ETEC LAURO GOMES

74

CENTRO ESTADUAL DE EDUCAO TECNOLGICA PAULA SOUZA
ESCOLA TCNICA ESTADUAL LAURO GOMES









APOSTILA DE ELETRNICA ANALGICA
AN2 2 SRIE DE ELETRNICA PERODO NOTURNO







PROF GIUSEPPE GIOVANNI MASSIMO GOZZI
















SO BERNARDO DO CAMPO
2013


ETEC LAURO GOMES

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SUMRIO

DIODO ZENER .......................................................................................................................................... 76
Circuito de polarizao ............................................................................................................................... 77
Modelos de trabalho ................................................................................................................................... 78
Circuito regulador de tenso ...................................................................................................................... 79
Circuito regulador sem carga ........................................................................................................ 80
Circuito regulador com carga ........................................................................................................ 81
Regulador simples ............................................................................................................ 81
Regulador com tenso de entrada constante e carga fixa ............................................... 82
Regulador com tenso de entrada constante e carga varivel ........................................ 83
Regulador com tenso de entrada varivel e carga fixa .................................................. 83
Regulador com tenso de entrada varivel e carga varivel ........................................... 84
Especificaes do diodo zener .................................................................................................................. 84
EXERCCIOS ............................................................................................................................................. 85

TRANSISTORES ....................................................................................................................................... 94
Um pouco de histria ................................................................................................................................. 94
Descoberta do transistor ............................................................................................................................ 94
Princpio de funcionamento de um transistor bipolar ................................................................................. 96
Configuraes do transistor ....................................................................................................................... 97
Emissor comum ............................................................................................................................. 97
Limites dos transistores .............................................................................................................................. 99
Polarizao dos transistores ...................................................................................................................... 100
Polarizao para configurao emissor comum ............................................................................ 100
Polarizao para configurao emissor comum com corrente de emissor constante ................... 101
Polarizao para configurao emissor comum com divisor resistivo de tenso na base ............ 102
EXERCCIOS ............................................................................................................................................. 103
APLICAES DO TRANSISTOR ............................................................................................................. 111
Transistor como chave ............................................................................................................................... 111
Transistor como fonte de tenso estabilizada ............................................................................................ 112
EXERCCIOS ............................................................................................................................................. 117
EXPERINCIAS ............................................................................................................................... 120

REFERNCIA BIBLIOGRFICA .............................................................................................................. 152
















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DIODO ZENER

Quando um diodo comum (de retificao) est polarizado reversamente, diz-se que ele
assume as caractersticas de um isolante. Sendo assim, o diodo, nestas condies, associado a uma chave
aberta e costuma-se dizer que no h corrente circulando no diodo.

Na verdade, existe uma pequena corrente eltrica chamada de reversa, que formada por
duas parcelas: uma a corrente de saturao, formada pelo movimento dos portadores minoritrios existentes
nos cristais semicondutores devido tenso reversa aplicada ao diodo - os portadores minoritrios so
continuamente produzidos graas energia trmica constantemente aplicada ao diodo; sendo assim, esta
parcela depende (apenas) da temperatura - ; outra parcela a corrente de fuga superficial, formada por
impurezas da superfcie do diodo, que criam caminhos (trajetos hmicos) para a corrente percorrer esta
parcela depende (apenas) da tenso.

Se a tenso reversa for muito alta, aumenta-se o campo eltrico no qual os portadores
minoritrios esto submetidos. Isto resulta numa rpida acelerao destes portadores de carga, fazendo com
que as cargas livres se choquem nos tomos. Com o choque, h uma liberao de energia forte o suficiente
para criar novos portadores de carga, que tambm so acelerados, chocando-se tambm com outros tomos,
repetindo o processo continuamente. Este EFEITO CASCATA conhecido como efeito avalanche:



















FIGURA 58: EFEITO AVALANCHE

Este processo contnuo aumenta a corrente reversa muito rapidamente. Por causa da grande
quantidade de eltrons livres, o diodo acaba se rompendo devido potncia dissipada, muito maior do que ele
pode suportar.

No caso do diodo zener uma homenagem a Clarence Zener, o primeiro que estudou o
fenmeno da ruptura, no qual se baseia o funcionamento deste dispositivo escolhe-se os materiais
semicondutores e a porcentagem de dopagem de maneira que a ruptura do zener ocorra em at centenas de
volts. Se controlarmos o valor da corrente eltrica - por exemplo com um resistor em srie com o diodo zener
o fenmeno da ruptura no danifica o diodo, e acaba sendo reversvel.







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CIRCUITO DE POLARIZAO

A vantagem deste diodo o efeito zener : mesmo com uma grande variao de corrente no
diodo, a tenso sobre ele varia muito pouco, quando varia.











FIGURA 59: CIRCUITO DE POLARIZAO DO ZENER

A partir de agora, vamos chamar a tenso reversa de TENSO ZENER (VZ), a corrente
reversa de CORRENTE ZENER (IZ), e o efeito avalanche de EFEITO ZENER.

Sendo assim, considerando a curva caracterstica do zener e o circuito de polarizao, onde VE
varia de VE
1
at VE
2
(VE
2
> VE
1
), teremos :





















FIGURA 60: ANLISE GRFICA

Reta de carga 1: Reta de carga 2:

tenso da fonte VE
1
tenso da fonte VE
2


1) ponto : VE
1
(circuito aberto) 1) ponto : VE
2
(circuito aberto)

2) ponto : I
1
= VE
1
RS (curto circuito) 2) ponto : I
2
= VE
2
RS (curto circuito)

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78

Pelo grfico, podemos notar que a variao de VZ muito pequena:
MODELOS DE TRABALHO

comum encontrarmos dois modelos de trabalho para o zener:

1) MODELO : IDEAL O zener se assemelha a uma fonte CC :













FIGURA 61: 1
o
MODELO

2) MODELO : REAL O zener se assemelha a uma fonte CC em srie com uma resistncia
(resistncia zener):













FIGURA 62: 2
o
MODELO
















AVZ = VZB VZA
AIZ = IZB IZA


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Se utilizarmos o 2
o
MODELO no circuito de polarizao, teremos:

