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SEMICONDUCTOR, CONDUCTOR Y AISLANTE


SEMICONDUCTOR ELECTRICO Se dice que la conductividad esta entre la conductividad perteneciente a los Conductores y Aislantes, sin embargo esta pude cambiar para los semiconductores con la variacin de la temperatura. En 19 ! "ussell #$l, investigador de los %aboratorios &ell, descubri que si a ciertos cristales se le a'ad(a una peque'a cantidad de impure)as su conductividad el*ctrica variaba cuando el material se e+pon(a a una ,uente de lu). Ese descubrimiento condu-o al desarrollo de las celdas ,otoel*ctricas o solares. .osteriormente, en 19 / 0illiam S$oc1ley, investigador tambi*n de los %aboratorios &ell, 0alter &rattain y 2o$n &arden, desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio 34e5, al que denominaron transistor y que se convertir(a en la base del desarrollo de la electrnica moderna. %os 6semiconductores6 como el silicio 3Si5, el germanio 34e5 y el selenio 3Se5, por e-emplo, constituyen elementos que poseen caracter(sticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, ba-o determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin de la corriente el*ctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utili)a para recti,icar corriente alterna, detectar se'ales de radio, ampli,icar se'ales de corriente el*ctrica, ,uncionar como interruptores o compuertas utili)adas en electrnica digital, etc.

Lugar que ocupan en la Tabla Peridica los trece elementos con.caractersticas de semiconductores, identificados con su correspondiente.nmero atmico y grupo al que pertenecen. Los que aparecen con fondo. gris corresponden a metales, los de fondo verde a metaloides y los de.fondo a ul a no metales. Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la 7abla .eridica constituyen la materia prima principal, en especial el silicio 3Si5, para ,abricar diodos detectores y recti,icadores de corriente, transistores, circuitos integrados y microprocesadores. %os 8tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su 9ltima rbita, de acuerdo con el elemento espec(,ico al que pertenecen. :o obstante, los elementos m8s utili)ados por la industria electrnica, como el silicio 3Si5 y el germanio 34e5, poseen solamente cuatro electrones en su 9ltima rbita. En este caso, el equilibrio el*ctrico que proporciona la estructura molecular cristalina caracter(stica de esos 8tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. :ormalmente los 8tomos de los elementos semiconductores se unen ,ormando enlaces covalentes y no permiten que la corriente el*ctrica ,luya a trav*s de sus cuerpos cuando se les aplica una di,erencia de potencial o corriente el*ctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad el*ctrica alguna, se comportan de ,orma similar a un material aislante.

TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES Nmero Atmico ; A 1B B1 9 1 B> 1A BB A1 1E B A> Nombre Elemento Cd 3Cadmio5 & 3&oro5 Al 3Aluminio5 4a 34alio5 <n 3<ndio5 Si 3Silicio5 4e 34ermanio5 . 3Ds,oro5 As 3Ars*nico5 Sb 3Antimonio5 S 3A)u,re5 Se 3Selenio5 7e 37elurio5 C<a Ca <Ca =etaloide :o metal =etaloide :o metal =etaloide E e? @>, ?> @ , @E e? A e? @ @B, ?B, @A <<<a del Gr !o en l" C"te$or%" T"bl" #eridic" <<a =etal =etaloide =etal Electrone& en l" Nmero& ltim" rbit" '"lenci" > e? Be
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de

@> @B

Incremento

de

l"

cond cti'id"d

en

elemento

&emicond ctor

%a mayor o menor conductividad el*ctrica que pueden presentar los materiales semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente tambi*n aumenta, disminuyendo la conductividad. 7odo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad tambi*n aumenta. En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los siguientes m*todosF

Elevacin de su temperatura <ntroduccin de impure)as 3dopa-e5 dentro de su estructura cristalina <ncrementando la iluminacin.

Con relacin a este 9ltimo punto, algunos tipos de semiconductores, como las resistencias dependientes de la lu) 3%G" H Lig!t"dependant resistors5, var(an su conductividad de acuerdo con la cantidad de lu) que reciben.

#esistencia dependiente de la lu $L%#&, conocida tambi'n como fotorresistor o c'lula fotoel'ctrica. Posee la caracterstica de disminuir el valor de su resistencia interna cuando la intensidad de lu que incide sobre la superficie de la celda aumenta. (omo material o elemento semiconductor utili a el sulfuro de cadmio $(d)& y su principal aplicacin es en el encendido y apagado autom*tico del alumbrado pblico en las calles de las

ciudades, cuando disminuye la lu solar. En dependencia de cmo var(en los ,actores de los puntos m8s arriba e+puestos, los materiales semiconductores se comportar8n como conductores o como aislantes. SEMICONDUCTORES (LIBRO) %os me-ores conductores 3plata, cobre y oro5 tienen un electrEn de valencia, rnientras que 1!s me-ores aislantes poseen oc$o electrones de valencia. In semiconductor es un elemento con propiedades electricas entre las de un conductor y las de un aislante. Como cabria esperar, los me-ores semiconductores tienen cuatro electrones de valencia. Germ"nio El germanio es un e-emplo de semiconductor. 7iene cuatro electrones en su orbital de valencia. Jace unos a'os el germanio era el 9nico material adecuado para la ,abricaciEn de dispositivos de semiconductores. Sin embargo, estos dispositivos de germanio tenian un grave inconveniente, que no pudo ser resuelto por los ingenierosF su e+cesiva corriente inversa. =as tarde, otro semiconductor, el silicio, se $i)o mas practico de-ando obsoleto al germanio en la mayoria de las aplicaciones electronicas. Silicio Gespues del o+igeno, el silicio es el elemento mas abundante de la tierra. Sin embargo, e+istieron algunos problemas que impidieron su uso en los primeros dias de los semiconductores. Ina ve) resueltos, las venta-as del silicio 3discutidas posteriormente5 lo convirtieron inmediatarnente en el semiconductor a elegir. Sin *l, la electrnica moderna, las comunicaciones y los ordenadores serian imposibles.

