Tema 2 Docsemiconductores de Potencia

TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
2.1 Diodo de Potencia

El elemento rectificador de potencia ms comn es el diodo de potencia. Las caractersticas de los diodos de potencia son, en general, similares a las de los diodos normales, idealmente presenta dos estados bien diferenciados: corte y conduccin. El paso de un estado a otro no se realiza de forma instantnea y en dispositivos en los que el funcionamiento se realiza a elevada frecuencia, es muy importante el tiempo de paso entre estados, puesto que ste acotar las frecuencias de trabajo.
Fig 2.1 Diodo de potencia. Simbologa
En cuanto a mrgenes de funcionamiento, hay diodos que en estado de conduccin pueden llegar a soportar corrientes medias superiores a los 1.500 A llegando hasta tensiones inversas superiores a los 2.000 V. El silicio es el elemento semiconductor ms empleado puesto que es capaz de soportar elevadas intensidades en conduccin y grandes tensiones inversas con bajas corrientes de fuga en corte. El nico procedimiento de control posible, es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.
2.1.1 CARACTERSTICAS ESTTICAS

Las caractersticas estticas del diodo de potencia, se estudian definiendo conceptos tales como modelos estticos y parmetros en estado de bloqueo y de conduccin.
Modelos estticos del Diodo

En estado de conduccin, tres son los modelos por los cuales puede ser sustituido el diodo semiconductor en funcin de la precisin que se requiera en los clculos. En la figura 2.2 estn representados junto con la curva tensin - intensidad que caracteriza a cada modelo.
i i i
Tensin de codo [Enlace 2_1]
vD
E + vD (b)
vD
E RD + vD (c)
vD
Curva real de un dispositivo [Enlace 2_2]
vD (a)
Fig 2. 2 Modelos estticos del diodo a) Modelo ideal b) Primera aproximacin c) Segunda aproximacin, modelo real
El modelo ideal asemeja el diodo a un cortocircuito, despreciando la tensin de codo, E que s es considerada en la primera aproximacin y la resistencia interna, R D que junto a la tensin de codo tambin se considera en la segunda aproximacin. El modelo equivalente para el diodo de potencia en corte puede asemejarse a un interruptor abierto en el que se desprecian las corrientes de fuga del dispositivo.
Simbologa
La simbologa usada ms comnmente en electrnica de potencia se resume en el siguiente esquema, por ejemplo: VRSM Tensin inversa mxima no repetitiva
Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid
Fig 2. 3 Simbologa empleada
Parmetros en estado de bloqueo

Cuando un diodo se encuentra en estado de bloqueo, es decir, cuando no conduce existen una serie de valores de tensin que no pueden ser sobrepasados. En la figura 2.4 se han representado los valores mximos de tensin inversa nodo - ctodo que puede soportar un diodo momentneamente o de manera continuada, sin que el dispositivo semiconductor corra el peligro de destruirse.
VRWM Tensin inversa de trabajo mxima. Es la tensin que puede ser soportada por el diodo de forma continuada sin peligro de calentamientos. VRRM Tensin inversa de pico repetitivo. Es la tensin que puede ser soportada en picos de 1 ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido. VRSM Tensin inversa de pico no repetitivo. Es la tensin que puede ser soportada por una sola vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10 ms. VR Tensin de ruptura. Si es alcanzada, aunque sea por una sola vez con duracin de 10 ms o menos, el diodo puede destruirse o al menos degradar sus caractersticas elctricas. IR Intensidad de fugas. Intensidad que circula por el dispositivo de potencia cuando est bloqueado.
Fig 2. 4 Parmetros en estado de bloqueo. Tensiones inversas en el diodo
Parmetros en estado de conduccin

Cuando el diodo conduce tambin es importante no sobrepasar los valores de corriente permitidos por el dispositivo y que son facilitados por el fabricante.
IF (AV) Intensidad en directo media nominal. Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos senoidales de 180 que el diodo puede soportar con la cpsula mantenida a determinada temperatura.
IFRM Intensidad en directo de pico repetitivo. Puede ser soportada cada 20 ms por tiempo indefinido, con duracin del pico de 1 ms a determinada temperatura de la cpsula. IFSM Intensidad en directo de pico no repetitivo. Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10 ms.
Algunos fabricantes dan la intensidad nominal en valor eficaz y no en valor medio, cuestin que hay que tener en cuenta cuando se comparan diodos de distintas marcas.
Datos del diodo en corte [Enlace 2_3] Datos del diodo en conduccin [Enlace 2_4]
Potencia media disipada por el diodo en conduccin

La potencia instantnea que disipa un diodo ser:
p d (t) = v d (t) i d (t)
E 2.1
Fig 2.5 Potencia instantnea disipada por el diodo en conmutacin
La potencia media responde a la integral definida, de la potencia instantnea en un periodo, dividida por la duracin del periodo T.
Pd(AV) =
1T v d (t) id (t) dt T0
E2.2
Considerando la tensin de codo, VD y la resistencia interna, RD del diodo y sustituyendo en la ecuacin [E2.2]
Pd(AV) =
1T V ( VD + i d R D ) i d dt = D T0 T
i d dt +
RD T 2 id dt T 0
E2.3
Esta expresin consta de dos trminos; en el primero aparece la intensidad media, y en el segundo, la intensidad eficaz al cuadrado.
Pd(AV) = VD I dc + R D I 2 rms
E2.4
La potencia media no slo depende de la intensidad media, sino tambin del valor eficaz de la seal y por lo tanto, del factor de forma, a. I a = RMS E2.5 I DC
Generalmente el fabricante proporciona informacin en las hojas de caractersticas del dispositivo semiconductor, por medio de tablas que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Tambin proporciona curvas que relacionan la potencia media con el factor de forma.
Ejemplos de curvas proporcionadas por el fabricante [Enlace 2_5] Tipos de curvas [Enlace 2_6]
Schottky Rectifier Absolute Maximum Ratings * T A = 25C unless otherw ise noted Symbol VRRM IF(AV) IFSM Tstg Tj max Parameter Maximum Repetitive Reverse Voltage Average Rectified Forw ard Current 500 mA Non Repetitive Peak Forw ard Current (Surge applied at rated load conditions half w ave, single phase, 60 Hz) Storage Temperature Range Operating Junction Temperature -65 to +150 -65 to +150 C C Value 20 500 5.5 Units V mA A
*These ratings are limiting values above w hich the serviceability of any semiconductor device may be impaired. Therm al Characteristics Symbol RJA RJL Parameter Thermal Resistance Junction to Ambient* 340 C/W Thermal Resistance Junction to Lead 150 C/W Value 340 150 Units C/W C/W
*FR-4 or FR-5 = 3.5 x 1.5 inches using minimum recommended Land Pads. Electrical Characteristics T A = 25C unless otherw ise noted Symbol VF Forw ard Voltage Parameter @IF = 100 mA, IF = 100 mA, TA = 100 C IF = 500 mA, IF = 500 mA, TA = 100 C IR Reverse Current @ VR = 10 V, VR = 10 V, TA = 100 C VR = 20 V, VR = 20 V, TA = 100 C Fig 2.6 Hoja de caractersticas. Value 300 220 385 330 75 5.0 250 8.0 Units mV mV mV mV A mA A mA
Cuestin didctica 2.1 Observar y comentar los diferentes datos e informacin que se pueden obtener a partir de las hojas de caractersticas de un diodo.
2.1.2 CARACTERSTICAS DINMICAS DEL DIODO DE POTENCIA

Cuando en el estudio del comportamiento de los dispositivos semiconductores se quiere profundizar en los transitorios provocados por la conmutacin, hay que tener en cuenta las caractersticas dinmicas, dado que los dispositivos no son ideales, se requiere un tiempo, para conseguir el paso de corte a conduccin, ton y de conduccin a corte, toff.
Paso de conduccin a corte, Turn off

