PHOTOVOLTAIC EFFECT Semiconduttori Esistono due principali materiali semiconduttori: il Germanio e il Silicio. Il semiconduttore , a basse temperature , un isolante.

I legami covalenti del reticolo cristallino non presentano elettroni liberi e non possibile un flusso elettrico. A temperature elevate, o per assorbimento di fotoni, alcuni degli elettroni di valenza possono acquistare lenergia per svincolarsi dallatomo originario. In questo caso si dice che lelettrone supera la banda, passando da una banda di valenza ad una conduzione. Il comportamento semiconduttore del Si viene incrementato con un processo detto drogaggio: gli elementi droganti sono fosforo pentavalente e boro trivalente. Introducendo il fosforo si ottiene il Silicio di tipo N, caratterizzato da una carica di elettroni superiore al Si puro. Introducendo boro si ottiene Si di tipo P, in cui le cariche libere in eccesso sono di segno positivo. Nel Si cristallino ciascun atomo condivide con quelli adiacenti un elettrone tra quelli pi esterni, si ottiene un ottetto di elettroni che rende la configurazione stabile. In questa configurazione di valenza, gli elettroni non sono abilitati a muoversi. Un apporto energetico pu portare gli elettroni dallo stato energetico di valenza a quello di conduzione (1,2 eV). Considerando lenergia del fotone E = 1,23/ *eV/m+ si evince come soltanto le lunghezze donda inferiore a 1,1 m possono essere utilizzate per produrre elettroni di conduzione. Quando un elettrone passato alla banda di conduzione capace di muoversi nel reticolo cristallino cos come accade nei metalli. La lacuna che si crea nella banda di valenza rappresenta anchessa una carica libera abilitata a muoversi. Se nel reticolo cristallino del Si sono presenti degli atomi droganti si creano lacune o elettroni liberi nella banda di valenza. Gli atomi di boro sono detti atomi accettori e il semiconduttore diviene di tipo P. gli atomi di fosforo sono atomi donatori e il semiconduttore diviene di tipo N. Loperazione di drogaggio avviene creando concentrazioni estremamente basse di drogante (10-7 atomi droganti per atomo di Si). Se vengono posti a contatto due strati due strati P-N, si crea una giunzione con caratteristiche elettriche particolari. Infatti, se isolati, i cristalli P e N sono elettronicamente neutri. Nei pressi della giunzione, per diffusione, lacune tenderanno a muoversi verso la zona N ed elettroni a muoversi verso la zona P. la diffusione contrastata dal prodursi di un potenziale elettrico dovuto allo spostamento di cariche. La zona nei pressi della giunzione, dove avviene lo scambio di cariche, detta zona di svuotamento. Se vengono posti a contatto due strati P-N, si crea una giunzione con caratteristiche elettriche particolari, anche in termini di valori energetici della banda di valenza e conduzione. Questa rappresentazione consente di spiegare in una diversa maniera la migrazione delle cariche nella zona polarizzata.

La giunzione cos realizzata di fatto un diodo semiconduttore, cio un elemento elettronico per il quale, se applicata una differenza di potenziale tra P e N, positiva su P, si ottiene il passaggio di corrente elettrica a patto che il potenziale applicato sia superiore ad un valore di soglia (0,6-0,7 V). Se si inverte la polarit, il potenziale applicato si somma a quello creato dal processo diffusivo ed il passaggio di cariche inibito. Il potenziale elettrico presente nella giunzione P-N e il passaggio da banda di valenza a banda di conduzione dovuto allassorbimento di fotoni sono la base delleffetto fotovoltaico. Lassorbimento di fotoni libera una serie di coppie elettrone-lacuna. In mancanza della zona polarizzata di giunzione, lelettrone tornerebbe a brevissimo a legarsi ad un altro atomo. Il campo elettrico alla giunzione forza invece le cariche a passare nel semiconduttore polarizzato di segno opposto. In questa maniera gli elettroni possono raggiungere un elettrodo e fornire corrente elettrica ad un carico. A circuito aperto, la migrazione di cariche attraverso la giunzione produce un accumulo di cariche fino al raggiungimento di una tensione di equilibrio. Se il circuito si chiude su un carico si ottiene una corrente elettrica. I fotoni in grado di liberare cariche nel semiconduttore sono quelli con lunghezza donda inferiore a 1,1 m. La frazione di energia contenuta nelle lunghezze donda inferiori a 1,1 m circa il 75% dellenergia complessiva. Nella realt il rendimento delle celle fotovoltaiche molto lontano dal 75%. I motivi sono molteplici: - Leccesso di energia dei fotoni produce calore - Non tutti i fotoni penetrano alla giunzione (riflessioni, schermature della griglia) - Coppie lacuna-elettrone si ricombinano senza effetto fotovoltaico - Una parte della corrente generata non fluisce al carico - La corrente generata soggetta a perdite per effetto Joule Diversi materiali hanno diverse energie di attivazione degli elettroni. Ci comporta che fotoni a bassa energia non inducono effetto fotovoltaico e i fotoni dotati di extra-energia dissipano questo surplus di calore. Tenendo conto delle altre cause di dissipazione dellenergia, il rendimento teorico massimo risulta al massimo il 30% circa.