In Atomo de silicio aislado tiene 1 protones y 1 electrones. En la Digura >?Ba el primer orbital contiene > electrones y el segundo ;. %os electrones restantes se encuentran en el orbital de valencia. En la Digura >?Ba, la parte intema tiene una carga resultante de *+ porque contiene 1 protones en el nlicleo y 1! electrones en los dos primeros orbitales. %a Digura >?Bb muestra la parte intema de un Atomo de silicio. %os electrones de valencia nos indican que el silicio es un semiconductor.

(Pg. 37-38)Libro electrnica CONDUCTORES ELECTRICOS

El cobre es un buen conductor. %a ra)En es evidente si se tiene en cuenta su estructura atomica, como se ve en la Digura >?1. El nucleo o centro del atomo contiene >9 protones 3cargas positivas5. Cuando un atomo de cobre tiene una carga neutra, >9 electrones 3cargas negativas5 se disponen alrededor del nucleo. %os electrones via-an en distintas orbitales 3tarnbien llamados capas). Jay > electrones en el primer orbital, ; electrones en el segundo, 1; en el tercero y 1 en el orbital e+terior. Orbit"le& e&t"ble& El nucleo atEmico atrae a los electrones orbitales 3Dig. >?15. Estos no caen $acia el nucleo debido a la ,uer)a centri,uga 3$acia ,uera5 creada por su ,uer)a centri,uga equilibra e+actamente la atracciEn electrica e-ercida por el nucleo. %a idea es similar a un satelite en Erbita alrededor de la tierra, que a la velocidad y altura adecuadas, puede permanecer en una orbital estable sobre la tierra. Cuanto mas le-ana es la Erbita de un electron menor es la atracciEn del nucleo. %os electrones de los orbitales mas ale-ados del centro se mueven a menor velocidad, produciendo menos ,uer)a centri,uga. El electrEn mas e+terno en la Digura >?1 via-a muy lentamente y practicamente no se siente atraido $acia el nucleo. L" !"rte intern" En electrEnica, lo 9nico que importa es el orbital e+terior, el cual tambien se denomina orbit"l de '"lenci", Es este orbital e+terior el que determina las , propiedades electricas del atomo. .ara subrayar la importancia de dic$o orbital de valencia, se de,ine la parte interna de un atomo como el n9cleo mas todos los orbitales internos. .ara un atomo de cobre, la parte interna en el nucleo $+,-& y los tres primeros orbitales 3?>;5. %a parte interna de un atomo de cobre tiene una carga resultante de *-, porque tiene >9 protones y >; electrones internos. %a Digura >?> permite visuali)ar la parte interna y el orbital de valencia de un atomo. El electrEn de valencia se encuentra en un orbital e+terior alrededor de la parte interna y tiene una carga resultante de @l. A causa de ello, la atracciEn que su,re el electrEn de valencia es muy peque'a. Electron libre

Como el electrEn de valencia es atraido muy debilmente por la parte interna del Atomo, una ,uer)a e+terna puede arrancar ,acilmente este electrn, a1 que se le conoce como electrn libre, y, por eso mismo, el cobre es un buen conductor. <ncluso la tensin m8s peque'a puede $acer que los electrones libres de un conductor se muevan de un atomo al siguiente. %os me-ores conductores son la plata, el cobre y el oro. 7odos tienen una parte interna como la que se representa en la Digura >?>. AISLANTES ELECTRICOS Se denomina aislante el*ctrico al material con escasa conductividad el*ctrica. Aunque no e+isten cuerpos absolutamente aislantes o conductores, sino me-ores o peores conductores, son materiales muy utili)ados para evitar cortocircuitos, ,orrando con ellos losconductores el*ctricos, para mantener ale-adas del usuario determinadas partes de los sistemas el*ctricos que, de tocarse accidentalmente cuando se encuentran en tensin, pueden producir una descarga, para con,eccionar aisladores 3elementos utili)ados en las redes de distribucin el*ctrica para ,i-ar los conductores a sus soportes sin que $aya contacto el*ctrico5. Los materiales utilizados ms recuentemente son los plsticos ! las cermicas , El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se establece entre las bandas de valencia y conduccin que di,iculta la e+istencia de electrones libres capaces de conducir la electricidad a trav*s del material . "n material aislante de la electricidad tiene una resistencia tericamente in inita . Algunos materiales, como el aire o el agua, son aislantes ba-o ciertas condiciones pero no para otras. El aire, por e-emplo, aislante a temperatura ambiente y ba-o condiciones de ,recuencia de la se'al y potencia relativamente ba-as, puede convertirse en conductor. ........................................................................................................................................... -, BANDAS DE /ALENCIA Y DE CONDUCCION Del libro de 0 nd"mento& de l" electronic" leer !"$in" 12311 INTERNET4 TEORIA ATOMICA -,+ NI/ELES DE ENERGIA, En un 8tomo, los electrones est8n girando alrededor del n9cleo ,ormando capas. En cada una de ellas, la energ(a que posee el electrn es distinta. En e,ectoK en las capas muy pr+imas al n9cleo, la ,uer)a de atraccin entre *ste y los electrones es muy ,uerte, por lo que estar8n ,uertemente ligados. #curre lo contrario en las capas ale-adas, en las que los electrones se encuentran d*bilmente ligados, por lo que resultar8 m8s ,8cil reali)ar intercambios electrnicos en las 9ltimas capas. El $ec$o pues, de que los electrones de un 8tomo tengan di,erentes niveles de energ(a, nos lleva a clasi,icarlos por el nivel energ*tico 3o banda energ*tica5 en el que se encuentra cada uno de ellos. %as bandas que nos interesa a nosotros para entender me-or el comportamiento del 8tomo sonF La .anda de /alencia y la .anda de (onduccin.

