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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

EstruturaEstrutura dodo dispositivodispositivo ee operaoperaççãoão ffíísicasica

e e opera opera ç ç ão ão f f í í sica sica Fig. 5.1
e e opera opera ç ç ão ão f f í í sica sica Fig. 5.1
Fig. 5.1
Fig. 5.1

Designação: transístor NPN

Estrutura simplificada de um BJT (três regiões semicondutoras)

Designação: transístor PNP

Fig. 5.2
Fig. 5.2

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ELECTRÓNICA

I

Designação: transístor PNP Fig. 5.2 Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA I 1

1

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO ConstituiConstituiçção:ão:

Dispositivo com três terminaisBIPOLARES DE JUNÇÃO Constitui Constitui ç ç ão: ão: emissor, base e colector 2 junções: junção

Constitui ç ç ão: ão: Dispositivo com três terminais emissor, base e colector 2 junções: junção

emissor, base e colector

2 junções: junção emissor-base (EBJ) e junção colector-base (CBJ)Dispositivo com três terminais emissor, base e colector • Dependendo da polarização de cada um a

Dependendo da polarização de cada uma das juncões, diferentes modos de operação podem ser obtidos – modo de corte, modo activo e modo de saturação

corte inversa inversa Activo directa inversa Saturação directa directa
corte
inversa
inversa
Activo
directa
inversa
Saturação
directa
directa

Modo activo, também designado modo activo directo, é usado se o transístor operar como amplificador.

, é usado se o transístor operar como amplificador . Modo de corte e modo de

Modo de corte e modo de saturação: Aplicações que envolvam comutação. Ambos os tipos de portadores (electrões e lacunas) participam no processo de condução num transístor bipolar, daí o nome bipolar.

condução num transístor bipolar, daí o nome bipolar . Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de
condução num transístor bipolar, daí o nome bipolar . Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de

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I

transístor bipolar, daí o nome bipolar . Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Operação de um transístor NPN no modo activo

DE JUNÇÃO Operação de um transístor NPN no modo activo Fig. 5.3 Duas fontes de tensão
Fig. 5.3
Fig. 5.3

Duas fontes de tensão externas são usadas para estabelecer as condições de polarização para funcionamento no modo activo: EBJ é directamente polarizada e a CBJ é inversamente polarizada.

directamente polarizada e a CBJ é inversamente polarizada. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de

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e a CBJ é inversamente polarizada. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA I

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Operação de um transístor NPN no modo activo (Cont.)

Junção Emissor- Base Junção Colector- Base Altamente Camada Camada Altamente dopada mais fina mais fina
Junção
Emissor- Base
Junção
Colector- Base
Altamente
Camada
Camada
Altamente
dopada
mais fina
mais fina
dopado
e menos
e menos
dopada
Menos
dopada que
o Emissor e
mais dopada
que a Base
dopada
Menos
dopado que
o Emissor e
mais dopado
que a Base

Fluxo de corrente (apenas componentes de corrente por difusão são consideradas)

– A Polarização directa da EBJ origina fluxo de corrente através da junção: Consiste em duas componentes: electrões injectados do emissor para a base e lacunas injectadas da base para emissor.

- A corrente que flúi através da EBJ constitui a corrente i E . Soma de duas componentes.

- A componente de electrões é muito maior de que a componentes de lacunas

de electrões é muito maior de que a componentes de lacunas A corrente do emissor é

A corrente do emissor é dominada pela componente de electrões

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I

é dominada pela componente de electrões Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA I

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Operação de um transístor NPN no modo activo (Cont.)

Fluxo de corrente (Cont.)

NPN no modo activo (Cont.) Fluxo de corrente ( Cont.) Considere-se electrões injectados do emissor para

Considere-se electrões injectados do emissor para a base

Considere-se electrões injectados do emissor para a base Portadores minoritários na região da base Como a

Portadores minoritários na região da base

Como a região da base é estreita, em regime permanente o excesso de concentração de portadores minoritários (electrões) na base apresenta um perfil de (quase) linha recta.

na base apresenta um perfil de (quase) linha recta . Fig. 5.4 A concentração é muito
Fig. 5.4
Fig. 5.4
A concentração é muito elevada do lado do emissor (n p (0)) e muito baixa
A concentração é muito elevada do lado
do emissor (n p (0)) e muito baixa do lado
do colector.
Para qualquer junção pn directamente
polarizada, a concentração n p (0) é
proporcional a e v BE/V T .
v
/ V
(0) 
n
e
BE
T
(1)
n p
p 0
concentração de portadores
n p0
minoritários (electrões) na região base.

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minoritários (electrões) na região base. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA I 5

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Operação de um transístor NPN no modo activo (Cont.)

Fluxo de corrente (Cont.)

NPN no modo activo (Cont.) Fluxo de corrente ( Cont.) Considere-se electrões injectados do emissor para

Considere-se electrões injectados do emissor para a base

Considere-se electrões injectados do emissor para a base Portadores minoritários na região da base A razão

Portadores minoritários na região da base

para a base Portadores minoritários na região da base A razão para uma concentração zero na

A razão para uma concentração zero na base no lado do cole ctor, deve-se ao facto da tensão positiva concentração zero na base no lado do colector, deve-se ao facto da tensão positiva do colector v CB , provocar a difusão desses electrões através da região de depleção da junção base-colector.

O perfil de concentração de portadores tração de portadores

minoritários leva a que os electrões

injectados na base se difundam através da

região da base em direcção ao colector.

através da região da base em direcção ao colector. Esta corrente de difusão I n é

Esta corrente de difusão I n é directamente proporcional à inclinação do perfil de concentração (linha

recta)

I

n

A

E

q D

n

dn ( x )

p

dx

  A

E

q D

n

 n (0)  p    (2)   W  
n
(0)
p
(2)
W

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I

   (2)   W   Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Operação de um transístor NPN no modo activo (Cont.)

Fluxo de corrente (Cont.)

