne sulla giunzione. A questo punto, in seguito a questa notevole scoperta,
introduciamo due denizioni:
Una giunzione polarizzata con una tensione esterna V
a
> 0 `e detta
polarizzata direttamente;
Una giunzione polarizzata con una tensione esterna V
a
< 0 `e detta
polarizzata inversamente.
La tensione provoca alcune interessanti conseguenze: disegnamo, in un
graco, la distribuzione della tensione allequilibrio, con una polarizzazione
diretta, e con una polarizzazione inversa: la concavit` a della funzione rimarr` a
61
sempre costante, ma quella che varier`a sar` a lampiezza delle regioni di svuo-
tamento, e quindi volendo dire in modo poco elegante, il punto di inizio ed
il punto di ne della funzione del potenziale (nonch`e ovviamente laltezza
della barriera, come gi` a dimostrato mediante il calcolo delle equazioni delle
maglie): se si polarizza direttamente la giunzione, lampiezza della zona di
svuotamento x
d
diminuisce rispetto allampiezza di equilibrio x
d0
, e la bar-
riera di potenziale, a queste condizioni, diminuisce; al contrario, con una
polarizzazione inversa, lampiezza x
d
aumenta rispetto a quella di equilibrio,
e la barriera di potenziale aumenta. Trascurando come da ipotesi cadute re-
sistive sulle interfacce metalliche, capita ci` o: supponendo che le distribuzioni
di carica siano: qN
A
x
p
(negative), e +qN
D
x
n
(positive); le tensioni, data
lipotesi di buoni contatti, dipendono esclusivamente dagli ioni, ricavando a
partire dalla loro funzione di densit` a lespressione operativa del campo e del
potenziale. Se la tensione esterna modula la barriera, allora essa modula po-
tenziale (tensione), campo e carica. Con una V
a
positiva ridurremo la regione
di svuotamento: lapplicazione di una tensione esterna per` o non `e in grado di
modicare il drogaggio del semiconduttore, nella fatispecie le concentrazioni
N
A
ed N
D
, e tantomeno il valore della carica fondamentale q (quantizzata
come la carica di un protone o di un elettrone); V
a
quindi potr` a solo varia-
re lampiezza della regione di svuotamento x
d
, ma i parametri delle curve,
ossia la pendenza delle rette che formano il triangolo (nel campo elettrico),
o la concavit`a del doppio andamento parabolico (nel potenziale), resteranno
sempre costanti, e in questo senso avremo sempre le stesse funzioni, con per` o
unampiezza di zona di svuotamento diversa.
Potremmo ora chiederci come calcolare, a partire dalla variazione di
i
con lapplicazione della tensione esterna V
a
, la variazione della zona dampiez-
za x
d
. Lidea `e semplicemente sostituire al posto della barriera di potenziale

i
nellespressione di x
d
la tensione nale sulla giunzione V
j
:
x
d
(V
a
) =

2
S
qN
eq
(
i
V
a
)
In realt` a, leetto della tensione pu`o essere molto pi` u interessante di una
semplice variazione di x
d
: la tensione V
a
> 0 riduce la barriera di potenziale,
e cos` il usso dei portatori verr`a modicato, e nello specico verranno variate
le concentrazioni di portatori che attraverseranno la barriera, quindi generate
correnti. Dal punto di vista elettrostatico una tensione esterna fa variare le
regioni di svuotamento, e quindi la carica positiva Q
+
e quella negativa Q

.
62
3.3.1 Capacit`a di svuotamento
Un eetto molto interessante della tensione `e quello di rendere visibile una
sorta di capacit` a del semiconduttore: dato che V
a
modica qN
D
x
n
(V
a
) e
qN
A
x
p
(V
a
), la situazione potrebbe ricordare quello che in elettrostatica si
studia come modello di un condensatore: rivediamolo.
Data una carica Q, si pu` o denire una capacit` a C come:
C =

dQ
dV

Consideriamo come tensione la nostra V


a
, e come carica ad esempio quella
positiva, Q
+
. Ci servir` a una Q
+
funzione di V
a
, al ne di poterne calcolare
la derivata in V
a
. Ma noi abbiamo gi` a visto che:
Q
+
= qN
D
x
n
(V
a
)
x
n
(V
a
) =

2
S
N
A
qN
D
(N
A
+N
D
)
(
i
V
a
)
Q
+
(V
a
) =

2
S
N
A
q
2
N
2
D
qN
D
(N
A
+N
D
)
(
i
V
a
) =
_
2q
S
N
eq
(
i
V
a
)
Calcolando il modulo della derivata rispetto a V
a
, si trova che:
C =

dQ
+
(V
a
)
dV
a

=
2q
S
N
eq
2
_
2
S
qN
eq
=

q
2

2
S
N
2
eq
2
S
qN
eq
(
i
V
a
)
=
=

q
S
N
eq
2(
i
V
a
)
= C(V
a
)
Si noti che la capacit`a `e una funzione della tensione V
a
: il condensatore
con il quale stiamo modellando la regione di svuotamento `e dunque coman-
dabile in tensione, ossia la sua capacit`a varia con il variare della tensione che
gli viene applicata.
Cerchiamo ora per`o di ragionare in un modo diverso, al ne di ottenere
un risultato pi` u semplice; abbiamo detto che:
x
d
(V
a
) =

2
S
qN
eq
(
i
V
a
) =C(V
a
) =

S
x
d
(V
a
)
63
Abbiamo scoperto una cosa molto interessante: un semiconduttore si
pu` o comportare come un condensatore a facce piane parallele, di costante
dielettrica
S
, e distanza x
d
tra le armature. Un semiconduttore svuotato
dunque `e equivalente ad un materiale dielettrico.
3.4 Esercizio pratico
Data una giunzione p-n in silicio con i seguenti drogaggi: N
A
= 10
16
; N
D
=
5 10
16
:
1. Disegnare il diagramma a bande dettagliato allequilibrio.
2. Calcolare il campo elettrico massimo allequilibrio.
3. Calcolare il valore della tensione esterna V
a
tale per cui il campo mas-
simo raddopi.
4. Calcolare il valore di capacit`a allo stato della giunzione nel punto
precedente.
5. Si metta a punto un metodo di misura sperimentale che tramite misura
di capacit`a permetta una valutazione del potenziale di contatto
i
3.4.1 Risoluzione
Disegnare il diagramma a bande dettagliato allequilibrio
Il primo punto `e gi` a stato risolto una volta, tuttavia lo discutiamo brevemen-
te: ricordando le propriet` a dei semiconduttori e dei metalli, e il fatto che il
livello di Fermi deve essere sempre costante nel semiconduttore, una ragu-
razione qualitativa `e immediata. Per per` o poter quotare ogni singolo punto,
mancano alcuni dati: le posizioni delle regioni di svuotamento, lampiezza
della barriera, e i contributi di ogni lato alla barriera.
Si ricava immediatamente che:

i
=
kT
q
ln
N
A
N
D
n
2
i
Lampiezza della banda di svuotamento sar` a:
x
d0
= x
n0
+xp0 =

2
S
N
eq

i
Sappiamo che
S
=
0

rS
= 11, 7 8, 854 10
14
. N
eq
= 8, 33 10
15
.
64
Svolgendo i conti,
x
d0
= 3, 4 10
7
Potremmo ora ragionare in due modi diversi: uno `e quello di considerare
le espressioni operative per il calcolo delle singole ampiezze x
p0
e x
n0
. Un
altro modo, pi` u intelligente, `e quello di considerare il fatto che le distribuzioni
di carica sono rettangolari, e quindi che:
N
A
N
D
=
x
n0
x
p0
Si pu`o ricavare dunque che:
x
n0
= 58nm; x
p0
= 292nm
Dunque, i valori dei contributi della barriera saranno:

n
=
qN
D
2
S
x
2
n0
= 0, 12V

p
=
qN
A
2
S
x
2
p0
= 0, 65V
Abbiamo quotato tutte le grandezze utili al diagramma a bande.
Calcolare il campo elettrico massimo allequilibrio
Passiamo al punto successivo: il calcolo del campo elettrico massimo nella
giunzione. Anche qua ci vengono aperte notevoli strade, ma la teoria ci
insegna che il massimo del campo `e in prossimit`a dellorigine degli assi, ergo
del punto di giunzione, e che equivale allarea del triangolo. Possiamo dunque
calcolarlo cos`:
(0) =
qN
A

S
x
p0
=
qN
D

S
= 44kV/cm
Calcolare il valore della tensione esterna V
a
tale per cui il campo
massimo raddopi
Risolto il punto 2, tentiamo di risolvere in modo altrettanto rapido il punto 3:
anche qua la teoria potrebbe spingerci a conti molto elaborati, ma in realt` a
si tratta esclusivamente di risolvere un problema in cui abbiamo un triangolo
la cui area raddoppia, al raddoppiare della base. Quindi:
65
(
i
V
a
) =
2x
d
(0) 2
2
=V
a
= 2, 2eV
Calcolare il valore di capacit`a allo stato della giunzione nel punto
precedente
Il quarto punto potrebbe nuovamente trarci in inganno, ma anchesso `e de-
cisamente semplice: esiste un sistema banalissimo di calcolare la capacit`a
di svuotamento del semiconduttore, considerandolo (come la teoria ci pu` o
suggerire) come un condensatore a facce piane parallele. Quindi:
C
DEP
=

S
x
d
= 15nF/cm
2
Si metta a punto un metodo di misura sperimentale che trami-
te misura di capacit`a permetta una valutazione del potenziale di
contatto Phi
i
Il quinto punto `e molto pi` u interessante di quelli passati nora. Si noti come,
sfruttando le relazioni giuste e con qualche osservazione intelligente, i proble-
mi diventino molto pi` u semplici. Questo punto per`o eettivamente richiede
osservazioni pi` u importanti: vogliamo trovare un metodo per misurare, in
buona approssimazione, la tensione di contatto
i
. Dalla teoria, sappiamo
che `e impossibile realizzare un voltmetro capace di ci`o, quindi dovremmo a-
darci a misure di tipo indiretto. La traccia dellesercizio suggeriva di sfruttare
eetti capacitivi al ne di realizzare questo metodo. Dalla teoria sappiamo
che:
C
DEP
=

q
S
N
eq
2(
i
V
a
)
Vorremmo ora una funzione facile da studiare, a partire da questa, e che
non presenti il seguente problema: unidea `e prendere lespressione di C
DEP
,
e considerare C
2
DEP
:
1
C
2
DEP
=
2( V
a
)
q
S
N
eq
Questespressione `e molto interessante da studiare in quanto di fatto non
`e altri che una retta: la propriet` a interessante `e che lintersezione con lasse
delle ascisse di questa retta non `e altri che
i
, e quindi questo metodo di
misura ci fornisce implicitamente due misure:
i
, ma anche N
eq
, poich`e
la pendenza della retta f(V
a
), e quindi `e possibile calcolare con unottima
66
precisione entrambe le grandezze. Possiamo dunque considerare terminato
questo esercizio, e tornare a studiare gli eetti pratici dellapplicazione di
una tensione esterna, su di una giunzione p-n.
3.5 Eetti di una tensione su di una giunzio-
ne p-n
Vorremmo ora comprendere, aldil`a degli eetti puramente elettrostatici, le
conseguenze dellapplicazione di una tensione esterna V
a
ad una giunzione.
Soprattutto, vorremmo studiare cosa capita ai ussi di portatori, in seguito
alla modulazione della barriera provocata dalla tensione. Introduciamo una
notazione che ci permetta di identicare univocamente i quattro ussi che
entrano in gioco nella giunzione p-n:
1. Elettroni da lato n a lato p;
2. Elettroni da lato p a lato n;
3. Lacune da lato p a lato n;
4. Lacune da lato n a lato p.
Se applichiamo alla giunzione una tensione V
a
> 0, e quindi siamo in un
caso di polarizzazione diretta, il lato p scender`a e quello n salir`a, in modo che
la barriera sar` a ridotta, il usso 1 e il usso 3 cresceranno, mentre gli altri
rimarranno inalterati. Il nostro obiettivo `e ora quello di quanticare la tran-
sizione dei portatori, ponendoci alcune domande speciche: vorremmo poter
quanticare la concentrazione dei portatori minoritari iniettati, e calcolare il
livello di iniezione; V
a
infatti determina liniezione di elettroni nel lato p, e
di lacune nel lato n, dunque uniniezione elettrica. Studiando le concentra-
zioni dei minoritari, pariamo da una condizione di equilibrio: possiamo dire,
mediante le leggi dellazione di massa (o mediante le equazioni di Shockley)
che:
n
p
(x
p
)|
EQ
=
n
2
i
p
p
(x
p
)
=
n
2
i
N
A
= n
p0
p
n
(x
n
)|
EQ
=
n
2
i
n
n
(x
n
)
=
n
2
i
N
D
= p
n0
Possiamo intuire che, polarizzando la giunzione, n
p
(x
p
) e p
n
(x
n
) cre-
scono notevolmente. Siamo dunque in grado di studiare lequilibrio, ma non
67
una condizione fuori equilibrio. Possiamo qualitativamente dire, come aveva-
mo gi`a aermato prima, che per una polarizzazione diretta lampiezza della
regione di svuotamento si riduce, e che V
j
<
i
. Lontano dalla giunzione sap-
piamo che non abbiamo eetto della barriera, e che quindi molto a sinistra
della giunzione il semiconduttore sar`a tipo p neutro, molto a destra sar` a tipo
n neutro. Lontano dalla giunzione, di fatto, vi saranno le stesse condizioni
che si trovano in una condizione di equilibrio. Volendo dunque calcolare le
concentrazioni lontano dalla barriera, possiamo usare come al solito, le equa-
zioni di Shockley. Dalle parti della barriera, in un suo intorno, nascono i
nostri problemi: il livello di Fermi presenta una discontinuit`a, come abbia-
mo visto nel precedente graco qualitativo. La discontinuit` a sar` a esprimibile
come un salto di ampiezza qV
a
tra i due livelli E
F
. In regioni neutre dunque
sappiamo esattamente come comportarci, ma in prossimit` a della giunzione,
e quindi in una zona fuori equilibrio, non sappiamo come procedere.
3.5.1 Quasi-Livelli di Fermi
Lidea vincente `e la seguente: il livello di Fermi, quando si studiano problemi
di equilibrio, `e sempre la base da cui partire per determinare le soluzioni: con
le equazioni di Shockley si possono infatti studiare, in funzione del livello di
Fermi E
F
, le concentrazioni di portatori. Come possiamo per` o descrivere un
semiconduttore in funzione del livello di Fermi, fuori equilibrio? Consideria-
mo un caso di basso livello di iniezione: in un semiconduttore drogato tipo
n, con N
D
, ed uniniezione di portatori, capita che i maggioritari restano di
fatto inalterati, e che i minoritari subiscono una variazione sensibile. Ma
cosa capita al livello di Fermi? Poich`e aumentano i minoritari, esso subir` a
una variazione, poich`e si ha una variazione dellequilibrio nale, causata dal-
liniezione. Lidea che permette di studiare casi fuori equilibrio mediante il
livello di Fermi, `e lintroduzione del concetto di quasi-livello di Fermi: in
prossimit` a di una zona di non equilibrio, sdoppiamo il livello di Fermi in due
livelli distinti: quello riferito ai maggioritari, nel nostro caso E
F
n
= E
F
, coin-
cider` a con il livello allequilibrio, poich`e siamo in un regime di basso livello
di iniezione, e lequilibrio dei maggioritari non viene alterato dalliniezione.
Nei minoritari, si considerer` a un quasi livello di Fermi E
F
p
, diverso da E
F
,
che considera il fatto che liniezione ha notevolmente alterato lequilibrio dei
minoritari, e quindi il loro livello di Fermi di riferimento.
Nello sdoppiamento dei livelli energetici consideriamo ad esempio per i
maggioritari il quasi-livello di Fermi E
F
n
= E
F
e quindi una condizione coin-
cidente con lequilibrio, mentre per i minoritari il quasi-livello di Fermi sar` a
E
F
p
. Distinguendo questi due quasi-livelli di Fermi (quello dei minoritari si
distingue sempre in quanto, nel diagramma a bande, `e pi` u spostato verso il
68
livello di Fermi intrinseco, E
F
i
), possiamo calcolare sia n
n
che p
n
, median-
te una banale applicazione delle equazioni di Shockley. Facendo le stesse
osservazioni per un semiconduttore drogato p con drogaggio N
A
, possiamo
dunque introdurre le equazioni di Shockley:
N
D0
:
_
n
n0
= n
i
e
E
F
E
F
i
kT
p
n0
= n
i
e

E
F
E
F
i
kT
N
A0
:
_
p
p0
= n
i
e
E
F
i
E
F
kT
n
p0
= n
i
e

E
F
i
E
F
kT
In questi casi in equilibrio, la legge dellazione di massa vale:

N
D0
= n
n0
p
n0
= n
2
i
N
A0
= n
p0
p
p0
= n
2
i
Nei casi fuori equilibrio, le equazioni di Shockley saranno:
N
D
:
_
n
n
= n
i
e
E
F
n
E
F
i
kT
p
n
= n
i
e

E
F
p
E
F
i
kT
N
A
:
_
p
p
= n
i
e
E
F
i
E
F
p
kT
n
p
= n
i
e

E
F
i
E
F
n
kT
69
In questi casi fuori equilibrio, vediamo che le leggi dellazione di massa
subiranno una correzione (esponenziale) rispetto a quelle classiche in casi di
equilibrio:
_
N
D
: n
n
p
n
= n
2
i
e
E
F
n
E
F
p
kT
N
A
: n
p
p
p
= n
2
i
e
E
F
n
E
F
p
kT
Mediante questi strumenti teorici, ossia i quasi-livelli di Fermi, `e possibile
studiare un semiconduttore con le equazioni di Shockley anche in condizioni
fuori equilibrio.
3.6 Leggi della Giunzione
Tornando allo studio della giunzione, cerchiamo di applicare quanto appena
introdotto, e di utilizzare dunque sulle regioni di svuotamento le equazioni di
Shockley. Ipotizziamo che lo svuotamento di queste induca un basso livello
di iniezione, e quindi che il vecchio livello di Fermi descriva senza problemi
la concentrazione dei maggioritari. Usando le equazioni di Shockley si vede
che la distanza E
F
n
E
F
i
al variare di x, nel lato n, `e costante no a x = x
n
:
a partire dal punto x
n
, ossia a partire da quando si entra nella zona di
svuotamento, la dierenza dei due livelli energetici crolla bruscamente, al
variare di x, man mano che ci si avvicina alla giunzione, per essere precisi
con un andamento esponenziale (come suggeriscono le equazioni di Shockley):
n
n
(x) = n
i
e
E
F
E
F
i
(x)
kT
Quando x = x
n
, n
n
(x) = n
n0
; per x < x
n
, vi `e una diminuzione espo-
nenziale degli elettroni: questo perch`e prima della zona di svuotamento la
neutralit` a `e garantita dagli elettroni derivanti dagli ioni positivi (iniettati
come droganti). Per x > x
n
infatti, p
n
' 0, e quindi N
+
D
n
n
' 0 (grazie
allipotesi di completa ionizzazione che si pu` o applicare sempre).
Via via che ci si inoltra nella zona di svuotamento, n
n
(x) diminuisce
velocemente, poich`e abbiamo la dipendenza dallesponenziale della dierenza
E
F
E
F
i
(x), quindi, dalla condizione di neutralit` a in cui n
n0
' N
D
, e = 0,
si arriva a:
n
n
n
n0
; n
n
N
D
; ' N
D
Questa `e una verica a posteriori della validit` a dellipotesi di completo
svuotamento. Si noti che nella regione di svuotamento esistono moltissimi
portatori, ma che sono in numero estremamente trascurabile rispetto a N
D
.
70
Stesso ragionamento, duale, per il lato p. Dire che non vi sono minoritari `e un
errore gravissimo: dire che per` o lipotesi di completo svuotamento `e attuabile,
pu` o nascondere il fatto che i minoritari esistano, ma con una concentrazione
inferiore di diversi ordini di grandezza rispetto a quella dei maggioritari.
La transizione delle concentrazioni avverr` a con una certa gradualit`a; par-
tendo dallipotesi di basso livello di iniezione, e dal fatto che i maggioritari
nel lato n sono descritti da E
F
n
= E
F
, mentre nel lato p da E
F
p
= E
F
,
possiamo architettare le nostre congetture:
1. In equilibrio:
n
p0
(x
p
) = n
i
e

E
F
i
(x
p
)E
F
kT
2. Fuori equilibrio:
n
p
(x
p
) = n
i
e

E
F
i
(x
p
)E
F
n
kT
Ma, nel lato p allequilibrio, E
F
= E
F
p
, poich`e trattiamo i maggioritari
e il basso livello di iniezione. Ricaviamo dunque dalla prima espressione n
i
,
tenendo conto di questosservazione:
n
p0
= n
i
e

E
F
i
(x
p
)E
F
kT
=n
i
= n
p0
e
E
F
i
(x
p
)E
F
kT
Sostituendo nella seconda espressione, si ottiene che:
n
p
(x
p
) = n
p0
e