L" B"nd" de /"lenci" es un nivel de energ(a en el que se reali)an las combinaciones qu(micas. %os electrones situados en ella, pueden trans,erirse de un 8tomo a otro, ,ormando iones que se atraer8n debido a su di,erente carga, o ser8n compartidos por varios 8tomos, ,ormando mol*culas. 0l *tomo de )odio $1a& tiene 22 electrones, , en la primera capa, 3 en la segunda y 2 en la tercera, y el (loro $(l& tiene 24 electrones, , en la primera, 3 en la segunda y 4 en la tercera. %ebido a que todos los *tomos tienden a tener 3 electrones en la ltima capa $regla del octete&5 el )odio ceder* 2 electrn al (loro con lo que el primero se quedar* con 3 electrones en su a!ora ltima capa, en cambio el (loro aceptar* ese electrn pasando su ltima capa de tener 4 electrones a 3 As( pues. el 8tomo de Sodio que $a perdido un electrn se $a trans,ormado en un in positivoF N" 35 N"*

Atomo de Sodio 3:a5

<n Sodio 3:a@5

y el Cloro que lo $a ganado se trans,orma en un in negativoF Cl 35 Cl3

Atomo de Cloro 3Cl5

<n Cloruro 3Cl35

Ambos se atraer8n y ,ormar8n la mol*cula de Cloruro Sdico o Sal com9n 3Cl :a5 L" B"nd" de cond ccin es un nivel de energ(a en el cual los electrones est8n a9n m8s desligados del n9cleo, de tal ,orma que, en cierto modo, todos los electrones 3pertenecientes a

esa banda5 est8n compartidos por todos los 8tomos del slido, y pueden despla)arse por este ,ormando una nube electrnica. Cuando un electrn situado en la banda de valencia se le comunica e+teriormente energ(a, bien sea el*ctricamente, por temperatura, lu), *tc. puede 3al ganar energ(a5 saltar a la banda de conduccin, quedando en situacin de poder despla)arse por el slido.

INTERNET 6 L" teor%" de b"nd"& %a teor(a de bandas constituye una e+plicacin alternativa del comportamiento de los materiales semiconductores. Se basa en el $ec$o de que los electrones de un 8tomo aislado se distribuyen seg9n ciertos niveles energ*ticos, denominados rbit"& uorbit"le&, en torno al n9cleo. Cuando los 8tomos se unen unos con otros para ,ormar un slido, se agrupan de manera ordenada ,ormando una red cri&t"lin". En este caso, debido a la pro+imidad de los 8tomos entre s(, las rbitas en las que se encuentran los electrones de cada 8tomo se ven a,ectadas por la presencia de los 8tomos vecinos. Ge $ec$o, dic$as rbitas se solapan entre s(, dando lugar a la aparicin de unas )onas o bandas continuas en las que se pueden encontrar los electrones, y que reciben el nombre de b"nd"& de ener$%". .ara entender el comportamiento de los materiales en relacin con su capacidad de conducir, nos interesan las dos 9ltimas bandas, que sonF

%a b"nd" de '"lenci"F est8 ocupada por los electrone& de '"lenci" de los 8tomos, es decir, aquellos electrones que se encuentran en la 9ltima capa o nivel energ*tico de los 8tomos. %os electrones de valencia son los que ,orman los enlaces entre los 8tomos, pero no intervienen en la conduccin el*ctrica. %a b"nd" de cond ccinF est8 ocupada por los electrone& libre&, es decir, aquellos que se $an desligado de sus 8tomos y pueden moverse ,8cilmente. Estos electrones son los responsables de conducir la corriente el*ctrica. En consecuencia, para que un material sea buen conductor de la corriente el*ctrica debe tener electrones en la banda de conduccin. Cuando la banda est* vac(a, el material se comportar8 como un aislante. Entre la banda de valencia y la de conduccin e+iste una )ona denominada b"nd" !ro7ibid" o gap, que separa ambas bandas y en la cual no pueden encontrarse los electrones. L" cond ccin de l" corriente el8ctric" &e$n l" teor%" de b"nd"& %a estructura de bandas de un material permite e+plicar su capacidad para conducir o no la corriente el*ctrica. Seg9n esto podemos distinguir tres casos, representados en las ,iguras ad-untas.

En los m"teri"le& cond ctore&, las bandas se encuentran muy pr+imas y la banda de conduccin est8 ocupada por electrones libres, desligados de sus 8tomos, que pueden moverse ,8cilmente y pasar de unos 8tomos a otros. Este tipo de estructura de bandas corresponde a materiales que pueden conducir la corriente el*ctrica. Sin embargo, en los m"teri"le& "i&l"nte& la banda de conduccin se encuentra vac(a, pues no $ay electrones libres, de modo que no pueden conducir la corriente el*ctrica. %a banda que est8 ocupada en este caso es la banda de valencia, pero estos electrones no pueden moverse libremente.