NPN no modo activo (Cont.) Fluxo de corrente ( Cont.) Considere-se electrões injectados do emissor para

Considere-se electrões injectados do emissor para a base

Considere-se electrões injectados do emissor para a base Portadores minoritários na região da base I n

Portadores minoritários na região da base

I

n

A

E

 q D  n  
q D
n

dn ( x )

p

dx

  A

E

q D

n

Secção tranversa da junção base-emissor

 n (0)  p      W  
n
(0)
p
W

Devido ao declive negativo da concentração de portadores minoritários, resulta uma corrente I n negativa, através da base, isto é, a corrente I n flúi da direita para a esquerda (direcção negativa de x).

Alguns dos electrões que se difundem através da base combinam-se com lacunas, que são

maioritárias na base. Contudo, uma vez que a base é usualmente muito estreita, a percentagem de

electrões “perdidos” através deste processo de recombinação será muito pequena. Em todo o caso,

a recombinação na região da base origina que o perfil da concentração de portadores minoritários

em excesso se desvie da linha recta e tome a forma ligeiramente côncava indicada a traço

interrompido na figura 5.4.

em excesso se desvie da linha recta e tome a forma ligeiramente côncava indicada a traço

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a traço interrompido na figura 5.4. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA I

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

Corrente de colector

A inclinação do perfil da concentração do lado da junção de emissor é ligeiramente maior do que do lado da junção de colector, sendo a diferença devida ao pequeno número de electrões perdidos por recombinação na base.

número de electrões perdidos por recombinação na base. Do exposto decorre que a maior parte dos

Do exposto decorre que a maior parte dos electrões que se difundem na base atingem a fronteira da região de depleção colector-base. Uma vez que o colector é mais positivo do que a base ( de v C B volt), estes electrões são varridos através do que a base ( de v CB volt), estes electrões são varridos através da região de depleção para o colector. São, assim, “colectados” para constituir a corrente de colector i C . Por convenção, o sentido da corrente i C é o oposto do fluxo de electrões; assim, i C fluirá para dentro do colector.

Outra observação importante a fazer diz respeito à independência do valor de i C relativamente a v CB . Isto é, desde que o colector seja positivo relativamente à base, os electrões que atingem a junção colector - base são varridos para dentro do colector e contribuem para a corrente do colector.

que atingem a junção colector - base são varridos para dentro do colector e contribuem para

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e contribuem para a corrente do colector . Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

Corrente de colector (Cont.)

Como I c = I n , substituindo a equação (1) em (2), podemos representar a corrente de colector por

(1) em (2 ), podemos representar a corrente de colector por Corrente de saturação (3) Substituindo
(1) em (2 ), podemos representar a corrente de colector por Corrente de saturação (3) Substituindo
(1) em (2 ), podemos representar a corrente de colector por Corrente de saturação (3) Substituindo

Corrente de saturação

(3)

a corrente de colector por Corrente de saturação (3) Substituindo n p 0 = n i

Substituindo n p0 = n i 2 /N A

saturação (3) Substituindo n p 0 = n i 2 /N A I  S A

I

S

A qD n

E

n

2

i

N W

A

(4)

A corrente de saturação I S é inversamente proporcional à largura da base W e directamente proporcional à área da junção emissor - base. Tipicamente, I S varia entre 10 -12 e 10 -18 A (dependendo do tamanho do transístor).

Porque I S é proporcional a n i 2 , é fortemente dependente da temperatura , I S é proporcional a n i 2 , é fortemente dependente da temperatura, duplicando aproximadamente por cada 5°C de aumento da temperatura.

Uma vez que I S é directamente proporcional à área da junção (i.e., ao tamanho do transístor) é também referida como corrente de escala. Dois transístores idênticos, exceptuando a sua área da junção de emissor, por exemplo, dupla, este terá uma corrente de saturação igualmente dupla. Assim, para o mesmo valor de v BE , o transístor maior conduzirá uma corrente de colector duas vezes maior. Este conceito é frequentemente utilizado no projecto de circuitos integrados.

corrente de colector duas vezes maior . Este conceito é frequentemente utilizado no projecto de circuitos
corrente de colector duas vezes maior . Este conceito é frequentemente utilizado no projecto de circuitos

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no projecto de circuitos integrados. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA I 9

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

Corrente de base A corrente de base i B consiste em duas componentes. A componente dominante i B1 é devida às lacunas injectadas pela base na região do emissor. Esta corrente é proporcional a e v BE/V T ,

Esta corrente é proporcional a e v BE /V T , D p : taxa de
D p : taxa de difusão das lacunas no emissor; / V T (5) L
D p : taxa de difusão das lacunas no emissor;
/
V
T
(5)
L p : comprimento de difusão de lacunas no emissor;
N D : concentração de dopantes do emissor.
2 A q D n v i e BE B 1  N L D
2
A
q D n
v
i
e
BE
B 1 
N L
D
P

E

p

i

A segunda componente, i B 2 , é devida às lacunas que são fornecidas pelo circuito exterior componente, i B2 , é devida às lacunas que são fornecidas pelo circuito exterior para substituir as lacunas perdidas pela base no processo de recombinação.

Uma expressão para i B2 pode ser obtida notando que se o tempo médio para um electrão minoritário se recombinar com uma lacuna maioritária na base, for designado por b (tempo de vida do portador minoritário), então em b segundos verifica-se uma carga recombinada na base Q n .

Claro que em regime permanente, Q n é re-preenchida através da injecção de electrões a partir do emissor.