Cuando un diodo se encuentra conduciendo una intensidad, Id la zona central de la unin p-n est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea dicha intensidad. Si el circuito exterior fuerza la disminucin de la corriente con una cierta velocidad, di/dt aplicando una tensin inversa, resultar que despus del paso por cero de la seal i(t), hay un periodo en el cual cierta cantidad de portadores cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus de un tiempo, ts durante el cual los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin una zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tf en pasar de un valor de pico negativo Irr a un valor prcticamente nulo, mientras se va descargando la capacidad interna de la unin. Esta capacidad se puede considerar como la suma de la Capacidad de Difusin, Cdif y la Capacidad de Deplecin o de transicin, Cj La primera es proporcional a la corriente por el diodo y slo tiene relevancia con ste polarizado en directo, mientras que la segunda, aparece con el diodo polarizado en inverso.
Fig 2. 7 Variacin de la capacidad interna en funcin de la tensin inversa. Observar que para valores mayores de tensin inversa, la capacidad vara muy poco por lo que se puede considerar constante
Fig 2. 8 En el paso de conduccin a corte, la corriente por el diodo evoluciona desde valores positivos a valores negativos hasta que finalmente se anula. El tiempo de recuperacin inverso, trr adquiere una gran importancia a la hora de trabajar en conmutacin, pues limita la mxima frecuencia de trabajo.
Tiempo de recuperacin inverso, trr Comprende el intervalo de tiempo desde que la corriente i f pasa por cero en el cambio on off hasta que la corriente vuelve a adquirir el 10 % del valor I rr. Tambin se puede definir como el periodo durante el cual el diodo permite la conduccin en sentido negativo. Est compuesto por la suma del tiempo de almacenamiento, t s y el tiempo de cada, tf t rr = t s + t f E2.6 Tiempo de almacenamiento, ts Es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta que se alcanza el pico negativo y es debido a la acumulacin de portadores en la regin de deplexin de la unin. 5
Tiempo de cada, tf Es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la corriente hasta que se alcanza el 10% de dicho valor. Carga elctrica almacenada o desplazada, Qrr Factor de suavizado, S Es la relacin entre los tiempos de cada y almacenamiento .
S=
tf ts
E2.7
Fig 2. 9 Forma de onda de la corriente por el diodo, segn el valor del factor de suavizado, S
Para el clculo de los parmetros Irr y Qrr hay que tener en cuenta la pendiente di/dt que representa la disminucin de intensidad por el diodo y el rea de un triangulo, Q rr cuya base y altura son respectivamente trr e Irr, que representa la carga almacenada en la unin p-n, durante el paso a corte del dispositivo, puesto que normalmente t s y tf suelen ser desconocidos se pueden suponer dos casos; que tf es despreciable frente a ts con lo cual trr es igual a ts y que ambos son iguales a la mitad de trr
I rr = t s di dt Q rr = 1 t rr . I rr 2
E 2.8
Primera suposicin
t f = 0 t s = t rr t rr = 2 Q rr di dt I rr = 2 Q rr di dt
E 2.9
Segunda suposicin
ts = tf = trr 2 t rr = 4 Q rr di dt I rr = Q rr di dt
E2.10
Una vez realizados los clculos para ambos supuestos se elige siempre el peor de los casos: mayor t rr o mayor Irr segn las especificaciones del problema. Pues ste es el que puede perjudicar en mayor medida al dispositivo semiconductor.
Paso de corte a conduccin, Turn on

Por ser prcticamente despreciables los efectos provocados por el tiempo de recuperacin directa, indicar solamente que se conoce como Turn on, al tiempo que transcurre entre el instante en que la tensin entre el nodo y ctodo se hace positiva y en el que dicha tensin alcanza el valor normal de conduccin. Es decir el tiempo de paso de corte a conduccin.
Caractersticas dinmicas [Enlace 2_7]
PROBLEMA 2.1
El diodo de potencia BYX 71 acta inicialmente con una corriente de 2A y una temperatura ideal de la unin de 25C. El diodo opera en un circuito en el cual la corriente es inversa, de 20 Amperios/microsegundo (A/s). Determinar el tiempo de recuperacin inversa, t rr, as como la corriente inversa mxima, IRM Solucin: tf = 0 trr=265ns; IRM = 5.29 A tf = ts trr=374ns;IRM = 3.74 A [Fisher]
2.1.3. TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA Diodo rectificador normal

Tienen un tiempo de recuperacin inversa relativamente alto, tpicamente de 25 s, y se utilizan en aplicaciones de baja velocidad, en las que el tiempo de recuperacin no es crtico. Margen de funcionamiento: desde < 1A hasta varios miles de A; 50V...5KV
Diodo de barrera Schottky

En un diodo Schottky se puede eliminar (o minimizar) el problema de almacenamiento de carga de una unin pn. Esto se lleva a cabo estableciendo una barrera de potencial con un contacto entre un metal y un semiconductor Margen de funcionamiento: 1A...300A; Son usados en rectificadores de bajo voltaje para mejorar la eficacia de la rectificacin.
Diodo de recuperacin rpida

Los diodos de recuperacin rpida tienen un tiempo de recuperacin bajo, por lo general menor que 5s. Esta caracterstica es especialmente valiosa en altas frecuencias. Un diodo con esta variacin de corriente tan rpida necesitar contactos de proteccin, sobre todo cuando en el contacto exterior encontramos elementos inductivos. Margen de funcionamiento: <1A...300A; 50V...3KV
2.1.4. ASOCIACIN DE DIODOS DE POTENCIA

Las dos caractersticas ms importantes del diodo de potencia son: La intensidad mxima en directo y la tensin inversa mxima de bloqueo. Si las necesidades del circuito pueden llegar a sobrepasar la capacidad mxima del dispositivo es necesario utilizar varios diodos asociados en serie o en paralelo segn el caso.
Asociacin de diodos en serie

Para aplicaciones en las que aparecen tensiones inversas elevadas por rama, como por ejemplo en rectificadores de potencia, la capacidad de bloqueo de un nico diodo puede no ser suficiente. Ser
necesario una conexin serie de dos o ms elementos. Si los elementos estn colocados en serie, tendrn la misma corriente de fugas, sin embargo, presentan tensiones inversas diferentes. Esto podra causar que alguno de los diodos pudiera destruirse por sobrepasamiento de su tensin inversa mxima.
Fig 2. 10 Tensiones inversas y corrientes de fuga en dos diodos distintos
Este problema puede resolverse conectando resistencias en paralelo con cada diodo.
Fig 2. 11 Asociacin de diodos en serie
Para que estas resistencias sean efectivas, deben conducir una corriente mucho mayor que la corriente de fugas del diodo.
I = I S1 + I R1 = I S2 + I R2
E 2.11
I S1 +
Si R = R1 = R2
Vd1 V = I S2 + d2 R1 R2
E 2.12
I S1 +
Vd1 V = I S2 + d2 R R
E 2.13
PROBLEMA 2.2
Los dos diodos que se muestran en la figura 2.11 estn conectados en serie, un voltaje total de V D = 5 kV. Las corrientes de fuga inversas de los dos diodos son IS1 = 30 mA e IS2 = 35 mA. (a) Encuentre los voltajes de diodo, si las resistencias de distribucin del voltaje son iguales, R 1 = R2 = R = 100k. (b) Encuentre las resistencias de reparticin del voltaje R 1 y R2, si los voltajes del diodo son iguales, VD1 = VD2 = VD/2. (c) Utilice PSpice para verificar los resultados de la parte (a). Los parmetros del modelo PSpice son: BV = 3 kV e IS = 20 mA para el diodo D1, e IS = 35 mA para el diodo D2 Solucin: (a) VD1=2750V, VD2=2250V; (b) R1=100k, R2=125k;
[Rashid]
Asociacin de diodos en paralelo