E
F
i
(x
p
)E
F
n
kT
e
E
F
i
(x
p
)E
F
kT
= n
p0
e

E
F
p
E
F
n
kT
Dualmente, nel lato n, considerando il punto di inizio della regione di
svuotamento x = x
n
, mediante gli stessi passaggi, si ricava che:
p
n
(x
n
) = p
n0
e
E
F
n
E
F
p
kT
Ma possiamo osservare che
E
F
n
E
F
p
kT
=
V
a
V
T
Abbiamo cos` dimostrato in modo formale, a partire dai quasi-livelli di
Fermi, due equazioni fondamentali per lo studio della giunzione p-n:
n
p
(x
p
) = n
p0
e
V
a
V
T
=
n
2
i
N
A
e
V
a
V
T
71
p
n
(x
n
) = p
n0
e
V
a
V
T
=
n
2
i
N
D
e
V
a
V
T
Cerchiamo di comprendere limportanza ed il signicato di queste due
equazioni cos` fondamentali: lesigenza iniziale era quella di capire quale
concentrazione di carica si originasse, ossia quanti elettroni andassero dal
lato n verso il lato p, e quante lacune dal lato p verso il lato n, in seguito
ad una modulazione della barriera, in prossimit` a delle zone di svuotamento,
ossia per x = x
n
e x = x
p
. Siamo arrivati a capire, mediante la formulazione
delle leggi della giunzione, che la popolazione si sposta esponenzialmente con
la barriera, ossia man mano che ci si addentra nelle regioni di svuotamento,
si vede che si ha uno svuotamento con un andamento esponenziale. Al ne
di arrivare alle leggi della giunzione, abbiamo introdotto i quasi-livelli di
Fermi: possiamo immaginare che questi, allaumentare della distanza dalla
giunzione, tendano asintoticamente ad unirsi, no a coincidere nel livello di
Fermi allequilibrio E
F
.
La legge della giunzione infester` a con gli andamenti esponenziali qua-
si tutte le equazioni di funzionamento dei dispositivi elettronici. Ci` o deriva
dallapplicazione delle equazioni di Shockley (necessarie, quindi altre applica-
zioni non cambierebbero comunque questo tipo di andamento), che a loro vol-
ta derivano dalla prima approssimazione fatta, partendo dalla distribuzione
di Fermi-Dirac, a quella di Boltzmann.
3.7 Caratteristica statica della giunzione p-n
Vogliamo ora studiare, nellambito della giunzione p-n, lespressione della
corrente I in funzione della tensione di polarizzazione V
a
: I(V
a
). Cerchiamo,
a questo scopo, di riformulare tutte le nozioni nora apprese, applicando le
leggi della giunzione. Allequilibrio, i minoritari saranno:
n
p0
=
n
2
i
N
A
p
n0
=
n
2
i
N
D
Polarizzando direttamente la giunzione, a sinistra del punto x
p
ed a de-
stra del punto x
n
, le concentrazioni dei minoritari saranno costanti; in questi
punti per`o il valore della concentrazione di portatori minoritari aumenter` a
esponenzialmente con la tensione, poich`e vi `e un abbassamento delle barriere
di potenziale; i minoritari sul lato p (nel punto x
p
) e sul lato n (in x
n
)
saranno rispettivamente:
72
n
p
(x
p
) = n
p0
e
V
a
V
T
p
n
(x
n
) = p
n0
e
V
a
V
T
Cosa succede in parole povere: mediante lapplicazione della tensione,
vengono iniettati elettricamente portatori minoritari nel lato: dal lato n gli
elettroni (che in n sono maggioritari) vengono iniettati nel lato p (dove diven-
tano minoritari), e viceversa da p ad n le lacune da maggioritarie divengono
minoritarie. Studiamo dunque, lato per lato, liniezione di portatori, par-
tendo dallo studio delle funzioni p
n
(x) ed n
p
(x), in posizioni generiche. Per
studiare le lacune iniettate dal lato p al lato n, dovremo studiare landamento
delleccesso di lacune nel lato n al variare della posizione x, ossia la dierenza
tra le lacune presenti allequilibrio e quelle iniettate dal lato p a quello n:
p
0
n
(x) = p
n
(x
n
) p
n0
= p
n0
e
V
a
V
T
p
n0
= p
n0

e
V
a
V
T
1

Avevamo accennato a p
0
n
studiando la generazione ottica in un esempio
pratico precedentemente analizzato: anche in questo caso avviene un feno-
meno di iniezione, ma con cause e modalit` a dierenti. Cerchiamo di meglio
denire la funzione p
0
n
(x), sfruttando il modello matematico del semicondut-
tore: partendo dallequazione di continuit`a, e dal modello di ricombinazione
diretta:
0 =
1
q
J
p
x

p
n
p
n0

p
Consideriamo valida lipotesi di quasi neutralit`a del semiconduttore: '
0. La corrente di drift sar`a dunque circa uguale a 0, ed avremo una corrente
puramente diusiva. Quindi:
J
p
= J
diff
= q
p
n
x
D
p
Sostituendo nellequazione di continuit`a, si ottiene, considerando leccesso
p
0
n
= p
n
p
n0
:
0 = D
p

2
p
0
n
x
2

p
0
n

p
Considerando lespressione della lunghezza di diusione L
p
=
_
D
p

p
, la
forma della soluzione dellequazione dierenziale sar` a:
p
0
n
(x) = Ae
x
L
p
+Be

x
L
p
73
Il semiconduttore si pu`o considerare nellipotesi di lato lungo: la lunghez-
za del lato n rispetto alla lunghezza di diusione L
p
`e molto elevata. Possia-
mo dunque confondere la lunghezza del lato W
n
con +, e poter studiare le
solite condizioni al contorno:
p
0
n
(W
n
) = 0 =A = 0
p
0
n
(x
n
) = Be

x
n
L
p
=B = p
0
n
(x
n
)e
x
n
L
p
Sostituendo nellequazione i coecienti A e B, si ottiene:
p
0
n
(x) = p
0
n
(x
n
)e
x
n
L
p
e

x
L
p
= p
0
n
(x
n
)e

xx
n
L
p
Quindi p
0
n
(x) dipende esclusivamente da un fenomeno di diusione, su-
bisce un fenomeno di ricombinazione, e dopo poche lunghezze di diusione
si potr`a considerare nulla. Ci` o avvalora a posteriori le nostre congetture
sul quasi-livello di Fermi: esso ci ha permesso di calcolare la concentrazione
delle lacune sul lato n; poich`e lesponenziale ha lesponente normalizzato di
L
p
, dopo che lesponente sar` a multiplo di L
p
, il decadimento esponenziale di
portatori minoritari al variare della posizione dovuto alla ricombinazione an-
nuller` a o quasi la presenza dei suddetti minoritari. Per questo il quasi-livello
di Fermi coincider` a con il livello di Fermi, poich`e le lacune saranno tutte
ricombinate, come ci suggerisce lespressione appena trovata. Considerando
il fatto che, come prima abbiam visto, abbiamo unespressione dei minoritari
nel punto x
n
:
p
0
n
(x
n
) = p
n0

e
V
a
V
T
1

Sostituendo nella nostra espressione ottenuta dal modello matematico


avremo che:
p
0
n
(x) = p
n0

e
V
a
V
T
1

xx
n
L
p
Sul lato p, si pu`o dimostrare con gli stessi passaggi che capita qualcosa
di completamente duale:
0 =
1
q
J
n
x

n
0
p

n
J
n
= J
diff
= qD
n
n
p
x
=
1
q

2
n
0
p
x
2

n
0
p

n
74
Data L
n
=

D
n

n
:
n
0
p
(x) = Ae
x
L
n
+Be

x
L
n
Questa volta ci interesser`a confondere con la lunghezza del lato W
p
:
ad annullarsi sar`a questa volta per` o il termine B, nella prima condizione al
contorno, poich`e sostituendo nellesponenziale x , il termine di A
tender` a a 0 da solo, mentre quello di B no.
n
0
p
(W
p
) = 0 =B = 0
n
0
p
(x
p
) = Ae

x
p
L
n
=A = n
0
p
(x
p
)e
x
p
L
n
Sostituiamo nella soluzione il coeciente A e ricaviamo, dualmente a
prima:
n
0
p
(x) = n
p0

e
V
a
V
T
1

e
x+x
p
L
n
Avendo svolto i passaggi pi` u rapidamente poich`e esattamente duali a
prima.
Riassumiamo ora ci` o che abbiamo ricavato da questo studio dellandamen-
to dei portatori mediante il fenomeno di diusione in seguito alliniezione:
Lato p: i portatori saranno gli elettroni iniettati dal lato n, e dunque i
relativi valori deriveranno solo dalla diusione di questi:
n
0
p
(x) = n
0
p
(x
p
)e
x+x
p
L
n
n
0
p
(x
p
) = n
p0

e
V
a
V
T
1

J
n
= J
n,diff
(x) = qD
n
n
0
p
x
=
qD
n
L
n
n
0
p
(x
p
)e
x+x
p
L
n
Lato n: i portatori saranno le lacune iniettate dal lato p, e dunque i
relativi valori deriveranno solo dalla diusione di queste:
p
0
n
(x) = p
0
n
(x
n
)e

xx
n
L
p
p
0
n
(x
n
) = p
n0

e
V
a
V
T
1

75
J
p
= J
p,diff
(x) = qD
p
p
0
n
x
=
qD
p
L
p
p
0
n
(x
n
)e

xx
n
L
p
Le correnti avranno un andamento come quello appena descritto.
3.8 Studio delle correnti nella giunzione p-n
Riformuliamo ora meglio landamento delle correnti; possiamo infatti scri-
verle, nel seguente modo:
J
p,diff
(x) =
qD
p
p
n0
L
p

e
V
a
V
T
1

xx
n
L
p
J
n,diff
(x) =
qD
n
n
p0
L
n

e
V
a
V
T
1

e
x+x
p
L
n
Abbiamo informazioni su di un intorno della giunzione; non sappiamo
per`o niente sulle correnti lontane da essa. Il fatto che vi sia una variazione di
corrente in prossimit`a della giunzione, garantisce il fatto che la corrente deve
essere globale, in tutto il semiconduttore, poich`e altrimenti vi dovrebbero
essere inniti accumuli di carica che permettono il mantenersi della corrente
solo localmente, e ci` o va contro le leggi di conservazione della carica.
3.8.1 Polarizzazione diretta
Tentiamo di capire cosa capita nel nostro modello, quando alla giunzione `e
collegata una batteria che le fornisce una polarizzazione diretta. Abbiamo
da sinistra una corrente di lacune che va verso destra, passa per la giunzio-
ne (dove consideriamo che non avvengono fenomeni di alcun tipo, in prima
approssimazione), e quindi viene ricombinata nel lato in cui diventa minori-
taria; dualmente da sinistra a destra vi `e una corrente di elettroni che passa
per la giunzione, e viene ricombinata.
Ci chiediamo per` o da dove nascano queste due correnti: poich`e abbiamo
escluso per conservazione della carica che vi sia corrente solo nella giunzio-
ne o nelle sue prossimit` a, nella fatispecie che le cariche che permettono la
conducibilit` a siano tutte nella zona di svuotamento [x
p
; x
n
], ci chiediamo
cosa generi queste correnti. Analizzando la situazione, vediamo che dal lato
p giungono lacune, che vanno in n mediante un meccanismo diusivo, prima
descritto quantitativamente. Ma cosa trasporta no alla giunzione le cariche
che poi verranno inviate dallaltro lato della giunzione, mediante diusione?
In altre parole, cosa permette la corrente?
76
In una giunzione polarizzata direttamente, vi `e un campo elettrico dovuto
alla tensione applicata ai capi del dispositivo, che non `e in grado di modi-
care la mobilit` a dei minoritari, ma `e in grado di muovere senza problemi una
corrente di maggioritari. Dal lato neutro della giunzione dunque proverr`a
una corrente di drift, di trascinamento, di portatori maggioritari, che, giunta
in prossimit`a della zona di svuotamento, si divider` a in due sezioni: una si
preoccuper`a di ricombinare la corrente arrivata dallaltro lato, unaltra sar` a
inviata allaltro lato: dualmente capiter`a nellaltro lato la stessa cosa, e in
questo modo sar`a motivabile sia la presenza della corrente, che la presenza
della ricombinazione a partire della zona di svuotamento: il meccanismo chia-
ve della corrente in polarizzazione diretta `e questa corrente di drift portata
dal campo, che ricombina la corrente giunta per diusione dallaltro lato.
Riassumiamo ci` o che abbiamo appena detto: abbiamo in precedenza
quanticato gli eccessi di carica di minoritari iniettati in un lato dallaltro,
seguendo un modello completamente diusivo (in quanto parliamo di minori-
tari). Matematicamente si `e vericato che, poich`e la corrente di diusione ha
un modello di decadimento esponenziale, dopo alcune lunghezze di diusione
si potr` a considerare sparita tutta la corrente iniettata: ci`o `e dovuto ad un
fenomeno di ricombinazione con portatori maggioritari del lato trasportati
mediante il campo elettrico della polarizzazione. I minoritari verranno satu-
rati, e cos` si vericher`a il moto di cariche globale in tutta la giunzione, e
quindi la corrente. La somma delle due correnti esterne alla giunzione sar` a
la corrente totale in essa contenuta e mossa:
J
tot
= J
p,diff
(x
n
) +J
n,diff
(x
p
) =

qD
p
p
n0
L
p
+
qD
n
n
p0
L
n

e
V
a
V
T
1

Questa corrente totale J


tot
sar` a anche coincidente con la somma delle
due correnti di drift, lontane dalla giunzione. In questo modo, studiando
semplicemente le correnti di diusione, `e possibile calcolare le correnti di
drift in un punto qualsiasi del sistema lontano dalla giunzione. Introducendo
leetto del campo e della ricombinazione abbiamo cos` esteso le correnti
ovunque nella giunzione p-n.
Questo `e il meccanismo alla base di un diodo a giunzione (o almeno, met` a
di esso, poich`e stiamo solo considerando la corrente in polarizzazione diretta);
studiamolo ora sotto il punto di vista di altri fenomeno, considerando la
corrente nel diodo, I: data larea della giunzione A
j
, consideriamo la corrente
I nel diodo come:
I = qn
2
i
A
j

qD
p
p
n0
L
p
+
qD
n
n
p0
L
n

e
V
a
V
T
1

77
Passiamo ora allo studio della seconda met` a del modello del nostro diodo
a giunzione, studiandolo in regime di polarizzazione inversa.
3.8.2 Polarizzazione inversa: corrente inversa di satu-
razione
Data lespressione appena analizzata, viene denito il termine I
0
come cor-
rente inversa di saturazione:
I
0
= qn
2
i
A
j

D
p
L
p
N
D
+
D
n
L
n
N
A

Questa `e la corrente che sperimentalmente si pu`o misurare applicando


una tensione esterna sucientemente negativa al diodo: data infatti una
giunzione, essa, se polarizzata con una V
a
0, e misurata la corrente pas-
sante in essa, avr`a il valore I
0
. Il meccanismo sico dietro questo fenomeno `e
dierente da quello che abbiamo considerato in polarizzazione diretta, anche
se anche qua si pu`o scorgere una dualit`a tra i due fenomeni.
Supponiamo dunque di polarizzare inversamente il nostro diodo: se di-
segnassimo il diagramma a bande della giunzione, essa dovrebbe presentare
il lato p molto rialzato rispetto al lato n. La barriera di potenziale deri-
vante dalla polarizzazione sar` a molto elevata, e dunque i maggioritari non
avranno la possibilit` a di attraversarla. Saranno tuttavia possibili transizioni
di minoritari, che non avrebbero fatica ad attraversarla, poich`e la barriera
per i maggioritari rappresenta una sorta di scivolo per i minoritari. Ci` o ci
fa intuire che la corrente inversa di saturazione `e provocata da un moto di
portatori minoritari, e dunque che abbia una forte dipendenza dalla tempe-
ratura (come meglio diremo dopo per`o): si inizi a considerare il fatto che
I
0
n
2
i
, ma che n
i
varia sensibilmente con la temperatura: esiste una regola
empirica che aerma che in un intorno di 300 K, per ogni incremento di 10
K la corrente raddoppi.
Anche in questo caso, in prossimit`a della giunzione, non consideriamo
eetti di alcun tipo: potremmo considerare ricombinazione o generazione
termica, che aumenterebbero o ridurrebbero la corrente. Ma lecacia di
questi due fenomeni dipende dalla temperatura: una volta che viene genera-
ta una coppia elettrone-lacuna allinterno della giunzione, questa viene im-
mediatamente separata dal campo, che allontana dalla giunzione i portatori.
Altri fenomeni quali la generazione ottica potrebbero comunque aumentare
la corrente inversa di saturazione, sempre generando nuove coppie elettrone-
lacuna. Ma noi non ci preoccupiamo di questi aspetti, per studiare quindi
solamente cosa capita a livello di correnti. Fenomeni additivi non verranno
78
considerati per ora nel nostro modello, anche se dispositivi quali fotodiodi o
celle fotovoltaiche si basano proprio su di essi.
Abbiamo detto che i minoritari sono in grado di transire la barriera,
divenendo maggioritari nel lato in cui arrivano; applicando la legge della
giunzione, sappiamo che:
n
0
p
(x
p
) = n
p0

e
V
a
V
T
1

p
0
n
(x
n
) = p
n0

e
V
a
V
T
1

Gli eccessi di minoritari, man mano che ci si allontana dalla giunzione,


tendono ad azzerarsi. Le correnti saranno tutte negative, in quanto conside-
riamo correnti di minoritari. Potremo dire che avremo, derivando i portatori
rispetto alla variabile spaziale x (applicando nuovamente dunque un modello
diusivo), delle correnti, ma di segno opposto alle precedenti. Potremmo
ragurare di nuovo un diagramma delle correnti diusive, al ne di studiare
la corrente inversa di saturazione I
0
:
Il campo di polarizzazione non `e in grado di agire sui minoritari: se fosse
possibile, allora la corrente sarebbe opposta rispetto al verso che eettiva-
mente risulta avere. Giunti dallaltro lato, i minoritari diverranno maggio-
ritari. La situazione `e del tutto duale alla precedente, ossia alla polarizza-
zione diretta: prima i maggioritari divenivano minoritari, ora i minoritari
divengono maggioritari. Prima il fenomeno che permetteva la corrente era
la ricombinazione delle correnti arrivate per diusione unite ad un eetto
del campo; ora leetto del campo sar`a sempre presente (anche se in modo
diverso), ma il fenomeno chiave del meccanismo sar` a la generazione termica:
mediante generazione termica verranno a crearsi coppie elettrone-lacuna che
vengono immediatamente separate: i maggioritari rimarranno per qualche
tempo nel lato p, mentre i minoritari saranno iniettati nellaltro lato. Ad
evitare accumuli di carica, di maggioritari, che andrebbero cointro le leggi
di conservazione, `e il campo elettrico: poich`e il semiconduttore `e polarizza-
to inversamente, la tensione tender`a ad allontanare il usso di maggioritari
dalla barriera. Poich`e questo eccesso di carica `e esiguo, dal momento che la
79
sola sorgente di cariche lontano dalla giunzione `e la generazione termica, in
questo ambito, I
0
sar` a esigua, a meno che non ci si trovi in alte temperatu-
re o regimi di generazione ottica. La tensione di polarizzazione inoltre non
`e in grado di favorire il processo, poich`e non varia la produzione di coppie
elettrone-lacuna con il variare della tensione. Al contrario iniettando dunque
termicamente od otticamente coppie elettrone-lacuna, le correnti di genera-
zione aumenteranno, e quindi anche la I
0
, come proposto precedentemente
in un breve cenno.
3.9 Esercizio Pratico
Data una giunzione p-n simmetrica brusca, drogata p N
A
= 10
16
, n N
D
=
5 10
16
, sapendo che i tempi di vita dei portatori sono
n
nel lato p,
p
nel
lato n,
n
(N
D
) = 0, 5s,
p
(N
A
) = 0, 3s:
1. Si valuti la corrente inversa di saturazione I
0
, e si disegni, quotan-
dole, le distribuzioni delle correnti, allapplicazione di una tensione
di polarizzazione V
a
= 0, 5 V, con area della giunzione A
j
= 1mm
2
,
W
n
= W
p
= 1mm.
2. Si valutino i valori delle resistenze serie nel lato p e nel lato n e si
discuta il loro eetto sulla caratteristica statica del diodo, I(V
a
)
Una breve divagazione, prima di risolvere lesercizio: cosa si intende pre-
cisamente per caratteristica statica? La risposta `e semplice: la caratteristica
statica `e una funzione della tensione V
a
che non considera fenomeni di tran-
sitorio: si considera, a tal ne, che la tensione V
a
vari molto lentamente, in
modo di poter vedere nel graco della caratteristica statica esclusivamente i
valori di regime della corrente, e non eventuali picchi di corrente transitori.
Una giunzione simmetrica `e una giunzione in cui i livelli di drogaggio
dei due lati sono confrontabili: per confrontabili, si intende una dieren-
za di qualche ordine di grandezza. Se vi fosse un drogaggio tipico da una
parte (circa 10
16
per esempio), e nellaltro lato un drogaggio dellordine di
10
19
, la giunzione avrebbe una forte asimmetria, con eetti che pi` u avanti
analizzeremo. Si arriva a parlare, in casi come quello appena accennato, di
semiconduttore degenere, poich`e con un drogaggio elevato come 10
19
il livello
di Fermi del semiconduttore arriva a coincidere con il livello E
C
della banda
di conduzione.
Una giunzione si denisce brusca quando il drogaggio cambia rapidamen-
te, ossia presenta un salto, come in tutte le giunzioni nora studiate; i tecno-
logi sono soliti denire una funzione del drogaggio al variare della posizione
x, N(x):
80
N(x) = N
D
(x) N
A
(x)
Se N(x) presenta una discontinuit` a (che sar` a ovviamente di tipo salto)
la giunzione `e detta brusca; se al contrario N(x) `e una funzione continua, si
parla di giunzione graduale. Lo studio del graco di N(x) ci pu`o ricordare
molto landamento delle densit`a di carica: mediante N(x) sar` a infatti facile
dunque studiare le grandezze , , .
3.9.1 Risoluzione
Si valuti la corrente inversa di saturazione I
0
Il calcolo della corrente I
0
si pu` o considerare fattibile come somma di due
contributi: il contributo del lato n, ed il contributo del lato p:
I
0
= I
0n
+I
0p
Possiamo dunque semplicemente calcolare in questo modo la corrente
inversa di saturazione:
I
0n
= qn
2
i
A
j
D
n
L
n
N
A
I
0p
= qn
2
i
A
j
D
p
L
p
N
D
Calcoliamo dunque i coecienti di diusione, mediante le relazioni di
Einstein:
D
n
=
kT
q

n
(N
A
);
n
(N
A
) 1250 =D
n
= 32, 5cm
2
/s
D
p
=
kT
q

p
(N
D
);
p
(N
D
) 300 =D
p
= 7, 8cm
2
/s
L
n
=
_
D
n

n
= 40
m
L
p
=
_
D
p

p
= 15
m
I
0n
= 2, 73 10
13
A
I
0p
= 0, 35 10
13
A
81
I
0
= 3, 08 10
13
A
Ora che abbiamo calcolato il termine della corrente di saturazione in-
versa, quotare le correnti sar` a molto semplice, in quanto possiamo usare
lespressione della corrente del diodo:
I
p,diff
= I
0p

e
V
a
V
T
1

= 8A
I
n,diff
= I
0n

e
V
a
V
T
1

= 61A
In toto, la corrente sul diodo con la tensione fornita dallesercizio sar`a:
I = I
p,diff
+I
n,diff
= 69A
Si valutino i valori delle resistenze serie nel lato p e nel lato n
Passiamo ora alla soluzione del secondo punto del nostro esercizio: il calcolo
delle resistenze serie di accesso alla giunzione. Possiamo dire che, per ar-
rivare al punto di giunzione, attraverseremo infatti due resistenze, opposte
dalla lunghezza del lato p, e dalla lunghezza del lato n. Dalla legge di Ohm,
sappiamo che, per resistenze piccole e correnti piccole, vi `e una caduta di
tensione molto piccola, e dunque si potrebbe considerare che tutta la tensio-
ne V
a
vada alla giunzione, per ottenere una tensione risultante V
j
. Vogliamo
per`o comunque calcolare le resistenze opposte dai lati, al ne di capire ef-
fettivamente quanta tensione vi sia ai capi della giunzione, e comprendere in
modo pi` u quantitativo leetto della presenza del semiconduttore nel circuito.
Possiamo considerare che:
R
Sp
=
p
W
p
x
p
A
j
=
1
q
p
p
pv
=
1
q
p
N
A
= 1, 78 10 = 17, 8
Con un ragionamento del tutto analogo,
R
Sn
=
n
W
n
x
n
A
j
=
1
q
n
n
nv
=
1
q
n
N
D
= 0, 114 10 = 1, 14
Il modello elettrico rappresentante il circuito sar` a dunque quello del nostro
diodo, con in serie le due resistenze R
Sp
ed R
Sn
collegate, in serie, alla batteria
V
a
. Si verica un problema nello studio della caratteristica statica: si dovr`a
considerare, per alte tensioni, una V
0
a
considerata come la tensione sul solo
diodo, I
D
una corrente elevata sul diodo, al di sopra del quale, le resistenze
82
avranno un eetto non indierente in quanto provocheranno una caduta di
tensione sempre meno trascurabile. La tensione sul diodo, sar`a uguale a:
V
0
a
= V
a
(R
Sp
+R
Sn
)I
D
La corrente sul diodo avr`a, basandoci sullespressione della corrente del
diodo ricavata a partire delle leggi della giunzione, unespressione del tipo:
I
D
= I
0

e
V
a
(R
Sp
+R
Sn
)I
D
V
T
1

Si noti che questespressione `e fortemente non lineare, in quanto la cor-


rente I
D
appare sia come variabile dipendente che come argomento delle-
sponenziale, e dunque sarebbe necessario sfruttare metodi numerici al ne di
determinare le soluzioni di questequazione in funzione di I
D
. Intuitivamen-
te, possiamo per` o fare un ragionamento molto pi` u ne, pensando alla natura
del circuito: di base avremmo una corrente che varia esponenzialmente con
la tensione, ma le resistenze, facendo cadere tensione, al di sopra di un certo
valore, faranno stabilizzare il valore del rapporto
I
V
, facendolo diventare da
esponenziale a lineare per grossi valori di V
a
. Al di sopra di questo valore di
V
a
, landamento della caratteristica statica sar` a quello di una retta. In altre
parole, in queste condizioni, pi` u V
a
sar` a elevata, e sempre meno corrente in
proporzione percorrer`a il diodo.
3.10 Cenni ad altri modelli della giunzione
Continuiamo a discutere la modellizzazione del diodo a giunzione; nora ab-
biamo considerato un modello statico, basato cio`e sul non considerare feno-
meni di transitorio, eettuando lievi e lente variazioni di tensione, aspettando
che i valori si stabilizzassero ad un regime. Il vero problema del nostro mo-
dello statico per` o `e il seguente: abbiamo descritto in modo abbastanza valido
il diodo a giunzione in zona diretta (anche se alcuni aspetti sono ancora da
chiarire), ma molto male in zona inversa; introduciamo dunque alcune idee
nuove, per poi approfondirle in seguito, in modo da estendere il nostro mo-
dello statico, accostandovi modelli pi` u generali, quali quello di ampio segnale,
di piccolo segnale, ed altre osservazioni.
3.10.1 Modello di ampio segnale
Considerando un diodo, in polarizzazione diretta, esso presenta una cosa par-
ticolare: considerando una scala meno sensibile di quella che ci permetterebbe
di visualizzare chiaramente la corrente di saturazione inversa: consideriamo
83
ad esempio la scala del mA. Volendo ora disegnare un graco della carat-
teristica statica, vedremmo che essa vale 0 no ad un certo valore che noi
chiameremo V