Para re-preencher as lacunas, a corrente i B2 deve fornecer a base com uma carga positiva igual a Q n todos os b segundos.

carga positiva igual a Q n todos os  b segundos. Fig. 5.3 Departamento de Engenharia
carga positiva igual a Q n todos os  b segundos. Fig. 5.3 Departamento de Engenharia
carga positiva igual a Q n todos os  b segundos. Fig. 5.3 Departamento de Engenharia
carga positiva igual a Q n todos os  b segundos. Fig. 5.3 Departamento de Engenharia

Fig. 5.3

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todos os  b segundos. Fig. 5.3 Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

Corrente de base (Cont.)

i

B 2

Q

n

 b

b

(6)

De acordo com a figura 5.4, Q n pode ser representada pelo produto da área do triângulo abaixo do segmento de recta e A E q. Assim,

5.4, Q n pode ser representada pelo produto da área do triângulo abaixo do segmento de
   

1

 

Q

n

A q n

E

2

p ( 0 )

W

 

Usando a eq. (1), e substituindo n p 0 por n i 2 /N A , vem: p0 por n i 2 /N A , vem:

 
 

A qWn

E

2

i

v

/

V

T

 

Q

n

 

1

A q W n

E

2

i

v

BE

 

Q

n

 

e

 

BE

(7)

     

i

B 2

e

     

b

N

A

 

2 N

A

b

2

Combinando as equações (5) e (8) e usando (4), resulta:2 N A  b 2

 
 

i

B

s

D

p

N W

A

I

D N L

n

D

P

 

1 W

2 D

n

2

b

e

v

BE

/ V

T

(9)

 

Comparando eqs. (3) e (9), i B pode ser representada como uma fracção de i C : B pode ser representada como uma fracção de i C :

(11)

i

i B

i

B

1

i

B

2

C

   I

e

v

BE

/

V

T

(10)

i

B

S

  I     e v BE / V T (10) i B

/

V

T

(8)

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I

BE / V T (10) i B   S  / V T (8) Departamento

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

Corrente de base (Cont.)   1 Com
Corrente de base (Cont.)
 1
Com

D

p

N W

A

D N L

n

D

P

2

1

W

2 D

n

b

(12)

Nota: é constante para um transístor específico. Para um transístor npn varia entre 50 a 200, podendo atingir valores tão elevados quanto 1000.

200, podendo atingir valo res tão elevados quanto 1000.  Ganho de corrente em emissor-comum Da

Ganho de corrente em emissor-comum

Da equação (12) verifica-se que o valor de β é fortemente influenciado por dois

factores: a largura da região da base e a relação entre as concentrações das regiões

do emissor e da base. Para se obter um elevado β (o que é altamente desejável, uma

vez que β é um parâmetro de ganho), a base deve ser estreita e pouco dopada e o

emissor muito dopado. A análise que fizemos pressupôs uma situação ideal, em que β

é uma constante para um dado transístor.

dopado. A análise que fizemos pressupôs uma situação ideal, em que β é uma constante para

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é uma constante para um dado transístor. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

Corrente de Emissor

Uma vez que a soma das correntes do transístor tem de ser nula (lei da corrente de Kirchhoff). Assim, de acordo com a fig. 5.3, a corrente de emissor i E é igual à soma da corrente de colector i C com a corrente de base i B ,

de colector i C com a corrente de base i B , i  i 
i  i  i Usando eqs. (10) e (13) i E (13) E C
i
 i  i
Usando eqs. (10) e (13)
i E
(13)
E
C
B
ou
 1 
v
/ V
 
I e
BE
T
(15)
i E
S
 
(17)
 
 1
 I  
S
v
/
V
i
e
BE
T
E  
(18)
Representando  em função de :
(19)
1 

 

i C

  1   i     i E
 1   i
 
 i
E

C

(14)

(16)

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i     i E C (14) (16) Departamento de Engenharia El ectrotécnica e

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

Como se vê pela Eq. (17), α é uma constante (para o transístor em questão) menor do que, mas muito próxima da unidade. Por exemplo, se β = 100, então α 0,99. A Eq. (19) revela um facto importante: pequenas variações em α correspondem a grandes variações em β. Esta observação puramente matemática tem uma consequência física extraordinariamente relevante: transístores do mesmo tipo podem ter valores muito diferentes de β. Por razões que adiante serão evidentes, α chama-se ganho de corrente em base-comum.

muito diferentes de β . Por razões que adiante serão evidentes, α chama-se ganho de corrente
Resumo
Resumo

Apresentámos um modelo de 1ª ordem para o funcionamento do transístor npn em modo activo. Basicamente, a tensão de polarização directa v BE causa uma corrente de colector i C exponencialmente dependente. Esta corrente é independente do valor da tensão de colector desde que a junção colector base esteja inversamente polarizada, i.e., v CB 0. Assim, em modo activo, o terminal do colector comporta-se como uma fonte de corrente controlada ideal em que o valor da corrente é determinado por v BE . A corrente de base i B é um factor 1/β da corrente de colector e a corrente de emissor é igual à soma das correntes de colector e de base. Uma vez que i B é muito menor do que i C (i.e., β >> 1), i E i C . Mais precisamente, a corrente de colector é uma fracção α da corrente de emissor, com α menor, mas aproximadamente igual à unidade.

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mas aproximadamente igual à unidade. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA I 14

14

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

Modelos de circuitos equivalentes

O modelo elementar de funcionamento do transístor descrito atrás pode ser representado pelo circuito equivalente mostrado na fig. 5.5(a).

pelo circuito equivalente mostrado na fig. 5.5(a). Fig. 5.5a Como se vê, o díodo D E
Fig. 5.5a
Fig. 5.5a
Como se vê, o díodo D E tem uma corrente inversa de saturação igual a

Como se

vê,

o

díodo D E tem uma corrente inversa de saturação igual a I S /α,

fornecendo assim uma corrente i E relacionada com v BE de acordo com a Eq. (18).

A corrente da fonte controlada, que é igual à corrente de colector, é controlada por v B E segundo a relação exponencial indicada pela eq. (3). v BE segundo a relação exponencial indicada pela eq. (3).

Este modelo é, essencialmente, uma fonte de corrente controlada por tensão, não linear.

indicada pela eq. (3). Este modelo é, essencialmente, uma fonte de corrente controlada por tensão ,

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controlada por tensão , não linear. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA I

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

Modelos de circuitos equivalentes (Cont.)

Pode ser convertido no modelo com fonte de corrente

controlada por corrente mostrado na fig. 5.5(b),

exprimindo a corrente da fonte controlada como αi E .

