2013

TRABAJO PRACTICO N5
TRANSISTOR JFET

ELECTRNICA APLICADA I

Titular: ING. Hctor Ferrari |

JTP: ING. Javier Gonella

ALUMNO FRACCARO, Lucas Matas

TRABAJO PRCTICO. Configuracin de JFET (Junction Field Effect Transistor). RESPUESTAS

1) Curvas caractersticas del transistor
El termino efecto de campo hace referencia a que el dispositivo utiliza un campo elctrico para manejar la corriente del circuito sin necesidad de contacto directo entre las cantidades controladoras y controladas. Posee tres terminales similares a los del BJT, salvo que este dispositivo es controlado por tensin. Sus caractersticas principales son: Hay movimiento de un solo portador de carga. Con una tensin de entrada se controla una corriente de salida. Tipos: canal P y canal N. Elevada impedancia de entrada. Baja ganancia. Mayor estabilidad que los BJT. Menor sensibilidad a las variaciones respecto al BJT.

La construccin bsica del JFET canal N consiste en mayor parte en una estructura de material tipo N que forma un canal entre las capas interiores del material tipo P. La parte superior del canal tipo N se encuentra conectada por un contacto tipo hmico al termina Drenaje (D). El extremo inferior del mismo material se conecta por un contacto hmico al terminal Fuente (S). Los dos materiales tipo P se encuentran conectados entre s y tambin al terminal Compuerta (G).

Autor: Lucas Fraccaro

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CURVA CARACTERSTICA CON VGS VARIABLE, VD= 10[V] Y Rs= 0

CURVA CARACTERSTICA CON VGS VARIABLE, VD VARIABLE Y Rs=0k.

Como en los esquemas anteriores se ha tomado una resistencia Rs=0, a continuacin se le dar un valor especifico Rs=1k sobre la ltima familia de curvas obtenidas, para visualizar un efecto real sobre el transistor. Autor: Lucas Fraccaro | ELECTRONICA APLICADA I | Pgina 2

CURVA CARACTERSTICA CON VGS VARIABLE, VD VARIABLE Y Rs=1k.

Puede observarse que la corriente de drenaje disminuye considerablemente por el efecto del resistor, aunque VDD y VGS permanecen en el mismo valor, puesto que no se han modificado.

2) Punto Q, Av, Ai, Zent, Zsal y tipo de configuracin

El tipo de configuracin de este transistor es surtidor comn, que es la equivalente a la de emisor comn en los transistores bipolares.

CALCULO DEL PUNTO Q: VG = = V2 R2 VG -VGS =2,28V ; VG =VGS +IDS RS ; IDS = R1 +R2 RS

-3 ; VP =-5,397 ; IDS =IDSS (12 =9,109 . 10

; IDSS =(VP ) =264mA.

IDSS VP

VGS 2 ). ; VDS =VDD -IDS (RD +RS ) VP VG -VGS VGS 2 =IDSS (1) RS VP

Igualando las dos ecuaciones de IDS , se tiene: Autor: Lucas Fraccaro |

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Para VGS se obtendrn dos valores, pero se elegir aquel que sea menor que VP . VGS1 =-6,18 V y VGS2 =-4,68 ; donde se elige el valor de VGS2 Entonces: IDSQ =IDSS (1VGS 2 2 ) =4,6mA y VDSQ =VDD -IDSQ (RD +RS )=1,9V VP

CALCULO EN SEAL ALTERNA: VGS VL La ganancia de tensin ser: AV = ( )( ) VI VGS Si VGS = VI RB RIN +RB ; despejando se obtiene ;

VGS =0,995. VI VL =-18,44. VGS

Si VL =-GM VGS (GOS -1 //RD //RL ) ; despejando se obtiene VGS VL Entonces AV = ( )( ) =-18,34 VI VGS VGS IL La ganancia de corriente ser Ai = ( )( ) II VGS Si VGS =II (RIN +RB ) ; despejando se tiene que:

VGS =239000. ; II

-GM VGS (GOS -1 //RD //RL ) IL Si IL = ;despejando se tiene que =-1,81 mS. RL VGS VGS IL La ganancia de corriente ser Ai = ( )( ) =-18,34 II VGS La impedancia de entrada ser Zent =Rg=24100 . La impedancia de salida ser ZO =(2400//GOS -1 )=2343,75. La comparativa respecto al circuito simulado y los valores calculados anteriormente, se realiza a continuacin con el esquema tanto para el Punto Q como para la seal en alterna y su diagrama segn los parmetros hbridos. Autor: Lucas Fraccaro | ELECTRONICA APLICADA I | Pgina 4 ;

Circuito en base a los parmetros hbridos:

Autor: Lucas Fraccaro

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