33

Aplicacin de la ecuacin de Schrodinger en

heteroestructuras semiconductoras de baja
dimensionalidad
Aplication of Schrodinger equation in low-dimensionality
semiconducting heterostructures
Francis Armando Segovia
Fsico,MagsterenCiencias-Fsica.DocentedelaUniversidadDistritalFranciscoJose
deCaldas.Bogota,Colombia.Contacto:Iasegoviacudistrital.edu.co
Fecha de recepcin: 1 de abril de 2012 Clasicacin del artculo: Investigacin
Fecha de aceptacin: 12 de febrero de 2013 Financiamiento: Universidad Distrital Francisco Jose de Caldas
Palabras clave: ecuaciondeSchrodinger,energiadelestadoIundamental,presionhidrostatica.
Key words: Schrodingerequation,energyleveloIthegroundstate,hydrostaticpressure.
RESUMEN
La investigacion presentada en este articulo esta
orientada hacia el area de materia condensada en
elcampodelaIisicadesemiconductores.Enesta
investigacion se utilizan los principios basicos de
lamecanicacuantica,enespecialeldelaaproxima-
ciondemasaeIectiva.Elobjetivodeestearticulo
esdeterminarlasenergiasdelestadoIundamental,
asicomolasenergiasdetransicionelectron-hueco
cuando una heteroestructura semiconductora de
GaAs-Ga
1-x
Al
x
As estainmersaenunabarreradeGa
1-
y
Al
y
As, porlaaplicaciondeunapresionhidrostatica.
Lametodologiaqueseproponeenelpresentetrabajo
essolucionaranaliticamentelaecuaciondiIerencial
de segundo orden de Schrodinger. Las soluciones
encontradaspermitendeterminarlasIuncionespro-
piasdelaecuaciondiIerencialyademaslasenergias
detransicionenelestadoIundamentalmediantela
aplicaciondelapresionhidrostatica.Losprincipa-
les resultados Iueron encontrados mediante el uso
del soItware Mathematica 5.0, mostrando que en
el regimen de confnamiento Iuerte, para pequeos
anchosdelpozodepotencialdelaheteroestructura
semiconductora, el potencial de confnamiento con
lapresionesmenorparalaIunciondelosportadores
decarga(electron-hueco).Sinembargo,semuestra
que en el regimen de confnamiento dbil los eIec-
tosdelapresionhidrostaticasobrelasalturasdela
barrera son mas signifcativos, y las energias de los
portadoresdisminuyen.
ABSTRACT
The research presented in the Iollowing paper
concerns condensed matter areas in the feld oI
semiconductorphysics.Thisresearchusestheba-
sicprinciplesoIquantummechanics,particularly
eIIectivemassapproximation.TheaimoIthispaper
istodeterminetheenergiesoIgroundstateaswell
astheenergiesoIelectron-holetransitionwhenase-
miconductorheterostructureGaAs-Ga1-xAlxAsis
Revista Tecnura Volumen 17 Numero 37 paginas 33 - 40 Julio - Septiembre de 2013
34 Tecnura Vol. 17 No.37 Julio - Septiembre de 2013
investigacin
immersedinabarrieroIGa1-yAlyAs,byapplying
hydrostaticpressure.Themethodologyproposedin
the present work analytically solves Schrdinger`s
second-order diIIerential equation to fnd solutions
andallowdeterminingthecorrespondingdiIIeren-
tialequationtogetherwiththeenergiesoItransition
inthegroundstate.Thisisaccomplishedthrough
theapplicationoIhydrostaticpressure.Themain
results were obtained using soItware package
Mathematica 5.0. Results indicate a regime oI
strong confnement Ior small widths oI the potential
wellinsemiconductorheterostructures,wherethe
confnement potential lessens with pressure Ior the
charge-carrierIunction(electron-hole).However,
the fndings demonstrate that, in the regime oI weak
confnement, the eIIects oI hydrostatic pressure on
the heights oI the barrier are more signifcant, and
thereisalsoareductionincarrierenergies.
1. INTRODUCCIN
Aunqueelusodematerialessemiconductorespara
aplicaciones electronicas se remonta a mediados
delsigloanterior,noIuesinohastaprincipiosde
los aos setenta, con el trabajo pionero de Esaki
y Tsu |1|, cuando se sugirio la idea de construir
estructuras artifciales de estos materiales. En el
contextodeldesarrollodelatecnologiadelosse-
miconductores,lasheteroestructurassurgieroncon
la fnalidad de disear dispositivos en los que Iuese
posibletenerunciertocontrolsobresuspropieda-
desopticasyelectronicas,esdecir,enciertomodo,
poderdiseardispositivoselectronicosalacarta.En
unaprimeraetapadedesarrollodelasheteroestruc-
turasdesemiconductores,losxitosobtenidosno
Iueronmuynumerososdebido,enparte,alaIalta
decontrolsobrelasimperIeccionesinherentesalos
procesosdecrecimientodelosdistintosmateriales.
LosprimerosxitosvinieronconlaIabricacionde
laseres de inyeccion a partir de heterouniones de
GaAs-AlGaAs, que Iueron crecidas mediante la
tcnicadeepitaxiaenIaseliquida(LPE)|2|,|3|.
