Revista Colombiana de F sica,Vol. 40, No.

1, Abril 2008

Reectividad DRX y Propiedades Magn eticas de Pel culas Delgadas de Hematita F e2O3
J.D. Uribe a , J. Osorio a , O. Arnache a , D. Girat a a , A. Hoffmann
a Instituto b Materials

de F sica, Universidad de Antioquia. Medell n. A.A. 1226, Colombia Science Division, Argonne Nacional Laboratory. Argonne, Illinois 60439

Recibido 23 de Oct.2007; Aceptado 3 de Mar.2008; Publicado en l nea 15 de Abr.2008

Resumen En este trabajo se presenta un an alisis de medidas de reectividad DRX y medidas magn eticas en pel culas delgadas de hematita ( F e2 O3 ) crecidas sobre sustratos de di oxido de silicio (SiO2 ), usando la t ecnica magnetron sputtering RF para diferentes tiempos de crecimiento. De las medidas de reectividad DRX se calcul o la tasa de cre-cimiento en funci on del tiempo, encontr andose un espesor de 73 1 nm por hora. De las medidas de magnetizaci on como funci on de la temperatura, M(T), se observa que la magnetizaci on incrementa linealmente con la temperatura hasta 160 K, este valor de temperatura esta relacionado con la transici on de Morin (TM ), que presenta una reducci on con respecto al valor reportado para las muestras en bloque. Finalmente, las curvas de magnetizaci on en funci on del campo magn etico a temperatura constante, M(H), presentan hist eresis asociada al comportamiento d ebilmente ferromagn etico de la pel cula de F e2 O3 y encontramos un valor de 970 Oe para el campo coercitivo (HC ) de la pel cula delgada. xidos de hierro, hematita. Palabras Clave: Reectividad DRX, magnetizaci on, pel culas delgadas, o Abstract This work is a study of low-angle reectivity 2 x-ray diffraction (XRD) and magnetic measurements on hematite ( F e2 O3 ) thin lms. The samples were grown by RF magnetron sputtering on silicon dioxide (SiO2 ) substrates using different growth time. By low-angle reectivity XRD we found a thickness of 73 1 nm/hour. Magnetization as a function of temperature, M(T), showed a linear increasing of magnetization from 5 K to 160 K, related with the Morin transition. The highest temperature value is the transition temperature (TM ), indicating a reduction of TM relative to bulk hematite value. Finally, we carried out measurements of magnetization as a function of applied magnetic eld leaving the temperature constant, M(H). The loops exhibits hysteresis which is related to the weakly ferromagnetic behavior of F e2 O3 thin lm. The value of coercive eld was 970 Oe. Keywords: Reectivity XRD, magnetization, thin lms, iron oxides, hematite c 2008. Revista Colombiana de F sica. Todos los derechos reservados.

1. Introducci on xido de hierro terLa hematita ( F e2 O3 ) es un o modin amicamente estable con estructura cristalina hcp. Es un material semiconductor con una brecha de energ a alrededor de 2,0 eV. Entre la transici on de Morin (250 K) y la temperatura de N eel (960 K) la hematita pu-

ra es d ebilmente ferromagn etica debido a una peque na inclinaci on en la ali-neaci on de los planos antiferromagn eticos en su estructura, por debajo de la transici on de Morin se comporta antiferromagn eticamente[1]. Recientes estudios se han enfocado en las propiedades pticas y el estructurales, o ectricas de las pel culas delgadas de F e2 O3 , debido a sus aplicaciones como