Note-se que este modelo é também não linear emexprimindo a corrente da fonte controlada como α i E . virtude da relação exponencial da

virtude da relação exponencial da corrente i E do díodo D E

com a tensão v BE .

Neste modelo vemos que se o transístor for encarado

como um quadripolo, com o porto de entrada entre E e B,

e o porto de saída entre C e B (i.e., com B como terminal

comum), então o ganho de corrente é α. É por esta razão

que α se chama ganho em corrente base comum.

comum ), então o ganho de corrente é α . É por esta razão que α
comum ), então o ganho de corrente é α . É por esta razão que α
Fig. 5.5b
Fig. 5.5b

Exercício 5.1 – Considere um transístor npn com v BE =0.7V para i C = 1mA. Determine v BE para i C =0.1mA e 10mA. Solução: v BE =0.64 V; v BE =0.76 V

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v B E =0.64 V; v B E =0.76 V Departamento de Engenharia El ectrotécnica e

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

ModelosModelos dede circuitoscircuitos equivalentesequivalentes ((ContCont.).)

Exercício 5.2 – Transístores de um certo tipo são especificados ter valores para na gama de 50-150. Determine a gama dos respectivos . Solução: 0.98 a 0.993.

Exercício 5.3 – Medidas efectuadas num transístor npn mostraram uma corrente de base 14.46 A, corrente de emissor 1.46 mA e tensão base-emissor 0.7 V. Determine , e I S . Solução: 0.99; 100; 10 -15 .

Exercício 5.4 – Calcule para dois transístores para os quais = 0.99 e 0.98. Para

correntes de colector de 10 mA, determine a corrente de base de cada transístor.

Solução: 99; 49; 0.1 mA; 0.2 mA.

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Solução: 99; 49; 0.1 mA; 0.2 mA. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

EstruturaEstrutura dosdos transtransíístoresstores reaisreais

A fig. 5.6 mostra uma secção transversal simplificada, mas mais realista de um transístor npn. mplificada, mas mais realista de um transístor npn.

Note-se que o colector praticamente envolve a região do emissor , tornando assim mais difícil que os o colector praticamente envolve a região do emissor, tornando assim mais difícil que os electrões injectados na estreita base escapem de ser colectados. Desta forma, o α resultante é próximo da unidade e β é grande.

o α resultante é próximo da unidade e β é grande. Fig. 5.6 Departamento de Engenharia

Fig. 5.6

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da unidade e β é grande. Fig. 5.6 Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

TransTransíístorstor pnppnp

Fig. 5.7

DE JUNÇÃO Trans Trans í í stor stor pnp pnp Fig. 5.7 O transístor pnp funciona

O transístor pnp funciona de uma forma semelhante à do transístor npn. A fig. 5.7 mostra um transístor pnp polarizado para funcionar melhante à do transístor npn. A fig. 5.7 mostra um transístor pnp polarizado para funcionar em modo activo.

Como se vê, a tensão V E B polariza directamente a junção base-emissor, enquanto a junção base - colector é polarizada EB polariza directamente a junção base-emissor, enquanto a junção base - colector é polarizada inversamente pela tensão V BC .

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inversamente pela tensão V B C . Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

TransTransíístorstor pnppnp ((contcont.).)

Ao contrário do transístor npn, a corrente no transístor pnp é principalmente devida a lacunas

injectadas pelo emissor na base em resultado da tensão de polarização directa V EB . Uma vez que a

componente da corrente do emissor correspondente aos electrões injectados pela base no emissor

é muito pequena, em virtude de a base ser muito pouco dopada, a corrente de emissor é

essencialmente uma corrente de lacunas.

pequena, em virtude de a base ser muito pouco dopada, a corrente de emissor é essencialmente

Os electrões injectados pela base no emissor constituem a componente dominante, i B 1 , da corrente de base. Algumas das lacunas injectadas na ponente dominante, i B1 , da corrente de base. Algumas das lacunas injectadas na base recombinam-se com os portadores maioritários da base (electrões), perdendo-se assim. Estes electrões têm de ser substituídos pelo circuito exterior, originando a segunda componente da corrente de base, i B2 .

a segunda componente da corrente de base, i B 2 . As lacunas que conseguem atingir

As lacunas que conseguem atingir a fronteira da região de depleção da junção base - colector são aceleradas pelo campo eléctrico aí existente e penetram no colector, constituindo a corrente de colector.

são aceleradas pelo campo eléctrico aí existente e penetram no colector, constituindo a corrente de colector.

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constituindo a corrente de colector. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA I 20

20

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

TransTransíístorstor pnppnp ((contcont.).)

Conclui-se facilmente desta descrição que as relações

corrente-tensão do transístor pnp são idênticas às do

transístor npn, substituindo v BE por v EB .

grandes

sinais, do transístor pnp pode ser modelizado pelo

circuito representado na fig. 5.12

do transístor pnp pode ser modelizado pelo circuito representado na fig. 5.12 O funcionamento em modo

Osinais, do transístor pnp pode ser modelizado pelo circuito representado na fig. 5.12 funcionamento em modo

funcionamento

em

modo

activo,

para

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO

fig. 5.13 mostra os símbolos usados para

representar os esquemas de circuito dos transístores

npn (a) e pnp (b).

Em ambos os símbolos o emissor distingue-se por uma seta.

esquemas de circuito dos transístores npn (a) e pnp (b). Em ambos os símbolos o emissor

A

esquemas de circuito dos transístores npn (a) e pnp (b). Em ambos os símbolos o emissor
Fig. 5.12
Fig. 5.12
i C i E Fig. 5.13
i C
i E
Fig. 5.13

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

ELECTRÓNICA

I

seta. A Fig. 5.12 i C i E Fig. 5.13 Departamento de Engenharia El ectrotécnica e

21

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

A polaridade do transístor - npn ou pnp - é indicada pelo sentido da ponta da seta do emissor. O sentido desta seta indica o sentido da corrente normal do emissor e também o sentido da polarização directa da junção emissor-base.