Esta configuracin se utiliza cuando se requieren altas intensidades. Presenta como inconveniente el reparto desigual de la corriente por cada una de las ramas de los diodos debido a las distintas caractersticas de conduccin de los mismos. Este problema se puede resolver utilizando dos criterios: conectando resistencias en serie con cada diodo o bien inductancias iguales acopladas en cada rama de la red paralelo. Las resistencias conectadas en serie ayudan a estabilizar e igualar los valores de intensidad I 1 e I2 Las inductancias se pueden obtener utilizando transformadores con una relacin de transformacin 1:1 conectados tal y como muestra la figura 2.12. El segundo mtodo es aplicable nicamente en condiciones de operacin en las que la alimentacin sea pulsatoria o senoidal.
Fig 2. 12 Asociacin de diodos en paralelo. Circuitos de estabilizacin de corriente por resistencias e inductancias
PROBLEMA 2.3
Se conectan dos diodos en paralelo de forma que en total tienen que conducir 100A. Determinar el valor de las resistencias para que ninguno conduzca ms de 55A. Calcular la potencia y la cada de tensin en cada rama. Datos: VD1=1.5V; VD2=1.8V
Suponiendo que algn diodo conduzca 55A, este diodo ser el de menor tensin de codo I1 = 55A I2 = 45A Como V = R I1 + VD 1 = R I 2 + VD 2 , tenemos que la resistencia en cada rama ser:
R=
VD 2 VD 1 1.8 V 1.5 V = I1 I 2 55 A 45 A
2
PR 1 = 90.75 W PR 2 = 60.75 W
R = 0.03
La potencia en cada rama ser:
2 PR 1 = R I1 = 0.03 ( 55 A ) 2
PR 2 = R I 2 2 = 0.03 ( 45 A )
TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA La cada de tensin en cada rama ser:
V = R I1 + VD1 = 0.03 55 A + 1.5 V
V = 3.15 V
[Fisher]
PROBLEMA 2.4
Dos diodos con rango de 800V de voltaje y corriente inversa de 1mA, se conectan en serie a una fuente de AC de 980 voltios de tensin de pico (Vsmax). La caracterstica inversa es la presentada en la figura. Determinar: (a) Voltaje inverso de cada diodo. (b) Valor de la resistencia a colocar en paralelo de forma que el voltaje en los diodos no sea superior al 55% de Vsmax. (c) Corriente total y prdidas de potencia en las resistencias. Solucin: (a) VD1=700V, VD2=280V; (b) VD1=539V, VD2=441V R=140k; (c) IS=4.55mA, PR=2.54W [Ashfaq]
PROBLEMA 2.5
Dos diodos tienen las caractersticas presentadas son conectados en paralelo. La corriente total es de 50A. Son conectadas dos resistencias en serie con los diodos para provocar una redistribucin de la corriente. Determinar: (a) el valor de la resistencia de forma que por un diodo no circule ms del 55% de Imax (b) Potencia total de prdidas en las resistencias. (c) Cada de tensin diodo resistencia.
Solucin: (a) R=0.06; (b) PR=75.8W; (c) V=2.95V
[Ashfaq]
2.2 Transistor Bipolar, BJT

El transistor bipolar es conocido como un elemento amplificador de seal. En el contexto de los componentes electrnicos de Potencia, es usado como un dispositivo de conmutacin, ya que, dispone de las caractersticas que lo convierten en un conmutador casi ideal. A diferencia del transistor bipolar normal, en el cual, la zona de trabajo ms importante es la lineal, en el transistor de potencia los estados ms importantes de funcionamiento son saturacin y corte. Estos dos estados se corresponden con los estados cerrado y abierto del conmutador ideal.
Zonas de funcionamiento [Enlace 2_8] Circuito con carga resistiva [Enlace 2_9]
Fig 2. 13 Transistor de Potencia. Simbologa
10
Los transistores bipolares de alta potencia se utilizan fundamentalmente para trabajar con frecuencias por debajo de 10KHz y en aplicaciones que requieran 1.200 V y 400 A como mximo.
2.2.1 CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

El funcionamiento y utilizacin del transistor de potencia es idntico al del transistor normal, teniendo como caracterstica especial la capacidad de soportar altas tensiones e intensidades y por tanto elevadas potencias a disipar. Caractersticas a tener en cuenta en el transistor bipolar:
IC = Intensidad mxima que puede circular por el Colector VCE0 = Tensin de ruptura de colector con base abierta, (mxima tensin C-E que se puede aplicar en extremos del transistor sin provoca la ruptura) Pmax = Potencia mxima Tensin en sentido directo Corriente de fugas Frecuencia de corte VCBO = Tensin de ruptura colector - base con base abierta VEBO = Tensin de ruptura emisor - base con base abierta VCEOSUS = Tensin de ruptura por un aumento excesivo de la corriente de colector y de la tensin C-E
En funcin de la polarizacin B-E, se pueden definir otras caractersticas:
VCEO = Tensin de ruptura colector emisor, con base abierta. VCER = Tensin colector emisor con resistencia de base especificada. VCEX = Tensin colector emisor con circuito especificado entre base emisor. VCEV = Tensin colector emisor con tensin especificada entre base emisor. VCES = Tensin colector emisor con unin base emisor cortocircuitada.
Parmetros en el 2N3055 [Enlace 2_10]
En relacin con los parmetros definidos anteriormente, se puede decir que la V CEmx depende esencialmente de tres factores.
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La estructura interna del transistor (tecnologa de fabricacin). Los transistores bipolares de potencia presentan durante la conmutacin un fenmeno complejo conocido como efecto de segunda ruptura. Si la ruptura por avalancha se denomina primera ruptura, la segunda ruptura se puede definir como la ruptura de la unin debido a efectos trmicos localizados (creacin de puntos calientes). La primera ruptura se debe a un aumento excesivo de la tensin C - E. Sin embargo, la ruptura secundaria se produce cuando la tensin C - E y la corriente de colector aumentan excesivamente, de tal forma que sta ltima se concentra en una pequea rea de la unin de colector polarizado inversamente. La concentracin de corriente forma un punto caliente (falta de uniformidad en el reparto de la corriente) y el dispositivo se destruye trmicamente. Este tipo de ruptura podr presentarse tanto en turn on como en turn off. La figura 2.14 muestra la caracterstica tensin - intensidad de un transistor NPN bipolar de potencia. Al igual que en uno de pequea potencia, se pueden distinguir tres zonas: activa, corte y saturacin.
La polarizacin base - emisor. El gradiente de tensin (dV/dt).
Fig 2. 14 Caracterstica V - I de un transistor NPN bipolar de potencia.
PROBLEMA 2.6
El transistor bipolar de la figura, tiene una en el rango 8 a 40. Calcular el valor de R B que resulta en saturacin con un factor de sobreexcitacin de 5, la f forzada y la prdida de potencia PT en el transistor. Datos: 8 40; RC=11 ; VCC=200V; VB=10V;VCEsat=1.0V; VBEsat=1.5V; ODF=5
La corriente de colector en saturacin es:
12
I CS =
VCC VCEsat 200 V 1.0 V = I CS = 18.091 A RC 11 I CS 18.1 A = I BS = 2.263 A min 8 IB I BS
La corriente de base en saturacin es:
I BS =
Normalmente se disea el circuito de tal forma que IB sea mayor que IBS El factor de sobreexcitacin, ODF, proporciona la relacin entre ambas: ODF =
I B = I BS ODF = 2.263 A 5 I B = 11.313 A