CIRCUITO 1 CIRCUITO 2


VZ
A
= VZ + VRZ
A
VZ
B
= VZ + VRZ
B


VRZ
A
= RZ x IZ
A
VRZ
B
= RZ x IZ
B


VRZ
A
= VZ + (RZ x IZ
A
) VRZ
B
= VZ +(RZ x IZ
B
)

Igualando-se as duas equaes atravs de VZ, teremos :

VZ = VRZ
A
(RZ x IZ
A
) VZ = VRZ
B
(RZ x IZ
B
)

VZ
B
(RZ x IZ
B
) = VZ
A
(RZ x IZ
A
) VZ
B
VZ
A
= (RZ x IZ
B
) (RZ x IZ
A
)

VZ
B
VZ
A
= RZ (IZ
B
IZ
A
)

Se AVZ = VZ
B
VZ
A
e AIZ = IZ
B
IZ
A
, ento : AVZ = RZ x AIZ
CIRCUITO REGULADOR DE TENSO

Circuito regulador sem carga

Para que o zener funcione adequadamente, ou seja, mantenha a tenso na sada
constante, necessrio que ele opere na regio zener, com todas as condies de funcionamento. Isto
implica em :

FIGURA 63: REGULADOR SEM CARGA

IZ
VZ
RZ
A
A
=

RZ a resistncia do zener, em (O), geralmente de valor baixo.




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80

- Determinar os valores crticos da fonte de tenso VE e da resistncia RS,
para garantir o funcionamento do zener, alm de proteg-lo de uma
corrente alta.

Ento :

Fixando-se a resistncia RS :



Fixando-se a tenso VE :




ATRAVS DESTAS CONCLUSES, PODEMOS CHEGAR A
DUAS CONSIDERAES IMPORTANTES :

- NO PIOR CASO, O VALOR MNIMO QUE A TENSO VE
PODE ASSUMIR DEVE SER MAIOR DO QUE VZ ;

- NO PIOR CASO, O VALOR MNIMO QUE O RESISTOR RS
PODE ASSUMIR DEVE SUPORTAR A CORRENTE ZENER
MXIMA.
VE
MN
= (RS x IZ
MN
) + VZ
VE = (RS
MX
x IZ
MN
) + VZ
VE
MX
= (RS x IZ
MX
) + VZ
VE = (RS
MN
x IZ
MX
) + VZ
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Circuito regulador com carga
Regulador Simples

Considerando-se o circuito abaixo, teremos as seguintes equaes:

FIGURA 64: REGULADOR COM CARGA

V
E
= VRS + VZ VRS = RS x I
E
I
E
= IZ + I
RL


Podemos ento fazer o seguinte :

VRS = V
E
VZ VRS = RS x (IZ + I
RL
) RS x (IZ + I
RL
) = V
E
VZ



Se V
E
variar , por exemplo, de VE
1
para VE
2
, teremos :


tenso da fonte VE
1
tenso da fonte VE
2


VE
1
= VRS
1
+ VZ VE
2
= VRS
2
+ VZ

VE
1
= (RS x IE
1
) + VZ VE
2
= (RS x IE
2
) + VZ

VZ = VE
1
(RS x IE
1
) VZ = VE
2
(RS x IE
2
)


Igualando-se as duas equaes atravs de VZ, teremos :

VE
2
(RS x IE
2
) = VE
1
(RS x IE
1
) VE
2
VE
1
= (RS x IE
2
) (RS x IE
1
)

VE
2
VE
1
= RS x (IE
2
IE
1
)
RL Z
Z E
I I
V V
RS

=
AVE = RS x AIE
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Ao substituirmos o diodo zener pelo 2
o
MODELO , teremos AVZ = RZ x AIZ. Se a carga
RL no variar, I
RL
praticamente ser constante. Ento, se a corrente da fonte variar, a corrente no zener
ir variar na mesma proporo (A I
E
~ A IZ).

Sendo assim :
AVE = RS x AIE
RS
VE
IE
A
= A

AVZ = RZ x AIZ
RZ
VZ
IZ
A
= A

Se A I
E
~ A IZ, ento :
onde AVZ ~ AVS.

O projeto de um regulador zener pode ser resumido em determinar o valor do resistor RS,
pois geralmente os dados referentes fonte de tenso, ao diodo zener e carga RL so conhecidos.
Para que o zener funcione adequadamente, ou seja, mantenha a tenso na carga constante, o diodo
deve funcionar na regio zener, com todas as condies de funcionamento. Isto implica em :

- A TENSO DA FONTE VE DEVE SER NO MNIMO MAIOR DO QUE A TENSO ZENER;
- A CORRENTE NO ZENER DEVE SER LIMITADA A UM VALOR QUE NO
COMPROMETA A INTEGRIDADE DO DIODO.

Circuito regulador com tenso de entrada constante e carga fixa :


FIGURA 65: VE CONSTANTE E RL FIXO









RS
RZ
VE
VZ
=
A
A



RS
MN
= V
E
VZ
IZ
MX
+ I
RL




RS
MX
= V
E
VZ
IZ
MN
+ I
RL




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Circuito regulador com tenso de entrada constante e carga varivel:



FIGURA 66: VE CONSTANTE E RL VARIVEL

Se considerarmos a resistncia RL muito alta, a corrente I
RL
ser muito baixa ; ento a maior
parte da corrente I
E
fluir para o diodo. Sendo assim :

I
RLMN
= VZ I
EMX
= IZ
MX
+ I
RLMN

RL
MX

I
RLMX
= VZ I
EMN
= IZ
MN
+ I
RLM
RL
MN


Circuito regulador com tenso de entrada varivel e carga fixa:



FIGURA 67: VE VARIVEL E RL FIXO

Se a tenso de entrada for proveniente de uma tenso CC com ONDULAO, teremos :

VE
MN
= V
E
V
OND
Se V
E
for mnimo, I
E
tambm ser
2

VE
MX
= V
E
+ V
OND
Se V
E
for mximo, I
E
tambm ser
2
RS
MN
= V
E
VZ
IZ
MX
+ I
RLMM




