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Tecnologias de Circuitos Integrados MOS-CMOS Manoel Eusebio de Lima Greco-CIn-UFPE
Tecnologias de Circuitos Integrados
MOS-CMOS
Manoel Eusebio de Lima
Greco-CIn-UFPE
Transistor nMOS Características: – O tipo nMOS é composto por substrato de silício do tipo
Transistor nMOS
Características:
– O
tipo nMOS é composto por substrato de
silício do
tipo
p,
fracamente dopada,
e duas
áreas (drain e
source) do tipo n
fortemente dopadas.
– A difusão no silício é feita com a adoção de elementos doadores
de elétrons, como Arsênio e Fósforo.
– As cargas majoritárias nos transistores tipo nMOS são elétrons
– Este tipo de transistor conduz o sinal “0” lógico forte e o sinal “1”
lógico fraco.
CristalCristal dede GermânioGermânio c/impurezasc/impurezas doadoradoadora
ElementoElemento dopantedopante
(5(5 eleléétronstrons dede valênciavalência
SbSb –– Antimônio,Antimônio,
FFóósforo,sforo, Arsênio)Arsênio)
55
eleléétrontron livrelivre
SbSb

Transistor nMOS

UmUm transistortransistor nMOSnMOS Vista em corte

nMOS Um Um transistor transistor nMOS nMOS Vista em corte simbologia Vista de cima Óxido de

simbologia

transistor transistor nMOS nMOS Vista em corte simbologia Vista de cima Óxido de Silício metal Polisilício

Vista de cima

Óxido de Silício metal Polisilício metal contato contato Source gate drain
Óxido de Silício
metal
Polisilício
metal
contato
contato
Source
gate
drain
Tecnologias de Circuitos Integrados MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Field) – nMOS (N-type MOS)
Tecnologias de Circuitos Integrados
MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Field)
– nMOS (N-type MOS)
– pMOS (P-type MOS)
– CMOS (Complementary - type MOS)
TransistorTransistor nMOSnMOS PolisilPolisilííciocio condutorescondutores DifusãoDifusão GateGate
TransistorTransistor nMOSnMOS
PolisilPolisilííciocio
condutorescondutores
DifusãoDifusão
GateGate
((polisilpolisilííciocio))
DrenoDreno
FonteFonte
(difusão)(difusão)
(difusão)(difusão)
difusãodifusão
difusãodifusão
W
= comprimento do canal
L
= tamanho do canal
Transistor pMOS Características: – O tipo pMOS é composto por substrato de silício do tipo
Transistor pMOS
Características:
– O tipo pMOS é composto por substrato de silício do tipo n-well,
fracamente dopada, e duas áreas (drain e source) do tipo p
fortemente dopadas.
– A difusão no silício é feita com a adoção de elementos doadores
de buracos (falta de elétrons), com o Índio, Boro.
– As cargas majoritárias nos transistores tipo pMOS são buracos.
– Este tipo de transistor conduz o sinal “1” lógico forte e o sinal “0”
lógico fraco.
CristalCristal dede GermânioGermânio c/impurezasc/impurezas aceitadorasaceitadoras
ElementoElemento dopantedopante
(3(3 eleléétronstrons dede
valênciavalência InIn--IndiumIndium,,
Boro)Boro)
buracoburaco
33
InIn

