APPLICATION NOTE p09AB06

Dimensionnement dun hacheur survolteur Anne 2009 2010

Client : Christophe PASQUIER Tuteur technique : Christophe PASQUIER Tuteur industriel : Xavier CLAVAUD Auteur : Kamel EL MELOUANI

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 2

GE 3 2009 - 2010

SOMMAIRE
INTRODUCTION ............................................................................................................................................................ 5 1. 2. LE HACHEUR SURVOLTEUR .................................................................................................................................. 6 DIMENSIONNEMENT DES COMPOSANTS ......................................................................................................... 10 2.1. DIMENSIONNEMENT DE LINDUCTANCE................................................................................................... 10 CALCUL DE LINDUCTANCE................................................................................................................. 10 CHOIX DU TORE .................................................................................................................................. 11 CALCUL DU NOMBRE DE TOURS........................................................................................................ 11

2.1.1. 2.1.2. 2.1.3. 2.2.

DIMENSIONNEMENT DU CONDENSATEUR DE SORTIE ............................................................................. 12 CALCUL DE LA CAPACITE .................................................................................................................... 12 CHOIX DU CONDENSATEUR ............................................................................................................... 12

2.2.1. 2.2.2. 2.3.

CHOIX DES SEMI-CONDUCTEURS .............................................................................................................. 12 CHOIX DE LA DIODE............................................................................................................................ 12 CHOIX DU MOSFET ............................................................................................................................. 13 DRIVER ................................................................................................................................................ 13 OPTOCOUPLEUR................................................................................................................................. 13

2.3.1. 2.3.2. 2.3.3. 2.3.4. 3.

TESTS DE LA CARTE HACHEUR SURVOLTEUR .................................................................................................... 15 3.1. 3.2. TEST DES TENSIONS DENTREE ET DE SORTIE ........................................................................................... 15 TEST DES SIGNAUX ..................................................................................................................................... 16 TEST DE LA COMMANDE .................................................................................................................... 16 TEST DE LA TENSION DRAIN-SOURCE ................................................................................................ 16 TEST DE LA TENSION DIODE............................................................................................................... 17 TEST DU COURANT DANS LINDUCTANCE ......................................................................................... 17

3.2.1. 3.2.2. 3.2.3. 3.2.4.

CONCLUSION .............................................................................................................................................................. 18 ANNEXES ............................................................................................................................. Erreur ! Signet non dfini.

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 3

GE 3 2009 - 2010

TABLE DES MATIERES

Figure 1 : Schma du hacheur survolteur..................................................................................................................... 6 Figure 2 : Phases de fonctionnement du hacheur survolteur ...................................................................................... 7 Figure 3 : Prototype ralis ........................................................................................................................................ 15 Figure 4 : Copie cran visualisation des tensions loscilloscope .............................................................................. 16 Figure 5 : Copie cran visualisation des tensions loscilloscope .............................................................................. 16 Figure 6 : Extrait de la norme UTE C93-703 (1) ................................................................... Erreur ! Signet non dfini. Figure 7 : Extrait de la norme UTE C93-703 (2) ................................................................... Erreur ! Signet non dfini. Figure 8 : Schma de routage .............................................................................................. Erreur ! Signet non dfini.

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 4

GE 3 2009 - 2010

INTRODUCTION
Dans le cadre de notre formation dingnieur au dpartement Gnie Electrique de PolytechClermont-Ferrand (anciennement C.U.S.T), nous devons raliser un projet de type industriel, qui sintitule Gnrateur de commande PWM pseudo-alatoire dun hacheur survolteur . Ce projet stale sur nos deux dernires annes de formation. Pour cela nous devons raliser une tude de faisabilit en quatrime anne (48 heures), en proposant une solution au client lors d'une revue d'appel d'offre, et la conception du produit en cinquime anne (250 heures). Ce projet est propos par le LASMEA, LAboratoire des Sciences et Matriaux pour lElectronique et lAutomatique. Notre client est M. Pasquier, matre de confrence en compatibilit lectromagntique (C.E.M.) au dpartement GE de PolytechClermont-Ferrand qui est rattach au LASMEA. Nous avons pour nous aider et nous encadrer Mr. James, Mr. Laffont et Mr. Pasquier, enseignants au dpartement GE de PolytechClermont-Ferrand et un tuteur industriel Mr Clavaud, ingnieur charg de projet. Lobjectif de ce projet est de mettre en place une commande particulire (signal MLI frquence variable et rapport cyclique constant) sur microcontrleur, afin de piloter des interrupteurs de puissance et de valider les recherches menes par le LASMEA. Afin de bien nous rendre compte des rsultats et pour une raison dmonstrative, les tudes seront ralises avec une carte de puissance utilisant un hacheur survolteur. Il est donc ncessaire pour concevoir cette carte de puissance de la dimensionner. Cette application note dcrite dans ce rapport, sera appliquer et suivre pour raliser ce genre de carte. Elle dcrit la mthode suivre pour dimensionner et mettre en uvre un hacheur survolteur.