El valor de RB se calcula a partir de la ecuacin de la corriente de base: I B =
VB VBEsat RB
RB =
VB VBEsat 10 V 1.5 V = IB 11.313 A I CS 18.091 A = I B 11.313 A
RB = 0.751
La forzada, f, mide la relacin entre ICS e IB
f =
f = 1.6
La prdida de potencia total, PT, es:
PT = VBEsat I B + VCEsat I CS = 1.5 V11.313 A +1.0 V18.091 A
PT = 35.06 W
[Rashid]
2.2.2 TIEMPOS DE CONMUTACIN

Para aplicaciones en las cuales se usa el transistor de potencia como interruptor, es necesario hacerle cambiar de estado, on - off, reiteradamente. El paso de un estado a otro se denomina conmutacin y no se realiza de forma instantnea, sino que requiere un cierto tiempo. En funcin de la magnitud del mismo, se ver limitada la utilidad del dispositivo. Esta limitacin cobra mayor importancia a medida que aumenta la velocidad de conmutacin o lo que es lo mismo, la frecuencia de control. En el diseo se deben disminuir los tiempos de conmutacin ya que estos tiempos producen picos de potencia.
Fig 2. 15 Tiempos de conmutacin en el transistor
Cada uno de los dos tipos de conmutacin, turn on y turn off lleva asociado un tiempo de conmutacin que a su vez se puede subdividir en otros dos tiempos.
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Tiempo de encendido, ton Es el tiempo que necesita el dispositivo para conmutar de corte a conduccin, turn on. t on = t d + t r E 2.14 Tiempo de retardo (Delay Time, td) Es el que transcurre desde el instante en que se aplica la seal de entrada al dispositivo conmutador, hasta que la seal de salida alcanza el 10% de su valor final. Tiempo de subida (Rise Time, tr) Tiempo que emplea la seal de salida para evolucionar desde el 10% hasta el 90% de su valor final.
Tiempo de apagado, toff Es el tiempo que necesita el dispositivo para conmutar de conduccin a corte, turn off. t off = t s + t f E 2.15 Tiempo de almacenamiento (Storage Time, ts) Tiempo que transcurre desde que se quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su valor inicial. Tiempo de cada (Fall time, tf) Tiempo que emplea la seal de salida para evolucionar desde el 90% hasta el 10% de su valor inicial.
Fig 2.16 Tiempo de encendido y tiempo de apagado de un circuito con carga resistiva
Caractersticas 2N3055 [Enlace 2_11]
Turn-on [Enlace 2_12]
Turn-off [Enlace 2_13]
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2.2.3 DISIPACIN DE POTENCIA EN CONMUTACIN

La disipacin de potencia del transistor trabajando en conmutacin se puede subdividir en varias componentes: la potencia en la base, la potencia en estado de corte, la potencia en estado de conduccin y la potencia perdida en las conmutaciones. La potencia que se utiliza para controlar el terminal de control o base, viene dada por la expresin.
p B ( t ) VBE I B
E 2.16
Otra pequea componente es la potencia disipada por el transistor, en estado de corte y viene dada por la expresin
p off ( t ) = v CE ( t ) i C ( t ) VCC I fugas
E 2.17
PB y Poff normalmente son despreciables. El trmino ms importante viene dado por las prdidas de potencia en conduccin p on ( t ) = VCE (sat) I C(sat)
E 2.18
La energa perdida en la conmutacin de corte a conduccin se denomina W on y en la conmutacin de conduccin a corte, Woff Si los tiempos asociados a estas componentes son cortos y la frecuencia de conmutacin del BJT es alta, se deber calcular la potencia media disipada multiplicando los trminos de potencia por la frecuencia de conmutacin. Este valor es muy importante para calcular y disear el disipador de calor que deber acoplarse al dispositivo. La potencia media disipada vendr dada por la siguiente expresin.
PD [ Pon t on + (Woff + Won ) ] f
E 2.19
Si el transistor trabaja con pulsos de frecuencia y amplitud constantes, se puede hallar la energa disipada en cada ciclo para luego hallar su valor medio mediante integracin. La potencia instantnea disipada por el transistor, se obtiene multiplicando la intensidad de colector por la tensin colector - emisor en cada instante.
PD ( t ) = i c ( t ) v ce ( t )
E 2.20
Si se integra esta expresin respecto del tiempo se tendr la energa instantnea perdida por ciclo. W( t ) = ic ( t ) v ce ( t ) dt E2.21 La figura muestra como se puede dividir la duracin de un pulso, T on para su posterior estudio, desde el punto de vista de la disipacin de potencia.
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Paso de corte a conduccin
t 2 t1 = t on
t3 t2 = t n
Intervalo de conduccin
Paso de conduccin a corte
t 4 t 3 = t off
Duracin del pulso
Ton = t on + t n + t off
Fig 2. 17 Pulso de conduccin del transistor. Corriente de colector, ic Tensin colector emisor, vCE Potencia disipada, P Todas ellas en funcin del tiempo.
Por tanto la energa perdida en el pulso tambin se puede descomponer como la suma de las energas perdidas en cada intervalo: t on, tn y toff
W( t ) = Won ( t ) + Wn ( t ) + Woff ( t )
E 2.22
Las energas perdidas se calculan aplicando la ecuacin
[E2.23]
a cada intervalo considerado.
Won = i C ( t ) v ce ( t ) dt =
t1 t3
t2
I C(sat) VCC t on 6
E 2.23
Wn = i C ( t ) v ce ( t ) dt = I C(sat) VCE(sat) t n
t2
E 2.24
Woff = i C ( t ) v ce ( t ) dt =
t3
t4
I C(sat) VCC t off 6
E 2.25
Se puede decir, por tanto, que la energa total perdida en cada pulso ser la suma de las energas obtenidas en las ecuaciones anteriores. Si se divide dicha energa entre el periodo de la seal, T se obtiene el valor medio de la potencia total disipada por el transistor:
PTOT(AV) = PROBLEMA 2.7
Won + Wn + Woff T
E 2.26
Las formas de onda de la Fig 2.16 corresponden a un pulso de salida en un transistor de potencia. Determinar las prdidas de potencia debidas a la corriente de colector en los siguientes instantes: (a) Durante ton (b) Durante el tiempo de conduccin, tn (c) Durante toff (d) Durante el tiempo de apagado o no conduccin, to Calcular tambin la potencia de prdidas total, PT y dibujar la potencia instantnea, PC (t) Datos: VCC = 250V; VBEsat = 3V; IB = 8A; VCEsat = 2V; ICE = 100A; ICEO = 3mA; td = 0.5s; tr=1s; ts = 5s; tf = 3s; fs = 10kHz (frecuencia de trabajo); k = 50% (ciclo de trabajo). Solucin: (a) Pd = 3.75mW; PT = 42.333W Pon = 42.337W. (b) Pn = 97W. (c) Ps = 10W; Pf=125W Poff = 135W. (d) Po = 0.315W [Rashid] Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid
16
En algunas ocasiones no es necesario realizar un anlisis tan completo como en el problema anterior. Hay algunos autores que optan por emplear un mtodo aproximado, considerando que la VCE (sat) = 0, y la ICEO = 0 y calculando nicamente las prdidas de potencia durante el tiempo de subida tr y el de bajada tf. Mediante esta aproximacin, solo se evala la prdida de potencia en los instantes en que se produce la conmutacin del dispositivo, que es cuando se produce una disipacin de potencia elevada, como se ha comprobado en el ejemplo anterior.
PROBLEMA 2.8
Repetir los clculos del problema 2.7 teniendo en cuenta las consideraciones y aproximaciones expuestas en el prrafo anterior.
Cuestin didctica 2.2 Observar las diferentes prdidas de potencia debidas a los diferentes tiempos y valorar cuales de ellas se pueden despreciar. Cuando la carga tiene fuerte componente inductiva la evolucin de las formas de onda de la tensin y de la intensidad son las representadas
Fig
2.18 Carga inductiva
Quedando en este caso el clculo de la disipacin de potencia: Wt ON =