Uma vez que, normalmente se desenham os circuitos por forma que as correntes fluam de cima para baixo , desenharemos os transístores, em geral, da forma as correntes fluam de cima para baixo, desenharemos os transístores, em geral, da forma indicada na fig.5.13, i.e., os npn com o emissor em baixo e os pnp com o emissor em cima.

em geral, da forma indicada na fig.5.13, i.e., os npn com o emissor em baixo e
com o emissor em baixo e os pnp com o emissor em cima . A fig.

A fig. 5.14 mostra transístores npn e pnp polarizados para funcionarem no modo activo.

Note-se, entretanto, que o método de polarização indicado, com duas fontes de alimentação, é meramente
Note-se, entretanto, que o método de
polarização indicado, com duas fontes de
alimentação, é meramente simbólico. Veremos
adiante esquemas práticos de polarização. A
fig.5.14 indica também os sentidos verdadeiros
das correntes do transístor. Adoptaremos por
convenção como sentidos de referência os
verdadeiros, pelo que, normalmente, não
(a)
(b)
encontraremos valores negativos para i E , i B ou
Fig. 5.14
i
C .

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

ELECTRÓNICA

I

para i E , i B ou Fig. 5.14 i C . Departamento de Engenharia El

22

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

A conveniência das convenções adoptadas revela-se óbvia pela simples observação da fig. 5.14. Note-se que as correntes flúem de cima para baixo e que as tensões são mais altas em cima do que em baixo. Como a seta do emissor também indica a polaridade que deve ter a em baixo. Como a seta do emissor também indica a polaridade que deve ter a tensão emissor-base para polarizar directamente essa junção, um simples relance ao símbolo do transístor pnp, por exemplo, mostra que a tensão do emissor deve ser maior do que a da base (de v EB ) para que a corrente flua no sentido indicado (para baixo). Note-se que a notação v EB significa a tensão entre E (tensão mais alta) e B (tensão mais baixa). Assim, para um transístor pnp, funcionando no modo activo, v EB é positiva, enquanto para um npn, é v BE que é positiva.

Da análise que fizemos anteriormente decorre que um transístor npn , cuja junção base-emissor está polarizada directamente , funcionará riormente decorre que um transístor npn, cuja junção base-emissor está polarizada directamente, funcionará em modo activo desde que o potencial do colector seja mais alto do que o da base. De facto, o transístor funcionará em modo activo se a tensão do colector não for inferior à da base de um valor aproximadamente igual a 0.4 V. Caso contrário, a junção do colector ficará polarizada directamente e o transístor entra no modo de saturação.

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

ELECTRÓNICA

I

or entra no modo de saturação. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA I

23

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

De forma análoga, o transístor pnp funcionará em modo activo se a junção emissor- base for directamente polarizada e a tensão do colector não for superior à da base por mais de que 0.4 volts. Caso contrário, a junção base-colector fica directamente polarizada e o transístor pnp entra em saturação.

. Caso contrário, a junç ão base-colector fica directamente polarizada e o transístor pnp entra em

AA correntecorrente inversainversa colectorcolector--basebase (( II CBOCBO ))

Na análise anterior do fluxo de corrente no transístor, ignorámos as pequenas co rrentes inversas

Na análise anterior do fluxo de corrente no transístor, ignorámos as pequenas correntes inversas

devidas aos portadores minoritários gerados termicamente.

Apesar de nos transístores modernos, estas correntes poderem ser desprezadas sem significativa ores modernos, estas correntes poderem ser desprezadas sem significativa

perda de rigor, a corrente inversa da junção colector- base merece alguma referência.

Esta corrente, designada por I CBO , é a corrente inversa que flúi do colector para a base com o

emissor em circuito aberto (daí o índice “O” de “open”). Esta corrente é usualmente da ordem do

nanoampère, um valor que é muitas vezes maior do que o seu valor teoricamente previsto. I CBO

depende fortemente da temperatura, duplicando aproximadamente por cada 10°C de aumento.

previsto. I C B O depende fortemente da temperatura , duplicando aproximadamente por cada 10°C de

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

ELECTRÓNICA

I

por cada 10°C de aumento . Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA I

24

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

Resumo das relações corrente-tensão do TJB no modo activo de operação

   I

i

i

I e

v

BE

/

V

T

i

C

S

e

C

S

 

B

 

1

 

1

 

i i

C

 

i

 

1

i

i

E

E

 

B

 

E

 
     

1

i i

C

B

i

E

1

i

B

v

BE

/

V

T

V T

i

E

i

C

   I   e

S

v

BE

/

V

T

tensão térmica

kT

q

25 mV

na temperatura ambiente

NOTA: Para transístores pnp, substitua v BE por v EB

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ELECTRÓNICA

I

pnp , substitua v B E por v E B Departamento de Engenharia El ectrotécnica e

25

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

Exemplo

Considere-se o circuito da fig. 5.15(a), em que o transístor tem β = 100 e exibe uma tensão v BE de 0,7 V para i C = 1 mA. Pretende-se projectar o circuito (calcular R C e R E ) por forma que a corrente de colector seja de 2 mA e a tensão do colector seja +5 V.

colector seja de 2 mA e a tensão do co lector seja +5 V. Resolução Como

Resolução

Como se indica na fig. 5.15(b), para obter uma tensão V C = +5 V, a queda de tensão em R C deve ser 15 - 5 = 10 V. Assim, uma vez que se pretende I C = 2 mA, o valor de R C deve ser escolhido igual a

deve ser 15 - 5 = 10 V. Assim, uma vez que se pretende I C
C = 2 mA, o valor de R C deve ser escolhido igual a Fig. 5.15
C = 2 mA, o valor de R C deve ser escolhido igual a Fig. 5.15
Fig. 5.15
Fig. 5.15

Uma vez que v BE = 0,7 V para i C = 1 mA, o valor de v BE para i C = 2 mA é,

C = 1 mA, o valor de v B E para i C = 2 mA

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ELECTRÓNICA

I

de v B E para i C = 2 mA é, Departamento de Engenharia El ectrotécnica

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

Resolução (cont.)

