Por lo general, la carga aplicada tendr un impacto importante en el punto o regin de operacin de un dispositivo.

Si el anlisis se realiza de forma grfica, se puede dibujar una lnea recta sobre las caractersticas del dispositivo que represente la carga aplicada. La interseccin de la recta de carga con las caractersticas determinar el punto de operacin del sistema. Tal anlisis es llamado, por razones obvias, anlisis por

medio de la recta de carga.

Mediante la aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito en serie del circuito mostrado el resultado ser:

(1)

Figura 1 Configuracin de diodo en serie: (a) circuito; (b) caractersticas.

Las intersecciones de la recta de carga sobre las caractersticas se pueden determinar fcilmente si se tiene en cuenta que en cualquier lugar del eje horizontal ID = 0 A y

que en cualquier lugar del eje vertical VD = 0 V. Si establecemos que VD = 0 V en la ecuacin (1) y se resuelve para ID, tendremos la magnitud de ID sobre el eje vertical. Por tanto, con VD = 0 V, la ecuacin (1) se convierte en
(2)

como se muestra en la siguiente figura. Si

establecemos ID = 0 A en la ecuacin (1) y resolvemos para VD, obtenemos la magnitud de VD sobre el eje horizontal. Por tanto, con ID = 0 A, la ecuacin (1) se convierte en

(3)

Ahora tenemos una recta de carga definida por la red y una curva caracterstica definida por el dispositivo. El punto de interseccin entre los dos es el punto de operacin para este:

Figura 2. Dibujo de la recta de carga para encontrar el punto de operacin.

Para la configuracin del diodo en serie de la siguiente figura 3 y utilizando las caractersticas del diodo de la figura 3b determine: (a) VDQ e IDQ. (b) VR.

Figura 3

(a) Circuito; (b) caractersticas.

Aplicando la ecuacin 2 y 3, tenemos:

La recta de carga resultante aparece en la figura 4. La interseccin entre la recta de carga y la curva caracterstica define el punto Q como:

(a) Entonces del punto Q tenemos:

La diferencia en los resultados se debe a la precisin con la cual se puede leer la grfica. Idealmente, los resultados que se obtienen de una forma o de otra deberan ser los mismos.

Como se observ en el ejemplo anterior, la recta de carga est determinada nicamente por la red aplicada, mientras que las caractersticas estn definidas por el dispositivo seleccionado. Si recurrimos a nuestro modelo aproximado para el diodo y no se modifica la red, la recta de carga ser exactamente la misma que la que se obtuvo en el ejemplo anterior. De hecho, el siguiente ejemplo repite el anlisis de los ejemplo 1, mediante el modelo aproximado para permitir una comparacin de resultados.

Repita el ejemplo 1 utilizando el modelo equivalente del diodo semiconductor de, silicio. Solucin La recta de carga se vuelve a dibujar segn se muestra en la siguiente figura, con las mismas intersecciones como se defini en el ejemplo 1. Las caractersticas del circuito equivalente aproximado para el diodo tambin se han trazado en la misma grfica. El punto Q resultante:

Los ejemplos anteriores han demostrado que los niveles de corriente y voltaje que se obtuvieron al usar el modelo aproximado, son muy cercanos a los que resultaron al utilizar las caractersticas completas. Esto sugiere, como se aplicar en las secciones subsiguientes, que el uso de aproximaciones apropiadas puede dar como resultado la obtencin de soluciones que son muy cercanas a la respuesta real con un nivel reducido de incertidumbre acerca de la reproduccin adecuada de las caractersticas y de la eleccin de una escala lo suficientemente grande.

En el ejemplo siguiente vamos un paso adelante y sustituiremos el modelo ideal. Los resultados revelarn las condiciones que se deben satisfacer para aplicar el equivalente ideal de forma adecuada.

Repita el ejemplo 1 utilizando el modelo del diodo ideal. Solucin Como se muestra en la siguiente figura la recta de carga contina siendo la misma, pero las caractersticas ideales ahora intersectan a la recta de carga en el eje vertical. Por lo tanto, el punto Q est definido

por:

El uso del modelo de diodo ideal, por tanto, debe reservarse para aquellas ocasiones en aquellas situaciones en que los voltajes aplicados sean considerablemente mayores que el voltaje de umbral VT. En las siguientes capitulos se emplear

exclusivamente el modelo aproximado, debido a que los niveles de voltaje obtenidos sern sensibles a las variaciones que se aproximen a VT. En secciones posteriores se emplear el modelo ideal con mayor frecuencia solo cuando los voltajes aplicados sean ms altos que VT.