, ossia la tensione di accensione del diodo, leggermente positi-


va. Questa `e la tensione in cui lesponenziale inizia ad attivarsi, e a curvare
la caratteristica statica, prima di stabilizzarsi ad una retta. Un veteroelet-
tronico, ossia un elettronico esperto, dotato di manualit` a, aermerebbe di
getto che se V
a
< V

, il diodo sarebbe spento, e modellabile con un circuito


aperto; se V
a
> V

, il diodo si modellerebbe con un generatore di tensione


V

; questo valore, V

, sar` a in seguito argomento di discussione, in quanto ora


bisogna accennare a qualcosa di molto pi` u interessante.
Se consideriamo una tensione di polarizzazione inversa V
a
0, molto in-
feriore a 0, al di sotto di un certo valore, che noi chiameremo V
Z
, o detta anche
tensione Zener (nel disegno seguente indicata con V
BD
), si avr` a uningente
corrente negativa: il diagramma corretto della caratteristica I(V
a
) avrebbe
in realt`a una forma del tipo:
Potremmo chiederci da dove provengono i valori V

e V
Z
; per rispondere
a ci` o, si `e introdotto il modello di ampio segnale, che racchiude in s`e tutte
queste fenomenologie siche per noi ancora inspiegabili. Alla base del mo-
dello di ampio segnale, vi `e un concetto gi`a precedentemente introdotto, di
elettrostatica: la capacit` a di svuotamento del semiconduttore C
DEP
. In pa-
rallelo col diodo, potremo infatti immaginare un condensatore comandato in
tensione, a capacit` a variabile. A ci` o, si dovr`a associare per`o unulteriore ca-
pacit` a variabile, sempre in parallelo al diodo: la capacit` a di diusione C
DEP
.
Possiamo anticipare che essa `e una capacit` a legata a fenomeni di diusione
di minoritari, in uno stato di polarizzazione inversa del diodo.
Il modello circuitale del modello di ampio segnale sar` a il seguente:
Come gi` a detto, il diodo a giunzione `e in parallelo alle capacit` a (coman-
84
date in tensione) di svuotamento C
DEP
e di diusione C
DEP
, il tutto in serie
con le resistenze serie di accesso del semiconduttore.
Questo modello ci presenter` a molti problemi, in quanto esso `e un circuito
fortemente non lineare, e dunque impossibile da studiare se non mediante
simulatori numerici, che eettivamente no a ventanni fa non esistevano.
Esistevano tecniche ingegneristiche in grado di eliminare o quantomeno ac-
cantonare la non linearit` a del circuito, al ne di poterlo ugualmente studiare;
ora vedremo qualche cenno su questo.
3.10.2 Modello di piccolo segnale
La forte non linearit` a del circuito rende impossibile lapplicazione dellelet-
trotecnica, e delle sue tecniche di analisi circuitale. La strategia vincente
sar` a quella di considerare un preciso punto di funzionamento del circuito, e
di linearizzarlo in un intorno di questo valore, mediante una sorta di sviluppo
in serie troncato. Piccolo segnale deriva proprio dal fatto che questo metodo
funziona per`o solo localmente, a seconda del punto di lavoro che si utilizza.
Ricominciamo ora a trattare argomenti pi` u dettagliati, e di risolvere
alcuni dubbi introdotti in questi cenni.
3.11 Valutazione di V

Come gi`a detto, V

`e la tensione di accensione del diodo; il diodo sar` a in


stato di polarizzazione diretta, e con una tensione sucientemente elevata
da far attivare lesponenziale che controlla la crescita della caratteristica del
diodo. Supponiamo di stabilire a 0, 1 mA la minima corrente sensibile da
uno strumento di misura: V

sar` a la tensione tale per cui avremo garanzia


di poter osservare questa minima corrente (scelta in realt` a arbitrariamente),
I
0min
. La tensione minima in questione sar` a data da:
V

= V
T
ln
I
0,min
I
0
0, 6V
85
La scelta di I
0min
che noi abbiamo ipotizzato di 0, 1 mA per fare un
esempio in realt`a `e poco inuente, poich`e il logaritmo attenua molto questo
fattore. Si tratta solo di una scelta di corrente minima osservabile con un
valore sensato. Si noti che il valore che abbiamo osservato di V

`e circa a
met` a del valore dellenergy gap (1,12 eV). Questa `e una regola empirica, ma
sensata, in quanto gli ingegneri di ventanni fa potevano solo sfruttare tali
regole empiriche per semplicare i propri modelli. Limportanza storica di
V

`e la sua caratteristica di rappresentare un limite, al di sotto del quale


non vi `e crescita di corrente, al variare di V
a
, ma dopo il quale la crescita `e
esponenziale, ossia quasi verticale potremmo dire. Poi, per` o, si stabilizza, e
per questo motivo un diodo `e modellabile con una batteria: al di sopra di
un certo valore, la tensione resta sempre circa costante, poich`e le resistenze
serie di accesso al diodo rendono circa costante la tensione.
Passiamo ora allanalisi pi` u dettagliata del diodo a giunzione in stato di
polarizzazione inversa, analizzando i fenomeni di rottura della giunzione.
3.12 Meccanismi di rottura della giunzione
Se consideriamo una polarizzazione inversa con tensione V
a
0, e quindi
una tensione molto negativa, ci aspettiamo, dal modello statico, una corrente
inversa di saturazione, e quindi costante. In realt`a, al di sotto della tensione
Zener V
Z
, il diodo va in rottura (breakdown): vi `e una rottura elettrostatica
del diodo a giunzione.
Si noti che questo fenomeno `e reversibile: la rottura `e un fenomeno pura-
mente elettrostatico, a meno che con una corrente troppo alta, si manifesti
un eetto Joule non indierente che produca un forte innalzamento termico
del dispositivo provocando danni sici, che per` o non dipendono dalle ca-
ratteristiche elettriche dispositivo, quanto dalla sua resistenza al calore che
verrebbe dissipato dalle resistenze. Esistono due fondamentali meccanismi
di breakdown della giunzione, che analizzeremo in modo per`o puramente
qualitativo:
Eetto Valanga
Eetto Tunnel
3.12.1 Eetto valanga
Data una giunzione polarizzata inversamente, il lato p risulta essere molto
rialzato rispetto al lato n: il campo elettrico, a causa della forte tensione,
sar` a molto elevato, come gi` a detto. Nella zona di svuotamento, ci saranno,
86
come di consueto, fenomeni di generazione termica, che regoleranno la cor-
rente di saturazione inversa: questi provocheranno la nascita di una coppia
elettrone-lacuna. Il forte campo elettrico potr`a accelerare verso sinistra le
lacune (secondo la nostra usuale convenzione), e verso destra gli elettroni.
Lurto con il reticolo alla velocit` a acquisita dallelettrone causata dallin-
tensit` a del campo elettrico sar` a cos` violento da riuscire a provocare eetti
termici non trascurabili con esso, che daran luogo a due nuove coppie elet-
trone lacuna (una per la lacuna scontratasi, una per lelettrone scontratosi):
a questo punto il campo separer` a ed accelerer`a questi due nuovi elementi,
che causeranno a loro volta nuove generazioni, che a loro volta causeranno
nuove generazioni, e in questo modo vi sar`a un eetto a valanga che provo-
cher` a una corrente non trascurabile nel diodo, e inversa, a causa del campo
di polarizzazione.
3.12.2 Eetto tunnel
A causa della polarizzazione inversa, abbiamo una barriera di potenziale mol-
to elevata. La banda di valenza, nel lato p, `e ricchissima di elettroni (per
denizione); poich`e la barriera si alza, ma anche restringe, quando assume
uno spessore sucientemente ridotto (alcuni amstrong), aumentano le proba-
bilit` a delleetto tunnel, ossia dal fatto che la funzione donda degli elettroni
contenga una buona probabilit` a dellelettrone di superare la barriera nono-
stante essa abbia un potenziale molto pi` u elevato di quello dellelettrone.
Con una barriera sucientemente stretta, dunque, il tunnelling diventer` a
possibile e anzi probabile.
3.12.3 Diodi Zener
I diodi che funzionano prevalentemente in zona di breakdown sono detti diodi
Zener. Il loro simbolo `e quello di un diodo, con due sorte di alette aggiuntive.
Essi vengono modellati, al di sotto del raggiungimento della zona Zener della
tensione, con una batteria. Si noti che la convenzione di utilizzatore del
diodo Zener `e opposta rispetto a quella dei comuni diodi, poich`e esso lavora
per lappunto in zona inversa. Questo tipo di dispositivo `e utilizzato molto
comunemente, in quanto con una certa corrente, esso fornir` a sempre la stessa
tensione, rappresentando cos` un ottimo punto di riferimento in un circuito.
Cosa ci garantisce un diodo a tunnel piuttosto che un diodo a valanga?
Esistono diversi aspetti, ma il pi` u importante `e il drogaggio: un diodo a
giunzione molto drogato, avr` a una tensione Zener V
Z
molto piccola, e quindi
sar` a a eetto tunnel; al contrario, un diodo a giunzione poco drogato, con
una tensione Zener abbastanza elevata, sar` a a valanga.
87
3.13 Calcolo della capacit`a di diusione
Parlando del nostro modello di ampio segnale, abbiamo detto che in parallelo
al diodo vi sono due capacit` a variabili: la capacit`a di svuotamento C
DEP
e la
capacit` a di diusione C
DIF
, ma non abbiamo ancora analizzato e considerato
minimamente questultima. Sappiamo solo che essa `e legata allaccumulo di
carica dei minoritari nei due lati.
Le distribuzioni dei minoritari saranno:
p
0
n
(x) = p
0
n
(x
n
)e

xx
n
L
p
n
0
p
(x) = n
0
p
(x
p
)e
x+x
p
L
n
Le cariche Q
0
p
e Q
0
n
sono gli integrali delle distribuzioni nello spazio in cui
agiscono gli eccessi di carica:
Q
0
p
=
_
+
x
n
qp
0
n
(x
n
)e

xx
n
L
p
dx = qp
0
n
(x
n
)(L
p
)e

xx
n
L
p

+
x
n
= qp
0
n
(x
n
)L
p
=
qn
2
i
L
p
N
D

e
V
a
V
T
1

Q
0
n
=
_
x
p

qn
0
p
(x
p
)e
x+x
p
L
n
dx = qn
0
p
(x
p
)L
n
e
x+x
p
L
n

x
p

= qn
0
p
(x
p
)L
n
=
qn
2
i
L
n
N
A

e
V
a
V
T
1

Vedendo un legame tra carica e tensione, potremmo voler introdurre a


questo punto una capacit` a. Per questo si denisce la capacit` a di diusione,
come la somma dei moduli delle derivate delle cariche rispetto alla tensione
V
a
:
C
DIF
(V
a
) =

Q
0
p
V
a

Q
0
n
V
a

Da ci`o, si ricava che:


C
DIF
(V
a
) =
qn
2
i
L
p
N
D
e
V
a
V
T
+
qn
2
i
L
n
N
A
e
V
a
V
T
Si noti che se la giunzione `e fortemente asimmetrica, il termine a drogaggio
superiore sar`a trascurabile, poich`e la zona di svuotamento sar` a innitesima.
Anche questa capacit` a `e una quantit` a fortemente non lineare: essa dipen-
de esponenzialmente dalla tensione esterna V
a
.
Torniamo alle espressioni appena ricavate degli eccessi di carica Q
0
p
e Q
0
n
:
prendiamo ad esempio nello specico la Q
0
p
:
88
Q
0
p
=
qn
2
i
L
p
N
D

e
V
a
V
T
1

Si pu` o facilmente notare una similitudine con la corrente di diusione nel


punto x
n
, di lacune:
J
p
(x
n
) =
qD
p
n
2
i
N
D
L
p

e
V
a
V
T
1

Moltiplicando e dividendo il termine L


p
allespressione di Q
0
p
, si ottiene:
Q
0
p

L
p
L
p
=
qn
2
i
L
2
p
N
D
L
p

e
V
a
V
T
1

=
qn
2
i
D
p

p
N
D
L
p
Dunque, si pu` o vedere facilmente che:
J
p,diff
(x
n
) =
Q
0
p

p
In modo del tutto duale, si pu` o vericare facilmente che:
J
n,diff
(x
p
) =
Q
0
n

n
Poich`e la corrente totale nel diodo `e la somma dei due contributi di carica,
possiamo dire che:
J
tot
= J
p,diff
+J
n,diff
=
Q
0
p

p
+
Q
0
n

n
Questa `e la corrente totale nella giunzione in condizioni stazionarie. Ci`o ci
pu` o far intuire che la corrente nel diodo `e controllata sostanzialmente da una
ricombinazione: questa `e la base del modello del diodo a controllo di carica.
Manca per` o un fattore fondamentale: la dipendenza dal tempo. Dobbiamo
dunque meglio denire il nostro modello a controllo di carica, introducendo
una variazione della corrente nel tempo.
3.14 Modello a controllo di carica
Abbiamo nora considerato nel nostro diodo condizioni stazionarie; per poter
studiare il modello a controllo di carica, dovremo risolvere lequazione di
continuit`a, in condizioni non stazionarie, e dunque con derivata temporale
della densit` a di carica non nulla. Considerando ad esempio la corrente dovuta
dalle sole lacune, nel lato n, vediamo che:
89
p
0
n
t
=
1
q

x
J
p
(x)
p
0
n
(x)

p
Risulta essere sempre e comunque valida lipotesi di quasi neutralit` a, per
quanto riguarda i portatori minoritari, e dunque possiamo dire che la corrente
nel diodo in un intorno della giunzione `e puramente diusiva:
J
p
= qD
p
p
0
n
x
=D
p

2
p
0
n
x
2
=

t
p
0
n
(x) +
p
0
n
(x)

p
Integriamo dunque questespressione sullasse delle ascisse spaziali x, en-
trambi i membri, a partire dal punto x
n
in cui inizia la ricombinazione, no
ad una generica posizione spaziale x > x
n
:
D
p
_
p
0
n
x

p
0
n
x

x
n
_
=

t
_
x
x
n
p
0
n
(x)dx +
1

p
_
x
x
n
p
0
n
(x)dx
Moltiplicando ambo i membri per la carica fondamentale q, si ottiene che
il termine con derivata temporale diventa:

t
_
x
x
n
qp
0
n
(x)dx +
1

p
_
x
x
n
qp
0
n
(x)dx =

t
Q
0
p
(x) +
1

p
Q
0
p
(x)
Al primo membro, invece, per x +, il primo termine si annulla,
poich`e la ricombinazione avr` a annullato tutta la corrente di minoritari, e
quindi, considerando lipoteso di diodo lungo, potremo annullare il primo
termine, mentre il secondo sar` a:
qD
p
p
0
n
x

x
n
= J
p,diff
(x
n
)
Dualmente, eettuando lo stesso processo con la corrente di elettroni
derivanti dal lato n verso il lato p, si ottiene:
J
n,diff
(x
p
) =

t
Q
0
n
+
1

n
Q
0
n
Poich`e la corrente totale nel diodo J
tot
sar` a data dalla somma dei due
contributi di corrente, il modello a controllo di carica sar` a determinato dal-
lequazione:
J
tot
=

t
Q
0
p
+

t
Q
0
n
+
Q
0
p

p
+
Q
0
n

n
Terminiamo ora la trattazione di questo modello, cambiando argomento,
e parlando di un altro modello del diodo a giunzione.
90
3.15 Modello di piccolo segnale
Il modello a controllo di carica `e un sottocaso del modello ad ampio segnale,
che non considera eetti elettrostatici (quali le capacit` a prima discusse); il
modello ad ampio segnale `e il modello che pi` u interamente caratterizza un
dispositivo, nella fatispecie il diodo a giunzione nel nostro caso, per` o come gi` a
accennato `e molto dicile da utilizzare, a causa della sua forte non linearit`a.
Lidea del modello di piccolo segnale `e quella di studiare solo un preciso
punto di lavoro del dispositivo, linearizzandolo in un intorno di quel punto,
mediante una sorta di sviluppo in serie di Taylor troncata.
Dovremo studiare una funzione I(V
a
) per una certa V
a
= V
op
+v
SS
: V
op
(op
sta per Operating Point) `e la tensione del punto di lavoro a cui ci portiamo, al
ne di sviluppare lespressione della I; v
SS
`e la rappresentazione dellintorno,
del piccolo segnale (SS sta per Small Signal), ed `e la cosiddetta tensione di
piccolo segnale.
Partiamo dalla corrente del diodo, dicendo che:
I = I
0

e
V
a
V
T
1

Poich`e consideriamo V
a
= V
op
+ v
SS
, possiamo sviluppare no al primo
ordine, e quindi linearmente in un intorno del punto di lavoro la funzione
della caratteristica come:
I(V
op
+v
SS
) = I
0

e
V
op
V
T
1

+

V
a
_
I
0
e
V
a
V
T
1
_
Di fatto la tensione V
op
`e una componente costante, mentre v
SS
il suo
intorno in cui possiamo considerare valida la linearizzazione eettuata. La
derivat`a della corrente I
0
nel punto di lavoro V
op
sar` a:

V
a
_
I
0
e
V
a
V
T
1
_

V
o
p
=
I
0
e
V
op
V
T
V
T
= g
d
Il termine g
d
`e anche detto conduttanza dierenziale; ad essa associata `e
la resistenza dierenziale, come il suo reciproco:
r
d
=
1
g
d
Spesso gli elettronici scambiano tra loro il termine I
0
e
V
op
V
T
con I
op
. Con-
siderando questa denizione della corrente I
op
come corrente del punto di
lavoro V
op
, sar`a:
91
I(V (t)) = I(V
op
+v
SS
(t)) ' I
op
+g
d
v
SS
(t) = I(V
op
) +i
SS
(t)
In un intorno di V
op
, `e possibile dunque linearizzare il diodo, sostituendolo
con la resistenza dierenziale r
d
: questa non sar` a altro che la pendenza della
retta osculatrice I(V
a
) nel punto di lavoro V
op
, con un intorno di piccolo
segnale v
SS
. Il termine i
SS
sar` a dato dallapprossimazione di I(V
a
) al punto
di lavoro V
op
, I(V
op
) = I
op
; possiamo dunque denire ora la corrente di piccolo
segnale come il semplice intorno-ordinata della caratteristica, ossia lintera
caratteristica considerata in V
a
= V
op
+ v
SS
sottraendo la componente di
oset I(V
op
) = I
op
:
i
SS
(t) = I
tot
(V
a
) I
op
= g
d
v
ss
Abbiamo cos` trattato in modo assolutamente completo il diodo, analiz-
zato sotto il punto di vista del metodo di piccolo segnale. Cerchiamo ora di
trattare brevemente allo stesso modo le capacit` a di svuotamento e di diu-
sione C
DEP
e C
DIF
, considerandole sempre ad un punto di funzionamento
V
a
= V
op
+v
SS
; possiamo dire che:
Q
DEP
(V
op
+v
SS
(t)) ' Q
DEP
(V
op
) +
Q
DEP
V
a

V
op
v
SS
Q
DIF
(V
op
+v
SS
(t)) ' Q
DIF
(V
op
) +
Q
DIF
V
a

V
op
v
SS
Utilizzando le espressioni operative gi` a ricavate in precedenza delle cariche
di svuotamento e di diusione, si possono facilmente ricavare le espressioni
delle capacit`a di svuotamento e di diusione.
Il modello di piccolo segnale riduce dunque, in un intorno del punto di
lavoro V
op
, il circuito di ampio segnale ad un resistore (resistenza dierenziale
r
d
) in parallelo a due capacit`a: questo, in serie con le resistenze serie dei
lati della giunzione (che non hanno bisogno di essere linearizzate in quanto
sono quantit` a costanti). Si noti che, per V
a
< 0, ossia in polarizzazione
inversa, la r
d
avr` a su di s`e pochissima corrente, e diventer`a cos` dellordine dei
M, assimilabile dunque con un circuito aperto; la diusione sar`a pressoch`e
nulla, poich`e tutti i minoritari saranno solo nella zona di svuotamento, e la
capacit` a relativa alla diusione sar` a circa nulla: C
DIF
' 0. Possiamo dunque
ulteriormente semplicare il modello di piccolo segnale, per una tensione
V
a
< 0, con un condensatore (nella fatispecie, il condensatore con cui si
modellano le zone di svuotamento, C
DEP
), in serie alle due resistenze dovute
ai lati del semiconduttore. Ovviamente, non si parla di una tensione di lavoro
92
negativa paragonabile a quella Zener, altrimenti la corrente `e molto elevata
e questa semplicazione non `e fattibile.
3.16 Esercizio pratico
Data una giunzione p-n cos` descritta: W
n
= 200m, W
p
= 2m, A
j
=
100m
2
,
p
(N
A
) = 300,
n
(N
A
) = 100,
n
(N
D
) = 600,
p
(N
D
) = 150,

p
= 0, 2s,
n
= 1
s
, V
a
= 0, 2V , N
D
= 10
18
, N
A
= 10
16
, considerata con la
convenzione inversa: lato n a sinistra, lato p a destra:
1. Disegnare il diagramma a bande quotato (ampiezza regioni di svuota-
mento, quasi-livelli di Fermi, etc.);
2. Disegnare e quotare il diagramma delle correnti;
3. Calcolare il modello di ampio segnale del diodo a giunzione;
4. Calcolare il modello di piccolo segnale considerando V
a
come punto di
lavoro.
3.16.1 Risoluzione
Disegnare il diagramma a bande quotato
Per il primo punto del problema potremmo adottare le solite strategie di
risoluzione, oppure ragionare in un modo pi` u ne: osservando i dati del pro-
blema, notiamo che W
n
W
p
, e che N
D
N
A
. Questi dati ci permettono
di introdurre da un lato lipotesi di diodo corto, e dallaltro lato la forte die-
renza di drogaggio fa praticamente ridurre la zona di svuotamento ad una
(idealizzando, poich`e lampiezza della regione di svuotamento del lato n sar`a
molto inferiore a quella nel lato p). Possiamo trascurare nei nostri conti x
n
,
e dunque dire che lampiezza della regione di svuotamento sia:
x
d
' x
d
=