11

TransistorTransistor pMOSpMOS p-MOS - tipo de transistor MOS composto de um moderado substrato de silício
TransistorTransistor pMOSpMOS
p-MOS - tipo de transistor MOS composto de um moderado
substrato de silício tipo n com duas áreas de difusão
fortemente dopadas tipo p (p+) (fonte e dreno).
difusãodifusão
difusãodifusão
VgsVgs ++ nMOS -- Vgs cria o canal ++ --
VgsVgs
++
nMOS
--
Vgs cria o canal
++
--
TransistorTransistor nMOSnMOS -- FuncionamentoFuncionamento • Transistor polarizado sem condução de corrente
TransistorTransistor nMOSnMOS -- FuncionamentoFuncionamento
• Transistor polarizado sem condução de corrente
elétrica, na região de corte
V gs = 0 V
V ds = 0 V
** VtnVtn ≅≅≅≅≅≅≅≅ 0.2VDD0.2VDD
VthVth (tensão(tensão dede limiar)limiar) éé aa tensãotensão nana qualqual oo
dispositivodispositivo MOSMOS comecomeççaa aa conduzirconduzir ((““turnturn onon””).).
VdsVds éé aa tensãotensão entreentre oo drenodreno ee aa fontefonte dodo
dispositivo.dispositivo.
--semsem camadacamada dede inversãoinversão nono canalcanal
--
II dsds == 00
fontefonte
drenodreno
Transistor nMOS contato
Transistor nMOS
contato
Capacitor MOS – modos de operação •• DepleDepleççãoão •• AcumulaAcumulaççãoão ••
Capacitor MOS – modos de operação
•• DepleDepleççãoão
•• AcumulaAcumulaççãoão
•• InversãoInversão
TransistorTransistor nMOSnMOS -- FuncionamentoFuncionamento •Transistor na região linear ou resistiva -- fracafraca
TransistorTransistor nMOSnMOS -- FuncionamentoFuncionamento
•Transistor na região linear ou resistiva
-- fracafraca camadacamada dede inversãoinversão nono canalcanal
V ds < V gs - V tn
-- II dsds dependedepende dede VV gsgs ee VV dsds
II dsds aumentaaumenta comcom VV dsds
(similar(similar aa umum resistorresistor linear)linear)

22

TransistorTransistor nMOSnMOS -- FuncionamentoFuncionamento II dsds aumentaaumenta comcom VV dsds (similar(similar aa
TransistorTransistor nMOSnMOS -- FuncionamentoFuncionamento
II dsds aumentaaumenta comcom VV dsds
(similar(similar aa umum resistorresistor linear)linear)
canal
Eletrons fluindo através
de um transistor de sílicio
http://researchweb.watson.ibm.com/resources/press/strainedsilicon/
Transistor MOS - operação Corte – Se V gs < V t , então I
Transistor MOS - operação
Corte
Se V gs < V t , então I ds = 0
Linear
Se V ds < ( V
valores V ds e
-V t ), então I ds depende dos
gs
V
gs
Saturado
Se V ds > (V
-V t ), então I ds não depende de
gs
V ds . I ds é essencialmente constante.
CaracterCaracteríísticassticas dede conduconduççãoão dede transistorestransistores MOSMOS (alta) (depleção)
CaracterCaracteríísticassticas dede conduconduççãoão dede
transistorestransistores MOSMOS
(alta)
(depleção)
TransistorTransistor nMOSnMOS -- FuncionamentoFuncionamento •Transistor na região de saturação V ds > V gs –
TransistorTransistor nMOSnMOS -- FuncionamentoFuncionamento
•Transistor na região de saturação
V ds > V gs – V tn , V gd < V th (tensão de limiar)
-- forteforte camadacamada dede inversãoinversão nono canalcanal
-- II dsds independeindepende dede VV dsds ,, aa correntecorrente
saturasatura ((fontefonte dede correntecorrente))
••CorrenteCorrente dede avalancheavalanche
••OO canalcanal éé estranguladoestrangulado
CaracterCaracteríísticassticas TensãoTensão -- CorrenteCorrente ((VdsVds--IdsIds)) tn, tn RegiãoRegião dede
CaracterCaracteríísticassticas TensãoTensão -- CorrenteCorrente
((VdsVds--IdsIds))
tn,
tn
RegiãoRegião dede saturasaturaççãoão
RegiãoRegião linearlinear
tn
tn
tn
tn
tn
RegiãoRegião cortecorte
TransistoresTransistores MOSMOS vistosvistos comocomo SwitchesSwitches >> >>
TransistoresTransistores MOSMOS vistosvistos comocomo SwitchesSwitches
>>
>>