Conversione fotovoltaica Quando la cella non illuminata si comporta come un diodo. La caratteristica tensione-corrente di tipo esponenziale, con un comportamento che pu essere schematizzato da una discontinuit a gradino in corrispondenza della tensione di attivazione (circa 0,7V). Quando la cella illuminata si comporta come un generatore di corrente.

La curva caratteristica della cella (come generatore) possiede una serie di parametri. Isc = corrente di corto circuito Voc = tensione a circuito aperto Im = corrente nel punto di massima potenza Pmax Vm = tensione nel punto di massima potenza FF = Fill Factor = Pm / (Isc Voc) = Pmax / Psolare incidente

In generale la caratteristica di una cella fotovoltaica funzione di tre variabili fondamentali: intensit della radiazione solare, temperatura e tipologia della cella. La temperatura di esercizio non ha un effetto significativo sulla corrente di corto circuito, mentre riduce proporzionalmente la tensione a vuoto. La radiazione incidente riduce drasticamente la corrente prodotta, ma non ha effetti altrettanto marcati sulla tensione a vuoto. La diminuzione di rendimento con la temperatura di esercizio stimabile in 0.4 - 0.6 [%/C].

La temperatura di riferimento (temperatura di test) 25C. Lirraggiamento di riferimento 1000W/m2. Il rendimento si mantiene quasi costante con lirradianza. Laccoppiamento della cella ad un carico resistivo, produrrebbe punti di funzionamento caratterizzati da rendimento non ottimale. Il punto di funzionamento dovrebbe infatti sempre collocarsi nel punto di P max (punto di massimo rendimento). Per ottimizzare le prestazioni della cella, vengono utilizzati dispositivi elettronici, tra cui il MPPT (Maximum Power Point Tracker), il cui insieme detto BOS (Balance Of the System).

La procedura di test standardizzata prevede la misura della potenze elettrica generata per una irradianza di 1000W/m2, con spettro di luce come da AM=1.5 (Norma CEI-EN 60904). Durante la prova, in transitorio, la cella mantenuta a T=25C, ed illuminata per un brevissimo periodo. Una cella di riferimento provvede a misurare lirraggiamento effettivo. In certe configurazioni (moduli PV in edifici a facciata doppia), la convezione naturale responsabile principale del raffreddamento dei moduli, che possono pertanto portarsi a temperature pi elevate (60C), rispetto al NOCT (Normal Operating Cell Temperature = 45C). La disposizione dei moduli PV (continui in verticale, sfalsati, su intercapedini di diversa profondit) determina diverse modalit dello scambio convettivo naturale, quindi diversi coefficienti di scambio h, quindi diverse temperature di esercizio allequilibrio diverse (pi alte al diminuire di h).

