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Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 1

Elettronica LC
Esercizi 2004
1
1. Dimensionare un transistore MOS a canale n caratterizzato dai parametri tecnologici riportati
in tabella, anche con V
GS
= 3V , V
SB
= 2V e V
DS
= 3V si abbia una corrente di drain
I
DS
= 300A.
Parametri tecnologici
n-channel p-channel
V TO 1V 1V
KP 80A/V
2
30A/V
2
PHI 0.6V 0.6V
GAMMA 0.5V
1/2
0.7V
1/2
LAMBDA 0.05V
1
0.04V
1
TOX 200

A 200

A
Calcolare i parametri dierenziali del MOSFET presentato al punto precedente.
2. La tabella riporta valori misurati per un transistore MOS a canale n
V
GS
[V ] V
DS
[V] V
BS
[V] I
D
[A]
2 5 0 10
5 5 0 400
5 5 -5 250
5 8 0 480
5 5 -3 300
Sulla base dei dati a disposizione, calcolare i parametri del modello LEVEL 1 del transistore:
KP, VTO, GAMMA, LAMBDA.
3. Il parametro

`e:
direttamente proporzionale alla mobilt`a dei portatori
inversamente proporzionale alla mobilt`a dei portatori
indipendente dalla mobilt`a dei portatori
direttamente proporzionale allo spessore dellossido di gate
inversamente proporzionale allo spessore dellossido di gate
indipendente dallo spessore dellossido di gate
direttamente proporzionale al drogaggio del substrato
inversamente proporzionale al drogaggio del substrato
indipendente dal drogaggio del substrato
Ripetere lesercizio per i parametri e .
1
Settembre04: Draft 1.0
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 2
4. Un transistore MOS a canale p funziona correttamente solo se:
V
SB
> 0
V
SB
0
V
SB
= 0
Motivare chiaramente la risposta.
5. Tracciare sul piano (I
D
, V
GS
) le caratteristiche di due transistori a canale n aventi parametri
tecnologici riportati nella tabella precedente, per i quali V
DS
= V
GS
, V
SB
=0, (W/L)
1
=
20/20 e (W/L)
2
= 20/2, nei casi
n
= 0 e
n
= LAMBDA.
6. Gracare landamento delle capacit`a intrinseche C
gs
, C
gd
, C
gb
di un transistore MOS a canale
n al variare della tensione V
ds
, supponendo ssate le tensioni V
gs
e V
bs
= 0 nei casi:
(a) V
gs
> V
T
.
(b) V
gs
V
T
.
Impiegando le polarizzazioni opportune, ripetere lesercizio per un transistore a canale p.
7. Supponendo V
DD
= 5V , S
1
= 2/0.8 e S
2
= 4/4 e che V
I
= 2V + v
i
, calcolare la funzione di
trasferimento v
o
(s)/v
i
(s) per il circuito in Fig. 1
VI
M2
M1
VDD
VO
Figura 1:
8. Indicare come si modicano i parametri di piccolo segnale R
i
, R
o
, A
v
, A
i
di un transistore a
canale n impiegato come stadio
(a) amplicatore a source comune,
(b) amplicatore a drain comune
(c) amplicatore a gate comune
quando si include la presenza delleetto body.
9. Vericare le risposte date agli esercizi 1, 5, 6, 7, 8 mediante luso del simulatore SPICE.
10. Gracare landamento dei parametri dierenziali g
m
, g
mb
, g
d
di un transistore MOS a canale n
al variare della tensione V
GS
per V
DS
= 2V e V
BS
= 0V. Si assuma V
DD
= 5V,
n
= 0.02V
1
,

n
= 0.15V
1/2
, V
Tn
= 0.5V,
n
= 120A/V
2
.
Vericare il risultato con SPICE
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 3
(c) (b) (a)
M1 VI
VDD
R1
R2
M
VI
VB
Vo
M2
Vo
VB R1
VDD
M
Vo
VI
VDD
R1
R2
Figura 2:
11. Per i circuiti rappresentati in Fig. 2 si chiede:
(a) tracciare la caratteristica V
O
(V
I
) ai grandi segnali;
(b) calcolare lespressione delle funzioni di rete.
(c) Ripetere lesercizio considerando lo schema (c) in gura nodicato applicando la tensione
di ingresso V
I
al transistore M2 e la tensione di polarizzazione appropriata V B a M1.
Vericare il risultato ottenuto con SPICE.
12. Per i circuiti in Fig. 3, tracciare la caratteristica I
x
(V
x
) ai grandi segnali, identicando i punti
notevoli.
(b)
(a)
I1
Vx
Ix
VB2
VB1
M2
M1
VDD
VDD
M1
M2
VB1
VB2
Ix
Vx
Figura 3:
Scrivere le netlist SPICE necessarie per vericare il risultato ottenuto.
13. Con riferimento ai parametri dei transistori MOS
p
= 50A/V
2
,
n
= 120A/V
2
, V
Tn
=
V
Tp
= 0.5V ,
n
=
p
= 0.02 V
1
,
n
=
p
= 0 V
1/2
, R
L
= 60 k, R
D
= 100 k e al circuito
in Fig. 4, supponendo di poter trascurare tutti gli eetti reattivi dei transistori, si chiede:
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 4
VDD
Vo
Vi
M2
M1
RL
RD
Figura 4:
(a) tracciare la caratteristica V
o
(V
i
);
(b) disegnare il circuito equivalente ai piccoli segnali;
(c) calcolare il guadagno di tensione A
v0
= v
o
/i
i
;
(d) calcolare il valore delle resistenze di ingresso e di uscita del circuito.
(e) Discutere le prestazioni del circuito confrontandole con quelle di uno stadio a drain
comune.
(f) Scrivere la netlist Spice del circuito e vericare il valore dei parametri di piccolo segnale
e il guadagno trovati nei punti precedenti.
(g) Tracciare in modo qualitativo la caratteristica V
o
(V
i
) nel caso in cui il valore della
resistenza R
D
sia sovradimensionato (per esempio R
D
= 600k).
14. Per il circuito in Fig. 5 si ha: V
T0
= 0.7V ,