%os m"teri"le& &emicond ctore& tienen una estructura de bandas seme-ante a la de los aislantes, es decir, la banda de conduccin est8 vac(a 3y, en consecuencia, no conducen la corriente el*ctrica5. Sin embargo, en este caso la banda pro$ibida es muy estrec$a, de ,orma que la banda de valencia se encuentra muy pr+ima a la de conduccin. Esta situacin permite que, si se comunica una peque'a cantidad de energ(a al material, algunos electrones de la banda de valencia puedan LsaltarM a la de conduccin, lo que quiere decir que se desligan de sus 8tomos y se $acen libres. Al tener ocupada la banda de conduccin, el material se comportar8 como conductor.

C onductor

A islante

6, SU#ERCONDUCTOR Superconductividad no signi,ica solamente tener resistencia cero. .ara que un material sea superconductor, debe cumplir dos condicionesF -3 :o tiene resistividad F r N ! para 7 O 7c 3temperatura cr(tica5 63 :o permite que el campo magn*tico lo penetreF & N ! dentro de un superconductor a 7 O 7c y & O Jc

Se denomina superconductividad a la capacidad intr(nseca que poseen ciertos materiales para conducir corriente el*ctrica sin resistencia y p*rdida de energ(a nulas en determinadas condiciones. %a resistividad el*ctrica de un conductor met8lico disminuye gradualmente a medida que la temperatura se reduce. Sin embargo, en los conductores ordinarios, como el cobre y la plata, las impure)as y otros de,ectos producen un valor l(mite. <ncluso cerca de cero absoluto una muestra de cobre muestra una resistencia no nula. %a resistencia de un superconductor, en cambio, desciende bruscamente a cero cuando el material se en,r(a por deba-o de su temperatura crtica. Ina corriente el*ctrica que ,luye en una espiral de cable superconductor puede persistir inde,inidamente sin ,uente de alimentacin. Al igual que el ,erromagnetismo y las l(neas espectrales atmicas, la superconductividad es un ,enmeno de la mec8nica cu8ntica. %a superconductividad ocurre en una gran variedad de materiales, incluyendo elementos simples como el esta'o y el aluminio, diversas aleaciones met8licas y algunos semiconductores ,uertemente dopados. %a superconductividad no ocurre en metales nobles como el oro y la plata, ni en la mayor(a de los metales ,erromagn*ticos. Com!ort"miento m"$n8tico

E9! l&in del c"m!o m"$n8tico, Aunque la propiedad m8s sobresaliente de los superconductores es la ausencia de resistencia, lo cierto es que no podemos decir que se trate de un material de conductividad in,inita, ya que este tipo de material por s( slo no tiene sentido termodin8mico. En realidad un material superconductor es per,ectamente diamagn*tico. Esto $ace que no permita que penetre el campo, lo que se conoce como e,ecto =eissner. El campo magn*tico distingue dos tipos de superconductoresF los de tipo <, que no permiten en absoluto que penetre un campo magn*tico e+terno 3lo cual conlleva un es,uer)o energ*tico alto, e implica la ruptura brusca del estado superconductor si se supera la temperatura cr(tica5, y los de tipo <<, que son superconductores imperfectos, en el sentido en que el campo realmente penetra a trav*s de peque'as canali)aciones denominadas vrtices de Abri1osov, o ,lu+ones. Estos dos tipos de superconductores son de $ec$o dos ,ases di,erentes que ,ueron predic$as por %ev Gavidovic$ %andau y Ale1sey Ale1s*yevic$ Abri1sov. Cuando a un superconductor aplicamos un campo magn*tico e+terno d*bil lo repele per,ectamente. Si lo aumentamos, el sistema se vuelve inestable y pre,iere introducir vrtices para disminuir su energ(a. Pstos van aumentando en n9mero coloc8ndose en redes de vrtices que pueden ser observados mediante t*cnicas adecuadas. Cuando el campo es su,icientemente alto, el n9mero de de,ectos es tan alto que el material de-a de ser superconductor. Pste es el campo cr(tico que $ace que un material de-e de ser superconductor y que depende de la temperatura. Com!ort"miento el8ctrico %a aparicin del superdiamagnetismo es debida a la capacidad del material de crear supercorrientes. Pstas son corrientes de electrones que no disipan energ(a, de manera que se pueden mantener eternamente sin obedecer el E,ecto 2oule de p*rdida de energ(a por generacin de calor. %as corrientes crean el intenso campo magn*tico necesario para sustentar el e,ecto =eissner. Estas mismas corrientes permiten transmitir energ(a sin gasto energ*tico, lo que

representa el e,ecto m8s espectacular de este tipo de materiales. Gebido a que la cantidad de electrones superconductores es ,inita, la cantidad de corriente que puede soportar el material es limitada. .or tanto, e+iste una corriente cr(tica a partir de la cual el material de-a de ser superconductor y comien)a a disipar energ(a. En los superconductores de tipo <<, la aparicin de ,lu+ones provoca que, incluso para corrientes in,eriores a la cr(tica, se detecte una cierta disipacin de energ(a debida al c$oque de los vrtices con los 8tomos de la red. Cl"&i0ic"cin %os superconductores se pueden clasi,icar en ,uncin deF S com!ort"miento 0%&ico, pueden ser de tipo < 3con un cambio brusco de una ,ase a otra, o en otras palabras, si su,re un cambio de ,ase de primer orden5 o de tipo << 3si pasan por un estado mi+to en que conviven ambas ,ases, o dic$o de otro modo, si su,re un cambio de ,ase de segundo orden5. L" teor%" : e lo& e9!lic", llam8ndose convencionales 3si son e+plicados por la teor(a &CS5 o no convencionales 3en caso contrario5. S tem!er"t r" cr%tic", siendo de alta temperatura 3generalmente se llaman as( si se puede alcan)ar su estado conductor en,ri8ndolos con nitrgeno l(quido, es decir, si Tc 6 4475, o de ba8a temperatura 3si no es as(5. El m"teri"l de que est8n $ec$os, pudiendo ser elementos puros 3como el mercurio o el plomo5, superconductores org*nicos 3si est8n en ,orma de ,ulerenos o nanotubos, lo cual los podr(a incluir en cierto modo entre los elementos puros, ya que est8n $ec$os de carbono5, cer*micas 3entre las que destacan las del grupo Q&C# y el diboruro de magnesio5 o aleaciones. ;, SEMICONDUCTOR INTRINSECO Y E<TRINSECO = nd"mento& de electrnic" (Semicond ctore& #>$, ;?3@) Ti!o& de &emicond ctore&