Los resultados obtenidos al emplear el modelo equivalente aproximado de segmentos lineales fueron muy cercanos, si no es que iguales, a la respuesta obtenida al utilizar las caractersticas completas. De hecho, si se consideran todas las variaciones posibles debidas a las tolerancias, temperaturas, etctera, se podra considerar que una solucin es "tan precisa" como la otra. Dado que el uso del modelo aproximado normalmente origina un gasto reducido de tiempo y esfuerzo para obtener los resultados deseados, ste es el enfoque que se utiliza normalmente.

Tenga en mente que el 0.7 y el 0.3 V en los circuitos equivalentes no son fuentes

independientes de energa, sino que estn ah para recordamos que hay un "precio que pagar" a cambio de encender un diodo.' Un diodo particular en la mesa de laboratorio no indicar 0.7 o 0.3 V si se coloca un voltmetro a travs de sus terminales. Las fuentes especifican la cada de voltaje a travs de cada una cuando el dispositivo est en "encendido" y especifican que el voltaje del diodo debe ser, por lo menos, del nivel indicado antes de que la conduccin pueda establecerse.

Se utilizara el modelo aproximado para investigar una variedad de configuraciones de diodos en serie con entradas de dc. Para cada configuracin debe determinarse, en primer lugar, el estado de cada diodo. Cules diodos estn en "encendido" y cules en "apagado"? Una vez que se determina esto, el equivalente apropiado, puede sustituirse y pueden determinarse los parmetros restantes de la red.

En general, un diodo se encuentra en el estado

"encendido" si la corriente establecida por las fuentes aplicadas es tal que su direccin concuerda con la de la flecha en el smbolo del diodo, y VD > 0.7 V para el silicio y VD > 0.3 V para el germanio.
Para cada configuracin, se reemplazarn

mentalmente los diodos con elementos resistivos y se observar la direccin de la corriente resultante como la establecen los voltajes aplicados ("presin"). Si la direccin resultante "coincide" con la flecha del smbolo del diodo, la conduccin a travs del diodo ocurrir y el dispositivo estar en el estado "encendido". La descripcin anterior es, por supuesto, dependiente de que la fuente proporcione un voltaje mayor que el voltaje de "encendido" (VT) de cada diodo.

En el circuito en serie de la figura 2.12 el estado del diodo se determina primero por el reemplazo mental del diodo con un elemento resistivo como lo demuestra la figura 2.13. La direccin resultante de I coincide con la flecha en el smbolo del diodo, y dado que

E > VT el diodo se encuentra en el estado "encendido".

La red entonces se dibuja nuevamente como se demuestra en la figura 2.14 con el modelo equivalente apropiado para el diodo de silicio en polarizacin directa. Para referencia futura, observe que la polaridad de VD es la misma que resultara si el diodo, de hecho, fuera un elemento resistivo. El voltaje y los niveles de corriente resultantes son los siguientes:

En la figura 2.15 el diodo de la figura 2.12 se invirti. Mentalmente, el reemplazo del diodo por un elemento resistivo, como lo muestra la figura 2.16, revelar que la direccin de la corriente resultante no coincide con la flecha en el smbolo del diodo. El diodo est en el estado "apagado", lo que da como resultado el circuito equivalente de la figura 2.17. Debido al circuito abierto, la corriente del diodo es 0 A y el voltaje a travs de la resistencia R es el siguiente:

Para la configuracin de diodos en serie de la siguiente figura, determine VD, VR e ID Solucin Dado que el voltaje aplicado establece una corriente en direccin de las manecillas del reloj para coincidir con la flecha del smbolo y que el diodo est en el estado "encendido",

2.2 K

Recordar cuando se realiza el anlisis de diodos lo siguiente: 1. Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje a travs de sus terminales, pero la corriente es siempre 0 A. 2. Un circuito cerrado tiene una cada de 0 V a travs de sus terminales, pero la corriente estar limitada nicamente por la red que la rodea.

