1851 Pub

2012
Autor: Jordi Pallej Cabr

Director: Jordi Garcia Amors
Universitat Rovira i Virgili
Setiembre 2012
Estudio de la afectacin de las sombras en
un panel fotovoltaico
1

Departamento de Ingeniera Electrnica, Elctrica y Automtica

Estudio de la afectacin de las
sombras en un panel fotovoltaico

ndice general 0.

04/09/2012
2

NDICE GENERAL ................................................................................................................ 1 0.
0.1. NDICE DE TABLAS ............................................................................................................ 4
0.2. NDICE DE FIGURAS .......................................................................................................... 4
0.3. NDICE DE ECUACIONES ................................................................................................... 7
NORMAS Y REFERENCIAS ................................................................................................ 8 1.
1.1. NORMATIVA ................................................................................................................... 10
1.2. REFERENCIAS ................................................................................................................ 10
1.2.1. Bibliografa ...................................................................................................................... 10
1.2.2. Pginas web ..................................................................................................................... 11
1.2.3. Programas utilizados ....................................................................................................... 11
MEMORIA ........................................................................................................................... 12 2.
2.1. ANTECEDENTES: ............................................................................................................ 14
2.2. ENERGA SOLAR: ........................................................................................................... 14
2.2.1. Energa solar directa: ...................................................................................................... 14
2.2.2. Energa solar trmica: ..................................................................................................... 14
2.2.3. Energa Solar Fotovoltaica: ............................................................................................. 14
2.3. MARCO NORMATIVO ...................................................................................................... 15
2.4. EL EFECTO FOTOELCTRICO: .......................................................................................... 17
2.4.1. Generalidades: ................................................................................................................. 17
2.5. LA CLULA SOLAR: ......................................................................................................... 20
2.6. EL PANEL FOTOVOLTAICO: .............................................................................................. 21
2.6.1. Composicin y geometra: ............................................................................................... 21
2.7. CARACTERSTICAS ELCTRICAS: ..................................................................................... 22
2.7.1. Potencia Mxima de Salida .............................................................................................. 22
2.7.2. Curvas I-V ........................................................................................................................ 22
2.7.3. Intensidad ......................................................................................................................... 24
2.7.4. Efecto de la temperatura .................................................................................................. 24
2.7.5. Mxima potencia de salida .............................................................................................. 25
2.7.6. Temperatura de trabajo del panel: .................................................................................. 26
2.7.7. Evaluacin de la potencia de salida: ............................................................................... 26
2.8. ORIENTACIN INCLINACIN Y SOMBRAS........................................................................... 28
2.8.1. Generalidades: ................................................................................................................. 28
2.8.2. La influencia de la orientacin e inclinacin ................................................................... 29
ANEXO 1: ESTUDIO SOMBRAS ....................................................................................... 32 3.
3.1. COMPORTAMIENTO DE LAS CLULAS CON SOMBRAS......................................................... 34
3.1.1. Descripcin general ......................................................................................................... 34
3.1.2. Descripcin del estudio .................................................................................................... 37
3.1.3. Estudio sobre el caso........................................................................................................ 38
3.2. COMPORTAMIENTO DE LOS MDULOS CON SOMBRAS ....................................................... 39
3.2.2.1. Mdulos Fotovoltaicos .................................................................................................. 39
3.2.2.2. Analizador de curvas .................................................................................................... 41
3.2.3. Curvas I-V de mdulos fotovoltaicos sin sombreados ...................................................... 42
3.2.4. Curva I-V de los mdulos 1 y 2 ........................................................................................ 43
3.2.5. Curva I-V de los mdulos 1, 2 y 3 .................................................................................... 44
3.2.6. Curva I-V de los mdulos 1, 2, 3 y 4 ................................................................................ 45
3.2.7. Curva I-V de los mdulos 1, 2, 3, 4 y 5 ............................................................................ 46
3.2.8. Curva I-V de los mdulos 1, 2, 3, 4, 5 y 6 ........................................................................ 46
3.2.9. Curvas I-V de mdulos fotovoltaicos con diversas sombras ............................................ 48
3

3.2.9.1. Caso 1: Tres mdulos con la primera hilera de clulas con sombra ............................ 48
3.2.9.2. Caso 2: Tres mdulos con sombra en la cuarta hilera de clulas ................................ 50
3.2.9.3. Caso 3: Tres mdulos con la primera columna del primer mdulo con sombra. .......... 51
3.2.9.4. Caso 4: Tres mdulos con sombra en una hilera del primer mdulo ........................... 52
3.2.9.5. Caso 5: Tres mdulos con sombra horizontal en dos mdulos .................................... 54
3.2.9.6. Caso 6: Tres mdulos con sombras verticales de diferente longitud en dos mdulos . 55
3.2.9.7. Caso 7: Tres mdulos con sombra oblicua en el primer mdulo .................................. 56
3.2.9.8. Caso 8: Tres mdulos con sombra oblicua en dos mdulos ........................................ 58
3.2.9.9. Caso 9: Tres mdulos con sombra en una clula del primer mdulo ........................... 59
3.2.9.10. Caso 10: Tres mdulos con sombra en una clula del primer y tercer mdulo ........ 60
3.2.9.11. Caso 11: Un mdulo con la sombra de una persona ............................................... 62
3.2.10. Conclusiones .................................................................................................................... 63
ANEXO2: CONFIGURACIN DE LOS DIODOS DE BYPASS ......................................... 65 4.
4.1. INFLUENCIA DE LAS SOMBRAS SEGN LA CONFIGURACIN DE LOS DIODOS DE BYPASS ....... 67
4.1.1. Resumen ........................................................................................................................... 67
4.1.2. Introduccin ..................................................................................................................... 67
4.1.3. Desarrollo ........................................................................................................................ 68
4.1.3.1. Comportamiento de una clula fotovoltaica ................................................................. 68
4.1.3.2. Comportamiento de un conjunto de clulas fotovoltaicas ............................................ 69
4.1.3.3. Comportamiento de un mdulo fotovoltaico ................................................................. 70
4.1.3.4. Diodos de bypass superpuestos .................................................................................. 70
4.1.3.5. Diodos de bypass no-superpuestos ............................................................................. 73
4.1.4. Conclusiones .................................................................................................................... 74
ANEXO 3: SIMULACIONES CURVA I-V ........................................................................... 75 5.
5.1. OBJETIVO ...................................................................................................................... 77
5.2. PLANTEAMIENTO ............................................................................................................ 77
5.2.1. Ecuaciones utilizadas ....................................................................................................... 78
5.3. PROGRAMACIN ............................................................................................................ 78
5.3.1. Consideraciones previas .................................................................................................. 78
5.3.2. Definicin de las variables ............................................................................................... 78
5.3.3. Clculos para una clula iluminada ................................................................................ 79
5.3.3.1. Curva I-V de la clula ................................................................................................... 79
5.3.4. Clculos para un panel iluminado ................................................................................... 79
5.3.4.1. Curva I-V del mdulo .................................................................................................... 80
5.3.5. Clculos para una clula sombreada ............................................................................... 81
5.3.5.1. Curva I-V de una clula sombreada ............................................................................. 82
5.3.6. Conexin en serie de una clula iluminada con una sombreada ..................................... 82
5.3.6.1. Curva I-V de dos clulas FV iluminada + sombreada................................................... 83
5.3.7. Conexin en serie de una clula sombreada con una iluminada ..................................... 83
5.3.7.1. Curva I-V de dos clulas FV sombreada + iluminada................................................... 84
5.4. COMPARACIN ENTRE UN ENSAYO REAL Y LA SIMULACIN................................................ 84
5.4.1. Anlisis del ensayo real.................................................................................................... 84
5.4.2. Mdulos utilizados ........................................................................................................... 84
5.4.3. Curva I-V del ensayo real ................................................................................................ 85
5.4.4. Simulacin ........................................................................................................................ 86
5.5. CONCLUSIONES ............................................................................................................. 90
PLANOS .............................................................................................................................. 91 6.
6.1. PLANO DE DETALLE PANEL BP 7185 S ........................................................................... 93
6.2. PLANO DE CONEXIN ENTRE MDULOS ........................................................................... 94
ANEXO 4: CLCULOS MATEMTICOS CURVA I-V ....................................................... 95 7.
7.1. CLCULO MATEMTICO DE LA CURVA I-V EN UNA CLULA SOLAR FOTOVOLTAICA ............... 97
4

7.2. CLCULO MATEMTICO DE LA CURVA I-V EN UN PANEL SOLAR FOTOVOLTAICO................. 100
7.3. OBTENCIN DE LA CURVA I-V ....................................................................................... 100
7.3.1. Modelo de Green. ........................................................................................................... 100

0.1. ndice de tablas

TABLA (2.1) LMITES DE PRDIDAS POR ORIENTACIN INCLINACIN Y SOMBRAS .... 28
TABLA (3.1) CARACTERSTICAS ELCTRICAS MDULO FOTOVOLTAICO BP-7185S.... 34
TABLA (3.2) CARACTERSTICAS MECNICAS MDULO FOTOVOLTAICO BP-7185S ..... 34
TABLA (3.3) CARACTERSTICAS ELCTRICAS MDULOS CONERGY 170 MA ................ 40
TABLA (3.4) CARACTERSTICAS ELCTRICA SEGN FOTO-FLASH ................................ 41
TABLA (3.5) RESUMEN DE LOS VALORES OBTENIDOS EN LOS CASOS ESTUDIADOS 63
TABLA (5.1). CARACTERSTICAS ELCTRICAS MDULO BP 7185S................................. 77
TABLA (5.2) CARACTERSTICAS ELCTRICAS MDULOS CONERGY 170 MA ................ 85

0.2. ndice de figuras

FIGURA ( 2.1). EVOLUCIN DE LA POTENCIA ELCTRICA INSTALADA EN ESPAA
PROVENIENTE DE LAS FOTOVOLTAICAS ............................................................................ 16
FIGURA (2.2) PUEDE VERSE UN DIAGRAMA DEL EFECTO FOTOELCTRICO ................ 17
FIGURA (2.3) ESTRUCTURA CRISTALINA DEL SILICIO, COMBINACIN CON TOMOS DE
FOSFORO, ................................................................ COMBINACIN CON TOMOS DE BORO 18
FIGURA (2.4) ESTRUCTURA P-N DEL DIODO ........................................................................ 18
FIGURA (2.5). REPRESENTACIN DEL POTENCIAL ELCTRICO ...................................... 19
FIGURA(2.6). FUNCIONAMIENTO FIGURA(2.7). CLULA ............................................... 20
FIGURA(2.8). CIRCUITO EQUIVALENTE MDULO FOTOVOLTAICO .................................. 20
FIGURA (2.9) ESQUEMA ELCTRICO EQUIVALENTE. ......................................................... 21
FIGURA (2.10) PANEL FOTOVOLTAICO MODELO BP-71585S. FABRICANTE BP ............. 22
FIGURA (2.11) CURVA I-V DEL PANEL BP 7185S .................................................................. 23
FIGURA (2.12) .CURVAS I-V DEL PANEL KYOCERA KC130TM PARA DISTINTOS NIVELES
DE RADIACIN. ......................................................................................................................... 24
FIGURA (2.13) EJEMPLO DE CURVA DE POTENCIA MXIMA DEL PANEL. ...................... 25
FIGURA (2.14) NGULOS DE INCLINACIN Y ACIMUT. ....................................................... 28
FIGURA (2.15) PRDIDAS POR ORIENTACIN E INCLINACIN PARA LATITUD 41 ....... 31
FIGURA (3.1) CONEXIN CLULAS FOTOVOLTAICAS A ESTUDIAR ................................. 36
FIGURA (3.2) CIRCUITO EQUIVALENTE CONJUNTO CLULAS FOTOVOLTAICAS .......... 36
5

FIGURA (3.3) CAMINO CORRIENTE ELCTRICA EN CIRCUITO EQUIVALENTE ............... 37
FIGURA (3.4) SOMBRA CLULA FOTOVOLTAICA A ESTUDIAR ......................................... 37
FIGURA (3.5) CIRCUITO EQUIVALENTE CONJUNTO CON SOMBRA EN UNA CLULA ... 37
FIGURA (3.6) CAMINO CORRIENTE ELCTRICA EN CIRCUITO EQUIVALENTE CON
SOMBRA ..................................................................................................................................... 38
FIGURA (3.7) CLULA FOTOVOLTAICA CON SOMBRA ....................................................... 38
FIGURA (3.8) DIODO DE BYPASS............................................................................................ 40
FIGURA (3.9) MDULO SOLAR EMPLEADO .......................................................................... 41
FIGURA (3.9) CURVA I-V MDULOS 1 Y 2 .............................................................................. 43
FIGURA (3.10) CURVA I-V MDULOS 1, 2 Y 3 ........................................................................ 44
FIGURA (3.11) CURVA I-V MDULOS 1, 2, 3 Y 4 .................................................................... 45
FIGURA (3.12) CURVA I-V MDULOS 1, 2, 3, 4 Y 5 ................................................................ 46
FIGURA (3.13) CURVA I-V MDULOS 1, 2, 3, 4, 5 Y 6 ............................................................ 47
FIGURA (3.14) SOMBRA PRIMERA HILERA HORIZONTAL EN LOS TRES MDULOS ...... 48
FIGURA (3.15) CURVA I-V DE LA SOMBRA EN LA PRIMERA HILERA HORIZONTAL EN
LOS TRES MDULOS ............................................................................................................... 49
FIGURA (3.16) SOMBRA CUARTA HILERA HORIZONTAL DE LOS TRES MDULOS ....... 50
FIGURA (3.17) CURVA I-V DE LA SOMBRA HORIZONTAL EN LA CUARTA HILERA DE
LOS TRES MDULOS ............................................................................................................... 50
FIGURA (3.18) SOMBRA VERTICAL DE LA PRIMERA COLUMNA DEL PIRMER MDULO
..................................................................................................................................................... 51
FIGURA (3.19) CURVA I-V DE LA SOMBRA VERTICAL DE LA PRIMERA COLUMNA DEL
PRIMER MDULO ..................................................................................................................... 52
FIGURA (3.20) SOMBRA HORIZONTAL DE UNA HILERA DEL PRIMER MDULO ............. 53
FIGURA (3.21) CURVA I-V DE LA SOMBRA HORIZONTAL DEL PRIMER MDULO ........... 53
FIGURA (3.22) SOMBRA HORIZONTAL DE DOS MDULOS ................................................ 54
FIGURA (3.23) CURVA I-V DE LA SOMBRA HORIZONTAL DE DOS MDULOS ................. 54
FIGURA (3.24) SOMBRAS VERTICALES EN DOS MDULOS .............................................. 55
FIGURA (3.25) CURVA I-V DE DOS SOMBRAS VERTICALES EN MDULOS DIFERENTES
..................................................................................................................................................... 56
FIGURA (3.26) SOMBRA OBLICUA EN EL PRIMER MDULO .............................................. 57
FIGURA (3.27) CURVA I-V DE LA SOMBRA OBLICUA DEL PRIMER MDULO .................. 57
FIGURA (3.28) SOMBRA OBLICUA EN DOS MDULOS ....................................................... 58
FIGURA (3.29) CURVA I-V DE LA SOMBRA OBLICUA DE DOS MDULOS ........................ 58
FIGURA (3.30) SOMBRA EN UNA CLULA DEL PRIMER MDULO .................................... 59
FIGURA (3.31) CURVA I-V DE LA SOMBRA DE UNA CLULA DEL PRIMER MDULO ..... 60
FIGURA (3.32) SOMBRA DE UNA CLULA DE DOS MDULOS .......................................... 61
FIGURA (3.33) CURVA I-V DE LA SOMBRA DE DOS CLULAS DE MDULOS
DIFERENTES .............................................................................................................................. 61
6

