Dispositivos Eletronicos Potencia

CONVERSORES ELECTRNICOS DE POTNCIA A ALTA FREQUNCIA
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTNCIA:

1. diodo
A K
2. tiristor - (SCR) silicon controlled rectifier.
A G
3. tiristor de corte comandado (GTO) - gate turn off thyristor.

E C B D C E G C S
K G
4. transistor bipolar - (TJB).
5. transistor de efeito de campo de potncia (MOSFET).
G S
6. IGBT - insulated gate bipolar transistor.

A
G E
7. MCT - MOS controlled thyristor.
G K
IST-DEEC 2007
Prof Beatriz Vieira Borges

A K
DIODO TIRISTOR
5000 V, 10000A
K G
lentos: 5000V, 5000A, tq=100s rpidos: 2000V, 200A, tq=20s
GTO
K G E C B E
4500V, 1000A 9000V, 9000A (mdulos)

B
TRANSISTOR BIPOLAR
D
2000V, 2 a 10A 1000V, 100A

D
MOSFET
G S C
100V, 30A 1000V, 6A
G S
IGBT
IST-DEEC 2007
G E
3500V, 300A

A K
Diodo
Conduz se a tenso vAK se tornar positiva. Bloqueia se a corrente IF se tornar negativa
Esquema equivalente do diodo em conduo

Rj Vj
Caracterstica Caracterstica ideal ideal

IF
Caracterstica Caracterstica real real

IF
Potncia dissipada:
PF=VFIF=VjIFav + RjIFef2
Resistncia trmica do dissipador:
VAK
VAK
Tjmax - Ta = Rth j-a PF
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Limites de operao:
VRRM IFRMS IFAV IFRM IFSM I2t tenso inversa mxima de pico repetitivo mximo valor eficaz da corrente directa mximo valor mdio da corrente directa mximo valor de pico rep. da corrente directa mximo valor de pico no rep. da t corrente directa 2 2 I t = i D dt caracterstica de choque trmico
0
valor mdio da corrente directa
I F ( av )
1t = iD dt T0
1 2 = iD dt T 0
t
valor eficaz da corrente directa

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I F ( RMS )
Caracterstica dinmica Caracter stica dinmica

trr tempo de recuperao inversa;
i mx t rr
intervalo de tempo entre a inverso da corrente e a interseco da tangente no incio da subida com o eixo t
Qrr carga de recuperao inversa (C);

t I RM
Q rr
Carga elctrica removida da juno durante a transio ON-OFF
ta tempo de armazenamento;
Intervalo desde que se inverte at comear a subir exponencialmente
ta
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Passagemconduo conduo Passagem IF vAK t t Passagemao aocorte corte Passagem IF Circuito de proteco para evitar oscilaes: Problemas quando a frequncia aumenta
IST-DEEC 2007 Prof Beatriz Vieira Borges
Carga de capacidade Potncia dissipada
vAK
com RC
t t
Classificao de d dodos Classifica o de odos
Schottky Schottky
Recuperao Recuperaorpida rpida (fast (fastrecovery) recovery)
Rectificadores Rectificadores
Von = 0.3 Vmx < 150V
trr baixo (<s) Vmx < kV Imx < kA

trr elevado Vmx > kV Imx > kA
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Schottky Schottky
Mx. tenso de bloqueio Mx. Corrente directa valor mdio
Tenso de conduo Corrente de fuga no corte
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Recuperao Recuperaorpida rpida

Mx. tenso de bloqueio no corte Corrente fuga no corte
Tempo de recuperao
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Rectificadores Rectificadores
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Dodosem emsrie srie(repartir (repartirtenses tensesinversas) inversas) Dodos
Dodosem emparalelo paralelo(repartir (repartircorrentes correntesdirectas) directas) Dodos Equalizao por dispositivo
Seleco de dodos com caractersticas muito semelhantes
Equalizao por acomplamento magntico