Semicond ctore& intr%n&eco& Es un cristal de silicio que ,orma una estructura tetra*drica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus 8tomos, en la ,igura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energ(a necesaria, saltar a la banda de conduccin, de-ando el correspondiente 7 eco en la

banda de valencia 315. %as energ(as requeridas, a temperatura ambiente son de 1,1> y !,E/ eC para el silicio y el germanio respectivamente. #bviamente el proceso inverso tambi*n se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energ*tico correspondiente a la banda de conduccin, a un $ueco en la banda de valencia liberando energ(a. A este ,enmeno, se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e?$, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y $uecos permanece invariable. Siendo 6n6 la concentracin de electrones 3cargas negativas5 y 6p6 la concentracin de $uecos 3cargas !ositivas5, se cumple queF ni N n N p siendo ni la concentr"cin intr%n&ec" del semiconductor, ,uncin e+clusiva de la temperatura. Si se somete el cristal a una di,erencia de tensin, se producen dos corrientes el*ctricas. .or un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al despla)amiento de los electrones en la banda de valencia, que tender8n a saltar a los $uecos pr+imos 3>5, originando una corriente de 7 eco& en la direccin contraria al campo el*ctrico cuya velocidad y magnitud es muy in,erior a la de la banda de conduccin. Semicond ctore& e9tr%n&eco& Aedit"rB Si a un semiconductor intr(nseco, como el anterior, se le a'ade un peque'o porcenta-e de im! reC"&, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina e+tr(nseco, y se dice que est8 dopado. Evidentemente, las impure)as deber8n ,ormar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente 8tomo de silicio. Semicond ctor ti!o N Aedit"rB In Semicond ctor ti!o N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado a'adiendo un cierto tipo de 8tomos al &emicond ctor para poder aumentar el n9mero de portadores de carga libres 3en este caso negativas o electrones5. Cuando el material dopante es a'adido, *ste aporta sus electrones m8s d*bilmente vinculados a los 8tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambi*n conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones. El propsito del dopa-e tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. .ara ayudar a entender cmo se produce el dopa-e tipo n consid*rese el caso del silicio 3Si5. %os 8tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se ,orma un enlace covalente con cada uno de los 8tomos de silicio adyacentes. Si un 8tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo CA de la tabla peridica 3e-. ,s,oro 3.5, ars*nico 3As5 o antimonio 3Sb55, se incorpora a la red cristalina en el lugar de un 8tomo de silicio, entonces ese 8tomo tendr8 cuatro enlaces covalentes y un electrn no enla)ado. Este electrn e+tra da como resultado la ,ormacin de 6electrones libres6, el n9mero de electrones en el material supera ampliamente el n9mero de $uecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los $uecos son los portadores minoritarios. A causa de que los 8tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn e+tra que 6dar6, son llamados 8tomos donadores. :tese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est8 le-os de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo : generalmente tiene una carga el*ctrica neta ,inal de cero....

Semicond ctor ti!o # Aedit"rB In Semicond ctor ti!o # se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, a'adiendo un cierto tipo de 8tomos al semiconductor para poder aumentar el n9mero de portadores de carga libres 3en este caso positivos o !uecos5. Cuando el material dopante es a'adido, *ste libera los electrones m8s d*bilmente vinculados de los 8tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambi*n conocido como material aceptor y los 8tomos del semiconductor que $an perdido un electrn son conocidos como 7 eco&. El propsito del dopa-e tipo . es el de crear abundancia de $uecos. En el caso del silicio, un 8tomo tetravalente 3t(picamente del grupo <CA de la tabla peridica5 de los 8tomos vecinos se le une completando as( sus cuatro enlaces. As( los dopantes crean los 6$uecos6. Cada $ueco est8 asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene el*ctricamente neutro en general. :o obstante, cuando cada $ueco se $a despla)ado por la red, un protn del 8tomo situado en la posicin del $ueco se ve 6e+puesto6 y en breve se ve equilibrado por un electrn. .or esta ra)n un $ueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un n9mero su,iciente de aceptores son a'adidos, los $uecos superan ampliamente la e+citacin t*rmica de los electrones. As(, los $uecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo .. %os diamantes a)ules 3tipo <<b5, que contienen impure)as de boro 3&5, son un e-emplo de un semiconductor tipo . que se produce de manera natural. P#$%& ' RADIACION ELECTROMAGNETICA =irar =is documentosR Catalisis #ndas.doc 1. SIE ES I:A #:GA >. D"ECIE:C<A B. .E"<#G# ES#ECTRO ELECTROMAGNETICO ES#ECTRO ELECTROMAGNETICO4 Es un con-unto de ondas que van desde las ondas con mayor longitud como 6%as ondas de radio6 $asta los que tienen menor longitud como los 6%os rayos 4amma.6 Es importante anotar que las ondas con mayor longitud de onda tienen menor ,recuencia y viceversa. %as caracter(sticas propias de cada tipo de onda no solo es su longitud de onda, sino tambi*n su ,recuencia y energ(a. El espectro electromagn*tico se divide enF 3empe)ando de con la que tiene mayor longitud de onda5