2
S
(
i
V
a
)
qN
A
Poich`e ci manca per ora la barriera
i
, calcoliamola, considerando questa
convenzione: poich`e il lato n `e un semiconduttore n
+
, ossia molto drogato,
possiamo dire in buona approssimazione che il livello di Fermi coincida con
il livello di partenza della banda di conduzione E
C
. Dunque:
q
S
+
n
' q
93
Confondiamo dunque senza problemi il lavoro di estrazione con lanit` a
elettronica del silicio n
+
(che `e un parametro costante, e noto).
Possiamo dunque calcolare la barriera nel lato p, confrontando il livel-
lo di Fermi intrinseco in zona di neutralit` a, con il quasi-livello di Fermi,
aggiungendo al conto met`a dellenergy gap:
q
i
=
E
g
2
+E
F
i
(+) E
F
p
=
E
g
2
+kT ln
N
A
N
i
Si pu`o dunque trascurare il termine al lato n, e ripetere il ragionamento
geometrico fatto sul diagramma a bande della giunzione gi` a esposto nella
teoria.
Disegnare e quotare il diagramma delle correnti
Passiamo al punto successivo: il calcolo delle correnti nella giunzione. Ab-
biamo una situazione molto particolare, poich`e abbiamo a che fare con un
diodo met` a lungo, e met` a corto; calcoliamo dunque, in entrambi i lati, la
distribuzione dei minoritari, al ne di calcolare le correnti di diusione come
derivata della distribuzione. La distribuzione di lacune iniettate nel lato n
(ricordando che la nostra convenzione abituale `e invertita) sar`a:
p
0
n
(x) = p
0
n
(x
n
)e
x+x
n
L
p
Per laltro lato le cose si fanno pi` u dicili, in quanto le condizioni al con-
torno abituali per la risoluzione dellequazione di continuit` a non valgono. Da
un altro esercizio teorico abbiamo per` o gi` a ricavato il risultato fondamentale
considerante le condizioni al contorno al ne di studiare il semiconduttore
corto, e quindi possiamo dire che:
n
0
p
(x) = n
0
p
(x
p
)
sinh
Lx
L
n
sinh
L
L
n
Poich`e nel nostro caso consideriamo il fatto che la lunghezza eettiva
del lato parta aldil`a della regione di svuotamento, e quindi L = W
p
x
p
,
possiamo dire che, poich`e x x
p
generalmente,
n
0
p
(x) = n
0
p
(x
p
)
sinh
W
p
x
L
n
sinh
W
p
x
p
L
n
Partendo dalle due espressioni delle correnti ora ricavate possiamo, me-
diante la loro derivazione, ricavare le espressioni operative delle correnti:
94
J
p,diff
(x) = qD
p
p
0
n
(x)
x
=
qD
p
n
2
i
N
D
L
p

e
V
a
V
T
1

e
x+x
n
L
p
J
n,diff
(x) = qD
n
n
0
p
(x)
x
=
qD
n
n
2
i
N
A
L
n

e
V
a
V
T
1

cosh
W
p
x
L
n
sinh
W
p
x
p
L
n
Ci` o che si potrebbe notare facendo il graco delle due correnti, `e che J
p,diff
`e una corrente del tutto trascurabile; inoltre, la decrescita che si potrebbe
analizzare osservando landamento di J
n,diff
`e altrettanto trascurabile, quindi
di fatto la corrente totale nel diodo `e regolata dalla sola J
n,diff
, che `e una
corrente praticamente costante. Possiamo a questo punto chiederci quale sia
landamento della caratteristica statica del diodo; dal momento che abbiamo
usato per esperienza (e torner` a utile in seguito) questa convenzione opposta
della giunzione, invertiamo il senso di percorrenza degli assi, per comodit` a,
considerando I
tot
, ed i segni nelle espressioni potranno essere annullati:
I
tot
= A
j
(J
p,diff
(x
n
) +J
n,diff
(x
p
))
I = A
j
_
qD
p
n
2
i
N
D
L
p
+
qD
n
n
2
i
N
A
L
n
cosh
W
p
x
p
L
n
sinh
W
p
x
p
L
n
W
p
x
p
L
n
_

e
V
a
V
T
1

In realt`a, per` o, il lato `e corto, quindi possiamo sviluppare seno e coseno


iperbolico, come rispettivamente argomento del seno e 1:
n
0
p
(x) ' n
0
p
(x
p
)
W
p
x
p
L
n
In un dispositivo di questo tipo, si annulla lusuale andamento della ricom-
binazione: landamento `e approssimabile a lineare, ed anzi costante, poich`e il
lato corto annulla gli eetti ricombinativi. Nel lato n invece lunica particola-
rit` a introdotta nellesercizio `e un forte drogaggio, che di fatto non modica il
fenomeno di ricombinazione (se non rendendolo pi` u rapido). Nel transistore
bipolare, luso del lato corto sar` a proprio ci`o che servir` a per gestire le correnti
nel modo pi` u corretto, in modo da aumentare leetto transistor.
Calcolare il modello di ampio segnale del diodo a giunzione
Terminiamo lesercizio calcolando i modelli di ampio e piccolo segnale: sap-
piamo che le nostre ipotesi di lato corto ci permettono di dire che:
C
DEP
=

S
x
d
A
j
'

S
x
p
(V
a
)
A
j
95
La capacit` a di diusione si potr`a calcolare mediante il modello a controllo
di carica, calcolando la derivata parziale rispetto alla variazione di tensione di
polarizzazione esterna V
a
; in questo caso lipotesi semplicatrice sar` a quella
di grosso drogaggio: poich`e il drogaggio `e molto pi` u elevato al lato n che al
lato p, possiamo dire che il contributo della carica Q
0
p
sar` a trascurabile.
C
DIF
' A
j

Q
0
n
V
a

Possiamo inoltre, come gi`a detto, approssimare la distribuzione degli elet-


troni ad una retta, a causa dello sviluppo in polinomio di Taylor del seno
iperbolico; possiamo dunque ulteriormente semplicare il modello a control-
lo di carica, calcolando larea del triangolo il cui lato `e il lato del diodo, e
laltezza la carica in questione `e la distribuzione di carica; quindi:
Q
0
n
=
qn
2
i
(W
p
x
p
)
2N
A

e
V
a
V
T
1

Considerando il modulo della derivata parziale di questespressione ri-


spetto alla tensione V
a
, si otterr`a:

Q
0
n
V
a

=
qn
2
i
(W
p
x
p
)
2N
A
V
T
e
V
a
V
T
Il modello di piccolo segnale sar` a una semplice linearizzazione di questo,
considerando il punto di lavoro scelto (ossia la V
a
).
96
Capitolo 4
Il transistore bipolare
Il transistore bipolare `e una geniale applicazione della giunzione p-n: esso `e
composto da una doppia giunzione n-p-n (oppure p-n-p); ma qual `e il senso
di fare una giunzione doppia?
Sappiamo che, per poter aumentare la corrente inversa di saturazione I
0
,
servirebbe uniniezione di portatori mediante via termica, od ottica, oppure
utilizzare iniettori di altro tipo: la giunzione p-n. Abbiamo infatti studia-
to che una giunzione `e un iniettore di cariche, poich`e `e possibile iniettare
portatori mediante essa, e quindi incrementare la corrente inversa di satura-
zione. Possiamo dunque suddividere in tre principali zone questo dispositivo:
emettitore, base, collettore.
Consideriamo come emettitore per ora un semiconduttore drogato n, come
base un semiconduttore drogato p, come collettore un altro semiconduttore
drogato n. Lemettitore emette elettroni nel lato p ad esso adiacente, ossia
alla base, e questo mediante lapplicazione di una polarizzazione diretta. Da p
a n, vi sar` a una polarizzazione inversa, ma gli elettroni, giunti in abbondanza
97
dallemettitore, andranno verso il collettore passando dalla base, mediante
una corrente di tipo diusivo. Riassumendo, la barriera bassa dallemettitore
E alla base B permette il passaggio di elettroni; dalla base B al collettore C
questi scivoleranno dalla barriera, arrivando senza problemi alla meta. Ma
qual `e il senso dellutilizzo di questo dispositivo?
Si noti che la corrente di elettroni dallemettitore E, alla base B `e rego-
labile dalla tensione sulla prima giunzione; ci` o che poi capita, `e che si possa
controllare la corrente che viene iniettata dalla base al collettore (poich`e essa
dipende da quanta ne `e stata iniettata dalla base, e questa `e regolabile dalla
tensione tra E e B), ma senza doverla riprendere tutta: di solito dobbiamo
pagare tutta la carica inviata da un semiconduttore ad un altro, con altret-
tanta carica dal secondo semiconduttore verso il primo, come abbiamo visto
nei meccanismi alla base del diodo a giunzione; di fatto, non sar`a necessaria
una grossa contropartita di corrente dalla base allemettitore, o meglio ne sar` a
necessaria una quantit` a minima, come vedremo: vi sar` a una grossa corrente
da E a B, ma innitesima da B ad E (in un buon transistore, alle condizioni
che introdurremo). Lastuzia si basa sul fatto che, tendenzialmente, gli elet-
troni derivanti dallemettitore E verso la base B non dovranno ricombinarsi,
ma andare verso il collettore C, dove saranno comunque maggioritari (poich`e
il collettore `e un semiconduttore drogato tipo n).
Riassumendo, il transistore bipolare permette di controllare una corrente
tra emettitore e collettore senza dover pagare con una corrente troppo ingente
tra base ed emettitore, bens` solo con una minima corrente inversa.
4.1 Analisi delle correnti
Cerchiamo ora di rappresentare in modo qualitativo il modello delle correnti
in un transistore bipolare; consideriamo la giunzione da emettitore E a base B
polarizzata direttamente, e da base B a collettore C polarizzata inversamente:
V
BE
> 0, V
BC
< 0.
98
Nel dispositivo in studio, esistono cinque correnti; analizziamole una per
una:
1. I
nE
`e una corrente di diusione di elettroni che vengono iniettati dal-
lemettitore E alla base B;
2. I
nC
`e la frazione di I
nE
che non si `e ricombinata nella base; essa in un
dispositivo ben funzionante deve essere pi` u elevata possibile, poich`e la
ricombinazione in base deve essere minima, e poich`e essa sar` a destinata
a terminare nel collettore; I
nE
ed I
nC
sono le due correnti fondamentali
ai ni del funzionamento del transistore bipolare;
3. I
rB
`e una corrente di diusione di lacune iniettata nella base a partire
dallemettitore, che va a ricombinarsi interamente: `e una frazione di
I
nE
, che deve essere limitata, in quanto essa limita la corrente principale
I
nC
;
4. I
pB
`e una corrente di diusione di lacune iniettate nellemettitore a
partire dalla base; questa corrente deve essere piccola, in un buon di-
spositivo, poich`e dipende dalla ricombinazione di I
nE
, che deve essere
minore possibile per garantire un buon funzionamento;
5. I
pC
`e una corrente inversa di lacune diretta dal collettore C verso la
base B, molto ridotta, e spesso trascurabile nello studio dei transistori.
Ragioniamo ora su queste correnti: la corrente di ingresso nellemettitore
dalla batteria, I
E
, `e data da:
I
E
= I
nE
+I
pB
La corrente I
E
`e la somma delle due correnti I
nE
e I
pB
, la seconda de-
rivante dalla base. Poich`e una delle due correnti principali del transistore `e
quella totale che va dallemettitore verso la base, la corrente da base a emet-
titore, I
pB
, sar` a da limitare. Si denisce sullemettitore un parametro
F
che
determina lecienza del transistore, allemettitore (F sta per Forward):

F
=
I
nE
I
nE
+I
pB
Il parametro
F
`e dunque detto ecienza di emettitore, e in un buon
dispositivo deve tendere a 1, poich`e I
pB
dovr` a tendere a 0; ci`o `e tecnologica-
mente fattibile, aumentando il drogaggio del lato emettitore n (come si pu` o
facilmente vericare dalla legge della giunzione). Possiamo dunque dire che:
I
nE
=
F
I
E
99
Ci interessa ora sapere, di questa
F
I
E
, quanta nir` a nel collettore, e
quindi quanta non verr`a ricombinata. Possiamo ricavare facilmente che:
I
nC
= I
nE
I
rB
Possiamo dunque denire il parametro
T
come:

T
=
I
nE
I
rB
I
nE
Anche in questo caso, in un buon dispositivo,
T
deve tendere a 1. In
questo caso, tecnologicamente il trucco per far tendere a 1 il coeciente

T
, `e quello di usare una base corta: se la lunghezza del semiconduttore
W
B
L
n
, la ricombinazione non avr` a il tempo di agire ecacemente sulla
carica, e dunque
T
1.
La corrente I
pC
' 0 e quindi possiamo considerarla ora come ora trascu-
rabile.
Deniamo
F
il prodotto dei due coecienti di ecienza:

F
=
F

T
La corrente del collettore, I
C
, sar`a pari a:
I
C
=
F
I
E
Possiamo considerare il transistore come un nodo generalizzato, e dunque
studiare mediante le leggi di Kirchho le tre correnti su emettitore, collettore,
base: anche la base infatti avr` a una corrente, che andr`a ridotta mediante i
metodi tecnologici accennati, in un dispositivo valido:
I
E
+I
B
+I
C
= 0
Considerando lespressione precedentemente vista in funzione di I
E
, so-
stituiamo nella relazione appena trovata:
I
E
=
I
C

F
=
I
C

F
+I
C
+I
B
= 0
Quindi:
I
B
=
I
C
(1
F
)

F
=
I
C
I
B
=

F
1
F
=
F
Questo parametro,
F
, `e detto guadagno in corrente. Abbiamo visto che

F
`e il prodotto di due numeri vicini ad 1, e dunque
F
potrebbe essere un
numero molto elevato (da 100 a 300 o anche molto pi` u in un buon dispositivo).
100
Possiamo dire che:
I
C
=
F
I
B
Con il prezzo di una corrente di base di soli pochi mA, `e possibile control-
lare correnti molto elevate, modulabili mediante la tensione tra emettitore
e base, V
BE
. Possiamo considerare I
B
come un prezzo da pagare, al ne di
poter liberamente modulare mediante la tensione la corrente del transistore.
Passiamo ora ad un calcolo pi` u quantitativo, al ne di studiare le correnti.
4.2 Calcolo delle correnti
Consideriamo alcune ipotesi preliminari: scegliamo come origine del nostro
sistema di assi cartesiani rappresentante la posizione spaziale sul dispositi-
vo il punto di inizio della regione di svuotamento sulla base, alla giunzione
con lemettitore E; consideriamo inoltre la larghezza della base W
B
uguale
alla distanza tra le due regioni di svuotamento. Questa seconda ipotesi `e
molto approssimativa, in quanto di fatto la distanza tra le due regioni di
svuotamento varia con le regioni di svuotamento stesse, le quali sono modu-
labili mediante le tensioni esterne che controllano il dispositivo; poich`e per`o
utilizziamo lipotesi di lato corto, possiamo considerare come non troppo er-
rata questa approssimazione, anche se di fatto confondiamo una grandezza
variabile con la tensione con una costante.
I quattro punti del dispositivo interessanti per il nostro studio in questo
ambito saranno: x
dE
, 0, W
B
, x
d
C, ossia il punto di inizio della zona di svuo-
tamento della giunzione tra emettitore e base, dal lato della base, lorigine
prima denita, la posizione della giunzione con il lato n (collettore), confusa
con linizio della relativa zona di svuotamento, e il punto di inizio della regio-
ne di svuotamento nel collettore. Studiamo dunque le leggi delle giunzioni,
applicandole nei suddetti punti; consideriamo N
DE
come la concentrazione
di drogaggio tipo n N
D
nellemettitore E, e N
AB
come la concentrazione di
drogaggio tipo p N
A
nella base B:
p
0
n
(x
dE
) =
n
2
i
N
DE

e
V
BE
V
T
1

n
0
p
(0) =
n
2
i
N
AB

e
V
BE
V
T
1

n
0
p
(W
B
) =
n
2
i
N
AB

e
V
BC
V
T
1

101
In un transistore, i fenomeni di interesse avvengono soprattutto nella
base: in essa, ci dedicheremo allo studio dettagliato dei portatori di carica.
Supponiamo di conoscere come condizioni al contorno i portatori nei punti
0 e W
B
: essi saranno le grandezze appena ricavate mediante le leggi della
giunzione. Applichiamo ora alla base il modello matematico, ricordando che
ci troviamo in ipotesi di lato corto.
Consideriamo dunque le equazioni di continuit` a, nella base; si noti che
le nostre due equazioni al contorno sono per`o entrambe non nulle, quindi
avremo a che fare con conti algebrici di dicolt` a non indierente.
Dal modello matematico, sappiamo che:
D
n

2
n
0
p
(x)
x
2
=
n
0
p
(x)

n
D
p

2
p
0
n
(x)
x
2
=
p
0
n
(x)

p
La soluzione generale delle equazioni dierenziali avr` a come al solito una
forma del tipo (consideriamo la diusione dentro alla base di elettroni, e
quindi leccesso di elettroni n
0
p
(x)):
n
0
p
(x) = Ae
x
L
n
+Be

x
L
n
Applichiamo ora le due condizioni al contorno, che abbiamo precedente-
mente studiato:
n
0
p
(0) =
n
2
i
N
AB

e
V
BE
V
T
1

=A +B
n
0
p
(W
B
) =
n
2
i
N
AB

e
V
BC
V
T
1

=Ae
W
B
L
n
+Be

W
B
L
n
Ora, possiamo ricavare dalla prima delle due condizioni:
B = n
0
p
(0) A
Sostituendo nella seconda, otteniamo che:
n
0
p
(W
B
) = Ae
W
B
L
n
+ (n
0
p
(0) A)e

W
B
L
n
Da ci`o, possiamo ricavare unespressione del coeciente A:
A =
n
0
p
(W
B
) n
0
p
(0)e

W
B
L
n
e
W
B
L
n
e

W
B
L
n
102
Sostituiamo ora lespressione di A nella prima equazione, trovando il
valore di B:
B = n
0
p
(0) A =
n
0
p
(0)e
W
B
L
n
n
0
p
(0)e

W
B
L
n
n
0
p
(W
B
) +n
0
p
(0)e

W
B
L
n
e
W
B
L
n
e

W
B
L
n
=
=
n
0
p
(0)e
W
B
L
n
n
0
p
(W
B
)
2 sinh
W
B
L
n
Ora, considerando la soluzione generale dellequazione dierenziale, inse-
riamo le condizioni al contorno ricavate mediante i nostri artici, e ricaviamo:
n
0
p
(x) =
n
0
p
(W
B
)e
x
L
n
n
0
p
(0)e
W
B
+x
L
n
+n
0
p
(0)e
W
B
x
L
n
n
0
p
(W
B
)e
x
L
n
2 sinh
W
B
L
n
n
0
p
(x) = n
0
p
(0)
sinh
W
B
x
L
n
sinh
W
B
L
n
+n
0
p
(W
B
)
sinh
x
L
n
sinh
W
B
L
n
Derivando lespressione dei portatori cos` ricavata, possiamo studiare i
ussi delle correnti nella base. Si noti che le correnti che raggiungono il
collettore, lo faranno mediante un meccanismo diusivo, come gi` a detto,
regolato dalle espressioni appena ricavate.
4.3 Modello statico del transistore bipolare
Abbiamo gi` a detto che il transistore bipolare `e un dispositivo dominato dalle
correnti di diusione di minoritari in base; consideriamo dora in avanti una
convenzione semplicata: dal momento che non abbiamo a che fare con altro
che regioni di svuotamento, consideriamo x
dE
= x
E
, 0, e il punto x
C
come
punto di ne della regione di svuotamento nel collettore.
Le equazioni dei portatori nelle tre regioni, come abbiamo gi` a ricavato,
saranno: nellemettitore E:
p
0
n,E
(x) = p
0
n
(x
E
)e
x+x
E
L
p
=
n
2
i
N
DE

e
V
BE
V
T
1

e
x+x
E
L
p
Nella base B:
n
0
p,B
(x) = n
0
p
(0)
sinh
W
B
x
L
n
W
B
L
n
+n
0
p
(W
B
)
sinh
x
L
n
W
B
L
n
103
Nel collettore C:
p
0
n,C
(x) =
n
2
i
N
DC

e
V
BC
V
T
1

xx
C
L
p
Partendo dalle precedenti espressioni, interessandoci nella fatispecie di
quelle concernenti la base B e lemettitore E, ricaviamo le correnti I
p,diff
(x)
e I
n,diff
(x), che verranno tra poco riutilizzate in unapplicazione pratica;
ricordando le relazioni di Einstein per il calcolo delle correnti a partire dai
portatori:
I
n
= qAD
n
n
x
I
p
= qAD
p
p
x
Ricaviamo:
I
nB,diff
(x) =
qA
E
n
2
i
cosh
W
B
x
L
n
N
AB
L
n
sinh
W
B
L
n

e
V
BE
V
T
1

+
qA
E
n
2
i
cosh
x
L
n
N
DE
L
n
sinh
W
B
L
n

e
V
BC
V
T
1

I
pE,diff
(x) =
qA
E
n
2
i
e
x+x
E
L
p
L
p
N
DC

e
V
BE
V
T
1

Per quanto riguarda invece la corrente di lacune nel collettore, C possiamo


dire che:
I
pC,diff
(x) =
qA
E
n
2
i
e
xx
C
L
p
N
DC
L
p

e
V
BC
V
T
1

Queste espressioni delle correnti, al variare della posizione spaziale x, ci


torneranno presto utili: dal punto di vista dei soli emettitore o collettore,
il transistore non avrebbe infatti molte dierenze da una comunissima giun-
zione; poich`e la base `e gi`a un caso diverso, in quanto `e un lato corto, e si
comporta in modo molto anomalo per una giunzione p-n. Tenendo conto
di questi fatti, vogliamo determinare un modello statico per il transistore
bipolare; sar` a pi` u complesso rispetto al modello della giunzione, in quanto
questa volta si ha a che fare con tre correnti (di cui possiamo semplicemente
studiarne due, in quanto comunque la terza `e data dalla somma delle altre
due, cambiata di segno):