No en vano, el desarrollo de las tcnicas de cre-
cimientocristalinoepitaxial,quepermitiolades-
composicion secuencial de capas atomicas sobre
la superfcie de un cristal, supuso el nacimiento
delananoelectronica.Sunacimientohaoriginado
unaautnticarevoluciontecnologica,vigenteenla
actualidad, que se encamina a la miniaturizacion;
***
esdecir,hacialaintegraciondeungrannumerode
componentes(transistores,condensadoresyresis-
tencias)enunaspequeasdimensionesyhaciala
Iabricaciondenuevosmaterialesconpropiedades
Iotoluminisentes, de conduccion elctrica, etc. |4|.
Suspropiedadesoptoelectronicasdependendelos
parametrosdediseoseleccionados(propiedades
quimicasdelosmaterialesquesecombinanygro-
sor de las capas de los materiales escogidos) por
loque,previamentealasintesis,esposibledisear
deIormateoricalananoestructuraconIormealas
particularesaplicacionesconlasqueseconciba.
Todoelintersporconstruirheteroestructurasre-
sideenelhechodeque,apesardelocomplicado
delprocesodecrecimiento,esposiblemanipularel
comportamientodeelectronesyhuecosmediantelo
quesehadadoenllamaringenieriadebandas.Con
el desarrollo de las distintas tcnicas epitaxiales
de crecimiento de superfcies a mediados de los
setenta,enparticulardeladeposicionquimicade
vapores(CVD)ydelaepitaxiaporhacesmolecula-
res(MBE),comenzoasurgirunanuevatecnologia
basada en el diseo de diIerentes tipos de hete-
roestructuras artifciales. Diodos emisores de luz,
transistoresbipolares,transistoresdeeIectocampo,
laseres de cascada, etc., han ido apareciendo, y
suspropiedadessehanvistomejoradasmercedal
empujerealizado,tantodesdeelpuntodevistatec-
nologicocomodesdeelpuntodevistadelamejor
comprensionteoricadelaIisicadeestossistemas.
35
Aplicacin de la ecuacion de Schrodinger en heteroestructuras semiconductoras de baja dimensionalidad
FrancisArmandoSegovia
investigacin
Sinembargo,desdeunpuntodevistaaplicado,las
heteroestructurasdesemiconductoresconstituyen
una excelente herramienta para estudiar los mas
diversosIenomenosIisicosantelaposibilidadde
jugar con su dimensionalidad a la hora de confnar
losportadoresdecargaencero,unaydosdimensio-
nes.Asi,sehanusadosuperredes,pozoscuanticos,
barrerasdobles,etc.,parainvestigar,desdeunpunto
de vista Iundamental, diversos Ienomenos como
eleIectoHallcuantico,lalocalizacionensistemas
desordenados y la transicion metal-aislante |5|, |6|.
Durante mucho tiempo, la investigacion en el
campo de los sistemas electronicos se limito al
estudio de los atomos, molculas y cristales que
nosproporcionalanaturaleza.Estossistemasson
tridimensionales, cuando el confnamiento espa-
cialesdelmismoordenenlastresdireccionesdel
espacio, aunque tambin existen ordenamientos
cuasi-unidimensionales o cuasi-bidimensionales,
sobretododesubstanciaspolimricas.Sinembargo,
la fexibilidad y control en el diseo de estructuras
semiconductorasdetamaonanoscopicoenlascua-
les los portadores de carga se confnan a voluntad en
una,dosotresdireccionesdelespacio,supusouna
autnticainnovaciontantodesdeelpuntodevista
delasaplicacionescomodelainvestigacionbasica.
LospuntoscuanticosQDs(0D)sonunmiembrode
lasestructurascuanticasdebajadimension,entre
lasquetambinseencuentranlospozoscuanticos
QWs(2D)yloshiloscuanticosQWWs(1D).La
diIerenciaentreestasestructurasresideenelgrado
de confnamiento. Un pozo cuantico se sintetiza por
ladeposiciondeunascapasatomicasdematerial
B,quesesituanenuncristaldematerialA,elcual
presentaunaenergiaparalabandadeconduccion
superioraladematerialB.
Enelpresentetrabajoseanalizaelestudiodelas
energias del estado Iundamental de portadores
(electron/hueco) en Iuncion de la geometria del
sistemaaestudiaryporotrolado,setieneencuenta
eleIectodelapresionhidrostaticasobrelosestados
deenergiadeportadoresdecargaydetransicion
electron-hueco.
2. METODOLOGA
Elsistemaobjetodeestudioconsisteenunacaja
cuanticadeGaAsrodeadade .Enla
fgura 1 se muestran las capas de los diIerentes
materiales utilizados y los esquemas de energias
correspondientes.Consideramosladireccion| | 100
comoladirecciondecrecimientodelaestructura:
Figura 1.Representaciondelaheteroestructurasemiconductora.
Fuente:elaboracionpropia.
ElHamiltonianodeunelectron(hueco)enausencia
decampomagntico, esdeterminadoporelpoten-
cial de confnamiento de la capa de
queestarodeadaporlaestructurade :
( ), ,
2
,
*
,
2
,
z V
m
p
H
h e
h e
h e
+ =
(1)
dondeelprimertrminocorrespondealaenergia
cinticadelelectron(hueco),

