Professor Dr. Fernando J.

Rodrguez-Macas Ericleiton Rodrigues de Macedo

O xido de Zinco (ZnO) atrai grande ateno para pesquisa devido as suas propriedades eltricas e pticas variadas. Possui excelente estabilidade qumica, trmica, um semicondutor, possui alta transparncia e um gap ajustvel. Aplicaes como diodo emissor de luz, clulas solares e sensores so potenciais aplicaes devido a essas caractersticas [1,5]. Sob condies naturais , ZnO cristaliza na estrutura de wurtzita, uma estrutura tetraedricamente coordenada com uma rede hexagonal.

Preparao dos Materiais Soluo de deposio Temperatura ambiente Zn(CH3COO)22H2O Acetato de zinco 0.4mol/L Monoetanolamina(MEA) Razo molar de 1 com o acetato de zinco. C3H8O2 Metoxietanol

C3H8O2

Estabilizador Soluo inspida e homogna

Agitao durante 1 hora 80 C

Banho de ultra-som durante 1 hora 50 C

Envelhecimento por 24 horas

Preparao dos Materiais Substrato de Vidro

Placas de vidro Corning 7740 (20x20mm2) foram usadas. As placas foram limpas duas vezes usando banho ultrasnico na sequncia acetona( 5 min), metanol (5 min) e gua deionizada (5 min). Logo aps a limpeza, as mesmas foram secas usando uma corrente de nitrognio gasoso e postas num dissecador.

Deposio do filme Os substratos foram, em seguida, aquecidos num forno a 300C durante 10 minutos para evaporar o solvente e remover o material orgnico residual. Cada amostra foi submetida a este procedimento cinco vezes para se obter uma estrutura de pelcula de cinco camadas inicial. Depois de se revestir o nmero necessrio de camadas, o filme fino de ZnO foi recozido a 500C durante 1 h antes de ser resfriado ao ar at temperatura ambiente

Caracterizao estrutural e morfolgica

Adeso foi verificada usando uma Fita Scotch 3M . Velocidades de deposio mais baixas produzem filmes mais finos porque o solvente pode mais facilmente evaporar do filme [6,7]. o crescimento de gros orientados podem ocorrer facilmente na segunda camada , devido presena de gros ligeiramente orientada na camada anterior

34,56

Caracterizao estrutural e morfolgica O pico de intensidade relativa do plano (002) mostrado na Tabela 1.

Os tamanhos mdios dos cristalitos dos filmes depositados em vrias velocidades de deposio foram calculados usando a equao de Scherrer, apresentada a seguir[9,11]:

Caracterizao estrutural e morfolgica

[14,15]

[12,13]

Caracterizao estrutural e morfolgica

O tamanho do gro mdio determinado a partir das micrografias aumenta medida que aumenta a velocidade de deposio de10 mm/min a 50mm/min

Caracterizao estrutural e morfolgica

Estes modos de fnons pticos confirmam que estes filmes nanocristalinos contm a fase hexagonal wurtzita.

Caracterizao ptica

Caracterizao ptica A porosidade dos filmes finos foi calculada usando a equao de Lorentz-Lorentz : [16]

Fotoluminescncia

Propriedades eltricas

Resposta superfcie/contorno

Um filme fino com eixo orientado preferencialmente na direo (002) foi obtido a uma velocidade de deposio 40 mm/min usando dip-coating em um sol gel sonicado. A orientao (eixo c) do crescimento destes filmes independente da velocidade de deposio. A qualidade do filme cristalino foi melhorada em deposio 40mm/min. Aumentos correspondentes no cristalito e no crescimento de gros foram observados, quando a velocidade de deposio foi aumentada. Aumentando a velocidade de deposio tambm minimizou a presso e a tenso do filme. Todos os filmes exibem mais do que 90% de transmitncia na regio visvel. Alm disso, a resistividade eltrica diminui com a velocidade de deposio, enquanto que a concentrao de portador aumentou com a velocidade de deposio, como comprovado pela emisso PL. Estes resultados sugerem que a velocidade de deposio adequada deve ser usada para obter filmes finos de ZnO mais cristalinos e livres de estresse para aplicaes em dispositivos optoeletrnicos, tais como sensores e clulas solares.

[1]J.Y. Lee, J.H. Lee, H.S. Kim, C.H. Lee, H.S. Ahn, H.K. Cho, Y.Y. Kim, B.H. Kong, H.S. Lee, Thin Solid Films 517 (2009) 5157. [2]J.J. Hassan, M.A. Mahdi, Y. Yusof, H. Abu-Hassan, Z. Hassan, H.A. Al-Attar, A.P. Monkman, Opt. Mater. 35 (2013) 1035. [3]A.M.K. Dagamseh, B. Vet, F.D. Tichelaar, P. Sutta, M. Zeman, Thin Solid Films 516 (2008) 7844. C.S. Rout, A.R. Raju, A. Govindaraj, C.N.R. Rao, Solid State Commun. 138 (2006)136. [4] Q.A. Drmosh, S.G. Rao, Z.H. Yamani, M.A. Gondal, Appl. Surf. Sci. 270 (2013)104. [5]M.F. Malek, M.H. Mamat, M.Z. Sahdan, M.Z. Musa, Z. Khusaimi, M. Rusop, Thin Solid Films 527 (2013) 102. [6] M.F. Malek, M.Z. Sahdan, M.H. Mamat, M.Z. Musa, Z. Khusaimi, S.S. Husairi, N.D. Md Sin, M. Rusop, Appl. Surf. Sci. 275 (2013) 75. [7] C.J. Brinker, G.W. Scherer, SolGel Science: The Physics and Chemistry of SolGel Processing, Academic Press, New York, 1975. 803. [8]M.J. Alam, D.C. Cameron, J. Vac. Sci. Technol., A 19 (2001) 1642. [9] B.D. Cullity, Elements of X-Ray Diffraction, Addison-Wesley Publishing Company, Inc., London, 1978. [10] M.Z. Sahdan, M.H. Mamat, M. Salina, Z. Khusaimi, U.M. Noor, M. Rusop, Phys. Status Solidi C 7 (2010) 2286. [11] E.F. Keskenler, M. Tomakin, S. Dogan, G. Turgut, S. Aydn, S. Duman, B. Gurbulak, J. Alloys Comp. 550 (2013) 129. [12]Selected powder diffraction data for metals and alloys, JCPDS, USA 1, 1978, 108. [13] R. Ghosh, D. Basak, S. Fujihara, J. Appl. Phys. 96 (2004) 2689 [14] V. Gupta, A. Mansingh, J. Appl. Phys. 80 (1996) 1063. [15] X.J. Ping, S.S. Bo, L. Lan, Z.X. Song, W.Y. Xin, C.X. Ming, Chin. Phys. Lett. 27 (2010) 047803. [16]J.H. Yim, J.B. Kim, H.D. Jeong, Y.Y. Lyu, S.K. Mah, J.H. Lee, K.H. Lee, S. Chang, L.S. Pu, Y.F. Hu, J.N. Sun, D.W. Gidley, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 766 (2003) E8.10.1.