FIGURA (3.34) SOMBRA DE UNA PERSONA PROYECTADA EN EL MDULO .................. 62
FIGURA (3.35) CURVA I-V DE LA SOMBRA DE UNA PERSONA .......................................... 62
FIGURA (3.36) GRFICA COMPARATIVO DE CORRIENTES Y FACTOR DE POTENCIA ... 63
FIGURA (3.37) GRFICA COMPARATIVO DE TENSIONES Y POTENCIA............................ 64
FIGURA(4.1).DIODO DE BYPASS SUPERPUESTO(A), NO-SUPERPUESTO(B) .................. 68
FIGURA (4.2). CURVA DE UNA CLULA FOTOVOLTAICA POLARIZADA Y POLARIZADA
EN SENTIDO INVERSO PARA UNA RADIACIN DE 0W/M
2
. ................................................. 68
FIGURA (4.3). CURVAS DE UNA CLULA FOTOVOLTAICA PARA DIFERENTES
RADIACIONES SOLARES. ........................................................................................................ 69
FIGURA (4.4). CURVAS PARA UNA CLULA INDIVIDUAL CON SOL Y SOMBRA (A) Y
CURVA DE 12 CLULAS EN SRIE, 11 SOLEADAS (1000W/M
2
) Y UNA SOMBRADA (100
W/M
2
) (B) ..................................................................................................................................... 69
FIGURA (4.5).MDULO FOTOVOLTAICO (A) LA DISTRIBUCIN FSICA (B) SISTEMA
ELCTRICO CON ....................................................................................................................... 70
DIODOS SOLAPADOS. ............................................................................................................. 70
FIGURA (4.6). CURVAS I-V Y P-V DE UN MDULO FOTOVOLTAICO CON LOS DIODOS DE
BYPASS SUPERPUESTOS. ...................................................................................................... 71
FIGURA(4.7).CORRIENTE ELCTRICA EN LOS MDULOS FOTOVOLTAICOS CON
DIODOS DE DERIVACIN SUPERPUESTAS. ......................................................................... 72
FIGURA (4.8). CURVAS IV Y PV DE UN MDULO FOTOVOLTAICO CON DIODOS DE
BYPASS SUPERPUESTOS PROGRESIVAMENTE SOMBREADOS. ..................................... 72
FIGURA (4.9). MDULOS FOTOVOLTAICOS CON DIODOS DE DERIVACIN NO-
SUPERPUESTOS (A) DISTRIBUCIN FSICA ......................................................................... 73
(B) ESQUEMA ELCTRICO ...................................................................................................... 73
FIGURA (4.10).CORRIENTE ELCTRICA EN LOS MDULOS FOTOVOLTAICOS CON
DIODOS DE DERIVACIN NO-SUPERPUESTOS. .................................................................. 73
FIGURA (4.11). CURVAS IV Y PV DE UN MDULO FOTOVOLTAICO CON DIODOS DE
BYPASS NO-SUPERPUESTOS PROGRESIVAMENTE SOMBREADOS. .............................. 74
FIGURA (5.1) CURVA I-V DE UNA CLULA FV SIMULADA EN MATLAB ............................ 79
FIGURA (5.2) CURVA I-V DE UN MDULO FV SIMULADA EN MATLAB ............................. 80
FIGURA (5.3) CURVA I-V DE UNA CLULA FV SIMULADA EN MATLAB ............................ 81
FIGURA (5.4) .CURVAS I-V DEL PANEL KYOCERA KC130TM PARA DISTINTOS NIVELES
DE RADIACIN .......................................................................................................................... 81
FIGURA (5.5) CURVA I-V DE UNA CLULA FV SOMBREADA SIMULADA EN MATLAB ... 82
FIGURA (5.6) ESQUEMA DE CONNEXIN DE LAS DOS CLULAS ..................................... 82
FIGURA (5.7) CURVA I-V DE DOS CLULAS FV ILUMINADA + SOMBREADA SIMULADA
EN MATLAB ............................................................................................................................... 83
FIGURA (5.8) ESQUEMA DE CONNEXIN DE LAS DOS CLULAS ..................................... 83
FIGURA (5.9) CURVA I-V DE DOS CLULAS FV SOMBREADA + ILUMINADA SIMULADA
EN MATLAB ............................................................................................................................... 84
FIGURA (5.10) CURVA I-V DE LA SOMBRA DE UNA CLULA DEL PRIMER MDULO ..... 85
7

FIGURA (5.11) CURVA I-V DE UNA CLULA ILUMINADA DEL PANEL CONERGY
SC170MA .................................................................................................................................... 86
SIMULADA EN MATLAB ........................................................................................................... 86
FIGURA (5.12) CURVA I-V DE UNA CLULA SOMBREADA DEL PANEL CONERGY
SC170MA .................................................................................................................................... 87
SIMULADA EN MATLAB ........................................................................................................... 87
FIGURA (5.13) CURVA I-V DEL PANEL FV CONERGY SC170MA SOLEADO SIMULADA
EN MATLAB ............................................................................................................................... 88
FIGURA (5.14) CURVA I-V DEL PANEL FV CONERGY SC170MA SOMBREADO
SIMULADA SIMULADA EN MATLAB ...................................................................................... 88
FIGURA (6.1). CIRQUITO EQUIVALENTE DE UNA CLULA SOLAR Y EL EFECTO DE LA
INCIDENCIA DE LA LUZ EN LA CARACTERSTICA I-V DE LA UNIN P-N ......................... 98
FIGURA (6.2). INFLUENCIA DE LA VARIACIN DE LA RESISTENCIA SERIE, RS, Y LA
RESISTENCIA PARALELO RP, EN LA CURVA I-V DE UNA CLULA SOLAR. .................... 99

0.3. ndice de Ecuaciones

ECUACIN (1.6): CORRIENTE FOTOGENERADA POR LA ILUMINACIN DE UNA CLULA
..................................................................................................................................................... 97
ECUACIN (2.6): FACTOR DE FORMA ................................................................................... 97
ECUACIN (3.6): INCIDENCIA DE LA LUZ EN EL PRIMER CUADRANTE ........................... 98
ECUACIN (4.6): INCIDENCIA DE LA LUZ EN FUNCIN DE RP Y RS ................................. 99
ECUACIN (5.6): INCIDENCIA DE LA LUZ EN FUNCIN DE RP Y RS ............................... 100
ECUACIN (6.6): INCIDENCIA DE LA LUZ EN FUNCIN DE RP, RS Y EL NMERO DE
CLULAS EN SERIE Y PARALELO ....................................................................................... 100
ECUACIN (7.6) LA EXPONENCIAL DE LA CURVA I-V ...................................................... 101
ECUACIN (8.6) INCIDENCIA DE LA LUZ EN CORTOCIRCUITO ....................................... 101
ECUACIN (9.6) INCIDENCIA DE LA LUZ EN CIRCUITO ABIERTO 1 ................................ 101
ECUACIN (10.6) INCIDENCIA DE LA LUZ EN CIRCUITO ABIERTO 2 ............................. 101
ECUACIN (11.6) INCIDENCIA DE LA LUZ SEGN MODELO DE GREEN ........................ 101
ECUACIN (12.6) VOLTAJE MXIMO ................................................................................... 101
ECUACIN (13.6) FACTOR DE FORMA MXIMO PARA UN DISPOSITIVO IDEAL ........... 102
ECUACIONES (14.6), (15.6), (16.6) VALORES NORMALIZADOS DE VOLTAJE A CIRCUITO
ABIERTO, RESISTENCIA SERIE Y RESISTENCIA PARALELO .......................................... 102
ECUACIN (17.6) FACTOR DE FORMA ECUACIN (18.6) RESISTENCIA SERIE ........ 102
ECUACIN (19.6) FACTOR DE FORMA OBTENIDO DE FORMA EMPRICA 1 .................. 102
ECUACIN (19.6) FACTOR DE FORMA OBTENIDO DE FORMA EMPRICA 2 .................. 102
8



Normas y referencias 1.

04/09/2012
9

ndice normas y referencias

NORMAS Y REFERENCIAS ................................................................................................ 8 1.
1.1. NORMATIVA ................................................................................................................... 10
1.2. REFERENCIAS ................................................................................................................ 10
1.2.1. Bibliografa ...................................................................................................................... 10
1.2.2. Pginas web ..................................................................................................................... 11
1.2.3. Programas utilizados ....................................................................................................... 11

10

1.1. Normativa
RD661/2007:
Artculo 22. Plazo de mantenimiento de las tarifas y primas reguladas.
Una vez se alcance el 85 por ciento del objetivo de potencia para un grupo o
subgrupo, establecido en los artculos 35 al 42 del presente real decreto, se
establecer, mediante resolucin del Secretario General de Energa, el plazo mximo
durante el cual aquellas instalaciones que sean inscritas en el Registro administrativo
de instalaciones de produccin en rgimen especial con anterioridad a la fecha de
finalizacin de dicho plazo tendrn derecho a la prima o, en su caso, tarifa regulada
establecida en el presente real decreto para dicho grupo o subgrupo, que no podr ser
inferior a doce meses.
RD1/2012:
Artculo 1. Objeto.
Constituye el objeto de este real decreto-ley:
La supresin de los incentivos econmicos para las instalaciones de produccin de
energa elctrica en rgimen especial y para aquellas de rgimen ordinario de
tecnologas asimilables a las incluidas en el citado rgimen especial que se detallan en
el artculo 2.1.
Artculo 2. mbito de aplicacin.
1. El presente real decreto-ley ser de aplicacin a las siguientes instalaciones:
a) Aquellas instalaciones de rgimen especial que a la fecha de entrada en vigor del
presente real decreto-ley no hubieran resultado inscritas en el Registro de
preasignacin de retribucin previsto en el artculo 4.1 del Real Decreto-ley 6/2009, de
30 de abril, por el que se adoptan determinadas medidas en el sector energtico y se
aprueba el bono social.

1.2. Referencias
1.2.1. Bibliografa
Compendio de energa solar: fotovoltaica, trmica y termoelctrica. Por Jos M
Fernndez Salgado
Diagnstico de instalaciones fotovoltaicas. Por Toms Saz Guilln
Influence of the shadows in photovoltaic systems with different configurations of
bypass. Por E. Daz-Dorado, A. Surez-Garca, C. Carrillo, and J. Cidrs por el
Department of Electrical Engineering, University of Vigo, ETSEI - Campus Universitario
(Spain)
11

1.2.2. Pginas web
- Boletin Oficial del Estado
www.boe.es

- Photovoltaic Geographical Information System (PVGIS)
http://re.jrc.ec.europa.eu/pvgis/

- Conergy
http://www.conergy.es

- BP
http://www.bp.com

- UDLL departamento de robtica
http://robotica.udl.cat/

1.2.3. Programas utilizados

- Microsoft World: Herramienta para el procesamiento de textos.
- Autocad: Herramienta para el disseo grfico.
- Matlab: Entorno de computacin y desarollo de aplicaciones

12



Memoria 2.

04/09/2012
13

ndice Memoria

MEMORIA ........................................................................................................................... 12 2.
2.1. ANTECEDENTES: ............................................................................................................ 14
2.2. ENERGA SOLAR: ........................................................................................................... 14
2.2.1. Energa solar directa: ...................................................................................................... 14
2.2.2. Energa solar trmica: ..................................................................................................... 14
2.2.3. Energa Solar Fotovoltaica: ............................................................................................. 14
2.3. MARCO NORMATIVO ...................................................................................................... 15
2.4. EL EFECTO FOTOELCTRICO: .......................................................................................... 17
2.4.1. Generalidades: ................................................................................................................. 17
2.5. LA CLULA SOLAR: ......................................................................................................... 20
2.6. EL PANEL FOTOVOLTAICO: .............................................................................................. 21
2.6.1. Composicin y geometra: ............................................................................................... 21
2.7. CARACTERSTICAS ELCTRICAS: ..................................................................................... 22
2.7.1. Potencia Mxima de Salida .............................................................................................. 22
2.7.2. Curvas I-V ........................................................................................................................ 22
2.7.3. Intensidad ......................................................................................................................... 24
2.7.4. Efecto de la temperatura .................................................................................................. 24
2.7.5. Mxima potencia de salida .............................................................................................. 25
2.7.6. Temperatura de trabajo del panel: .................................................................................. 26
2.7.7. Evaluacin de la potencia de salida: ............................................................................... 26
2.8. ORIENTACIN INCLINACIN Y SOMBRAS........................................................................... 28
2.8.1. Generalidades: ................................................................................................................. 28
2.8.2. La influencia de la orientacin e inclinacin ................................................................... 29

14

2.1. Antecedentes:
La disponibilidad de energa en el mundo se ha convertido en un problema crucial,
dado que la gran mayora de los pases, tanto los en vas de desarrollo como los
industrializados, de ven afectados por las crecientes demandas requeridas para
satisfacer sus metas econmicas y sociales.
A partir de los ltimos aos , se ha reconocido como inevitable que la oferta de energa
debe sufrir una transicin desde su actual dependencia de los hidrocarburos hacia
aplicaciones energticas ms diversificadas, lo que implica el aprovechamiento de la
variedad de fuentes de energa renovables que se disponen.
El sol es una fuente inagotable de recursos para el hombre. Provee una energa
limpia, abundante y disponible en la mayor parte de la superficie terrestre y puede por
lo tanto, liberarlo de los problemas ambientales generados por los combustibles
convencionales, como el petrleo, y de otras alternativas energticas, como las
centrales nucleares. Sin embargo, a pesar de los avances tecnolgicos de las ltimas
dcadas, el aprovechamiento de esta opcin ha sido insignificante, comparndolo con
el consumo global de energa en el mundo.
2.2. Energa Solar:
La energa solar, como recurso energtico terrestre, esta constituida simplemente por
la porcin de la luz que emite el Sol y que es interceptada por la Tierra. Espaa es un
pas con alta incidencia de energa solar en la gran mayora de su territorio.
2.2.1. Energa solar directa:
Una de las aplicaciones de la energa solar es directamente como luz,
por ejemplo, para la iluminacin de recintos. En este sentido, cualquier ventana es un
colector solar. Otra aplicacin directa, muy comn, es el secado de ropa y algunos
productos en procesos de produccin con tecnologa simple.

2.2.2. Energa solar trmica:
Se denomina trmica a la energa solar cuyo aprovechamiento se logra
por el medio del calentamiento de algn medio. La climatizacin de viviendas,
calefaccin, refrigeracin, secado, etc., son aplicaciones trmicas.
2.2.3. Energa Solar Fotovoltaica:
Se llama fotovoltaica a la energa solar aprovechada por medio de las
celdas fotoelctricas, capaces de convertir la luz en un potencial elctrico, sin que
tenga lugar un efecto trmico. En este caso nos centraremos en este tipo de energa
solar.

