AMPLIFICADORES DE `POTENCIA CLASE AB Y CLASE C

OPERACION EN CLASE B La operacin en clase B de un transistor quiere decir que la corriente de colector fluye slo durante 180 del ciclo de ac. Esto implica que el punto Q se localiza aproximadamente en el punto donde se cortan las rectas de carga de cc y ac. LA ventaja de la operacin en clase B es una menor disipacin de potencia del transistor y un consumo reducido de corriente. Circuito en arreglo Push-Pull de simetra complementaria._ Cuando un transistor opera en clase B, recorta la mitad de un ciclo. Para evitar la distorsin resultante, se deben usar dos transistores en arreglo push-pull. Esto significa que un transistor conduce durante un semiciclo y el otro transistor conduce durante el otro semiciclo. Con los amplificadores push-pull es posible construir amplificadores de clase AB que tengan baja distorsin, potencia grande en la carga y alta eficiencia. La figura 15 muestra una forma de conectar un seguidor de emisor push-pull de clase AB, lo que se ha hecho es conectar un seguidor de emisor npn y un seguidor de emisor pnp en arreglo complementario o push-pull. Analicemos el circuito equivalente de cc mostrado en la figura 16. El diseador selecciona los resistores de polarizacin para fijar el punto Q en el corte. Esto polariza al diodo del emisor de cada transistor entre 0.6 y 0.7 v, segn lo que se necesita para dejar justo a punto de bloqueo el diodo de emisor. Idealmente: ICQ=0. Ntese la simetra del circuito. Puesto que los resistores de polarizacin son iguales, ambos diodos de emisores estn polarizados con el mismo voltaje. Por lo tanto, la cada de voltaje en cada transistor es la mitad del voltaje de alimentacin. O sea: VCEQ =Vcc/2

Lnea de carga de cc._Puesto que no hay resistencia de cc en los circuitos de colector o emisor de la figura 16 la corriente de cc de saturacin es infinita. Esto quiere decir que la recta de carga de cc es vertical como se muestra en la figura 17. Lo ms difcil, al disear un amplificador en clase AB, es fijar un punto Q estable en el corte. Cualquier disminucin significativa de V BE con la temperatura puede mover el punto Q hacia arriba de la recta de carga en cc a valores altos de corriente que son peligrosos. Suponemos que el punto Q est fijo en el corte, como se muestra en la figura 17.

Lnea de carga de AC._La lnea de carga de ac de un seguidor de emisor, la corriente de saturacin es:Ic(sat)=IcQ+ VCEQ /Re, y el voltaje de corte de ac es.:VcE(corte)= VCEQ + IcQ Re=. En el seguidor de emisor de clase AB que se observa en la figura 1, I CQ=0, VCEQ =Vcc/2, y Re=RL; por lo que la corriente de saturacin y el voltaje de corte de ac se reduce a:Ic(sat)=Vcc/2RL y VCEQ =Vcc/2.La figura 17 muestra la lnea de carga de ac. Cuando cualquiera de los transistores est conduciendo, su punto de operacin se mueve hacia arriba sobre la lnea de carga de ac mientras que el punto de operacin del otro transistor permanece en corte, la variacin de voltaje del transistor en conduccin puede recorrer todos los valores desde corte hasta saturacin. Para la otra mitad del siclo, el otro transistor opera de la misma manera. Esto significa que la mxima

excursin de salida de un amplificador puss-pull clase AB, es igual a; PpVcc. Anlisis de ac._La figura 18 muestra el equivalente de ac del transistor en conduccin. La Av en un clase AB es idntica a la de un seguidor de emisor clase A, o sea: Av = RL / (RL+re). La impedancia de entrada de la base, bajo condiciones de carga es: Zin(base)=(RL+re)y la impedancia de salida es: Zo=re + rB =. La Ai=, y la Ap=AvAi. Funcionamiento General._ Durante el semiciclo positivo de la seal de entrada, el transistor superior conduce y el inferior corta. El transistor superior acta como un seguidor de emisor normal, de tal forma que el voltaje de salida es aproximadamente igual al voltaje de entrada. Durante el semiciclo negativo de la tensin de entrada, el transistor superior corta y el transistor inferior conduce. El transistor inferior acta como un seguidor de emisor normal y produce un voltaje en la carga aproximadamente igual al voltaje de entrada. Durante cada uno de los semiciclos, las bases respectivas presentan una alta impedancia a la fuente, y a la carga se presenta una baja impedancia de salida. ,

Distorsin de cruce (crossover)._La figura 19 muestra el circuito equivalente de ac de un emisor seguidor push-pull en clase AB Supngase que no se aplica polarizacin a los diodos emisores. Entonces, la seal de ac que se aplique debe alcanzar cerca de 0.7V para superar el potencial de barrera. Debido a esto, no circula corriente por Q1 cuando la seal de entrada es menor de 0.7V. La operacin del otro semiciclo es complementaria; no circula corriente en Q 2 hasta que el voltaje de entrada de ac es mas negativa que -0.7V.Por esta razn, si no se tiene polarizacin aplicada a los diodos emisores, la salida de un seguidor de emisor puss-pull de clase AB se parece a la que se muestra en la figura 20. La seal se encuentra distorsionada; ya no es una seal sinusoidal, debido a la accin de recorte que se produce en cada semiciclo. Como este recorte se produce en el intervalo de tiempo en el que uno de los transistores est en corte y el otro entra en operacin, se llama distorsin de cruce. Para eliminar la distorsin de cruce se requiere aplicar una ligera polarizacin directa a cada diodo de emisor. Esto quiere decir que el punto Q se sita levemente por encima del corte, como se muestra en la figura 21. Como gua, una ICQ entre el 1 y el 5 por ciento de la Ic(sat) es suficiente para eliminar la distorsin de cruce. Estrictamente hablando, se tiene operacin de clase AB. Esto significa que la corriente circula en cada transistor ms de 180 pero menos de 360. Como la operacin se encuentra mas cerca de la clase B que de la clase A, mucha gente se refiere al circuito como un amplificador de clase B. Distorsin no lineal._ Como se mencion anteriormente, el amplificador de clase A trabajando con seal grande hace que un semiciclo se agrande y el otro se estreche. Una solucin para esto es la minimizacin, la cual reduce la distorsin no lineal hasta niveles aceptables. El seguidor de emisor push-pull de clase AB reduce la distorsin an ms, puesto que los semiciclos son idnticos en forma. A pesar de que an se produce alguna distorsin no lineal, sta es menor que en los amplificadores de clase A. La razn de que esta distorsin sea menor se debe a que todas las armnicas pares se cancelan. Las armnicas son mltiplos de la frecuencia de entrada. Por ejemplo, si ent=1KHz, la segunda armnica es 2KHz, la tercera armnica es 3 KHz, y asi sucesivamente, Un amplificador clase A de seal grande produce todas las armnicas: ent 2ent 3ent 4ent, y asi sucesivamente. Un amplificador push-pull de clase AB produce solamente armnicas nones: ent 3ent 5ent etc. Esta es la razn de que la distorsin sea menor en los amplificadores push-pull de clase AB . Formulas de potencia para clase AB._La potencia en la carga, disipacin del transistor, consumo de corriente y la eficiencia de la etapa de un seguidor de emisor push-pull de clase AB, son muy diferentes de los de un amplificador de clase A. Potencia en la carga._La potencia de ac entregada por un amplificador push-pull de clase AB a la carga est dada por: PL(MX)=Pp 8RL.

Disipacin de potencia del transistor._En ausencia de seal, los transistores de un amplificador push-pull de clase B estn en reposo, puesto que solo circula por ellos una corriente insignificante. Por esta razn, la disipacin de potencia en cada transistor es muy pequea. Cuando se presenta una seal, ocurren fuertes variaciones en la corriente que pasa por los transistores provocando mucho ms disipacin de potencia. La disipacin de potencia del transistor depende del porcentaje de la recta de carga de a.C. que se est utilizando. En el peor de los casos, la disipacin alcanza un valor mximo cuando se usa el 63% de la recta de carga de ac. La disipacin mxima de potencia del transistor es: D (mx.)= Pp 40RL. El consumo de corriente._ El consumo de corriente de cc de un amplificador push-pull de clase AB como el de la figura 15 es: IS = I1 +I2=. Donde la I1 es la corriente de cc a travs de los resistores de polarizacin. La I2 es la corriente de cc en el colector superior. En condiciones de ausencia de seal, I2=ICQ, y el consumo de corriente es pequeo; pero cuando se presenta la seal, el consumo se incrementa debido a que la corriente del colector superior crece. Si se utiliza toda la recta de carga de ac, el transistor superior deja pasar un semiciclo de corriente en forma de onda senoidal que tiene un valor pico de: I2 = Ic(sat) = 0,318VCEQ RL. La potencia de cc proporcionada al circuito es: Ps=VccIs=.La eficiencia de etapa es: = (PL (mx) /Ps) x100 78.5%. POLARIZACION DE UN AMPLIFICADOR CLASE B._La dificultad ms grande que se presenta para disear un amplificador de clase AB es la fijacin de un punto Q estable cerca del corte. Polarizacin por divisor de voltaje._La figura 22 muestra la polarizacin por divisor de voltaje para un circuito push-pull de clase AB. Los dos transistores tienen que ser complementarios, lo que significa que deben tener curvas de VBE similares, capacidades nominales mximas semejantes, etc. Por ejemplo, el 2N3904 y el 2N3906 son complementarios; el primero es un npn y el segundo es un pnp; ambos tienen las mismas capacidades nominales mximas, curvas semejantes de VBE. En la figura 22, las corrientes de colector y emisor son aproximadamente iguales. Debido a la conexin en serie de los transistores complementarios, la caida de voltaje en cada uno de ellos es igual a la mitad del voltaje de alimentacin. Para evitar la distorsin de cruce, fijamos el punto Q ligeramente arriba del corte, con el VBE correcto, entre 0.6 y 0.7 V, dependiendo del tipo de transistor, la temperatura, y otros factores. La hoja tcnica indica que un incremento de 60mv en el VBE produce un incremento de diez veces en la corriente de emisor. Por esta razn, es muy difcil encontrar resistores que proporcionen el valor correcto de VBE. Por lo regular, se requiere de un resistor variable para fijar el punto Q correcto. Sin embargo, un resistor variable no resuelve el problema de la temperatura. Como se vio en la teora de los transistores, para una corriente de colector dada, VBE decrece aproximadamente 2mv por cada grado de incremento. En otras palabras, el VBE que se requiere para fijar una corriente de colector en particular decrece conforme la temperatura aumenta. En la figura 22 los divisores de voltaje producen un voltaje fijo para cada diodo de emisor. De aqu que, conforme la temperatura aumenta, el voltaje fijo aplicado a cada diodo emisor fuerza a que se incremente la corriente de colector. Por ejemplo, si la VBE que se requiere decrece en 60 mv, la corriente de colector se incrementa en un factor de 10 porque la polarizacin fija resulta ahora excesiva en 60mv

Existe un riesgo importante que es cuando se presenta la carrera trmica. Cuando la temperatura aumenta, la corriente de colector se incrementa y este efecto es equivalente a que el punto Q se desplace sobre la lnea vertical de cc. A medida que el punto Q se desplaza hacia valores mas altos tambin la corriente de colector aumenta, y por lo tanto la temperatura del transistor aumenta reduciendo el valor correcto de el VBE. Esta situacin iterativa hace que el punto Q se vaya desplazando a lo largo de la lnea de carga de cc y la carrera termina fatalmente cuando se llega a valores de potencia excesivos que destruyen el transistor. La carrera trmica se puede presentar, o no, dependiendo de las propiedades trmicas del transistor, de la forma de ventilacin

y del tipo de disipador que se use. Polarizacin por diodo._Una forma de evitar la carrera trmica es el empleo de la polarizacin por diodo, como se muestra en la figura 23. La idea es utilizar diodos de compensacin para proporcionar el voltaje de polarizacin a los diodos emisores. Para que la idea funcione, las curvas de los diodos de compensacin deben ser iguales a las curvas de VBE del transistor. En ese caso cualquier incremento de temperatura reduce el voltaje de polarizacin al disminuir la caida en los diodos de compensacin. Por ejemplo, supngase que un voltaje de polarizacin de 0.65 V origina una corriente esttica de colector de 2mA; si la temperatura se incrementa 30C, la caida de voltaje en los diodos de compensacin disminuye unos 60mV; puesto que el VBE que se requiere tambin decrece aproximadamente 60mV, la corriente esttica de colector se mantiene en aproximadamente 2mA. Espejo de Corriente._La polarizacin por diodo se basa en el concepto de espejo de corriente, que es una tcnica ampliamente usada en circuitos integrados lineales. En la figura 24 la corriente de base es mucho ms pequea que la corriente que fluye por el resistor y el diodo, por lo que la corriente del resistor y la del diodo son aproximadamente iguales. Si la curva del diodo fuese idntica a la curva de VBE del transistor, la corriente del diodo sera igual a la corriente del emisor. Puesto que la corriente de colector es casi igual a la corriente de emisor, se llega a la siguiente conclusin: que la corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente que fluye a travs del resistor de polarizacin. Simblicamente se representa as: IcIR. Este es un resultado importante. Significa que se puede fijar la corriente de colector al controlar la corriente del resistor. El circuito se comporta como un espejo; la corriente que fluye a travs del resistor se refleja dentro del circuito de colector. Esta es la razn por la cual al circuito de la figura 24 se le llama espejo de corriente. La fig.25 muestra un espejo de corriente pnp. Por un razonamiento similar al anterior, la corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente que fluye en el resistor de polarizacin. Si la curva de VBE del transistor es igual a la curva del diodo, la corriente de colector es aproximada_ mente igual a la corriente en el resistor. La polarizacin por diodo de un emisor seguidor de emisor push-pull de clase B figura 23 cuenta con dos espejos de corriente. La mitad superior es un espejo de corriente npn, en la mitad inferior es un espejo de corriente pnp. Para que la polarizacin por diodos sea inmune a los cambios en temperatura, las curvas de los diodos de compensacin deben ajustarse muy bien a las curvas VBE del transistor en un intervalo amplio de temperatura. En circuitos con componentes discretos esto no es facil, debido a las tolerancias de los diodos y transistores. En cambio la polarizacin por diodos es facil de ponerse en prctica con circuitos integrados puesto que los diodos y transistores estn en el mismo integrado, lo que significa que tienen caracterstica casi idntica. PROBLEMAS DE EJEMPLO 1. El amplificador de la figura 26 se ajusta las R para un VBE=0,68V y una ICQ=12mA.Si la temperatura del transistor se incrementa de 25C a 85C. Dibjese la lnea de carga de ac. Cul es el consumo de corriente de la etapa en ausencia de seal? El consumo de corriente a plena seal? Cul es la mxima disipacin de potencia del transistor? La eficiencia de la etapa? Cul es el nuevo valor de ICQ y VBE?.

VCE(Corte)=Vcc/2=20/2=10V, ic(SAT)=Vcc/2RL=20/2.10=1Amp. (Ver figura 27 ). El consumo de

corriente en ausencia de seal:IS=I1+I2=; I1= (Vcc-2VBE)/2R1=(20 (2x0,68)) / (2x1,41K)=(18,64) / 2,82K= I1=6.609mA, e, I2=ICQ=12mA. Luego Is=6.609mA+12mA=18,609mA. El consumo de corriente a plena seal es: Is=I1+I2=; ya conocemos I1=6.609mmA e I2 =Ic(SAT.) / =; I2=318,309mxVCEQ / RL= I2=318,309mxVcc/2RL=; I2 = (318,309mA)x20/(2x10)=318,309mA; Is=6,609mA+318,309mA=; Is=324,918mA. La disipacin de potencia del transistor es: PD (max) =Pp/40RL=Vcc/40RL= PD (max)=(20)/40.10=1. La eficiencia de la etapa es: = (PL/max))Ps)x100; PL(max)=Pp 8RL=Vcc/ 8RL PL(max) = (20)/ 8x10=5w Ps=Vcc.Is = 20x324,918mA=6,498; = (5 /,498)x100=76,942%. Los nuevos

valores de ICQ y VBE son: VBE=0,68 - 2mVx(85C-25C)=0,56V 560mV. ICQ=10.12mA=120mA de 25C a 55C; ICQ=10x120mA=1,2 Amp. De 55C a 85C. Tambin se puede calcular de la siguiente forma: ICQ=10. ICQ`=; donde n=(.Tc) / 30=.Tc=TF -TA=; Tc=85c - 25c = 60C; n=60 / 30=2; I"CQ=10.12mA=1,2Amp. 2- En la figura 28 las curvas de los diodos son iguales a las curvas de VBE. Dibjese la lnea de carga de ac. Cual es el consumo de corriente de la etapa en ausencia de seal? El consumo de corriente a plena seal? Cual es la mxima disipacin de potencia del transistor? La eficiencia de la etapa? Vce(corte)=Vcc/2 =30/2=15V; Ic(sat)= Vcc /2RL=30/2*50=300mA. (Ver figura 29 ). El consumo de corriente en ausencia de seal es: Is=I1+I2 y I1=I2=ICQ por corriente de espejos I1=(Vcc-2VBE) /2RL = I1=(30-2x0,7) / 2x2,5K=5.72mA Is = 2xI1 = 2x 5,72mA= 11,44mA. El consumo de corriente a plena seal es: Is= I1 + I2=; como ya conocemos la I1 que es igual a 5.72 mA e I2= Vcc /2**RL= 30/(2**50)=95,492mA Is=5,72mA+95,492mA=101,212ma. La disipacin de potencia del transistor es: PD(MAX)=Vcc/40xRL= (30)/40x50=450m.

La eficiencia de la etapa es: = (PL(max) / Ps)x100=. La potencia de la carga es: PL(max)= Vcc /8xRL=; PL(max)= (30) / 8x50= 2,25; Ps=30x101,212mA=3.036W; = (2.25 / 3.036) x100= 74.101%.

AMPLIFICADOR CLASE C
Un amplificador clase C puede entregar ms potencia a la carga que un amplificador clase AB; pero si se trata de amplificar una seal senoidal, necesita sintonizarse a la frecuencia de esa seal. Es por ello que el amplificador clase C es un circuito de banda estrecha que slo puede amplificar la frecuencia de resonancia y aquellas frecuencias cercanas a esta. Estos amplificadores se operan siempre a radiofrecuencia (RF), o sea a frecuencias mayores de 20KHz, donde elcircuito resonante puede formarse sin necesidad de usar capacitores e inductores excesivamente grandes. Aunque son los ms eficientes de todos, nicamente son tiles para aplicaciones de banda estrecha en RF. OPERACIN EN CLASE C._La operacin en clase C se caracteriza porque la corriente de colector circula durante menos de 180 del ciclo de ac. Esto significa que la corriente de colector de un amplificador clase C no es conoidal en absoluto ya que circula en forma de pulsos. Para evitar la distorsin que resultara sobre una carga puramente resistiva, los amplificadores clase C tienen que esperar siempre sobre un circuito tanque sintonizado que permite obtener un voltaje senoidal de salida.

AMPLIFICADOR SINTONIZADO._En la figura 30 puede verse el amplificador clase C. El circuito resonante paralelo est sintonizado a la frecuencia de la seal de entrada . Cuando el circuito tiene un elevado factor de calidad (Q), la resonancia en paralelo se presenta a una frecuencia: fr= 1/(2LC). A la frecuencia de resonancia, la impedancia del circuito resonante paralelo es muy elevada y puramente resistiva ( para que esta aproximacinsea vlida, se requiere que la Q del circuito sea superior a 10, suposicin generalmente aceptable en los cicuitos de RF). Cuando el circuito est sintonizado a la frecuencia de resonancia en RL es mximo y senoidal.

En la figura 31 puede verse, cmo vara la ganancia de voltaje con la frecuencia. Como puede verse, la ganancia alcanza un valor mximo Av.(mx.) para la frecuencia fr. Para valores mayores y menores de esta frecuencia de resonancia la ganancia de voltaje disminuye. Cuanto mayor sea la Q del circuito, ms pronunciadas sern estas disminuciones de ganancia en ambos lados de resonancia. AUSENCIA DE POLARIZACIN._ En la figura 32 se ha incluido el circuito equivalente de cc; se puede comprobar que el transistor no tiene polarizacin alguna. Su punto Q, por consiguiente, se representa en el punto de corte de la lnea de carga en cc. Puesto que no hay polarizacin, el voltaje VBE de cc es cero y por consiguiente no puede circular corriente de colector hasta que la seal de entrada sea mayor aproximadamente 0.7V. Ntese tambin que la resistencia de colectores en cc es Rs; sta es, la resistencia de cc del inductor de RF que por lo general es de unos pocos ohms. LINEAS DE CARGA._ Puesto que Rs es muy pequea, la lnea de carga de cc parece ser casi vertical en la figura 33; sin embargo no existe peligro de avalancha o carrera trmica porque el transistor no conduce ms corriente que la de fuga. El punto esttico de operacin (Q) est en corte y no hay posibilidad de avalancha trmica. La lnea de carga de ac que se obtuvo en el amplificador clase A sigue siendo valida, para un amplificador de emisor comn: Ic(sat)=ICQ+VCEQ rc y VCE(corte)=VCEQ+ICQ.rc=; En el amplificador clase C de la figura 30, ICQ=0 y VCQ=Vcc. Por tanto, las ecuaciones anteriores se reducen a:Ic(sat)=Vcc rc y VCE(corte)=Vcc. En la figura 33 puede verse la recta de carga de ac. Cuando el transistor est conduciendo, su punto de operacin sube sobre la recta de carga. La resistencia de ac vista por el colector es rc, al igual que antes. La corriente de saturacin de ac en un amplificador clase C es Vcc rc y la variacin mxima de voltaje es Vcc. CIRCUITO EQUIVALENTE EN AC._ Cuando la Q del circuito resonante es mayor de 10, se puede usar el circuito equivalente aproximado de ac que se indica en la figura 34. En este circuito, la resistencia en serie del inductor se ha incluido en la resistencia de colector. En un amplificador clase C el capacitor de entrada forma parte de un fijador (clamper) negativo de cc. Esto quiere decir que la seal de entrada a un amplificador clase C tiene un nivel fijo negativo de cc. En el lado de salida, la fuente de corriente de colector se aplica a un circuito tanque. En el punto de resonancia del circuito tanque paralelo, el voltaje pico a pico en la carga alcanza su valor mximo. El ancho de banda de un circuito resonante se define como: B=f2-f1, donde f1 es la frecuencia correspondiente al punto inferior de media potencia, y la f2 es la frecuencia correspondiente al punto superior de media potencia. El ancho de banda est relacionado con la frecuencia de resonancia y la Q del circuito por la expresin: B=Fr Q. Esto significa que una Q elevada produce un ancho de banda pequeo que equivale a una sintona muy precisa. Los amplificadores clase C tienen casi siempre un circuito cuya Q es mayor de 10. Esto implica que el ancho de banda es menor al 10% de la frecuencia de resonancia, razn por la cual se se dice que son amplificadores de banda estrecha. La salida de un amplificador de bada estrecha es un elevado voltaje senoidal en el punto de resonancia con una cada rpida de voltaje a un lado y otro de esa frecuencia.

CADA O DISMINUCIN DE CORRIENTE EN RESONANCIA._ Por lo general la Q de los circuitos resonantes es mayor de 10 lo que permite usar el circuito equivalente aproximado para ac de la figura 34. En este circuito la resistencia en serie del inductor est incluida en la resistencia de colector rc. Esto deja un inductor ideal en paralelo con un capacitor ideal y, cuando este circuito es resonante, la impedancia de la ac de la carga vista por la fuente de corriente del colector es puramente resistiva y de valor muy elevado, con lo que la corriente de colector pasa entonces por un mnimo. Por arriba y por abajo de la frecuencia de resonancia disminuye la impedancia de carga en ac, con lo que la corriente de colector aumenta. Si el fin es menor que la fr., el tanque presenta un efecto inductivo y la corriente de colector aumenta. Del mismo modo si fin es superior a la fr., el efecto capacitivo predomina en el tanque y la corriente de colector tambin aumenta. Una forma de sintonizar un circuito tanque a la frecuencia de entrada ser, pues, buscar una caida de la corriente directa suministrada al circuito. En alimentacin. Cuando se consiga sintonizar el

circuito tanque con la seal de entrada, la lectura del ampermetro disminuir a un valor mnimo y esta cada ser la indicacin de que se ha logrado la sintona. RESISTENCIA DEL COLECTOR DE AC._ Toda bobina o inductor tiene cierta resistencia en serie (Rs). Aunque en los esquemas nunca se representa esta resistencia como componente separado del circuito, La Q del inductor est dada por: QL=XL RS. Como se muestra en la figura 35. Debe recordarse que se est hablando de la Q de la bobina solamente. El circuito completo presenta una Q menor, porque en l hay que incluir tanto la resistencia de carga como la resistencia de la bobina. Como se ha aprendido en los cursos bsico de ac, la resistencia en serie del inductor puede sustituirse por una resistencia en paralelo RP, como se muestra en la figura 36.Esta resistencia equivalente est dada por: RP=QL.XL=. Si la QL es mayor de 10, esta frmula tiene un error menor del 1%. Con respecto a la figura 36, es importante recalcar que todas las prdidas que se produzcan en la bobina quedan ahora representadas por la resistencia en paralelo (RP); la resistencia en serie (RS) ya no existe en el circuito equivalente. En el punto de resonancia XL se anula con XC, dejando nicamente a RP en

paralelo con RL. Esto significa que la resistencia de AC en resonancia, vista desde el colector, es: rC=RPRL. Y la Q del circuito completo est dado por: Q=rC XL. Como se ve la Q del circuito completo resulta inferior a la Q de la bobina, Q L. En los amplificadores clase C reales, la Q de la bobina suele ser de 50 o ms y la Q del circuito es de 10 o ms. Por ello, el circuito resulta ser de banda estrecha. Adems, puesto que la Q de la bobina es igual o superior a 50, la mayor parte de la potencia de AC entregada a la carga la absorbe la resistencia de carga y slo una pequea fraccin se disipa en la resistencia de la bobina. FIJADOR DE NIVEL DE ENTRADA._ Vase con un poco ms de detalle el efecto fijador de nivel de la entrada a la etapa. En la figura 37, puede apreciarse que la seal de entrada carga al capacitor de acoplamiento con la polaridad indicada, a un valor aproximadamente igual a Vp.

En los semiciclos positivos el diodo del emisor conduce brevemente en los picos de seal, lo que permite que el capacitor reponga la carga perdida durante todo el ciclo. La nica va de descarga durante los semiciclos negativos es a travs de RB y, por tanto, el capacitor slo perder una pequea parte de su carga si el perodo T de la seal de entrada es mucho menor que la constante de tiempo (TAO)= RB.Ccin=. Para reponer la carga perdida por el capacitor, el voltaje de base debe subir ligeramente arriba de 0.7V para hacer conducir brevemente el diodo del emisor en cada pico positivo (vase la figura 37). El ngulo de conduccin, tanto para la corriente de base como para la de colector es, por tanto, mucho menor de 180. sta es la causa por la que la corriente de colector sea un tren de pulsos estrechos como los representados en la figura 38. FILTRADO DE ARMNICAS._ Toda onda no senoidal equivale a una frecuencia fundamental f, ms una segunda armnica de frecuencia 2f, ms una tercera armnica de frecuencia 3f, etc. En la figura 39, la fuente de corriente de colector se aplica al circuito tanque con la corriente no senoidal

de la figura 38. Si la frecuencia de resonancia del tanque es la fundamental f, todas las armnicas resultan filtradas y el voltaje en la carga resultar ser una senoidal a la frecuencia fundamental f, como se indica en la figura 40. La variacin mxima de voltaje sobre la lnea de carga de alterna es Vcc. Por consiguiente, bajo condiciones mximas de seal, el voltaje en la carga vara desde VCE(sat) hasta 2VCC. Puesto que VCE(sat) es prcticamente 0. la excursin mxima de salida en alterna de un amplificador clase C resulta ser: Pp 2Vcc

RELACIONES DE POTENCIA EN CLASE C._ La potencia entregada a la carga, la disipacin del transistor, el consumo de corriente y la eficiencia de una etapa amplificadora en clase C son diferentes de las obtenidas en las etapas de clase A o clase B. Puesto que el ngulo de conduccin es menor de 180, el anlisis matemtico de las potencias resulta muy complicado en los amplificadores clase C. Por lo complicado del anlisis matemtico solo se limitar a describir las relaciones de potencia sin demostrarlas. POTENCIA DE CARGA._ La potencia de ac en la carga de una etapa clase C est dada por PL=Vpp 8RL=. Donde PL= potencia de ac. en la carga; Vpp=Voltaje de pico a pico en la carga; RL=Resistencia de carga. Estas relaciones son de gran utilidad cuando se dispone de un osciloscopio para medir el voltaje en la carga. La potencia en la carga es mxima cuando se usa toda la recta de carga. Puesto que el valor de la mxima excursin de salida, PP, mide el mximo valor de Vpp que se obtiene sin recortar la seal, se puede escribir la potencia mxima en la carga en funcin de esta excursin mxima de salida: PL(max)=PP 8RL=. Los amplificadores clase C se usan casi siempre de forma que operen a todo lo largo de la recta de carga, con lo que se obtiene la mxima potencia en la carga y la mxima eficiencia posible en la etapa. Disipacin de potencia en el transistor._En la figura 41 puede verse la forma de onda ideal del voltaje colector emisor en un amplificador transistorizado en clase C. El circuito tanque hace que se filtren todas las armnicas y se obtenga un voltaje senoidal a la frecuencia fundamental fr. Puesto que el voltaje mximo es aproximadamente 2Vcc, el transistor debe soportar voltajes de VCEQ mayores de 2Vcc. La corriente de colector en el amplificador clase C se indica en la figura 42. El ngulo de conduccin es menor de 180. Obsrvese que la corriente alcanza un valor mximo ic (sat). El transistor debe soportar corrientes de pico mayores a este valor. Las partes punteadas de la forma de onda representan el tiempo durante el cual el transistor no conduce. Se puede calcular la potencia disipada en el transistor usando las matemticas adecuadas. Esta disipacin depende del ngulo de conduccin como lo indica la figura 43 y aumenta a medida que el ngulo se acerca a 180, lo que corresponde a un clase AB. En ese punto la disipacin del transistor, en el peor de los casos Pp 40rc. Consumo de Corriente._En la figura 42 el valor promedio, o de cc, de la corriente de colector depende del ngulo de conduccin. Para un ngulo de 180C la corriente promedio es de 0.3183ic(sat). Para ngulos de conduccin menor, la corriente media es menor, como se aprecia en la figura 44. Esta corriente media es la nica componente que tiene que considerarse en el consumo de corriente de una etapa clase C. La potencia de CC suministrada al circuito es: Ps=VccxIs. La potencia se disipa en la carga, el transistor y la bobina. Despreciando la pequea

potencia de ac suministrada a la entrada del amplificador: Ps=PL+PD+P(bobina). Esta potencia de cc entregada al circuito debe salir en forma de potencia en la carga y de un desperdicio de potencia en el transistor y la bobina. Eficiencia de la carga._ La eficiencia de una etapa en clase C, o rendimiento de etapa, es: =(PL(max)Ps)x100= En un amplificador clase C, la mayor parte de la potencia suministrada por la alimentacin se convierte en potencia de ac en la carga. Las prdidas en el transistor y la bobina son lo suficientemente pequeas para ser despreciadas y, por consiguiente, la eficacia de la etapa es elevada. En la figura 45 puede verse que la eficiencia optima de la etapa varia con el ngulo de conduccin. Cuando el ngulo es 180, el rendimiento de la etapa es de 78.5%, o sea el lmite mximo terico de una etapa en clase AB. Cuando el ngulo de conduccin disminuye, el rendimiento aumenta. La eficiencia mxima en una etapa clase C es del 100%, valor al que se acerca el amplificador, con ngulos de conduccin muy pequeos. Seal de Entrada Grande._ Para obtener una eficiencia elevada, la seal de ac de entrada tiene que ser suficientemente grande para que la variacin en la salida recorra toda la recta de carga de ac El voltaje de salida tendr as una variacin pico a pico de aproximadamente 2Vcc. En ese caso el amplificador clase C permite obtener la mxima eficiencia con respecto a cualquier otra etapa, ya que entrega mas potencia a la carga, para una potencia de alimentacin dada, que ningn otro tipo de amplificador. Recurdese, no obstante, que este elevado rendimiento slo se obtiene dentro de un ancho de banda muy angosto. PROBLEMAS DE EJEMPLO 1._El circuito de la figura l4 tiene los siguientes parmetros: L=1,5H, C=680pF, Ccin=0.02F; RB=10K: RL=2K; Vcc=15v. Si el Q de la bobina es de 180, calclese: La frecuencia de resonancia, la corriente de saturacin de ac, el voltaje de corte de ac, el ancho de banda, la excursin mxima de salida de ac, la constante de tiempo del circuito fijador de nivel, el periodo de la seal de entrada, la mxima potencia en la carga, la eficiencia y la corriente consumida de la etapa, si la disipacin de potencia en el transistor es de 0,5mw. Si la seal de entrada, tiene 10V de pico a pico cunto valdr la cada de voltaje de cc en el diodo del emisor? Si se sintoniza el tanque con al tercera armnica cunto valdr la frecuencia de la seal de entrada? Fr=1/(21.5Hx680pF)=4983.334MHz; Ic(sat)=15/1617,372=9,274mA; XL=2..4.9833M.1,5 H = XL=46,966; Rp=180x46,966=8454,027; rc=8454,027//2k=1617,372; VCE(CORTE)=15V; Q=1617,372/46,966=34.437; B=4.9833MHz/34,437=144,708KHz; Pp=2.15=30V;

(Tao)=10k.0.02F=200s; Tin=1/4.9833MHz=200,67ns; PL(MX)= (30)/(8x2k)=56,25mw;

P(BOBINA)=(30)/8x8454,027=13,307mW; Ps=(56,25+13,307+0.5)mW=70,057mW; Is=4,67mA =56.25mW*100/70,057mW=80,291%; Vcc(DIODO)= 4,3v; Fin=3x4.9833MHz=14950.003,71Hz 2._Disese un amplificador clase C que cumpla con los siguientes parmetros: una constante de tiempo del circuito fijador de nivel de 200s; el perodo de la seal de entrada de 200ns; el ancho de banda de 200KHz; una RL=2K para una QL=150. Dibujar el amplificador con el valor de cada uno de los dispositivos, si se va alimentar con fuentes de Vcc=15V y un Vf=15VPp cunto valdr la cada de voltaje de cc en el diodo del emisor? Si se sintoniza el tanque con al tercera armnica cunto valdr la frecuencia de la seal de entrada? Si la potencia del transistor es de 0,25mW cual es su rendimiento y el consumo de corriente de la etapa? (TAO)=RB.Ccin=200S Ccin=200S/10K=20nF; Fr=1/200ns=5MHz; B=Fr/Q=5M / 200K=25; Q=rcXL=; XL=rcQ=; QL=RpXL=; XL=RpQL=; rcQ=RpQL (Rp.RL(Rp+RL))Q= RpQL RpRL(Rp+RL)Q=RpQL (Rp+RL)Q = QLRL = Rp= RL(QL/Q 1)=2k(180/25-1)= Rp=12,4k; XL=2**Fr*L=; XL=12,4k / 180= 68,888; L=68,888/(25M)= 2,192H; como XL = Xc C= 1/(2**68,888*5M)=462,063pF; PL(MX)=(30)/(8x2k)= 56.25mw; P(BOBINA)=(30)/8x10k=9,072mw; Ps=56.25mW+9,072mW +0,25mW= Ps=65,572mW; Is=4,371mA =56.25mWx100/65,572mW=85,782%; Vcc(DIODO)= 6,8V; Fin=3*5MHz=15MHz.h La figura puede ser como la del problema anterior o sea la figura 30.