RS
MX
= V
E
VZ
IZ
MN
+ I
RLMX




RS
MN
= V
EMX
VZ
IZ
MX
+ I
RL




RS
MX
= V
EMN
VZ
IZ
MN
+ I
RL




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Circuito regulador com tenso de entrada varivel e carga varivel :



FIGURA 68: VE VARIVEL E RL VARIVEL



ESPECIFICAES DO DIODO ZENER

- O DIODO, PARA FUNCIONAR NA REGIO ZENER, DEVE ESTAR POLARIZADO
REVERSAMENTE, ALM DE QUE A TENSO DE ALIMENTAO DEVE SER, NO
MNIMO, SUPERIOR TENSO ZENER (VZ) ;

- PARA QUE O ZENER NO SE DANIFIQUE, NECESSRIO LIMITAR A CORRENTE
QUE O ATRAVESSA (IZMX) ;

- NA POLARIZAO REVERSA, O ZENER SUPORTA UMA POTNCIA MXIMA :

- QUANDO A FONTE DE TENSO DE ENTRADA ESTIVER NO MNIMO VALOR
POSSVEL, A CORRENTE NO ZENER SER MNIMA. SE ESTE VALOR FOR
DESCONHECIDO, DEVEMOS ADOTAR QUE IZMN SEJA 10 % DE IZMX ;


- O ZENER POSSUI UMA RESISTNCIA QUE VALE :

A corrente reversa de um diodo no depende s da tenso ; ela depende da temperatura
tambm. E esta dependncia entre tenso reversa e temperatura um problema a ser analisado com
bastante importncia na hora de se construir um diodo zener, pois a alterao percentual na tenso
zener em relao ao aumento da temperatura (em
o
C) o prprio coeficiente de temperatura, (medido
como funo da corrente atravs do diodo), podendo ser POSITIVO ou NEGATIVO.
RS
MN
= V
EMX
VZ
IZ
MX
+ I
RLMN




RS
MX
= V
EMN
VZ
IZ
MN
+ I
RLMX




PZ
MX
= IZ
MX
x VZ

IZ
MN
= IZ
MX
x 0,1

IZ
VZ
RZ
A
A
=
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EXERCCIOS

Os exerccios 49 a 53 referem-se ao circuito e grfico abaixo :

49. Se VE = 20 V e RS = 500 O, quais so os valores de VZ e IZ, pelo grfico?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:










RESOLUO:



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50. Mantendo-se os valores de VE e RS nas condies do exerccio 49, qual o valor da potncia
zener?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:







RESOLUO:










51. Se mantivermos o valor de VE em 20 V mas quadruplicarmos o valor de RS, quais so os
novos valores de VZ e IZ ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:










RESOLUO:



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52. Se VE = 20 V e RS = 2k O, ento qual o valor da potncia zener ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:







RESOLUO:









53. Se, com relao ao exerccio 51, diminurmos pela metade o valor de VE e substiturmos o
resistor RS por um de 500 O, quais os novos valores de VZ e IZ, obtidos pelo grfico ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:










RESOLUO:




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54. Mantendo-se as condies do exerccio 53, a potncia zener ser :

a) PZ = 200 mW ;
b) PZ = 450 mW ;
c) PZ = 50 mW ;
d) PZ = 37,5 mW ;

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:







RESOLUO:









Os exerccios 55 a 58 referem-se ao circuito abaixo:













55. Se a tenso zener valer 5 V, qual o valor da corrente zener ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:







RESOLUO:








VE = 15 V

RS = 500 O

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56. Mantendo-se a tenso do zener em 5 V, qual o valor da potncia zener ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:










57. Se a tenso VZ for de 10 V, qual o valor de IZ ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:







RESOLUO:










58. Se mantivermos as mesmas condies do exerccio 57, qual o valor da potncia zener ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:








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59. Para o circuito abaixo, o valor mnimo de RS ser :












a) RS = 200 O ;
b) RS = 40 O ;
c) RS = 1600 O ;
d) RS = 160 O ;

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:











RESOLUO:





























VE = 10 V

VZ = 2 V

PZ = 100 mW

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60. Para o circuito abaixo, o valor aproximado de RS ser :












a) RS = 820 O ;
b) RS = 560 O ;
c) RS = 150 O ;
d) RS = 1 kO ;

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:











RESOLUO:




























VEmin = 19 V

VEmx = 21 V

RL = 1 kO

VZ = 5 V

PZmx = 500 mW

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61. Para o circuito abaixo, o valor aproximado de RS ser :










a) RS = 330 O ;
b) RS = 150 O ;
c) RS = 220 O ;
d) RS = 100 O ;

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:











RESOLUO:





























VE = 15 V

RLmin = 100 O

RLmx = 20 kO

VZ = 5 V

PZmx = 300 mW

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62. Para o circuito abaixo, o valor de RS ser :













a) RS = 56 O ;
b) RS = 150 O ;
c) RS = 68 O ;
d) RS = 100 O .

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:










RESOLUO:




























VEmin = 19 V

VEmx = 21 V

RLmin = 100 O

RLmx = 20 kO

VZ = 10 V

PZmx = 2 W

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TRANSISTORES
UM POUCO DE HISTRIA

Uma nova revoluo na eletrnica surgiu quando o transistor foi inventado em 1948 : a idade
da eletrnica de semicondutores comeou com este fato. Conduto, bom salientar que esta era nasceu
antes, durante os anos 20. Nos anos 30 chegou-se a um dispositivo amplificador de estado slido (precursor
do transistor de juno e do transistor de efeito de campo na tecnologia MOS), porm, alm de, na poca,
no existir a sua necessidade, ningum conseguia explicar a teoria decorrente dos dispositivos, fora que o
prprio tinha um fraco desempenho.