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 5

GE 3 2009 - 2010

1. LE HACHEUR SURVOLTEUR SURVOLTEU

1.1. GENERALITES Lorsque lon dsire augmenter la tension dune source continue, on peut utiliser le hacheur parallle de type BOOST, appel galement hacheur survolteur. Ce dispositif de llectronique de puissance est un convertisseur continu - continu mettant en uvre un ou plusieurs interrupteurs commands et qui permet de modifier la valeur de la tension d'une source de tension continue avec un rendement lev. Le dcoupage se fait une frquence trs leve ce qui a pour consquence de crer une tension moyenne. Les hacheurs de puissance sont utiliss pour la variation de vitesse des moteurs courant continu. De mme, les vhicules hybrides ainsi que les systmes d'clairage sont deux exemples typiques d'utilisation de ces hacheurs.

1.2. SYNOPTIQUE DU HACHEUR SURVOLTEUR

Figure 1 : Schma du hacheur survolteur

Dans notre cas, la partie puissance uissance aura pour rle d'lever la tension d'entre, qui sera du 12V, et de transmettre fidlement le signal de commande jusqu la gchette de linterrupteur. Le hacheur survolteur est compos dune inductance, dune diode, dun condensateur de sortie, et bien sr, dun interrupteur de puissance. De plus, une isolation galvanique sera ralise laide dun optocoupleur afin disoler galvaniquement la partie commande ommande de la partie puissance. Pour aider la commutation, on ajoute un driver en amont de linterrupteur de puissance. On peut galement prvoir un circuit daide la commutation (CALC). Le schma utilis pour raliser notre carte est en annexe.

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 6

GE 3 2009 - 2010

1.3. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT Nous allons diviser en deux phases distinctes le fonctionnement du hacheur survolteur selon l'tat de l'interrupteur Tp :

De 0 T : phase d'accumulation d'nergie

Linterrupteur Tp est ferm (tat passant), cela entrane l'augmentation du courant dans l'inductance donc le stockage d'une quantit d'nergie sous forme d'nergie magntique. La diode D est alors bloque et la charge est alors dconnecte de l'alimentation.

De T T : phase de roue libre

L'interrupteur est ouvert, l'inductance se trouve alors en srie avec le gnrateur. Sa f.e.m. s'additionne celle du gnrateur (effet survolteur). Le courant traversant l'inductance traverse ensuite la diode D, le condensateur C et la charge R. Il en rsulte un transfert de l'nergie accumule dans l'inductance vers la capacit, qui va fixer la tension de sortie.

Figure 2 : Phases de fonctionnement du hacheur survolteur

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 7

GE 3 2009 - 2010

Etude ralise avec les hypothses suivantes : (circuit idal) Le condensateur de sortie a une capacit suffisante pour fournir une tension constante, au cours d'un cycle de fonctionnement, la charge (Rsistance) La chute de tension aux bornes de la diode est nulle Pas de pertes dans les composants d'une manire gnrale Dans la ralit, les imperfections des composants rels peuvent avoir des effets importants sur le fonctionnement du convertisseur. Mode conduction continue : le courant IL traversant l'inductance ne s'annule jamais

De 0 T : Linterrupteur Tp est ferm pendant ltat passant : le courant iL augment de la manire suivante : e L

la fin de l'tat passant, le courant IL a augment de :

tant le rapport cyclique. Il reprsente la dure de la priode T pendant laquelle l'interrupteur S conduit. est compris entre 0 (S ne conduit jamais) et 1 (S conduit tout le temps).

De T T : L'interrupteur Tp est ouvert pendant l'tat bloqu, le courant traversant l'inductance l circule travers la charge. Si on considre une chute de tension nulle aux bornes de la diode et un condensateur suffisamment grand pour garder sa tension constante, l'volution de IL est :

Par consquent, la variation de IL durant l'tat bloqu est :

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 8

GE 3 2009 - 2010

En considrant que le rgime permanent est atteint, l'nergie l'nergie stocke dans l'inductance est donne par :

En consquence, le courant traversant l'inductance est le mme au dbut et la fin de chaque cycle de commutation. Il advient donc :

Soit :

Aprs simplifications, nous pouvons rcrire cette quation de la faon suivante :

Grce cette dernire expression, on peut voir que la tension de sortie est toujours suprieure celle d'entre (le rapport cyclique variant entre 0 et 1), qu'elle augmente avec , et que thoriquement thoriquement elle peut tre infinie lorsque se rapproche de 1. C'est pour cela que l'on parle de survolteur. Par exemple, si on a un rapport cyclique = 0.5 et une tension dentre dentr de 12V, on obtiendra en sortie une tension tens de 24V.