%a tabla siguiente muestra el espectro electromagn*tico, con sus longitudes de onda, ,recuencias y energ(as de ,otnF

Lon$it d de ond" (m)

=rec enci" (DC)

Ener$%" (E)

"ayos gamma

O 1! pm

TB!.! EJ)

T>!U1!?1A 2

"ayos V

O 1! nm

TB!.! .J)

T>!U1!?1; 2

Iltravioleta E+tremo

O >!! nm

T1.A .J)

T99BU1!?>1 2

Iltravioleta Cercano

O B;! nm

T/;9 7J)

TA>BU1!?>1 2

%u) Cisible

O /;! nm

TB; 7J)

T>AAU1!?>1 2

<n,rarro-o Cercano

O >.A Wm

T1>! 7J)

T/9.U1!?>1 2

<n,rarro-o =edio

O A! Wm

TE.!! 7J)

T U1!?>1 2

<n,rarro-o %e-anoRsubmilim*trico

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L"& ond"& de r"dio (e&!ectro r"di"l)4 Se utili)an no slo para llevar m9sica, sino tambi*n para transportar la se'al de televisin y los tel*,onos celulares. Este este espectro abarca desde las ondas deF

? =uy &a-a Drecuencia 3C%D5F para enlaces de radio a gran distancia ? Drecuencias &a-as 3%D5F para enlaces de radio a gran distancia, especialmente en la navegacin mar(tima y a*rea ? Drecuencias =edias 3=D5F son ondas utili)adas en la radio di,usin ? Alta Drecuencia 3JD5F para comunicaciones a media y larga distancia ? Drecuencias =uy Altas 3CJD5F se utili)an en 7elevisin y radio en D=, entre otros ? Iltra Alta Drecuencia 3IJD5F se utili)an en 7elevisin, radio comunicacin ? Drecuencia Superaltas 3SJD5F se utili)an en sistemas de radar, radio comunicacin ? Drecuencia E+tra Altas 3EJD5F se utili)an en sistemas de radar, radio comunicacin :otaF IJD, SJD y EJD abarcan un rango de ,recuencias que comprende las microondas y los rayos in,rarro-os. L"& microond"&4 %as microondas tienen longitud de onda del orden de los cent(metros. En los microondas dom*sticos se utili)an las longitudes de onda mayores. %ongitudes de onda menores se utili)an en radares. 7ambi*n se utili)an para enviar in,ormacin de un lugar a otro Lo& r"Fo& in0r"rroGo& "ayos no visibles, muy 9tiles pues son irradiados por los cuerpos dependiendo de su temperatura. Sus aplicaciones son muc$as, incluyendo su utilidad en los controles remotos muy conocidos por todos.

L C 'i&ible4 Cer %a %u)F caracter(sticas y estructura Lo& R"Fo& Ultr"'iolet"4 Estos rayos se dividen en B gruposF Cercano, %e-ano y E+tremo que se di,erencian a parte de su ,recuencia por la cantidad de energ(a que transmiten. %a que m8s energ(a transmite esF %os rayos Iltravioleta E+tremo 3EIC5 Lo& r"Fo& <4 Estos rayos de menor longitud de onda que los rayos ultravioleta tiene mas energ(a 3la energ(a aumenta con el aumento de la ,recuencia5 Se comporta m8s como una part(cula que como una onda. Son muy utili)ados en el 8rea de la medicina ya que las di,erentes partes del cuerpo por su di,erente densidad absorben mas o menos esta radiacin, pudiendo verse un e-emplo en las placas de rayos V que todos conocemos. Lo& r"Fo& G"mm"4 Estas ondas son generadas por 8tomos reactivos y en e+plosiones nucleares. Estos rayos pueden matar las c*lulas y en medicina son utili)adas para matar c*lulas cancerosas OTRO DE INTERNET ES#ECTRO ELECTROMAGNETICO4 Es un con-unto de ondas que van desde las ondas con mayor longitud como 6%as ondas de radio6 $asta los que tienen menor longitud como los 6%os rayos 4amma.6

Es importante anotar que las ondas con mayor longitud de onda tienen menor ,recuencia y viceversa. %as caracter(sticas propias de cada tipo de onda no solo es su longitud de onda, sino tambi*n su ,recuencia y energ(a. El espectro electromagn*tico se divide enF 3empe)ando de con la que tiene mayor longitud de onda5