p
= 50A/V
2
,
p
= 0V
1
,
p
= 0.5V
1/2
,
2 = 0.6V. Assumendo uguali fattori di forma S
1
= S
2
= 1 e V
B
= 2V e V
DD
= 3.3V , si
chiede:
M2
M1
VDD
Vo
Vi
VB
Figura 5:
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 5
(a) Ipotizzando entrambi i transistori in saturazione, determinare la relazione che lega la
tensione di uscita a quella di ingresso V
O
= V
O
(V
I
).
(b) Determinare in funzione di V
B
, V
T
e V
DD
lintervallo di valori della tensione di ingresso
V
I
per cui `e vericata la condizione di saturazione per entrambi i transistori.
(c) Calcolare il valore della tensione di uscita per V
I
= 1 V.
(d) Disegnare il circuito equivalente alle variazioni, ricavare lespressione analitica e il valore
numerico del guadagno di tensione
A
v
=
v
o
v
i
nel punto di lavoro trovato alla domanda precedente.
(e) Supponendo ora che il terminale di bulk di M1 sia collegato a V
DD
, il valore della tensione
V
O
varia di 200mV.
i. Indicare se tale variazione `e positiva o negativa, giusticando la risposta.
ii. Calcolare il valore dei parametri dierenziali di tutti i transistori nel nuovo punto
di lavoro.
iii. Calcolare il valore del guadagno di tensione.
iv. Calcolare il valore della resistenza dierenziale di uscita.
15. Con riferimento al circuito di Fig. 6 e assumendo uguali a 1 tutti i fattori di forma,

p
=
20A/V
2
, V
Tp
= 1V ,
p
= 0V
1/2
,
p
= 0V
1
, I
o
= 10A, V
DD
= 5V
(a) disegnare la caratteristica I(V ) per V [0, V
DD
].
(b) determinare lespressione e il massimo valore V
M
di V in corrispondenza al quale la
relazione I(V ) approssima ragionevolmente quella di un generatore ideale di corrente.
(c) assumendo
p
= 0.05V
1
e S = 1, determinare lespressione della resistenza r = v/i.
(d) calcolare il valore della resistenza r = v/i nel punto di lavoro individuato da V = V
M
.
V
I
X
B
A
Io
M4
M3
M2
M1
VDD
Figura 6:
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 6
I I I
out b
a
M M M M
I
I
1
5
4 3 2 1
M
5
Figura 7:
16. Nel circuito in Fig. 7 si assumano tutti i transistori MOS descritti dagli stessi parametri e
aventi lo stesso fattore di forma S = 1. Indicare la funzione svolta dal circuito e determinare
il valore assunto dalla corrente di uscita I
out
nei casi (a) I
a
> I
b
e (b) I
a
< I
b
.
17. Se i transistori M1, M2 e M3 del circuito di Fig. 8 operano in saturazione, assumendo:
V
Tn
= |V
Tp
| = 1V ;
p
= 0.5V
1/2
;
n
= 0.7V
1/2
,

n
= 40A/V
2
;