Wcond
1 V I C(sat) (t 1 + t 2 ) 2 = VC ( sat ) I C ( sat ) t 5
E 2.27 E 2.28 E 2.29
Wt OFF
PTOT(AV) =
Wt ON + Wt OFF + Wcond T
1 = V I C(sat) (t 3 + t 4 ) 2
= f (Wt ON + Wt OFF + Wcond )
E 2.30
2.2.4 CONMUTACIN DEL BJT. CIRCUITOS DE CONTROL

Como consecuencia de los tiempos de retardo que se producen en el transistor, la puesta en funcionamiento del mismo en el instante deseado resulta problemtica. Inicialmente interesara una corriente de base elevada, para disminuir el tiempo de retardo, y finalmente, una corriente de base negativa, para forzar el bloqueo en el menor tiempo posible. La figura muestra la forma de onda
17
idnea de la corriente de base de un transistor bipolar para obligarle a evolucionar sin problemas, a saturacin y despus a corte de forma ptima.
Fig 2. 19 Forma de onda idnea de la corriente de base para forzar la conmutacin del transistor bipolar.
No es demasiado difcil imaginar la complejidad de un circuito que genere dicha corriente, si pensamos que el valor necesario, puede alcanzar varios amperios. La tendencia actual es la de intentar simplificar al mximo este problema. Por ello se han desarrollado distintos circuitos integrados (drivers), que con la adicin de muy pocos componentes exteriores logran generar la funcin de ataque, limitndose a un margen de frecuencias bajo, menor de 100 KHz y de potencias medias / bajas.
Circuito tpico [Enlace 2_14]
En la figura se muestra un sencillo ejemplo de circuito de control para reducir los tiempos de conmutacin de los transistores de potencia.
Ve -Ve IBmx IBmin t1 t2 IB t R1 Ve t
C1
Rc
Forma de onda [Enlace 2_15]
R2
Vcc
Fig 2. 20 Transitorios de tensin en la fuente, Ve y de corriente en la base, Ib Circuito para el control del transistor.
Cuando la seal de entrada pasa a nivel alto, R2 est cortocircuitada

E2.31
inicialmente por el condensador descargado. La corriente de base inicial: V v BE I B1 = i R1
A medida que se carga el condensador, la corriente de base disminuye y llega a un valor final de: V v BE I B2 = i E2.32 R 1 + R2 La seal de entrada pasa a nivel bajo en la puesta a corte, y el condensador cargado proporciona un pico de corriente negativa a medida que se elimina la carga de la base.
18
El tiempo de carga deseado del condensador es el que determina el valor de ste. Se necesitan de tres a cinco constantes de tiempo para cargar o descargar el condensador. La constante de tiempo de carga es:
R1 R2 = RE C1 = R +R C1 1 2
E2.33
PROBLEMA 2.8
Disee un circuito de excitacin de la base de un BJT, con la configuracin de la figura 2.18, que tenga un pico de 3A durante la puesta en conduccin y mantenga una corriente de base de 0,4A mientras el transistor est activado. La tensin v i es un pulso de 0 a 50V con un ciclo de trabajo del 50% y la frecuencia de conmutacin es de 100kHz. Suponga que v BE es de 1V cuando el transistor est conduciendo.
2.2.5 AREA DE FUNCIONAMIENTO SEGURO, SOA

Los datos proporcionados por la curva de salida incluida en las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante del dispositivo, en las que se muestran los valores de la corriente I C en relacin con la tensin colector-emisor VCE, no son suficientes para conocer si el transistor BJT se encuentra trabajando en un punto seguro, sin sobrepasar los lmites trmicos. Para ello se suministra la curva SOA (Safe Operating Area). Esta curva est definida por aquellos puntos que cumplen que el producto IC VCE no sobrepase la mxima potencia disipable permitida por el transistor elegido, es decir, definen el rea de funcionamiento seguro del transistor. En la figura 2.21 adems de la curva para un funcionamiento continuo del transistor, se encuentran otras curvas similares, con un rea mayor. Estas curvas indican el funcionamiento seguro del transistor cuando trabaja en conmutacin en los tiempos establecidos por la grfica. Zona 1: (IC (mx) continuous). Representa el mximo valor de corriente que puede circular por el colector para una tensin colector emisor dada. El funcionamiento del transistor con corrientes mayores puede dar lugar a la ruptura del mismo. Zona 2: (DC operation dissipation limites). Este tramo indica la mxima disipacin de potencia del dispositivo. Es la zona en la cul el producto de IC y VCE proporciona la disipacin mxima del dispositivo. Si esta curva es sobrepasada se producen sobrecalentamientos y la destruccin del transistor. Zona 3: (IS/B limited). Es el lmite permitido para evitar la destruccin del dispositivo por el fenmeno de ruptura o avalancha secundaria. Zona 4: (VCEO(mx)). El ltimo tramo es el lmite debido a la tensin de ruptura primaria del transistor e indica la mxima tensin que puede soportar el dispositivo en estado de bloqueo .
19
Fig 2. 21 Curva S.O.A. del transistor de potencia BDY58R, para TC = 25C. (Cortesa de RCA Bipolar Power Devices)
2.2.6 PROTECCIN DEL BJT Sobreintensidades

Las sobreintensidades estn asociadas al periodo de saturacin del transistor. Cuando aumenta la corriente IC si la tensin VCE es elevada, la disipacin de potencia se incrementa y se puede llegar a alcanzar la mxima temperatura de la unin. Conforme la corriente IC aumenta, la potencia disipada aumenta y por tanto tambin la temperatura; la resistencia interna del transistor RCE disminuye (resistencia con coeficiente negativo de temperatura), por lo que circular ms corriente por el dispositivo se disipar ms potencia que provocar un nuevo aumento del calor y as sucesivamente. Esta realimentacin positiva puede causar la destruccin del dispositivo, (Efecto segunda ruptura). Los fusibles no se pueden utilizar para proteger el BJT, ya que, la accin del transistor es mucho ms rpida que la del fusible.
Sobretensiones
Las sobretensiones estn asociadas al estado de corte del transistor bipolar. En este estado se debe prestar especial atencin a la posibilidad de ruptura primaria del dispositivo, tambin llamada ruptura por avalancha (cuando se sobrepasa la tensin mxima permitida). Las cargas minoritarias aceleradas por el campo de la unin, producido por la polarizacin inversa, colisionan rompiendo las uniones y produciendo ms cargas, las cuales tambin son aceleradas, producindose una realimentacin y la conduccin final del dispositivo.
20
Transitorios
Los transitorios de corriente y de tensin son eliminados de la misma forma para los transistores como para cualquier otro tipo de dispositivo semiconductor. Las inductancias limitan el tiempo de variacin de la corriente y los condensadores limitan el tiempo de variacin de la tensin. Las redes snubber en serie estn constituidas por una bobina L S y se usan para limitar el tiempo de subida de la corriente del transistor dic/dt en el paso a conduccin. Si la corriente I C crece muy rpidamente, conforme decrece la tensin VCE puede darse el fenmeno de ruptura secundaria. El valor de la inductancia LS puede ser calculado a partir de la relacin
di c I C Vcc = = dt t r LS
como I C = I L
LS =
VCC t r IL
E2.34
La inductancia LS se coloca en serie con la fuente de alimentacin Vcc. Para cargas inductivas, durante el paso a corte la tensin VCE no debe incrementarse muy rpidamente a medida que la corriente de colector decae, ya que, tambin podra darse el fenmeno de ruptura secundaria. Una red snubber en paralelo, formada por un condensador soluciona este inconveniente.
dVCE VCE i( t ) = = dt tf CS
E2. 35
Sabiendo que al final del paso a corte VCE = Vcc y que i I L se puede calcular el valor del condensador
CS =
IL t f Vcc
E2. 36
A continuacin vamos a ver con ms detalle estas consideraciones.
2.2.7 CIRCUITOS DE PROTECCIN DEL BJT