Uma vez que a tensão da base é 0 V, a tensão do emissor deve ser

que a tensão da base é 0 V, a tensão do emissor deve ser Com β
que a tensão da base é 0 V, a tensão do emissor deve ser Com β

Com β =100, α = 100/101 = 0,99. Assim, a corrente de emissor β=100, α = 100/101 = 0,99. Assim, a corrente de emissor

é,

α = 100/101 = 0,99. Assim, a corrente de emissor é, O valor requerido para R
α = 100/101 = 0,99. Assim, a corrente de emissor é, O valor requerido para R

O valor requerido para R E é determinado pela lei de Ohm:

valor requerido para R E é determinado pela lei de Ohm: Departamento de Engenharia El ectrotécnica
valor requerido para R E é determinado pela lei de Ohm: Departamento de Engenharia El ectrotécnica

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

ELECTRÓNICA

I

R E é determinado pela lei de Ohm: Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores

27

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

EXERCÍCIO 5.10

No circuito mostrado na figura E5.10, foi medida uma tensão no emissor de - 0.7 V. Se = 50, determine I E , I B , I C e V C.

Solução: 0.93 mA; 18,2 A; 0.91 mA; 5.45 V.

EXERCÍCIO 5.11

No circuito mostrado na figura E5.11, foram medidos as seguintes grandezas: V B = 1 V; V E = 1.7 V. Determine e para este transístor. Qual o valor da tensão no colector?

Solução: 0.994; 165; –1.75 V

da tensão no colector? Solução: 0.994; 165; –1.75 V Fig. E5.10 Fig. E5.11 Departamento de Engenharia
da tensão no colector? Solução: 0.994; 165; –1.75 V Fig. E5.10 Fig. E5.11 Departamento de Engenharia

Fig. E5.10da tensão no colector? Solução: 0.994; 165; –1.75 V Fig. E5.11 Departamento de Engenharia El ectrotécnica

Fig. E5.11no colector? Solução: 0.994; 165; –1.75 V Fig. E5.10 Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de

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ELECTRÓNICA

I

165; –1.75 V Fig. E5.10 Fig. E5.11 Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

Representação gráfica das características dos transístores

É útil, por vezes, descrever graficamente as características i-v do transístor.gráfica das características dos transístores Figura 5.16 mostra a característica i C – v B E

Figura 5.16 mostra a característica i C – v B E , i C – v BE ,

Fig. 5.16
Fig. 5.16

v

BE

/

V

T

i

C

I e

S

idêntica (à excepção da constante n) à relação i-v do díodo.

As características i E -v B E e i B -v B E são também exponenciais mas i E -v BE e i B -v BE são também exponenciais mas com diferentes correntes inversas de saturação: I S /α para i E e I S /β para i B . Uma vez que a constante do expoente, 1/V T é bastante elevada (40), a curva sobe abruptamente.

Para v B E menor do que cerca de 0,5 V, a corrente é desprezável, e para BE menor do que cerca de 0,5 V, a corrente é desprezável, e para a gama habitual de correntes a tensão v BE situa-se entre 0,6 e 0,8 V. Ao realizar análises rápidas, admitimos, habitualmente, que V BE 0,7 V que é uma aproximação semelhante à que usamos na análise dos circuitos com díodos. Para um transístor pnp, a característica i C - v EB tem um aspecto idêntico à da fig. 5.16.

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ELECTRÓNICA

I

tem um aspecto idêntico à da fig. 5.16. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores

29

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

Representação gráfica das características dos transístores (Cont.)

Como nos díodos de silício, a tensão da junção

base-emissor diminui cerca de 2mV por cada

aumento de 1°C da temperatura, em condições de

corrente constante. A fig. 5.17 ilustra esta

dependência com a temperatura com a

representação de curvas i C - v BE de um transístor

npn para três temperaturas diferentes.

com a representação de curvas i C - v B E de um transístor npn para

Características base-comum

fig. 5.17
fig. 5.17

Um modo de descrever o funcionamento de um transístor bipolar consiste em representar i C em função de v C funcionamento de um transístor bipolar consiste em representar i C em função de v CB , para vários valores de i E .

Um circuito experimental para a medição de tais características é mostrado na figura 5.18a.

valores de i E . Um circuito experimental para a medição de tais características é mostrado

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ELECTRÓNICA

I

é mostrado na figura 5.18a. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA I 30

30

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

Representação gráfica das características dos transístores (Cont.)

Note-se que nestas medições, a tensão de base é mantida constante (ao potencial da massa).
Note-se que nestas medições, a tensão de base é mantida
constante (ao potencial da massa). A base serve, assim, como
terminal comum entre os portos de entrada e de saída. Como
resultado, o conjunto de características, mostrado na figura 5.18b,
são conhecidas como características base-comum.
5.18b, são conhecidas como características base-comum. Fig. 5.18 Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de
Fig. 5.18
Fig. 5.18

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

ELECTRÓNICA

I

características base-comum. Fig. 5.18 Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA I 31

31

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

Representação gráfica das características dos transístores (Cont.)

Na região activa de operação, obtida para v CB - 0.4 V, as curvas desviam-se do esperado em dois aspectos.

Primeiro, as curvas não são linhas rectas horiz ontais, mas apresentam um pequeno declive positivo, , as curvas não são linhas rectas horizontais, mas apresentam um pequeno declive positivo, indicando que i C depende ligeiramente de v CB no modo activo.

i C depende ligeiramente de v C B no modo activo . Segundo , para valores
Segundo , para valores relativamente grandes de v C B , a corrente de colector

Segundo, para valores relativamente

grandes de v CB , a corrente de colector

mostra um rápido incremento, o qual

constitui um fenómeno de ruptura.

Cada uma das curvas características intersecta o eixo vertical para um nível de corrente igual a I E onde I E é a corrente constante de emissor para a qual a curva particular é medida.

corrente igual a  I E onde I E é a corrente constante de emissor para
de emissor para a qual a curva particular é medida. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

ELECTRÓNICA

I

para a qual a curva particular é medida. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores

32

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

Representação gráfica das características dos transístores (Cont.)

gráfica das características dos transístores (Cont.) O valor resultante de  , é um  total

O valor resultante de , é um total ou de grande-sinal, i.e., =i C /i E .

