MATERIALES SEMICONDUCTORES

La mayor parte de los dispositivos electrnicos modernos estn fabricados a partir de semiconductores. Para comprender el funcionamiento de estos dispositivos cuando se insertan en un circuito elctrico, es necesario conocer el comportamiento de los componentes desde un punto de vista fsico. Por ello, en este tema se presentan las propiedades y caractersticas fundamentales de este tipo de materiales. Si los conductores son materiales que disponen de electrones libres y los aislantes carecen de ellos, los semiconductores se encuentran en una situacin intermedia: a la temperatura de 0 K se comportan como aislantes, pero mediante una aportacin de energa puede modificarse esta situacin, adquiriendo un comportamiento ms cercano al de los conductores. Los materiales semiconductores de uso comn en la tecnologa microelectrnica son el silicio, el germanio y el arseniuro de galio. Se trata de elementos del grupo IV de la tabla peridica, o bien combinaciones de elementos de los grupos III y V. De todos ellos, el ms empleado actualmente es el silicio, por lo que la discusin en este tema va a estar centrada en dicho elemento. No obstante la gran mayora de lo aqu expuesto puede aplicarse a cualquier semiconductor.

1 ESTRUCTURA DEL SILICIO

El silicio es un elemento con una gran cantidad de aplicaciones. Es el segundo elemento ms abundante en la corteza terrestre (despus del oxgeno) con un porcentaje en peso del 25,7%. Est presente en multitud de materiales, tan diversos como la arena, la arcilla, el vidrio o el hueso. El silicio puro no se encuentra en la naturaleza, pero bajo las condiciones adecuadas pueden obtenerse en forma de estructuras monocristalinas. En stas los tomos se disponen segn una red tipo diamante con simetra cbica, en donde cada tomo forma enlaces covalentes con otros cuatro adyacentes. As todos los tomos tienen la ltima rbita completa con ocho electrones (Figura 1).

Figura 1: Estructura cristalina del silicio puro

En la figura se aprecia que todos los electrones de valencia estn asociados a un enlace covalente. Por tanto, al no existir portadores libres, el silicio puro y monocristalino a 0 K se comporta como un material aislante.

2 PORTADORES DE CARGA. EL ELECTRON Y EL HUECO

En los materiales conductores la circulacin de corriente es posible gracias a la existencia de electrones libres. En los semiconductores tambin son los electrones los responsables de la corriente. Sin embargo, puesto que en este caso provienen de un enlace covalente y no de una nube electrnica, el fenmeno es ms complejo, y para su explicacin se introduce un nuevo portador de carga ficticio: el hueco.

2.1 GENERACION TERMICA DE PORTADORES. EL ELECTRON Y EL HUECO

Si se eleva la temperatura del monocristal de silicio por encima de 0 K, parte de la energa trmica permite liberar alguno de los electrones. Ello produce dos efectos: 1. Aparece un electrn libre capaz de moverse a travs de la red en presencia de un campo elctrico. 2. En el tomo al que se asociaba el electrn aparece un defecto de carga negativa, es decir, una carga positiva, que se denomina hueco. Globalmente, el cristal mantiene la neutralidad elctrica, ya que no ha ganado ni perdido cargas. Cuando se producen electrones libres en un semiconductor nicamente por agitacin trmica, existen huecos y electrones en nmeros iguales, porque cada electrn trmicamente excitado deja detrs de s un hueco. Un semiconductor con un nmero igual de huecos y electrones se denomina intrnseco. Recapitulando, los semiconductores se diferencian:

de los aislantes: La energa para liberar un electrn es menor en el semiconductor que en el aislante. As a temperatura ambiente el primero dispone ya de portadores libres. de los conductores: Los semiconductores poseen dos tipos de portadores de carga: el electrn y el hueco.

En el caso del silicio puro monocristalino, el nmero de portadores libres a temperatura ambiente es lo suficientemente bajo como para asegurar una alta resistividad.