15

2.3. Marco Normativo
Las instalaciones solares fotovoltaicas de conexin a la red son una tipologa de
instalacin de generacin de energa cuya retribucin est regulada mediante la
normativa de instalaciones e produccin en rgimen especial.
RD661/2007:
Artculo 22. Plazo de mantenimiento de las tarifas y primas reguladas.
1. Una vez se alcance el 85 por ciento del objetivo de potencia para un grupo o
subgrupo, establecido en los artculos 35 al 42 del presente real decreto, se
establecer, mediante resolucin del Secretario General de Energa, el plazo
mximo durante el cual aquellas instalaciones que sean inscritas en el Registro
administrativo de instalaciones de produccin en rgimen especial con
anterioridad a la fecha de finalizacin de dicho plazo tendrn derecho a la
prima o, en su caso, tarifa regulada establecida en el presente real decreto
para dicho grupo o subgrupo, que no podr ser inferior a doce meses.
RD1/2012:
Artculo 1. Objeto.
Constituye el objeto de este real decreto-ley:
a) La supresin de los incentivos econmicos para las instalaciones de
produccin de energa elctrica en rgimen especial y para aquellas de
rgimen ordinario de tecnologas asimilables a las incluidas en el citado
rgimen especial que se detallan en el artculo 2.1.
Artculo 2. mbito de aplicacin.
1. El presente real decreto-ley ser de aplicacin a las siguientes instalaciones:
a) Aquellas instalaciones de rgimen especial que a la fecha de entrada en
vigor del presente real decreto-ley no hubieran resultado inscritas en el
Registro de reasignacin de retribucin previsto en el artculo 4.1 del Real
Decreto-ley 6/2009, de 30 de abril, por el que se adoptan determinadas
medidas en el sector energtico y se aprueba el bono social.
Visto el panorama legislativo queda claro que no se va a invertir en construir nuevas
plantas y las que se han construido en los ltimos aos, apuntan a malas maneras en
lo que afecta a planificacin y construccin, por las prisas motivadas por el cambio de
tarifa reglamentada en el RD 661/2007.

16

Figura ( 2.1). Evolucin de la potencia elctrica instalada en Espaa proveniente de las fotovoltaicas
Viendo la evolucin exponencial de las instalaciones solares fotovoltaicas queda
reflejado el efecto prisa motivado por el cambio de retribucin del RD 661/2007.
Con esta Informacin como precedente parece lgico pensar que el nico estudio
referente a las instalaciones solares fotovoltaicas es como mejorar el rendimiento de
las que ya estn instaladas y en funcionamiento.

17

2.4. El efecto fotoelctrico:
2.4.1. Generalidades:
Se define como efecto fotoelctrico a la aparicin de una corriente elctrica en ciertos
materiales cuando estos se ven iluminados por radiacin electromagntica, sin que
sea necesario que aparezca intervenga ningn efecto mecnico o fsico.
La generacin de electricidad desde los paneles solares y clulas fotovoltaicas
constituyen algunas de las aplicaciones ms conocidas del efecto fotoelctrico.

Figura (2.2) puede verse un diagrama del efecto fotoelctrico

En la figura (2.2) puede verse un diagrama del efecto fotoelctrico: Los fotones
incidentes son absorbidos por los electrones del medio dotndoles de una cantidad de
energa que es suficiente para escapar del mismo.
El silicio como elemento qumico cuenta con 14 electrones de los 4 son de valencia, lo
que significa que estn disponibles para unirse con los electrones de valencia de otros
tomos. De este modo, en una configuracin de cristal de silicio qumicamente puro,
cada tomo estar unido de forma covalente con otros 4 tomos de manera que
dentro de el cristal no habr, como consecuencia del enlace qumico, electrones libres.
En realidad, algunos tomos de silicio en la configuracin del cristal van a ser
sustituidos por tomos de fsforo, elemento que tiene 5 electrones de valencia. As, 4
sern utilizados para llevar a cabo los enlaces qumicos con tomos adyacentes de
silicio, mientras que el quinto podr separarse del tomo de fsforo mediante una
estimulacin aportada por una fuente externa de energa trmica, con lo que pasar a
disfrutar de libertad de movimiento en el interior del retculo de cristal.
En sentido contrario, si la sustitucin del tomo de silicio se realizase con tomos de
boro, que slo tiene 3 electrones de valencia, se llegara a una situacin en la que
sera necesario un electrn adicional para completar los enlaces qumicos con tomos
adyacentes de silicio. Este electrn que falta es denominado hueco, y produce un
efecto opuesto, como si se tratase de un electrn positivo

18

Estructura cristalina del silicio Combinacin con tomos de fosforo Combinacin con tomos de boro
Figura (2.3) Estructura cristalina del silicio, combinacin con tomos de fosforo, combinacin con
tomos de boro

En la siguiente figura se muestra grficamente la situacin descrita; en la primera
imagen se puede observar cul es la estructura del retculo cristalino de silicio puro, en
la segunda cmo es la variacin de la estructura cuando se realiza una combinacin
de tomos de fsforo y en la ltima imagen aparece el retculo cristalino en el caso de
enlace con tomos de boro.

Figura (2.4) Estructura p-n del diodo

Por lo tanto, en el caso de que se produzca el enlace con fsforo, los portadores de
carga libres poseen potencial negativo y el material es llamado semiconductor de tipo
n. Mientras, en el caso en que la mencionada sustitucin de tomos de silicio se
produzca con tomos de boro, los portadores de carga son positivos y el material es
llamado de tipo p.
Uniendo una barra de material tipo n con una barra de material tipo p se realiza la
unin de dos de estos materiales tipo n y tipo p, constituyendo lo que se denomina
diodo enlace p-n
19

Los electrones que se encuentran en estado libre dentro de la zona de material tipo-n
detectarn que existe colindante una regin en la que no existen electrones libres y,
esto har que se genere un flujo de estos electrones portadores hacia la otra zona,
como consecuencia del intento de restablecer el equilibrio. Del mismo modo, los
huecos existentes en la zona-p detectarn un aregin en la que no existen huecos y
se producir, por tanto, un flujo de cargas positivas en sentido contrario al flujo de
electrones. Debido al avance de este proceso de difusin de electrones y huecos, en
la zona-p se generar un exceso de cargas con potencial negativo mientras en la
zona n se producir un exceso de cargas positivas.
Por tanto, en el rea de unin de los dos materiales se origina un campo elctrico que
se hace cada vez mayor a medida que huecos y electrones se siguen difundiendo
hacia lados opuestos. Este proceso no terminar hasta que el potencial elctrico de
este campo alcance un valor que impida la posterior difusin de electrones y huecos.

Figura (2.5). Representacin del potencial elctrico
Una vez se haya alcanzado este valor equilibrio, se habr creado en el diodo p-n un
campo elctrico permanente sin la ayuda de campos elctricos o elementos externos.
Este potencial elctrico permite explicar el por qu del efecto fotovoltaico.
Supongamos que un fotn (partcula que constituye un rayo solar) incide sobre la
regin de tipo p del material. Si el fotn incidente posee una energa trmica mayor
que la energa mnima necesaria para romper un enlace del retculo del silicio (band-
gap) ser absorbido y con ello se crear una nueva pareja electrn-hueco. El efecto de
la creacin de esta nueva pareja ser que el electrn liberado se trasladar hacia la
zona-n a causa del potencial elctrico.
En cambio si el fotn incide en la zona n, se generara tambin una nueva pareja pero
en este caso el hueco creado se movera hacia la zona-p.
Este flujo va a tener como consecuencia la acumulacin de de cargas positivas en la
zona-p y de cargas negativas en la zona-n, dando origen a un campo elctrico
opuesto al creado por el mecanismo de difusin.
20

Evidentemente, cuando mayor sea el nmero de fotones que incide sobre la unin,
mayor ser el nmero de los campos que pasen a anularse el uno con el otro, hasta
que se alcance un valor umbral en el que ya no haya un campo interno que separe
cada pareja electrn-hueco. Esta es la condicin que determina la tensin a circuito
abierto de la clula fotovoltaica. Si se colocasen unos electrodos (contactos metlicos)
sobre la superficie de la clula se puede utilizar el potencial creado, haciendo circular
la corriente de electrones.

2.5. La clula solar:
En una clula solar la luz incide generalmente sobre una lmina tipo n de grosor muy
fino y penetra suficientemente en el cristal como para crear pares electrn-hueco en
las proximidades de la unin con el cristal de tipo p. Por lo tanto, el grosor de la
lmina superior influye en el rendimiento y deber ser menor, por lo general, que
1m
As, al irradiar la clula, la lmina de tipo n recoger los electrones, mientras que la de
tipo p recoger los huecos de los pares creados establecindose entonces la
diferencia de potencial entro del cristal. Obtenemos corriente elctrica con un cirquito
que una elctricamente las lminas tipo p y n.

Figura(2.6). Funcionamiento Figura(2.7). Clula

Podramos representar un esquema elctrico aproximado del funcionamiento de la
clula fotovoltaica de la siguiente manera:

Figura(2.8). Circuito equivalente mdulo fotovoltaico
21

2.6. El panel fotovoltaico:
2.6.1. Composicin y geometra:
Las clulas solares constituyen un producto intermedio: proporcionan valores de
tensin y de corriente limitados en comparacin a los requeridos normalmente por los
aparatos usuarios, son extremadamente frgiles, elctricamente no aisladas y sin
soporte mecnico. Se ensamblan de la manera adecuada para formar una nica
estructura: el panel fotovoltaico que es una estructura slida y manejable.
El nmero de clulas en un panel, y por lo tanto su voltaje de salida, depende de la
estructura cristalina del semiconductor usado. Los paneles pueden tener diferentes
tamaos: los mas utilizados estn formados por 40-80 clulas conectadas
elctricamente en serie, con una superficie que oscila entre los 0.8 m
2
a los 2 m
2
. Las
clulas estn ensambladas entre un estrato superior de cristal y un estrato inferior de
material plstico (Tedlar). El producto preparado de esta manera se coloca en un
horno de alta temperatura, con vaco de alto grado.

Figura (2.9) Esquema elctrico equivalente.

El resultado es un bloque nico laminado en el que las clulas esta ahogadas en el
material plstico fundido. Luego se aaden los marcos, normalmente de aluminio; de
esta manera se confiere una resistencia mecnica adecuada y se garantizan muchos
aos de funcionamiento. En la parte trasera del mdulo se aade una caja de unin en
la que se ponen los diodos de by-pass y los contactos elctricos.
22

Figura (2.10) Panel fotovoltaico Modelo BP-71585S. Fabricante BP

2.7. Caractersticas elctricas:
2.7.1. Potencia Mxima de Salida
La potencia mxima de salida de un panel fotovoltaico es ,sin duda alguna, la
caracterstica ms importante del mismo. Salvo en casos de muy bajo consumo, la
implementacin de un sistema fotovoltaico requiere el uso de paneles con salidas 30 o
ms watios. Paneles con potencias por debajo de 30W no ofrecen una solucin
prctica, ya que la diferencia en el costo no es suficiente para justificar el mayor
nmero de paneles requeridos.
Los mdulos formados tienen una potencia que vara entre los 50Wp y los 220Wp,
segn el tipoy la eficiencia de las clulas que lo componen.

2.7.2. Curvas I-V
Si los valores de potencia luminosa y la orientacin del panel permanecen constantes,
la corriente de salida de un panel fotovoltaico vara con el valor del voltaje en la carga
y su temperatura de trabajo. Esto se debe a las caractersticas intrnsecas de los
materiales semiconductores.

23

Figura (2.11) Curva I-V del panel BP 7185S

La Figura (2.11) muestra, en forma grfica, la relacin existente entre la corriente y el
voltaje de salida para un panel fotovoltaico (curva I-V), para cuarto temperaturas de
trabajo, cuando el nivel de radiacin permanece constante. Si bien se ha seleccionado
un panel en particular para esta figura, los restantes que podemos encontrar en el
mercado van a tener un comportamiento similar, ya que utilizan clulas de silicio.
Puede observarse que el valor mximo para el voltaje de salida corresponde a un valor
de corriente nulo ( voltaje a circuito abierto), mientras que el valor mximo para la
corriente corresponde a un voltaje de salida nulo (salida cortocircuitada)
Todas las curvas tienen una zona donde el valor de la corriente permanece
prcticamente constante para valores crecientes de voltaje de salida, hasta que
alcanza una zona de transicin. A partir de esta zona, pequeos aumentos en el
voltaje de salida ocasionan bruscas disminuciones en el valor de la corriente de salida.
El comienzo de la zona de transicin se alcanza para menores valores del voltaje de
salida cuando la temperatura de trabajo se incrementa.
t = 0C
t = 25C
t = 50C
t = 75C
24

Figura (2.12) .Curvas I-V del panel Kyocera KC130TM para distintos niveles de radiacin.

2.7.3. Intensidad
La intensidad de corriente que genera el panel aumenta con la radiacin,
permaneciendo el voltaje aproximadamente constante.
En la figura (anterior) puede verse, para unas condiciones de temperatura constante,
como las curvas I-V de un panel varan por incidencia de la radiacin. En las curvas
puede apreciarse como la incidencia de la radiacin afecta mucho ms a la intensidad.
En este sentido tiene mucha importancia la colocacin de los paneles (su orientacin e
inclinacin respeto a la horizontal), ya que los valores de radiacin varan a lo largo del
da en funcin de la inclinacin del sol respecto al horizonte.

2.7.4. Efecto de la temperatura
El aumento de la temperatura en las clulas supone un incremento en la corriente,
pero al mismo tiempo una disminucin mucho mayor, en proporcin, de la tensin.
Esto implica que tanto la corriente de cortocircuito como el voltaje a circuito abierto se
ven afectados por la temperatura de trabajo, aunque el tipo parmetros.
Si tomamos como referencia los valores de 25C, la corriente de cortocircuito aumenta
moderadamente (del orden de un 1% a 50C pero un 3% a 75C), mientras que el
voltaje a cirquito abierto disminuye sensiblemente (aproximadamente 8% a 50C peo
cerca de un 15% a 75C).
El efecto global es que la potencia del panel disminuye al aumentar la temperatura de
trabajo del mismo.
Una radiacin de 1.000W/m
2
es capaz de calentar un panel unos 25 grados por
encima de la temperatura del aire circundante, lo que reduce la tensin y por tanto la
potencia en un factor superior al 10-12%.
25

Por ello es importante colocar los paneles en un lugar en el que estn bien aireados.
*Mas adelante veremos ms en profundidad los efectos de la temperatura cuando
estudiemos los efectos de las sombras en los paneles fotovoltaicos.

2.7.5. Mxima potencia de salida
Para cada condicin de trabajo se puede calcular la potencia de salida del panel
multiplicando los valores correspondientes al voltaje y la corriente para ese punto de la
curva I-V. En particular, la potencia de salida es nula para dos puntos de trabajo:
circuito abierto y cortocircuito, ya que la corriente o el voltaje de salida es nulo. Por lo
tanto, si la salida de un panel es cortocircuitada, ste no sufre dao alguno.
Entre estos dos valores nulos, la potencia de salida alcanza un valor mximo que vara
con la temperatura. El valor mximo que corresponde a una temperatura de trabajo de
25C de denomina valor ptimo o valor pico (Wp) del panel. Para determinarlo, se
usan los denominados valores estndar STC:
Radiacin solar = 1.000W/m
2

Temperatura = 25C
Espectro luminoso = 1.5 masa de aire

Figura (2.13) Ejemplo de curva de potencia mxima del panel.

t = 0C
t = 25C
t = 50C
t = 75C
Curva de potencia mxima del panel
26

Los valores de voltaje y corriente asociados con este mximo (Vp e Ip) son los dados
en la hoja de especificaciones del panel. La figura () muestra, en la lnea de puntos, la
ubicacin de los valores de potencia mxima en funcin de la temperatura de trabajo.
Estos estn ubicados al comienzo de la zona de transicin de la curva I-V para la
temperatura en consideracin.
El Wp (watio pico) es la unidad de medida de referencia utilizada para los mdulos
fotovoltaicos.
Expresa la potencia elctrica suministrable por el mdulo en las condiciones
estndares de STC.