p
= 25A/V
2
;
p
=
0.05V
1
;
n
= 0V
1
; V
SS
= 5V ; V
o
I
= 3V ; V
GG
= 2V ; V
PP
= 1.5V . si chiede:
(a) dimensionare il transistore M1 per avere |I| = 100A;
(b) Assumendo S2=S1, determinare il valore del potenziale V;
(c) Dimensionare il transistore M3 al ne di ottenere il valore del potenziale U=-1.5V;
(d) Disegnare il circuito equivalente ai piccoli segnali e calcolare il valore dei parametri
dierenziali;
(e) Calcolare il valore delle resistenze dierenziali r
1
= v/i e r
2
= u/i;
(f) Calcolare il valore dei guadagni di tensione A
v1
= v/v
i
e A
v2
= u/v
i
.
(g) Ripetere il calcolo delle resistenze e dei guadagni deniti nei due punti precedenti nel
caso in cui il bulk di M2 sia collegato a V
SS
18. Per il circuito in Fig. 9, si calcoli lespressione del guadagno di tensione e della resistenza di
I
V
Vi
M1
VSS
U
VPP
VGG
M3
M2
Figura 8:
Vo
M2
M1
VGG
Vi
VDD
Figura 9:
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 7
M2
M1
Vi
VDD
Vo
Figura 10:
I1
VO
VB
Ci
VI
RS
CL
VDD
Figura 11:
uscita. In quale regione di funzionamento devono essere polarizzati i transistori anch`e lo
stadio si comporti correttamente da inseguitore di tensione?
19. Con riferimento allamplicatore di Fig. 10, si chiede:
(a) tracciare la caratteristica V
O
(V
I
);
(b) calcolare lespressione del guadagno di tensione e della resistenza di uscita.
(c) Ripetere lesercizio per lo schema duale a transistori p.
(d) discutere i risultati ottenuti confrontandoli con quelli del classico stadio CMOS.
20. Per lo stadio a gate comune rappresentato in Fig. 11 si calcoli la funzione di trasferimento e
lespressione della impedenza di ingresso Z
i
. Giusticare la ragione della indipendenza di Z
i
da C
L
al crescere del valore di questultima.
21. Con riferimento al circuito di Fig. 12:
(a) dimensionare i transistori per avere V
Xo
= 1V e V
Y o
= 0;
(b) calcolare il valore della transconduttanza g
m
= i/v
Y
X
M4 M3
M2 M1
IB
-VCC
+VCC
Io
V2 V1
Figura 12:
Si assuma: I
D
=

2
(V
GS
V t)
2
, I
p
= 20A, Io = 0, K
P
n
= 50A/V
2
, K
P
p
= 20A/V
2
;
V
tn
= |V
tp
| = 1V , V
1o
= V
2o
= 0.5V , V
cc
= 3V e V
ee
= 5V
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 8
VDD
VDD VDD
X
M8
M7
M6
M5
M4 M3
M2
M1
Vb
Vb
Va
Va
Figura 13:
22. Descrivere i contributi della capacit`a di carico al nodo X del circuito di Fig. 13.
23. Con riferimento alla Fig. 14 si assuma:
C
l
= 2pF ; V
CC
= 5V ; t
ox
= 200

A ;
o
= 8.8510
12
F/m ;
r
OX
= 3.9
n
= 232cm
2
/V s ;
p
=
116cm
2
/V s ; V
Tn
= 0.7V ; V
Tp
= 0.7V
(a) si calcoli il valore della corrente I anch`e la potenza dissipata nello stadio dierenziale
sia P
d
= 80W;
(b) assumendo V
x
= 1.52V e V
n
= V
p
= V
CC
/2 si dimensionino i transistori M1 e M2,
ipotizzati in saturazione, anch`e risulti vericata la condizione al punto (a);
(c) assumendo S
6
= 1.1, si dimensioni M5 anch`e in corrispondenza ad una transizione
istantanea di V
o1
i tempi di salita e di discesa di V
o2
siano uguali;
(d) assumendo che per dispersione dei parametri di fabbricazione t
ox
,
n
e
p
possano va-
riare in modo indipendente di 10% rispetto al valore nominale, calcolare la variazione
massima e minima percentuale dei tempi di salita e discesa di V
o2
;
(e) si calcoli la soglia logica dellinvertitore costituito da M5 e M6;
M5
M6
CL
Vo2
Vo1
VDD VDD
Y
X
M4 M3
M2 M1
IB
V2 V1
Figura 14:
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 9
(f) supponendo V
n
= V
p
= V
CC
/2 si dimensionino M3 e M4 anch`e linvertitore costituito
da M5 e M6 sia polarizzato alla soglia logica;
(g) si determino i contributi capacitivi al nodo o1;
(h) si calcoli il consumo totale di potenza per V
n
= V
p
= V
CC
/2;
(i) assumendo che per le correnti di drain valga la seguente espressione:
I
D
=