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Fabricação de Circuitos VLSI Criação Definir Etch (produzir o desenho do circuito desejado através de
Fabricação de Circuitos VLSI
Criação
Definir
Etch (produzir o desenho do circuito desejado através de
máscaras)
Pastilhas de silício
Formação de material por deposição,
difusão ou implantação
Definição dos circuitos por litografia
8 a 10 interações
Etch
Transistor nMOS SiO 2 Camada fina de óxido de silício Oxidação do gate Substrato de
Transistor nMOS
SiO 2
Camada fina de
óxido de silício
Oxidação do gate
Substrato de silício
Poli-silício
molde do Poli-silício
Difusão de
Difusão ou implante
impurezas
SiO 2 por deposição
Cortes de contato
Contatos de
molde da camada
de alumínio
alumínio
Vantagens da tecnologia MOS Simplicidade e baixo custo da fabricação dos transistores. Tamanho extremanente
Vantagens da tecnologia MOS
Simplicidade
e
baixo
custo
da
fabricação
dos
transistores.
Tamanho extremanente pequeno quando comparado
a tecnologias tais como TTL e ECL.
Baixo consumo elétrico.
Possuem uma melhor margem de ruído que bipolar.
Fan-out bem maior que circuitos bipolares.
Grande faixa de alimentação (3 a 15V).
Todas as vantagens acima fazem com que seja
possível acomodar em circuitos MOS uma grande
quantidade de dispositivos.
Transistor nMOS •• PassosPassos simplificadossimplificados nana confecconfecççãoão dodo SiOSiO 22 Foto-resistor
Transistor nMOS
•• PassosPassos simplificadossimplificados nana confecconfecççãoão dodo SiOSiO 22
Foto-resistor
SiO 2
Luz UV
Máscara de vidro
Máscara (molde)
Foto-resistor
SiO 2
Características elétricas da tecnologia MOS Circuitos lógicos MOS dissipam uma pequena quantidade de potência em
Características elétricas da tecnologia
MOS
Circuitos lógicos MOS dissipam uma pequena
quantidade de potência em função das grandes
resistências existentes nos dispositivos MOSFET.
VV dddd =+5V=+5V
VV inin == 0V0V
a)a) Q1Q1 -- RonRon(Q1)(Q1) == 100100 KohmsKohms
b)b) Q2Q2 -- RoffRoff(Q2)(Q2)
Q1Q1 ((depletiondepletion))
IdId == VddVdd
RonRon(Q1)+(Q1)+RoffRoff(Q2)(Q2)
0.05nA0.05nA
Id
PotênciaPotência PdPd == 0.250.25 nWnW
Q2Q2 ((enhancementenhancement))
VV inin
GNDGND
VV inin == +5V+5V
a)a) Q1Q1 -- RonRon(Q1)(Q1) == 100100 KohmsKohms
b)b) Q2Q2 -- RonRon(Q2)(Q2) == 11 KohmsKohms
RonRon(Q1)+(Q1)+RonRon(Q2)(Q2)
5050
µ
AA
II dd == VV dddd
PotênciaPotência PP dd == 0.250.25 mWmW
Desvantagens da tecnologia MOS Baixa velocidade de operação quando comparada as famílias bipolares. Este fenômeno
Desvantagens da tecnologia MOS
Baixa velocidade de operação quando comparada as
famílias bipolares. Este fenômeno se deve a dois
fatores:
– Alta resistência de saída no estado lógico
1(alto).
– Alta carga capacitiva normalmente
presente nas entradas dos circuitos lógicos
MOS .

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Características elétricas da tecnologia CMOS Tecnologia CMOS é composta por dois tipos de transistores, um
Características elétricas da tecnologia
CMOS
Tecnologia CMOS é composta por dois tipos de
transistores, um do tipo NMOS e outro do tipo
PMOS.
CMOS é mais rápido e consome menos potência que
outros elementos da família MOS.
InversorInversor CMOSCMOS
VV dddd
PP--switchswitch -- pullpull--upup
NN--switchswitch -- pullpull--downdown
VV inin
VV outout
VV ssss