2.7.6. Temperatura de trabajo del panel:
La temperatura de trabajo que alcanza un panel FV obedece una relacin lineal dada
por la expresin:

Dnde:
Tt es la temperatura de trabajo del panel,
Ta es la mxima temperatura ambiente,
R es el valor de la radiacin en W/m
2
,
k es un coeficiente que vara entre 0.02 y 0.04 C.m
2
/W, dependiendo de la
velocidad promedio del viento.

2.7.7. Evaluacin de la potencia de salida:

Una vez conocido el valor de la temperatura de trabajo del panel puede determinarse
el valor de la potencia de salida. Para ello se utiliza la siguiente expresin:
)
Dnde:
Pt es la potencia de salida a la temperatura de trabajo (Tt)
Pp es la potencia pico del panel (a 25C)
es el coeficiente de degradacin
T es el incremento de temperatura por sobre de los 25C, es decir:

A modo de ejemplo, para determinar la potencia de salida a partir de los valores:
27

Radiacin solar: 1200W/m
2
;
Mxima temperatura de verano: 35C;
Baja velocidad del viento durante esta estacin: k=0.03
Coeficiente de degradacin =0.3%/C
Para un panel con potencia pico 175W:

En primer lugar es necesario calcular la temperatura de trabajo del panel en estas
circunstancias.

Sustituyendo:
Tt = 35(C) + 0.03(m
2
/W) 1200 (W/m
2
) = 71C
Por tanto la potencia de salida sea:
)
Sustituyendo:
Pt = 175(Wp) 175(Wp)0.003(1/C)(71-25)(C) = 150.85 (W)

28

2.8. Orientacin inclinacin y sombras
2.8.1. Generalidades:
La orientacin e inclinacin del generador fotovoltaico y las posibles sombras sobre el
mismo sern tales que las prdidas sern inferiores a los lmites de la tabla siguiente:
Orientacin e inclinacin
(OI)
Sombras
(S)
Total
(OI+S)
General 10% 10% 15%
Superposicin 20% 15% 30%
Integracin arquitectnica 40% 20% 50%

Tabla (2.1) Lmites de prdidas por orientacin inclinacin y sombras

Se consideraran tres casos: general, superposicin e integracin arquitectnica. En
todos los casos se han de cumplir tres condiciones: las prdidas por orientacin e
inclinacin, las prdidas por sombreado y las prdidas totales deben der inferiores a
los lmites estipulados. Cuando la condicin anterior no pueda cumplirse, por razones
justificadas, y en casos especiales en los que no se puedan instalar de acuerdo con la
consideracin anterior, se evaluar la reduccin en las prestaciones energticas de la
instalacin, incluyndose en la memoria del proyecto esta particularidad.
En todos los casos debern evaluarse las prdidas por orientacin e inclinacin del
generador y sombras e incluir su clculo detallado en la memoria del proyecto. Cuando
existan varias filas de mdulos, ser necesario realizar el clculo de la distancia
mnima y las prdidas por sombreado entre filas de mdulos.

Perfil del mdulo

Figura (2.14) ngulos de inclinacin y acimut.

N
S
E O

29

2.8.2. La influencia de la orientacin e inclinacin
Las prdidas por este concepto se calcularn en funcin de:
- ngulo de inclinacin, , definido como el ngulo que forma la superficie de
los mdulos con el plano horizontal. Su valor es 0 para mdulos
horizontales (coplanarios) y 90 para verticales.
- ngulo de acimut, , definido como el ngulo entre la proyeccin sobre el
plano horizontal de la normal a la superficie del mdulo y el meridiano del
lugar. Valores tpicos son 0 para mdulos orientados al sur, -90 para
mdulos orientados al este y +90 para mdulos orientados al oeste.
Habiendo determinado el ngulo de acimut del generador, se calcularn los lmites de
inclinacin aceptables de acuerdo a las prdidas mximas respecto a la inclinacin
ptima sealadas en la tabla del Apartado anterior.
Para contrastar la influencia de la orientacin e inclinacin en el rendimiento de una
instalacin solar fotovoltaica, usaremos el programa on-line PVGIS-SOLAREC
Europe para calcular la produccin estimada de una central fotovoltaica de 20kWp
situada en Tarragona, en funcin de la inclinacin y la orientacin de los paneles,
teniendo en cuenta una perdidas del sistema (cables, inversor, etc) del 10%.
Inclinacin: = 0
Orientacin: =0 acimut

PVGIS estimates of solar electricity generation

En estas condiciones el programa
PVGIS nos calcula unas prdidas
globales del 21.8%.

Ed: Average daily electricity production
from the given system (kWh)
Em: Average monthly electricity production
from the given system (kWh)
Hd: Average daily sum of global irradiation
per square meter received by the
modules of the given system (kWh/m
2
)
Hm: Average sum of global irradiation per
square meter received by the modules of
the given system (kWh/m
2
)

30

Inclinacin: = 10

En este caso podemos observar como
al incrementar la inclinacin de los
paneles 10 se incrementa tambin la
produccin estimada anual en
1.800kW/h ao, as como la media de
radiacin anual que reciben los
paneles.
Las prdidas totales se reducen
ligeramente a 21.6%
Utilizando este mtodo podemos
proseguir a modo de ensayo error con
el fin de encontrar la inclinacin ptima
para una futura instalacin.

Inclinacin: = 10

Para tener en cuenta los cambios en el
rendimiento que produce el cambio de
orientacin de los paneles, estos tienen
que estar inclinados. En este caso
tenemos las mismas condiciones que la
simulacin anterior pero con la
orientacin de los paneles en 30
acimut. Esto afecta en la produccin
anual en 300kW/h y las prdidas totales
se incrementan ligeramente 21.7%.

31

Para ver con ms claridad la relacin de la las prdidas entre la inclinacin y la
orientacin tenemos al figura (2.15) que relaciona los dos factores en franjas de
sombrados para latitud 41 (correspondiente a la ciudad de Tarragona).

Figura (2.15) Prdidas por orientacin e inclinacin para latitud 41

En el caso que queramos verificar una instalacin, podemos utilizar las siguientes
frmulas:
Para 15< <90:
() ( )
Para <15
() ( )
Donde: = ngulo de inclinacin de los mdulos ()
= ngulo de inclinacin acimut ()
= Latitud del lugar ()

32



Anexo 1: Estudio 3.
sombras

04/09/2012
33

ndice estudio sombras

ANEXO 1: ESTUDIO SOMBRAS ....................................................................................... 32 3.
3.1. COMPORTAMIENTO DE LAS CLULAS CON SOMBRAS......................................................... 34
3.1.3. Estudio sobre el caso........................................................................................................ 38
3.2. COMPORTAMIENTO DE LOS MDULOS CON SOMBRAS ....................................................... 39
3.2.3. Curvas I-V de mdulos fotovoltaicos sin sombreados ...................................................... 42
3.2.4. Curva I-V de los mdulos 1 y 2 ........................................................................................ 43
3.2.5. Curva I-V de los mdulos 1, 2 y 3 .................................................................................... 44
3.2.6. Curva I-V de los mdulos 1, 2, 3 y 4 ................................................................................ 45
3.2.7. Curva I-V de los mdulos 1, 2, 3, 4 y 5 ............................................................................ 46
3.2.8. Curva I-V de los mdulos 1, 2, 3, 4, 5 y 6 ........................................................................ 46
3.2.9. Curvas I-V de mdulos fotovoltaicos con diversas sombras ............................................ 48
3.2.10. Conclusiones .................................................................................................................... 63

34

3.1. Comportamiento de las clulas con sombras
Hemos visto en la memoria el funcionamiento de una clula solar fotovoltaica, la curva
caracterstica I-V y el cirquito elctrico equivalente. Ahora vamos a realizar un estudio
terico, tratando de describir el comportamiento de diversas clulas fotovoltaicas
conectadas en serie. Para ello vamos a utilizar el cirquito elctrico equivalente descrito
anteriormente.

3.1.1. Descripcin general
El estudio se va a realizar a un conjunto de cinco clulas solares conectadas en serie.
Estas clulas sern las que componen el mdulo BP-7185S, con las caractersticas del
mdulo que se detallan en la Tabla ().

Tabla (3.1) Caractersticas elctricas mdulo fotovoltaico BP-7185S

Tabla (3.2) Caractersticas mecnicas mdulo fotovoltaico BP-7185S
35

Por lo tanto, teniendo las caractersticas elctricas y fsicas del mdulo fotovoltaico se
van a hallar las caractersticas elctricas de las clulas fotovoltaicas que componen el
mdulo y de este modo poder realizar el comportamiento de cinco clulas en serie
cuando existen sombras.
Para saber la cantidad de corriente de cortocircuito que suministra cada clula
fotovoltaica hay que dividir la corriente de cortocircuito del mdulo fotovoltaico entre en
nmero de clulas en paralelo. Siendo:

En el caso de este panel en particular, todas las clulas estn conectadas en serie.
Una vez obtenida la corriente de cortocircuito, para obtener la tensin en circuito
abierto de cada una de las clulas fotovoltaicas hay que dividir la tensin de circuito
abierto del mdulo entre el nmero de clulas en serie, obteniendo:

Teniendo los valores de tensin en circuito abierto y corriente de cortocircuito de cada
clula fotovoltaica en condiciones de 1 000 W/m
2
, 25 C y AM 1.5 ahora hay que
obtener los valores de tensin y corriente para el punto de mxima potencia de la
clula fotovoltaica realizando las mismas operaciones pero en lugar de escoger los
parmetro de circuito abierto y corriente de cortocircuito de mdulo fotovoltaico se
escogen los del punto de mxima potencia.

Teniendo los valores de corriente y tensin para el punto de mxima potencia solo
falta hallar la potencia mxima de la clula que se obtiene del producto de corriente y
tensin.

Habiendo obtenido las caractersticas elctricas de las clulas que componen el
mdulo en estudio (BP-7185S) solo falta describir el circuito a estudiar.
36

Las cinco clulas fotovoltaicas a estudiar estn conectadas en serie, tal y como se
muestra en la siguiente figura.

Figura (3.1) Conexin clulas fotovoltaicas a estudiar

Teniendo en cuenta que para estudiar el comportamiento de las cinco clulas
conectadas en serie hay que tratar cada una de las clulas como un circuito elctrico,
del circuito equivalente descrito se obtiene la siguiente figura donde se describe
elctricamente las cinco clulas fotovoltaicas teniendo en cuenta una caractersticas
de radiacin y temperatura con los siguientes valores para cada una de ellas:
Radicacin: 1 000 W/m
2

Temperatura ambiente: 25 C
Corriente suministrada por la fuente: 5,1A
Tensin de cada clula: 0,51V
Tensin del conjunto de 5 clulas: 2,55V
Corriente del conjunto de 5 clulas: 5,1 A

Figura (3.2) Circuito equivalente conjunto clulas fotovoltaicas
Como se observa de la figura anterior y del circuito equivalente, cada una de las
clulas tiene una fuente de alimentacin que inyecta corriente en funcin de la
radiacin que le incide, un diodo que no permite el paso de corriente cuando hay
radiacin pero cuando no hay radiacin si permite y unas resistencias (paralelo y
serie).
Por lo tanto, el camino que sigue la corriente es el mostrado con lnea azul discontinua
en la siguiente figura.
37

Figura (3.3) Camino corriente elctrica en circuito equivalente
3.1.2. Descripcin del estudio
Para poder estudiar el comportamiento del conjunto de las cinco clulas se tiene en
cuenta el siguiente escenario donde se puede observar que una de las cinco clulas
tiene la totalidad de la clula tapada.

Figura (3.4) Sombra clula fotovoltaica a estudiar
El objeto que tapa la clula no permite a la fuente de la clula 3 suministrar corriente,
por lo que el circuito equivalente para este caso se convierte en el siguiente.

Figura (3.5) Circuito equivalente conjunto con sombra en una clula
Se puede observar, que devido a que la fuente no recibe radiacin no suministra
corriente y se comporta como un circuito abierto por lo que la corriente circula por la
resistencia Rp3 tal y como se observa en la siguiente figura.
38

Figura (3.6) Camino corriente elctrica en circuito equivalente con sombra
3.1.3. Estudio sobre el caso
Como se ha descrito en el planteamiento del caso a estudiar, en este apartado se va a
estudiar cmo se comportan un conjunto de clulas conectada en serie cuando en una
de ellas no se refleja radiacin.
Hay que tener en cuenta que las cinco clulas estn conectadas en serie y en cuatro
de ellas hay una fuente de corriente que suministra una intensidad de 5,1 A y una de
ellas, al no recibir radiacin, la fuente de corriente se convierte en un circuito abierto.
La clula que no suministra corriente debido a la falta de radiacin no corta la corriente
generada por las otras clulas fotovoltaicas sino que esta corriente pasa por la
resistencia en paralelo (R
P3
) ya que el diodo no deja circular la corriente. Este proceso
indica que la clula fotovoltaica 3 se comporta como una carga resistiva.
Al tratarse la clula fotovoltaica como una carga resistiva, la corriente que circula por la
resistencia hace que esta consuma una potencia proporcional a la corriente que circula
por ella.
Por lo tanto, la potencia que disipa esta resistencia se obtiene:
() () ()
Teniendo en cuenta que gran parte de esta potencia se transforma en temperatura, la
clula fotovoltaica se calienta.

Figura (3.7) Clula fotovoltaica con sombra

39

Tal y como se observa en la figura anterior, una clula fotovoltaica con sombra cuando
est conectada en serie con otras clulas fotovoltaicas se calienta ms que las que
estn sometidas a radiacin solar debido a que esta no se comporta como generadora
de corriente sino como carga.

3.2. Comportamiento de los mdulos con sombras
3.2.1. Descripcin general
Habiendo realizado un pequeo estudio terico sobre el comportamiento de las clulas
fotovoltaicas cuando sobre ellas incide radiacin solar o de lo contrario tienen
sombras, se quiere aplicar estos conceptos tericos en una instalacin fotovoltaica.
Debido a la necesidad material que requiere este estudio emprico, vamos a explicar el
estudio del Ingeniero Tcnico Electrnico Toms Saz, realizado en la empresa Aplir,
constructora de instalaciones solares fotovoltaicas, donde se encarga de la supervisin
y produccin de las mltiples instalaciones repartidas por el territorio nacional
pertenecientes a la empresa y otras instalaciones que contratan dicho servicio. Aplir es
tambin la empresa donde tuve la oportunidad de realizar prcticas.
Aprovechando el acceso a una instalacin fotovoltaica de 5 kW se va a realizar un
estudio ms prctico detallando la repercusin de sombras en una cadena variable de
mdulos.