2
(V
GS
V
T
)
2
(1 +|V
DS
|)
e che il punto di lavoro di tutti i transistori sia invariato rispetto a quello determinato
per V
n
= V
p
= V
CC
/2;
(j) calcolare il valore dei parametri dierenziali g
m
, g
mb
e g
d
di tutti i transistori;
(k) si determino le espressioni dei guadagni v
o1
/(v
n
v
p
) e v
o2
/(v
n
v
p
).
24. Si supponga di disporre di un amplicatore operazionale a un solo polo, avente SR=2V/s,
pulsazione di taglio = 4Mrad/s e una dinamica lineare in uscita no a 12V. Tale
amplicatore `e connesso in retroazione unitaria. Calcolare il massimo valore dellampiezza
del segnale di ingresso sinusoidale V
i
= Asin(t) che non da luogo a distorsione in uscita per:
(a) f=100KHz
(b) f=500KHz.
25. Con riferimento al circuito di Fig. 15: e assumendo V
DD
= 8V , V
Bo
= 3.36V , V
P
= 6V ,
V
Io
= 2V , V
Uo
= V dd/2, = 0.02V
1
, = 0.64V ,
n
= 0.5V
1/2
,
p
= 0.5V
1/2
, V
TN
= 1V ,
V
TP
= 1V ,

n
= 50A/V
2
,

p
= 25A/V
2
(a) Ponendo = 0, dimensionare M1 e M2 anch`e la potenza dissipata P
d
= 800W.
(b) Supponendo che i transistori operino nel punto di lavoro determinato al punto (a),
calcolare il valore dei parametri dierenziali g
m
, g
mb
e g
d
dei due transistori.
(c) Calcolare lespressione del guadagno di tensione A
v
=
vu
vi
e stabilire se |A
v
| `e una funzione
crescente o decrescente di a
(d) Determinare il campo di variabilit` a di a assumendo v
imax
= 500mV .
Vi
M1
M2
VDD
VP
Vb
Vo
Figura 15:
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 10
26. Per il modello del transistore MOS descritto dalle equazioni:
I
D
=

(V
GS
V
T
)V
DS

V
2
DS
2

V
DS
V
GS
V
T
= V
sat
DS
I
D
=

2
(V
GS
V
T
)
2
[1 +(V
DS
V
sat
DS
)] V
DS
> V
sat
DS
e assumendo: V
T
= V
T0
+(

V
SB
+ 2

2) si chiede:
(a) gracare gli andamenti dei parametri dierenziali in funzione di V
GS
per V
DS
> V
T
e
V
SB
costante;
(b) stabilire se tali parametri sono funzioni continue di V
GS
per V
GS
> V t
27. Del transistore MOS a canale n in Fig. 16, sapendo che
n
= 3.12mA/V
2
, V
T
= 0.8V ,
= 0.3 V
1/2
, = 0 V
1
, I
g
= 1nA, si chiede:
(a) Calcolare il valore delle tensioni e delle correnti del circuito nel punto di riposo.
(b) Indicare i contributi di rumore termico introdotti da tutti i dispositivi presenti nel
circuito.
(c) Disegnare il circuito equivalente ai piccoli segnali comprensivo dei contributi dovuti al ru-
more dei dispositivi (i contributi di rumore possono essere modellati con i corrispondenti
generatori in parallelo).
(d) Calcolare i valori delle densit`a spettrali di rumore dei generatori equivalenti di corrente
individuati.
(e) Calcolare il valore del generatore equivalente i
2
in
di rumore in ingresso.
(f) Calcolare il valore del generatore equivalente v
2
in
di rumore in ingresso.
28. Con riferimento al circuito di Fig. 17 per il quale R
L
= 10 k,

n
= 120A/V
2
,

p
=
50A/V
2
, V
DD
= 5 V, V
Tn
= V
Tp
= 0.5 V,
n
=
p
= 0.01 V
1
, V
B
= 1.5 V
n
=
p
=
0.3

V , 2 = 0.6V si chiede:
(a) assumendo come segnale di ingresso la tensione V
i
e come segnale di uscita la tensione
V
o
mostrate in gura, riconoscere il tipo di amplicatore (invertente o non invertente),
giustcando la risposta.
VDD
R1
R2
R3
M1
Vo
Vi
C
Figura 16:
VDD
M3
M4
R
Vbias
M1
M2 Vi
Vo
Figura 17:
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 11
(b) Dimensionare i transistori presenti, supposti in saturazione e senza trascurare la mo-
dulazione di lunghezza di canale, sapendo che V
io
= V
oo
= V
DD
/2, che la potenza
dissipata nel punto di riposo vale P
d
= 2.5 mW,e che (W/L)
3
= 4.1.
(c) Vericare lipotesi di funzionamento in regione di saturazione dei transistori.
(d) Disegnare il circuito equivalente ai piccoli segnali trascurando completamente tutti gli
eetti reattivi dei transistori.
(e) Calcolare il valore dei parametri dierenziali che compaiono nel circuito nelle condizioni
di riposo indicate nel punto (28b).
(f) Calcolare le espressioni della resistenza di ingresso R
i
= v
i
/i
i
e di quella di uscita R
o
=
v
o
/i
o
.
(g) Calcolare il guadagno di tensione A
vo
= v
o
/v
i
a bassa frequenza dellamplicatore nel
punto di riposo indicato nel punto (28b).
(h) Scrivere la netlist SPICE per vericare i valori di riposo delle correnti e delle tensioni
nel circuito.
29. Dato il circuito di Fig. 18
R2
C1 R1
Vo
Vi
Figura 18:
e sapendo che V
in
= Asin(2ft) A = 50 mV, R
2
= 10k, SR = 0.3 V/s, si chiede
(a) Considerando ideale loperazionale, riconoscere loperazione svolta dal circuito;
(b) Disegnare il diagramma di Bode dellampiezza per la funzione di trasferimento V
o
/V
i
.
(c) Calcolare il valore di R
1
e C
1
anche il circuito svolga correttamente loperazione indi-
viduata al punto precedente allinterno della banda B = [10 Hz; 100 kHz] del segnale di
interesse e fornisca in uscita un segnale di ampiezza massima |V
o
(t)|
max
1V .
(d) Valutare la massima frequenza del segnale di ingresso anche non intervenga lo slew
rate delloperazionale.
(e) Si supponga adesso di rappresentare il comportamento in frequenza dellamplicatore con
una funzione di trasferimento ad un solo polo di frequenza f
0
e guadagno in continua
A
0
= 120dB. In queste ipotesi si chiede:
i. Calcolare lespressione del guadagno di anello del circuito.
ii. Disegnare il diagramma di Bode relativo al modulo del guadagno.
iii. Calcolare il valore della frequenza del polo dellamplicatore f
0
necessaria per avere
il circuito stabile con un margine di fase di 45