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 9

GE 3 2009 - 2010

2. DIMENSIONNEMENT DES COMPOSANTS

Dans cette partie, nous allons voir comment choisir les lments qui permettent de constituer et dassurer le fonctionnement du systme. Pour dimensionner les composants dun convertisseur, il faut connatre la puissance dentre et la puissance de sortie souhaite, le courant dentre et le courant de sortie, ainsi que la tension dentre. Pe = Puissance dentre = 100W Ps = Puissance de sortie = 100W Ve = Tension dentre = 12V Vs = entre 13.3V et 120V Ie = Courant dentre = 10A Is = Courant de sortie = 1A Ie cos

8.3 A soit Ie max 2 Ie = 11.7 A.

dI = 15% afin de diminuer les pertes par hystrsis, dI 0.15 Ie max 1.7 A.
dVs = Vs Ve = 120 13.3 = 106.7 V.

2.1. DIMENSIONNEMENT DE LINDUCTANCE Le calcul de linductance dbute par le calcul du courant dentre maximal. On impose la frquence de dcoupage en haute frquence et on vrifie si londulation de courant est correcte en basse frquence.
Aprs calculs, linductance peut se trouver dans le march ou bien tre fabrique. Pour notre cas, nous lavons conu et nous vous prsenterons comment nous y sommes parvenus.

2.1.1. CALCUL DE LINDUCTANCE On dimensionne L ainsi : dIe max

T . . max

L .

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 10

GE 3 2009 - 2010

Aprs calcul, la self utilise doit faire au minimum 877 H dans notre cas. Une valeur plus importante permettrait de diminuer londulation. Sa valeur peut tre teste laide dun analyseur de spectre, qui permet entre autre de bien vrifier si elle tient en frquence (abaque de Smith). 2.1.2. CHOIX DU TORE Le tore choisi est un tore de chez Ferroxcube. Le matriau est le 3E25. Il permet de rduire les pertes temprature leve et sa frquence dutilisation est comprise entre 10kHz et 100kHz ce qui correspond notre application. Son AL = 3820. La rfrence de ce tore est 4330 030 3716. Il faut galement prvoir un tore avec un diamtre suffisamment grand pour faire passer le nombre souhait de tours de fil (sachant que ce dernier est un fil de cuivre de diamtre 1 dans notre cas).

2.1.3. CALCUL DU NOMBRE DE TOURS On a : Avec L N AL L = inductance en mH N = nombre de tours AL = inductance du tore par tours carrs en nH/tr

On a alors : N (LAL) = (877.10-6/382.10-9) = 15 tours La self comptera donc 15 tours par enroulement.

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 11

GE 3 2009 - 2010

2.2. DIMENSIONNEMENT DU CONDENSATEUR DE SORTIE On impose la frquence de dcoupage en haute frquence et on vrifie si londulation de courant est correcte.

2.2.1.

CALCUL DE LA CAPACITE On dimensionne C : La charge fournie est donne par : dQ Is. . T On admet une ondulation de tension dVs : dVs

Is. .

. .

2.2.2. CHOIX DU CONDENSATEUR Un condensateur de sortie de 47F 400V suffit pour obtenir une tension de sortie continue acceptable.

2.3. CHOIX DES SEMI-CONDUCTEURS Comme nous lavons tudi prcdemment, nous avons du choisir un MOSFET et une diode rapide.

2.3.1. CHOIX DE LA DIODE La diode utilise doit tre extrmement rapide. Les pertes par recouvrements inverses sont gnres par ses diodes, en consquence, plus elles seront bonne, moins il y aura de pertes. Notre choix sest port sur des diodes de chez IXYS. Ce sont des diodes peu coteuses, trs rapides (quelques ns).

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 12

GE 3 2009 - 2010

2.3.2. CHOIX DU MOSFET Tension drain source = 120V, on choisira donc un modle qui supportera une tension suprieure. Le transistor choisi doit pouvoir supporter ses bornes la tension qui va lui tre impose, et doit galement fonctionner la frquence dsire. Une des raisons davoir choisi un MOSFET est sa frquence de fonctionnement qui dpasse les 100kHz. Le MOSFET choisi est le STW40NF20 de chez ST Microelectronics. Le courant de drain maximal est de 40A, sa tension maximale est de 200V et enfin sa rsistance ltat passant (Rdson) est de 0.038 Ohms typique.

2.3.3. DRIVER Un driver a t rajout, il sagit du TC1314N de chez MicroChip. Il sagit dun composant daide la commutation. Pour aider la commutation du transistor tant donne de lnergie importante transfrer, des circuits intgrs existent. Il sagit de drivers. Ils se connectent aux bases des transistors et envoie un courant suffisamment important pour assurer la commutation dun tat ouvert/ferm un tat ferm/ouvert.