*
e
m
(
*
h
m
)eslacorres-
pondientemasaeIectivayelsegundotrminoesel
potencial de confnamiento dado por:
( )

+ s < > >

+ > <
s s
=
b L z L L a z L para V
b L z L a z para V
L z L para
z V
2 2 , 2 2
2 , 2
2 2 0
2
1
(2)
36 Tecnura Vol. 17 No.37 Julio - Septiembre de 2013
investigacin
( )

>
<
=
R para V
R para
V

2
0
(3)
AcontinuacionvamosasolucionarelHamiltoniano
ecuacion (1) para el sistema ilustrado en la fgura
1,porsimplicidadvamosaobviarlossubindices.
Paralasoluciondelhamiltonianodelproblemacon-
siderado,laecuaciondeSchrodingerestacionaria
vienedadapor:
). , , ( ) , , ( ) , (
2
) , , (
2
*
2
z E z z V
m
z H + = +
(

+ V = +
=
(4)
Debido a la simetria, en coordenadas cilindricas
ecuacion (4) se reescribe de la siguiente Iorma,
+ = + +
(

c
c
+
c
+ c
+
|
|
.
|

\
|
c
+ c
c
c
E z V
z m
) , (
1 1
2
2
2
2
2
2 *
2

=
(5)
Deacuerdoalmtododeseparaciondevariables,
podemosescribirlaIunciondeondacomo:
). ( ) ( ) ( ) , , ( | _ z z = +
(6)
Reemplazando ecuacion (6) en la ecuacion (5),
obtenemoslasecuacionesdiIerencialesquerigen
ladependenciadecadaunadelasIuncionesdela
ecuacion (6) y se obtiene la ecuacion (7), (8) y (9),
0 ) (
2 1
2
2
2
*
=
(