Con el objeto de profundizar en el funcionamiento de las protecciones del transistor, se realiza a continuacin un estudio ms detallado de la funcin de las redes snubber, as como del diseo de las mismas. Se estudiaran dos casos particulares: Red snubber para el transitorio, turn on.
Red snubber para el transitorio, turn off.
Fig 2. 22 Caracterstica de transferencia para carga inductiva con y sin red snubber. Observar que sin red snubber se sobrepasa la curva SOA en la conmutacin de conduccin a corte provocndose la destruccin del dispositivo por el efecto de segunda ruptura (zona 3) Transistor con carga inductiva y las formas de onda asociadas durante la conmutacin.
21

[Enlace 2_16]
Red snubber para el transitorio Turn on (encendido)

El objetivo de esta red es hacer que la tensin VCE disminuya mientras aumenta IC Para ello se coloca una inductancia LS en serie con el diodo Df para reducir la tensin. Este tipo de red snubber no es muy usado, los semiconductores son muy rpidos para entrar en conduccin y por esta razn no es crtico el uso de circuitos de proteccin de encendido. La reduccin de la tensin viene dada por la expresin
VCE = LS
di C I = LS o dt t ri
E 2.37
Fig 2. 23
a) Proteccin snuber para turn on (encendido).
b) VCE e IC en el transistor, con red snubber para turn on. La bobina suaviza la pendiente con lo que aumenta la corriente
Durante el estado de conduccin del transistor, la corriente Io circula por la inductancia LS. Cuando el 2 transistor pasa a corte, la energa almacenada en la inductancia (1/2 L S I o ) se disipa en la resistencia RLS a travs del diodo DLS con una constante de tiempo igual a LS/RLS. Para determinar el valor de R LS se debe tener en cuenta, por un lado que esta resistencia deber ser lo suficientemente elevada para que durante toff la intensidad iLS disminuya al menos hasta el 10% de la intensidad Io
- R LS t LS
E 2.38
i LS (t) = I o e
ln 10 <
haciendo i LS (t off ) < 0.1 I o
RLS > LS ln 10 t off
RLS t off LS
E 2.39
Red snubber para el transitorio Turn off (Apagado)

Mediante este circuito se pretende que conforme aumenta la tensin en el transistor, la corriente IC disminuya, para evitar que el producto sea elevado, limitando de este modo la disipacin de potencia del transistor. Para ello, se coloca un condensador en paralelo con el transistor. Este condensador debe absorber ms intensidad cuando la tensin empiece a crecer. Esta red: o Suaviza las formas de onda de tensin en el apagado del transistor. o Parte de las prdidas de conmutacin se trasladan a otros componentes.
22
Fig 2.24 Transistor en conmutacin con carga inductiva sin proteccin
Fig 2. 25 Red snuber para turn off.
En el intervalo de tiempo 0 < t < tf
I o = i CS + i C donde i CS =
VCS = VCE =
Cuando iC = 0 (t = tf) se verifica
I0 t tf
Io t S tf
2
E 2.40 E 2.41
1 CS
0 i CSdt = 2C
Vd = VCS =
Io t f 2C S
CS =
Io t f 2 Vd
E 2.42
23
iC I0 iDf
iC
iC
iDf
iDf
iCs
iCs
iCs
vd vCs
tf Cs pequeo
vCs Cs = Cs1
tf
vCs
tf Cs grande
Fig 2. 26 Formas de onda de la corriente y la tensin durante el turn-off. El rea sombreada representa la carga almacenada en la capacidad snubber durante el turn - off, carga que tendr que ser disipada por el transistor. El valor Cs1 se corresponde con el valor Cs calculado en la ecuacin E2.48
Cuando el transistor pasa a conduccin, ste se comporta como un cortocircuito. CS se descarga a travs del transistor, provocando una sobreintensidad que viene limitada por RS Ntese que durante el paso de conduccin a corte (on off) el condensador se carga a travs del diodo, DS y durante el paso de corte a conduccin (off on) se descarga a travs de R S. Se elige una resistencia tal que el condensador se descargue antes de que el transistor vuelva a apagarse. Es necesario un intervalo de tiempo igual a entre tres y cinco constantes de tiempo (para limitar la descarga instantnea del condensador sobre el transistor). Suponiendo que la descarga completa sean cinco constantes de tiempo
t on > R S C S R S <
t on 5 CS
E2.43
El condensador se descarga a travs de la resistencia y el transistor cuando ste entra en conduccin. 1 2 La energa almacenada, = CVS , se transfiere mayoritariamente a la resistencia, luego la 2 potencia absorbida por la resistencia es la energa dividida entre el tiempo, siendo ste el periodo de conmutacin. 1 CVS 1 E2.44 2 PR = = CVS2 f T 2
Tensin [Enlace 2_17]
Intensidad [Enlace 2_18]
A continuacin podemos ver las distintas formas de onda de tensin e intensidad para un circuito con carga RL sin proteccin, otro con carga RL y proteccin por diodo y otro con carga RL y proteccin por red Snubber.
Transistor en conmutacin con carga inductiva [Enlace 2_19] Circuito con carga RL en paralelo y proteccin [Enlace 2_20]
24
Comparacin de la conmutacin con carga inductiva sin proteccin, con diodo volante en paralelo con la bobina y Red Snubber RC en paralelo con el transistor (es interesante ver la escala del eje x) [Enlace 2_21] Caractersticas 2N3055 [Enlace 2_11] Formas de onda de tensin [Enlace 2_22]
2.3 El Transistor Mosfet de Potencia