FIGURA 69: FASES DA CONSTRUO DE UM TRANSISTOR

A necessidade de desenvolvimento de dispositivos de estado slido no se manifestou at
1945, apesar dos diodos semicondutores terem sido bastante utilizados na 2 Guerra Mundial (em
comunicao por microondas). Um dos principais objetivos era tentar desenvolver um amplificador de estado
slido que eliminaria os inconvenientes da vlvula (consumo de energia mesmo fora de utilizao, grandes
dimenses e substituio da vlvula por causa do rompimento do filamento pelo calor).Alm do mais, foi
prevista que em muitas aplicaes (comunicaes telefnicas, principalmente distncia, por exemplo)
seriam necessrios comutao eletrnica ao invs das eletromecnicas, e tambm amplificadores melhores.
O avano das indstrias de rdios e televisores tambm contribuiu para esta necessidade.
DESCOBERTA DO TRANSISTOR

O modelo original do transistor utilizava germnio como semicondutor e os contatos eram
efetuados atravs de fios de ouro, prximos um do outro. Na experincia efetuada em dezembro de 1947,
nos laboratrios da Bell Telephones, John Bardeen e Walter Brattain verificaram que a tenso de sada na
ponta denominada coletor em relao base de germnio era maior do que a tenso de entrada (na ponta
denominada emissor). Reconheceram o efeito que estavam procurando, e assim nasceu o amplificador de
estado slido, anunciado em 30 de junho de 1948, sob a forma de transistor de contato pontual.

Os primeiros transistores tinham um desempenho muito ruim : baixo ganho, muito rudo e as
caractersticas diferiam muito entre um dispositivo e outro. Estas dificuldades existiam pelo fato do contato
pontual, como havia apontado o coordenador do grupo que havia descoberto o transistor, Schockley. Ele
mesmo props e desenvolveu a teoria dos transistores de juno, onde estes novos dispositivos dependiam
de portadores de carga (as lacunas e os eltrons), onde as propriedades eltricas dos transistores
dependem de um teor de impurezas especficas cuidadosamente controlado.


N
E
W
M
A
R
K
E
T

T
R
A
N
S
I
S
T
O
R
S

L
T
D

/

J
A
M
E
S

B
L
A
K
E


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A empresa American Telephone and Telegraph (AT&T), onde o Bell Laboratories
atualmente o seu ramo de pesquisas, no manteve suas descobertas em segredo : simpsios foram
realizados, licenas patenteadas foram oferecidas a outras empresas interessadas na fabricao de
transistores, como as fabricantes das vlvulas (RCA, Raytheon, General Eletric, Westinghouse), e outras
(existentes e novas).

Numa destas novas empresas, a Texas Instruments, anunciou (1954) a produo de
transistores de silcio, que permitia operaes at 200 C, enquanto que as caractersticas do germnio
limitavam as operaes 75 C.


Bardeen, Brattain e Shockley receberam o Nobel de Fsica por sua inveno e contribuio
para a compreenso dos semicondutores, em 1956.

FIGURA 03 : Implantador de
ons que adiciona quantidades
precisas de impurezas em
semicondutores.
L
I
N
T
O
T
T

E
N
G
I
N
E
R
I
N
G

L
T
D

J
O
H
N
S
O
N

M
A
T
T
H
E
Y

&

C
O
.
L
T
D


FIGURA 70:
Micrografia de uma fase da produo de
semicondutores.

FIGURA 71:
Implantador de ons que adiciona
quantidades precisas de impurezas em
semicondutores
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PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DE UM TRANSISTOR BIPOLAR















FIGURA 72 : TIPOS DE TRANSISTORES BIPOLARES

Basicamente, o transistor possui a capacidade, alm da amplificao, de controlar a
corrente eltrica. O transistor bipolar possui duas camadas de cristais semicondutores do mesmo tipo
intercaladas por uma camada de cristal semicondutor do tipo oposto. Os nomes dessas camadas (coletor,
emissor e base) refletem sua funo na operao do transistor :

O emissor a camada mais dopada, pois deve emitir portadores de carga para a base, a
camada mais fina e que possui uma dopagem intermediria, onde a maior parte dos portadores lanados
pelo emissor atravessam-na, dirigindo-se ao coletor, a camada menos dopada, que recolhe os portadores
que provm da base. O coletor tambm a camada mais grossa, pois a maior parte da potncia dissipada
ocorre nela.
O transistor mais utilizado o NPN, pelo fato dele comutar mais rpido que o PNP; sendo
assim, vamos estudar o seu funcionamento :








FIGURA 73 : FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR NPN





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Pela figura 73, percebe-se que a juno base-emissor est polarizada diretamente, enquanto
que a juno base-coletor est polarizada reversamente. Como a juno base-emissor comporta-se como um
diodo que conduz (VBE ~ 0,7 V), h um grande fluxo de portadores majoritrios, que se dirige prpria base.
Contudo, existe uma atrao maior exercida pelo coletor (VCB > VBE) que faz com que este fluxo dirija-se
quase que totalmente para ele. Devemos ainda nos lembrar de que a corrente se dirige mais ao coletor pelo
fato deste possuir a menor dopagem.

Tambm pela figura 73 percebe-se que a tenso entre os terminais do emissor e coletor
(VCE) nada mais do que a soma das tenses VCB e VBE.










FIGURA 74: SENTIDOS DAS TENSES E CORRENTES


Deve-se observar que na figura 05 temos o sentido real da corrente eltrica, enquanto que na figura
06 temos o sentido convencional da corrente eltrica.
CONFIGURAES DO TRANSISTOR

Como o transistor possui trs terminais, podemos lig-lo em trs maneiras diferentes :

1 - EMISSOR COMUM (A MAIS UTILIZADA)
2 - BASE COMUM
3 - COLETOR COMUM

Emissor Comum

Neste tipo de ligao, a base a entrada de corrente, o coletor a sada de corrente, e o
emissor o elemento comum, em termos de tenso, entre a entrada e a sada:









FIGURA 75: CONFIGURAO EMISSOR COMUM

NPN VCE = VCB + VBE ie = ic + ib
PNP VEC = VBC + VEB ie = ic + ib


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FIGURA 76: CURVA CARACTERSTICA EMISSOR COMUM
Na figura 08, nota-se que na curva caracterstica de sada podem-se determinar trs regies de
trabalho do transistor, como mostra a figura a seguir :
















FIGURA 77: REGIES DE TRABALHO DO TRANSISTOR

- REGIO DE CORTE ( ic ~ 0 ) : AS DUAS JUNES ESTO POLARIZADAS REVERSAMENTE; A
CORRENTE DE COLETOR PRATICAMENTE NULA COMO SE TRANSISTOR ESTIVESSE
DESLIGADO DO CIRCUITO.