S para correntes de kA; processo caro e complexo; mais peso, mais volume.
Equalizao por resistncias

S para correntes mais baixas
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A G K
Tiristor SCR
Semi-controlado Semi-controlado
Controlo apenas na passagem a ON
+ VAK A IAK G iG K
Conduz se vAK for positivo e se existir um impulso de corrente na gate, de curta durao. Bloqueia se a corrente IF se anular.
Caracterstica Caracterstica ideal ideal

IF
bloqueio disparo
Caractersticareal real Caracterstica

I
IF
i >i >i i G1 > iG2 > iG3
G1 G2 G3
Transio OFF-ON
vGK = VGKT > 0, iG = iGT > 0 durante um intervalo de tempo mnimo
VRRM
Transio ON-OFF
VAK
VAK
VDRM V DRM
inverso de tenso IAK < IH (corrente de manuteno)
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VRRM VDRM ITRMS ITAV ITRM ITSM I2t -
Limites de operao:
tenso inversa mxima de pico repetitivo tenso directa mxima de pico repetitivo com o tiristor no corte mximo valor eficaz da corrente directa mximo valor mdio da corrente directa mximo valor de pico rep. da corrente directa mximo valor de pico no rep. da corrente directa caracterstica de choque trmico mxima taxa de crescimento da corrente directa mxima taxa de crescimento da tenso nodo ctodo
(di/dt)max (dvAK/dt)max -
IH IL td tq IST-DEEC 2007
corrente de manuteno (holding current) (1% ITAV) corrente de lanamento (latching current) (> IH) tempo de passagem conduo 0,1s - 10s tempo de passagem ao corte 1s - 110s

IG IGM
Caractersticasde deGATE GATE Caractersticas

VGM----------- mximo mximovalor valorda datenso tensogategate-ctodo ctodo V GM ------ mximo mximovalor valorda dapotncia potnciana nagate gate PGM-----P GM ----- mximo mximovalor valorda dapotncia potnciamdia mdiana nagate gate PGav----P
Gav
PGM=vGKIGK
------- mximo mximovalor valorda dacorrente correntede degate gate IGM------IGM vGK(MIN)
vGM
vGK
td - tempo de disparo (diminui com o aumento de energia fornecida gate) o impulso de gate Correntes de fuga:
I Tav If 4 10
IL IH
Re qoff
VRRM If
Correntes de lanamento e manuteno: 2%ITav No disparo IT>IL Na conduo IT>IH
VAK
+ VAK -
Caracterstica dinmica
iA trr
t
A IAK G iG
tq tqtempo tempode derecuperao recuperaoou ou tempo de passagem ao corte tempo de passagem ao corte
vAK
necessrio assegurar uma tenso negativa durante um tempo superior a tq para que o tiristor corte; caso contrrio conduz logo que polarizado directamente, mesmo sem impulso de gate.
tq
Outras limitaes dos tiristores

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Taxa mxima de variao da corrente diA / dt Taxa mxima de variao da tenso dvAK / dt
entrada em conduo
td + tr tempo de passagem conduo

td iT vAK ATENO a: Potncia dissipada di/dt mximo tr (depende do circuito exterior)
(depende da temperatura) ATENO a: Potncia dissipada dvAK/dt mximo 1s<tq<110s proteces
passagem ao corte
tqtempo de passagem ao corte

iT tq
tr
t vAK t
RC snuber"
no deve ser aplicada tenso directa ao tiristor enquanto no decorrer tq, caso contrrio o tiristor retoma a conduo.
Proteces contra di/dt e dvAK/dt excessivos
di/dt
concentrao de corrente numa rea muito pequena dissipao de potncia elevada que pode levar destruio do tiristor
Para proteger o tiristor contra di/dt utiliza-se uma bobine em srie
(di/dt)mx - 200A/s
lentos
(di/dt)mx -2000A/s rpidos