J.D. Uribe et al. Reectividad DRX y Propiedades Magn eticas de Pel culas Delgadas de Hematita sensores de gas y de humedad y como recubrimientos pticos[2]. En deposiciones por pulverizaci o on cat odica (sputtering), la naturaleza del sustrato, la temperatura, la presi on y la calidad del vac o son algunos par ametros que inuyen en las propiedades de las pel culas[3]. Con este trabajo se pretende encontrar la tasa de crecimiento en el sistema magnetr on sputtering y determinar las propiedades magn eticas m as importantes de las pel culas de F e2 O3 con el n de aplicarlos como recubrimientos protectores de la corrosi on de aceros y otros metales [4]. 2. Detalles Experimental d= Las pel culas delgadas de hematita fueron depositadas sobre sustratos de di oxido de silicio (SiO2 ) a una temperatura de 400 C usando la t ecnica magnetron sputtering RF en atm osfera de arg on a partir de un blanco de hematita de alta pureza (99,95 %). La presi on total y la potencia RF se mantuvieron constantes a 10 mTorr y 30 W, respectivamente. Se prepararon muestras de 1 y 2 horas. Se realizaron medidas de reectividad ngulo 2 entre 0,2 y 3,0 , usando un DRX a bajo a difract ometro Phillips XPER-PRO, con fuente de CuK. La velocidad del barrido fue de 30 s por paso de 0,01 . Se hicieron medidas de magnetizaci on en funci on de la temperatura, M(T), en un magnet ometro SQUID MPMS, Quantum Desing; desde 300 K enfriando sin campo magn etico hasta 5 K, luego se midi o durante el calentamiento de la pel cula hasta 300 K, aplicando un campo magn etico constante de 1 KOe paralelo al plano de la pel cula. Las medidas de magnetizaci on en funci on del campo magn etico aplicado, M(H), se realizaron en un Sistema de Mediciones de Propiedades F sicas (PPMS), Quantum Desing; a una temperatura constante de 230 K. Los resultados de las medidas magn eticas que se presentan en este trabajo fueron obtenidos luego de eliminar la contribuci on diamagn etica del sustrato de SiO2 . 3. Resultados y discusi on La gura 1 muestra el patr on de difracci on obtenido ngulo 2 para la pel a bajo a cula de F e2 O3 crecida durante 1 hora. Dentro del barrido angular realizado encontramos un pico intenso en 0,45 , alrededor del cual se pueden identicar los picos asociados a la interferencia entre la supercie de la pel cula y la interfaz sustrato-pel cula. Debido al tama no nito de los picos y al incluir el ndice de refracci on de la pel cula es necesario usar la ley modicada de Bragg[5]. Luego de 121 encontrar la posici on de los picos asociados a la interferencia se hace un ajuste lineal en una gr aca Sen2 2 vs. (n + k ) , donde k = 0 para los m nimos de intensidad y k = 1/2 si es un m aximo de intensidad, n = 1, 2, 3, 4 es un entero. Del ajuste se encuentra una pendiente B = 1,11096 x 106 y se utiliza la forma mod, icada de la ley de Bragg (Ec. 1) para = 1,5406A con la cual se encuentra un espesor d = 73 1 nm para la pel cula. En consecuencia, la tasa de crecimiento de las pel culas en el sistema magnetr on sputtering RF con las condiciones de potencia y presi on trabajadas (Sec:) es de 1,22 0,02 nm por minuto. 2B 1 / 2 (1)

En la gura 2 se presenta la magnetizaci on como funci on de la temperatura, M(T), para la pel cula crecida durante 2 horas de F e2 O3 . Se encuentra un incremento suave de la magnetizaci on con la temperatura hasta un valor de 13,6(1) emu/cm3 . Este aumento representa la transici on desde un estado antiferromagn etico transici a un estado d ebilmente ferromagn etico o on de Morin, caracter stico del sistema F e2 O3 [1]. Esta transici on se presenta a una temperatura alrededor de 160 K en nuestro sistema. La reducci on en la temperatura de la transici on de Morin, TM , en comparaci on con el valor reportado para muestras en bloque (260 K)[6] se puede asociar al cambio en la dimensionalidad del sistema, cambios en la estequiometr a, cristalinidad de la estructura, tensiones en la pel cula y efectos superciales. En la gura 3 se observa la dependencia de la magnetizaci on con el campo magn etico aplicado a una temperatura constante de 230 K, M(H), para la pel cula crecida durante 1 hora. La curva presenta hist eresis reejando el comportamiento d ebilmente fe-rromagn etico de la pel cula de F e2 O3 . El ciclo de hist eresis es sim etrico respecto al origen y la magnetizaci on presenta p erdida de saturaci on a altos campos magn eticos, debido a que no es posible eliminar completamente la se nal diamagn etica del sustrato de SiO2 . Finalmente, se encuentra un valor de 970 Oe para el campo coercitivo, HC . 4. Conclusiones Las pel culas delgadas de F e2 O3 /SiO2 fueron crecidas mediante la t ecnica magnetron sputtering RF. De las medidas de reectividad DRX se obtuvo el espesor de las pel culas y la tasa de deposici on. Las curvas de magnetizaci on en funci on de la temperatura, M(T), muestran un comportamiento cualitativamente an alogo