Le singole celle possono essere collegate tra loro in serie oppure in parallelo. Linsieme delle celle costituisce un modulo. Il tipico modulo costituito da 34-36 celle in serie (o multipli). La ragione risiede nel fatto che cos facendo possibile ottenere una tensione a circuito aperto sufficiente a caricare un accumulatore al piombo, come accadeva nelle prime applicazioni off-grid. La cella ha dimensioni tipiche di 100 cm2 e forma esagonale o rettangolare. In condizioni nominali (irradianza 1000 W/m2) produce una corrente di 3A, una tensione di circa 0,5 V ed una potenza di 1,5 W. Le celle di silicio monocristallino (c-Si) utilizzano semiconduttori altamente puri, la cui produzione fortemente onerosa. Dalla massa fusa di silicio si producono barre monocristalline di diametro di circa 15cm che vengono in seguito tagliate in sottili fogli da 250-350 m. La produzione di celle policristalline meno onerosa: In questo caso la massa di Silicio solidificata con cristalli di diverse dimensioni edi orientazione. Il rendimento di questo tipo di celle inferiore al quello delle celle monocristalline. Si parla di celle a Silicio amorfo (a-Si) o celle a film sottile quando su un substrato di vetro o di altro materiale (anche non rigido) viene depositato un sottile strato di silicio. Nelle celle a film sottile si utilizzano, oltre che silicio amorfo (a-Si), rame-indio diseleniuro (CIS, CIGS) e cadmio tellururo (CdTe). Celle ad Arseniuro di Gallio hanno mostrato in laboratorio rendimenti superiori al 30%. Le celle di silicio mono e poli cristallino (c-Si) presentano caratteristiche estremamente stabili nel tempo (P>90% P0 dopo 20 anni). La tecnologia abbastanza consolidata e non si attendono grandi miglioramenti o riduzione dei costi. Le celle a silicio amorfo (a-Si) presentano una riduzione delle prestazioni nella prima migliaia di ore di funzionamento. Le celle a film sottile del tipo CIS e CIGS hanno prestazioni costanti nel tempo e potenziale di miglioramento nei costi e nelle prestazioni.

Processo Siemens basato sulla decomposizione del triclorosilano, ad elevata temperatura. Altri processi utilizzano il silano come composto di partenza. Le reazioni chimiche principali sono: Sisolido + 3 HCl HSiCl3 + H2 La reazione accompagnata dalla formazione di silano con concentrazioni fino al 20 %: Sisolido + 4 HCl SiCl4 + 2 H2 Il triclorosilano meno volatile rispetto ad altri silani quali il monosilano (-112C). La distillazione frazionata del triclorosilano consente di ottenere elevati gradi di purezza. Il passo successivo la vaporizzazione del triclorosilano e la reazione con lidrogeno ad alta temperatura. Le reazioni chimiche sono diverse e i prodotti gassosi risultano H2, HCl, SiCl4, HSiCl3,H2SiCl4 e silicio puro, che si deposita su elettrodi di silicio cristallino, a circa 1100C. La reazione avviene in un reattore CVD, dove il silicio accresce in forma solida su elettrodi in silicio puro. Ad ogni mole di silicio solido depositato corrispondono circa 3-4 mol di tetraclorosilano alluscita del reattore.

Il tetraclorosilano pu essere riconvertito in triclorosilano per riduzione con idrogeno in due passaggi successivi a 1100 e 500 C.

Processo Czochralsiki (CZ) Il processo si basa su una camera a vuoto contenente gas inerti come Ar, CO e SiO dove per silicio di opportuna pezzatura viene fuso in un crogiolo di quarzo alla temperatura di circa 1420 C. Quando il polisilicio completamente fuso ed amalgamato, un monocristallo di inseminazione viene calato nel crogiolo, fino a toccare la parte liquida e subire la parziale fusione della parte terminale. Il cristallo di inseminazione viene mantenuto in lento movimento di rotazione e successivamente sollevato per dar luogo ad un lingotto, avente forma di un solido di rotazione, che cristallizza in maniera ordinata. Le colonne di silicio sono tagliate in wafer di 300 m di spessore, con lutilizzo di macchine multi-fili di materiale abrasivo (polvere di carburo di silicio + glicole polietilenico).

Celle e moduli La tecnologia dei film sottili sfrutta la deposizione (ad esempio su vetro) di un sottilissimo strato di materiali semiconduttori, silicio amorfo ed alcuni semiconduttori. Composti policristallini, quali il diseleniuro di indio e rame (CuInSe2), e il tellururo di cadmio (CdTe). Tale tecnologia punta sulla riduzione del costo della cella e sulla versatilit dimpiego (ad esempio la deposizione su materiali da utilizzare quali elementi strutturali delle facciate degli edifici). Attualmente il problema maggiore sono le basse efficienze. La tecnologia a film sottile ha inoltre il vantaggio del bassissimo un consumo di materiale. Inoltre, utilizzando questa tecnologia possibile ottenere moduli leggeri e flessibili , fabbricare il modulo con un unico processo.