2.3.4. OPTOCOUPLEUR Afin dassurer lisolation galvanique entre la commande et la puissance, nous avons ajout un optocoupleur en amont du transistor. Il sagit du HCPL2212 de chez Hewlett Packard. Lalimentation des circuits intgrs : Le driver et loptocoupleur sont aliments par une tension continue. En effet, il est ncessaire dalimenter llectronique qui compose le hacheur. Il faut penser dimensionner ses alimentations, gnralement en +15 V pour quelles dlivrent le courant souhait (voir les documentations respectives). Dans notre cas, nous pouvons choisir de les alimenter en 12V, tension dentre du hacheur.

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 13

GE 3 2009 - 2010

Radiateur de dissipation : Afin de dissiper et dvacuer la chaleur mises par les semiconducteurs, il est souvent ncessaire de placer un radiateur de dissipation au dos de ceux-ci en y interposant de la pte thermique. Circuit daide la commutation : Afin daider le transistor la commutation et de protger contre les surtensions louverture, il est possible dajouter un circuit daide la commutation, compos dune diode en srie avec une capacit et dune rsistance en parallle.

Protection par fusible : Afin de protger les composants et la carte, nous avons plac un fusible, dimensionn selon le courant circulant lentre et le courant ne pas dpasser dans les composants. Pour notre carte, il sagit dun fusible 20A. Points de tests : Dans le but de faciliter la mise en uvre et les tests sur la carte, il est intressant, voir primordial, de prvoir des points de tests, placs judicieusement. Par exemple, pour tester le signal de commande, nous avons cr un point de test lentre de la commande, en sortie de loptocoupleur, puis la sortie du driver. Routage : Le routage est une partie trs importante. Voici quelques rgles respecter : Prendre en compte les contraintes CEM (viter les boucles, les angles 90, le placement des composants est important) Prendre en compte le courant qui traverse les pistes pour en dterminer la largeur de pistes (voir extrait de la norme UTE C 93-703 en annexe) Aligner les semi-conducteurs sur le bord de carte pour placer le radiateur de dissipation, placer les connecteurs en bord de carte galement. Les schmas de routage sont en annexe de ce rapport.

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 14

GE 3 2009 - 2010

3. TESTS DE LA CARTE HACHEUR SURVOLTEUR

Tension de sortie Tension dentre

Signal de commande

MOSFET

Figure 3 : Prototype ralis

3.1. TEST DES TENSIONS DENTREE ET DE SORTIE A laide dun oscilloscope, on vrifie si la tension dentre est correcte, et bien sr, si la tension de sortie est celle attendue.

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 15

GE 3 2009 - 2010

Figure 4 : Copie cran visualisation des tensions loscilloscope

3.2. TEST DES SIGNAUX On visualise les diffrents signaux suivants afin de vrifier le bon fonctionnement du systme : Commande (1) Courant inductance (4) Tension VDS (3) Tension diode (2)

Figure 5 : Copie cran visualisation des signaux loscilloscope

3.2.1. TEST DE LA COMMANDE Nous avons bien le signal de commande dsire, il sagit dun signal carr, ici frquence constante et rapport cyclique fixe.
3.2.2.

TEST DE LA TENSION DRAIN-SOURCE

La tension drain source est complmentaire au signal de commande. Elle est nulle quand la diode conduit et ngative quand la diode est bloque.

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 16

GE 3 2009 - 2010

3.2.3. TEST DE LA TENSION DIODE Nous pouvons remarquer que la tension diode est correcte, elle est complmentaire au signal de commande galement : lorsque le transistor est command, la tension aux bornes de la diode est nulle, elle est bloque ; lorsque le transistor nest pas command, la diode est passante, on a une tension ses bornes.

3.2.4. TEST DU COURANT DANS LINDUCTANCE Lorsque le transistor est command, nous sommes dans une phase daccumulation dnergie, cest--dire que le courant dans linductance augmente. Cest ce que nous pouvons voir sur la figure ci-dessus, malgr le retard engendr. Lorsque cest la diode qui conduit, linductance se dcharge, et lnergie est transfre au condensateur de sortie. Nous voyons dans cette phase que le courant chute.

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 17

GE 3 2009 - 2010

CONCLUSION
Ce document a prsent la mthode suivre pour dimensionner un hacheur survolteur ainsi que le protocole de test que nous avons appliqu en le commentant de ce qui est positif, ngatif, de ce qui aurait pu tre amlior et de rsultats. Ce protocole se veut un exemple pour les tudiants qui seront susceptibles de reprendre le projet ou une personne souhaitant travailler sur ce genre de carte de puissance.

Application Note Kamel EL MELOUANI

Page 18

GE 3 2009 - 2010