3.2.2. Descripcin del estudio
Para llevar a cabo este estudio se han utilizado los siguientes componentes de medida
y los componentes propios de la instalacin fotovoltaica instalada.
3.2.2.1.Mdulos Fotovoltaicos
Los mdulos fotovoltaicos instalados son de la marca Conergy y modelo SC170MA
con las caractersticas elctricas y fsicas que se detallan a continuacin:
40

Tabla (3.3) Caractersticas elctricas mdulos Conergy 170 MA

Como se puede observar, se destaca que los mdulos estn compuestos por tres
cadenas de veinticuatro clulas fotovoltaicas conectadas en serie. Cada una de las
tres cadenas tiene en paralelo un diodo llamado diodo de bypass. Este componente
electrnico permite el flujo de corriente en un nico sentido por lo que protege cada
una de las cadenas de clulas de posibles daos ocasionados por las sombras
parciales.

Figura (3.8) Diodo de bypass

La proteccin de cada una de las cadenas viene dada ya que el diodo impide que cada
cadena de clulas absorba corriente de otra cadena si en un mismo mdulo se
producen sombras en alguna de las cadenas.
La colocacin de los diodos de bypass puede variar segn marca y modelo del mdulo
fotovoltaico. Segn la configuracin de dichos diodos puede variar mucho el efecto del
Potencia Pico (Pmx) 170 W
Eficiencia del mdulo (%) 13,10%
Tensin punto de mxima potencia (Vmpp) 35,5 V
Corriente punto de mxima potencia (Impp) 4,79 A
Tensin en circuito abierto (Voc) 44,4 V
Corriente de cortocircuito (Isc) 5,27 A
Coeficiente de temperatura (Pmpp) -0,485 %/C
Coeficiente de temperatura (Voc) -0,155 V/C
Coeficiente de temperatura (Isc) 2,79 mA/C
Tensin mxima del sistema 1.000 V
Clulas 72 monocristalinas
Dimensiones 1.575 x 826 x 46 mm
Peso 16,3 kg
Nmero de clulas en serie 24
Nmero de clulas en paralelo 3
Mdulo Conergy SC170MA
Caractersticas Elctricas (1 000 W/m, 25 C, AM 1.5)
Caractersticas Fsicas
Diodo de bypass
41

sombreado parcial en la potencia del panel. Ms adelante veremos como afecta esta
configuracin a las curvar I-V y P-V.
La siguiente figura muestra el mdulo solar fotovoltaico empleado en el estudio.

Figura (3.9) Mdulo solar empleado
La colocacin de los mdulos es sobre una estructura fija inclinada a 30 grados y
orientada a sur.
Para ser ms precisos en los clculos y comparaciones a realizar en el estudio, los
valores de tensin y corrientes sern los obtenidos mediante foto-flash en lugar de los
generales, de este modo sabremos los valores reales de cada uno de los mdulos.

Tabla (3.4) Caractersticas elctrica segn foto-flash

3.2.2.2. Analizador de curvas
El dispositivo utilizado para el anlisis de curvas es un sistema de medicin combinado
entre el TRI-KA y TRI-SEN.
Con el sistema de medicin pueden llevarse a cabo las siguientes medidas y
evaluaciones:
Tensin en circuito abierto
Corriente de cortocircuito
Curva caracterstica I-U
Irradiacin sobre el plano de los paneles
Temperatura de las clulas
Mdulo 1 Mdulo 2 Mdulo 3 Mdulo 4 Mdulo 5 Mdulo 6 Unidades
Potencia Pico (Wp): 172,88 174,15 173,57 171,48 172,30 172,41 Wp
Tensin en circuito abierto (Voc): 44,81 43,92 44,72 44,72 44,88 44,78 V
Corriente de cortocircuito (Isc): 5,12 5,15 5,17 5,14 5,13 5,12 A
Tensin en el punto de mxima potencia (Vmpp): 36,68 37,16 37,09 36,66 36,85 36,89 V
Corriente en el punto de mxima potencia (Impp): 4,71 4,69 4,68 4,68 4,68 4,67 A
42

Curva caracterstica STC
Por medio de la curva corriente-tensin se puede valorar la calidad de una instalacin
fotovoltaica.
Caractersticas del dispositivo TRI-KA:

Mientras que las caractersticas del dispositivo TRI-SEN son:

3.2.3. Curvas I-V de mdulos fotovoltaicos sin sombreados
De los seis mdulos que se disponen los datos elctricos segn foto-flash se obtienen,
variando la cantidad de mdulos, las curvas I-V obteniendo las siguientes grficas de
los mdulos:
- Mdulos 1 y 2
- Mdulos 1, 2 y 3
- Mdulos 1, 2, 3 y 4
- Mdulos 1, 2, 3, 4 y 5
- Mdulos 1, 2, 3, 4, 5 y 6
En las grficas se observan cuatro curvas distintas: las curvas azules y lilas
representan las caractersticas Intensidad-Voltaje (I-V) y Potencia-Voltaje (P-V)
Medicin
Curva corriente-tensin (potencia, corriente de cortocircuito y tensin de
circuito abierto)
Rango de medicin de tensin 50 1.000 V 2 %
Rango de medida de corriente 0.1 10.0 A 2 %
Conexin de la medicin Pinzas tipo cocodrilo
Memoria Hasta 125 curvas de medicin
Pantalla LCD Pantalla grfica 128 x 64 Pixel (Retroiluminada)
Alimentacin Bateras (4 x 1.5 V)
Puertos Infrarrojos con el TRI-SEN, 2 cables a las cadenas de paneles
Funcionamiento Controlado por mens a travs teclado de membrana
Evaluacin PC-Software
Dimensiones 236 x 125 x 42 mm
Peso 0,5 kg
Medicin Temperatura de la clula e irradiacin
Rango de medicin de temperatura 10 60 C 3 %
Rango de medida de irradiacin 100 / 1.000 W/m 3 %
Conexin para medicin Sin Contacto
Memoria Hasta aproximadamente 8 horas
Pantalla LCD 8 caracteres de 5 x 7 pixels
Alimentacin Batera (1 x 9 V) o puerto USB
Puertos Infrarrojos al TRI-KA
Manejo de la unidad Pulsador
Evaluacin Transmisin al TRI-KA
Dimensiones 130 x 75 x 40 mm
Peso 0,15 kg
43

respectivamente segn el fabricante y las rojas y marrones representan las
caractersticas I-V y P-V medidas con foto-flash.
En la parte superior de los grficos tenemos los datos de radiacin y temperatura del
panel en el momento del ensayo.
3.2.4. Curva I-V de los mdulos 1 y 2
De los dos mdulos conectados en serie se obtiene las siguientes grficas I-V y P-V.
Para el caso que ahora nos ocupa nos fijaremos en las curvas superiores
pertenecientes al grfico I-V. Tal como hemos descrito anteriormente la curva roja es
la mesurada y la azul es la curva segn el fabricante.

Figura (3.9) Curva I-V mdulos 1 y 2

Comprobando los valores reales de cada mdulo y recibidos por el fabricante se
pueden comparar los parmetros de tensin en circuito abierto y corriente de
cortocircuito.
Para los dos mdulos conectados en serie, segn la Tabla (), se obtiene:
Voc
(mdulo 1 + mdulo 2)
= 88,73 V
Isc
(menor valor de los dos mdulos)
= 5,12 A

Comparando los valores segn foto-flash con los obtenidos en la elaboracin de la
curva I-V y anotados en la parte inferior izquierda de la figura anterior se observan
unas pequeas variaciones tanto en corriente como en tensin.
44

3.2.5. Curva I-V de los mdulos 1, 2 y 3
Para este caso, teniendo en cuenta que la curva I-V se realiza de tres mdulos
conectados en serie, se obtienen los siguientes valores extrados de la Tabla ():
Voc
(mdulo 1 + mdulo 2 + mdulo 3)
= 133,46 V
Isc
(menor valor de los dos mdulos)
= 5,12 A

Figura (3.10) Curva I-V mdulos 1, 2 y 3

Como se observa de la grfica anterior, el valor de tensin en circuito abierto es de
132,37 V mientras que el valor obtenido mediante foto-flash es de 133,46 V. En lo que
a corriente de cortocircuito se refiere el valor obtenido de la grfica es de 5,42 A por
los 5,12 A del valor segn foto-flash.
45

3.2.6. Curva I-V de los mdulos 1, 2, 3 y 4

Figura (3.11) Curva I-V mdulos 1, 2, 3 y 4

De los datos segn foto-flash se obtiene una tensin en circuito abierto de 178,17 V y
una corriente de cortocircuito de 5,12 A mientras que los valores obtenidos de la
realizacin de la curva I-V son de 177,21 V y 5,43 A.
46

3.2.7. Curva I-V de los mdulos 1, 2, 3, 4 y 5
La tensin en circuito abierto del conjunto de los cinco mdulos conectados en serie
segn foto-flash es de 223,06 V mientras que la corriente en cortocircuito sigue siendo
5,12 A.

Figura (3.12) Curva I-V mdulos 1, 2, 3, 4 y 5

Se observan de la figura anterior que la tensin en circuito abierto es de 221,56 V y la
corriente de cortocircuito es de 5,43 A.

3.2.8. Curva I-V de los mdulos 1, 2, 3, 4, 5 y 6
Se observa de la Tabla (3.4) que los valores de tensin en circuito abierto de los seis
mdulos es de 267,84 V y la corriente de cortocircuito es de 5,12 A, debido a que el
mdulo con menor corriente de cortocircuito tiene esta misma corriente.
De la siguiente figura donde se observa la curva I-V para los seis mdulos conectados
en serie se obtiene una tensin en circuito abierto de 266,57 V mientras que la
corriente de cortocircuito es de 5,44 A.
47

Figura (3.13) Curva I-V mdulos 1, 2, 3, 4, 5 y 6

Como conclusin de las curvas I-V obtenidas a las distintas cadenas de mdulos se
concluye que los valores de tensin en circuito abierto son muy parecidos mientras
que los valores de corriente de cortocircuito tienen diferencias significativas.
Cabe destacar que existe una diferencia considerable en las condiciones de obtener
los dos valores ya que los valores obtenidos segn foto-flash son muy prximos a las
condiciones estndar de medida (1 000 W/m
2
de radiacin y 25C de temperatura del
panel fotovoltaico) mientras que los valores meteorolgicos en el momento de realizar
la curva I-V son los detallados en cada una de las figuras anteriores con valores
medios de 962 W/m
2
y una temperatura de panel de 56C.
Por lo tanto, existe una diferencia considerable en la temperatura de panel.

48

3.2.9. Curvas I-V de mdulos fotovoltaicos con diversas sombras
En este apartado, del mismo modo que se ha realizado en el anterior, se van a obtener
las curvas I-V de diferentes mdulos con variedad de sombras y se van a comparar en
cada caso los valores de tensin y corriente en el punto de mxima potencia.

3.2.9.1.Caso 1: Tres mdulos con la primera hilera de clulas con sombra
Para este caso se han tenido en cuenta tres mdulos conectados en serie y una
sombra que tapa la primera hilera de clulas de los tres mdulos tal y como se
muestra en siguiente figura.

Figura (3.14) Sombra primera hilera horizontal en los tres mdulos

Para aplicar artificialmente esta sombra sobre la hilera de mdulos se ha utilizado una
conjunto de tubos de PVC sostenindolos encima de las clulas.
Con ayuda de los dos instrumentos de medida (TRIKA y TRISEN) se ha obtenido la
curva I-V que se muestra a continuacin.

49

Figura (3.15) Curva I-V de la sombra en la primera hilera horizontal en los tres mdulos

Comparando las curvas I-V anteriores y comparndolas con las curvas del apartado ()
donde se medan los mismos parmetros en condiciones sin sombras se observa que
las diferencias ms importantes vienen dadas por la corriente elctrica y que se
observa que la tensin no vara excesivamente.
Como se ha comentado en el estudio del comportamiento de las clulas fotovoltaicas
cuando una clula recibe menor radiacin su corriente tambin disminuye.
Cabe destacar que estos mdulos tienen las clulas formando tres cadenas de 24
clulas conectadas en serie y la distribucin de estas cadenas es en forma de tres U
cuando el mdulo est apoyado con el lado corto en el suelo. Por lo tanto, todas las
cadenas de estos tres mdulos conectados en serie tienen un porcentaje de sombras.
Teniendo en cuenta que todos los mdulos tienen la misma sombra se puede observar
en la grfica que la corriente se ve afectada en todos los mdulos por igual por lo que
se ve considerablemente afectada respecto la curva I-V de estos tres mismos mdulos
sin sombras.
50

3.2.9.2. Caso 2: Tres mdulos con sombra en la cuarta hilera de clulas
Habiendo realizado y analizado el caso 1 se realiza un caso muy parecido al anterior
pero en lugar de sombrear la primera hilera de clulas se tapan las clulas de la cuarta
hilera quedando como se observa en la siguiente figura.

Figura (3.16) Sombra cuarta hilera horizontal de los tres mdulos

Como se ha realizado en el caso anterior, se obtiene para estas caractersticas la
curva I-V de los tres mdulos conectados en serie.

Figura (3.17) Curva I-V de la sombra horizontal en la cuarta hilera de los tres mdulos

51

Para este caso, igual que para el caso anterior, el tener una sombra horizontal cuando
los mdulos estn colocados verticalmente, entendiendo esta posicin como ya se ha
comentado con el lado corto de mdulo en la base, cada una de las tres cadenas de
clulas que tiene un mdulo se encuentra repercutida por sombra por lo que la
corriente se ve disminuida considerablemente tal y como se observa en la curva I-V.
Cabe destacar que no se observa diferencia alguna entre que la sombra sea horizontal
tapando la primera hilera de clulas o tapando la cuarta hilera. Tiene sentido ya que
en los dos casos se tapan la misma cantidad de clulas solares.

3.2.9.3.Caso 3: Tres mdulos con la primera columna del primer mdulo con
sombra.
Habiendo comprobado mediante los dos casos anteriores que si una sombra
horizontal repercute en un mdulo vertical se ve disminuida considerablemente la
corriente. Por lo tanto en este caso se plantea el comportamiento de un conjunto de
tres mdulos conectados en serie teniendo sombra nicamente la primera columna del
primer mdulo.

Figura (3.18) Sombra vertical de la primera columna del pirmer mdulo

Por lo tanto, teniendo en cuenta las conexiones internas de los mdulos se puede
decir que esta sombra nicamente repercute a una cadena de clulas del primer
mdulo. Para ello vamos a obtener mediantes los dos componentes de medida la
curva I-V del conjunto de los tres mdulos.
52

Figura (3.19) Curva I-V de la sombra vertical de la primera columna del primer mdulo
De la figura anterior se destaca, siguiendo con los casos anteriores, que la corriente se
ve mermada debido a la sombra en una parte de mdulo pero a diferencia de los otros
casos la sombra no decae de forma general sino de forma parcial. Este resultado se
debe a que la sombra solamente ha afectado a una parte de un mdulo por lo que la
corriente se mantiene con valores medio altos.

Este resultado, nos justifica lo comentado anteriormente respecto a la colocacin de
los mdulos fotovoltaicos. Por su conexin interna de clulas fotovoltaicas los mdulos
para sombras horizontales, como por ejemplo las ocasionadas por mdulos cuando la
inclinacin del sol es baja, es mejor colocarlos con el lado largo en la base. De este
modo el mdulo queda divido en tres partes, las tres cadenas de clulas,
disminuyendo las posibles prdidas por sombreado.
3.2.9.4. Caso 4: Tres mdulos con sombra en una hilera del primer mdulo
Como se puede observar en la siguiente figura, para este caso se tapa un hilera del
primer mdulo. Con este caso se quiere comprobar la diferencia de comportamiento
de los dos mdulos sin sombra.
53

Figura (3.20) Sombra horizontal de una hilera del primer mdulo

Para poder valorar los resultados obtenidos la siguiente figura muestra la curva I-V
obtenida.