D Drenador ID
1. El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de

los elementos que lo componen; una fina pelcula metlica (Metal - M); oxido de silicio (xido - O); regin semiconductora (Semiconductor - S). 2. El mosfet es un dispositivo unipolar, la conduccin slo es debida a un tipo de portador.
[Enlace 2_23]
Puerta G IG Vgs S IS Surtidor
3. Las aplicaciones ms tpicas de los transistores de
Fig 2.27 Mosfet de Potencia de canal N. Simbologa.
potencia MosFet se encuentran en la conmutacin a altas frecuencias, chopeado, sistemas inversores para controlar motores, generadores de altas frecuencia para induccin de calor, generadores de ultrasonido, amplificadores de audio y trasmisores de radiofrecuencia.
4. De los dos tipos existentes de MOSFET (acumulacin y deplexin), para aplicaciones de elevada potencia nicamente se utilizan los MOSFET de acumulacin, preferiblemente de canal N. Como se puede observar en la figura 2.27 el Mosfet de canal N conduce cuando V GS > 0 Las caractersticas ms importantes que distinguen a los MOSFET de otros dispositivos son las siguientes: Alta velocidad de conmutacin, llegando a MHz. No presentan el fenmeno de segunda ruptura por lo que el rea de trabajo seguro (SOA) mejora con respecto del BJT El control se realiza mediante la tensin aplicada entre los terminales de puerta y surtidor (VGS), lo que reduce considerablemente tanto la complejidad como la potencia de los circuitos de disparo. Las tensiones mximas de bloqueo son relativamente bajas en los MOSFET de alta tensin (< 1000V) y las corrientes mximas moderadas (< 500A).
5. Tambin presentan algunos inconvenientes que interesa resaltar. Los Mosfet tienen el
problema de ser muy sensibles a las descargas electrostticas y requieren un embalaje especial. Su proteccin es relativamente difcil. Son ms caros que sus equivalentes bipolares y la resistencia esttica entre Drenador - Surtidor, es ms grande, que la Colector - Emisor lo que provoca mayores perdidas de potencia cuando trabaja en conduccin. 6. El modo de funcionamiento de un MOSFET de potencia es anlogo al de pequea seal. Aplicando las tensiones apropiadas entre la puerta y el surtidor (V GS) del dispositivo se controla la anchura del canal de conduccin y en consecuencia se puede modular el flujo de portadores de carga que atraviesa el semiconductor. En modo interruptor, se aplican pulsos de tensin durante el estado ON y se retiran (o se aplican con polaridad contraria) en el estado OFF
Mosfet [Enlace 2_24]
25
En el MOSFET de pequea seal, el canal de conduccin se establece en horizontal, geometra que limita las tensiones de bloqueo. Dado que en la mayora de aplicaciones de potencia se necesitan tensiones de bloqueo elevadas (> 100V), el canal de conduccin se construye siguiendo una estructura vertical (VDMOS, SIPMOS) con la que se consiguen mayores tensiones de bloqueo.
Canal de conduccin [Enlace 2_25]
En la figura se observa claramente una estructura pnp, que constituye el denominado BJT parsito del MOSFET, en el cual la base est conectada al sustrato. El principal inconveniente de la presencia del BJT parsito es que podra entrar en conduccin si la tensin de base y emisor alcanza valores significativos (> 0,10V). Para evitarlo, se realiza un cortocircuito entre el sustrato y el surtidor (es decir, entre base y emisor) de manera que se evita el riesgo de conduccin del NJT parsito. Pero parecera un diodo parsito entre drenador y surtidor.
Estructur a pnp [Enlace 2_26]
La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJT) y los Mosfet consiste en que estos ltimos son controlados por tensin aplicada en la puerta (G) y requieren solo una pequea corriente de entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT), son controlados por corriente aplicada a la base.
PROBLEMA 2.9
El convertidor y el circuito de proteccin de la figura tienen Vs=100V e IL=5A. La frecuencia de conmutacin es de 100kHz, con un ciclo de trabajo del 50%, y el transistor se apaga en 0,5s. Determinar: (a) Las prdidas de apagado sin circuito de proteccin, si la tensin del transistor llega a Vs en 0,1s. (b) Disee un circuito de proteccin usando el criterio de que la tensin del transistor alcance su valor final al mismo tiempo que la corriente del transistor llega a cero. (c) Determine las prdidas del transistor durante el apagado y la potencia disipada en la resistencia al aadir el circuito de proteccin. Solucin: (a) PQ = 15W; (b) 0,0125F, R = 80; (c) PQ = 2,08W, PR = 6,25W
2.3.1 REGIONES DE TRABAJO DEL MOSFET

La curva caracterstica aporta informacin acerca de cmo vara la intensidad del Drenador, ID para una tensin drenador - surtidor, VDS que se mantiene fija, variando la tensin aplicada entre la puerta y el surtidor Vgs.
Curvas caractersticas del Mosfet: [Enlace 2_27] [Enlace 2_28]
Fig 2. 28 Curva caracterstica correspondiente a un Mosfet de acumulacin de canal N. Observar la divisin en tres regiones: Ohmica, Activa, Corte.
26
Regin hmica.
Esta regin se utiliza cuando acta el Mosfet como una resistencia dependiente de VGS en estado encendido. En esta regin el valor de VDS ser:
VDS = VGS - VGS(th)
E 2.45
Una definicin de la regin hmica, parte de la caracterstica que satisface la condicin que
VGS - VGS(th) VDS
E 2.46
Esta regin tiene una baja resistencia entre el drenador - surtidor, RDS(ON) un valor tpico para un Mosfet de potencia trabajando a 500V y 10A es de 0.5 En funcionamiento interruptor, las prdidas de potencia durante la conduccin son:
PON = R DSon I 2 DRM

Resistencia en conduccin [Enlace 2_29] Ejemplos de Mosfets comerciales [Enlace 2_30]
E 2.47
Regin Activa (Saturacin de Canal)

En esta regin el transistor Mos funciona como amplificador. Para un valor de VGS, que ser como mnimo VGS(th) se produce el paso de corriente entre el drenador y el surtidor. En la regin activa el valor de la tensin entre puerta y surtidor, VGS controla la magnitud de la corriente del drenador, ID as como la tensin entre el drenador y el surtidor VDS. Para esta regin se cumplen las siguientes ecuaciones. VGS > VGS(th) VGS - VGS(th) < VDS
I d = K (VGS - VT ) 2 donde K= n C ox 2L
E 2.48
E2.49
n = movilidad de los portadores de carga Cox = capacidad de compuerta = anchura del canal L = Longitud del canal
Regin de Corte
Si se cierra el circuito exterior, esto no significa que se cambie el estado del dispositivo, si la tensin aplicada entre Puerta - Surtidor es inferior a Vth, el dispositivo continuar en la regin de corte. En esta regin la corriente que circula por el drenador es prcticamente nula. En los Mosfet de potencia Vth suele ser algo mayor que 2 V. Para esta regin se cumplen las siguientes condiciones:
VGS < VGS(th) VDS 0 ID 0
E 2.50
27
Fig 2.29 Zona de operacin segura (SOA) en un MOSFET de Potencia (iD y VDS en escala logartmica)
2.3.2 CIRCUITOS DE EXCITACIN PARA MOSFET

El Mosfet es un dispositivo controlado por tensin, que resulta relativamente simple de activar y desactivar, lo cual es una ventaja repecto al transistor bipolar de unin. El estado de conduccin se consigue cuando la tensin puerta-fuente sobrepasa de forma suficiente la tensin umbral, lo que fuerza al MOSFET a entrar en la regin de trabajo hmica. Normalmente, la tensin puerta-fuente del MOSFET para el estado activado en circuitos conmutados est entre 10 y 20 V. El estado desactivado se consigue con una tensin menor que la tensin umbral. Las corrientes de puerta para los estados de encendido y apagado son esencialmente cero. Sin embargo, es necesario cargar la capacidad de entrada parsita para poner al MOSFET en conduccin, y descargarla para apagarlo. Las velocidades de conmutacin vienen determinadas bsicamente por la rapidez con que la carga se puede transferir hacia y desde la puerta. Un circuito de excitacin para MOSFET debe ser capaz de absorber y generar corrientes rpidamente, para conseguir una conmutacin de alta velocidad. En la figura 2.30 se pueden ver tres ejemplos de circuitos excitadores, el elemental y dos mejorados. El circuito de excitacin elemental de la figura excitar al transistor, pero el tiempo de conmutacin puede que sea inaceptablemente elevado para algunas aplicaciones. Adems, si la seal de entrada proviene de dispositivos lgicos digitales de baja tensin, puede que la salida lgica no sea suficiente para poner al MOSFET en conduccin. El circuito de excitacin Ttem-Pole de la figura mejora al elemental. El doble seguidor de emisor o Totem-Pole consiste en un par de transistores bipolares NPN y PNP acoplados. Cuando la tensin de excitacin de entrada est a nivel alto, Q 1 conduce y Q2 est apagado, haciendo conducir al MOSFET. Cuando la seal de excitacin de entrada est a nivel bajo, Q 1 est al corte y Q2 conduce, eliminando la carga de la puerta y apagando el MOSFET. En el circuito excitador integrado, con buffer Ttem-Pole la seal de entrada proviene de un circuito TTL de colector abierto usado como circuito de control, con el Ttem-Pole utilizado como buffer para suministrar y absorber las corrientes de puerta requeridas
28
En aplicaciones de baja potencia algunos circuitos integrados tienen salidas con circuitos preparados para absorber y generar corrientes capaces de excitar directamente a los transistores Mosfet, un ejemplo es el circuito de control PWM SG1525A, ste consta de un par de transistores NPN para cada salida. Los transistores de cada pareja son excitados como transistores de activacindesactivacin complementaria, con un transistor generando corriente y otro absorbiendo corriente .
IRF630 [Enlace 2_31]
Fig 2. 30 Circuitos de excitacin del MOSFET
2.4 Transistor Bipolar de Puerta Aislada, IGBT

C G E
Fig 2. 31 IGBT. Simbologa
El Transistor Bipolar de Puerta Aislada, IGBT Insulate Gate Bipolar Transistor combina las ventajas de los BJT y los Mosfet. Tiene una impedancia de entrada elevada, como los Mosfet y bajas perdidas en conmutacin, como los BJT, pero sin el problema de la segunda ruptura, por lo que puede trabajar a elevada frecuencia y con grandes intensidades.
El circuito simplificado equivalente lo podemos ver en el siguiente enlace.