2.2 RECOMBINACION DE PARES ELECTRON-HUECO

Tal y como se acaba de explicar, el hueco es un enlace covalente "no satisfecho". Si un electrn atraviesa la zona en la que se encuentra el hueco puede quedar atrapado en l. A este fenmeno se le denominarecombinacin, y supone la desaparicin de un electrn y de un hueco. Sin embargo, como en el caso anterior, el material mantiene su neutralidad elctrica.

2.3 IMPURIFICACION O DOPADO DE LOS SEMICONDUCTORES

En un semiconductor intrnseco las concentraciones de huecos y de electrones pueden alterarse mediante la adicin de pequeas cantidades de elementos llamados impurezas o dopantes, a la composicin cristalina. Como veremos a lo largo de este curso, es esta caracterstica de los semiconductores la que permite la existencia de circuitos electrnicos integrados.

La cuestin es: Qu sucede si adems de elevar la temperatura por encima de 0 K consideramos la presencia de impurezas en el silicio?. Supongamos que sustituimos un tomo de silicio (que pertenece al grupo IV) por otro de fsforo (grupo V), pentavalente. Como slo hay la posibilidad de establecer cuatro enlaces covalentes con los tomos de silicio adyacentes, un electrn quedar libre. Teniendo en cuenta esto, es fcil deducir que es lo que ocurrir si se sustituye un tomo de silicio por otro de un elemento perteneciente al grupo III, el boro por ejemplo: evidentemente se introducir un hueco, ya que el boro solo aporta tres electrones de valencia. Las dos situaciones se clarifican en la Figura 2.

Figura 2: Introduccin de impurezas en el silicio Si la introduccin de impurezas se realiza de manera controlada pueden modificarse las propiedades elctricas en zonas determinadas del material. As, se habla de dopado tipo P N (en su caso, de silicio P N) segn se introduzcan huecos o electrones respectivamente. Centrmonos ahora en el silicio tipo P. En la prctica, a temperatura mayor que cero este material estar formado por:

Huecos procedentes del dopado. Huecos procedentes de la generacin trmica de pares e-/h+. Electrones procedentes de la generacin trmica de pares e-/h+. Electrones y huecos procedentes de impurezas no deseadas.

Habitualmente, a temperatura ambiente, el nivel de dopado es tal que los huecos procedentes de l superan en varios rdenes de magnitud al resto de portadores. Ello confiere el carcter global P del material. Sin embargo, ha de tenerse en cuenta que existen electrones. En este caso, los huecos son los portadores mayoritarios, y los electrones los minoritarios. Si se trata de un material de tipo N, los portadores mayoritarios sern los electrones, y los minoritarios los huecos. Con la tabla siguiente se pretende rematar estos conceptos. Material Silicio Puro Silicio tipo P Silicio tipo N Portadores mayoritarios Huecos Electrones Portadores minoritarios Electrones Huecos

Hay que resaltar nuevamente que el dopado no altera la neutralidad elctrica global del material.

3 INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA SOBRE LOS SEMICONDUCTORES

Al presentar el concepto de portadores mayoritarios y minoritarios se ha asumido una hiptesis de trabajo: que a temperatura ambiente (25C) la concentracin de portadores provocada por generacin trmica es mucho menor que la causada por los dopados. Pues bien, si se eleva la temperatura sobre la de ambiente se aumentar la tasa de pares electrn/hueco generados. Llegar un momento en el que, si la temperatura es lo suficientemente elevada, la cantidad de pares generados enmascare a los portadores presentes debidos a la impurificacin. En ese momento se dice que el semiconductor es degenerado, y a partir de ah no se puede distinguir si un material es de tipo N P: es la temperatura a la cual los dispositivos electrnicos dejan de operar correctamente. En el caso del silicio, esta temperatura es de 125 C.

4 CONDUCCION ELECTRICA EN SEMICONDUCTORES

Dada la especial estructura de los semiconductores, en su interior pueden darse dos tipos de corrientes:

Corrientes por arrastre de campo Corrientes por difusin

En los siguientes subapartados se explica cada unos de estos tipos de conduccin.