I
C
(V
BE
; V
BC
)
I
E
(V
BE
; V
BC
)
104
Dal momento che, come detto:
I
B
= I
C
I
E
Ricavando le due caratteristiche indicate alla parentesi graa, il modello
statico del transistore bipolare sar`a di fatto completo. Come nel caso della
giunzione p-n, possiamo considerare, al posto delle correnti in zone lontane
dalla giunzione, le correnti valutate ai punti di inizio della regione di svuo-
tamento: sappiamo infatti che, lontano dalla giunzione, la corrente sar`a del
tutto equivalente, in quanto sar` a la corrente in grado di ricombinare i por-
tatori giunti dalle regioni di svuotamento, e quindi esattamente le correnti
valutate nei punti di inizio della regione di svuotamento, punti in cui non so-
no di fatto ancora iniziati fenomeni di ricombinazione. Per quanto riguarda
la caratteristica I
E
:
I
E
= I
p,diff
(x
E
) +I
n,diff
(0)
Studiando la caratteristica statica della giunzione p-n, avevamo fatto lo
stesso ragionamento: usando le espressioni delle correnti appena ricavate
come derivazione da quelle dei portatori, otterremo:
I
E
= A
E
(q)D
p
p
0
n
(x)
x

x
E
+A
E
(+q)D
n
n
0
p
(x)
x

0
=
=
qA
E
D
p
n
2
i
N
DE
L
p

e
V
BE
V
T
1

e
x
E
+x
E
V
T
+
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n

e
V
BE
V
T
1

cosh
W
B
L
n
sinh
W
B
L
n
+
+
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n

e
V
BC
V
T
1

cosh(0)
sinh
W
B
L
n
Ordinando lespressione:
I
E
=

qA
E
D
p
n
2
i
N
DE
L
p
+
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
cotgh
W
B
L
n

e
V
BE
V
T
1

+
+
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
sinh
W
B
L
n

e
V
BC
V
T
1

In maniera del tutto analoga, si pu` o eettuare lo studio di I


C
: possiamo
infatti vedere facilmente che:
I
C
= I
n,diff
(W
B
) +I
p,diff
(x
C
)
105
Riprendendo anche ora le espressioni delle correnti appena ricavate, pos-
siamo ottenere che:
I
C
= A
E
(+q)D
n
n
0
p
(x)
x

W
B
+A
E
(q)D
p
p
0
n
(x)
x

x
C
=
= qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
1
sinh
W
B
L
n
_

cosh
W
B
W
B
L
n
L
n
_

e
V
BE
V
T
1

+
+qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
cosh
W
B
L
n
sinh
W
B
L
n
1
L
n

e
V
BC
V
T
1

+
qA
E
D
p
n
2
i
N
DE
L
p

e
V
BC
V
T
1

Ordinando:
I
C
=
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
sinh
W
B
L
n
L
n

e
V
BE
V
T
1

+
+

qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
cotgh
W
B
L
n
+
qA
E
D
p
n
2
i
N
DC
L
p

e
V
BC
V
T
1

Confrontando le due espressioni, vediamo che esse, ossia il modello statico


del transistore bipolare, presentano tra loro alcune similitudini.
4.3.1 Equazioni di Ebers-Moll
Le equazioni appena ricavate del modello statico di un transistore bipolare
sono le cosiddette equazioni di Ebers-Moll, in onore agli scopritori del modello
statico del dispositivo in trattazione. Si `e soliti esprimere queste equazioni
nella seguente forma:
I
E
= a
1,1

e
V
BE
V
T
1

+a
1,2

e
V
BC
V
T
1

I
C
= a
2,1

e
V
BE
V
T
1

+a
2,2

e
V
BC
V
T
1

I quattro coecienti in questione sono:


a
1,1
=
qA
E
D
p
n
2
i
N
DE
L
p

qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
cotgh
W
B
L
n
a
1,2
=
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
sinh
W
B
L
n
106
a
2,1
=
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
sinh
W
B
L
n
a
2,2
=
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
cotgh
W
B
L
n

qA
E
D
p
n
2
i
N
DC
L
p
Si noti che questo modello risulti essere corretto a meno di una variazione
di W
B
(che abbiamo ipotizzato coincidente con la distanza tra le due zone
di svuotamento nella base); questo modello trascura dunque leetto delle
tensioni sulla lunghezza del lato di base B, ossia sullappena citato W
B
. Si
noti per`o unaltra cosa: abbiamo iniziato a sviluppare questo modello consi-
derando esclusivamente il caso di V
BE
> 0, V
BC
< 0; abbiamo per`o ricavato
equazioni che risultano essere valide indipendentemente dalle due tensioni (a
meno di particolari fenomeni quali il breakdown delle giunzioni, o cose di
questo tipo), esattamente come nello studio del diodo a giunzione: avevamo
infatti al tempo considerato la giunzione in stato di polarizzazione diretta, ma
ottenuto equazioni valide anche per la polarizzazione inversa. Siamo dunque
in grado di studiare, mediante le equazioni di Ebers-Moll, qualsiasi coppia
di tensione (V
BE
; V
BC
). Consideriamo dunque le quattro (che poi vedremo
diventare cinque) zone di tensione:
V
BE
> 0, V
BC
< 0: `e la zona che abbiamo sinora studiato: il tran-
sistore provoca fenomeni di guadagno della corrente, regolati dai vari
coecienti
F
,
T
,
F
,
F
, dove la F signica Forward: italianizzando,
possiamo tradurre con Diretta. La regione, che `e la regione di fun-
zionamento pi` u tipica del transistore bipolare, `e detta regione attiva
diretta.
V
BE
< 0, V
BC
> 0: di fatto, il collettore diventa lemettitore, e lemet-
titore diventa il collettore. Fisicamente, il signicato, il funzionamento
del dispositivo sar`a del tutto uguale a prima, a meno del seguente fat-
to: il transistore `e progettato sia geometricamente che sotto il punto
di vista delliniezione di impurit`a drogante in modo da funzionare con
lemettitore e il collettore in grado di svolgere i propri relativi compi-
ti nativi, quindi il funzionamento vi sar` a, ma il guadagno in corrente
nella zona,
R
(R da Reverse, italianizzando Inversa), sar` a una decina
di volte inferiore rispetto al guadagno in zona diretta. Questa zona `e
detta regione attiva inversa.
V
BE
< 0, V
BC
< 0: nella base arriver` a dallemettitore un contributo
di corrente innitesimo, ossia la corrente di polarizzazione inversa. Dal
107
momento che anche la tensione che modula le correnti `e negativa, dun-
que, il dispositivo sar` a di fatto su OFF: questa zona `e detta regione di
interdizione, e nel transistore non passa corrente.
V
BE
> 0, V
BC
> 0: `e la zona pi` u complicata da studiare, delle quattro
(anche se vedremo che essa si sdoppier`a): essa `e detta regione di sa-
turazione: entrambe le giunzioni sono polarizzate direttamente, ma in
questo caso esistono due ulteriori sottopossibilit` a:
V
BE
> V
BC
: il diagramma a bande ricorda quello della regione
attiva diretta, ma senza avere un guadagno in corrente: poich`e la
tensione tra base ed emettitore `e superiore a quella tra base e col-
lettore, liniezione in base dalla parte dellemettitore partir` a da un
punto a potenziale pi` u elevato rispetto a quella da base a colletto-
re, quindi di fatto avremo una corrente, nella nostra convenzione,
da sinistra verso destra.
V
BE
< V
BC
: si ha una situazione duale a quella appena descritta:
il potenziale tra base e collettore `e maggiore a quello tra base ed
emettitore, dunque si pu` o dire che la corrente vada da destra verso
sinistra, e si ha comunque un guadagno pressoch`e nullo (caso duale
a prima, in tutto e per tutto, come gi` a accennato)
Esiste un guadagno in corrente minimo, per` o non ha senso denirlo,
sia per il fatto che esso `e veramente trascurabile (e quindi si pu` o ap-
prossimare ad un regime di saturazione), non presentando un eetto
transistor, sia per motivi che analizzeremo in seguito.
In regione attiva (diretta o inversa che sia) il transistore bipolare si com-
porta come un amplicatore di corrente: il guadagno, denibile e modicabile
mediante la tensione di modulazione, `e costante, e permette di utilizzare lef-
fetto transistor; in zona di interdizione o di saturazione il transistore si usava,
un tempo, come interruttore OFF/ON (una sorta di diodo); la prima elet-
tronica digitale si basava sul transistore bipolare, sfruttando anche queste
zone di interdizione e saturazione; ora la tecnologia MOS ha soppiantato la
tecnologia BJT, a causa dei progressi tecnologici fatti in tal senso.
4.4 Modello circuitale statico del transistore
bipolare
Abbiamo parlato delle equazioni di Ebers-Moll, rappresentanti il modello
statico del transistore bipolare. Cerchiamo ora di estrarre da esse, mediante
108
semplicazioni in ciascuna zona, un modello circuitale del dispositivo elettro-
nico, partendo dallidea che esso `e interpretabile come un nodo generalizzato
in cui convergono tre lati: Base, Emettitore, Collettore. Abbiamo quattro
regioni sostanzialmente da distinguere: occupiamoci di ciascuna di esse.
Regione attiva diretta: abbiamo un nodo generalizzato con B, C, ed E.
Sappiamo che, a partire dalla corrente di base I
B
, si ha un guadagno
in corrente. Circuitalmente, lelettrotecnica ci insegna che un buon
modello per rappresentare un guadagno di questo genere `e il generatore
pilotato di corrente: considerando il guadagno
F
, possiamo dire che tra
collettore C ed emettitore E vi sar` a una corrente I
C
=
F
I
B
, esprimibile
come un generatore pilotato dal pilota I
B
, corrente che dalla base B
va verso lemettitore E. Dallaltra parte, si pu` o considerare la totale
analogia con una comune giunzione p-n polarizzata direttamente, e
quindi con un diodo; ricordiamo che, in questo modello, si introduceva
un generatore di tensione V

, dove in questo caso la nostra tensione di


attivazione del transistore coincide con V
BE
. Questo modello presenta
alcune debolezze, che per` o possiamo per ora tralasciare.
Regione attiva inversa: situazione del tutto uguale alla precedente, con-
siderando semplicemente le seguenti variazioni: al posto dellemettitore
E vi sar`a il collettore C, al posto del collettore C vi sar`a lemettitore
E, il guadagno in corrente sar` a
R
, ed in questo caso la giunzione as-
similabile come diodo polarizzato direttamente sar` a quella tra base e
collettore, dunque il nostro generatore V

sar` a la tensione di attivazione


V
BC
.
Regione di interdizione: non essendovi contatto tra le tre regioni, pos-
siamo immaginare i tre nodi separati tra loro a due a due.
Regione di saturazione: abbiamo due giunzioni polarizzate direttamen-
te, e quindi di fatto avremo due diodi in stato ON, con le relative V

.
Una sar`a la tensione tra base ed emettitore, V
BE
, laltra tra emettitore
e collettore, V
CE
= V
BE
V
BC
.
Possiamo dunque dire, per quanto scontato sia, che i modelli circuitali
valgono se e solo se ci troviamo nelle opportune condizioni di tensione: si
tratta di quattro casi singoli, che per`o devono essere considerati nel punto in
cui sono stati deniti.
109
4.4.1 Andamento della caratteristica statica
Abbiamo terminato la descrizione del funzionamento del transistore bipola-
re nelle quattro regioni, ci dedichiamo ora a studiarne landamento graco,
facendo alcune osservazioni che ci mancano.
Avendo diverse opzioni da rappresentare, ne scegliamo una fondamentale:
luscita di emettitore comune, I
C
(V
CE
), dove V
CE
= V
BE
V
BC
. Algebrica-
mente, possiamo fare unosservazione: sappiamo che V
BC
< 0, e V
BE
V

;
consideriamo inoltre un parametro variabile, I
B
, ossia la corrente di base, che
viene amplicata dal guadagno in corrente
F
. Si otterr`a di fatto una serie
di curve parametriche, in funzione della tensione V
CE
. Possiamo considerare
in base ad osservazioni algebriche questo fatto: la caratteristica statica avr` a
due zone di interesse, ossia V
CE
< V

e V
CE
> V

: se infatti V
CE
> V

, poich`e
sappiamo che il valore di V
BE
V

, allora di sicuro la tensione V


BC
sar` a su-
cientemente negativa da poterci permettere di essere sicuri di trovarci in una
regione attiva diretta. Secondo il modello statico, derivante dalle equazioni
di Ebers-Moll, la caratteristica statica del transistore si presenta come una
retta parallela allasse delle x (dunque una funzione costante), allaumentare
di V
CE
, poich`e il guadagno in corrente resta costante, al di sopra della tensio-
ne V
BE
. Per valori di V
CE
inferiori alla tensione V

, si ha invece una funzione


decrescente a 0, e si noti il seguente dettaglio: al variare del parametro I
B
,
le curve, da un certo punto di funzionamento V
CE
in indietro verso lorigine
degli assi, tendono asintoticamente allo stesso andamento: da tutte parallele
tra loro, convergono tutte a zero, asintoticamente, allo stesso modo:
Questo andamento del graco ci potrebbe far pensare al seguente fatto:
se tutte le curve parametriche di I
B
al variare di V
CE
, parallele tra loro,
sono tutte costanti dal punto V

in poi, potremmo dire che mediante un


transistore bipolare si pu`o realizzare un generatore di corrente pilotato ideale:
poich`e il guadagno secondo il modello di Ebers-Moll `e una costante, poich`e
la caratteristica `e una funzione costante, potremmo pensare di aver ottenuto
110
un componente ideale.
Osservando il graco a sinistra del valore V

, osserviamo che questo an-


damento asintotico di tutte le curve parametriche al variare di I
B
, tendono
asintoticamente allo stesso modo ad andare a 0. Possiamo vedere algebrica-
mente che, se V
CE
< V

, allora signica che se V


BE
V

, dunque V
BC
> 0,
e ci troviamo in una zona di saturazione. Landamento asintotico di tutte le
curve parametriche ci fa intuire il fatto che non ha senso denire un guadagno
in corrente in zona di saturazione non solo per il fatto che sarebbe minimo,
ma anche perch`e non `e possibile identicare univocamente la curva presente
in un determinato punto della suddetta zona: lo stesso livello di corrente,
pu` o equivalere a diversi valori di I
B
, poich`e se le curve parametriche passano
tutte per lo stesso punto di corrente alla stessa tensione, allora signica che
il guadagno non `e univoco, come eettivamente lo `e in regione attiva diretta,
dove le curve non si intersecano (in quanto tutte parallele tra loro).
4.4.2 Eetto Early
Le vere cattive notizie arrivano per`o su di un altro fronte: tutto ci` o che ab-
biamo nora descritto, `e landamento della corrente I
C
previsto dal modello
statico, e, come abbiamo detto, sembrerebbe in grado di simulare landa-
mento di un generatore pilotato ideale: al variare della tensione, corrente
costante. Qua vengono per`o evidenziati i veri limiti del modello statico di
Ebers-Moll del transitore bipolare: se analizzassimo in laboratorio la caratte-
ristica statica del transistore, osserveremmo in realt` a il fatto che la pendenza
delle caratteristiche in regione attiva diretta `e non nulla, ma positiva di poco:
Questo dipende dal fatto che leetto statico si fonda sulla famosa ipotesi
di considerare lampiezza della regione di svuotamento in base non variabile,
ma assimilabile con la lunghezza della base W
B
: la tensione V
CE
per`o `e in
grado di modulare lampiezza di svuotamento (poich`e essa dipende da V
BC
,
quindi di fatto, variando la regione di svuotamento, gli eetti ricombinativi
111
diventano sempre meno trascurabili, e quindi di fatto si vedr`a una pendenza
positiva. Il modello come generatore pilotato `e dunque fallimentare, ma nella
cattiva notizia c`e una buona notizia: man mano che aumenta la tensione, il
transistore continua a guadagnare sempre pi` u corrente, potremmo dire che
funziona sempre meglio, e quindi pur non avendo lidealit`a, siamo riusciti a
costruire con questo dispositivo un buon amplicatore di corrente.
Leetto che tiene conto di questa variazione delle regioni di svuotamen-
to `e detto Eetto Early: esso prevede laumentare di facilit` a dei portatori
ad attraversare la barriera di potenziale, grazie allaumento della regione di
svuotamento provocato dallaumento della tensione V
CE
. Si noti che anche
per il transistore bipolare esiste un fenomeno di breakdown: esso `e legato al
fatto che, alzando molto la tensione V
CE
(o, dualmente, abbassandola mol-
to), `e possibile far toccare, sovrapporre le due regioni di svuotamento, ed in
questo modo di fatto eliminare del tutto fattori ricombinativi, far coincidere
i lati, e perdere il controllo del dispositivo, la cui caratteristica schizzerebbe
aumentando improvvisamente di pendenza.
Analizziamo ora un esercizio pratico, riguardante il transistore bipola-
re, nel quale faremo alcuni approfondimenti e tratteremo alcuni aspetti non
ancora analizzati.
4.5 Esercizio Pratico
Cominciamo ancora prima di fornire i dati dellesercizio con una piccola
divagazione: dato un transistore bipolare, vale sempre la diseguaglianza a
3:
N
DE
> N
AB
> N
DC
Questo perch`e:
N
DE
> N
AB
: perch`e il coeciente
F
tenda a 1, un buon drogaggio
permette di migliorare lecienza di emettitore del transistore;
112
N
AB
> N
DC
: aumentando il drogaggio in base rispetto a quello in
collettore, si fa s` che lampiezza della regione di svuotamento in base
sia pi` u dicile da incrementare, in questo modo si riesce ad arginare
leetto Early ed anche (e soprattutto) il breakdown.
Considerati dunque, come dati del transistore bipolare: N
DE
= 10
18
;
N
AB
= 5 10
16
; N
DC
= 10
16
; W
B
= 0, 2m; W
E
= 0, 5m; A
E
= 100m,

p
= 100ns,
p
(N
DE
) = 150,
n
= 1s,
n
(N
AB
) = 1200
1. Si determini il diagramma a bande allequilibrio
2. Supponendo che lampiezza della base sia quella allequilibrio, si valu-
tino i parametri
F
,
T
,
F
,
F
3. Supponendo una tensione di polarizzazione V
BE
= 0, 6 V tra base ed
emettitore, e V
CE
= 1 V tra emettitore e collettore, si valuti il modello
di piccolo segnale del transistore bipolare.
4.5.1 Risoluzione
Si determini il diagramma a bande allequilibrio
In questo esercizio aronteremo diversi modi per calcolare alcuni parametri
del transistore, utilizzando idee di base completamente diverse. Incomincia-
mo con il calcolare, in modo classico, i valori di estrazione, in modo da poter
stimare le barriere di potenziale, allequilibrio.
Poich`e lemettitore del transistore bipolare `e un semiconduttore estrema-
mente drogato, quasi degenere, possiamo assumere alcune ipotesi sempli-
cative: dal momento che in esso il livello di Fermi tende a coincidere con il
livello energetico E
C
, possiamo dire che il lavoro di estrazione coincida con
lanit` a elettronica del silicio, nellemettitore E:
q
Sn
+
E
' q = 4, 05eV
Nella base B:
q
S
p
B
' q +
E
g
2
+kT ln
N
AB
n
i
' 5eV
Nel collettore C:
q
S
n
C
' q +
E
g
2
kT ln
N
DC
n
i
' 4, 26eV
113
Che senso cercare in questo ambito le quotature del diagramma a ban-
de? Aldil`a del mero esercizio, possiamo renderci conto di un fatto importante:
allequilibrio le regioni di svuotamento permettono una zona neutra sucien-
temente estesa; e nella base? Analizziamole: considerando che lemettitore
`e estremamente drogato, nel calcolo si potr`a considerare N
eq
' N
AB
, per le
propriet` a della somma armonica di due termini: un termine molto grande e
uno molto piccolo, sommati armonicamente, daran vita ad un termine molto
vicino a quello piccolo.
x
dEB
' x
pEB
=

2
S

i,BE
qN
AB
= 0, 15m
x
dBC
=

2
S

i,BC
qN
eq
= 0, 34m
Poich`e della regione di svuotamento tra base ed emettitore sappiamo
che essa `e decisamente pi` u ampia nella base, ma non abbiamo informazio-
ni aggiuntive su quella di base-collettore, consideriamo la proporzione dei
drogaggi, con la proporzione delle ampiezze delle regioni di svuotamento: le
ampiezze delle regioni di svuotamento sono inversamente proporzionali alla
concentrazione di drogaggio:
x
nBC
x
pBC
=
N
AB
N
BC
=x
pBC
=
1
6
x
dBC
= 0, 057m
Si noti che se sommiamo le due ampiezze di svuotamento, otteniamo:
0, 15 + 0, 057 = 0, 207m
Dal momento che W
B
= 0, 2m, gi`a allequilibrio abbiamo una condizio-
ne di breakdown: le regioni di svuotamento si toccano, in questo modo il
transistore ha una condizione di rottura e non vi `e sostanzialmente base.
Scegliamo di modicare il testo del problema, considerando W
B
= 0, 4m:
in questo modo, pur avendo allungato il lato della base, e quindi peggiorato
il fattore di ecienza, avremo un lato di base neutro pari a 400 207 nm.
Si valutino i parametri
F
,
T
,
F
,
F
Consideriamo dopo queste prime osservazioni e decisioni, il calcolo dei para-
metri richiesti dal problema. Partiamo dallecienza di emettitore,
F
:

F
=
I
nE
I
nE
+I
pB
=
I
ndiff
|
0
I
ndiff
|
0
+ I
pB
|
x
E
114
Studiamo dunque queste espressioni, ricavate in precedenza:
I
pdiff
(x
E
) =
qA
E
D
p
n
2
i
N
DE
L
p

e
V
BE
V
T
1

Possiamo semplicare la nostra espressione, osservando il fatto che, dal


momento che ci troviamo in polarizzazione diretta, V
BE
> 0, e
V
BE
V
T
1;
sappiamo che la lunghezza di diusione L
p
`e cos` denita:
L
p
=
_
D
p

p
= 6m
Osserviamo che anche il lato di emettitore `e corto: W
E
L
p
.
Ci` o pu` o essere un bene in un transistore bipolare, in quanto lato corto
implica riduzione della resistenza di accesso al transistore, e quindi siamo
anche in grado di dire che W
E
L
p
:
I
pdiff
|
x
E
=
qA
E
D
p
n
2
i
N
DE
W
E
e
V
BE
V
T
Semplichiamo a questo punto anche lespressione della corrente di elet-
troni in 0:
I
ndiff
|
0
=
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n

e
V
BE
V
T
1

cotgh
W
B
L
n
+
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
sinh
W
B
L
n

e
V
BC
V
T
1

Il secondo termine `e trascurabile rispetto al primo; inoltre, nel primo


termine, oltre a semplicare in precedenza il 1, siamo in grado di fare dei
ragionamenti simili al precedente, sul termine W
B
: poich`e:
L
n
=
_
D
n

n
= 56m W
B
Possiamo dire di nuovo di trovarci in ipotesi di lato corto (come `e ovvio
che sia la base), e dunque possiamo sviluppare il coseno iperbolico come 1,
ed il seno iperbolico come il proprio argomento:
cosh
W
B
L
n
' 1; sinh
W
B
L
n
'
W
B
L
n
Possiamo dunque dire che:
I
ndiff
(0) '
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
W
B
L
n
e
V
BE
V
T
=
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
W
B
e
V
BE
V
T
Possiamo dunque ora riprendere la denizione di ecienza di emettitore,
e, sostituendo, si ottiene che:
115