Um  para pequenos sina is ou incremental , pode ser determinado me dindo a variação para pequenos sinais ou incremental, pode ser determinado medindo a variação em i c , i c , obtida como resultado da variação de i E , através de um incremento i E,

= i c / i E

Esta medição é usualmente efectuada para uma tensão v CB constante ( ver figura 5.18b). Em geral os valores do incremental e total diferem pouco e não será feita distinção entre eles.

5.18b). Em geral os valores do  incremental e total diferem pouco e não será feita
5.18b). Em geral os valores do  incremental e total diferem pouco e não será feita

Ganho de corrente em base-comum

distinção entre eles. Ganho de corrente em base-comum Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de
distinção entre eles. Ganho de corrente em base-comum Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

ELECTRÓNICA

I

eles. Ganho de corrente em base-comum Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA I

33

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

DependênciaDependência dede ii CC relativamenterelativamente àà tensãotensão dede colectorcolector OO EFEITOEFEITO DEDE EARLYEARLY

Na região activa, os transístores bipolares reais mostram alguma dependência da corrente de colector relativamente à tensão do colector, resultando que as características i C - v CB não são rectas perfeitamente horizontais, como observado.

Para analisar mais claramente esta dependência , considere-se o circuito conceptual da fig. 5.19a. analisar mais claramente esta dependência, considere-se o circuito conceptual da fig. 5.19a.

, como observado. Para analisar mais claramente esta dependência , considere-se o circuito conceptual da fig.

O transístor está ligado em configuração de emissor comum e V BE pode ser ajustada através da fonte de tensão variável ligada entre a base e o emissor. Para cada valor de V BE , a correspondente curva característica i C - v CE pode ser medida ponto a ponto, variando o valor da fonte de tensão dc ligada entre o colector e o emissor e medindo a correspondente corrente de colector. O resultado é a família de curvas i C - v CE mostradas na fig. 5.19(b).

correspondente corrente de colector . O resultado é a família de curvas i C - v
Fig. 5.19
Fig. 5.19

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

ELECTRÓNICA

I

E mostradas na fig. 5.19(b). Fig. 5.19 Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA

34

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

DependênciaDependência dede ii cc relativamenterelativamente àà tensãotensão dede colectorcolector OO EFEITOEFEITO DEDE EARLYEARLY

Para baixos valores de v C E , à medida que a tensão de colector se torna infe rior à CE , à medida que a tensão de colector se torna inferior à da base de um valor inferior a 0.4V, a junção colector-base fica polarizada directamente, pelo que o transístor deixa o modo activo e entra no modo de saturação.

Examine-se mais em pormenor as características na região activa. racterísticas na região activa.

Observa-se que, apesar de serem linhas rectas, não são horizontais, i.e., tê m inclinação não nula. serem linhas rectas, não são horizontais, i.e., têm inclinação não nula.

De facto, prolongando essas rectas para a parte negativa do eixo de v C E , verificamos que se intersectam num único po nto desse eixo, para v CE , verificamos que se intersectam num único ponto desse eixo, para v CE = -V A .

A tensão V A , um número positivo com valores típicos na gama de 50 a 100 V. A , um número positivo com valores típicos na gama de 50 a 100 V.

Para um dado valor de v B E , aumentando v C E aumenta a tensão inversa da valor de v BE , aumentando v CE aumenta a tensão inversa da junção base-colector e, assim, aumenta a largura da região de depleção desta junção. Isto, por sua vez, provoca uma diminuição da largura efectiva da base W. Recordando que I S é inversamente proporcional a W, vê-se que I S aumentará e i C aumenta proporcionalmente. É este o efeito de Early, também conhecido como efeito da modulação da largura da base.

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ELECTRÓNICA

I

da modul ação da largura da base . Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores

35

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

DependênciaDependência dede ii CC relativamenterelativamente àà tensãotensão dede colectorcolector OO EFEITOEFEITO DEDE EARLYEARLY

A dependência linear de i C com v C E pode ser tida em conta admitindo que I S permanece C com v CE pode ser tida em conta admitindo que I S permanece constante e incluindo o factor ( 1 + v CE / V A ) na equação de i C como segue:

v C E / V A ) na equação de i C como segue: (5.36) A

(5.36)

A inclinação não nula das rectas i C - v C E indica que a resistência de saída vista do colector não C - v CE indica que a resistência de saída vista do colector não é infinita. Pelo contrário, é finita e definida por,

é infinita . Pelo contrário, é f inita e definida por, Usando (5.36) (5.37) Considerando o

Usando (5.36)

(5.37)

contrário, é f inita e definida por, Usando (5.36) (5.37) Considerando o valor da corrente de

Considerando o valor da corrente de colector com o efeito de Early desprezado

da corrente de colector com o efeito de Early desprezado I ' C r  0

I

'

C

r

0

V

A

I

'

C

I e

S

v

BE

/

(5.38a)

V

T

(5.38b)

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

ELECTRÓNICA

I

C  I e S v BE / (5.38a) V T (5.38b) Departamento de Engenharia El

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

DependênciaDependência dede ii CC relativamenterelativamente àà tensãotensão dede colectorcolector OO EFEITOEFEITO DEDE EARLYEARLY

Raramente é necessário incluir a dependência de i C com v CE no projecto de polarização e análise em corrente contínua.

Todavia, a resistência de saída finita r o pode ter um efeito significativo no ganho de amplificadores resistência de saída finita r o pode ter um efeito significativo no ganho de amplificadores com transístores, como se verá adiante.

amplificadores com transístores , como se verá adiante. A resistência de saída r o pode ser
amplificadores com transístores , como se verá adiante. A resistência de saída r o pode ser

A resistência de saída r o pode ser inserida no modelo de circuito para o transístor.

Tal é ilustrado na fig. 5.20 (modelos de circuitos para grandes sinais de um transístor npn operando em modo activo).