L
v v
iT
2 R iT iG t
v v
iT
2 R iT iG t t t
di = dt
t t
circuito de rectificao sem proteco contra di/dt IST-DEEC 2007
circuito de rectificao com proteco contra di/dt
Dimensionamento da bobine de proteco:
v = Ri + L
v=L di dt
di dt
i (t = 0 ) =
(existncia da bobine)
em t =
di v di = < dt L dt max
Exemplo:
v L> di dt max
L> 2220 = 156 . H 200
(no afecta as caractersticas do circuito) (L=.6m para f=50Hz e R=10)
di = 200 A / s dt max
v(max) --- = 90 R=10
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v = 2220
L=2H
dvAK /dt dv /dt AK
as cargas elctricas armazenadas na regio espacial de um tiristor bloqueado equivalem a uma capacidade C se dvAK/dt excessivo a corrente i = CdvAK/dt pode ser suficiente para lanar o dispositivo na conduo, intempestivamente
surgequando quandose seestabelece estabelece surge ocircuito circuito o nacomutao comutaode decargas cargasindutivas indutivas na napassagem passagemao aocorte corteou ou na conduode deoutro outrotiristor tiristor conduo
Para proteger o tiristor contra dvAK/dt utiliza-se uma malha capacitiva RC em paralelo com o tiristor
Rectificador com proteces contra dvAK/dt e di/dt

v
RS
CS
iT
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Esquema equivalente com o tiristor no corte sem proteco contra dvAK/dt. RAK
v L
vAK
di v = R AK i + L dt
R=10
di v = dt L
VAK = RAKi
RAK>>>R
RAK=50K
dv AK di = R AK dt dt
dv AK Vmax = R AK dt L
Se dvAK/dt = 300V/s e di/dt = 200A/s
L=
50 x 220 x 2 x10 3 = 52mH 300
valor muito elevado L=16 f=50Hz R=10
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Dimensionamento da malha capacitiva:

Esquema equivalente com o tiristor no corte com proteco contra dvAK/dt. CS
v
RS
RAK vAK
R=10
A resistncia total medida aos terminais do tiristor fica diminuida quando se pe, em paralelo, a resistncia Rs. Assim para RS<<<RAK tem-se:
dv AK Vmax = R AK L dt
L=
dv AK V = RS max L dt
valor aceitvel
50 x 220 x 2 x106 = 52 H 300
RS vmax L> dv AK dt max
RSpode podebaixar baixarmas masficar ficarlimitado limitadopelo pelovalor valorda dacorrente correnteque quepercorre percorreoocircuito circuitocom comootiristor tiristor R S valortpico tpicoC C>>> Coff=1nF bloqueado.C C=0,1 S=0,1 S>>> FFvalor Coff=1nF bloqueado. S S f=50Hz Acorrente correnteque queprecorre precorreootiristor tiristorno nocorte corteaproximadamente aproximadamente10mA 10mA C=32K f=50Hz A ZZ C=32K =1/ C ZZC =1/ C
C
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Supresso de transitrios
I 1KA
curva curva caracterstica caracterstica deum umvaristor varistor de
-VS
VS
VDRM
Proteco contra sobre-intensidades

FUS
Fusveis rpidos ou ultra rpidos i) Vmax FUS > Vmax ii) I2t FUS < I2t tiristor
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Circuitos de disparo de tiristores drives

1 - Isolamento galvnico com transformador de impulso:
VCC Sinal de disparo RC 1:1 1nF
BUFFER RB Oscilador autnomo Inibio
2 - Isolamento galvnico com ligao ptica:

Alimentao e Lgica Foto tiristores Foto acopulador
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Classificao de Tiristores
Tiristores Lentos (Controlo de fase)
Imx: 4 kA Vmx: 5-7 kV Von: 1,5V (@1kV); 3V (@5-7kV)
Aplicaes Aplicaes rede rede 1 1 ,, 3 3 ,, 50 50-60 -60 Hz Hz
Tiristores rpidos (Inversores)
tq baixos, 1-100 s Freqs: 1 -2 kHz Vmx: 2,5 kV, Imx: 1,5 kA Von mais baixos
Inversorescom Inversorescom circuitos circuitos de de comutao comutao forada forada
Foto-Tiristores (HVDC)
LTT Ligth triggered T LASCR Ligth Activated T
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disparados por impulso luminoso

(fibra ptica)
potncia no disparo: mW Vmx: 8 kV, Imx: 3,5 kA Von: 2-3 V @3,5 kA
HVDC HVDC
Outros Tiristores
GATT GATT Gate-assisted turn-off Tiristor
(T de corte assistido pela gate)
A
(Electrnica Geral)
TRIAC, TRIAC, DIAC, DIAC, QUADRAC QUADRAC (1200V, 300A)

carga 4,7k 230V 50Hz 470k 47 68n
10
QUADRAC
GTO GTO Gate-turn-off Tiristor
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A I G + VGC
GTO
Gate-Turn-Off Tiristor
IA
VRWM
VAK
Principais campos de aplicao: o

comboios
de alta velocidade
transporte HVDC*
Von
2-3 V
Vmx
9 kV
Imx
3 kA
tq
fc
10-25 s < 10 kHz
* transporte de energia elctrica em cc a muito alta tenso

OFF- ON semelhante ao tiristor convencional (1<VGT<2 V; IGT) mas a corrente de gate

tem que se manter durante toda a conduo
ON-OFF
iG < 0A
Aplicao de uma tenso negativa VGC -20V < VGC < -7V Durao de alguns s superiores a tq
A I G + VGC
diG/dt ~ 30-100 A/s cerca de 30% de IA
iG = 200A @ 1000 A, 10 s
exemplo
Potncia de Controlo !!!
Circuitos de drive Complexos e caros!!!

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mximo de 1-2 kV/s Outro Outro problema problema dos dos GTOs GTOs
Muito sensvel a dvAK/dt elevados especialmente de OFF-ON
Circuitos de proteco
Problemtico para circuitos indutivos
A I
soluo soluo
G + VGC
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Transistor de juno bipolar TJB
IC IB3 IB2 IB1
VCEsat
baixos hFE 5 < hFE < 10 considervel tempo de atraso na passagem ao corte dcimas s < tempos de comutao < alguns s 1400 V, centenas de A coeficiente negativo de T (embalamento trmico)
IST-DEEC 2007
Solues para hFE maior

C monolithic Darlington
B Darlington triplo C
E
E
desvantagens
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maior VCEsat menos rpidos a comutar

ID
Transistor de efeito de campo de potncia MOSFET
VGS3 VGS2 VGS1 VDS
dissipaona naconduo conduodependente dependentede deR R dissipao ON ON competitivoscom comTJB TJBpara para< <300/400V 300/400Vee>100kHz >100kHz competitivos dezenasns ns< <tempos temposde decomutao comutao< <dcimas dcimas dezenas ss 1000V, V,< <100 100A A 1000 controlomenos menoscomplexo complexo controlo coeficientepositivo positivode deT T(auto (autoproteco) proteco) coeficiente

VDS VDG ID VGS PD Mxima tenso Dreno Fonte Mxima tenso Dreno Gate Mxima corrente de Dreno Mxima tenso gateFonte Potncia Mxima dissipada
limites de operao:
Pcond=rDS(on)IDef2
rDS(on) - Resistncia em conduo (limita a escolha do FET)
CCircuitos de proteco:
Tempos de comutao da ordem dos 50 a 300ns
Sendo os tempos de comutao muito baixos h necessidade de proteger o MOSFET contra sobretenses na comutao. Durante a comutao o dispositivo requer correntes elevadas na gate (carga descarga de capacidade)
VDS ID
sem proteco
t IST-DEEC 2007 Prof Beatriz Vieira Borges
proteco com zenner
proteco com snubber
VDS ID ID
VDS
t O diodo de substracto (diodo parasita) pode ser utilizado como diodo de roda livre (diodo lento)
circuitos de comando:
Acopulador ptico
Alimentao e Lgica G S V V Foto acopulador D D
Transfomador de impulsos
G S
IST-DEEC 2007
circuitos de drive dedicados para comandar dois transistores alternadamente:
IST-DEEC 2007