F
=
qA
E
D
p
n
2
i
N
DE
W
E
e
V
BE
V
T
qA
E
D
p
n
2
i
N
DE
W
E
e
V
BE
V
T
+
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
W
B
e
V
BE
V
T

F
=
1
1 +
N
AB
D
p
W
B
N
DE
D
n
W
E
Possiamo calcolare che
F
= 0, 9976.
Abbiamo calcolato mediante questa nuova formula lecienza di emetti-
tore, semplicando notevolmente i nostri conti. Passiamo ora al calcolo di
unespressione in grado di fornire il valore del parametro
T
, ossia del fattore
di trasporto; sappiamo che:

T
=
I
ndiff
(0) I
RB
I
ndiff
(0)
=
I
ndiff
(W
B
)
I
ndiff
(0)
Abbiamo in precedenza eettuato alcune approssimazioni nel termine di
corrente di diusione di elettroni in base, nel punto x = 0. Queste approssi-
mazioni sono da rivedere, per questo motivo: vediamo che in questo ambito,
`e coinvolta anche la grandezza I
n,diff
(W
B
), che coinvolge un cosh(0), che vale
esattamente 1, tende e non solo a 1, come precedentemente. Di fatto, non sar` a
pi` u possibile approssimare il coseno iperbolico a 1, considerando W
B
L
n
,
in quanto otterremo unapprossimazione troppo grossolana; questa volta un
coseno iperbolico tender` a naturalmente a 1, laltro sar`a sviluppato in serie
di Taylor, ma troncato al secondo ordine; consideriamo dunque le espressioni
in gioco:
I
ndiff
(0) =
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n

e
V
BE
V
T
1

cotgh
W
B
L
n
'
qA
E
D
n
n
2
i
cosh
W
B
L
n
N
AB
L
n
sinh
W
B
L
n
e
V
BE
V
T
Abbiamo dunque considerato come unica approssimazione, per ora, lef-
fetto dellesponenziale che prevale enormemente sul termine 1 in parentesi;
consideriamo ora lespressione della corrente di diusione di elettroni in base,
nel punto W
B
: in questo ambito, come gi`a anticipato, il coseno iperbolico
avr` a argomento algebricamente 0, e non solo tendente a 0:
I
ndiff
(W
B
) =
qA
E
D
n
n
2
i
cosh(0)
N
AB
sinh
W
B
L
n
L
n

e
V
BE
V
T
1

'
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
sinh
W
B
L
n
L
n
e
V
BE
V
T
Consideriamo ora il rapporto tra le due funzioni, ai ni di calcolare il
parametro
T
:
116

T
=
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
sinh
W
B
L
n
L
n
e
V
BE
V
T
qA
E
D
n
n
2
i
cosh
W
B
L
n
N
AB
L
n
sinh
W
B
L
n
e
V
BE
V
T
=
1
cosh
W
B
L
n
Solo ora sfruttiamo il fatto che ci troviamo in semiconduttore corto, consi-
derando il fatto che W
B
L
n
, ma, come anticipato, lo sviluppo considerato
sar` a quello troncato non al primo, ma al secondo ordine:

T
=
1
1 +
1
2
W
2
B
L
2
n
= 1
W
2
B
2L
2
n
= 0, 999994
Abbiamo ottenuto, anche per il fattore di trasporto
T
, unespressione
operativa molto pi` u utile (in caso di un transistore bipolare come quello
proposto dallesercizio, ma che comunque rappresenta il transistore ottimale:
emettitore corto e molto drogato, base corta), e facile da utilizzare, rispetto
alla denizione. Possiamo ora, partendo da ci`o, calcolare il guadagno in
corrente del transistore:

F
=
F

T
' 0, 997

F
=

F
1
F
' 413
Permettiamoci ora una divagazione, ragionando in modo diverso sul coef-
ciente di trasporto,
T
: possiamo infatti importare anche nel transisto-
re bipolare il modello a controllo di carica precedentemente studiato nella
giunzione p-n. Ci`o risulta molto interessante, soprattutto poich`e `e possibile
linearizzare la concentrazione degli elettroni in base, n
0
p
(x):
n
0
p
(x) '
n
2
i
N
AB
e
V
BE
V
T
W
B
x
L
n
W
B
L
n
=
n
2
i
N
AB
e
V
BE
V
T

1
x
W
B

Abbiamo dunque ridotto ad una semplice retta la distribuzione di carica,


sfruttando lipotesi di lato corto, la distribuzione dei portatori minoritari in
base. Potremmo chiederci come mai non abbiamo eettuato in precedenza
una semplicazione di questo tipo: linearizzare una funzione, ossia ridurla
a retta, implica ridurre la sua derivata ad una costante, o addirittura a 0,
perdendo informazioni su di essa. Il modello a controllo di carica per` o non
richiede la derivazione delle distribuzioni di portatori, bens` lintegrazione, al
ne di ottenere la carica totale in eccesso nel semiconduttore. Poich`e siamo
in un caso di retta decrescente, la totale corrente di ricombinazione sar` a
117
assimilabile al calcolo dellarea di un triangolo: considerando la lunghezza
del lato di base come base, e la concentrazione di carica come altezza:
Q
0
n
=
n
2
i
N
AB
e
V
BE
V
T
W
B
2
(qA
E
)
Da ci` o, sappiamo semplicemente che la corrente di ricombinazione in base
vale:
I
RB
=
Q
0
n

n
=
n
2
i
N
AB
e
V
BE
V
T
qA
E
W
B
2
n
Da ci`o, `e possibile calcolare il coeciente di trasporto come:

T
=
I
n,diff
(0) I
RB
I
n,diff
(0)
= 1
I
RB
I
n,diff
(0)
= 1
qA
E
W
B
n
2
i
2N
AB

n
e
V
BE
V
T
qA
E
D
n
n
2
i
2N
AB
W
B
e
V
BE
V
T
= 1
W
2
B
2L
n
Abbiamo ottenuto lo stesso risultato espresso precedentemente, mediante
un processo completamente diverso. In realt` a, esiste una via ulteriore, e
ancora pi` u comoda: partendo dalle equazioni di Ebers-Moll, si pu`o vedere
che:
I
E
= a
1,1

e
V
BE
V
T
1

+a
1,2

e
V
BC
V
T
1

I
C
= a
2,1

e
V
BE
V
T
1

+a
2,2

e
V
BC
V
T
1

Poich`e ci troviamo in regione attiva diretta, V


BC
< 0, possiamo dire che
il secondo termine sia in questo ambito del tutto trascurabile, per entrambe
le equazioni:
I
E
' a
1,1

e
V
BE
V
T
1

I
C
' a
2,1

e
V
BE
V
T
1

Da ci`o, si pu`o semplicemente ricavare che:


I
E
'
a
1,1
a
2,1
I
C
=
F
=
a
1,1
a
2,1
Possiamo terminare questa divagazione, ed essere soddisfatti per tutte le
tecniche nora acquisite per il calcolo dei parametri del transistore bipolare:
abbiamo visto che, mediante ipotesi e tecniche completamente diverse, si
arriva a ottenere risultati assolutamente analoghi.
118
Si valuti il modello di piccolo segnale del transistore bipolare
Parliamo ora del terzo punto del problema, ossia lo studio di un modello di
piccolo segnale del transistore bipolare. Come dati abbiamo che V
BE
= 0, 6
V, che V
CE
= 1 V, ma poich`e V
CE
= V
BE
V
BC
, sappiamo che V
BC
= 0, 4
V. Usiamo quello che viene detto il modello a semplicato, utile in quanto
torner` a utile in seguito nello studio di sistemi MOS. Nella regione attiva
diretta, I
E
dipende molto da V
BE
, mentre I
C
`e rappresentabile come:
I
C
=
F
I
E
Il modello di piccolo segnale si basa, come abbiamo gi` a visto preceden-
temente, su piccolissime variazioni di tensione; per analzizare la variazione
di corrente I
C
, varieremo la tensione che la modula, indirettamente: V
BE
(si
discuter` a meglio sul signicato della parola indirettamente).
Abbiamo, nel transistore bipolare, un dispositivo che dal mondo esterno si
vede come un diodo, ed un collettore che di fatto non fa altro che raccogliere
la corrente. Consideriamo, a partire dalle equazioni di Ebers-Moll, che, per
la stessa ipotesi considerata precedentemente,
I
C
(V
BE
; V
BC
) ' I
C
(V
BE
)
I
C
= a
2,1
e
V
BE
V
T
Si noti che, poich`e adottiamo il modello statico introdotto da Ebers-Moll,
consideriamo trascurato leetto Early. Possiamo al solito trascurare i termini
dipendenti dalla tensione tra base e collettore, V
BC
, poich`e siamo ijn regione
attiva diretta. Linearizziamo dunque il nostro modello, considerando una
variazione innitesima della corrente I
C
rispetto alla tensione di controllo,
V
BE
:
I
C
V
BE

V
BEop
=
a
2,1
V
T
e
V
BEop
V
T
Deniamo dunque la corrente del punto di lavoro, I
Cop
, come:
I
Cop
,
I
C
V
BE

V
BEop
Essendo noi in un modello di piccolo segnale, modicando innitesi-
mamente la tensione V
BEop
con un piccolo segnale v
be
, possiamo vedere
che:
119
I
Cop
V
T
= g
m
Dove questa g
m
rappresenta una conduttanza analoga a quella preceden-
temente studiata nel diodo a giunzione. Si noti il seguente fatto: togliendo
gli oset verticali ed orizzontali I
Cop
e V
BEop
, si vedrebbe che g
m
rappresenta
una retta, e dunque una resistenza, o almeno potremmo pensarlo. In realt` a,
V
BE
come gi`a detto modula solo indirettamente il valore di g
m
, poich`e `e la
tensione di controllo, ma `e la tensione sulla giunzione tra base e collettore,
mentre g
m
si trova tra base ed emettitore; si parla dunque di g
m
come di una
transconduttanza, ossia, come di un parametro che, moltiplicato per il pilota
v
be
, permette di ottenere I
C
, anche se non vi `e una relazione diretta.
Ci manca un ulteriore parametro: ci` o che collega la base B allemettitore
E. Potremmo ripetere le operazioni precedenti, considerando I
B
:
I
B
=
I
C

F
=
1

F
I
C
V
BE

V
BEop
=
g
m

F
Possiamo dunque denire la resistenza del nostro modello , r

, come:
r

=

F
g
m
Il modello di piccolo segnale del transistore bipolare sar` a semplicemente
rappresentato da un nodo generalizzato, in cui tra B ed E sta la r

, tra E e
C il generatore pilotato di valore I
C
= g
m
v
be
, dove v
be
, ossia il piccolo segnale
del nostro modello, rappresenta la tensione sulla r

.
Divaghiamo, accennando al modello di ampio segnale del transistore bi-
polare: consideriamo il fatto che ci troviamo semplicemente in una doppia
giunzione, e dunque dovremo considerare capacit` a di svuotamento e capacit`a
di diusione per ognuna delle giunzioni. Dal momento che il punto di funzio-
namento del transistore interessante `e la regione attiva diretta, e quindi in
cui V
BE
> 0, e V
BC
< 0, possiamo dire che un parametro sar`a trascurabile:
C
DIF
(V
BC
) ' 0 poich`e ci troviamo in una zona di polarizzazione inversa della
giunzione base-collettore, e quindi possiamo trascurare.
Possiamo calcolare i parametri linearizzati, a partire dal modello di ampio
segnale, al ne di terminare del tutto il modello di piccolo segnale:
g
m
=
I
Cop
V
T
; I
Cop
= a
2,1
e
V
BEop
V
T
; a
2,1
=
qA
E
D
n
n
2
i
L
n
N
AB
sinh
W
B
L
n
'
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
W
B
120
r

=

F
g
m
; C
DEP
(V
BEop
) =

q
S
N
A
2(
i
V
BEop
)
; C
DEP,BC
=

q
S
N
eq
2(
BC
V
BCop
)
Possiamo inne linearizzare la carica totale, considerando come al solito
le ipotesi di lato corto. Poich`e inoltre il lato dellemettitore `e estremamente
drogato (cosa gi` a sfruttata nel calcolo di C
DEP
(V
BEop
), possiamo dire che il
contributo di carica di diusione in base sia trascurabile. Calcoliamo dunque
nella base B la carica totale come area del triangolo, per poi derivare rispetto
alla tensione e cos` trovare la capacit` a di diusione:
Q
0
= Q
0
p
+Q
0
n
' Q
0
n
= qA
E
n
0
p
(0)
W
B
2
=
qn
2
i
W
B
A
E
2N
AB
e
V
BE
V
T
Derivando:
C
DIF
=

Q
0
n
V
BE

=
qn
2
i
W
B
A
E
2N
AB
V
T
e
V
BE
V
T
121
Capitolo 5
Sistemi MOS
Lacronimo MOS signica Metallo-Ossido-Semiconduttore (o meglio in ingle-
se Metal-Oxide-Semiconductor); per costruire dispositivi basati sulla tecno-
logia MOS, si usano:
Come metalli: in principio Alluminio (Al), poi Silicio (Si) policristallino
molto drogato;
Come ossido: biossido di silicio (SiO
2
), comunemente detto quarzo
(notoriamente isolante);
Come semiconduttore: Silicio (Si-p o Si-n).
Per ora, no a quando non si aermer`a il contrario, si considerer`a una
struttura di alluminio, quarzo, e silicio drogato tipo p.
Siamo in grado di tracciare il diagramma a bande del dispositivo appena
unito, ancora fuori dallequilibrio, considerando come facemmo in precedenza
il livello del vuoto E
0
continuo, e tutti gli altri livelli discontinui.
Unendo i tre materiali, i livelli di Fermi dovrebbero tendere a paricarsi,
per poter ottenere una condizione di equilibrio. Il problema che fa variare
questa situazione rispetto a quelle precedentemente studiate, `e la presenza
dellossido, che `e un isolante, e dunque impedir` a il passaggio di carica al suo
interno, a causa del suo enorme gap di energia (e non solo come vedremo tra
pochissimo). Poich`e si raggiunga lequilibrio si pu`o ipotizzare, con le nostre
attuali conoscenze, che serva un tempo innito. Supponendo che lequilibrio
sia gi`a stato raggiunto, il diagramma a bande sar` a di questo tipo:
Il metallo a causa della propria natura non pu` o subire modiche o pieghe
dei livelli energetici; il semiconduttore, poich`e ha lavoro di estrazione pi` u
elevato, si svuota parzialmente, di lacune. Poich`e del dielettrico sappiamo
122
che esso `e in mezzo ai due, possiamo assimilare il sistema ad un condensato-
re, il cui campo `e dunque costante ovunque, ed il potenziale varia in modo
intuitivamente lineare. Cosa si `e originata dunque? Una struttura dota-
ta di barriere di potenziale allinterfaccia con lossido: conosciamo il lavoro
di estrazione del metallo, e del semiconduttore, e sappiamo che nellossido
q
OX
' q, quindi possiamo dire che E
0
q = E
C
; ma E
C
non `e costante,
e anzi in prossimit` a delle interfacce con lossido presenta discontinuit` a, per
essere precisi di 3,3 eV (con il metallo), e di 3,25 eV (con il semicondutto-
re), come si pu` o calcolare semplicemente mediante lapprossimazione appena
presentata del lavoro di estrazione dellossido con la sua anit` a elettronica.
Una barriera di potenziale cos` elevata non pu` o essere saltata, e nei nostri casi
neanche attraversata per eetto tunnel, poich`e i dispositivi che consideriamo
hanno strati di ossido il cui spessore T
OX
' 100 amstrong.
5.1 Analisi Elettrostatica
Introduciamo un primo discorso sullo studio del sistema MOS; alcuni detta-
gli per ora trascurati, saranno comunque in seguito ripresi ed approfonditi.
Consideriamo nel sistema una convenzione che prevede lasse x con lorigine
nellinterfaccia metallo-ossido, e con verso positivo da sinistra verso destra.
Dalle equazioni di Maxwell si pu` o studiare che, in un qualsiasi sistema, il
prodotto della costante dielettrica e del campo elettrico nel medesimo pun-
to `e una funzione continua (teorema dello spostamento dielettrico). Lossido
sar` a privo di cariche in principio, il semiconduttore p in questione avr` a invece
una carica pari a = qN
A
x
d0
.
Il metallo per denizione non potr` a avere eccessi locali di carica, ma,
123
poich`e deve essere rispettata la neutralit` a globale nel semiconduttore, si pu`o
pensare che, in prossimit` a dellinterfaccia metallo-ossido, vi sia una di ca-
rica che permetta un impulso di carica pari a qN
A
x
d0
, e cio`e in grado di
neutralizzare la carica di svuotamento del semiconduttore. Poich`e vale la
legge dello spostamento dielettrico, possiamo dire che:

OX

OX
=
S
(0)
S
Poich`e
OX
= 3, 9, e
S
= 11, 7, vi sar` a una barriera, come gi`a accenna-
to. Il campo presenter`a una discontinuit`a nella posizione 0 dellasse delle x,
anch`e lo spostamento dielettrico sia vericato; applicando lequazione di
Poisson, integriamo rapidamente la carica di svuotamento, ottenendo:

OX
=

S

OX

S
(0) =

S

OX
qN
A

S
x
d0
124
Per il calcolo del potenziale, introduciamo unulteriore convenzione: con-
sideriamo la massa del sistema in +, e quindi:
(+) = 0; =
_
dx
Qualitativamente, il potenziale avr`a un andamento quadratico dallini-
zio della zona di svuotamento allinterfaccia con lossido, per poi crescere
linearmente, e quindi stabilizzarsi nel metallo. Si denisce, nel metallo, il
potenziale
MS
come il potenziale di contatto tra metallo e semicondutto-
re: questa denizione `e priva di senso sico in quanto non vi `e un contatto,
impedito dallossido, ma torner` a estremamente utile come denizione.
Il potenziale tra silicio e metallo, sar` a:

MS
=
q
M
q
Sp
q
0, 9V
Il potenziale di contatto ha due contributi: V
S
, ossia quello provocato
dalla zona di svuotamento del semiconduttore, e V
OX
, ossia quello provocato
dallappena citato andamento lineare del potenziale nellossido. Per quotare
tutto il diagramma a bande, mancano ancora alcuni parametri: x
d0
, V
S
, V
OX
.
Consideriamo una sorta di equazione alla maglia:

MS
= V
OX
+V
S
Possiamo anche esprimere le due tensioni come funzioni di x
d0
:
V
S
=
qN
A
2
S
x
2
d0
V
OX
=
qN
A

OX
x
d0
T
OX
Si noti che per`o possiamo identicare, come gi`a detto, lo spazio compreso
tra metallo e semiconduttore come un condensatore, e dunque identicare
nellossido una capacit`a, ossia con un condensatore a facce piane parallele:
C
OX
=

OX
T
OX
=V
OX
=
qN
A
x
d0
C
OX
Sostituendo, lequazione alla maglia diverr` a:

MS
=
qN
A
x
d0
C
OX
+
qN
A
2
S
x
2
d0
=x
2
d0
+
2
S
C
OX
x
d0

MS
2
S
qN
A
= 0
125
Risolvendo lequazione in funzione dellincognita x
d0
, e considerando solo
la radice positiva:
x
d0
=

OX
C
OX
+


S
C
OX

2
+
2
S

MS
qN
A
Tipicamente, la zona di svuotamento x
d0
ha un valore intorno ai 0,1 m;
nelle condizioni che stiamo studiando ora (equilibrio),
MS
sar` a per met` a
dovuta a tensioni dellossido V
OX
, e per met` a alla V
S
del semiconduttore.
Possiamo dire di aver quotato il diagramma a bande allequilibrio di questa
prima struttura MOS.
Passiamo ora al considerare il semiconduttore MOS in situazioni fuori
equilibrio, e quindi consideriamo lapplicazione sul metallo M e sul semi-
conduttore S di una tensione esterna V
a
, considerando, in coerenza con la
precedente convenzione introdotta, il sul verso del semiconduttore, e il +
verso il metallo.
Abbiamo sostanzialmente due possibilit` a da studiare, ossia V
a
< 0, e
V
a
> 0.
5.1.1 Polarizzazione di un sistema MOS con tensione
negativa
Se consideriamo una V
a
< 0, dalle nostre attuali conoscenze sappiamo esclusi-
vamente che i lati del semiconduttore saranno abbassati: con una tensione di
polarizzazione esterna negativa infatti i livelli energetici dei lati si alzeranno
rispetto al lato semiconduttivo, la curvatura del semiconduttore si ridurr` a,
e con essa la regione di svuotamento. Per una determinata tensione, pre-
cisamente per V
a
=
MS
, la tensione esterna compenser` a interamente il
potenziale di contatto, e cos` il livello di barriera E
0
sar` a allo stesso livello
per i tre materiali, e quindi avremo interamente compensato il potenziale di
contatto
MS
(come suggerisce anche la denizione della tensione). Questa
situazione si dice di Flat Band (ossia condizione di banda piatta); questa
`e una condizione che non abbiamo ancora incontrato in precedenza, infatti
il fatto che lossido separi metallo e semiconduttore, impedisce il raggiun-
gimento della giunzione di non possibile raddrizzamento dei livelli, a causa
dellirrefrenabile usso di portatori di carica, che in questo caso vengono
bloccati dalla barriera di potenziale dellossido. Si `e soliti dunque denire la
tensione di banda piatta, V
FB
, come:
V
FB
,
MS
126
Abbassando ulteriormente la tensione, e quindi per V
a
< V
FB
, vi `e il
sorpasso del livello E
0
del metallo rispetto a quello del semiconduttore: ci`o
indurr` a una carica positiva nel semiconduttore drogato tipo p (come si po-
trebbe anche vedere dal diagramma a bande), dando vita ad una regione
duale a quella di svuotamento: la regione di accumulo. In questo caso, la
di carica del metallo diventerebbe negativa, poich`e dovrebbe compensare
la carica di accumulo positiva nel semiconduttore. Non ci interessa ad ogni
modo lo studio del sistema MOS in condizioni di accumulo, quindi questo
cenno sulla condizione di V
a
< 0 non rappresenter`a il punto di funzionamento
dei dispositivi basati su tecnologie di questo tipo, o almeno non di quelle da
noi trattate.
5.1.2 Inversione di popolazione
Considerando una V
a
> 0, rispetto alla condizione di equilibrio, aumenter`a
la essione del livello energetico del semiconduttore, che si innalzer` a ulte-
riormente rispetto a quello del metallo e dellossido. Progressivamente con
laumentare di V
a
, aumenter` a progressivamente lampiezza della regione di
svuotamento, ma vi saranno fenomeni che non siamo in grado di prevede-
re nora: lontani dal punto x
d
si ha la neutralit` a, la pi` u totale normalit`a,
come in uno stato di equilibrio; avvicinandoci per`o allossido, notiamo che
la distanza E
F
i
(x) E
F
continua a diminuire, addirittura, a certe tensioni
V
a
, diventando negativa; mediante le equazioni di Shockley, si pu` o di fatto
studiare (come faremo tra non molto) fenomeni interessanti legati a ci` o. Sap-
piamo per ora che per x +, n
p
(+) n
p0
, e che p
p
(+) N
A
; la
distanza varia, come gi` a detto in precedenza per la giunzione, solo in regione
di svuotamento. Continuiamo a proporre denizioni e osservazioni, prima di
passare a calcoli rigorosi, denendo il parametro:
q
p
, E
F
i
(+) E
F
127
Possiamo qualitativamente osservare che, se la V
a
ette a sucienza le
bande al punto da far s` che E
F
i
(0) E
F
= q
p
, allora nel punto 0,
n
p
(0) = p
p
(+). Sostituendo i dati nelle equazioni di Shockley si pu`o
avere riscontro formale di questo fatto, straordinario: dato un drogaggio
N
A
= 10
17
, in un semiconduttore in cui quindi gli elettroni sono minoritari,
si avrebbe una densit`a di elettroni pari a N
A
, in prossimit` a dellinterfaccia
con lossido. Questo meccanismo `e detto inversione di popolazione, ed `e in-
teressantissimo per creare dispositivi molto particolari: la densit`a enorme di
inversione n
p
(x) si viene a formare in uno spazio ridottissimo, in una nicchia
provocata dallestremo curvamento dei livelli energetici causato dalla tensio-
ne esterna V
a
: questa `e di fatto una zona connata stracolma di elettroni
(zona di inversione), e dunque fortemente conduttiva. Questa zona `e alla ba-
se del funzionamento del transistore MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor
Field-Eect-Transistor), dispositivo cos` costruito: su di un substrato droga-
to p (seguendo il nostro caso, poi ovviamente `e possibile invertire i drogaggi),
vengono impiantate due zone, due pozzetti fortemente drogati tipo n
+
, uno
detto source, laltro detto drain. Metteremo a contatto ossido e metallo con
questi pozzetti, in modo che il canale scorra, per cos` dire, sotto lossido. Il
canale `e proprio questa zona di inversione, questa nicchia creata dalla for-
te tensione di cui abbiamo parlato. Vi saranno due tensioni alla base del
funzionamento di un MOSFET:
V
GS
: la tensione del gate metallico, ossia quella che nora abbiamo
chiamato V
a
: essa `e la tensione che permette la creazione di un canale
di elettroni, nel semiconduttore;
V
DS
: `e la tensione positiva tra drain D e source S, che sposta gli elet-
troni, passando nel canale che si viene a creare per inversione permessa
dalla V
GS
, appunto prendendoli dal source e spostandoli verso il drain
(poich`e il + `e sul drain, gli elettroni andranno in questo senso).
128
5.2 Calcolo della carica di inversione
Consideriamo dora in poi unanalisi pi` u quantitativa: per poter calcolare
eventuali correnti infatti `e necessario conoscere la concentrazione complessiva
della carica di inversione (di cui ora non abbiamo unespressione operativa).
Per fare ci` o, avremo a disposizione mezzi matematici molto ridotti e basilari:
equazione di continuit` a, equazioni di Shockley, equazione di Poisson.
Sappiamo che:
(x) = q(p
p
(x) n
p
(x) N
A
)
Vorremmo esplicitare, in funzione della tensione complessiva del semi-
conduttore, le due concentrazioni di portatori, p
p
(x) e n
p
(x); partiamo dalle
equazioni di Shockley:
p
p
(x) = n
i
e
E
F
i
(x)E
F
kT
; n
p
(x) = n
i
e

