Tecnologias de Circuitos Integrados

Tecnologias de Circuitos Integrados MOS-CMOS

MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Field)

nMOS (N-type MOS) pMOS (P-type MOS) CMOS (Complementary - type MOS)

Manoel Eusebio de Lima Greco-CIn-UFPE

Transistor nMOS
Caractersticas:
O tipo nMOS composto por substrato de silcio do tipo p, fracamente dopada, e duas reas (drain e source) do tipo n fortemente dopadas. A difuso no silcio feita com a adoo de elementos doadores de eltrons, como Arsnio e Fsforo. As cargas majoritrias nos transistores tipo nMOS so eltrons Este tipo de transistor conduz o sinal 0 lgico forte e o sinal 1 lgico fraco.
Cristal de Germnio c/impurezas doadoras
Elemento dopante (5 el eltrons de valncia Sb Antimnio, Fsforo, Arsnio)
5

Transistor nMOS
Polisil Polisilcio Difuso condutores

Gate (polisil polisilcio) cio) Dreno

(difuso) difuso

Fonte
(difuso)

difuso

el eltron livre

W = comprimento do canal L = tamanho do canal

Sb

Transistor nMOS
Um transistor nMOS Vista em corte
xido de Silcio metal

Transistor pMOS
Caractersticas: Vista de cima
Polisilcio metal O tipo pMOS composto por substrato de silcio do tipo n-well, fracamente dopada, e duas reas (drain e source) do tipo p fortemente dopadas. A difuso no silcio feita com a adoo de elementos doadores de buracos (falta de eltrons), com o ndio, Boro. As cargas majoritrias nos transistores tipo pMOS so buracos. Este tipo de transistor conduz o sinal 1 lgico forte e o sinal 0 lgico fraco.
Cristal de Germnio c/impurezas aceitadoras
Elemento dopante (3 el eltrons de valncia InIn-Indium, Indium, Boro)

contato

contato Source simbologia gate drain

buraco
In

1
1

Transistor pMOS

Transistor nMOS
contato

p-MOS - tipo de transistor MOS composto de um moderado substrato de silcio tipo n com duas reas de difuso fortemente dopadas tipo p (p+) (fonte e dreno).

difuso

difuso

Vgs

nMOS
Vgs cria o canal

+ -

Capacitor MOS

modos de operao

Deple Depleo

Acumula Acumulao
+ -

Inverso

Transistor nMOS - Funcionamento

Transistor polarizado sem conduo de corrente eltrica, na regio de corte Vgs = 0 V Vth (tenso de limiar) a tenso na qual o dispositivo MOS come comea a conduzir ( (turn on on). Vds = 0 V
* Vtn 0.2VDD

Transistor nMOS - Funcionamento

Transistor na regio linear ou resistiva Vds < Vgs - Vtn
- fraca camada de inverso no canal - Ids depende de Vgs e Vds

Vds a tenso entre o dreno e a fonte do dispositivo.

-sem camada de inverso no canal - Ids = 0

fonte

dreno

Ids aumenta com Vds

(similar a um resistor linear)

2
2

Transistor nMOS - Funcionamento

Ids aumenta com Vds
(similar a um resistor linear)

Transistor nMOS - Funcionamento

Transistor na regio de saturao Vds > Vgs Vtn, Vgd < Vth (tenso de limiar)
- forte camada de inverso no canal - Ids independe de Vds, a corrente satura (fonte de corrente) corrente)

Corrente de avalanche canal Eletrons fluindo atravs de um transistor de slicio

http://researchweb.watson.ibm.com/resources/press/strainedsilicon/

O canal estrangulado

Transistor MOS - operao Corte

Se Vgs < Vt, ento Ids = 0

Caracter Caractersticas Tenso - Corrente (VdsVds-Ids) Ids)

tn,

Linear
Se Vds < ( Vgs-Vt), ento Ids depende dos valores Vds e Vgs
tn

Regio linear

Regio de satura saturao

tn tn

Saturado
Se Vds > (Vgs-Vt), ento Ids no depende de Vds. Ids essencialmente constante.
Regio corte
tn tn tn

Caracter Caractersticas de condu conduo de transistores MOS

(alta) (depleo)

Transistores MOS vistos como Switches

> >

3
3

Transistor nMOS Fabricao de Circuitos VLSI

Criao Definir Etch (produzir o desenho do circuito desejado atravs de
mscaras)
Pastilhas de silcio
Foto-resistor SiO2

Passos simplificados na confec confeco do SiO2

Formao de material por deposio, difuso ou implantao

Definio dos circuitos por litografia

8 a 10 interaes

Luz UV Mscara de vidro Mscara (molde) Foto-resistor SiO2

Etch

Transistor nMOS
SiO2

Camada fina de xido de silcio Oxidao do gate Substrato de silcio Poli-silcio molde do Poli-silcio

Caractersticas eltricas da tecnologia MOS

Circuitos lgicos MOS dissipam uma pequena quantidade de potncia em funo das grandes resistncias existentes nos dispositivos MOSFET.
Vdd=+5V Vin = 0V a) Q1 - Ron(Q1) Ron(Q1) = 100 Kohms b) Q2 - Roff(Q2) Roff(Q2) Id = Vdd Ron(Q1)+ Roff(Q2) (Q2) 0.05nA Ron(Q1)+Roff Potncia Pd = 0.25 nW

Difuso ou implante

Difuso de impurezas SiO2 por deposio

Q1 (depletion) depletion)
Id

Cortes de contato

Vin
molde da camada de alumnio Contatos de alumnio

Q2 (enhancement) enhancement)
GND Vin = +5V a) Q1 - Ron(Q1) Ron(Q1) = 100 Kohms b) Q2 - Ron(Q2) Ron(Q2) = 1 Kohms Id = Vdd Ron(Q1)+ Ron(Q2) (Q2) 50 A Ron(Q1)+Ron Potncia Pd = 0.25 mW

Vantagens da tecnologia MOS

Simplicidade e baixo custo da fabricao dos transistores. Tamanho extremanente pequeno quando comparado a tecnologias tais como TTL e ECL. Baixo consumo eltrico. Possuem uma melhor margem de rudo que bipolar. Fan-out bem maior que circuitos bipolares. Grande faixa de alimentao (3 a 15V). Todas as vantagens acima fazem com que seja possvel acomodar em circuitos MOS uma grande quantidade de dispositivos.

Desvantagens da tecnologia MOS

Baixa velocidade de operao quando comparada as famlias bipolares. Este fenmeno se deve a dois fatores:

Alta resistncia de sada no estado lgico 1(alto). Alta carga capacitiva normalmente presente nas entradas dos circuitos lgicos MOS .

4
4

Caractersticas eltricas da tecnologia CMOS

Tecnologia CMOS composta por dois tipos de transistores, um do tipo NMOS e outro do tipo PMOS. CMOS mais rpido e consome menos potncia que outros elementos da famlia MOS. Inversor CMOS
Vdd

Inversor CMOS
Vdd

Layout vista de cima

Vcc

pMOS

Vin

Vout Vss

Vin (gate)

P-switch - pullpull-up
Vin 0 1

Vout

Vin

Vout Vss

N-switch - pullpull-down

Vout 1 0

nMOS Terra

Inversor CMOS

Operao de um inversor CMOS

Vdd

1- Vin = Vdd An Anlise do circuito:

Vdd=+5V Vdd=+5V Ids Roff

Q1 Q2 Vout Vss
=> => => 0V

Id Cload

Vin

Ron Vout 0V

Clculo de Vout Vdd = Ids(Roff+Ron) Vdd = Ids.Roff+Ids.Ron Vdd = Ids.Roff+Vout Vout = Vdd-Ids.Roff

Ron < 1 Kohms Roff 1010Kohms Ids pequeno, mas Roff bastante grande

Caracterstica esttica de um inversor CMOS

Operao de um inversor CMOS

Vdd

2- Vin = 0V An Anlise do circuito:

Vdd=+5V Vdd=+5V Ids Ron

Q1 Q2 Vout Vss

Id Cload

Vin

Roff Vout

Clculo de Vout Vdd = Ids(Roff+Ron) => Vdd = Ids.Roff+Ids.Ron => Vdd = Vout+Ids.Ron => Vout = Vdd-Ids.Ron Vdd=5V Ron < 1 Kohms Roff 1010Kohms Ids muito pequeno

Note que Vh = 5V, VL = 0V, e que Ids = 0A. Isto significa que no existe praticamente dissipao de potncia.

0V

5
5

Caracterstica esttica de um inversor CMOS

Operao de um inversor CMOS

Vout
Vdd
P on on N off off

P on on N on on P off off N on on

Idsn = - Idsp

0.5 Vdd

Note que Vh = 5V, VL = 0V, e que Ids = 0A. Isto significa que no existe praticamente dissipao de potncia.

Vth

0.5Vdd Vdd+ Vdd+Vtp

Vin

Caractersticas eltricas da tecnologia CMOS

A dissipao de potncia em circuitos CMOS embora seja muito pequena nas condies dc, aumentam com a freqncia de operao do circuito. Em altas freqncias os picos de corrente no chaveamento dos transistores tendem a ocorrer com mais freqncia e a corrente mdia fornecida por Vdd aumenta. Vdd Q1

Lgica CMOS

Q2 Id Vin Vout Vss Podemos constatar que em alta freq freqncias CMOS come comea a perder vantagens sobre as outras fam famlias l lgicas

Id (reversa) Id Cload

Vin Vout

Lgica Combinacional Porta NAND

Vcc (1) (A+B) P P Vcc

NAND CMOS
A 1 1 0
Porta NAND de n-entradas Vcc A B A C
n

sa sada 0 B 1 1 0 1

sada
Dual L Lgico

Sada

Sada

N A (A B) B GND n GND N B C

B
GND (0)

6
6

Lgica Combinacional
sa sada A 0 1 0
Vcc (A B) P A A B
Dual L Lgico

NOR CMOS
1 0 0
Vcc n

Porta NOR
B
Vcc (1) P

0 1

B sada GND A C B C GND

n

sada A
N N

Sada

B
(A+B)

GND (0)

Transmission Gate

Transmission gate

Anlise do transistor tipo N como pass transistor Anlise do transistor tipo P como pass transistor Anlise do transmission Gate CMOS

CanalCanal-N

Vin
CanalCanal-P

Vout

Transistor tipo N como pass transistor transistor

Vgs Vin Vout CI Canal-N

Transistor tipo P como pass transistor transistor

Canal-P Vgs Vout CI

Vin

Condio Inicial Vout=0V (capacitor descarregado) = 0 , Vgs=0V, assim Ids = 0 mA independente do valor de Vin Quando = 1 , Vin = 1 e Vgs= Vdd o transistor comea a conduzir e a carregar o capacitor at Vout ~ Vdd. Como Vin > Vout, Ids flui da esquerda para a direita. Vout tende a (Vdd - Vth) e o transistor para a regio de corte(turn off), com Vgs < Vth. O capacitor Cl permanecer carregado quando = 0, portanto Vout = Vdd-Vth. Concluso: A transmisso do nvel logico 1 degenerado quando ele passa atravs de um transistor tipo n-MOS, ou seja Vout Vdd(Vin). No entanto, quando Vin=0 , Vgs=Vdd e Vout=1 o capacitor descarrega atravs do transistor at Vout = 0V, desde que a relao Vgs>Vth ser sempre verdade. Ou seja, Transistor tipo n-Mos apropriado para transmitir nvel lgico 0.

Condio Inicial Vout=0(capacitor descarregado) = 1 , Vgs=Vdd, assim Ids = 0 mA independente do valor de Vin. Quando = 0 , Vin = 1 o transistor comea a conduzir e a carregar o capacitor at Vout =Vdd. Como Vin > Vout, Ids flui da esquerda para a direita. Vout vai para Vdd, sem degradao do sinal. O capacitor Cl permanecer carregado quando = 1.
Concluso: A transmisso do nvel logico 1 no degenerado quando ele passa atravs de um transistor tipo p-MOS, ou seja Vout = Vdd(Vin). No entanto, quando Vin=0 e Vout=1 o capacitor descarrega atravs do transistor at Vout = |Vtp|, ponto no qual o transistor para de conduzir. Ou seja, um transistor tipo p-MOS degrada o nvel lgico 0.

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Aplicao com Flip-Flops Flip-Flop tipo D

IN LD Q Q

Multiplixador analgio CMOS (8 canais)

Chaves CMOS/Transmission gates

LD LD = 1 - carrega IN em Q LD = 0 - mant mantm Q

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