Figura (3.21) Curva I-V de la sombra horizontal del primer mdulo

Si valoramos los resultados obtenidos con los del caso 1 o 2 se puede observar la
importante diferencia para tensiones bajas. Este resultado es acorde a lo que se
buscaba ya que los otros dos mdulos no tienen sombra por lo que la corriente tiene
los valores del comportamiento normal mientras que el mdulo tapado se comporta
como si se trata del conjunto de mdulos de los casos 1 2.
54

Para esta sombra, las prdidas hubiesen sido menores si la colocacin de los mdulos
hubiese sido horizontal.
3.2.9.5.Caso 5: Tres mdulos con sombra horizontal en dos mdulos
Siguiendo con el caso anterior se alarga la sombra hasta el segundo mdulo tal y
como se observa en la siguiente figura.

Figura (3.22) Sombra horizontal de dos mdulos
Comprobando la sombra se realiza las mediciones necesarias para obtener la
siguiente figura donde se observa la grfica I-V.

Figura (3.23) Curva I-V de la sombra horizontal de dos mdulos
55

Se puede apreciar que al haber tapado algunas clulas de dos mdulos, la corriente
se ve afectada en un rango de tensin ms amplio. Se observa como desde los 45
voltios aproximadamente hasta el punto de mxima potencia la corriente se me
mermada.
Se puede observar la diferencia con el caso anterior donde nicamente se tapaba un
mdulo y el rango de tensin donde la corriente era inferior era desde los 85 voltios
hasta el punto de mxima potencia. Por lo tanto, el hecho de tapar ms mdulos o
menos tiene reflejado un resultado en que la corriente se mantiene ms tiempo o
menos con valores inferiores.

3.2.9.6. Caso 6: Tres mdulos con sombras verticales de diferente longitud en dos
mdulos
Habiendo realizado los casos anteriores con una nica sombra horizontal o vertical se
va a realizar un caso donde en el primer mdulo se tapa una columna entera de
clulas y para el segundo mdulo nicamente se tapan 3 clulas en vertical tal y como
se observa en la siguiente figura.

Figura (3.24) Sombras verticales en dos mdulos

Teniendo en cuenta que estas dos sombras afectan a dos cadenas de clulas de
mdulos diferentes el comportamiento debe ser diferente a los anteriores tal y como se
observa en la figura siguiente.
56

Figura (3.25) Curva I-V de dos sombras verticales en mdulos diferentes

De la curva I-V con las caractersticas detallas se observa como el comportamiento del
conjunto de los tres mdulos es escalar, se detectan dos niveles diferentes de
corriente. Este resultado viene dado ya que la sombra afecta a una cadena de clulas
de cada uno de los mdulos y sigue teniendo unos valores de corriente importantes.

3.2.9.7. Caso 7: Tres mdulos con sombra oblicua en el primer mdulo
Para este caso se ha aplicado una sombra oblicua sobre el primero de los tres
mdulos. Esta sombra es parecida a la ocasionada por el pararrayos en la instalacin
de VICSAN estudiada en la memoria.
57

Figura (3.26) Sombra oblicua en el primer mdulo
Este sombreado ocasiona sombra a distintas clulas de diferentes cadenas del primer
mdulo comportndose como se observa el siguiente curva I-V.

Figura (3.27) Curva I-V de la sombra oblicua del primer mdulo

Se observa de la figura anterior que el comportamiento de estos tres mdulos es muy
parecido al caso 4 donde hay una sombra horizontal nicamente en el primer mdulo.
El valor de corriente disminuye de manera importante a partir de los 65 voltios
mantenindose constante. Esto nos indica que nicamente hay un mdulo que se
comporta de manera irregular debido a la sombra.
58

3.2.9.8.Caso 8: Tres mdulos con sombra oblicua en dos mdulos
Habiendo realizado el caso anterior donde se observaba una sombra oblicua en el
primer mdulo, en este caso se realiza la misma sombra pero en dos mdulos.

Figura (3.28) Sombra oblicua en dos mdulos
Teniendo en cuando la sombra horizontal en dos mdulos que se ha realizado en caso
5 se espera una curva I-V parecida.

Figura (3.29) Curva I-V de la sombra oblicua de dos mdulos

59

Se observa en la figura anterior que la curva I-V no es tan parecida con la del caso 5
sobre todo debido a que la que corriente no se mantiene con valores similares. Este
motivo puede ser debido a que no todas las cadenas de clulas tienen la misma
cantidad de sombra. Se observa que el resultado obtenido tiene cierta concordancia a
la sombra ocasionada ya que hay dos mdulos con sombra y uno sin por lo que se
observa una disminucin de corriente desde los 45 voltios hasta los 120 voltios.

3.2.9.9.Caso 9: Tres mdulos con sombra en una clula del primer mdulo
Habiendo realizado diversos casos con sombras importantes donde se ven afectadas
diversas clulas de un mismo mdulo en este caso se va a obtener la curva I-V de tres
mdulos conectados en serie donde en uno de ellos se observa una sombra en una
nica clula.

Figura (3.30) Sombra en una clula del primer mdulo
Para este caso se prev una pequea disminucin de corriente ya que ocho de las
nueve cadenas no tienen sombra.
60

Figura (3.31) Curva I-V de la sombra de una clula del primer mdulo

Como se ha predicho, la sombra en una nica clula de una cadena de tres mdulos
repercute poco en la grfica.
Se puede comparar este caso con las defecaciones aviares que se pueden encontrar
en algunos mdulos fotovoltaicos. Por lo tanto, las prdidas ya si que pueden ser
considerables. Por este, entre otros motivos, es importante realizar una limpieza anual
de los mdulos fotovoltaicos.

3.2.9.10. Caso 10: Tres mdulos con sombra en una clula del primer y tercer
mdulo
Habiendo observado el comportamiento de tres mdulos conectados en serie con una
pequea sombra en una clula de uno de los tres mdulos, se va a realizar para este
caso dos sombras en dos clulas de diferente mdulo.
61

Figura (3.32) Sombra de una clula de dos mdulos

Por lo tanto, teniendo dos pequeas sombras la curva I-V es la que se muestra a
continuacin.

Figura (3.33) Curva I-V de la sombra de dos clulas de mdulos diferentes

Se puede observar como la repercusin de la segunda sombra, en relacin al caso
anterior, es importante. La corriente disminuye en los 100 voltios.

62

3.2.9.11. Caso 11: Un mdulo con la sombra de una persona
Habiendo realizado el estudio de sombras en los tres mdulos fotovoltaicos se realiza
un caso donde solamente hay un mdulo fotovoltaico y la sombra es la ocasionada por
una persona que se encuentra cerca del mdulo fotovoltaico.

Figura (3.34) Sombra de una persona proyectada en el mdulo
Se observa que la sombra no es regular y afecta a las tres cadenas de clulas del
mdulo por lo que la curva I-V tendr resultados nada parecidos a todos los anteriores.

Figura (3.35) Curva I-V de la sombra de una persona

Se observa en la curva I-V que la corriente es muy baja debida a la gran cantidad de
sombra que se encuentra el mdulo. Cabe destacar que en los anteriores casos
63

cuando haba una sombra en un nico mdulo, los otros dos producan correctamente,
lo que mejoraba la grfica.
3.2.10. Conclusiones
Habiendo realizado un estudio sobre el comportamiento de diferentes mdulos en
funcin de la sombra a la que estn sometidos se obtiene la siguiente tabla donde se
detalla para cada uno de los casos los valores de corriente, tensin, potencia y factor
de potencia pudiendo compararlos con los valores sin sombra extrados de la curva I-V
de los mdulos 1, 2 y 3 del apartado ()

Tabla (3.5) Resumen de los valores obtenidos en los casos estudiados

De la tabla anterior, por lo tanto de los casos realizados, se observa que cuando la
sombra que afecta a los mdulos es horizontal y por lo tanto no solamente afecta a
una cadena de clulas sino a ms de una la corriente que circula por el mdulo es
aproximadamente la mitad que en el caso que no hubiese sombra. Este descenso de
corriente afecta directamente a la potencia que da el mdulo que se ve reducida
aproximadamente a la mitad. Esta reduccin de potencia, proporcional a la corriente,
indica tal y como muestra la tabla anterior, que la tensin no se ve afectada a grandes
rasgos.
Para poder comparar y extraer los mejores casos se realizan las siguientes grficas
donde se observan diversos parmetros comparados con los valores sin sombra.

Figura (3.36) Grfica comparativo de corrientes y factor de potencia
Sin sombras Caso 1 Caso 2 Caso 3 Caso 4 Caso 5 Caso 6 Caso 7 Caso 8 Caso 9 Caso 10
Tensin Pmpp 102,57 121,65 122,14 92,66 71,73 118,96 84,05 71,17 120,25 94,30 81,22
Corriente Pmpp 5,05 2,11 2.06 5,00 4,95 2,52 4,86 5,00 2,03 4,92 5,04
Tensin Vco 132,37 132,65 132,34 132,36 132,13 132,36 132,35 132,37 132,15 132,70 132,72
Corriente Isc 5,42 2,85 3,00 5,40 5,40 5,40 5,39 5,39 5,38 5,41 5,41
Potencia 518,22 256,90 251,12 463,29 354,93 299,87 408,44 355,86 243,78 463,62 409,06
FP 0,72 0,68 0,63 0,65 0,50 0,42 0,57 0,50 0,34 0,65 0,57
0,00
1,00
2,00
3,00
4,00
5,00
6,00
S
i
n

s
o
m
b
r
a
s
C
a
s
o

1
C
a
s
o

2
C
a
s
o

3
C
a
s
o

4
C
a
s
o

5
C
a
s
o

6
C
a
s
o

7
C
a
s
o

8
C
a
s
o

9
C
a
s
o

1
0
Corriente Pmpp Corriente Isc FP
64

Se puede observar como en los casos 1, 2, 5 y 8 la corriente en el punto de mxima
potencia a disminuido mucho mientras que las corrientes de cortocircuito se mantienen
excepto en los casos 1 y 2.

Figura (3.37) Grfica comparativo de tensiones y potencia

Se puede observar que la potencia no tiene para ningn caso valores cercanos al
obtenido cuando no hay sombras. Adems se observa que la tensin en circuito
abierto se mantiene constante mientras que la tensin en el punto de mxima potencia
tiene valores dispares, aunque todos ellos inversamente proporcionales a los valores
de potencia.
Por lo tanto, habiendo realizado un estudio con mdulos colocados en una instalacin
fotovoltaica se puede llegar a la conclusin que las sombras en los mdulos afectan
muy negativamente en la produccin. Es muy importante realizar un diseo de la
instalacin lo ms preciso posible ya que si no, la produccin se ver afectada igual
que el estado de los mdulos.

0,00
100,00
200,00
300,00
400,00
500,00
600,00
S
i
n

s
o
m
b
r
a
s
C
a
s
o

1
C
a
s
o

2
C
a
s
o

3
C
a
s
o

4
C
a
s
o

5
C
a
s
o

6
C
a
s
o

7
C
a
s
o

8
C
a
s
o

9
C
a
s
o

1
0
Tensin Pmpp Tensin Vco Potencia
65


Anexo2: 4.
Configuracin de los
diodos de bypass
Setiembre 2012
66

ndice Anexo 2

ANEXO2: CONFIGURACIN DE LOS DIODOS DE BYPASS ......................................... 65 4.
4.1. INFLUENCIA DE LAS SOMBRAS SEGN LA CONFIGURACIN DE LOS DIODOS DE BYPASS ....... 67
4.1.1. Resumen ........................................................................................................................... 67
4.1.2. Introduccin ..................................................................................................................... 67
4.1.3. Desarrollo ........................................................................................................................ 68
4.1.4. Conclusiones .................................................................................................................... 74

67

4.1. Influencia de las sombras segn la configuracin de los
diodos de bypass
4.1.1. Resumen
Como hemos visto, la curva caracterstica I-V de un mdulo fotovoltaico se ve afectada
por las sombras, dependiendo del rea sombreada y la radiacin recibida en dicha
rea.
Otro factor importante que determina la afectacin de las sombrasen el mdulo
fotovoltaico y por lo tanto la curva caracterstica I-V es la configuracin de las
conexiones elctricas entre las clulas y los diodos de bypass. Los diodos de bypass
estn instalados en los mdulos para prevenir el consumo de energa cuando las
clulas estn sombradas o daadas, estos diodos tambin tienen la funcin de
prevenir que las clulas no trabajen cerca de la zona de avalancha*.

*Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan
pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar
con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos
electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms
electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones
que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin
superiores a 6 V.

El siguiente estudio se examina el desempeo de un generador fotovoltaico. Un
generador fotovoltaico consiste en mdulos conectados entre si. En particular, los
diodos de bypass de superposicin es analizado, mostrando que total o parcialmente,
los mdulos sombreados pueden consumir parte de la energa generada por otros
mdulos del generador fotovoltaico.
Este efecto esta tambin presente en generadores fotovoltaicos de baja potencia. En
estos casos la potencia disipada por el diodo es pequea, pero si hay muchos, la
potencia disipada por todos los diodos puede ser comparable con la energa producida
por varios mdulos fotovoltaicos.

4.1.2. Introduccin

Una de las muchas causas de las prdidas en la generacin de energa con sistemas
fotovoltaicos es el sombrado parcial en los mdulos fotovoltaicos. Estos mdulos estn
formados por clulas fotovoltaicas conectadas en serie o en paralelo con diodos
incluidos en diferentes configuraciones.
La curva de las clulas varia dependiendo de la radiacin recibida i de la temperatura.
Adems, los mdulos tienen diodos que permiten que la corriente fluya a travs de un
camino alternativo cuando hay suficientes clulas sombreadas o daadas. Hay dos
configuraciones tpicas de los diodos de bypass: superpuestos y no superpuestos
(figura..). Cabe sealar que el anlisis en mdulos con diodos superpuestos es mas
complejo ya que puede haber diferentes caminos para el flujo de corriente.
68

En este caso vamos a estudiar el comportamiento individual de un mdulo fotovoltaico
con sombras.

Figura(4.1).Diodo de bypass superpuesto(a), No-superpuesto(b)

4.1.3. Desarrollo
4.1.3.1.Comportamiento de una clula fotovoltaica
Con el fin de analizar el comportamiento de un mdulo con sombra parcial, es
necesario conocer:
- La curva de las clulas polarizadas y polarizadas en sentido inverso.
- La curva de las clulas en trminos de radiacin.
- La curva de los diodos de bypass.

Figura (4.2). Curva de una clula fotovoltaica polarizada y polarizada en sentido inverso para una
radiacin de 0w/m
2
.

69

Figura (4.3). Curvas de una clula fotovoltaica para diferentes radiaciones solares.