.
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 12
30. Con riferimento al circuito di gura si chiede:
Vbias
Vin
RG
CL
M1
M2
Vo
RL
VDD
V
DD
= 5V , V
bias
= 2.5V
C
L
= 1pF

1
=
2
= 24 mA/V
2
,
V
T
= 0.7 V,
R
L
= 1k,
R
G
= 2k,
I
D0
= 3 mA,
C
gs
= 220 fF
C
sb
= 130 fF
C
db
= 90 fF
C
gd
= 45 fF
g
d
= 0.5 mS
g
m
= 12 mS
g
mb
= 1.8 mS
(a) Riconoscere il tipo di amplicatore e individuarne la tipologia;
(b) Discutere il ruolo del transistore M
2
nello schema;
(c) Individuare lintervallo di variabilit`a di V
bias
che garantisce il corretto funzionamento
del circuito (si trascuri leetto della modulazione di lunghezza di canale per entrambi i
transistori).
(d) Disegnare il circuito equivalente ai piccoli segnali completo di tutti gli eetti reattivi;
(e) Stimare la larghezza di banda dellamplicatore impiegando il metodo delle costanti di
tempo di circuito aperto;
(f) Spiegare come si modicherebbe il valore della larghezza di banda trovata senza adottare
lapprossimazione indicata nel punto precedente.
(g)
`
E possibile usare lamplicatore con segnali aventi frequenza di interesse no a 110MHz?
(h) Nel caso fosse necessario modicare il progetto, indicare quale fra gli stadi rappresentati
in gura dovrebbe essere connesso in cascata per aumentare la larghezza di banda del
circuito. Giusticare la risposta.
(a) (b) (c)
VB M3a
M3b
M3c
IB
IB
IB
VDD
VDD
VDD
in
in
out
in
out
out
IB = 3mA
Figura 19:
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 13
(i) Vericare che la nuova specica sia soddisfatta dallo schema modicato, usando le stesse
ipotesi indicate al punto (e).
(j) Scrivere la netlist Spice del circuito e scrivere le analisi necessarie per vericare con il
simulatore la correttezza della larghezza di banda stimata.
(k) Calcolare il guadagno di tensione per basse frequenze dellamplicatore.
31. Dato il circuito in Fig. 20 sapendo che V
DD
= 5V,
p
= 0.0V
1
,
p
= 0.0

V , V
Tp
= 0.91V,

p
= 17A/V
2
, R = 380k S
1
= S
2
= 3, S
3
= 3S
1
, si chiede:
(a) determinare il valore della tensione V
SG1
= V
SG2
che polarizza i transistori M
1
, M
2
.
(b) Calcolare il valore della corrente nel transistore M
3
quando v = V
0
= 0V.
(c) Tracciare il graco della caratteristica (i, v), indicando esplicitamente il valore V
min
o
.
(d) Calcolare il valore della resistenza di piccolo segnale r
o
= v/i nel punto di lavoro indicato
nella domanda (2).
(e) Nellipotesi che un errore di processo provochi il raddoppio del fattore di forma del
transistore M
2
, si chiede:
i. descrivere con meno di 50 parole leetto provocato sul funzionamento del circuito.
ii. calcolare nella nuova condizione il valore delle correnti e delle tensioni presenti nel
circuito.
(f) Come si modicano la caratteristica (i, v) tracciata al punto (3) e il valore dlla resistenza
r
o
se si considera adesso leetto di modulazione di lunghezza di canale ( = 0)?
(g) Scrivere la netlist SPICE con la descrizione del circuito studiato e le istruzioni necessarie
per vericare la risposta data alla domanda (3).
32. Per il circuito mostrato in Fig. 21 si assuma: V
DD
= 5V,