Inversor CMOS

Inversor CMOS
Característica estática de um inversor CMOS • Note que V h = 5V, V L
Característica estática de um inversor
CMOS
• Note que V h = 5V, V L = 0V, e que I ds = 0A.
• Isto significa que não existe praticamente dissipação de potência.
Inversor CMOS Layout – vista de cima Vcc VV dddd pMOS V in (gate) VV
Inversor CMOS
Layout – vista de cima
Vcc
VV dddd
pMOS
V in (gate)
VV inin
VV outout
VV ssss
Vout
Vin
Vout
nMOS
0
1
Terra
1
0
Operação de um inversor CMOS VddVdd 11-- VinVin == VddVdd Q1Q1 IIdd AnAnááliselise dodo circuito:circuito:
Operação de um inversor CMOS
VddVdd
11--
VinVin == VddVdd
Q1Q1
IIdd
AnAnááliselise dodo circuito:circuito:
CCloadload
Q2Q2
VinVin
VoutVout
VddVdd=+5V=+5V
VssVss
IdsIds
RoffRoff
Cálculo de Vout
Vdd = Ids(Roff+Ron)
=>
Vdd = Ids.Roff+Ids.Ron =>
=>
RonRon
VoutVout
Vdd = Ids.Roff+Vout
Vout = Vdd-Ids.Roff
0V
0V0V
Ron < 1 Kohms
Roff 10 10 Kohms
Ids é pequeno, mas Roff é bastante grande
Operação de um inversor CMOS VddVdd 22-- VinVin == 0V0V Q1Q1 IIdd AnAnááliselise dodo circuito:circuito:
Operação de um inversor CMOS
VddVdd
22--
VinVin == 0V0V
Q1Q1
IIdd
AnAnááliselise dodo circuito:circuito:
CCloadload
Q2Q2
VinVin
VoutVout
VddVdd=+5V=+5V
VssVss
IdsIds
RonRon
Cálculo de Vout
Vdd = Ids(Roff+Ron)
Vdd = Ids.Roff+Ids.Ron
Vdd = Vout+Ids.Ron
=>
=>
=>
RoffRoff
VoutVout
Vout = Vdd-Ids.Ron ≅ Vdd=5V
0V0V
Ron < 1 Kohms
Roff 10 10 Kohms
Ids é muito pequeno

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Característica estática de um inversor CMOS • Note que V h = 5V, V L
Característica estática de um inversor
CMOS
• Note que V h = 5V, V L = 0V, e que I ds = 0A.
• Isto significa que não existe praticamente dissipação de potência.
Características elétricas da tecnologia CMOS A dissipação de potência em circuitos CMOS embora seja muito
Características elétricas da tecnologia
CMOS
A dissipação de potência em circuitos CMOS embora seja muito
pequena nas condições dc, aumentam com a freqüência de
operação do circuito.
Em altas freqüências os picos de corrente no chaveamento dos
transistores tendem a ocorrer com mais freqüência e a corrente
média fornecida por Vdd aumenta.
VddVdd
I d (reversa)
Q1Q1
IIdd
VinVin
VoutVout
CCloadload
Q2Q2
VinVin
IdId
VoutVout
VssVss
PodemosPodemos constatarconstatar queque emem altaalta freqfreqüüênciasências CMOSCMOS
comecomeççaa aa perderperder vantagensvantagens sobresobre asas outrasoutras famfamííliaslias llóógicasgicas
Lógica Combinacional sasaíídada AA Porta NAND 00 11 00 11 11 BB Vcc (‘1’) 11
Lógica Combinacional
sasaíídada
AA
Porta NAND
00
11
00
11
11
BB
Vcc (‘1’)
11
1 1
0 0
Porta NAND de
n-entradas
(A+B)
Vcc
P
P
Vcc
n
A
B C
saída
Saída
DualDual LLóógicogico
Saída
A
N
A B
(A B)
B C
N
AA
BB
GND
n
GND (‘0’)
GND
Operação de um inversor CMOS VoutVout PP ““onon”” NN ““offoff”” PP ““onon”” NN
Operação de um inversor CMOS
VoutVout
PP ““onon””
NN ““offoff”” PP ““onon””
NN ““onon””
IdsIds nn == -- IdsIds pp
VddVdd
PP ““offoff””
NN ““onon””
0.50.5 VddVdd
VinVin
00
VthVth
0.5Vdd0.5Vdd
VddVdd++VtpVtp
Lógica CMOS
Lógica CMOS
NAND CMOS
NAND CMOS