4.1.3.2. Comportamiento de un conjunto de clulas fotovoltaicas
Cuando las sombras estn fundidas en un mdulo fotovoltaico, el comportamiento de
una clula fotovoltaica en su zona inversa (voltaje negativo) debe ser tomada en
consideracin, puesto que las clulas fotovoltaicas sombreadas pueden ser
polarizadas en sentido inverso. La figura () muestra que para una corriente de una
celda soleada 2A tiene un voltaje de 0.55V, mientras que una cela sombrada tiene -
5.5V. Si el diodo de derivacin est en paralelo con 12 clulas fotovoltaicas
conectadas en serie, y una de ellas est sombrada, la tensin del grupo ser de 1.1V
(figura) y, por lo tanto, el diodo no conducir porque est polarizado inversamente.
Por el contrario, para valores de corriente superiores a 3, la tensin del grupo ser
negativa, y la corriente fluir a travs del diodo, ya que est polarizado.

Figura (4.4). Curvas para una clula individual con sol y sombra (a) y Curva de 12 clulas en srie, 11
soleadas (1000W/m
2
) y una sombrada (100 W/m
2
) (b)
70

4.1.3.3. Comportamiento de un mdulo fotovoltaico

Un mdulo fotovoltaico est formado por un conjunto de clulas fotovoltaicas y por
diodos de bypass conectados en paralelo. La configuracin de las conexiones
determina la curva I-V del mdulo fotovoltaico cuando este est parcialmente
sombreado.
En el siguiente estudio, la composicin del mdulo fotovoltaico consiste en 72 clulas
distribuidas en 6 filas compuestas por 12 clulas cada una, con las siguientes
configuraciones:
1) Diodos de bypass superpuestos
2) Diodos de bypass no-superpuestos

4.1.3.4.Diodos de bypass superpuestos

En la primera configuracin analizada, cada mdulo se compone de 72 clulas
conectadas con los diodos de bypass superpuestos (Figura)

Figura (4.5).Mdulo fotovoltaico (a) la distribucin fsica (b) sistema elctrico con
diodos solapados.

Las curvas IV y PV del mdulo fotovoltaico para radiaciones solares de 1000 y
100W/m2 se representan en la figura(). Cuando el mdulo fotovoltaico est
sombreado, su voltaje negativo en el punto de trabajo puede ser 1/3 de su voltaje de
circuito abierto, y la potencia consumida puede exceder 1/3 de la potencia pico del
mdulo fotovoltaico.

71

Figura (4.6). Curvas I-V y P-V de un mdulo fotovoltaico con los diodos de bypass superpuestos.

Con el fin de estudiar el comportamiento tpico de los mdulos fotovoltaicos, una
simulacin de sombra progresiva se har a partir de la fila inferior de las clulas
fotovoltaicas a la superior. Este es un enfoque prctico, ya que en los amaneceres y
puestas de sol pueden ocurrir situaciones en las que el mdulo fotovoltaico tiene la
misma sombra que la simulada. Hay tres posibles caminos para la mayor parte de la
corriente elctrica (Fig). La ruta depende de los diodos polarizados, y el diodo de
polarizacin depende de las clulas fotovoltaicas sombreadas. Cuando ambos diodos
estn polarizados, las dos series centrales del mdulo son los responsables de un
notable poder de drenaje.
Cada uno de estos caminos es un punto de la curva I-V y P-V (fig).

72

Figura(4.7).corriente elctrica en los mdulos fotovoltaicos con diodos de derivacin superpuestas.

Figura (4.8). Curvas IV y PV de un mdulo fotovoltaico con diodos de bypass superpuestos
progresivamente sombreados.
73

4.1.3.5.Diodos de bypass no-superpuestos
En la segunda configuracin analizada, el mdulo fotovoltaico tiene los diodos de
bypass no-solapadas, pero tiene la misma distribucin fsica de las clulas
fotovoltaicas. En este caso, el circuito elctrico se compone de 3 series, cada una con
24 clulas fotovoltaicas. Cada serie tiene un diodo de derivacin (fig). A causa de
esta configuracin, la curva I-V del generador fotovoltaico tiene el doble de la tensin
en circuito abierto y la mitad de la corriente de cortocircuito de un mdulo fotovoltaico
con diodos superpuestos con la misma potencia pico. Adems, cuando el mdulo
fotovoltaico est polarizado inversamente, su voltaje y su consumo de energa son
menores que en el caso anterior. Sin embargo, cuando la energa generada es baja,
este consumo puede ser apreciable por el consumo de energa de los diodos
polarizados (3,9 vatios / diodo).

Figura (4.9). Mdulos fotovoltaicos con diodos de derivacin no-superpuestos (a) distribucin fsica
(b) esquema elctrico

En este caso, el nmero de posibles trayectorias de flujo de corriente es superior (fig.
4.10), pero el nmero de curvas I-V y P-V es inferior (fig.4.11).

Figura (4.10).corriente elctrica en los mdulos fotovoltaicos con diodos de derivacin no-superpuestos.
74

Figura (4.11). Curvas IV y PV de un mdulo fotovoltaico con diodos de bypass no-superpuestos
progresivamente sombreados.

4.1.4. Conclusiones
Se ha demostrado que las prdidas producidas por las sombras dependen de la
configuracin de los diodos de bypass en los mdulos fotovoltaicos. Las prdidas de
energa en mdulos fotovoltaicos con diodos superpuestos pueden ser de un tercio de
su potencia mxima, ya que adems de los diodos de bypass, un tercio de sus clulas
fotovoltaicas tambin puede consumir energa. En los mdulos fotovoltaicos con
diodos de bypass no-superpuestos, las prdidas de energa slo se producen por el
consumo de energa de los diodos, de todos modos, slo se notara si hay demasiados
diodos de bypass y demasiadas sombras en los mdulos fotovoltaicos.

75


Anexo 3: Simulaciones 5.
curva I-V

Setiembre 2012
76

ndice Anexo 3

ANEXO 3: SIMULACIONES CURVA I-V ........................................................................... 75 5.
5.1. OBJETIVO ...................................................................................................................... 77
5.2. PLANTEAMIENTO ............................................................................................................ 77
5.2.1. Ecuaciones utilizadas ....................................................................................................... 78
5.3. PROGRAMACIN ............................................................................................................ 78
5.3.1. Consideraciones previas .................................................................................................. 78
5.3.2. Definicin de las variables ............................................................................................... 78
5.3.3. Clculos para una clula iluminada ................................................................................ 79
5.3.4. Clculos para un panel iluminado ................................................................................... 79
5.3.5. Clculos para una clula sombreada ............................................................................... 81
5.3.6. Conexin en serie de una clula iluminada con una sombreada ..................................... 82
5.3.7. Conexin en serie de una clula sombreada con una iluminada ..................................... 83
5.4. COMPARACIN ENTRE UN ENSAYO REAL Y LA SIMULACIN................................................ 84
5.4.1. Anlisis del ensayo real.................................................................................................... 84
5.4.2. Mdulos utilizados ........................................................................................................... 84
5.4.3. Curva I-V del ensayo real ................................................................................................ 85
5.4.4. Simulacin ........................................................................................................................ 86
5.5. CONCLUSIONES ............................................................................................................. 90

77

5.1. Objetivo
Se pretende crear un programa que a partir de las caractersticas elctricas que nos
facilitan los fabricantes de los mdulos fotovoltaicos sea capaz de dibujarnos la curva
caracterstica I-V.
Para llevar a cabo este programa utilizaremos Matlab. Para su desarrollo se utilizan las
ecuaciones matemticas que ms adelante se describen y usaremos como base de
comparacin las grficas que hemos visto en los estudios anteriores.

5.2. Planteamiento
Para poder empezar a simular las curvas I-V, antes de nada desglosaremos el panel
por clulas con el fin de obtener la curva I-V de una sola de ellas, y a partir de esta
caracterstica podremos empezar a trabajar, sabiendo que cuando dos clulas estn
en serie se suma el voltaje de cada una de ellas y si estn en paralelo se suma la
intensidad.
Para poder empezar a obtener resultados visibles, tomaremos como ejemplo un panel
fotovoltaico ya utilizado en este estudio, es el mdulo BP-7185S.

Tabla (5.1). Caractersticas elctricas mdulo BP 7185S

Los datos en los que nos basaremos para obtener las curvas I-V van a ser la Icc, la
Voc y el nmero de clulas que estn en serie y en paralelo. Este mdulo en concreto
tiene 72 clulas conectadas en srie.

78

5.2.1. Ecuaciones utilizadas
Para poder transformar los datos que nos facilita el fabricante sobre el mdulo
fotovoltaico a datos especficos para cada una de sus clulas utilizaremos las
siguientes ecuaciones tal i como hemos visto en el apartado 3.1.1.

Una vez conseguidos los datos deseados, trabajaremos con las siguientes ecuaciones
para conseguir la curva I-V
)

En el siguiente anexo profundizaremos ms sobre las matemticas relacionadas con
las vurvas I-V y el funcionamiento de las clulas y mdulos fotovoltaicos.

5.3. Programacin
En primer lugar, basndonos en los datos del fabricante vamos a obtener la
informacin deseada sobre una sola clula:

5.3.1. Consideraciones previas
Para simplificar los clculos y estimar las curvas I-V, no tendremos en consideracin
las resistencias serie y paralelo presentes en el esquema elctrico de la clula
fotovoltaica, con lo que obtendremos unas curvas ideales, ni tendremos en cuenta la
pequea disminucin de la Voc cuando la clula recibe menos radiacin.
Exceptuando los casos en los que analizaremos las sombras, todas las grficas sern
las equivalentes a la climatologa en que el fabricante nos facilita los datos del panel,
es decir: 1000W/m
2
, 25C y AM 1.5.

5.3.2. Definicin de las variables
Definimos los valores de Isc (Intensidad de cortocircuito), Voc (tensin a circuito
abierto), Cp (nmero de clulas en paralelo) y Cs (nmero de clulas en serie)
Isc = 5.5;
Voc = 44.8;
Cp = 1;
Cs = 72;
79

5.3.3. Clculos para una clula iluminada

Para realizar los siguientes clculos utilizaremos las ecuaciones descritas en apartado
5.2.1.
Iscc = Isc/Cp; Transformamos los valores de panel a clula
Vocc = Voc/Cs;

xc = 0:0.01:Vocc; Creamos un vector para la tensin

Ioc = Iscc * exp(-Vocc/0.025);

yc = Iscc - Ioc * exp((xc + Ioc*2)/0.0245);

5.3.3.1.Curva I-V de la clula

Figura (5.1) Curva I-V de una clula FV simulada en Matlab

En este caso se observa que al estar todas clulas en serie la Isc del panel es la
misma que la de la clula.

5.3.4. Clculos para un panel iluminado
Para este caso en concreto, al estar todas las clulas en serie, nos bastara con
multiplicar la Voc de la clula por el nmero de clulas que tenga el mdulo. Es decir:
plot(72*xc,yc);

Pero para poder obtener la curva I-V cuando tengamos un panel con clulas en
paralelo, escribiremos el programa de la siguiente manera:
80

x = 0:0.05:Voc;
y = Cp * Iscc*(1-exp((x-Voc)/2.5));

5.3.4.1.Curva I-V del mdulo

Figura (5.2) Curva I-V de un mdulo FV simulada en Matlab

En nuestro caso en concreto se obtiene exactamente la misma curva utilizando ambos
de los dos mtodos anteriormente definidos.

En el caso que tuvisemos las mismas clulas pero distribuidas en dos cadenas en
paralelo, es decir Cs=36 y Cp =2, y el resto de caractersticas del panel permanecieran
constantes, tendramos que observar que al haber la mitad de clulas en serie, si la
Voc del mdulo no vara, cada clula tendr que aumentar al doble su Voc, es decir,
aproximadamente a 1.2V. De la misma manera, si ahora tenemos el doble de clulas
en paralelo, la Icc de cada clula se ver disminuida a la mitad, es decir,
aproximadamente 2.75A.

Aplicando el mismo programa que hemos estado utilizando hasta ahora cambiaremos
solamente los valores de Cs y Cp para observar los resultados y compararlos con los
esperados:

Isc = 5.5;
Voc = 44.8;
Cp = 2; Cambiamos 2 el nmero de clulas en paralelo
Cs = 36; Reducimos a la mitad el nmero de clulas en serie

81

Figura (5.3) Curva I-V de una clula FV simulada en Matlab

Podemos observar en la grfica exactamente los valores de Icc y Voc esperados para
esta situacin. En comparacin observamos como como se reducen a la mitad los
valores De la Icc y se doblan los de Voc.

5.3.5. Clculos para una clula sombreada
Para poder empezar a programar la simulacin de la curva I-V para una clula
sombreada, antes de nada tenemos que llegar al acuerdo de la cantidad de radiacin
que va a recibir dicha clula.
Como hemos visto en el apartado 2.7.2. la curva I-V vara mucho en funcin de la
radiacin que recibe, y vara fundamentalmente en su Icc tal y como observaremos a
continuacin:

Figura (5.4) .Curvas I-V del panel Kyocera KC130TM para distintos niveles de radiacin
82

En nuestro caso hemos determinado la Icc de una clula sombreada como el 15% de
la Icc de una clula soleada, es decir, aproximadamente 0.8A. Utilizaremos el
siguiente cdigo para simular dicha curva.

Iscc = (Isc/Cp)*0.15;
Vocc = Voc/Cs;

xcs = 0:0.01:Vocc;

Iocs = Iscc * exp(-Vocc/0.025);

ycs = Iscc - Iocs * exp((xc + Ioc*2)/0.0245);

5.3.5.1.Curva I-V de una clula sombreada

Figura (5.5) Curva I-V de una clula FV sombreada simulada en Matlab

5.3.6. Conexin en serie de una clula iluminada con una sombreada
Una vez visto el comportamiento de las clulas cuando estn iluminadas y cuando
estn sombreadas, veamos ahora lo que pasa cuando las juntamos en serie una con
otra:

Figura (5.6) Esquema de connexin de las dos clulas
83

Si primeramente colocamos la clula iluminada y seguidamente la sombreada,
deberamos de observar que cuando la tensin llegue aproximadamente a 0.6V la
intensidad decaiga hasta unos 0.8A (15% de la Icc) y se comporte a partir de este
momento tal y como hemos visto en la curva I-V de la clula sombreada.

Utilizaremos las siguientes lneas de cdigo para juntar las dos curvas I-V:

plot([xc(1:end-2) xc+xcs(end)],[yc(1:end-2) ycs]);

5.3.6.1.Curva I-V de dos clulas FV iluminada + sombreada

Figura (5.7) Curva I-V de dos clulas FV iluminada + sombreada simulada en Matlab

5.3.7. Conexin en serie de una clula sombreada con una iluminada
En este caso es cuando el efecto adverso de las sombras se hace ms patente ya que
aunque la segunda clula est iluminada, la influencia de la primera no le permite
generar ms intensidad de la que recibe, es decir, que en este caso la Iscs = Isc.

Figura (5.8) Esquema de connexin de las dos clulas
84

5.3.7.1.Curva I-V de dos clulas FV sombreada + iluminada

Figura (5.9) Curva I-V de dos clulas FV sombreada + iluminada simulada en Matlab

5.4. Comparacin entre un ensayo real y la simulacin
Hemos visto en los apartados anteriores como simulbamos las curvas I-V de una
clula, un conjunto de clulas y un mdulo FV con sol y con sombras. En este
apartado se pretende escoger un ensayo real de los que hemos visto en el apartado
3.2 y simularlo utilizando los mtodos de programacin del apartado anterior.