1 CORRIENTE POR ARRASTRE DE CAMPO

Supongamos que disponemos de un semiconductor con un cierto nmero de electrones y de huecos, y que aplicamos en su interior un campo elctrico. Veamos que sucede con los portadores de carga: Electrones libres: Obviamente, la fuerza que el campo elctrico ejerce sobre los electrones provocar el movimiento de estos, en sentido opuesto al del campo elctrico. De este modo se originar una corriente elctrica. La densidad de la corriente elctrica (nmero de cargas que atraviesan la unidad de superficie en la unidad de tiempo) depender de la fuerza que acta (qE), del nmero de portadores existentes y de la "facilidad" con que estos se mueven por la red, es decir: Je = en(qE) en donde:

Je = Densidad de corriente de electrones e = Movilidad de los electrones en el material n = Concentracin de electrones q = Carga elctrica E = Campo elctrico aplicado

La movilidad e es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de movimiento del electrn a travs de la red cristalina. Huecos: El campo elctrico aplicado ejerce tambin una fuerza sobre los electrones asociados a los enlaces covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrn perteneciente a un enlace

cercano a la posicin del hueco salte a ese espacio. As, el hueco se desplaza una posicin en el sentido del campo elctrico. Si este fenmeno se repite, el hueco continuar desplazndose. Aunque este movimiento se produce por los saltos de electrones, podemos suponer que es el hueco el que se est moviendo por los enlaces. Este ltimo prrafo se entiende a la perfeccin con Figura 3.

Figura 3: Movimiento de los huecos debido al movimiento de los electrones La carga neta del hueco vacante es positiva y por lo tanto, se puede pensar en el hueco como una carga positiva movindose en la direccin del campo elctrico. Obsrvese que los electrones individuales de enlace que se involucran en el llenado de los espacios vacantes por la propagacin del hueco, no muestran movimiento continuo a gran escala. Cada uno de estos electrones se mueve nicamente una vez durante el proceso migratorio. En contraste, un electrn libre se mueve de forma continua en la direccin opuesta al campo elctrico. Anlogamente al caso de los electrones libres, la densidad de corriente de huecos viene dada por: Jh = hp(qE) en donde:

Jh = Densidad de corriente de huecos h = Movilidad de los huecos en el material p = Concentracin de huecos q = Carga elctrica del hueco: igual y de signo opuesto a la del electrn E = Campo elctrico aplicado

La movilidad h es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de movimiento del hueco a travs de los enlaces de la red cristalina. La "facilidad" de desplazamiento de los huecos es inferior a la de los electrones. Consideremos ahora el caso de un semiconductor que disponga de huecos y electrones, al que sometemos a la accin de un campo elctrico. Hemos visto cmo los electrones se movern en el sentido opuesta a la del campo elctrico, mientras que los huecos lo harn en segn el campo. El resultado es un flujo neto de cargas positivas en el sentido indicado por el campo, o bien un flujo neto de cargas negativas en sentido contrario. En definitiva, se mire por donde se mire, la densidad de corriente global es la suma de las densidades de corriente de electrones y de huecos: J = Jh + Je = hp(qE) + en(qE)

2 CONDUCCION POR DIFUSION DE PORTADORES

Antes de entrar en el fenmeno de conduccin por difusin vamos a explicar el concepto de difusin. Imaginad (el que no tenga mucha imaginacin que mire la Figura 4) que tenemos una caja con dos compartimentos separados por una pared comn. En un compartimento introducimos un gas A, y en el otro un gas B.

Figura 4: Difusin de dos gases a travs de una membrana porosa Si en un momento determinado se abre una comunicacin entre las dos estancias parte del gas A atravesar la pared para ocupar el espacio contiguo, al igual que el B. El resultado final es que en ambas estancias tendremos la misma mezcla de gases A+B. La difusin de partculas es un mecanismo de transporte puramente estadstico, que lleva partculas "de donde hay ms, a donde hay menos", siempre que no haya ninguna fuerza externa que sea capaz de frenar dicho proceso. Matemticamente puede expresarse esta idea mediante la primera ley de Fick, que establece que el flujo de partculas que atraviesa una superficie (J partculas/s/m 2) es proporcional al
gradiente de concentracin (c partculas/m3) de dichas partculas:

A la constante de proporcionalidad se le denomina difusividad, y tiene dimensiones de m2/s.