'
+
|
|
.
|

\
|
c
c
c
c
_

E
m
V
m
=
(7)
| | 0 ) (
2
2
2
*
2
= +
c
c

z
E z V
z m
=
(8)
0
2
2
*
2
2
=
'
+
c
c
|

|
=
m m
(9)
Enlasecuacionesanteriores,

E y
z
E representan
respectivamentelasenergiasenlaparteradial
yenladireccionzdecrecimientodelaestructura,
paraellodebemostenerlascondicionesdadasporla
ecuacion (2) y la ecuacion (3). Ademas, defnimos a
m' comounaconstantedeseparacion,paraelcaso
de inters trabajaremos en el estado Iundamental
donde 0 = ' m , por lo tanto las soluciones de la
ecuacion (9) seran de la Iorma ( ) 1 = =
'
|
m i
e
.Facilmenteseencuentraquelassolucionesdelas
ecuaciones diIerenciales ecuacion (7) y ecuacion
(8) vienen dadas por:
(10)
(11)
Siendo ) (
0
k J ' y ) (
0
k K las Iunciones de
Bessel de primera y segunda especie respectiva-
mente,A, B, C, D, F, G, H, M, NyLconstantes,
mientras que , , ,
3 2 1
k k k k' y k vienen determi-
nadasporlaecuacion(12):
) (
2 2
, ) (
2
, ) (
2
,
2
2
2
*
2
*
2
2
*
3 1
2
*
2
2
*
1
V E
m
k y E
m
k
E V
m
k E V
m
k E
m
k
z z z
= = '
= = =

= =
= = =
(12)
37
Aplicacin de la ecuacion de Schrodinger en heteroestructuras semiconductoras de baja dimensionalidad
FrancisArmandoSegovia
investigacin
Las anteriores Iunciones de onda nos permitiran
determinarlaenergiadelestadobaseparaelectron
(hueco)enelsistemaconsiderado.
Acontinuacionpresentamoslosresultadosquese
obtienenparalasenergiasdelestadoIundamental
delelectron(hueco),paraelloseaplicanlascondi-
cionesusualesdecontinuidadparalasIuncionesde
ondaysusderivadasencadaunadelasIronteras
(fgura 1). Los resultados numricos presentados en
lasiguienteseccionseobtienenmedianteelusodel
paquete matematico Mathematica 5.0.
LasenergiasenelestadoIundamentaldeloselec-
trones(huecos)sedeterminanapartirdelasolucion
delasecuacionestrascendentalesen yz,quese
consiguendelaecuacion(10)ylaecuacion(11),al
aplicarlascondicionesdeIronterasobrecadauna
delasIuncionesdeonda,sedemuestraquelasecua-
cionestrascendentalesaresolversondelaIorma:
) (
) (
) (
) (
0
1
1
0
kR K
kR K
R k J
k R k kJ
'
' = '
(13)
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( ) . 0
2
3
cos
2
3
cos
2
3
sin
2
cos
2
3
sin 2
2
sin
2
sin 2
2
cos
1 2
1
2
2 2
1 2
1
2
2 2
1
1
1 2
1 2
2
2
1
1 2 1
1
1
1
1 2 1
1 2
1 2
2
2
= |
.
|

\
|
+ + |
.
|

\
|
+
|
.
|

\
|
+ |
.
|

\
|
+ + |
.
|

\
|

+ |
.
|

\
|
|
.
|

\
|
|
.
|

\
|

b k
k k k Z
b k
k k k Z
b k
k Z
b k
k k k Z
b k
k k k Z
b k
k Z
b k
k k k Z
b k
k k k Z
X Y
Y Y X
Y X X



(14)
En la ecuacion (14) hemos utilizado las siguientes
substituciones, dadas por ecuacion (15),
( )
d k
X
e k k Z
2
2 3
+ =
,
( )
d k
Y
e k k Z
2
2 3