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Lógica Combinacional sasaíídada AA 00 11 Porta NOR 00 11 00 BB Vcc (‘1’) 11
Lógica Combinacional
sasaíídada
AA
00
11
Porta NOR
00
11
00
BB
Vcc (‘1’)
11
0 0
0 0
Vcc
Vcc
P
n
(A B)
A
A
P
B
B
DualDual LLóógicogico
saída
Saída
saída
C
AA
BB
n
B
C
A
GND
(A+B)
GND
GND (‘0’)
N
N
Transmission gate
Transmission gate
TransistorTransistor tipotipo NN comocomo ““passpass transistortransistor”” V gs V out V in Canal-N CI
TransistorTransistor tipotipo NN comocomo ““passpass transistortransistor””
V
gs
V
out
V
in
Canal-N
CI
Condição Inicial V out =0V (capacitor descarregado)
φφφφ =
´0´ , V gs =0V,
assim I ds = 0 mA independente do valor de V in
Quando φφφφ= ´1´ , Vin = ´1 ´ e V gs = V dd o transistor começa a conduzir
e a carregar o capacitor até V out ~ V dd . Como V in > V out , I ds flui da
esquerda para a direita. V out tende a (V dd - V th ) e o transistor para a
região de corte(turn off), com V gs < V th .
O capacitor Cl permanecerá carregado quando φφφφ = ´0´, portanto
V out
= V dd -V th .
Conclusão:
A transmissão do nível logico ´1´ é degenerado quando ele passa
através de um transistor tipo n-MOS, ou seja V out ≠≠≠≠ V dd (V in ).
No entanto, quando V in =´0´ , V gs =V dd e V out =´1´ o capacitor descarrega
através do transistor até V out = 0V, desde que a relação V gs >V th será
sempre verdade.
Ou seja, Transistor tipo n-Mos é apropriado para transmitir nível lógico
‘0’.
NOR CMOS
NOR CMOS
TransmissionTransmission GateGate Análise do transistor tipo N como “pass transistor” Análise do transistor tipo P
TransmissionTransmission GateGate
Análise do transistor tipo N como “pass transistor”
Análise do transistor tipo P como “pass transistor”
Análise do transmission Gate “CMOS”
CanalCanal--NN
VinVin
VoutVout
CanalCanal--PP
TransistorTransistor tipotipo PP comocomo ““passpass transistortransistor””
Canal-P
Vgs
Vin
Vout
CI
Condição Inicial Vout=0(capacitor descarregado)
φφφφ =
´1´ ,
Vgs=Vdd, assim Ids = 0 mA independente do valor de Vin.
Quando
φφφφ= ´0´ , Vin = ´1´ o transistor começa a conduzir e a
carregar o capacitor até Vout =Vdd. Como Vin > Vout, Ids flui da
esquerda para a direita.
Vout vai para Vdd, sem degradação do
sinal. O capacitor Cl permanecerá carregado quando φφφφ = ´1´.
Conclusão:
A transmissão do nível logico ´1´ não é degenerado quando ele passa
através de um transistor tipo p-MOS, ou seja Vout = Vdd(Vin).
No entanto, quando Vin=´0´ e Vout=´1´ o capacitor descarrega através
do transistor até Vout = |Vtp|, ponto no qual o transistor para de conduzir.
Ou seja, um transistor tipo p-MOS degrada o nível lógico ´0´.

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Aplicação com Flip-Flops Flip-Flop tipo D QQ ININ QQ LDLD LDLD LDLD == ‘‘11’’ --
Aplicação com Flip-Flops
Flip-Flop tipo D
QQ
ININ
QQ
LDLD
LDLD
LDLD == ‘‘11’’ -- carregacarrega ININ emem QQ
LDLD == ‘‘00’’ -- mantmantéémm QQ
Multiplixador analógio CMOS (8 canais) Chaves CMOS/Transmission gates
Multiplixador analógio CMOS (8 canais)
Chaves CMOS/Transmission gates

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