Determine V0 e ID para el circuito en serie de

la siguiente figura.

La corriente resultante tiene la misma direccin que las puntas de flechas de los smbolos de ambos diodos y que la red de la anterior figura es el resultado debido a que E = 12 V > (0.7 V + 0.3

V) = 1 V. Observe que la fuente dibujada nuevamente es de 12 V y la polaridad es de V0 a travs de la resistencia de 5.6 k. El voltaje resultante ser:

Determine I, V1 ,V2 y V0 para la configuracin

de dc en serie de la siguiente figura.

Determine I1, ID1 ,ID2 y V0 para la

configuracin del diodo en paralelo de la figura siguiente.

Para el voltaje aplicado la "presin" de la fuente es para establecer una corriente a travs de cada diodo en la misma direccin que la que se muestra en la figura anterior. Dado que la direccin de la corriente resultante coincide con la flecha de cada smbolo del diodo y que el voltaje aplicado es mayor que 0.7 V, ambos diodos se encuentran en el estado "encendido". El voltaje a travs de los elementos en paralelo es siempre el mismo y

Si suponemos diodos de caractersticas similares, tenemos

Este ejemplo demostr una razn para colocar diodos en paralelo. Si la corriente nominal de los diodos de la figura anterior es slo de 20 mA, una corriente de 28.18 mA daara a un solo dispositivo. Mediante la colocacin de dos en paralelo, la corriente est limitada a un valor seguro de 14.09 mA con el mismo voltaje en las terminales.

Determine las corrientes l1, l2 e ID2, para la

red de la figura

El voltaje aplicado es tal que enciende a ambos diodos.

El anlisis del diodo se ampliar para incluir funciones con variacin en el tiempo, tales como la forma de onda senoidal y la onda cuadrada. Sobre un ciclo completo, definido por el periodo T, el valor promedio (la suma

algebraica de las reas por encima y por debajo del eje) es cero.

El circuito de la siguiente figura, llamado rectificador de media onda, generar una forma de onda v0 que tendr un valor promedio de uso particular para el proceso de conversin de ac a dc. Cuando un diodo se emplea en el proceso de rectificacin, es comn referirse a l como rectificador. Sus valores nominales de potencia y corriente son, por lo comn, mucho ms altos que aquellos diodos empleados en otras aplicaciones, tales como los sistemas de cmputo y de comunicacin.

Durante el semiciclo positivo el diodo queda polarizado en directo, permitiendo el paso de la corriente a travs de l. Si el diodo es considerado como ideal, este se comporta como un cortocircuito, (ver grfico), entonces toda la tensin del secundario aparecer en la resistencia de carga.

Durante el semiciclo negativo, la corriente entregada por el transformador querr circular en sentido opuesto a la flecha del diodo. Si el diodo es considerado ideal entonces este acta como un circuito abierto y no habr flujo de corriente, La forma de onda de salida de un rectificador de 1/2 onda ser como se muestra en la siguiente figura.

La entrada vi y la salida v0 se dibujaron juntas en la siguiente figura con el propsito de establecer una comparacin. Ahora, la seal de salida v0 tiene un rea neta positiva arriba del eje y durante un periodo completo, y un valor promedio determinado por:

Ec. ()

La seal aplicada debe ser ahora al menos de 0.7 V antes de que el diodo pueda "encenderse". Para niveles de vi menores que 0.7 V, el diodo an se encuentra en un estado de circuito abierto y v0 = 0 V . Cuando se encuentran en estado de conduccin, la diferencia entre v0 y vi, es un nivel fijo de VT = 0.7 V y v0 = v - VT como se muestra en la figura. El efecto neto es una reduccin en el rea por encima del eje, lo cual reduce naturalmente el nivel de voltaje de resultante. Para las situaciones en donde Vm VT, la siguiente ecuacin puede aplicarse para determinar el valor promedio con un nivel relativamente alto de precisin.

Ec. ()

(a) Dibuje la salida v0 y determine el nivel de

de dc la salida para la red de la siguiente figura

(b) Repita el inciso (a) si el diodo ideal se reemplaza por un diodo de silicio. (c) Repita los incisos (a) y (b) si Vm se

incrementa a 200 V y compare las soluciones mediante las ecuaciones () y ().