Quando una cella fosse oscurata, cesserrebbe di comportarsi come un generatore per comportarsi come un diodo a funzionamento inverso (Zener). Questa situazione pu portare al blocco della corrente generata. Se la cella solo parzialmente oscurata, la corrente che attraversa il modulo risulta quella della singola cella in ombra. Se il modulo mantenuto a bassa tensione di uscita, oppure in caso di corto circuito, la cella in ombra si pu trovare a funzionare come un diodo inverso che deve dissipare la potenza generata dalle altre celle. In questa situazione la cella oscurata sede di un Hot Spot, e le temperature possono superare anche abbondantemente i 100C. Per questo motivo si utilizzano diodi di by-pass, anche due per modulo, per isolare il modulo sede di malfunzionamento. La logica seguita dallinverter quella PWM (Pulse With Modulation). Gli ondulatori (inverter) possono lavorare su stringhe o su singoli moduli.

In questa configurazione presenti un ondulatore per modulo (configurazione a modulo AC). I vantaggi sono: nessuna connessione DC, nessuna interferenza tra moduli, prodotti di grande serie. Il rendimento non elevato, massimo 94.

In questa configurazione presente un ondulatore per stringa. Vantaggi: maggiore semplicit circuito, possibilit di agevole, manutenzione. Svantaggi: rendimento non elevatissimo, massimo 96%.

In questa configurazione presente un ondulatore per stringa. Vantaggi: maggiore semplicit circuito, elevati rendimenti. Svantaggi: possibile interazione tra moduli e diminuzione dellenergia prodotta. Lefficienza dellinverter, in generale, dipende sia da P/Pnom che dalla tensione DC in ingresso.

Criteri di dimensionamento N max moduli = V max inv / V oc, T=-10C N min moduli = V mpp, inv, min / Vmpp, mod, T=70C N stringhe = I max,inv / I sc, string La caduta di tensione inoltre in condizioni nominali dovrebbe essere inferiore all1 %. La regola di massima data da 2-3 A/mm2 di sezione.

Orientazione Le considerazioni su lenergia disponibile fatte a proposito dei collettori solari a bassa temperatura, possono essere applicate ai moduli fotovoltaici. Lorientazione migliore (massima energia incidente annua) quella a sud, Tilt circa pari alla latitudine. Per esempio, nel caso di Genova [kWh/m2giorno]:

Allenergia disponibile si applica il rendimento di conversione nominale. Ad esso si aggiungono perdite per effetto di temperatura di lavoro (5-8%), riflessione (3-5%), mismatch intrinseco di celle e moduli (1-5%), ombreggiamento parziale (0-5%), conversione elettrica (5-10%). Tipicamente si ottengono 950 (kWh/anno)/kWp al Nord Italia e 1250 al Sud.

Il costo dei moduli fotovoltaici pu rendere conveniente lutilizzo di sistemi ad inseguimento, che pu essere monoassiale a tracking diretto o a back tracking (minimizzazione delle ombre) o multiassiale.

Esistono anche i sistemi ibridi PVT , cio costituiti dai moduli PV associati ad un opportuno scambiatore di calore che recupera una quota parte di energia solare non convertita in energia elettrica. Possono classificarsi come: - Collettori ibridi con vettore termico liquido (PVT/W) - Collettori ibridi con vettore termico aria (PVT/A) - Sistemi PVT integrati in facciate ventilate (PVT/F) - Sistemi PVT a concentrazione (PVT/C)

I moduli fotovoltaici classici sono in genere in grado di sopportare temperature di lavoro fino a 90C, con condizioni nominali comprese tra 40 e 50C (NOCT). I collettori solari piani per la conversione termica sono invece in grado di lavorare a temperature fino a 150-180C (stagnazione). Le celle fotovoltaiche sono inoltre sensibili alle temperature troppo elevate, per problemi di tipo elettronico (diffusione metallica e derive del rendimento) e legati alla presenza di rivestimenti quali EVA (Ethyl Vinyl Acetate). La superficie captante di un modulo PV (la cella, con eventuale rivestimento) inoltre non possiede le caratteristiche radianti selettive di un captatore termico (elevata assorptivit nel visibile e vicino infrarosso, bassa emissivit nel lontano infrarosso) e non pertanto in grado di assicurare i rendimenti di captazione dellenergia solare tipici dei sistemi termici semplici.