E
F
i
(x)E
F
kT
Deniamo per comodit` a il parametro q(x) , E
F
i
(x) E
F
:
=p
p
(x) = n
i
e
q(x)
kT
; n
p
(x) = n
i
e

q(x)
kT
Sappiamo che, molto lontani dallinterfaccia con lossido:
p
p
(+) = p
p0
= n
i
e
q
p
kT
; n
p
(+) = n
p0
= n
i
e

q
p
kT
Ricaviamo, ora, da queste ultime due espressioni, n
i
, per poi sostituirlo
nelle equazioni di partenza:
n
i
= p
p0
e

q
p
kT
; n
i
= n
p0
e
q
p
kT
Tornando nalmente alle equazioni di Shockley iniziali:
p
p
(x) = p
p0
e
q(x)q
p
kT
; n
p
(x) = n
p0
e

q(x)q
p
kT
Possiamo, ora, per comodit` a, denire una funzione che studi il potenziale,
con riferimento a +:
(x) =
q(x) q
p
q
In un certo senso potremmo dire che (x) rappresenta il nostro voltmetro
ideale: ssata la massa in un punto di neutralit` a (come un ideale +),
spostandoci in diverse x avremo la tensione nel punto interessato. Si noti che
(0) = V
S
(poich`e misuriamo semplicemente in questo modo il contributo
del solo semiconduttore al potenziale di contatto);
129
Possiamo dunque riscrivere ordinatamente le equazioni di Shockley, nel
seguente modo:
p
p
(x) = p
p0
e

(x)
V
T
n
p
(x) = p
p0
e
(x)
V
T
In condizioni di banda piatta, (x) = 0 a tappeto, per qualsiasi x; in
inversione, invece, (x) sar`a una funzione crescente, muovendoci da de-
stra verso sinistra. Possiamo dunque dire che essa ben modellizza ci`o che
intendevamo modellizzare.
Torniamo ora a parlare della ; possiamo dire, poich`e lontano dallinter-
faccia con lossido vi `e neutralit`a, che (+) = 0. Possiamo per` o quindi
anche dire che:
(+) = 0 =q(p
p
(+) n
p
(+) N
A
) = 0 =p
p0
n
p0
N
A
= 0
Possiamo dunque ricavare N
A
:
N
A
= p
p0
n
p0
Sostituendo ci`o nellespressione della densit`a di carica, otteniamo che:
(x) = +q

p
p0
e

(x)
V
T
n
p0
e
(x)
V
T
p
p0
+n
p0

Quindi, ordinando:
(x) = q
_
p
p0

(x)
V
T
1

n
p0

e
(x)
V
T
1
_
Ora che abbiamo unespressione della carica pi` u interessante, possiamo
considerare lequazione di Poisson con la funzione (x) come tensione varia-
bile. Nella fatispecie, il nostro scopo sar` a risolvere lequazione dierenziale:

2
(x)
x
2
=
q

S
_
p
p0

(x)
V
T
1

n
p0

e
(x)
V
T
1
_
Vogliamo dunque capire in che situazione ci verremo a trovare, in segui-
to allintegrazione. Incominciamo rappresentando qualitativamente carica e
campo elettrico: leetto della tensione applicata aumenta infatti progres-
sivamente lampiezza della zona svuotata; se V
a
`e abbastanza positiva, si
former` a, interfacciata con lossido, una linguetta di carica, la famosa nicchia
che abbiamo prima nominato, ossia la zona di inversione, sottile alcuni nm.
130
Partendo da un generico x
0
> x
p
, sappiamo per certo, avendo noi ssato
la nostra massa, che (x
0
) = 0, e (x
0
) = 0. Possiamo dunque applicare la
legge di Poisson, per ottenere il campo come integrale della densit` a di carica
; consideriamo un cambio di variabili, ed una moltiplicazione membro a
membro per il fattore
(x)
x
, il cui dierenziale sar`a y =

2
(x)
x
2
x, al ne di
risolvere lintegrale per sostituzione:
y =

x
; dy =

2

x
2
x
Notiamo che dunque, sostituendo, abbiamo semplicemente, al primo mem-
bro, ydy. Integrando dunque ambo i membri, incominciamo con il discutere
il primo:
ydy =
_
(x)
(x
0
)
ydy =
y
2
2
=
((x))
2
2
Gli intervalli di integrazione considerano il fatto che, per lequazione di
Poisson,
y =

x
= (x)
Risolto questo dettaglio, passiamo al secondo membro, integrato:
_
(x)
(x
0
)

S
_
p
p0

(x)
V
T
1

n
p0

e
(x)
V
T
1
_
=
=
q

S
_
p
p0

V
T
e

(x)
V
T
+V
T

p
p0
(x) n
p0

V
T
e
(x)
V
T
V
T

+n
p0
(x)
_
=
=
q

S
_
p
p0
V
T

1 e

(x)
V
T

+n
p0
V
T

1 e
(x)
V
T

+(x)(n
p0
p
p0
)
_
=
((x))
2
2
Abbiamo ottenuto un risultato molto importante: abbiamo espresso il
campo elettrico (x) in funzione del potenziale (x): infatti:
(x) =

2q

S
_
p
p0
V
T

1 e

(x)
V
T

+n
p0
V
T

1 e
(x)
V
T

+(x)(n
p0
p
p0
)
_
Si noti per`o un fatto: in precedenza, avevamo gi`a calcolato, velocemente,
il campo nel punto x = 0, sfruttando le nostre competenze elettrostatiche
131
riguardanti lo studio di un semiconduttore. Come mai abbiamo rieettua-
to questa operazione, complicandola oltretutto notevolmente? In eetti, le
nostre precedenti competenze erano insucienti ad esprimere interamente
la fenomenologia nascosta dietro ci` o che capita nel semiconduttore drogato
tipo p che stiamo studiando: il precedente studio, teneva esclusivamente con-
to della carica di svuotamento, ignorando totalmente la linguetta, la carica
di inversione. Questa avr`a uninuenza assolutamente non trascurabile, in
quanto provocher`a un picco del campo , in un intorno del punto x=0.
Consideriamo il seguente fatto: se applicassimo il teorema di Gauss al
sistema in studio, appoggiando un cilindro sullossido, vedremmo che sulla
supercie laterale del cilindro, e sulla base sospesa, il campo sarebbe nullo. Di
fatto, lunica zona a campo elettrico non nullo `e proprio la faccia appoggiata
sullossido. Applicando dunque anche matematicamente il teorema, vediamo
che la carica totale del semiconduttore S, `e esprimibile come:
Q
S
= (0)
S
Q
S
`e una funzione della carica totale nel semiconduttore, in funzione di
V
S
, rappresentante la carica su cm
2
. Ricordando che abbiamo precedente-
mente detto che (0) rappresenta V
S
, ossia il contributo del semiconduttore
al potenziale di contatto, possiamo dire che il campo in 0 vale:
(0) = f((0)) = f(V
S
) =

S
_
p
p0
V
T

1 e

V
S
V
T

+n
p0
V
T

1 e
V
S
V
T

+V
S
(n
p0
p
p0
)
_
Vedendo landamento del campo, vediamo che esso `e funzione della tensio-
ne V
S
, ma dunque anche Q
S
sar` a una funzione di V
S
. Si `e soliti rappresentare
a questo punto il modulo della funzione Q
S
, fondamentale per lo studio di
un sistema MOS:
Quando V
S
= 0, ci troviamo in zona di banda piatta. Quando V
S
< 0,
siamo in regione di accumulo, come abbiamo precedentemente introdotto.
La parte interessante verr`a dopo, quando V
S
> 0: quando V
S
0, 45 V
siamo in una zona di equilibrio. Man mano che andiamo avanti, da 0 in poi,
avremo prima un regime governato da

V
S
. Crescendo per` o la tensione V
S
,
si attivano, dentro la radice, gli esponenziali, che instaurano il regime di in-
versione dapprima debole, per poi stabilizzarsi nel regime di forte inversione.
Lesponenziale `e talmente potente che cresce praticamente verticalmente, da
una certa tensione in poi, e in questo modo blocca la tensione: aldil` a di un
certo valore, si avrebbe una Q
S
elevatissima, senza controllo, quindi abbiamo
un blocco della tensione di controllo in questione. Il valore in cui la tensione
132
si blocca `e, nella fatispecie, V
S
= 2
p
. Questa `e linformazione fondamentale
che ci fornisce lo studio della funzione di Q
S
.
Dallandamento del graco di Q
S
possiamo dunque aermare che se un
sistema MOS entra in stato di forte inversione (SI, Strong Inversion), pos-
siamo considerare costante la tensione V
S
, e uguale a 2
p
. Questo accade
perch`e, no a questo limite, il semiconduttore riesce di fatto a contribuire al
potenziale di contatto, prendendosi a carico met`a della sua tensione, mentre
laltra met`a andr`a a carico dellossido (la V
OX
). Aldil` a del valore limite da
noi descritto, il semiconduttore continuer` a a prendere in carico esclusicamen-
te V
S
= 2
p
, mentre continuer` a a crescere la tensione a carico dellossido,
V
OX
, in grado di sostenerla, grazie alle proprie caratteristiche dielettriche.
5.3 Determinazione della tensione di soglia di
un sistema MOS
Abbiamo parlato largamente della tensione V
S
, ma non abbiamo idea di come
studiare il suo andamento, al variare della tensione applicata al gate metal-
lico, ossia al variare della nostra V
a
esterna. Abbiamo infatti nora parlato
dettagliatamente di tensioni interne al semiconduttore, e al dispositivo MOS
in generale, ma senza creare collegamenti con lesterno. Vogliamo dunque
studiare la tensione di soglia nominale, ossia la minima tensione che porta
un sistema MOS in stato di strong inversion.
133
Lidea che possiamo sfruttare `e la seguente: studiare la distribuzione delle
tensioni in un MOS partendo dal punto di equilibrio, per arrivare al valore
critico di V
S
= 2
p
. Gracamente, possiamo immaginare che continui ad
alzarsi il potenziale del metallo rispetto a quello del semiconduttore, e che
al di sopra di una certa tensione, il semiconduttore non sia pi` u in grado di
sostenere V
S
, e dunque V
a
andr` a interamente a ripartirsi sullossido, mentre
a rimanere ferma a 2
p
sul semiconduttore.
Possiamo scrivere unequazione alla maglia di questo dispositivo:
V
a
V
FB
= V
OX
+V
S
Da qui, possiamo dire che:
V
OX
= V
a
V
FB
2
p
Come abbiamo gi`a aermato in precedenza, lossido funziona come un
condensatore a facce piane parallele dotato di un dielettrico tra le armature;
la carica sul metallo, `e di fatto come gi` a aermato una , di carica uguale
ed opposta a quella del semiconduttore (al ne di mantenere la neutralit`a
globale).
Possiamo dividere il contributo della carica totale al semiconduttore,
Q
S
, come somma di due contributi: cariche dovute allo svuotamento, Q
d
,
e cariche dovute allinversione, Q
n
. Possiamo dire che:
Q
S
= (Q
d
+Q
n
) = C
OX
V
OX
=Q
S
= C
OX
(V
a
V
FB
2
p
)
Sappiamo che:
C
OX
=

OX
T
OX
Dunque, possiamo dire che la carica di inversione, Q
n
, valga:
Q
n
= C
OX
(V
a
V
FB
2
p
) Q
d
Ma Q
d
in questo ambito, `e la carica di svuotamento, in stato di strong
inversion. Se V
S
= 2
p
, ed `e bloccata, allora possiamo dire che anche la
variazione di ampiezza di regione di svuotamento, x
dSI
, si blocchi:
x
dSI
=

2
S
V
S
qN
A
In generale, `e possibile esprimere la tensione V
S
come area del triangolo
rappresentante il campo elettrico nel semiconduttore:
134
V
S
=
qN
A
x
2
d
2
S
Possiamo dunque dire che la carica di svuotamento in queste condizioni
valga:
Q
dSI
= qN
A
x
dSI
=
_
2
S
qN
A
2
p
E quindi, la carica di inversione Q
n
sar` a:
Q
n
= C
OX
(V
a
V
FB
2
p
) +
_
2
S
qN
A
2
p
5.3.1 Calcolo della tensione di soglia
Prima di terminare il calcolo della tensione di soglia, forniamo la denizione
precisa di tensione nominale di soglia, V
T
(nella fatispecie, si parler` a di V
Tn
in caso di MOS a zona di inversione contenente elettroni, e dunque con
un semiconduttore drogato p, e di V
Tp
in un MOS con zona di inversione
contenente lacune (e dunque semiconduttore drogato tipo n): V
T
`e la tensione
che, applicata ad un sistema MOS, porta il sistema in forte inversione pur
potendo considerare ancora quasi nulla la carica di inversione.
Cosa signica questa denizione? Partendo dallequazione appena rica-
vata, ed imponendo una carica di inversione nulla, quindi Q
n
= 0, vediamo
che:
V
Tn
= V
FB
+ 2
p
+
1
C
OX
_
2q
S
N
A
2
p
Questa `e la tensione di soglia nominale: il limite che separa la strong
inversion e la weak inversion.
Possiamo dunque riscrivere lespressione della carica di inversione come:
Q
n
= C
OX
(V
a
V
Tn
)
Cosa abbiamo scoperto, da questultima riscrittura della carica di inver-
sione? Di fatto il sistema MOS si comporta come un condensatore molto
particolare: esso richiede una tensione di attivazione, pari alla tensione di
soglia V
Tn
, dopodich`e `e assimilabile a tutti gli eetti ad una capacit` a; nella
fatispecie, (V
a
V
Tn
) sar` a proprio la tensione presente nel dispositivo MOS
funzionante.
Alcune precisazioni sulla tensione di soglia: la tensione
V
Tn
= V
FB
+ 2
p
+
1
C
OX
_
2q
S
N
A
2
p
135
`e di norma positiva, altrimenti il MOS sarebbe costruito male. Se abbia-
mo una tensione V
a
< V
Tn
, non si ha uno strato di inversione. Valori tipici
della tensione V
Tn
variano da 0,2 a 1 V.
Abbiamo nora trattato solo ed esclusivamente n-MOS, ossia MOS con
semiconduttore drogato tipo p, e dunque canale di inversione pieno di elet-
troni. Esiste una situazione del tutto duale, ossia il p-MOS, in cui la tensione
di soglia varr`a:
V
Tp
= V
FB
2
n

1
C
OX
_
2q
S
N
D
2
n

n
=
kT
q
ln
N
D
n
i
Attualmente, vengono utilizzate sia tecnologie n-MOS che p-MOS, in una
tecnologia unica chiamata CMOS (Complementary MOS): si possono rea-
lizzare dispositivi MOS cio`e con inversioni sia n che p: tecnologicamente,
basandosi su di un unico substrato semiconduttivo debolmente drogato o co-
munque tendenzialmente intrinseco, si impiantano vaschette p-Well (per gli
n-MOS), o n-Well (per i p-MOS): qua si costruiranno i transistori, mediante
processi tecnologici.
Abbiamo parlato abbastanza in dettaglio del sistema MOS; descriviamo
da ora in poi una trattazione della sua pi` u interessante applicazione, ossia il
transistore a eetto di campo basato sulla tecnologia MOS, il MOSFET.
5.4 Il transistore MOSFET
Abbiamo gi`a sommariamente parlato del transistore MOSFET, dicendo che
esso rappresenta un sistema MOS il cui canale di inversione `e adiacente a
due pozzetti fortemente drogati (tipo n nel caso delln-MOS che stiamo stu-
diando), uno di source ed uno di drain. La tensione V
a
che abbiamo nora
studiato `e la tensione di gate, V
GS
; si prender` a in considerazione inoltre unal-
tra tensione, V
DS
, ossia la tensione tra source e drain, positiva verso il drain.
Una prima dierenza con il transistore bipolare che si nota, `e il fatto che i
due pozzetti, source e drain, sono esattamente identici, a parte il potenziale
in cui si trovano. In tutto il dispositivo, il source `e il punto a potenziale pi` u
basso. La tensione V
DS
`e proprio la tensione:
V
DS
= V
D
V
S
Dove normalmente per` o V
S
si pu`o anche considerare come punto a poten-
ziale 0. La tensione V
DS
sar` a dunque sempre positiva: V
DS
0. Ulteriore
136
fatto da considerare, `e che tutti i transistori MOS che studieremo, avranno
una tensione V
BS
= 0: questa `e una semplicazione che noi presentiamo,
circuitalmente introducendo un corto circuito tra il terminale B (di Bulk, o
Body), ed il terminale S del source. Circuitalmente come gi` a detto S sar`a
collegato ad una massa (anche se qua sotto non lo indichiamo, consideriamolo
come ipotesi).
V
DS
sar` a entrante verso il drain, e dunque gli elettroni saranno spinti dal
source verso il drain: V
DS
> 0, I
DS
0.
Trascuriamo abbastanza nella nostra trattazione dei MOS i transistori
p-MOS: possiamo velocemente dire che in un dispositivo di questo tipo, la
regola operativa `e invertire le tensioni: poich`e il canale di inversione `e infatti
popolato da lacune, al ne di poter eettuare la transizione di carica, le
tensioni saranno invertite, ed invertite saranno anche le convenzioni:
V
DSp
< 0; V
Tp
0; I
DSp
0
La trattazione si baser` a sul trattare generalmente un sistema n-MOS,
talvolta citando il p-MOS.
5.5 Caratteristica statica del MOSFET: Ana-
lisi a canale graduale
Vogliamo trovare unespressione operativa in grado di fornirci la caratteri-
stica statica del MOSFET, nel caso di n-MOS, ossia landamento della sua
corrente principale al variare delle tensioni. La corrente che interessa il di-
spositivo MOS sar` a la corrente di canale di inversione, tra drain e source,
I
DS
. Possiamo dire che questa dipenda di fatto da due tensioni: V
GS
, ossia
la tensione che regola lapertura del canale di inversione, e V
DS
, ossia la ten-
sione che permette il moto dei portatori allinterno del canale di inversione,
dal source verso il drain.
137
I
DS
= f(V
GS
; V
DS
)
In realt` a vi sarebbe anche una dipendenza della corrente dalla tensione tra
bulk e source, V
BS
, che noi abbiamo per semplicazione annullato mediante
un cortocircuito tra i due terminali. Spesso ci` o non `e vero, quindi si ricordi
che ci troviamo in unipotesi semplicativa, ma non sempre vericabile. Non
consideriamo infatti, cos` facendo, uneventuale polarizzazione del substrato.
Sappiamo che la corrente nel canale di un MOS c`e solo con V
GS
> V
Tn
:
bisogna infatti far s` che il canale di inversione sia creato nel dispositivo, e
perch`e ci` o sia sicuramente vericato, la tensione al gate deve essere almeno
pari alla tensione di soglia, al ne di poter indurre lo stato di strong inversion
nel sistema MOS. Cosa capita ora? Vorremmo capire cosa succede con una
V
DS
> 0, per vedere e studiare il moto degli elettroni nel canale. Possiamo
intuire facilmente che il fatto che una tensione muova degli elettroni, signichi
che la corrente `e una corrente di trascinamento, di drift, e che quindi la
tensione generi la corrente in questo modo. Si noti per` o un dettaglio non
trascurabile: il canale di inversione `e un canale resistivo, e con una resistenza
non trascurabile, in quanto R `e dellordine dei K. Il fatto che si abbia a che
fare con resistenze cos` elevate, ci fa capire che una corrente di qualche mA,
sia in grado di provocare una caduta di tensione dellordine dei V. Questo
problema inoltre `e reso ancora pi` u dicile da analizzare dal fatto che la
resistenza del canale non `e uniforme.
Consideriamo ora il nostro sistema in due dimensioni: poich`e lasse delle
x `e gi`a stato occupato dallo spostamento sul gate per andare no al termine
del bulk di silicio, consideriamo che la distanza tra i due canali sia su di
un asse ortogonale ad x, e chiamiamolo y. Possiamo considerare nel punto
y=0 il source, e ad una distanza L, nel punto y=L, il drain. Sappiamo solo
dire una cosa, della funzione del potenziale del canale,
CH
: essa in 0 vale