) ( ) (
) ( 2
3 2
2
3 2
3 2 2
2
k k e k k
k k k
a k
+ +

=
(15)
En defnitiva, el problema planteado en este trabajo
seresuelvemediantelassolucionesdelaecuacion
(13) y la ecuacion (14).
3. RESULTADOS
En la fgura 2 presentamos la energia del estado
baseenunpuntocuanticodeGaAsconradiode
100AcomoIunciondelalongituddelpuntopara
diIerentes espesores de las barreras de potencial.
La fgura 2(a) representa la energia del estado base
paraelectrones,mientrasqueparaloshuecosviene
representado por la fgura 2(b).
Figura 2.Energiadelestadobaseenunpuntocuantico
deGaAsinmersoenunsistemadeGa
0,6
Al
0,4
Ascomo
IunciondelalongituddelpuntoparadiIerentesespe-
sores de las barreras: ab10, 20, 50A.
Fuente:elaboracionpropia.
38 Tecnura Vol. 17 No.37 Julio - Septiembre de 2013
investigacin
Lalineasolidaeslaenergiatotal,mientrasquela
lineapunteadaeslaenergiaenladireccionz.
De la fgura anterior se muestra que la energia del
electron(hueco)disminuyesilalongituddelpunto
cuanticoaumenta,ademasseobservaquelaenergia
para el confnamiento total (linea solida) es mayor
que cuando se considera el confnamiento 1D (direc-
cionz).OtrohechoIundamentalestarelacionadocon
lapresenciadelasbarrerasdepotencial,seobserva
que su infuencia es mayor para valores menores del
ancho de las barreras con potencial de confnamiento
2
V .Estasituacionessimilartantoparalasenergias
deelectronescomoparaloshuecos.
En la fgura 3 presentamos la energia para el electron
enunpuntocuanticodeGaAsderadio100Ainmerso
en un sistema de Ga
0,7
Al
0,3
As como Iuncion de la
posiciondelpuntodentrodelsistemaGa
0,6
Al
0,4
As.
Observamosquelaenergiadisminuyeamedidaque
elpuntoseacercaalabarreradepotencial
1
V .Es
importante recalcar que para pequeas longitudes
del punto cuantico (L _ 10 A) la energia del estado
Iundamentalpresentauncomportamientosimilarala
energiaquepresentaunaimpurezahidrogenoideen
unpozocuantico,alambrecuanticoypuntocuantico.
Figura 3. EnergiadelelectronenunpillboxdeGaAsconR100A
inmerso en un sistema de Ga
0,6
Al
0,4
As como Iuncion de la posicion
del pillbox dentro de la estructura de Ga
0,6
Al
0,4
As, para diIerentes
longitudes.
Fuente:elaboracionpropia.
Para tener en cuenta los eIectos de la presion y la
temperaturasobrelosestadosenergticosdelosporta-
dores(electron-hueco),elHamiltonianorepresentado
por las ecuaciones (1) y (4) puede ser escrito como:
), , , (
) , ( 2
2
*
,
2
T P z V
T P m
H
b w
+ V =
=
(16)
En la ecuacion (16) los subindices wybrepresentan
losmaterialesdelpozocuanticoylasbarrerasde
lascapas,respectivamente.
Las masas eIectivas parabolicas de conduccion
) , (
*
T P m
wc
y ) , (
*
T P m
bc
como Iuncion de la
Presion(P)yTemperatura(T)vienendeterminados
porlaecuacion(17):
( )
( ) ( )
.
341 , 0 ,
1
,
2
51 , 7 1 ,
0
1
m
T P E T P E
T P m
g g
c w

(
(

|
|
.
|

\
|
+
+ + =
(17)
Enlaecuacion(17),
g
E eselgapdeenergiadependiente
delapresionsobreelsemiconductordeGaAspara
bajas temperaturas en el punto I, el cual viene
expresadoasi:
(18)
LadependenciadelamasaeIectivadelabarrera
conlaconcentraciondealuminioxes:
0
083 , 0 m x m m
c w c b
+ =
(19)
De la ecuacion (18) se debe tener en cuenta que
cuando la temperatura y la presion hidrostatica
aplicadavanasertomadasencuenta,elpotencialde
confnamiento dependera de estas cantidades Iisicas,
estoes

) , , ( T P z V V =
.Ademastantoelanchodel
39
Aplicacin de la ecuacion de Schrodinger en heteroestructuras semiconductoras de baja dimensionalidad
FrancisArmandoSegovia
investigacin
pozocomoelradiodelpuntocuanticodependendel
esIuerzoaplicado,elcualpuedeserdeterminadopor
sucambioIraccional,teniendoencuentaquepara
unaestructuraZinc-Blendaesecambioes,
( ). 2 3
12 11
S S P
V
V
+ =
o
(20)
En la ecuacion (20) los coefcientes
y sonlasconstanteselasticaspara
elGaAs.
Acontinuacionpresentamoslosresultadosdelos
eIectos que tiene la presion hidrostatica aplicada
enelrgimendebajastemperaturassobrenuestra
estructura; para ello hemos utilizado los siguientes
valores:
0
*
0665 , 0 m m
e
= ,
0
*
3 , 0 m m
h
= yelvalor
delaconstantedielctrica .Hemosasu-
midoqueladiscontinuidadenelgapdeGaAs-Ga
1-
x
Al
x
Asdelpuntocuanticoestadistribuidocercade
40 sobre la banda de valencia y a un 60 sobre
la banda de conduccion, con una diIerencia en
el gap
g
E A entre GaAs y Ga
1-x
Al
x
As dado como
unaIunciondelaconcentraciondeAluminio para
,por .
En la fgura 4 se representa el comportamiento de
laenergiadelelectroncomoIunciondelapresion
hidrostatica,paradosvaloresdelanchodelpozo,
L10 A (fgura 4 (a)) y L50 A (fgura 4 (b)). Se
observaqueestasenergiasdecrecenconlapresion
hidrostatica,principalmentedebidoaladisminu-
ciondelaalturadelabarrera
2
V conlapresion.
De acuerdo con estos resultados, un importante
hechoesquelabarreradepotencial
2
V modifca
la energia de los portadores en los regimenes de
confnamiento Iuerte y dbil de los portadores.
Figura 4.EnergiadelelectroncomoIunciondelapresion
hidrostaticaaplicadasobreunpuntocuanticode
GaAs- GaAs-Ga
1-x
Al
x
As inmersoenunsistemade Ga
1-y
Al
y
As con
x=0,3 (
2
V
) y=0,4 (
1
V