%a tabla siguiente muestra el espectro electromagn*tico, con sus longitudes de onda, ,recuencias y energ(as de ,otnF Drecuencia 3J)5Energ(a 325R"Fo& $"mm"H -2 !m5;2,2 EDC562I-23-1 E
H 6 2 2 n m 5 , 1 # D C 5 ? ? ; "ayos V I 2
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? =uy &a-a Drecuencia 3C%D5F para enlaces de radio a gran distancia ? Drecuencias &a-as 3%D5F para enlaces de radio a gran distancia, especialmente en la navegacin mar(tima y a*rea ? Drecuencias =edias 3=D5F son ondas utili)adas en la radio di,usin ? Alta Drecuencia 3JD5F para comunicaciones a media y larga distancia ? Drecuencias =uy Altas 3CJD5F se utili)an en 7elevisin y radio en D=, entre otros ? Iltra Alta Drecuencia 3IJD5F se utili)an en 7elevisin, radio comunicacin ? Drecuencia Superaltas 3SJD5F se utili)an en sistemas de radar, radio comunicacin ? Drecuencia E+tra Altas 3EJD5F se utili)an en sistemas de radar, radio comunicacin :otaF IJD, SJD y EJD abarcan un rango de ,recuencias que comprende las microondas y los rayos in,rarro-os. L"& microond"&4 %as microondas tienen longitud de onda del orden de los cent(metros. En los microondas dom*sticos se utili)an las longitudes de onda mayores. %ongitudes de onda menores se utili)an en radares. 7ambi*n se utili)an para enviar in,ormacin de un lugar a otro Lo& r"Fo& in0r"rroGo& "ayos no visibles, muy 9tiles pues son irradiados por los cuerpos dependiendo de su temperatura. Sus aplicaciones son muc$as, incluyendo su utilidad en los controles remotos muy conocidos por todos. L C 'i&ible4 Cer %a %u)F caracter(sticas y estructura Lo& R"Fo& Ultr"'iolet"4 Estos rayos se dividen en B gruposF Cercano, %e-ano y E+tremo que se di,erencian a parte de su ,recuencia por la cantidad de energ(a que transmiten. %a que m8s energ(a transmite esF %os rayos Iltravioleta E+tremo 3EIC5 Lo& r"Fo& <4 Estos rayos de menor longitud de onda que los rayos ultravioleta tiene mas energ(a 3la energ(a aumenta con el aumento de la ,recuencia5 Se comporta m8s como una part(cula que como una onda. Son muy utili)ados en el 8rea de la medicina ya que las di,erentes partes del cuerpo por su di,erente densidad absorben mas o menos esta radiacin, pudiendo verse un e-emplo en las placas de rayos V que todos conocemos. Lo& r"Fo& G"mm"4 Estas ondas son generadas por 8tomos reactivos y en e+plosiones nucleares. Estos rayos pueden matar las c*lulas y en medicina son utili)adas para matar c*lulas cancerosas ES.EC7"# GE #:GAS E%EC7"#=A4:E7<CAS

%as ondas electromagn*ticas, le-os del ,oco emisor, pueden considerarse ondas transversales planas ,ormadas por un campo magn*tico y por un campo el*ctrico, perpendiculares entre s( y perpendiculares a su ve) a la direccin de propagacin. %a amplitud de la radiacin determina el brillo y la relacin entre la amplitud y la ,ase de los campos el*ctrico y magn*tico condiciona el estado de polari)acin. %a longitud de onda condicionar8 el color de la radiacin.

In cambio de A! nm o menos nos dar8 otro color di,erente. %as ondas electromagn*ticas siguen una trayectoria rectil(nea y su velocidad es constante en cada medio espec(,ico. Al pasar de un medio a otro la 9nica caracter(stica que permanece

constante es la ,recuencia. %a velocidad var(a para cada longitud de onda. %a ,recuencia y la longitud de onda se relacionan seg9n la siguiente e+presin matem8ticaF longitud de onda N C V 7 N C R , Gonde es la longitud de onda, C es la velocidad de la lu) en el vac(o, 7 el periodo y 6,6 la ,recuencia. %a ,recuencia es el n9mero de vibraciones por unidad de tiempo y su unidad es por tanto el ciclo por segundo o el J) 3Jert)io5 %a longitud de onda 35 es una distancia y por lo tanto su unidad de medida es el metro. Como la lu) es una radiacin electromagn*tica que tiene unas longitudes de onda muy peque'as se usan subm9ltiplos del metro, como son el Angstrom 3X5 que es la die)milmillon*sima de metro y el :ammetro 3nm5 que es la milmillon*sima de metro. El espectro electromagn*tico es el que comprende todas las radiaciones electromagn*ticas.

ES#ECTRO LUMINOSO . /ENTANA O#TICA Es la parte del espectro electromagn*tico comprendido entre B!! y 1A!! nm. Aqu( englobamos el espectro visible y el espectro luminoso no visible. El espectro visible, llamado tambi*n ventana ptica, comprende desde los B;! nm, apro+imadamente, $asta los /;! nm. .or encima de los /;! nm tenemos las radiaciones in,rarro-as y por deba-o de los B;! nm tenemos las ultravioletas. MO/IMIENTOS ONDULATORIOS #ro!"$"cin de n" !ert rb"cin en n medio el>&tico S( en un punto de un medio el8stico producimos una perturbacin que d* lugar a una de,ormacin local, se observa que esta perturbacin se trasmite a todo el medio, propag8ndose por *l a una determinada velocidad. Cuando se produce esta perturbacin en un punto, dando lugar a un despla)amiento de la posicin de equilibrio de las part(culas, *stas empe)aran a vibrar, transmitiendo su movimiento a las part(culas m8s pr+imas y estas a su ve) a otras, dando lugar a que la perturbacin se propague por todo el medio. .ero esta perturbacin se amortigua no solo por la perdida de energ(a debida al ro)amiento de unas part(culas con otras, sino que tambi*n esta energ(a, que en principio correspond(a a unas pocas part(culas, se e+tiende a un n9mero muc$o mayor. S(rvanos como e-emplo para clari,icar este $ec$o el e,ecto que produce una piedra cuando se arro-a a un estanque de agua, la perturbacin provocada por la piedra en el lugar de la ca(da se transmite a las part(culas de agua pr+imas,propag8ndose en todas direcciones en ,orma de ondas circulares que se van amortiguando a medida que se van ale-ando del centro perturbador. Ond"& lon$it din"le& F tr"n&'er&"le& Ond"& Tr"n&'er&"le& F %as part(culas del medio oscilan en 8ngulos rectos con respecto a la direccin en la que via-a la onda, es decir, con respecto a su direccin de propagacin. E-emplo. #nda en el agua, radiacin electromagn*tica. Ond"& Lon$it din"le& F %as part(culas oscilan a lo largo de la l(nea que representa la direccin en la que la onda est8 via-ando. E-emploF sonido. JUE ES UN =OTON