n
= 40A/V
2
,

p
= 20A/V
2
, V
Tn
=
|V
Tp
| = 1V, (W/L)
3
= 3(W/L)
2
, C = 0.5pF,
n
=
p
= 0V
1/2
,
n
=
p
= 0.05V
1
, C
gd1
=
C
gd2
= 400fF, C
gs1
= C
gs2
= C
gs3
= 350fF.
(a) Dimensionare M
1
, M
2
, M
3
trascurando, per semplict`a, leetto di modulazione della
lunghezza di canale dei transistori in modo che per V
io
=
2
5
V
DD
e V
xo
= V
uo
=
V
DD
2
si
abbia un consumo di potenza pari a P
d
= 400W.
VDD
R R
M3
M2 M1
Figura 20:
VA
M3
M2
M1
R
I
VDD
VB
Figura 21:
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 14
R1=10k
R1
R2=100k
Vo
R2
Vi
Figura 22:
(b) Determinare il valore delle correnti di polarizzazione I
D1
, I
D2
I
D3
.
(c) Calcolare il valore dei parametri dierenziali per i transistori del circuito, nel punto di
lavoro denito in precedenza.
(d) Disegnare il circuito equivalente ai piccoli segnali completo degli eetti reattivi.
(e) Calcolare lespressioni del guadagno di tensione A
v1
(s) =
v
u
(s)
v
i
(s)

v
x
=0
.
(f) Calcolare lespressione del guadagno di tensione A
v2
(s) =
v
u
(s)
v
x
(s)

v
i
=0
.
(g) Gracare i diagrammi di Bode del guadagno A
v1
() calcolato al punto precedente.
(h) Supponendo ora di impiegare un amplicatore con funzione di trasferimento uguale alla
A
v1
(s) calcolata al punto precedente, discutere la stabilit`a del circuito in Fig. 22, in
funzione del valore assunto dalla capacit`a C, essendo R
1
= 10K e R
2
= 100K.
33. Per il circuito di Fig. 23 si assuma: V
DD
= V
SS
= 2.5V,

n
= 50A/V
2
,

p
= 18.5A/V
2
, V
Tn
=
0.8V, |V
Tp
| = 0.9V, L = 5m, R
g
= 100k, R
s
= 6.9k, R
L
= 150k,
n
=
p
= 0V
1/2
, 2
F
=
0.6V,
n
=
p
= 0.05, C

ox
= 0.8 fF/m
2
, CGDO = 0.38 nF/m, C
db1
= 5.5 fF, C
db2
= 15.5 fF.
Rg
Vi
M1
Vo
M2
RS
RL
VSS
VDD
Figura 23:
(a) Trascurando per semplicit`a leetto di modulazione della lunghezza di canale dei tran-
sistori, dimensionare M
1
, M
2
, in modo da ottenere una potenza dissipata pari a P
d
=
360 W quando V
i
= V
i0
= 0V e V
o
= V
o0
= 0.
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 15
(b) Disegnare il circuito equivalente ai piccoli segnali privo di eetti reattivi.
(c) Calcolare lespressione analitica del guadagno di tensione A
v0
=
v
o
v
i
.
Per le domande successive si assuma sempre valida lipotesi R
L
e R
S
0.
(d) Dimensionare nuovamente i transistori M
1
, M
2
, in modo da garantire le stesse condizioni
indicate nella domanda (a).
(e) Ridisegnare il circuito equivalente ai piccoli segnali completo degli eetti reattivi.
(f) Semplicare il circuito applicando, dove appropriato, il teorema di Miller.
(g) Quale ipotesi semplicativa sulla forma della funzione di trasferimento A
v
comporta il
suggerimento espresso nella domanda precedente?
(h) Calcolare lespressione analitica del guadagno di tensione A
v0
=
v
o
v
i
.
(i) Calcolare lespressione analitica e il valore dei parametri di piccolo segnale.
(j) Stimare la larghezza di banda dellamplicatore.
(k) Come si modica la funzione di trasferimento A
v
se il generatore di segnale `e ideale?
(l) Determinare la tensione di uscita V
o
(t) quando in ingresso `e applicato un segnale V
i
(t)
puramente sinusoidale di ampiezza 1mV e frequenza 1kHz.
(m) Scrivere la netlist SPICE per il circuito studiato, specicando le istruzioni necessarie per
vericare le risposte date alle ultime cinque domande.
34. In gura `e mostrata una variante dello schema classico di amplicatore dierenziale CMOS
a uscita singola: S
1
= S
2
= S
3
= S
4
= 1250, S
5
= S
6
= S
7
= 1111, S
8
= 400, L
min
=
0.5m,

