Resistividade em Baixas Temperaturas

Thiago Pacheco Carneiro

30 de abril de 2008

Resumo
Iremos verificar o comportamento da resistividade da platina (Pt), um
condutor, e do germânio (Ge), um semi-condutor, quando submetidos a
temperaturas entre −196◦ C e 25◦ C.

Introdução
A resistividade de condutores e semi-condutores é função da temperatura em
que se encontram. Diversos fatores, como variações na amplitude de vibração
dos átomos em torno de suas posições de equilı́brio nos cristais, variações na dis-
tribuição de momento dos elétrons, etc., influenciam na capacidade de condução
de elétrons do material.
Os condutores são afetados, basicamente, pelas variações nas amplitudes de
vibração dos átomos: quanto maior a amplitude de vibração dos átomos, maior
é a sua seção de choque e, portanto, mais freqüentemente ocorrem choques
entre os “elétrons livres” e os átomos. Isso diminui a condutividade que é,
basicamente, função linear do tempo médio entre as interações, τ :

ne2
σ= τ (1)
m
Já os semicondutores também são afetados pela mudança, com a tempera-
tura, na distribuição de energia dos elétrons. Conforme a temperatura aumenta,
aumenta a possibilidade de que elétrons no limite energético superior da faixa
de valência adquiram energias superiores à do gap de energia entre as camadas,
passando à faixa de condução. Aqui temos também a mobilidade de elétrons
na faixa de valência, devido ao “vazio” deixado pelos elétrons que passaram à
faixa de condução. A condutividade dos semi-condutores é dada por:
3 g
σ = 2eU (µe + µh )T 2 exp(− ) (2)
2kB T
Onde e é a carga do elétron, µe e µh são as mobilidades dos elétrons e dos
“vazios” e U é uma constante.
Quando estamos lidando com temperaturas baixas, o termo exponencial do-
mina a expressão, permitindo a aproximação
g
ρ = σ −1 = Cexp( ) (3)
2kB T

1
Procedimento Experimental
O procedimento experimental consistiu em agrupar um termopar, um resistor
de platina e outro de germânio e levar este grupo a diferentes temperaturas,
com o auxı́lio de nitrogênio lı́quido.
O termopar serviu como termômetro, para podermos calcular a que tempe-
ratura os resistores estavam submetidos. Ele estava ligado a um voltı́metro e,
com sua tabela de calibração em mãos, obtivemos as temperaturas.
No resistor de platina a medição da resistência era direta, enquanto que no
resistor de germânio utilizamos um voltı́metro para medir a tensão VGe entre
suas pontas, enquanto outro volı́metro, colocado em série, media a tensão Vp nas
pontas de um resistor com resistência Rr conhecida, à temperatura ambiente.
A resistência do germânio era, então calculada pela equação
VGe VGe Rp
RGe = = = VGe (4)
I Vp /Rp Vp

Note que, apesar de estarmos interessados na resistividade dos materiais, o

que foi medido foi a resistência daqueles corpos. No entanto, como a variação do
volume é desprezı́vel em relação às variações de resistividade, a dependência da
resistência com a temperatura será dominada pela dependência da resistividade
com a mesma e portanto estudar uma é, aproximadamente, o mesmo que estudar
a outra.

Resultados Experimentais
Conforme podemos apreciar no gráfico abaixo, a resistência da platina varia
linearmente com a temperatura:

2
Com uma relação
∂R(T )
= 0, 407 ± 0, 001ΩK−1 (5)
∂T
Já a resistência do germânio varia de forma bem mais complexa, sendo apro-

ximada por R(T ) = Cexp( 2kBg T ) para as temperaturas mais baixas:

A partir da aproximação, pudemos obter

∂ln(R(T ))
g = 2kB = 1, 47×10−21 ±2×10−23 J = 9, 2×10−3 ±1×10−4 eV (6)
∂(1/T )

Conclusão
Comparando os resultados experimentais para a dependência da resistência da
platina com a temperatura com o valor esperado (0, 43ΩK−1 ). concluı́mos que
o resultado foi satisfatório, com uma discrepância de aproximadamente 6%.
Infelizmente não possuimos valores esperados para o germânio, pois a amos-
tra utilizada possuı́a uma dopagem desconhecida. No entanto, foi possı́vel apre-
ciar a validade da aproximação para baixas temperaturas, pois o ajuste exibiu
margens de erro baixas para o conjunto de pontos escolhidos. Além disso, pude-
mos verificar a diminuição apreciável do gap de energia para a amostra dopada,
em relação ao valor esperado de 5, 4eV para o germânio puro.