- REGIO DE SATURAO ( VCE ~ 0 ) : AS DUAS JUNES ESTO POLARIZADAS DIRETAMENTE,
ONDE UMA PEQUENA VARIAO NA TENSO DE SADA RESULTA NUMA GRANDE VARIAO DA
CORRENTE DE SADA; COMO SE O TRANSISTOR ESTIVESSE EM CURTO-CIRCUITO.

- REGIO ATIVA (entre o corte e a saturao ib linear) : REGIO CENTRAL DO GRFICO DE
SADA, ONDE AS CURVAS SO LINEARES.



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Nesta configurao, a relao entre a corrente de sada e a de entrada muito maior do que um, pois
ic muito maior do que ib. Sendo assim, nesta configurao temos um amplificador de corrente. Esta relao
chamada de beta (|) ou h
FE
. Este ganho varivel por causa da inclinao das curvas, que varia para cada
valor de ib.
b
c
i
i
= |

LIMITES DOS TRANSISTORES

- POTNCIA MXIMA DO COLETOR (PCmx)
- TENSO MXIMA DO COLETOR (VCEmx)
- CORRENTE MXIMA DO COLETOR (icmx)
- TENSO REVERSA MXIMA DAS JUNES

Estas limitaes podem ser vistas na curva caracterstica de sada :



FIGURA 10 : LIMITAES DO TRANSISTOR












FIGURA 84 : LIMITAES DO TRANSISTOR








PCmx = VCEmx X icmx
(PARA EMISSOR COMUM)

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100

POLARIZAO DOS TRANSISTORES

Dentro das curvas caractersticas, existem vrios pontos onde o transistor pode funcionar nas regies
de trabalho:

se o ponto de operao for na regio ativa, o transistor pode funcionar como amplificador ;
se o ponto de operao for na regio de saturao, ou de corte, o transistor pode funcionar como
uma chave eletrnica .

Para tanto, necessrio fixar o ponto de operao numa das regies de trabalho do transistor. Esta
fixao feita em corrente contnua, atravs de resistores; a isto chamamos de POLARIZAO. O ponto
de operao fixado denominado PONTO QUIESCENTE (Q).
Circuito de polarizao para configurao emissor comum
















FIGURA 78: POLARIZAO EMISSOR COMUM

Para que o transistor em emissor comum funcione na regio ativa, necessrio polarizar diretamente
a juno base-emissor, e reversamente a juno base-coletor, como j foi exposto anteriormente.

Considerando que RB > RC, temos :

ib
VRB
RB = , sendo VRB = Vcc - VBE
ic
VRC
RC = , sendo VRC = Vcc - VCE

Onde tambm :

ib ic ie + = V VBE 7 , 0 ~

Existe um problema no circuito acima : ele no estvel, termicamente falando. Devemos nos
lembrar que os semicondutores so muito sensveis s variaes de temperatura, pois o aumento de
temperatura pode gerar novas lacunas e eltrons livres. No caso dos transistores, os parmetros mais
influenciados so a tenso VBE e o ganho |. No precisamos nos preocupar com a tenso VBE porque esta
varia muito pouco com a temperatura; o fator preocupante o ganho |, que, por exemplo, pode dobrar,
triplicar ou quadruplicar (ou mais) para uma pequena variao de temperatura.

Este aumento de | provoca uma grande variao na corrente do coletor, sem que haja variao na
corrente de base (VBE praticamente constante, e Vcc fixo). O aumento de ic
Q
provoca um aumento em
VRC, que por sua vez provoca uma diminuio em VCE
Q
(Vcc = VCE + VRC, e Vcc fixo). A diminuio
de VCE
Q
provoca um novo aumento em ic
Q
, resultando numa instabilidade do circuito, a ponto de provocar a
saturao no transistor. A isto chamamos de realimentao positiva, como mostra a figura a seguir :

ETEC LAURO GOMES

101





















FIGURA 79: DESLOCAMENTO DO PONTO Q POR INFLUNCIA DA TEMPERATURA

Para impedir a instabilidade do circuito, necessrio compensar o aumento de ic
Q
; para tanto,
necessria a incluso de um resistor no emissor
Circuito de polarizao para configurao emissor comum com corrente de emissor constante :














FIGURA 80: POLARIZAO EMISSOR COMUM

Com a colocao de RE, teremos a estabilidade do circuito, pois quando VRC aumenta, VRE
tambm aumenta, (forando a diminuio em VCE
Q
), forando uma diminuio em VRB, que por sua vez
fora uma diminuio em ib. A diminuio em ib fora uma diminuio em ic, compensando o aumento
anterior. A isto chamamos de realimentao negativa.
Ento :

- REALIMENTAO POSITIVA : PROVOCA INSTABILIDADE NO CIRCUITO ;
- REALIMENTAO NEGATIVA : PROVOCA ESTABILIDADE NO CIRCUITO .



ETEC LAURO GOMES

102

O ltimo circuito de polarizao que vamos ver o mais utilizado para amplificadores de pequenos
sinais:
Circuito de polarizao para configurao emissor comum com divisor de tenso na base :

















FIGURA 81: POLARIZAO EMISSOR COMUM

Onde :

2
2
2
i
VRB
RB = , sendo VRB2 = VRE - VBE
1
1
1
i
VRB
RB = , sendo VRB1 = Vcc VRB2

ic
VRC
RC = , sendo VRC = Vcc - VCE - VRE
ie
VRE
RE = , sendo VRE = 0,1 X Vcc

Devido a grande quantidade de incgnitas, vamos adotar :

( ) Vcc VRE = 1 , 0 ; V VBE 7 , 0 ~ ib i =10
2
, e se | > 100, ie = ic
















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103

EXERCCIOS

Os exerccios 65 a 73 referem-se aos grficos abaixo :





















65. Sabendo-se que VCB = 6,0 V e VBE = 0,8 V, quais so os valores de VCE e IE ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:








RESOLUO:
























ETEC LAURO GOMES

104


66. Mantendo-se as condies do exerccio 1, quais so os valores de IC e IB ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:





RESOLUO:











67. Ainda com relao s condies do exerccio 1, qual o valor de | ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:





RESOLUO:










68. Sabendo-se que VCB = 6,0 V e VCE = 7,0 V, quais so os valores de VBE e IE ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:





RESOLUO:







ETEC LAURO GOMES

105

69. Mantendo-se as condies do exerccio 68, quais so os valores de IC e IB ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:




























70. Ainda com relao s condies do exerccio 68, qual o valor de | ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:












ETEC LAURO GOMES

106

71. Sabendo-se que VCB = 6,0 V e IE = 40 mA, quais so os valores de VBE e VCE ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:





RESOLUO:












72. Mantendo-se as condies do exerccio 71, quais so os valores de IC e IB ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:





























ETEC LAURO GOMES

107

73. Ainda com relao s condies do exerccio 71, o valor de | ser :

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:









74. No circuito abaixo, os valores de RB e RC sero :



VBE = 0,7 V VCE = Vcc / 2 Vcc = 12 V IC = 40 mA e | = 200

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:














ETEC LAURO GOMES

108

75. No circuito abaixo, os valores de RB, RC e RE sero :



VBE = 0,7 V VCE = Vcc / 2 Vcc = 10 V VRE = 0,1 x Vcc IC = 50 mA | = 160

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:








RESOLUO:




























ETEC LAURO GOMES

109

Para os exerccios 76 a 78, considere o circuito e as condies abaixo :




VBE = 0,7 V ;VCE =
2
Vcc
; VRE = 10% de Vcc; i
2
= 10 x IB ; IE = IC (se | > 100)

76. Sabendo-se que Vcc = 12 V, IC = 20 mA e | = 200, os valores dos resistores sero :

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:








RESOLUO:

























ETEC LAURO GOMES

110

77. Sabendo-se que Vcc = 15 V, IC = 1 A e | = 20, os valores dos resistores sero :

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:


















78. Sabendo-se que Vcc = 20 V, IC = 50 mA e | = 400, os valores dos resistores sero :

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:







RESOLUO:




















ETEC LAURO GOMES

111

APLICAES DO TRANSISTOR

TRANSISTOR COMO CHAVE

Como o transistor possui as regies de trabalho de corte e de saturao, ele pode ser utilizado como
chave :












FIGURA 82: TRANSISTOR COMO CHAVE

Se o transistor no receber corrente eltrica na base (CASO 1), ele estar operando na regio de
corte; assim, associa-se o transistor cortado com uma chave aberta;

Se o transistor receber corrente eltrica na base (CASO 2) ele estar operando na regio de corte
(desde que os resistores de polarizao possuam os valores adequados para tal) ; assim, associa-
se o transistor cortado com uma chave fechada.
















FIGURA 83: POLARIZAO TPICA DE UM TRANSISTOR OPERANDO COMO CHAVE


SAT
ib
VBE Vcc
RB

=

SAT
SAT
ic
VCE Vcc
RC

=








ETEC LAURO GOMES

112

Exemplos de Aplicao:















FIGURA 84: ACIONAMENTO DE UM LED FIGURA 85: ACIONAMENTO DE UM MOTOR

TRANSISTOR COMO FONTE DE TENSO ESTABILIZADA

Observe o circuito abaixo :



























FIGURA 86: CIRCUITO REGULADOR DE TENSO

O circuito um estabilizador de tenso, onde a carga (RL) se encontra em paralelo com o
zener. Isto se torna um problema no instante em que se deve escolher o modelo do diodo zener, uma vez
que o mesmo est regulando diretamente a corrente da carga, no permitindo uma grande variedade de
escolha de diodos. A soluo para este problema utilizar um circuito onde o zener controla indiretamente a
corrente da carga; a que entra o transistor:







ETEC LAURO GOMES

113
















FIGURA 86: FONTE DE TENSO ESTABILIZADA

O circuito um estabilizador de tenso, onde a carga no se encontra em paralelo com o zener, mas
acha-se em srie com o elemento de controle (o transistor). Ou seja, o diodo zener controla a corrente de
base, de intensidade menor do que a corrente de carga, tornando a sua escolha mais fcil e ampla, e o
transistor controla a corrente da carga.

Frmulas a serem utilizadas no projeto de uma fonte de tenso :

- TENSO DE ENTRADA (VE) :

VZ VRS VE + =


- TENSO DE SADA (VS) :
IS RL VS + =


- RELAO PRTICA ENTRE VE e VS :

VS VE = 5 , 1


- TENSO COLETOR-EMISSOR (VCE) :

VS VE VCE =


- TENSO ZENER (VZ) :
VBE VS VZ =


- CORRENTE DO RESISTOR LIMITADOR (IRS) :

IZ IB IRS + =

- RESISTOR LIMITADOR (RS) :
IZ IB
VZ VE
IRS
VRS
RS
+

= =


Sendo assim, temos as seguintes limitaes:


ETEC LAURO GOMES

114

( ) VZ RS IZ IB VE
MIN MIN
+ + =

VS VCE VE
SAT MIN
+ =


ONDULAO
MIN
V VE VE =

VE V
ONDULAO
= 1 , 0


( ) VZ RS IZ IB VE
MX MX
+ + =

VS VCE VE
MX MX
+ =


ONDULAO MX
V VE VE + =

VE V
ONDULAO
= 1 , 0


IS VCE PC
MX MX
=

( ) IS VS VE PC
MX MX
=


VZ
PZ
IZ
MX
MX
=

Exemplo de aplicao :

Projetar uma fonte de tenso de 5 V, cuja corrente de sada deve ser de no mximo 100 mA
sabendo-se que a tenso na rede de 220 V / 60 Hz.