n
= 60A/V
2
,

p
= 30A/V
2
, V
Tn
= V
Tp
= 0.7V,
n
=
p
= 0V
1/2
,
n
=
p
=
0V
1
, V
DD
= 3V, V
A
= 1.6V, V
B
= 1.7V, V
C
= 1.2V
2
Vin Vin
2
M1 M2
M3
M4
M5
M6 M7
Vo
VA
VB
VDD
M8
VC
X Y
Z A
Figura 24:
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 16
(a) Chiarire il ruolo svolto dai transistori M
4
e M
5
, indicando le dierenze di prestazioni che
si possono ottenere rispetto allo schema classico del dierenziale.
(b) Determinare le tensioni di overdrive V
ov
= V
GS
V
T
impiegate nello schema per polariz-
zare i transistori MOS.
(c) Calcolare il massimo valore possibile per lo swing della tensione di uscita V
sw
o
.
(d) Calcolare il minimo valore accettabile per la tensione di ingresso di modo comune V
CM
e i valori minimo e massimo per le tensioni di polarizzazione V
Amin
e V
Bmin
.
(e) Supponendo adesso che per i transistori valga
n
= 0.1V
1
,
p
= 0.2V
1
e, per
semplicit`a,
n8
= 0V
1
, calcolare la resistenza di uscita R
o
dellamplicatore.
(f) Calcolare il guadagno di tensione A
V
= v
o
/v
in
dellamplicatore.
A
V
= g
m
R
o

= g
m1
[(g
m5
r
d5
r
d6
)||(g
m4
r
d4
r
d2
)]

= 1416
(g) Esprimere il prodotto g
m
r
d
in funzione dei parametri tecnologici e geometrici.
(h) Supponendo di poter rappresentare gli eetti reattivi del circuito mediante condensatori
costanti posti fra i nodi X,Y ,A,Z,O in gura e massa, si chiede:
i. Indicare i contributi capacitivi che concorrono a denire i condensatori indicati:
ii. Stimare gli ordini di grandezza dei poli introdotti dai condensatori trovati al punto
precedente, identicando il polo dominante e quello immediatamente seguente.

1
R
o
C
L
>
g
m7
C
A
>
g
m5
C
Z
>
g
m3
C
X
iii. Disegnare i diagrammi di Bode relativi al guadagno di tensione A
V
.
iv. Fissare il polo dominante dellamplicatore in modo da ottenere un GB pari a 10
MHz.
Polo dominante posto in GB/A
V
. Uguagliando il rapporto A
V
/GB al
prodotto di R
o
per la capacit`a di compensazione collegata al nodo di
uscita si soddisfa la specica:
C =
g
m1
GB
(i) Suggerire una variante al progetto per aumentare il guadagno di tensione A
V
senza
modicare la topologia del circuito, i fattori di forma S impiegati nel progetto e le
tensioni di overdrive V
ov
.
(j) Giusticare la presenza del transistore M
3
nello schema.
35. Progettare un amplicatore operazionale CMOS a due stadi che soddis le speciche seguenti:
A
v
> 5000 V
DD
= 2.5V
V
SS
= 2.5V GB = 5MHz
C
L
= 10pF SR > 10V/s
V
orange
= 2V ICMR = 1 2V
P
diss
2mW L
min
= 1
MF=60
o
36. Simulare con SPICE il circuito progettato nellesercizio precedente per vericare il soddisfa-
cimento delle speciche imposte.
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 17
M1 M2
M3 M4
M3a
M4a
M6
M7
M8 M9
M10 VC
VDD
R
VSS
V1 V2 Vo
Io
M5a M5
Ipol
Figura 25:
37. Si consideri lamplicatore CMOS in Fig. 25 e si assuma:S
1
= S
2
= S
5
= S
7
= 15/5, S
3
=
S
4
= S
8
= S
9
= 70/5, S
3a
= KS
3
, S
4a
= KS
4
, S
5a
= KS
5
, S
10
= 200/2, S
6
= 30/2, K 1

n
= 50A/V
2
,

p
= 17A/V
2
, V
Tn
= V
Tp
= 0.8V ,
n
=
p
= 0V
1/2
,
n
=
p
=
0.005V
1
V
DD
= V
SS
= 2.5V, R = 100k
(a) Individuare lingresso invertente V

e quello non invertente V


+
delloperazionale, giu-
sticando la risposta data.
(b) Esprimere la variazione della corrente di polarizzazione I
pol
in funzione della tensione di
controllo V
C
applicata al gate del transistore M
10
.
(c) Ricavare il valore numerico della corrente I
pol
quando V
C
= 1V, V
C
= 2V V
C
= 2.5V.
(d) Calcolare lespressione analitica e il valore numerico della resitenza di ingresso R
i
e della
resistenza di uscita R
o
dellamplicatore.
(e) Calcolare lespressione analitica del guadagno di tensione A
v
=
V
o
V
+
V