Os dois modelos diferem apenas na função de controlo: Na figura 5.20(a), a tensão v BE controla a fonte de corrente do colector, enquanto que no circuito da figura 5.20(b) é a corrente de base que controla a fonte de corrente (i B ).

, enquanto que no circui to da figura 5.20(b) é a corrente de base que controla
, enquanto que no circui to da figura 5.20(b) é a corrente de base que controla
de base que controla a fonte de corrente (  i B ). Fig. 5.20 Departamento

Fig. 5.20

que controla a fonte de corrente (  i B ). Fig. 5.20 Departamento de Engenharia

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

ELECTRÓNICA

I

de corrente (  i B ). Fig. 5.20 Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de

37

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

Fig. 5.21 (a) (b)
Fig. 5.21
(a)
(b)

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

CaracterCaracteríísticassticas EmissorEmissor -- ComumComum

Um modo alternativo de representação das características do transístor emissor- comum é ilustrado na figura 5.21.

A corrente de base i B é usada como parâmetro em vez da tensão base-emissor B é usada como parâmetro em vez da tensão base-emissor

é usada como parâmetro em vez da tensão base-emissor v BE . Isto é, cada curva

v BE .

Isto é, cada curva i C -v CE é medida com a base alimentada por uma corrente constante I B . As curvas características são similares às da figura 5.19 excepto, o fenómeno de ruptura mostrado aqui.

I B . As curvas características são similares às da figura 5.19 excepto, o fenómeno de
I B . As curvas características são similares às da figura 5.19 excepto, o fenómeno de

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

ELECTRÓNICA

I

o fenómeno de ruptura mostrado aqui. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA I

38

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

CaracterCaracteríísticassticas EmissorEmissor ComumComum

GanhoGanho em em corrente corrente   Ganho emem correntecorrente

Importante parâmetro do transísitor relação entre a corrente de colector e a corrente na base.

Importante parâmetro do transísitor

relação entre a corrente de colector e a corrente na base. a corrente na base.

entre a corrente de colector e a corrente na base. Assumido constante para um dado transístor
entre a corrente de colector e a corrente na base. Assumido constante para um dado transístor

Assumido constante para um dado transístor

na base. Assumido constante para um dado transístor Considere-se o transíst or a funcionar no modo

Considere-se o transístor a funcionar no modo activo no ponto Q: or a funcionar no modo activo no ponto Q:

A relação entre a corrente de colector e a corrente de base traduz o de grandes sinais ou dc:

a corrente de base traduz o  de grandes sinais ou dc :  dc I

dc

I CQ

I BQ

5.39
5.39

Nos datasheets este parâmetro surge referenciado por h FE.

sinais ou dc :  dc I CQ  I BQ 5.39 Nos datasheets este parâmetro

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

ELECTRÓNICA

I

surge referenciado por h F E . Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA

39

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

CaracterCaracteríísticassticas EmissorEmissor –– ComumComum Pode ser definido um outro , baseado em pequenos
CaracterCaracteríísticassticas EmissorEmissor –– ComumComum
Pode ser definido um outro , baseado em
pequenos sinais.
De acordo com o gráfico, mantendo v CE
constante no valor V CEQ e variando i B de um valor
I BQ até (I BQ + i B ), resulta um i C variando de I CQ a
(I CQ + i C ).
Define-se, assim, o  incremental ou ac, como:
i
C
5.40
 ac
i
B
v constante
CE

GanhoGanho emem correntecorrente

CE Ganho Ganho em em corrente corrente   As amplitudes de  a c e

As amplitudes de ac e dc diferem, tipicamente, de 10% a 20%.

O parâmetro  a c também é conhecido pelo h f e . ac também é conhecido pelo h fe .

e  d c diferem, tipicamente, de 10% a 20%. O parâmetro  a c também

Pelo facto do para pequenos sinais ser definido e medido para uma tensão v CE constante, i.e., com uma componente de sinal nula entre colector e emissor, é conhecido como ganho de corrente em emissor-comum em curto-circuito.

de sinal nula en tre colector e emissor , é conhecido como ganho de corrente em

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

ELECTRÓNICA

I

em emissor-comum em curto-circuito. Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores ELECTRÓNICA I 40

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

CORRENTE – – TENSÃO TENSÃO ( ( Cont Cont .) .) Caracter Caracter í í sticas

CaracterCaracteríísticassticas EmissorEmissor ComumComum

GanhoGanho emem correntecorrente

Fig. 5.22
Fig. 5.22
Ganho Ganho em em corrente corrente   Fig. 5.22 O valor de  depende da

O valor de depende da corrente com que o transístor

opera e essa relação toma a forma ilustrada na figura 5.22.

e essa relação toma a forma ilustrada na figura 5.22. A figura 5.22 mostra, também, a

A figura 5.22 mostra, também, a variação de com

a temperatura.

TensãoTensão dede SaturaSaturaççãoão VV CEsatCEsat ee ResistênciaResistência dede SaturaSaturaççãoão RR CEsatCEsat

Satura ç ç ão ão R R C E s a t C E s a

Representação expandida da região de saturação das características emissor comum

nesta região é menor de que na região activa

Fig. 5.23
Fig. 5.23

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ELECTRÓNICA

I

menor de que na região activa Fig. 5.23 Departamento de Engenharia El ectrotécnica e de Computadores

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TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

CARACTERCARACTERÍÍSTICASSTICAS CORRENTECORRENTE TENSÃOTENSÃO ((ContCont.).)

TensãoTensão dede SaturaSaturaççãoão VV CEsatCEsat ee ResistênciaResistência dede SaturaSaturaççãoão RR CEsatCEsat

Um ponto de operação possível está assinalado com X . ponto de operação possível está assinalado com X.

É caracterizado por uma corrente de base I B , uma corrente corrente de base I B , uma corrente

de colector I Csat e uma tensão colector- emissor V CEsat .

Note-se que I C s a t <  F I B . Csat < F I B .

Visto que o valor da corrente I C s a t é estabelecida pelo corrente I Csat é estabelecida pelo