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CARACTERISTICA DS ELTRANSISTOR BIPOLAR 581

l. tr'an-out o capacidad de carga, especifica er nmero de cargas normales que pueden accionarse co.t ia salida de la compuertaiin menoscabo de su operacin normal. una carga normal se define como Ia corriente que fluye en la entrada de ,r.ru de la mis"o-p.rerta ma familia. 2. Di'sipacin de potencio es la-potencia consumida por una compuerta, la cual debe ser suministrada por la fuente de poder. 3. Retardo de propagacin es el tiempo de retardo de transicin promedio para que la seal se propague de la entrada a la salida, cuando las seales cambian en valor. 4. Margen de ruido es el lmite del voltaje de ruido que puede estar presente sin menoscabo de la operacin adecuada dei circuito. El transistor de juntura bipolar (BJT), es el transistor familiar de juntura npn o pnp. En contraste, el transistor de efecto de campo (FETi, se dice que es unipolar. La operacin del transistor polar depenl aer flujo de dos tipos de portadores: electrones y huecos. un iransistr unipolar depende del flujo de un tipo de portador mayoritario que pueden ser electrones (canal n) o huecos cinco familias lgicas listadas previamente, RTL, lcg1alrl._Las_primeras DTL, TTL, ECL e I2L, usan transistores ipolares. Las ltimas dos familias lgicas Mos y cMos usan un tipo de transistor unipolar llamado transistor de efecto de campo semiconductor de xido de metal, abreviado MoSFET o Mos como apstrof'e.Se comenzar describiendo las caractersticas del tansistor bipolar y las compuertas bsicas usaclas familias lgicas bipolares. Se explicar la operacin del transistor 9l^lT MOS en asocio con sus dos familias lgicas.

13-2 CARACTERISTICD AS EL T R A N S I S T OB RI P O L A R
Esta seccin est dedicadaal repasodel transistor bipolar, como se aplica a circuitos digitales. Esta informacin se usar para t unlirir del ciicuito bsico en las cinco familias lgicas bipolares.Los transistoresbipolares puedenser del tipo g.r-"?pl o pnp.Adems, llos estn construidos nio o material de silicn semiconductor.Los transistorescI, sin "o' son hechoscon silicn y son comnmentedel tipo npn. "-Tu.go, Los datos bsicosnecesarios para el anlisis de tos circuitos digitales, pueden ser obtenidos por inspeccin de las curvas tpicas caractersticas del transistor de silicn npn de emisor comn, mostraoen la Figura ts-i. El circuito en (a) es un simple inversor con dos resistencias y un transistor. La corriente marcada r. fluye a travs de Ia resistenciaR" y el colector del transistor. La corriente 1, fluye a travs de la resisiencia R, y la base del transistor. El emisor se conectaa tierra y su corriente Ir ! I, * Io' El suministro de voltaje est entre vrc y - tieira. La entrada est en-treV, y tierra. y la salida entre V, y tierra. se asume una direccin positiva para las corrientesde la manera indicada. Esas son las direcciones en las cualesfluye la corriente normalmen-

I
I

t I

il

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It

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(a) Circuito invesor

tc (mA.
l'c (' R;

0,6 0,5 u,4

0.:i It : fi,ZmA
(V) V'.r,
(b) Caracteristica rle labase de t.ransistor Figura 1l)-2

(c aracterstica delcolector
del transislor

(l:rracteristir:as ciel tansistor de siiicn npn

te en un transistor npn. Las corrientes de colector y base,I" e 1, son positivas cuando fluyen ar transistor. La corriente de .I, es positrva c*ando fluye fuera del tansistor, cre la manera ;;*; "-r.o, .r" inelica pr.rria fleciia e' el terminal clel er'isor" El srnbolo v;." signid;a ia cuiaa de volta-ie dei colector al emisor y es.siempre positiva. corresp.ndientemente, \'",, es la cada de voltaje-en la ju'tu. base emisor- sta juntura se polariza directarncnte cuando vnr, *u positivo. s. p"i"ri inversamente cuando lr'r, es negatrvo. La caracterstica grfica base emisor se muestra en la Figura rB-2(b). Esta es-una grfica de v"r, versus 1,,. si el voltaje bure es menilr que 0,6 v'- se-diceque el transistor est en corte y n o f l u y e"-i.o. corriente de base. c'uando la juntura base emisor est polarida ire"t"*errte con un voltaje mayor que 0,6 v, ei transistor condu u fo' ,"*;u"ru a subir m'y rpido, mie-ntras eue "u travs der J i", .v cambia muy poco. El voltaje D) transistor de conduccin " raras veces xede 0,g V. Las caractersticas grficas coiector emisr-r, conjuntamente con la linea de carga se muestran en la Figura 13-2(c).cuanclo ;, * " " o r q u e ( ) , 6v . el transistor est en corte cotr 1, : 0 y fluye una " r Aespreciable en "o."""t" 582