DADOS: DETERMINAR:

VS = 5 V Qual o transistor a ser utilizado ? Qual o valor do capacitor ?
IS = 100 mA Qual o diodo zener a ser utilizado ? Quais so os diodos retificadores ?
f
REDE
= 60 Hz Qual o valor do resistor RS ? Qual o transformador a ser utilizado

- ESCOLHA DO TRANSISTOR :

Ao se consultar um manual de transistores, deve-se ter os seguintes valores para se escolher um :

IC
MX
; PC
MX
; VCB
O

IS IC
MX
=

IS VCE PC
MX MX
=

MX
O
VE VCB =


VE = 1,5 x VS VE = 1,5 x 5 VE = 7,5 V

V
ONDULAO
= 0,1 x VE V
ONDULAO
= 0,1 x 7,5 V
OND
=0,75 V

VE
MX
= VE + V
ONDULAO
VE
MX
= 7,5 + 0,75 VE
MX
=8,25 V

VE
MIN
= VE - V
ONDULAO
VE
MIN
= 7,5 - 0,75 VE
MIN
=6,75 V

VCE
MX
= VE
MX
- VS VCE
MX
= 8,25 - 5 VCE
MX
=3,25 V

PC
MX
= VCE
MX
x IS PC
MX
= 3,25 x 0,1 PC
MX
=325 mW

IC
MX
= IS IC
MX
=100 mA

ETEC LAURO GOMES

115

Ento :

IC
MX
= 100 mA ; PC
MX
= 325 mW ; VCB
O
= 8,25 V

Devido a estes valores, ao se consultar o manual de transistores, escolhe-se o

BD 137 (| ~ 160 ; PC
MX
= 8 W)

- ESCOLHA DO DIODO ZENER :

Ao se consultar um manual de diodos, deve-se ter os seguintes valores para se escolher um zener:

VZ

; PZ
MX
ou IZ
MX

VBE VS VZ + =

VZ
PZ
IZ
MX
MX
=


VZ = VBE + VS VZ = 0,7 + 5 VZ =5,7 V

Devido a este valor, ao se consultar um manual de diodos, opta-se pelo diodo zener

1N 5232 B (VZ = 5V6 V; PZ
MX
= 500 mW)

VZ
PZ
IZ
MX
MX
=

6 , 5
5 , 0
=
MX
IZ
IZ
MX
=89,29 mA

IZ
MIN
= 0,1 x IZ
MX
IZ
MIN
=8,29 mA

- ESCOLHA DO RESISTOR RS :

|
C
B
I
I =

160
1 , 0
=
B
I
I
B
=0,65 mA

MX
B
MX
MIN
IZ I
VZ VE
RS
+

=

3 3
10 29 , 89 10 65 , 0
5 25 , 8

+

=
MIN
RS
RS
MIN
~ 36,14 O

MIN B
MIN
MX
IZ I
VZ VE
RS
+

=

3 3
10 929 , 8 10 65 , 0
5 75 , 6

+

=
MX
RS
RS
MX
~ 182,69 O

RS
MIN
s RS s RS
MX
36,14 s RS s 182,69 RS =150 O

( )
RS
VZ VE
P
MX
RS
2

=

( )
150
6 , 5 25 , 8
2

=
RS
P
P
RS
~ 46,82 mW (1/8 W)

RS =150 O ; 1/8 W
ETEC LAURO GOMES

116

- ESCOLHA DO CAPACITOR C :

OND
V f RL
VS
C

=

IS
RL
VS
=

OND
V f
IS
C

=


OND
V f
IS
C

=

75 , 0 120
1 , 0

= C
C ~ 1111,11 F

Como VE
MX
= 8,25 V, temos :

C = 1000 F / 16 V

- ESCOLHA DOS DIODOS RETIFICADORES :

Levando-se em conta os valores de VE e IS, podemos escolher os diodos retificadores mais
comuns:

1N 4001 (VR
mx
=100 V / ID
mx
=1A)

- ESCOLHA DO TRANSFORMADOR :

Tenso EFICAZ no secundrio:

2
MX
EFICAZ
VE
VE =

2
25 , 8
=
EFICAZ
VE
VE
EFICAZ
~ 5,83 V

Sendo assim :
TRANSFORMADOR : 220 V / 6 V
Ento, nossa fonte de tenso fica assim :



FIGURA 87: EXEMPLO DE UMA FONTE DE TENSO ESTABILIZADA




ETEC LAURO GOMES

117

EXERCCIOS

OBSERVE O CIRCUITO ABAIXO E RESOLVA OS EXERCCIOS 79 E 80:



79. Calcule a corrente na base quando a tenso de entrada for de 5V, sabendo-se que RC = 1 kO e
RB = 3 kO.

DADOS FRMULAS CALCULAR















80. Imagine o transistor com um curto entre o coletor e o emissor; a tenso de sada cai idealmente a
zero. Calcule, nestas condies, a corrente no coletor.

DADOS FRMULAS CALCULAR















ETEC LAURO GOMES

118

81. No circuito a seguir, calcule a corrente no LED, sabendo-se que o transistor est saturado, e que
RC = 1 kO; RB = 3 kO, VBB = 5V, VCC = 15 V e VD = 2 V.



DADOS: FRMULAS: CALCULAR:



































ETEC LAURO GOMES

119

82. Para acionar um motor 110 V / 60 Hz, podemos utilizar um transistor como chave, que atua sobre um
rel, como mostrado abaixo :


Sabendo-se que o transistor, quando saturado, possui os seguintes valores : VBE
SAT
= 0,7 V ; VCE
SAT
=
0,3 V ; |
SAT
= 10 , e que o rel funciona a 12 V / 100 mA, determine os valores dos resistores RC e RB.

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:



































ETEC LAURO GOMES

120





ETEC LAURO GOMES

121






ETEC LAURO GOMES

122




ETEC LAURO GOMES

123







ETEC LAURO GOMES

124






ETEC LAURO GOMES

125













ETEC LAURO GOMES

126






ETEC LAURO GOMES

127


__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________


ETEC LAURO GOMES

128




ETEC LAURO GOMES

129



ETEC LAURO GOMES

130




ETEC LAURO GOMES

131


LABORATRIO 3
FONTE DE TENSO NO REGULADA

PARTE 1: SEM FILTRO CAPACITIVO

1) COLOQUE A PLACA EB-141 NO MDULO, MAS NO LIGUE A ENERGIA NO MB-U AINDA.
2) Localize o circuito abaixo no EB 141 e faa as conexes pedidas:


3) No gerador de funes do PU-2222, ajuste um sinal senoidal de 2 V de pico a pico com uma
frequncia de 50 Hz e insira no circuito (SG in). O amplificador de sinal (POWER AMP.) dever
amplificar esse sinal quatro vezes, aproximadamente.