29
[ Enla ce 2_32] Los IBGT fueron desarrollados hace relativamente poco tiempo, pero su evolucin ha sido rpida debido a que han demostrado tener una resistencia en conduccin muy baja y una elevada velocidad de conmutacin (la transicin desde el estado de conduccin al de bloqueo se puede considerar de unos dos microsegundos, y la frecuencia puede estar en el rango de los 50KHz), adems de una elevada tensin de ruptura. Los IGBT pueden soportar unas tensiones de 1400V y unas corrientes de 300A. El control por tensin hace que el IGBT sea ms rpido que el BJT, pero ms lento que el Mosfet. La energa aplicada a la puerta que activa el dispositivo es pequea con una corriente del orden de los nanoamperios, esta pequea potencia necesaria para conmutar el dispositivo, hace que pueda ser controlado por circuitos integrados. Los IGBTs son similares a los MOSFET en cuanto a requerimientos de excitacin.
Caractersticas IGBT [Enlace 2_33] IGB20N120 [Enlace 2_34] Comparacin IGBT-Mosfet [Enlace 2_35]
En el [Enlace 2_36] se observa la comparacin entre IGBT y MOSFET con el mismo rea de semiconductor, en la que se puede ver que la cada de tensin es menor en el IGBT y por tanto tendremos menores prdidas en conduccin.
Fig 2. 32
El problema que plantea el IGBT es un coeficiente de temperatura negativo implicando que a mayor temperatura, menor cada de tensin y por tanto aumenta la corriente, provocando un aumento de la temperatura de la unin. Esto ser un problema cuando se quieran colocar varios en paralelo, como ocurra con el bipolar. Este elemento semiconductor est desplazando a los dems en potencia media.
30
2.5 Optoacopladores
Anodo 1 Ctodo 2
Fig 2. 33 Optoacoplador. Simbologa
3 Colector 4 Emisor
Un optoacoplador es un dispositivo semiconductor formado por un fotoemisor y un fotorreceptor. Todos estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP.
La seal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del fotorreceptor. Los optoacopladores son capaces de convertir una seal elctrica en una seal luminosa modulada y volver a convertirla en una seal elctrica. La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento elctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida. Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten rayos infrarrojos (IRED) y los fotorreceptores pueden ser tiristores o transistores. Se utilizan como circuitos de corriente de excitacin de dispositivos semiconductores de potencia.
4N2X [Enlace 2_36]
2.6 Rels de Estado Slido, SSR

Un rel de estado slido SSR (Solid State Relay), es un circuito electrnico que contiene en su interior un circuito disparado por nivel, acoplado a un interruptor semiconductor, un transistor o un tiristor. Un SSR es un producto construido y comprobado en una fbrica, no un dispositivo formado por componentes independientes que se han montado sobre una placa de circuito impreso.
Circuito de entrada o de control OPTOACOPLADOR Acoplamiento Circuito de conmutacin o de salida
Tensin de control
Fotodetector de paso por cero SCR
Tensin de conmutacin
Fig 2. 34 Diagrama de bloques para un Rel de Estado Slido, SSR
Circuito de Entrada o de Control

Control por tensin continua. El circuito de entrada suele ser un fotodiodo, solo o con una resistencia en serie, tambin se pueden encontrar modelos con un diodo en antiparalelo para evitar la inversin de la polaridad por accidente. Los niveles de entrada son compatibles con TTL, CMOS, y con valores normalizados 12V, 24V, etc.). Control por tensin alterna. El circuito de entrada suele ser como el anterior incorporando un puente rectificador integrado y una fuente de corriente continua para polarizar el diodo led.
Acoplamiento
El acoplamiento con el circuito se realiza por medio de un optoacoplador o por medio de un transformador que se encuentra acoplado de forma magntica con el circuito de disparo del Triac.
Circuito de Conmutacin o de Salida

31
El circuito de salida contiene los dispositivos semiconductores de potencia con su correspondiente circuito excitador. Este circuito ser diferente segn el tipo de corriente que se necesite conmutar, cc o ca.
32
Bibliografa bsica
RASHID, MUHAMMAD H.: Electrnica de Potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones. Ed. Prentice Hall Hispanoamericana, S.A., Mxico 1995. HART,D.: Electrnica de Potencia. Prentice Hall.2001
Bibliografa ampliacin
MOHAN, N.: Power electronics: converters, applications, and design. John Wiley & Sons, 2003 ASHFAQ AHMED: Power electronics for technology. Prentice Hall, 1999 FISHER, M.: Power electronics. PWS-KENT, 1991
Enlaces web interesantes

www.irf.com www.onsemi.com www.semikron.com
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2.1 Diodo de Potencia

Fig 2.1 Diodo de potencia. Simbologa

2.1.1 CARACTERSTICAS ESTTICAS

Modelos estticos del Diodo

Curva real de un dispositivo [Enlace 2_2]

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Fig 2. 3 Simbologa empleada

Parmetros en estado de bloqueo

Fig 2. 4 Parmetros en estado de bloqueo. Tensiones inversas en el diodo

Parmetros en estado de conduccin

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Potencia media disipada por el diodo en conduccin

Fig 2.5 Potencia instantnea disipada por el diodo en conmutacin

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

2.1.2 CARACTERSTICAS DINMICAS DEL DIODO DE POTENCIA

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Paso de conduccin a corte, Turn off

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Paso de corte a conduccin, Turn on

2.1.3. TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA Diodo rectificador normal

Diodo de barrera Schottky

Diodo de recuperacin rpida

2.1.4. ASOCIACIN DE DIODOS DE POTENCIA

Asociacin de diodos en serie

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Fig 2. 10 Tensiones inversas y corrientes de fuga en dos diodos distintos

Fig 2. 11 Asociacin de diodos en serie

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Asociacin de diodos en paralelo

La potencia en cada rama ser:

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA La cada de tensin en cada rama ser:

V = R I1 + VD1 = 0.03 55 A + 1.5 V

Solucin: (a) R=0.06; (b) PR=75.8W; (c) V=2.95V

2.2 Transistor Bipolar, BJT

Fig 2. 13 Transistor de Potencia. Simbologa

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

2.2.1 CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

En funcin de la polarizacin B-E, se pueden definir otras caractersticas:

Parmetros en el 2N3055 [Enlace 2_10]

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

La polarizacin base - emisor. El gradiente de tensin (dV/dt).

Fig 2. 14 Caracterstica V - I de un transistor NPN bipolar de potencia.

La corriente de colector en saturacin es:

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

VCC VCEsat 200 V 1.0 V = I CS = 18.091 A RC 11 I CS 18.1 A = I BS = 2.263 A min 8 IB I BS

La corriente de base en saturacin es:

I B = I BS ODF = 2.263 A 5 I B = 11.313 A

VB VBEsat 10 V 1.5 V = IB 11.313 A I CS 18.091 A = I B 11.313 A

La forzada, f, mide la relacin entre ICS e IB