Qu aplicacin tiene esto a la conduccin en los semiconductores?. Pensad en lo qu sucedera si, por las razones que sean, tuviramos un semiconductor tipo P cuya concentracin de huecos no fuera constante, sino variable segn la direccin x. Los huecos tendern a emigrar de la regin de alta concentracin a la de baja concentracin. Esta migracin de portadores, que se muestra en la Figura 5, es un proceso puramente estadstico, originado por el movimiento trmico aleatorio de los portadores. No est relacionado con la carga de los mismos o con la presencia de ningn campo elctrico.

Figura 5: Densidad de corriente de difusin de huecos La difusin no depende del valor absoluto de la concentracin de portadores, sino de solamente de su derivada espacial, es decir, de su gradiente. En los metales, la difusin no es un proceso de importancia, porque no existe un mecanismo mediante el cual se pueda generar un gradiente de densidad. Dado que un metal nicamente hay portadores negativos de carga, cualquier gradiente de portadores que se pudiera formar desequilibrara la neutralidad de la carga. El campo elctrico resultante creara una corriente de arrastre, que de manera instantnea anulara el gradiente antes de que pudiera darse la difusin. Por contra, en un semiconductor hay portadores positivos y negativos de carga, por lo que es posible la existencia de un gradiente de densidad de huecos y de electrones, mientras se mantiene la neutralidad de la carga. En un semiconductor, los componentes de la densidad de corriente de difusin pueden expresarse de forma unidimensional mediante la ecuacin:

en donde:

Jdifusin = Densidad de corriente de difusin q = Carga del electrn De, Dh = Difusividad de los electrones y de los huecos n = Concentracin de electrones p = Concentracin de huecos

El segundo trmino de la expresin tiene signo negativo porque la pendiente negativa de los huecos da lugar a una corriente de los huecos.

1. Calcular el nmero de portadores generados debido a la temperatura a 300K para silicio y el arseniuro de galio. 1. Apoyndose en el apartado anterior, estimar la resistividad del Silicio y el arseniuro de galio a 300K. Datos: La movilidad de los electrones y huecos en el arseniuro de galio a 300K es de 8600 cm2/s y 250cm2/s respectivamente. 1. Explique porqu, segn la grfica de densidad de dopado - resistividad, para una misma densidad de dopado la resistividad es mayor cuando se utiliza el boro y no el fsforo. 1. Si se desea obtener silicio tipo P con una resistividad de 1 Wcm a 300K, indicar con que material y concentracin de dopante que se debe emplear. y si se deseara obtener silicio N de idntica resistividad? 1. Se define la resistencia por cuadrado de un material como el cociente entre la resistividad y el espesor, tal y como se indica en la figura

La resistencia por cuadrado representa la resistencia entre dos caras opuestas verticales. Si se considera que t vale 0.8mm, calcular la densidad de dopado tipo P para que la resistencia por cuadrado valga 1kW. 1. Se quiere realizar en un proceso de fabricacin estndar una resistencia de 375kW. Si el proceso se realiza con tecnologa de 0.8mm y en las que t=0.4mm y el dopado ND=1015 at/cm3. Calcular 2. la resistencia por cuadrado 3. las dimensiones de la resistencia 4. El nmero de cuadrados que forman la resistencia de 375kW. 1. Si los coeficientes de difusin De y Dh de los electrones y huecos en el silicio estn relacionados mediante con las movilididades e y h con la expresin

K= constante de Boltzman =1.381023J/K q=carga del electrn = 1.610-19c.

T= temperatura en Kelvin Comprese los coeficientes de difusin para silicio tipo N con una densidad de dopado de 1014 at/cm3 para 25C y 100C. 1. Si la concentracin de electrones a lo largo de la direccin x en un material semiconductor tipo N es la que aparece en la figura, calcular la densidad de corriente debido a la difusin. Indicar el sentido del movimiento de los electrones. Datos: T=300K; ND=1015at/cm3.