En ,(sica moderna, el 0otn es la part(cula elemental responsable de las mani,estaciones cu8nticas del ,enmeno electromagn*tico. Es la part(cula portadora de todas las ,ormas de radiacin electromagn*tica, incluyendo a los rayos gamma, los rayos V, la lu) ultravioleta, la lu) visible 3espectro electromagn*tico5, la lu) in,rarro-a, las microondas, y las ondas de radio. El ,otn tiene una masa invariante cero,1 y via-a en el vac(o con una velocidad constante c. Como todos los cuantos, el ,otn presenta tanto propiedades corpusculares como ondulatorias 36dualidad onda?corp9sculo65. Se comporta como una onda en ,enmenos como la re,raccin que tiene lugar en una lente, o en la cancelacin por inter,erencia destructiva de ondas re,le-adasK sin embargo, se comporta como una part(cula cuando interacciona con la materia para trans,erir una cantidad ,i-a de energ(a, que viene dada por la e+presin. #"rte ; /olt"Ge 7ambi*n llamado tensin o di,erencia de potencial, el volta-e es la di,erencia que $ay entre dos puntos en el potencial el*ctrico, re,iri*ndonos a potencial el*ctrico como el traba-o que se reali)a para trasladar una carga positiva de un punto a otro.Ge esta manera, el volta-e no es un valor absoluto sino una di,erencia entre las cargas el*ctricas, que se mide en voltios, seg9n el Sistema <nternacional de Inidades. Asimismo, si se coloca un conductor el*ctrico entre dos puntos que tienen di,erencia de potencial, se va a producir un ,lu-o de corriente el*ctrica. Q esta corriente elctrica, al circular por los cables, es la que permite que los dispositivos electrnicos de la computadora 3y todos los dispositivos electrnicos en general5 se enciendan. %a ,uente de ,uer)a electromotri) es la que posibilita que esta corriente circule por los cables. Cuanto mayor sea la di,erencia de potencial o presin entre las cargas, mayor ser8 el voltaje o tensin del circuito correspondiente. 3Coltios5 Corriente %a corriente o intensidad el*ctrica es el ,lu-o de carga por unidad de tiempo que recorre un material. Se debe a un movimiento de los electrones en el interior del material. En el Sistema <nternacional de Inidades se e+presa en CUs?1 3culombios sobre segundo5, unidad que se denomina amperio. Ina corriente el*ctrica, puesto que se trata de un movimiento de cargas, produce un campo magn*tico, lo que se aprovec$a en el electroim8n. El instrumento usado para medir la intensidad de la corriente el*ctrica es el galvanmetro que, calibrado en amperios, se llama amper(metro, colocado en serie con el conductor cuya intensidad se desea medir. Re&i&tenci" Se denomina resistencia el*ctrica, simboli)ada $abitualmente como #, a la di,icultad u oposicin que presenta un cuerpo al paso de una corriente el*ctrica para circular a trav*s de *l. En el Sistema <nternacional de Inidades, su valor se e+presa en o$mios, que se designa con la letra griega omega may9scula, Y. .ara su medida e+isten diversos m*todos, entre los que se encuentra el uso de un o$m(metro. C"r$" En ,(sica, la c"r$" el8ctric" es una propiedad intr(nseca de algunas part(culas subatmicas 3p*rdida o ganancia de electrones5 que se mani,iesta mediante atracciones y repulsiones que determinan las interacciones electromagn*ticas entre ellas. %a materia cargada el*ctricamente es in,luida por los campos electromagn*ticos siendo, a su ve), generadora de ellos. %a interaccin

entre carga y campo el*ctrico origina una de las cuatro interacciones ,undamentalesF la interaccin electromagn*tica. la unidad de carga el*ctrica se denomina culombio 3s(mbolo C5. Se de,ine como la cantidad de carga que pasa por la seccin transversal de un conductor el*ctrico en un segundo, cuando la corriente el*ctrica es de un amperio, y se corresponde con la carga de E,> Z 1!1; electrones apro+imadamente. #otenci"

%a !otenci" el8ctric" se de,ine como la cantidad de energ(a el*ctrica o traba-o, que se transporta o que se consume en una determinada unidad de tiempo.Si la tensin se mantiene constante, la potencia es directamente proporcional a la corriente 3intensidad5. Psta aumenta si la corriente aumenta.
=EM %a 0 erC" electromotriC 3DE=5 3"epresentado con el s(mbolo griego 5 es toda causa capa) de mantener una di,erencia de potencial entre dos puntos de un circuito abierto o de producir una corriente el*ctrica en un circuito cerrado. Es una caracter(stica de cada generador el*ctrico. Esto se -usti,ica en el $ec$o de que cuando circula esta unidad de carga por el circuito e+terior al generador, desde el polo positivo al negativo, es necesario reali)ar un traba-o o consumo de energ(a 3mec8nica, qu(mica, etc*tera5 para transportarla por el interior desde un punto de menor potencial 3el polo negativo al cual llega5 a otro de mayor potencial 3el polo positivo por el cual sale5.%a DE= se mide en voltios, al igual que el potencial el*ctrico.