rev.col.s(c),vol.40,No 1(2008)
ctas)
0,000090

Fe O
2

/ SiO

25

2
20

4
0,000085

Reflectividad - DRX (x10

15

3
0,000080

10

0,000075

1
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

0,000070

sen

2 ( )

2 3 4

0,000065

0,000060

0,000055

Y = 3.97653 x 10

- 5

+ 1.11096 x 10

- 6

t = 1 hora
0,000050

0 0,8 0,9 1,0 1,1

10

15

20

25

30

35

40

45

(grados)

(n+k)

Figura 1. Reectividad DRX vs 2 en pel culas delgadas de F e2 O3 y ajuste para el c alculo del espesor

22

Magnetizacin (emu/cm )

Magnetizacin (emu/cm )

20

2 horas

-Fe O
2

/ SiO

18

T = 230K 2 horas

16

14

12

10

0
3

Magnetizacin (emu/cm )

-2

-Fe O
2

/ SiO

-4

-1

Campo Magntico Aplicado 1 KOe

-2

-6

-3 -4000 -2000 0 2000 4000

0 0 50 100 150 200 250 300

-8 -20000 -10000 0

Campo Magntico (Oe)

10000

20000

Temperatura (K)

Campo Magntico (Oe)

Figura 2. M(T) de pel culas delgadas de F e2 O3

Figura 3. M(H) de pel culas delgadas de F e2 O3

al del sistema F e2 O3 en bloque, pero la temperatura de la transici on de Morin presenta una notable disminuci on asociada al cambio en la dimensionalidad del sistema y a las diferencias estructurales que se presentan en sistemas en forma de pel cula. De los resultados de magnetizaci on en funci on del campo, M(H), se aprecia un comportamiento d ebilmente ferromagn etico para una temperatura de 230 K caracter stico del sistema F e2 O3 . Agradecimientos Este trabajo fue apoyado por los proyectos Instru mentaci on Optica para el Estudio de Materiales, CODI o N E01248 y Sostenibilidad 2007 2008del Grupo de

Estado S olido, U. de A., y por el Centro de Excelencia para Nuevos Materiales, COLCIENCIAS 043 2005. Referencias
[1] D. Adler, Solid State Physics. 21(1968)1. [2] J. A. Glasscock, P. R. F. Barnes, I. C. Plumb, A. Bendavid and P. J. Martin, Thin Solid Films. Article in press (2007) [3] L. Pan, G. Zhang, L. Fan, H. Qiu, P. Wu, F. Wang and Y. Zhang, Thin Solid Films. 466(2005)63. [4] J. D. Uribe, J. Osorio, C. A. Barrero, D. Girat a, A. L. Morales, A. Devia, M. E. G omez, J. G. Ramirez, J. R. Gancedo, Hyperne Interact. 169(2006)1355. uller and M. Murakami in: Introduction to Solid State [5] A. Segm Physics, ed. K. J. Klabunde (Academic Press), Orlando, 1985 [6] N. Amin and S. Arajs, Phys. Rev. B 35 (1987) 4810.

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