4) Agora, ligue o mdulo MB-U e digite a seguinte sequncia:
Conexo
C
o
n
e
x

o

ETEC LAURO GOMES

132


5) Com o osciloscpio CALIBRADO, mea e anote as formas de onda das tenses de cada diodo e da
sada (resistor).











ETEC LAURO GOMES

133

6) Agora, digite a seguinte sequncia:

7) O que aconteceu com a tenso de sada?
______________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________


8) Verifique novamente as tenses nos diodos e no resistor


ETEC LAURO GOMES

134

9) H um defeito na ponte de diodos. Qual ?
_________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________

10) Tecle 0 (ZERO) para remover o defeito.
PARTE 2: COM FILTRO CAPACITIVO
11) Insira no circuito o capacitor C1:

12) Mea e anote a sada do circuito com o osciloscpio
Conexo
Conexo
C
o
n
e
x

o

ETEC LAURO GOMES

135


13) Coloque os canais do osciloscpio em AC e mea a ondulao (ripple) na sada do circuito:

14) Digite 4(CDIGO DE DEFEITO 4). O que aconteceu com a ondulao? Por qu?
______________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________


ETEC LAURO GOMES

136


LABORATRIO 4

ETEC LAURO GOMES

137




ETEC LAURO GOMES

138






ETEC LAURO GOMES

139


PS-1 (V) VZ (V) - medido IZ (mA) - medido
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

Fig.2 : Tenso e Corrente no Zener

































ETEC LAURO GOMES

140

























ETEC LAURO GOMES

141


LABORATRIO 5

ETEC LAURO GOMES

142



3.0 REGULAO DA CARGA

13. Incremente o contador de experincia para 12.
14. Ajuste a resistncia R = (RV2 + R7) para 800 , utilizando o ohmmetro
(R7=100 ):
ETEC LAURO GOMES

143


15. Desconecte o ohmmetro e faa a ligao entre D3 e R7 por meio de um
jumper:

16. Com Ventrada PS-1 = 5V, mea a tenso Vz nos terminais da carga e
anote na tabela da Fig. 4.


17. Mea com o ampermetro a corrente total (IT) e a corrente na carga (IL) e
anote na tabela da figura 4
ETEC LAURO GOMES

144


17. Varie a tenso de entrada de acordo com a tabela e mea a tenso zener
e as correntes total e de carga em cada caso.
18. Incremente o indicador de experincia para 13.
19. Repita a experincia para R = (RV2 + R7) = 500 ; R = (RV2 + R7) = 200
e R = (RV2 + R7) = 100 , como aparece na figura 4:

PS-1 (V)
R = 800 R = 500 R = 200 R = 100
VZ
(V)
IT
(mA)
IL
(mA)
VZ
(V)
IT
(mA)
IL
(mA)
VZ
(V)
IT
(mA)
IL
(mA)
VZ
(V)
IT
(mA)
IL
(mA)
5
6
7
8
9
10
FIGURA 4: Tabela do regulador





ETEC LAURO GOMES

145

20. Calcule a corrente IZ em cada caso e anote na tabela abaixo:
IZ = IT IL
PS-1 (V)
R = 800 R = 500 R = 200 R = 100
IZ (mA) IZ (mA) IZ (mA) IZ (mA)
5
6
7
8
9
10

FIGURA 5: Tabela da corrente do zener



24. Repita as medies de VZ, IT, IL e clculo de IZ para um R de 800 .
Anote na tabela da figura 6:

ETEC LAURO GOMES

146

PS-1
(V)
R = 800
VZ
(V)
IT
(mA)
IL
(mA)
IZ
(mA)
5

6

7

8

9

10

FIGURA 5: Tabela no modo de prtica



ETEC LAURO GOMES

147

LABORATRIO 6
CARACTERSTICAS DO TRANSISTOR BIPOLAR

1.OBJETIVOS


1. PROCEDIMENTO


ETEC LAURO GOMES

148





Medindo VBE:

Medindo VCE:

ETEC LAURO GOMES

149





IB (A) VBE (V) VCE (mV)
10
15
20
25
30
40
50
60
70
90
100
105
110
115
120


ETEC LAURO GOMES

150














ETEC LAURO GOMES

151

MEDINDO IB:

MEDINDO IC:



10. Varie a corrente de base atravs do potencimetro RV1, como mostrado
na figura 5.
IB (A) IC (mA) VCE (V)
10
15
20
25
30
40
50
60
70
80
90
100
105
110
115
120

Fig. 5
ETEC LAURO GOMES

152

BIBLIOGRAFIA

ANZENHOFER, Karl ... et al. Eletrotcnica para escolas profissionais. 3 Edio So Paulo,
Mestre Jou, 1980.

CASSIGNOL, Etienne. Semicondutores : fsica e eletrnica. Rio de Janeiro, Edgar Blucher,1980

-----------------------------. Semicondutores : circuitos. Rio de Janeiro, Edgar Blucher,1980

CAPUANO, Francisco G. & MARINO, Maria A. M. Laboratrio de eletricidade e eletrnica. So
Paulo, rica, 1989.

CAPUANO, Francisco Gabriel. Elementos da eletrnica digital. So Paulo. rica, 1996.

COMO funciona. Enciclopdia de cincia e tcnica. So Paulo, Abril Cultural, c. 1974 6V.

MALVINO, Albert Paul. Eletrnica. So Paulo, McGraw-Hill, 1987. Vol. 1

MARQUES, Angelo... et al. Dispositivos semicondutores: diodos e transistores. So Paulo, rica, 1997.
Coleo Estude e Use

MILLMAN, Jacob. Microeletrnica. Lisboa, McGraw-Hill, 1986. Vol. 1