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UNIVERSIT DEGLI STUDI DI ROMA LA SAPIENZA

Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica Specializzazione Tecnologie Elettroniche per le Comunicazioni

Tesi di Laurea

Analisi e Progetto di un Sistema Radar Veicolare SRR in Tecnologia CMOS 90 nm

Relatore: Chiar.mo Prof. Fabrizio Palma Correlatore: Ing. Giuseppe Gramegna Laureando: Vezio Malandruccolo

ANNO ACCADEMICO 2003-2004

7.10 Introduzione alla Tecnologia ST 90 nm


La piattaforma 90 nm costituisce uno dei pi recenti processi tecnologici ST. Lo studio di fattibilit condotto sui sensori SRR risulta essere uno dei primi progetti implementati in tale tecnologia. La disponibilit di dispositivi attivi ad elevate prestazioni ha permesso la realizzazione di circuiti RF a frequenze coperte in passato solo da dispositivi bipolari o in arseniuro di gallio. La possibilit di semplice integrazione, permette di affiancare nello stesso chip, la parte a radiofrequenza e la parte digitale con il triplice vantaggio di aumentare le potenzialit di elaborazione del segnale, di ridurre le dimensioni ed il consumo. Il processo si basa su una piattaforma costituita da 6 a 9 livelli di metal in rame. Il processo 90 nm ed il precedente 0.13 m HCMOS9, si differenziano da quelli pi vecchi, es. 0.18 m HCMOS8, per il fatto che, oltre ad avere a disposizione un numero superiore di livelli di metal, hanno connessioni in rame e non in alluminio. Lutilizzo del rame (conduttivit 5.8 107 posto dellalluminio (conduttivit 3.6 107 interconnessioni. La minima distanza fra due metal adiacenti pari a 0.14 m , lo spessore della metallizzazione pu essere ridotta fino a 0.14 m . Per limitare gli effetti dovuti alle capacit parassite fra le connessioni, mentre il dielettrico intra-metal stato scelto in maniera tale da avere una bassa costante dielettrica ( K = 3 ). Le caratteristiche tecnologiche del processo sono riassunte in tab. 6.7 e vengono confrontati con i processi ST precedenti.
S ) m S ) al m

permette di ridurre la resistenza offerta dalle

Dispositivi Attivi
I dispositivi MOS sono caratterizzati da una lunghezza del poly nominale di 0.1 m . La riduzione delle dimensioni del canale permette a questi dispositivi di raggiungere un fT di 115 GHz per gli N-MOS e di 60 GHz per i P-MOS.

fig. 7.36:

fT e f MAX per dispositivi MOS

Si hanno a disposizione due tipi di transistor MOS Low Leakage (High Vt), in cui la tensione di soglia viene portata ad un valore pi elevato rispetto ai MOS standard per ridurre le perdite di corrente in applicazioni digitali High Performance ( Low Vt), usati per applicazioni analogiche perch hanno a disposizione una fT superiore. Consentono anche un miglior sfruttamento della dinamica. Si scelto di adoperare transistor Low Leakage nel progetto del ricevitore radar, perch questo permette lintegrazione nello stesso chip di una grossa sezione digitale. Anche nella scelta dello spessore dellossido (fig. 7.37) si hanno due possibilit 1.6 nm 5.6 nm 2.2 nm per i blocchi a bassa tensione di alimentazione (1.2 V) 6.5 nm per blocchi di I/O a pi alta potenza (2.5 V)

fig. 7.37: Spessore ossido

La scelta delle tensioni di alimentazione e stata fatta in maniera da realizzare un buon compromesso fra affidabilit e prestazioni (tab. 6.6). E possibile contattare lelettrodo di gate da entrambi i lati. In tal modo si riduce la resistenza di gate di circa la met, diminuendo il rumore introdotto dal dispositivo. Possono essere realizzati anche dispositivi bipolari a struttura laterale che vengono in genere usati soltanto nei circuiti di polarizzazione a causa della loro bassa fT .

tab. 6.6: Tensioni di alimentazione

tab. 6.7: Parametri riassuntivi della tecnologia

Dispositivi Passivi Sono disponibili le seguenti resistenze Unsalicided P+ poly Unsalicided N+ poly

Salicided N+ poly Salicided N+ poly

Resistenza N+ Poly Un-Sil P+ Poly Un-Sil N+ Poly Sil P+ Poly Sil

Min 80 380 6 6

Tip 110 440 10 10

Max 140 500 15 15

Tolleranza % 27,3 13,6 +50/-40 +50/-40

tab. 6.8: Valori delle resistenze per

Le resistenze Unsalicited P+ Poly sono le preferite per applicazioni analogiche. Con tali resistenze si ottengono resistivit dellordine dei 500

fig. 7.38: Resistenza Unsalicited P+ poly

Le capacit vengono fornite come MIM (Metal Insulator Metal) con elevato fattore di merito e densit di 2
fF . m2

fig. 7.39: Fattore di qualit per capacit MIM

Le induttanze infine, sono di tipo a spirale con valori che vanno da 0.1 nH a 18 nH

fig 7.39: Fattore di merito dellinduttanza di fig. 7.38 fig. 7.38: Layout induttanza a singola spira 0.25 nH