, adottando
(eventualmente) le semplicazioni che si ritengono necessarie.
(f) Calcolare lespressione analitica della transconduttanza G
m
=
i
o
V
+
V

dellamplicatore.
(g) Esprimere la variazione della transconduttanza G
m
dellamplicatore in funzione della
tensione di controllo V
C
applicata al gate del transistore M
10
.
(h) Ricavare il valore numerico della transconduttanza G
m
quando V
C
= 2V.
(i) Lamplicatore viene impiegato ssando V
C
= 2V per realizzare il circuito in gura:
(j) Supponendo di poter descrivere tutti gli eetti reattivi pi` u importanti presenti nel-
lamplicatore con la sola capacit`a di carico C
L
= 8.75pF, determinare la funzione di
trasferimento A
v
() =
V
o
()
V
in()
.
(k) Disegnare i diagrammi di Bode per la funzione A
v
() calcolata al punto precedente.
(l) Giusticare lapprossimazione impiegata al punto (37j).
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 18

Vi
Vo
CL
+
out
Figura 26:
A(s)
R2
R1
Vo
Vi
Ao = 100 dB
f1 = 9 kHz
f0 = 10 Hz
R1 = 10 k
R2 = 100 k
Figura 27:
R
A(s)
R2
R1
Vo
Vi
Figura 28:
(m) Quali accorgimenti `e opportuno adottare per garantire la compensazione dellamplica-
tore in esame?
(n) Come si comporta il polo dominante nella funzione di trasferimento dellamplicatore
trovata al punto (37j) al crescere del valore della capacit`a di carico?
(o) Indicare come pu`o essere modicato lo schema in Fig. 26 per aumentare il valore della
resistenza di uscita.
(p) Calcolare nuovamente il guadagno A
v
=
V
o
V
+
V

dellamplicatore nel caso lo schema di


Fig. 26 venga modicato collegando il resistore R alla alimentazione V
SS
.
38. Con riferimento allo slew-rate di un amplicatore si chiede:
(a) di darne la denizione, di indicarne lunit`a di misura, di spiegarne lorigine e di indicare
quale regime di funzionamento del circuito interessa;
(b) se pu`o introdurre distorsione su un segnale sinusoidale applicato allingresso avente una
frequenza inferiore a quella del guadagno unitario dellamplicatore.
(c) Quanto deve essere la specica relativa allo slew-rate per un amplicatore audio che deve
essere progettato in modo da fornire un segnale sinusoidale con ampiezza picco-picco di
30V a una frequenza di 20kHz?
39. Lamplicatore operazionale ideale mostrato nello schema in Fig. 27 `e caratterizzato dalla
funzione di trasferimento a due poli:
A(s) =
A
0
(1 +s/
0
)(1 +s/
1
)
Esercizi Elettronica LC Draft 09/04 19
(a) Tracciare il diagramma di Bode del modulo del guadagno di anello e studiare la stabilit`a
del circuito.
(b) Modicato lo schema precedente come mostrato in Fig. 28 si chiede:
i. Calcolare lespressione del guadagno di anello.
ii. Descrivere come la presenza della resistenza R modica il diagramma di Bode
calcolato in precedenza.
iii. Dimensionare la R in modo da avere un margine di fase pari a 45
o
Calcolare il massimo valore dell ampiezza del segnale di ingresso sinusoidale V
i
= Asin(t)
tale da non dare luogo a distorsione in uscita per (a) f=100kHz e (b) f=500KHz.
40. Con riferimento ai parametri

= 50A/V
2
, V
T
= 0.5V , = 0.0 V
1
, e al circuito mostrato
in Fig. 29, in assenza di eetti reattivi del transistore, si chiede:
(a) Calcolare il valore di R
2
, delle tensioni e correnti di polarizzazione sapendo che il
transistore opera in saturazione, S = 4 e, a riposo, si ha P
d
= 500W.
(b) Disegnare il circuito equivalente ai piccoli segnali.
(c) Calcolare il valore della resistenza di ingresso dello stadio amplicatore a gate comune.
(d) Calcolare il guadagno v
o
/i
i
in assenza di eetti reattivi, supponendo cio`e C assimilabile
a un cortocircuito e C
L
assimilabile ad un circuito aperto.
(e) Stimare il valore della capacit`a C perch`e si abbia un polo per f = 1kHz.
(f) Disegnare i diagrammi di Bode della ampiezza e della fase per il circuito in esame.
(g) Si commenti la funzione del condensatore C.
(h) Supponendo ora di includere nella analisi gli eetti reattivi del transistore M1 assumendo
C
gs
= 150fF, C
gd
= 90fF, determinare, con il metodo delle costanti di tempo, la
collocazione del polo dominante dellamplicatore e confrontare i risultati ottenuti con
quelli visti in assenza di eetti reattivi.
(i) Assumendo adesso = 0.06 V
1
si chiede di:
i. Calcolare il guadagno v
o
/i
i
in assenza di eetti reattivi.
ii. Stimare il valore della capacit`a C perch`e si abbia un polo per f = 1kHz.
CL = 1pF
Ri = 5k
R1 = 25k
VSS = -2.5V
VDD = 2.5V
M1
A
CL
C
Ri
Ii
Vo
VSS
VDD
R2
R1
Figura 29: