Problema 6

Javier Garza Loya 109127, Ricardo Hernndez Mares 104019 javier_garza13@hotmail.com, ricardo.hdez.mares.21@gmail.com Ingeniera en sistemas digitales y comunicaciones, Fsica UACJ, IIT, Ingeniera Elctrica y Computacin Materia: Electrnica II Catedrtico: Dr. Roberto Carlos Ambrosio Lzaro 19 de Noviembre 2013

1. Introduccin
MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P. Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio (SiO2) (tambin llamada "slice" o "slica") es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la figura) En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain).

En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensin de entrada (un campo elctrico). En este caso no existe corriente de entrada.

Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay electricidad esttica. Este grfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador -fuente), para un Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumenta rpidamente (se comporta como una resistencia) hasta llegar a un punto A(voltaje de estriccin), desde donde la corriente se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la regin de disrupcin o ruptura), desde donde la corriente aumenta rpidamente hasta que el transistor se destruye.

2. Objetivo.
Vamos a examinar un tipo de amplificador MOSFET de fuente comn como amplificador. La seal de entrada se aplica entre la puerta y la fuente y la seal de salida se desarrolla entre el drenaje y la fuente. El transistor fuente comn a ambos circuitos de salida de la entrada y, por lo tanto, el trmino es una fuente comn.

3. Actividades.
En la primer parte de la actividad se arm el siguiente circuito en la protoboard.

Se midi con el osciloscopio nuestra seal de salida la cual es la que se muestrea a continuacin.

Posteriormente se simulo el circuito en multisim para poder llenar la tabla, a continuacin se anexa la imagen de la simulacin as como la seal de salida generada por el circuito.

Despus se hizo el anlisis en AC y los datos medidos son anexados en la siguiente tabla. Parmetro AC Vl=Vg |Av| Vc=Vd Rin Rout Simulado 500mVpp 6 3Vpp 182K 820 Medido 525mVpp 6 3.15Vpp 172K 990

Despues en el generador de funciones se cambiaron los parmetros de V1 por 500mVpp y 1kHz y se conect a nuestro circuito. La frecuencia obtenida fue la misma que la que le entraba a nuestro circuito.

Despus medimos la seal de voltaje AC del drenar del transistor la cual nos dio un resultado de .

Se compararon las formas de onda de las seales de entrada y de salida para obtener la fase, la cual nos dio un resultado de 190.

Se quit el capacitor bypass, Cs. Que conclusin se puede obtener del comportamiento del amplificador cuando Cs est abierto? R. Que al momento de quitar el capacitor Cs el circuito amplifica pero lo hace de menor manera ya que Cs nos brinda mayor amplificacin.

Se reemplaz Cs y se reduce Rl a 1k. Que conclusin se puede hacer acerca del trabajo del amplificador cuando Rl se reduce a 1k?. R. Al momento de reducir la resistencia Rl el voltaje de salida pierde amplificacin a diferencia de l que tenamos originalmente.

4. Preguntas.
(i) For an n-channel MOSFET, when DS v is held constant and GS v is increased
beyond the threshold voltage, D i : and WHY, explain the answer. (a) increases. Conforme avance el Vds, va incrementando el Ids debido a los electrones libres.

(ii) The MOSFET has small-signal parameters:

Gm =10 k R0=20 mS The open circuit voltage gain, vo A , is

(c) -49.6 V/V

(iii) The AC input resistance, i R , of the amplifier in question (ii) is:

(a) infinite} Es infinita ya que se necesita de una impedancia muy alta.

(iv)
The AC output resistance, o R , of the amplifier in question (ii) is: (c) 2.48 k

(v) For a MOSFET at low frequencies:

(vi) The DC bias current, D I , in question (ii) is:

(a) 2 mA

(vii) The input impedance of a "voltage amplifier", compared with the impedance of
the signal source, should be: (a) very large

(viii) The decibel is a measure of:

(a) voltage gain

(x) Including an un-bypassed resistor S R in the source lead of the common-source

MOSFET amplifier: (a) reduces the gain, but makes it nearly independent of the MOSFET.