5.4.1. Anlisis del ensayo real
Para dar ms nfasis a la importancia de las sombras, escogeremos el ensayo
realizado en el apartado 3.2.9.9 descrito como caso 9: Tres mdulos con sombra en
una clula del primer mdulo.
En este caso queda de manifiesto como una sola clula sombreada perjudica de forma
notable en el panel y en el conjunto de paneles.

5.4.2. Mdulos utilizados
Recordamos que el ensayo real fue realizado a una cadena tres mdulos Conergi
CS170MA conectados en serie. Cada mdulo tena una tensin a circuito abierto
(Voc) de 44.4V, una intensidad de cortocircuito (Isc) de 5.27A y estaban compuestos
de 3 cadenas en paralelo de 24 clulas cada cadena.
85

Tabla (5.2) Caractersticas elctricas mdulos Conergy 170 MA

5.4.3. Curva I-V del ensayo real

Figura (5.10) Curva I-V de la sombra de una clula del primer mdulo

Analizando el grfico a primera vista, observamos que la primera parte de la curva (a
la izquierda de la lnea vertical negra) equivale aproximadamente a los dos mdulos
iluminados ms dos cadenas iluminadas del tercer mdulo, es decir, que si
Potencia Pico (Pmx) 170 W
Eficiencia del mdulo (%) 13,10%
Tensin punto de mxima potencia (Vmpp) 35,5 V
Corriente punto de mxima potencia (Impp) 4,79 A
Tensin en circuito abierto (Voc) 44,4 V
Corriente de cortocircuito (Isc) 5,27 A
Coeficiente de temperatura (Pmpp) -0,485 %/C
Coeficiente de temperatura (Voc) -0,155 V/C
Coeficiente de temperatura (Isc) 2,79 mA/C
Tensin mxima del sistema 1.000 V
Clulas 72 monocristalinas
Dimensiones 1.575 x 826 x 46 mm
Peso 16,3 kg
Nmero de clulas en serie 24
Nmero de clulas en paralelo 3
Mdulo Conergy SC170MA
Caractersticas Elctricas (1 000 W/m, 25 C, AM 1.5)
Caractersticas Fsicas
86

prolongamos dicha curva (lnea de puntos roja) la Voc debera ser aproximadamente
igual a : 44.4V (mdulo 1) + 44.4V (mdulo 2) + 2/3 de 44.4V ( mdulo 3). La suma de
todo esto son unos 118V, que se aproxima bastante al resultado grfico de la
prolongacin de la lnea de puntos roja.
Por otra parte cabe pensar que la curva que se encuentra a la derecha de la lnea
vertical negra corresponde a un string sombreado, ya que como hemos visto
anteriormente una sola clula sombreada afecta a todas que tiene a continuacin.

5.4.4. Simulacin
Para empezar, y teniendo en cuenta que cada panel est formado por 3 cadenas en
paralelo y 24 clulas en serie cada cadena, analizaremos una sola clula en estas
condiciones:
Isc = 5.27;
Voc = 44.4;
Cp = 3;
Cs = 24;

Iscc = Isc/Cp;
Vocc = Voc/Cs;

xc = 0:0.01:Vocc;
Ioc = Iscc * exp(-Vocc/0.25);
yc = Iscc - Ioc * exp((xc + Ioc*2)/0.25);

Figura (5.11) Curva I-V de una clula iluminada del panel Conergy SC170MA
simulada en Matlab

87

Podemos observar como al Isc es tres veces inferior a la de una clula cuyo panel est
compuesto por tres cadenas conectadas en serie y la Voc es tres veces superior.
El siguiente paso es observar cmo le afecta la sombra a dicha clula, suponiendo que
la Isc solo alcanza el 18% de la Isc en condiciones de ensayo del fabricante.
radiacio = 0.18;

Isccs = (Isc/Cp)*radiacio*Cp;

Vocc = Voc/Cs;

xcs = 0:0.01:Vocc;

Iocs = Isccs * exp(-Vocc/0.25);

ycs = Isccs - Iocs * exp((xc + Ioc*2)/0.25);

Figura (5.12) Curva I-V de una clula sombreada del panel Conergy SC170MA
simulada en Matlab

A continuacin vamos a simular las curvas caractersticas I-V para el panel en cuestin
en los casos de que est completamente soleado y completamente sombreado y de
igual manera que hasta el momento supondremos una radiacin del 18% de la que
recibira el panel soleado.
Para el panel soleado:
x = 0:0.01:Voc;
y = Cp * Iscc*(1-exp((x-Voc)/3.5));

88

Figura (5.13) Curva I-V del panel FV Conergy SC170MA soleado simulada en Matlab

Figura (5.14) Curva I-V del panel FV Conergy SC170MA sombreado simulada simulada en Matlab

En este segundo caso se aprecia que al estar los tres strings que forman el panel en
paralelo, la intensidad Icc es tres veces superior a la que sera si estuviesen los tres
strings en serie.

89

Ahora ya tenemos lo necesario para poder simular el caso real que nos habamos
propuesto referente al cao 9 del apartado 3.2.9.9.
Para ello tendremos en cuenta que en este ensayo la parte soleada afecta a los dos
primeros paneles y a los dos primeros strings del tercero, es decir, los 2 primeros
paneles ms 1/3 del tercer panel, y la parte sombreada afecta a todo el tercer string
del ltimo panel, aunque por el efecto del diodo de bypass solo de ver afectado
medio string.
Para poder comparar el resultado que nos de la simulacin con el caso del estudio
real, utilizaremos un programa de Matlab llamdo GetFigure 3.0 facilitado por el
departamento de robtica de la UdLL que nos permite extraer la curva en Matlab de
una grfica en formato imagen, de este modo podremos comparar el resultado
pintando las dos curvas en el mismo grfico.
plot([2.6667*x(1:end-320) 12*xcs+113],[y(1:end-320)
Cp*ycs],'Color','k','LineWidth',2.0);
hold on;
load dades_cas9.mat
plot(dades_cas9(2,:),dades_cas9(1,:),'r-');
xlabel('Voltaje (V)','fontsize',18);
ylabel('Intensidad (A)','fontsize',18);
legend ('Curva IV simulacion caso 9','Curva IV medicin caso 9');
grid on;
hold off;
set(gca,'fontsize',18);

En las lneas de cdigo podemos observar el plot de dades_cas9. Este es el nombre
con el que hemos guardado los datos que el programa GetFigure 3.0 nos ha dado de
la curva comparada.

Podemos comprobar visualmente que la curva simulada se aproxima bastante a la
medida en la situacin real. La mayor diferencia se observa en la parte final en que la
curva simulada tiene un mayor voltaje que la medida, supuestamente por no tener en
90

cuenta la cada de la tensin por efecto del calentamiento que se produce en las
celdas como consecuencia de la temperatura.
5.5. Conclusiones
Basndonos en la experiencia adquirida durante la recopilacin de informacin para
realizar este estudio, las interpretaciones de las curvas I-V medidas en el apartado 3
(Estudio de las sombras) y la aplicacin de las ecuaciones del siguiente apartado,
hemos conseguido mediante el entorno de programacin Matlab, simulaciones de las
curvas I-V tanto de clulas fotovoltaicas individuales como de paneles enteros segn
su configuracin interna y las sombras que los afectan, as como configuraciones
especficas de diferentes paneles conectados entre s y con sombras especficas.
Hemos podido observar que sin utilizar un cdigo complejo y sin entrar en muchos
detalles, es posible simular de una forma bastante aproximada las curvas I-V de un
panel o un conjunto de paneles segn su situacin y poder cuantificar los problemas
de pequeas sombras y estimar las producciones en una situacin ideal.

91



Planos 6.

Setiembre 2012
92

ndice de planos

PLANOS .............................................................................................................................. 91 6.
6.1. PLANO DE DETALLE PANEL BP 7185 S ........................................................................... 93
6.2. PLANO DE CONEXIN ENTRE MDULOS ........................................................................... 94

95


Anexo 4: Clculos 7.
matemticos curva I-V

Setiembre 2012
96

ndice Anexo 4

ANEXO 4: CLCULOS MATEMTICOS CURVA I-V ....................................................... 95 7.
7.1. CLCULO MATEMTICO DE LA CURVA I-V EN UNA CLULA SOLAR FOTOVOLTAICA ............... 97
7.2. CLCULO MATEMTICO DE LA CURVA I-V EN UN PANEL SOLAR FOTOVOLTAICO................. 100
7.3. OBTENCIN DE LA CURVA I-V ....................................................................................... 100
7.3.1. Modelo de Green. ........................................................................................................... 100

97

7.1. Clculo matemtico de la curva I-V en una clula solar
fotovoltaica

La iluminacin de una clula aade una corriente fotogenerada a la caracterstica I-V
de modo que:

[
(
)
]

Ecuacin (1.6): Corriente fotogenerada por la iluminacin de una clula

Dnde:
I
L
= corriente fotogenerada
I
o
= corriente de saturacin
V= voltaje aplicado
q= Valor carga electrn (q=1.6021733x10
-19
C )
k= cte de Boltzman (k= 1.380658x10
-23
J/K)
T= temperatura absoluta
m= factor idealidad, vara entre 1 y 2

potencial trmico

Los parmetros usados para caracterizar la salida de las clulas solares ideales, para
una irradiancia dada, una temperatura de operacin y una determinada rea son:
Corriente de cortocircuito, Isc, la corriente mxima a voltaje zero. Idealmente si V=0,
Isc=IL, Isc es directamente proporcional a la luz disponible.
Voltaje de cirquito abierto, Voc, mximo voltaje a corriente cero. Voc aumenta
logartmicamente con la irradiancia incidente y disminuye con la temperatura.
Punto de mxima potencia, Pm, donde el producto Im x Vm alcanza su valor mximo.
El factor de forma, FF, es una medida de calidad de la unin i de la resistencia en serie
de la clula.

Ecuacin (2.6): Factor de forma

98

Dnde:
FF= factor de forma
VmIm=Pm=pnto de mxima potencia
Isc= corriente de cortocircuito (Imax)
Voc= voltaje a circuito abierto (Vmax)

La incidencia de la luz suele tiene el efecto de desplazar la curva I-V hacia abajo, en el
cuarto cuadrante. No obstante, por acuerdo se suele representar en el primer
cuadrante mediante la siguiente ecuacin:

[
(
)
]
Ecuacin (3.6): Incidencia de la luz en el primer cuadrante

Figura (6.1). Cirquito equivalente de una clula solar y el efecto de la incidencia de la luz en la
caracterstica I-V de la unin p-n

Para cada punto de la curva I-V, el producto de la corriente y el voltaje representan la
potencia de salida en las condiciones de la operacin. Como ya hemos visto
anteriormente las clulas solares presentan una resistencia serie y una resistencia
paralelo asociadas que reducen el factor forma. La resistencia serie, Rs, es debida
principalmente a la resistencia del volumen del material, a las interconexiones y a la
resistencia entre los contactos metlicos y el semiconductor. La resistencia paralelo,
Rp, es debida a la no idealidad de la unin p-n y a las impurezas cerca de la unin.
Con la presencia de ambas resistencias, serie y paralelo, la curva I-V de una clula
solar est dada por:

99

[
(
)
]

Ecuacin (4.6): Incidencia de la luz en funcin de Rp y Rs

Siendo:

Dnde:
I
L
= corriente fotogenerada [A]
I
o
= corriente de saturacin [A]
R
s
= resistencia serie []
R
p
= resistencia en paralelo []

= voltaje trmico
T= temperatura del dispositivo [K]

Se puede considerar que tanto una clula solar, como un mdulo, como un generador
FV pueden caracterizarse por una ecuacin como la (nm. La anterior) donde para
cada caso los parmetros IL, Io, m, Rs y Rp sern diferentes, aunque existe una
relacin entre ellos y el nmero de elementos en serie, Ns y en paralelo Np.

Figura (6.2). Influencia de la variacin de la resistencia serie, Rs, y la resistencia paralelo Rp, en la
curva I-V de una clula solar.

I

V

I

V

100

7.2. Clculo matemtico de la curva I-V en un panel solar
fotovoltaico

Como hemos visto en el apartado anterior, la funcin que describe la curva I-V tanto
en una clula como en un mdulo es la siguiente:

[
(
)
]

Ecuacin (5.6): Incidencia de la luz en funcin de Rp y Rs

Donde IL, Io, m, Rs y Rp son parmetros caractersticos para el mdulo en cuestin.
Si consideramos que el mdulo fotovoltaico est formado por Ns clulas conectadas
en serie y Np en paralelo y suponemos que todas son idnticas, la ecuacin que
describe la curva I-V es la siguiente;

Ecuacin (6.6): Incidencia de la luz en funcin de Rp, Rs y el nmero de clulas en serie y paralelo

Es recomendable trabajar con la primera ecuacin.

7.3. Obtencin de la curva I-V
Existen varios modelos matemticos para la obtencin de la curva I-V. A continuacin
describiremos un modelo acorde con las ecuaciones que hemos utilizado hasta el
momento, el modelo de Green.
7.3.1. Modelo de Green.
El modelo de Green permite calcular la curva caracterstica I-V de un dispositivo
fotovoltaico a partir de los datos suministrados por el fabricante que tpicamente son:
Isc, Voc y el facto de forma FF (FF=ImVm/IscVoc)
1. Si en la ecuacin de una exponencial simplificada se considera que:
101

)

Ecuacin (7.6) La exponencial de la curva I-V

2. En cortocircuito (I=Isc) se obtiene el mayor valor de la corriente de
generacin y como IL>>Io se puede aproximar: IL=Isc. Se obtien:

)

Ecuacin (8.6) Incidencia de la luz en cortocircuito

3. En la condicin de circuito abierto I=0 y V=Voc, se puede obtener una
expresin para Io:
)

Ecuacin (9.6) Incidencia de la luz en circuito abierto 1

O equivalente
)
Ecuacin (10.6) Incidencia de la luz en circuito abierto 2

4. Con lo que:

[
(
)
]
Ecuacin (11.6) Incidencia de la luz segn modelo de Green

Considerando que en el punto de mxima potencia, en la que el producto Pm=VmIm
alcanza su valor mximo, la derivada de la potencia respecto de la tensin es nula.
(

Se puede obtener:

)
Ecuacin (12.6) Voltaje mximo

102

Si consideramos m=1 (valor aproximadamente vlido para clulas de cilicio
monocristalino), el nico parmetro a determinar es Rs. Valor que se puede obtener de
la siguiente ecuacin:

Ecuacin (13.6) Factor de forma mximo para un dispositivo ideal

Donde FFo es el valor mximo del FF para el dispositivo ideal, es decir, para Rs=0 y
Rp=(infinito). Se pueden definir unos valores normalizados:

Ecuaciones (14.6), (15.6), (16.6) valores normalizados de voltaje a circuito abierto, resistencia serie y
resistencia paralelo

Si consideramos nicamente la influencia de la r
s
en el dispositivo, entonces el valor
de Rs puede obtenerse de la expresin:

) Donde
) (
)
Ecuacin (17.6) Factor de forma Ecuacin (18.6) Resistencia serie

Una ecuacin obtenida de modo emprico, equivalente a la ecuacin anterior es:

Ecuacin (19.6) Factor de forma obtenido de forma emprica 1

*Expresiones vlidas para voc>10 y rs<0.4

Si tambin se considera el efecto de la rp:

( )

Ecuacin (19.6) Factor de forma obtenido de forma emprica 2

* Expresin vlida para voc>10 y rs<2.5

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2012

Autor: Jordi Pallej Cabr

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