(a) En esta situacin el diodo conducir durante la parte negativa de la entrada como lo muestra la siguiente figura, y v0 aparecer

como tambin lo seala la misma figura. Para el periodo completo, el nivel de dc es

vdc = -0.318Vm = -0.318(20 V) = -6.36 V El signo negativo indica que la polaridad de la salida es opuesta a la polaridad definida inicialmente en la figura.

(b) Al utilizar un diodo de silicio, tenemos que considerar la tensin VT

V

Vdc -0.318(Vm - 0.7 V) = -0.318(19.3 V) = -6.14

La cada resultante en el nivel de dc es de 0.22 V o aproximadamente 3.5%.

Vdc = -0.318Vm = -0.318(200 V) = -63.6 V

(c) Ecuacin ():

Ecuacin () : Vdc = -0.318(Vm - VT) = -0.318(200 V - 0.7 V)

= -(0.318)(199.3 V) = -63.38 V

Lo cual es una diferencia que puede ser ignorada para la mayora de las aplicaciones. Para la parte c, la cada y el desplazamiento en la amplitud debido a VT no sera discernible en

un osciloscopio tpico.

El valor nominal del voltaje pico inverso (PIV)[o PRV (voltaje pico en reversa)] del diodo tiene una importancia primordial en el diseo de sistemas de rectificacin. Es indispensable recordar que ste es el valor nominal del voltaje que no deber excederse en la regin de polarizacin inversa o el diodo entrara en la regin de avalancha Zener.

El valor nominal que se requiere de PIV para el rectificador de media onda se puede determinar segn la siguiente figura, la cual muestra el diodo con polarizacin inversa de con el voltaje mximo aplicado. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchoff, es obvio que el valor nominal del PIV del diodo debe igualar o exceder el valor pico del voltaje aplicado. Por tanto,

Puente de diodos El nivel de dc obtenido de una entrada senoidal se puede mejorar un 100% mediante la utilizacin de un proceso llamado rectificacin de onda completa. La red ms familiar para desarrollar tal funcin aparece en la siguiente figura con sus cuatro diodos en una configuracin de puente.

Figura .- Trayectoria de conduccin para la regin positiva de vi

Figura .- Trayectoria de conduccin para la regin negativa de vi

Dado que el rea por encima del eje para un ciclo completo es ahora el doble de lo obtenido para un sistema de media onda, el nivel de dc se ha duplicado tambin y

Si en lugar de los diodos ideales se emplean de silicio como lo muestra, la aplicacin de la ley de voltaje de Kirchoff dara como resultado:

v - VT v0 - VT = 0 v0 = v - 2VT

el valor del pico del voltaje de salida v0 es por tanto:

V0 = Vm- 2VT

Para situaciones donde Vm 2VT, puede

aplicarse la siguiente ecuacin () para el valor promedio con un nivel relativamente alto de precisin.
Ec. ()

De nuevo, si Vm es suficientemente mayor que 2VT, entonces la ecuacin () se aplica de

manera frecuente como una primera aproximacin para Vdc.

Ec. ()

PIV.- El PIV requerido para cada diodo (ideal) puede determinarse por medio de la siguiente figura obtenida en el pico de la regin positiva de la seal de entrada. El voltaje mximo para la malla indicada a travs de R es Vm, y el valor nominal de PIV se

define por:

Un segundo rectificador popular de onda completa aparece en la siguiente figura con nicamente dos diodos pero con el requerimiento de un transformador con derivacin central para establecer la seal de entrada a travs de cada seccin del secundario del transformador.

Figura .- Condiciones de red para la regin positiva de v.

Figura .- Condiciones de la red para la regin negativa de v.

PIV .- La red de la siguiente figura nos ayudar a determinar el PIV neto para cada diodo de este rectificador de onda completa. Al aplicar el voltaje mximo para el voltaje secundario y para Vm como lo establece la

malla adjunta, dar como resultado:

Determine la forma de onda de salida para la red de la siguiente figura y calcule el nivel de dc de la salida y el PIV requerido para cada diodo.

El PIV como se deriva de la figura, es igual al voltaje mximo travs de R (vo), el cual es de 5 V.