C G IC
Transistor de gate isolada IGBT
VGS2 VGS1 E
VCE
Insulated Gate Bipolar Transistor
gateisolada isoladacomo comono noMOSFET MOSFET gate V baixosmesmo mesmoem emdispositivos dispositivosde deHV HV(2-3V (2-3VIGBT IGBTde de1000V) 1000V) V onbaixos on temposde decomutao comutao> > tempos ss 3kV, kV,1200 1200A A 3
circuitos de drive dedicados para comandar dois transistores alternadamente:
IST-DEEC 2007
Compara o dos Comparao Dispositivos semicondutores
(Mitsubishi)
semicondutor TBJ / MD MOSFET GTO IGBT Tiristor
Capacidade em potncia mdia baixa alta mdia alta
Velocidade comutao mdia alta baixa mdia baixa
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Critrios de escolha de semicondutores de potncia

potnciado dodispositivo dispositivo(correntes (correntese etenses tensesmximas mximasno nocircuito) circuito) potncia frequnciade decomutao comutao(tempos (temposde decomutao) comutao) frequncia perdasde deconduo conduo(tenses (tensesde deconduo conduoou ouresistncia resistnciade de perdas conduo) conduo) complexidadee epotncia potnciados doscircuitos circuitosde dedrive drive complexidade custodo dosemicondutor semicondutor custo
IST-DEEC 2007
Semicondutores em comuta o comutao IDEAL

Perdas nulas na conduo (v=0 quando fechado) corrente nula ao corte (i=0 quando aberto) tempos de comutao nulos (abertura e corte instantneos) potncia de controlo nula
REAL
I0 + vT ideal Vd iT
IST-DEEC 2007
Perdas de conduo e de comutao

50V
vDS iO
50V
fs=50kHz
vDS
10A
iD
IST-DEEC 2007
tc(on) = tri + tfv
tc(off) = trv + tfi
Perdas na condu o conduo
Perdas na comuta o comutao
P = V I t / T P = V I t / on on 0 on C on on 0 on T C
P + tc(off) ) P = V V (t cc = dd II 00 ff cc (t c(on) c(on) + t c(off))
Perdas totais
PT = Pon + Pc
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2. tiristor - (SCR) silicon controlled rectifier.

3. tiristor de corte comandado (GTO) - gate turn off thyristor.

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lentos: 5000V, 5000A, tq=100s rpidos: 2000V, 200A, tq=20s

4500V, 1000A 9000V, 9000A (mdulos)

2000V, 2 a 10A 1000V, 100A

100V, 30A 1000V, 6A

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Conduz se a tenso vAK se tornar positiva. Bloqueia se a corrente IF se tornar negativa

Esquema equivalente do diodo em conduo

Caracterstica Caracterstica ideal ideal

Caracterstica Caracterstica real real

Tjmax - Ta = Rth j-a PF

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valor mdio da corrente directa

valor eficaz da corrente directa

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Caracterstica dinmica Caracter stica dinmica

Qrr carga de recuperao inversa (C);

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Carga de capacidade Potncia dissipada

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Classificao de d dodos Classifica o de odos

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Von = 0.3 Vmx < 150V

trr baixo (<s) Vmx < kV Imx < kA

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Tenso de conduo Corrente de fuga no corte

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Recuperao Recuperaorpida rpida

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Dodosem emsrie srie(repartir (repartirtenses tensesinversas) inversas) Dodos

Equalizao por acomplamento magntico

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