), paradoslongitudesde
(a) L=10 y (b) L=50.
Fuente:elaboracionpropia.
4. CONCLUSIONES
Enestetrabajo,usandolaaproximaciondelamasa
eIectiva, se ha calculado la energia del estado
Iundamentaldelelectronydelhuecoenunpunto
cuanticodeGaAs-Ga
1-x
Al
x
As,inmersoenunaba-
rreradeGa
1-y
Al
y
AsenIunciondelalongituddel
punto cuantico cuando el espesor de las barreras
depotencialpermanececonstante,enIunciondel
espesordelabarreradepotencialparaunalongitud
del punto cuantico fja y en Iuncion de la posicion
delpuntocuanticodentrodelmaterialhospedero,
Ga
1-y
Al
y
As,paradiIerentesconcentracionesxey
dealuminio.
40
investigacin
Seencontroquelasbarrerasdepotencialdelmaterial
hospedero, Ga
1-y
Al
y
As, originan un aumento en la
energiadelosportadores(electronyhueco)amedida
queestasseaproximanalpuntocuanticodeGaAs-
Ga
1-x
Al
x
As y tambin que para alto confnamiento
cuanticoelsistemanopresentaestadosligados.
Porotraparte,cuandoseaplicapresionhidrosta-
ticaalaestructura,seencontroquelaenergiadel
estadoIundamentaldelelectrondecrecedebidoa
la disminucion de los potenciales de confnamiento
1
V
y
2
V .
Secomproboqueenpuntoscuanticos,aligualque
enpozoscuanticos,laenergiadetransicionelectron-
huecoligero(e-lh)yelectron-huecopesado(e-hh)
aumentaconlapresionhidrostatica.Seencontrouna
excelente concordancia con los resultados experi-
mentalesreportadosenpozoscuanticoscuandose
hizoellimitedenuestropuntocuanticoalaestruc-
turadepozocuantico.
REFERENCIAS
|1| L. Esaki, and R. Tsu, 'Superlattice and
negative diIIerential conductivity in semi-
conductors,IBM J. Res. Dev., vol. 14, pp.
20-21, May. 1987.
|2| X. Liu, X.Wang, and B. Gu,Plasmons in
asymmetric double quantum well struc-
tures, Eur. Phys. J. B., vol. 30, pp. 339-
342, Jul. 2002.
|3| Y. Fedutik, V. Temnov, O. Schops, and U.
Woggon,Exciton-plasmon-photon conver-
sion in plasmonic nanostructures, Phys.
Rev. B., vol.43, pp. 1368021-13680214,
Sep.2007.
|4| D. Chang, A. Sorensen, E. Demler, and M.
Lukin, 'A single-photon transistor using
nanoscale surIace plasmons, Nature, vol.
3, pp. 807-811, Aug. 2007.
|5| U. Hohenester, and J. Krenn, 'SurIace
plasmon resonances oI single and coupled
metallicnanoparticles:Aboundaryintegral
method approach, Phys. Rev. B., vol.72,
pp. 1954291-1954299, nov. 2005.
|6| S.Li, K. Chang, and J.Bai,'EIIective-mass
theoryIorhierarchicalselI-assemblyoIGaAs/
AlxGa1xAs quantum dots,Phys. Rev. B.,
vol.71, pp. 1553011-1553017, Feb. 2005.
Revista Tecnura Volumen 17 Numero 37 paginas 33 - 40 Julio - Septiembre de 2013