UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE CHILE FACULTAD DE CIENCIA DEPARTAMENTO DE FISICA LICENCIATURA EN EDUCACION EN FISICA Y MATEMATICAS I SEMESTRE 2012: COMO FUNCIONAN

LAS COSAS II

Nombre: Heber Ulloa Profesor: J Ferrer. Fecha: 31 octubre del 2012 Laboratorio n4 Ganancia de corriente del transistor Objetivos Observar y analizar la ganancia de corriente producida en un transistor Introduccin El transistor es un pequeo dispositivo electrnico de carcter semiconductor, el cual tiene la posibilidad de cumplir diversas funciones, ellas son: como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Un transistor est conformado por tres secciones semiconductoras a las cuales se les ha asignado el nombre de emisor, base y colector. Estos son los denominados transistores bipolares lo cuales pueden ser de tipo NPN o PNP, dependiendo de las uniones pn El transistor como amplificador de corriente consiste en que si introducimos una cantidad de corriente por la base, este entregara por el emisor una cantidad mayor, la cual ser proporcional y asociada a un factor de amplificacin Es posible establecer una relacin entre las corrientes de las distintas patitas del transistor, es decir, entre las corrientes del emisor, base y colector la cual est dada de la siguiente manera: La figura siguiente ayuda a ilustrar la relacin

La ganancia de corriente se define como HFE y corresponde a la relacin entre el colector y la corriente de base, la cual se expresa como Adems de estas relaciones en el transistor se identifican 4 zonas de funcionamiento: 1. Zona de Saturacin: en este caso el colector esta polarizado de forma directa, por lo cual es transistor se comporta como una pequea resistencia. Para este caso, si se produce un aumento en la corriente de base no se genera un aumento en la corriente del colector, esta depender exclusivamente de la tensin entre el emisor y el colector. Su efecto en si ser similar al de interruptor cerrado 2. Zona de corte: es similar a mantener un interruptor abierto, por el transistor la corriente de base se anula y por ende la corriente del colector es prcticamente nula 3. Zona activa: el transistor amplifica la corriente, esta es la regin ms importante si la tarea que deseamos realizar es amplificar la seal, Es bsicamente una fuente de corriente constante, controlada por la intensidad de base

4. Zona inversa: En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo. Materiales e instrumentos

5. Grafique Ic en funcin de Ib y HFE en funcin de Vce. Datos Experimentales

Tabla 1 Datos Brutos

Ic(mA)/

IB(A)

Vce(V)

HFE

Protoboard 2 Resistencias 3 Mutmetros. Cables conectores Transistor

Circuito a construir:

5,29 5,56 5,84 6,16 6,52 6,92 7,37 7,87 8,46 9,14 9,84 10.77 11,9 13,26 14,94 17,03 18,34 19,27 19,44

21,47 22,59 23,85 25,25 26,82 28,62 30,66 33 35,77 39,02 42,51 47,15 53,04 60,52 70,48 84,53 105,39 139,81 209,68

3,64 3,58 3,51 3,43 3,34 3,24 3,13 3,01 2,86 2,69 2,52 2.29 2,01 1,68 1,97 0,76 0,31 0,21 0,16

246,39 246,12 244,86 243,96 243,1 241,78 240,37 238,48 236,51 234,23 231,47 228,41 224,35 219,1 211,97 201,46 174,02 137,82 92,71

Procesamiento de Datos

Figura 1

Procedimiento Experimental 1. Utilizando un multimedidor mira el valor de HFE del transistor. Identifique que el HFE aumente con la temperatura y en que instante el multimedidor mide este parmetro 2. Construir el circuito de la figura 1 3. Con diversos valores de R mida valores para Ic, Ib, y Vce hasta un valor prximo de Vce a cero. Aun cuando el transistor se sature 4. Determinar valores para HFE tanto para la zona activa como la saturada

Grafica 1

Si eliminamos los ltimos 4 datos de la tabla 1 y volvemos a graficas Ic vs IB se obtiene la siguiente grafica

Tabla 2 Datos procesados

Ic(mA)/

IB(A)

5,29 5,56 5,84 6,16 6,52 6,92 7,37 7,87 8,46 9,14 9,84 10.77 11,9 13,26 14,94 17,03 18,34 19,27 19,44

21,47 22,59 23,85 25,25 26,82 28,62 30,66 33 35,77 39,02 42,51 47,15 53,04 60,52 70,48 84,53 105,39 139,81 209,68

Grafica 4

Grafica 5

Anlisis de resultados y Conclusiones: Con este experimento se pudo estudiar la ganancia de corriente de un transistor. En el transistor utilizado el valor obtenido de HFE fue de aproximadamente 193,7.Al graficar los datos obtenidos fue posible observar la zona de saturacin del transistor (ver grfico 3), ya que a medida de que VCE va disminuyendo, el valor de HFE no es constante, lo que se corroborra con el grfico 1 donde Ic se observa prcticamente constante que es el instante donde se satura y en 5, donde se observa la variacin de HFE a medida de que Ic va aumentando. Tambin es posible observar esta situacin mediante el grfico 1, donde a medida de que las corrientes Ic e IB van aumentando, van perdiendo la relacin lineal que tenan al inicio de las mediciones, donde su pendiente reflejaba el valor de la corriente de ganancia del transistor. La zona en donde el transistor posee ganancia de corriente de 193,7 la podemos identificar como zona activa del transistor.

Grafica 2

Grafica 3