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Prctica 7 Curva del Diodo Rectificador de Si Silva Prez Edzna Claudia Shle Gngora Jessica Villa Aguirre Karen

Susana Facultad de Ciencias, UNAM. Laboratorio de Electrnica, 2014-I

Resumen En esta prctica hicimos uso de en un circuito con un diodo rectificador de Si polarizado en forma directa, de lo cual obtuvimos treinta y cinco datos de { , } y y se obtiene la grfica de { }, vase figura 3. Para el anlisis de los datos dividimos est grfica en dos partes una con los primeros quince datos ver grfica 1 y otra con veinte datos ver grfica 2. Estas grficas las comparamos con la figura 4, observando que la grfica 3 no se parece a la de la figura, probablemente por errores al tomar los datos. Objetivo Obtener la curva caracterstica del diodo rectificador de Si. * Para la regin lineal, extraer la corriente inversa de saturacin Io y la constante emprica n.
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Desarrollo terico. Un diodo conduce bien la corriente en direccin directa y mal en direccin inversa. En esencia, idealmente un diodo funciona como un conductor perfecto (voltaje cero) cuando tiene una polarizacin directa y como un aislante perfecto (corriente cero) si tiene polarizacin inversa. A esta primera aproximacin diodo se le conoce como diodo ideal. En la Figura 1 se representan la constitucin fsica, la simbologa y el modelo prctico de un diodo rectificador de silicio de los ms utilizados, el 1N400X.

Figura 1. Diodo rectificador de silicio. La principal aplicacin del diodo de silicio es la conversin de corriente alterna (ca) en corriente continua (cc); los circuitos que realizan esta funcin se denominan rectificadores. Con base en la conduccin y no conduccin del diodo aparecen dos conceptos que se denominan polarizacin directa y polarizacin inversa. El diodo est en polarizacin inversa cuando el terminal ctodo tiene polaridad positiva con respecto al terminal nodo; en este caso, el diodo no permite el paso de la corriente y se comporta como un aislante, ver Figura 2. Pero si se supera un cierto valor de tensin, entonces se produce un efecto de conduccin brusca que puede deteriorar el diodo.

Figura 2. El diodo con polarizacin inversa se comporta como un aislante.

Si el diodo permite la circulacin de corriente se encuentra polarizado en forma directa, que es cuando el terminal nodo tiene polaridad positiva con respecto al terminal ctodo; en este caso, se dice que el diodo se comporta como un conductor, y se produce una circulacin de corriente por el circuito en el sentido (convencional) que ya sugiere el smbolo del diodo, vase la figura siguiente:

Figura 3. El diodo en polarizacin directa se comporta como un conductor. La tensin que aparece entre los terminales cuando el diodo conduce se denomina cada directa. La tensin mnima para que empiece a conducir (tensin umbral) es de unos 0,7 V, y su valor aumenta un poco conforme aumenta la intensidad, pudindose situar en alrededor de 1 V en condiciones normales de trabajo. Cuando el diodo se polariza en forma directa aparece una curva que nos da los valores de intensidad en funcin de la tensin entre nodo y ctodo, vase la figura siguiente:

Figura 4. Curva caracterstica tpica de un diodo de silicio en polarizacin directa. Hasta que la tensin no llega a 0,6 V o 0,7 V (tensin umbral) no se empieza a apreciar una circulacin de intensidad notable. A partir de dicha tensin la intensidad aumenta en forma brusca; pequeos aumentos de tensin dan lugar a grandes aumentos de intensidad. Para el valor nominal de intensidad de funcionamiento la tensin (cada directa) es de aproximadamente 1 V, en diodos rectificadores de mediana potencia. El diodo no ofrece pues un valor fijo de resistencia al paso de la corriente, su resistividad depende de la tensin que tenga aplicada. Entre 0 V y unos 0,7 V (tensin umbral), su resistividad es muy elevada (por ello no se aprecia casi circulacin de corriente); a partir de la tensin umbral su resistencia empieza a hacerse muy baja y por ello la intensidad aumenta. Cuando aplicamos una tensin directa V a una unin p-n, es decir, una tensin positiva del lado p y negativa del lado n. En primer lugar, la anchura de la zona de carga disminuye, disminuyendo tambin la barrera de potencial que aparece en dicha zona. Esta tensin aplicada rompe el equilibrio establecido entre las fuerzas que sobre los portadores ejerce el campo elctrico y las fuerzas que tienden a producir la difusin de los portadores minoritarios.

Figura 5. Polarizacin directa de la unin p-n. La zona dipolar es ms estrecha que la que aparece en la unin sin polarizar.

Figura 6. Polarizacin directa de la unin p-n. Cuando V >V la corriente crece exponencialmente con la tensin aplicada. Las caractersticas generales de un diodo semiconductor pueden definirse por medio de la ecuacin de Shockley: (

Donde { } es la corriente que atraviesa el diodo, { } es la tensin entre los extremos del diodo, q la carga del electrn, K la constante de Boltzman, T la temperatura en Kelvin y es una constante emprica, la cual para el silicio vale dos en niveles de tensin bajo y uno para niveles relativamente altos de corriente. A partir de esta aproximacin s obtiene: La tensin equivalente de temperatura se define como:

Bibliografa: * http://www.marcombo.com/Descargas/9788426715326%20PRINCIPIOS%20DE%20ELECTRICIDAD%20Y%20ELECTRONICA.%20TOMO%205/EXTR ACTO%20DEL%20LIBRO.pdf Consulta:27/10/2013, 16:11. * http://ocw.ehu.es/ensenanzas-tecnicas/electronica-general/teoria/tema2-teoria Consulta: 29/10/2013, 09:13.