CH
(0) = 0, mentre in L, punto in cui si localizza il drain,
CH
(L) = V
DS
;
non abbiamo la bench`e minima idea di come vari per` o la tensione tra i due
punti, quindi consideriamo per ora incognita la funzione
CH
(y).
Faremo quella che si dice analisi a canale graduale del dispositivo MO-
SFET: supponiamo di applicare una V
GS
> V
Tn
, al ne di trovarci in stato
di strong inversion e dunque di aver la certezza di avere il canale di inversio-
ne aperto. Consideriamo una tensione positiva tra source e drain, e quindi
V
DS
> 0. Tentando di rappresentare in tre dimensioni il graco, noteremmo
ci` o: per y=0, e cio`e in prossimit` a del source, avremmo il nostro andamento
del potenziale gi`a noto. Al variare di y, per` o, il potenziale aumenta sempre
di pi` u, poich`e abbiamo applicato una tensione V
DS
tra drain e source. Capi-
tano alcuni eetti interessanti: se la tensione massima sopportabile al source
138
`e 2
p
per y=0, questa man mano cresce spostandoci nelle y, e, arrivando a
x=0, y=L, si avrebbe 2
p
+ V
DS
. Una tensione da sopportare per il semi-
conduttore si pu`o interpretare come aumento dellampiezza della regione di
svuotamento, che quindi avr` a unampiezza variabile con y.
Landamento di
CH
inuenza pesantemente tutto il graco.
Ci interesserebbe dunque esprimere unequazione dellandamento del po-
tenziale, ad una generica posizione y. Possiamo dire che:
V
GS
V
FB
= V
OX
(y) +V
S
(y)
Dallanalisi a canale graduale, sappiamo che:
V
S
(y) = 2
p
+
CH
(y)
Sostituendo nella precedente:
V
GS
V
FB
= V
OX
(y)+2
p
+
CH
(y) =V
OX
(y) = V
GS
V
FB
2
p

CH
(y)
Possiamo tentare di introdurre, dal momento che conosciamo esattamen-
te la capacit` a dellossido interpretato come dielettrico in un condensatore,
la carica totale nel semiconduttore, considerabile come somma di carica di
svuotamento Q
d
e di carica di inversione Q
n
:
(Q
d
(y) +Q
n
(y)) = C
OX
V
OX
Da qui, sostituendo:
(Q
d
(y) +Q
n
(y)) = C
OX
(V
GS
V
FB
2
p

CH
(y))
La carica di inversione avr` a unespressione del tipo:
Q
n
(y) = C
OX
(V
GS
V
FB
2
p
+
CH
(y)) Q
d
(y)
Mediante dunque queste equazioni alla maglia, abbiamo trovato une-
spressione della carica di inversione in una generica posizione y. Questa per` o
`e ancora incompleta: non siamo ancora riusciti ad esplicitare la carica di
svuotamento nella generica posizione y, Q
d
(y).
Riettiamo un attimo: le cariche di svuotamento sono strettamente legate
alle zone di svuotamento, del dispositivo. Come sono fatte queste, nello stato
che stiamo studiando? La tensione V
DS
`e positiva dal source S al drain D, e
quindi vedremo una regione di svuotamento crescente nel canale da S a D, ed
una zona molto estesa al drain, poich`e una polarizzazione positiva su di un
semiconduttore drogato tipo n provoca un allargamento della sua tensione di
139
svuotamento, poich`e si eettua una polarizzazione di tipo inverso. La regione
di svuotamento come abbiamo detto sar`a dunque crescente, per culminare
nel drain. Spostiamo dunque temporaneamente lattenzione dalle cariche
di svuotamento, allampiezza delle regioni di svuotamento: vogliamo ora
determinare unespressione di x
d
(y), ossia una funzione in grado di fornirci,
in una generica y, lampiezza della regione di svuotamento in quel punto.
Possiamo dire che x
d
sia una funzione non direttamente di y, quanto della
funzione del potenziale sul canale: come sappiamo il potenziale del canale `e
un valore aggiunto alla tensione totale nel dispositivo, e che eettivamente
lampiezza della regione di svuotamento ne risenta molto:
x
d
(y) ' x
d
(
CH
(y)) =

2
S
(2
p

CH
(y))
qN
A
Questo risultato `e semplicemente unapplicazione dei classici studi elet-
trostatici eettuati sul semiconduttore, precedentemente.
Possiamo dire che la carica di svuotamento al variare di y sia semplice-
mente larea del rettangolo, il prodotto tra laltezza (carica in un punto) e
di ampiezza della regione di svuotamento, utilizzando lipotesi di completo
svuotamento:
Q
d
(y) = qN
A
x
d
(y) =
_
2q
S
N
A
(2
p
+
CH
(y))
Possiamo, dunque, ora che abbiamo ottenuto unespressione operativa
della Q
d
(y), ricavare la Q
n
, sostituendo nellequazione ricavata in precedenza.
Ricordandola, dunque:
Q
n
(y) = C
OX
(V
GS
V
FB
2
p

CH
(y)) Q
d
Vediamo:
Q
n
(y) = C
OX
(V
GS
V
FB
2
p

CH
(y)) +
_
2q
S
N
A
(2
p
+
CH
(y))
Esiste un modo alternativo di esprimere questequazione, mediante alcuni
artici algebrici: se sommiamo e sottraiamo il termine

2q
S
N
A
, si ottiene
che:
Q
n
(y) = C
OX
(V
GS
F
FB

CH
(y))+
_
2q
S
N
A

_
2
p
+
CH
(y)
_
2
p
)

Ora che abbiamo studiato dettagliatamente le cariche, vogliamo nalmen-


te passare al calcolo delle correnti, e nella fatispecie di I
DS
. Come gi`a detto,
140
la corrente in un MOSFET `e prevalentemente di trascinamento; in condizio-
ni statiche deve esserci in ogni punto del dispositivo, la stessa corrente. La
corrente che consideriamo parte dal source ed arriva al drain, quindi procede
in verso positivo sulla direzione dellasse delle y. Consideriamo dunque tra
source e drain un punto generico y, ed un punto ad esso vicinissimo, y + dy.
Poich`e la corrente in questa situazione `e di drift, possiamo quanticarla in
questo punto dicendo che:
I
drift
(y) = q
n
n
INV
(y)(y)WT
INV
= I
DS
Cosa signica ci`o che abbiamo fatto: il numero di cariche di inversione
n
INV
(y) nel generico punto y moltiplicato per la carica fondamentale q e per
la mobilit`a
n
, con trascinamento dovuto al campo elettrico nel punto y, (y),
moltiplicato per la sezione attraversata, ossia il prodotto del lato W e dello
spessore dello strato di inversione T
INV
, ci fornisce, con una convenzione di
segno opposto, la corrente desiderata.
Questespressione contiene due termini che non abbiamo mai discusso o
nominato, ossia lo spessore dello strato di inversione, e il numero di elettroni
nello strato di inversione, rispettivamente T
INV
e n
INV
. Possiamo per` o dire
che
qT
INV
(y)n
INV
(y) = Q
n
(y)
Infatti la funzione Q
n
(y), precedentemente ricavata, `e proprio la carica
totale di inversione nello straterello, per centimetro quadrato. Di fatto, non
conosciamo le due funzioni richieste, ma conosciamo il loro prodotto, e cos`
possiamo sostituirvi lespressione della carica totale per centimetro quadro
precedentemente introdotta, al ne di calcolare la corrente:
I
DS
=
n
Q
n
(y)(y)
Sappiamo anche unaltra cosa: il campo elettrico trascinante gli elettroni
`e la derivata del potenziale di canale rispetto alla generica posizione y:
(y) =

CH
(y)
y
Possiamo dunque dire una cosa: sappiamo, qualitativamente, che il poten-
ziale nel canale `e una funzione monotona crescente, e che quindi la derivata
sar` a una funzione sempre positiva. Possiamo dunque mantenere i segni come
abbiamo fatto, poich`e rispetteranno la convenzione utilizzata.
Sostituiamo tutto, e vediamo che:
141
I
DS
=
n
W(Q
n
(y))

CH
(y)
y

Integrando ambo i membri per tutta la lunghezza del canale di inversione,


e quindi da 0 ad L:
_
L
0
I
DS
y =
_

CH
(L)

CH
(0)
Q
n
(y)
CH
(y)
Ma noi sappiamo che
CH
(0) = 0, e che
CH
(L) = V
DS
. Possiamo
dunque dire che:
I
DS
=

n
W
L
_

CH
(L)

CH
(0)
Q
n
(y)
CH
(y)
Abbiamo tutti i dati: la funzione Q
n
(y) infatti sarebbe:
Q
n
(y) = C
OX
(V
GS
V
FB

CH
(y)) +
_
2q
S
N
A
_
2
p
+
CH
(y)
_
2
p
)
La letteratura classica di dispositivistica `e solita trascurare, nellintegra-
zione, tutti i termini sotto radice, al ne di semplicare i conti. Questa `e
unapprossimazione molto brutale, e molto grossolana, ma che semplica a
tal punto i conti da essere comunemente usata. Un simulatore numerico per
circuiti, quale ad esempio SPICE, considera la formula nella sua forma pi` u
completa. Considerando ad ogni modo esclusivamente i termini polinomiali:
I
DS
=

n
C
OX
W
L
_
(V
GS
V
Tn
)V
DS

V
2
DS
2
_
Questa `e la caratteristica statica del transistore MOSFET, ed `e il risultato
che utilizzeremo in applicazioni pratiche. A partire da qua, possiamo trovare
una grandissima dierenza con il transistore bipolare: il MOSFET ha il gate
isolato, ossia in cui non scorre una corrente. Nella base del BJT, invece, vi `e
una minima corrente.
Ci chiediamo ora, leggendo lequazione della caratteristica statica di un
n-MOS, quale sia il suo andamento. Poich`e non abbiamo unequivalente
della I
B
, non avremo un parametro in corrente da regolare. Lo studio della
caratteristica statica, si pu` o eettuare in questo modo: la variazione di I
DS
,
al variare della tensione V
DS
. Se applichiamo diverse tensioni di gate, tutte
in grado di indurre uno stato di strong inversion, ad esempio:
V
Tn
< V
GS1
< V
GS2
< V
GS3
142
Possiamo vedere che per piccole V
DS
, il MOS si comporta allincirca come
una resistenza. Si ha, crescendo la V
DS
, una zona detta regione quadratica,
dove landamento della corrente `e parabolico, ossia ragurante una para-
bola con coeciente quadratico negativo (parabola rivolta verso il basso).
Sappiamo che quindi la funzione dovrebbe essere monotona crescente no al
massimo, per poi divenire decrescente. Calcoliamo dunque il massimo della
funzione, derivandola rispetto alla variabile V
DS
, e ponendola nulla:
I
DS
V
DS
= 0 =

n
WC
OX
L
[(V
GS
V
Tn
) V
DS
] = 0
Questo si verica quando:
V
DS
= V
GS
V
Tn
Sostituendo dunque lespressione del massimo appena ricavata nella fun-
zione di I
DS
, si ottiene:
I
DS,Max
(V
DS
) =

n
WC
OX
L
_
(V
GS
V
Tn
)(V
GS
V
Tn
)
(V
GS
V
Tn
)
2
2
_
;
I
DS,Max
(V
DS
) =

n
WC
OX
2L
(V
GS
V
Tn
)
2
A seconda della tensione V
GS
applicata sul gate, abbiamo dunque un
diverso valore del massimo della corrente, quanticato. Dopo il massimo
per`o, la caratteristica dovrebbe essere decrescente.
Sperimentalmente, si verica un andamento molto simile a quello che
eettivamente avveniva nel BJT:
Le caratteristiche crescono tutte, al variare del parametro della tensione
di gate V
GS
, e si passa cos` dalla regione quadratica, ad una regione detta di
saturazione (si noti che non centra niente con la regione di saturazione del
BJT: quella che qua `e la regione di saturazione, corrisponde alla regione attiva
diretta del BJT). Possiamo dunque dire che, per V
DS
> V
DSMax
, I
DS,Sat
=
I
DS,Max
. Possiamo dunque riassumere il modello statico, esprimendolo in
modo purtroppo non elegante per quanto corretto (a parte per la grossolana
approssimazione precedentemente fatta e criticata), mediante una funzione
a tratti:
Per V
GS
< V
Tn
, la I
DS
= 0, ed il transistore MOSFET `e OFF;
Per V
GS
> V
Tn
, e V
DS
< V
GS
V
Tn
, il transistore `e in zona quadratica,
e:
143
I
DS
=

n
C
OX
W
L
_
(V
GS
V
Tn
)V
DS

V
2
DS
2
_
Per V
GS
> V
Tn
, e V
DS
> V
GS
V
Tn
, il transistore `e in zona di satura-
zione, e dunque:
I
DS
= I
DS,Sat
=

n
WC
OX
2L
(V
GS
V
Tn
)
2
Possiamo ora cercare di rispondere allultimo dei nostri dubbi, prima di
considerare del tutto terminata la trattazione della caratteristica statica in un
MOSFET: perch`e la corrente aldil`a del valore di massimo diviene costante?
(Anche se si ha un eetto duale delleetto Early, che accenneremo).
Proviamo a pensare alla distribuzione delle cariche nel sistema n-MOS
che stiamo studiando, esaminando le varie zone che abbiamo espresso nella
denizione della funzione a tratti della caratteristica statica.
Date V
GS
= 0, V
DS
= 0, non abbiamo variazioni delle zone di svuota-
mento rispetto alla condizione di equilibrio, quindi possiamo pensare
che la carica sia interamente di svuotamento poich`e non abbiamo uno
stato di strong inversion;
Data V
GS
> V
Tn
, V
DS
= 0, capita che il sistema n-MOS va in stato di
strong inversion, vi `e un aumento dello spessore del canale, dal momen-
to che si induce la carica di inversione Q
n
(precedentemente nulla), e
144
si ha un aumento generale della tensione, che porta anche allaumento
della zona di svuotamento. In prossimit` a dei pozzetti drain e source
per`o non si ha una variazione sostanziale della zona di svuotamento.
Se V
GS
> V
Tn
, V
DS
< V
GS
V
Tn
, capita che si entra nella zona di condu-
zione del canale, le cariche si spostano dal source al drain, e cos` si ha il
dispositivo in zona di saturazione. Vediamo che la zona di svuotamento
tender` a molto a crescere andando dal source verso il drain, per eetto
della tensione di canale
CH
, o se vogliamo della V
DS
che polarizza il
drain. Ma ci`o che sar`a interessante non sar` a solo la crescita della ca-
rica di svuotamento (associata alla crescita dellampiezza della regione
di svuotamento), bens` anche la diminuzione della carica di inversione:
man mano che la tensione aumenta, la carica di inversione diminuisce,
quindi, man mano che si procede dal source verso il drain, la carica di
inversione tender` a a diminuire. Questo perch`e capita il seguente fatto:
aumentando la tensione sul drain, questo per reggerla deve ridurre la
carica di inversione, e cos` in prossimit`a del drain, landamento della ca-
rica andr` a a strozzarsi. Per un caso limite, V
GS
> V
Tn
, V
DS
= V
GS
V
Tn
,
la carica di inversione si annuller` a sul drain, e cos` si avr` a una sorta di
triangolo con base al source e vertice al drain. Considerando una ten-
sione ancora pi` u elevata, V
GS
> V
Tn
, V
DS
> V
GS
V
Tn
, avviene quello
che si chiama Channel Lenght Modulation (modulazione di ampiezza di
canale): questo `e il duale delleetto Early del BJT: il punto ottenuto
dalla precedente osservazione alla tensione limite, tende ad arretrare,
cos` che la lunghezza del canale resistivo anzich`e L sar`a L, e la zo-
na (L-L) restante dalla parte del drain sar`a una zona ad alto campo
elettrico, causato dalla forte tensione applicata sul drain. Gli elettroni
giunti in questa zona verranno sparati nel drain da questo fortissimo
campo provocato dal forte potenziale applicato, tuttavia la corrente
non aumenter` a. Questo modello si pu` o assimilare ad un modello idro-
dinamico: data una cascata la cui pendenza aumenta, ipotizziamo come
la nostra tensione, arrivata ad un certo limite si fermer`a, e non potr` a
pi` u aumentare la corrente dacqua. Questo avviene perch`e lentit`a della
corrente viene regolata dalla zona resistiva, e, al di sopra di un certo
limite, il usso di portatori non aumenter` a.
5.6 Esercizio Pratico
Dato un sistema MOS costituito da un gate di polisilicio drogato n
+
, un
ossido di spessore 300 Amstrong di quarzo, ed un substrato di silicio drogato
145
5 10
16
, con un lato L di 1m, W = 5 m, ed una mobilit`a elettronica

n
= 400:
1. Si determini il diagramma a bande allequilibrio quotato, e si stabilisca
in quale condizione si trova il semiconduttore.
2. Si calcoli la tensione di soglia.
3. Supponendo di disporre di una tensione di alimentazione pari a 5 V, si
calcoli la massima corrente erogabile dal dispositivo MOSFET.
4. Costruire un modello di ampio segnale del dispositivo MOSFET.
5. Si valuti il modello di piccolo segnale alle condizioni del punto 3.
5.6.1 Risoluzione
Diagramma a bande allequilibrio quotato
Partiamo con una considerazione: al posto del gate metallico, ne abbiamo uno
di silicio policristallino. Ci` o non ci provoca alcun problema, in quanto esso `e
del tutto analogo ad un metallo, sotto ogni punto di vista, a parte per laf-
nit` a elettronica, che al posto di 4, 1 varr` a 4, 05. Possiamo immediatamente
valutare il lavoro di estrazione partendo da q
p
, come:
q
p
= E
F
i
() E
F
= kT ln
N
A
n
i
= 0, 39eV
q
S
p
= q
p
+q +
E
g
2
= 5eV
Possiamo dunque dire che il potenziale di contatto, ossia la dierenza tra
i potenziali di metallo e semiconduttore, valga:
q
S
p
q
M
= 0, 95eV
Sappiamo che il potenziale di contatto allora, analogamente,
MS
, varr`a
0,95 eV.
Calcoliamo la capacit`a dellossido, C
OX
:
C
OX
=

OS
T
OX
Possiamo ora calcolare lampiezza della regione di svuotamento nel semi-
conduttore, come:
146
x
d0
=
2
S
C
OX
+

2
S
C
OX

MS
2
S
qN
A
= 90nm
Sappiamo che:
V
S
=
qN
A
x
2
d0
2
S
= 0, 32V ; V
OX
=
MS
V
S
= 0, 63V
Ci troviamo in una zona circa di equilibrio, quindi di fatto siamo in ottime
condizioni: il nostro dispositivo MOS `e costruito ottimamente.
Si calcoli la tensione di soglia
Possiamo passare al secondo punto, ossia al calcolo della tensione di soglia.
Questo `e semplicemente una banale applicazione della teoria; ricordando che:
V
Tn
= V
FB
+ 2
p
+
1
C
OX
_
2q
S
N
A
2
p
Essa si pu` o anche esprimere come:
V
Tn
= V
FB
+ 2
p
+
B
_
2
p
Dove il termine
B
`e il body factor, ed `e uguale a:

B
=

2q
S
N
A
C
OX
Il signicato del body factor pu`o tornare molto utile, in quanto abbiamo
calcolato la tensione di soglia, nella teoria, considerando V
BS
= 0 (per il
solito discorso del cortocircuito tra body/bulk e source. Di fatto, il body
factor considera anche eventuali tensioni tra body e source, quindi possiamo
tenere conto di questa relazione, che potrebbe aiutarci in casistiche generali.
Usando una qualsiasi delle due relazioni, si pu`o facilmente vericare che:
V
Tn
= 4, 18V
Data alimentazione di 5 V, si calcoli la massima corrente erogabile
dal dispositivo MOSFET
Passando al terzo punto, il problema ci fornisce come tensione massima 5 V.
Dalla teoria, sappiamo che, pi` u elevata `e V
GS
, pi` u potremo ottenere correnti
elevate. Possiamo dunque porre senza molti dubbi, V
GS
= 5 V.
147
Per quanto riguarda invece la tensione tra drain e source, V
DS
, `e suciente
che essa sia maggiore o uguale del massimo:
V
DS
V
GS
V
Tn
= 5 0, 82 = 4, 18
Possiamo dunque considerare per comodit`a V
DS
= 4, 18V , e calcolare la
corrente in saturazione, come il massimo della regione quadratica:
I
DS
=

n
C
OX
W
2L
(V
GS
V
T
)
2
= 230AV
2
I
D,Sat
= 2mA
Costruire un modello di ampio segnale del dispositivo MOSFET
Passiamo al quarto punto, pi` u teorico, dellesercizio: la costruzione di un
modello di ampio segnale del MOSFET. Il modello di ampio segnale come
sappiamo deve saper prevedere le condizioni del dispositivo considerando
qualsiasi variazione di tensione con qualsiasi rapidit`a. Il modello di ampio
segnale deve essere il pi` u generale di un dispositivo e anche in grado di preve-
dere comportamenti statici. Da un punto di vista logico, tutto il modello si
baser` a su di un generatore di corrente I
DS
, attorno al quale inseriremo ulte-
riori elementi. Conosciamo gi` a landamento di questo, considerando staticit` a.
In realt` a abbiamo per`o eetti capacitivi, e due diodi (dovuti ai pozzetti di
source e drain). Esiste dunque una capacit`a di svuotamento sia per il source
(C
DEP
(0)), che per il drain (C
DEP
(V
DS
)). Si noti che si usa V
DS
poich`e,
dal momento che il pozzetto di drain `e drogato n+, e la tensione su di esso
`e positiva, allora avremo una polarizzazione inversa sul drain.
Non abbiamo ancora fatto considerazioni sul gate: sul gate abbiamo in-
fatti un condensatore a capacit` a variabile, poich`e anche il gate ha la sua
capacit` a: dal gate si vedono due dielettrici: se il transistore `e spento, per V
S
in zona di equilibrio, siamo in zona di svuotamento nel graco della Q
S
, ossia
della carica del semiconduttore. Man mano che si aumenta la V
S
, si arriva
in zona di weak e poi di strong inversion, e cos` varia radicalmente la carica
contenuta nel semiconduttore.
Sappiamo che la capacit` a dellossido `e costante, e che del semiconduttore
conosciamo landamento della carica complessiva, Q
S
(V
S
). Possiamo dunque
calcolare la capacit`a variabile del semiconduttore, come:
C
S
=
Q
S
V
S
148
Semplicemente, sar`a suciente mettere la capacit` a C
S
in serie con la
capacit` a C
OX
, per completare il modello di ampio segnale.
Si valuti il modello di piccolo segnale alle condizioni del punto 3
Passiamo al modello di piccolo segnale, alle condizioni del terzo punto del
problema: in quelle condizioni, il transistore era saturo, e quindi il modello
di piccolo segnale `e sensato. Scegliamo di considerare come segnale variabile
per il modello, la V
GS
: al ne di modulare la corrente I
DS
, scegliamo sempli-
cemente di modicare lapertura del canale di inversione. Possiamo dunque
dire che:
V
GS
(t) = V
GSop
+v
gs
(t)
Sappiamo che:
I
DS
=

n
2
(V
GS
V
T
)
2
Da ci`o, linearizzando:
I
DS
'

n
2
(V
GSop
V
T
)
2
+
I
DS
V
GS

V
GSop
v
gs
(t)
Possiamo dire che i
ds
(t) = I
DS
(V
GS
) I
DSop
; da ci`o, possiamo denire
il parametro del generatore che useremo in un modello a analogo o quasi
a quello del BJT, ma con una capacit` a tra gate e source, al posto di una
resistenza.
149