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SUMRIO
1INTRODUO.....................................................................................................................1
2PROCESSOSESTRUTURASPROPRIEDADES.....................................................................2
2.1INTRODUOAOSMATERIAIS...............................................................................................3
2.2TIPOSDEMATERIAIS..............................................................................................................7
2.3RELACOENTREPROCESSOSESTRUTURASPROPRIEDADES..........................................15
2.4EFEITOSDOMEIOSOBOCOMPORTAMENTODOMATERIAL..............................................25
2.5SELEODOSMATERIAIS.....................................................................................................27
3ESTRUTURASATMICAS...................................................................................................29
3.1CONCEITOSELEMENTARES...................................................................................................30
3.2ESTRUTURASATMICAS......................................................................................................35
3.3ESTRUTURAELETRINICADOSTOMOS.............................................................................36
3.3.1NmeroQuntico.......................................................................................................36
3.3.2ConfiguraoEletrnicadosElementos......................................................................39
3.3.3ExclusodePauli........................................................................................................39
3.3.4DesviosdaEstruturaEletrnicaEsperada....................................................................40
3.3.5Valncia......................................................................................................................40
3.3.6TabelaPeridica.........................................................................................................41
3.3.7Eletronegatividade.....................................................................................................41
3.3.8PropriedadesAperidicasePeridicos.......................................................................42
4LIGAESQUMICAS........................................................................................................43
4.1LIGAESPRIMRIASFORTESENTRETOMOS...................................................................43
4.1.1LigaesInicas.........................................................................................................44
4.1.2LigaesCovalentes....................................................................................................46
4.1.3FraoCovalente........................................................................................................49
4.1.4LigaesMetlicas......................................................................................................50
4.2LIGAESSECUNDRIAS......................................................................................................51
II
4.2.1ForasdeVanDerWaals.............................................................................................51
4.2.1.1DipolosFlutuantesInduzidos...................................................................................52
4.2.1.2DipolosPermanentesMolculasPolares...............................................................53
4.3RESUMODASLIGAES.......................................................................................................54
4.4COMPRIMENTO,FORAEENERGIADELIGAO................................................................56
4.4.1ComprimentodeLigao............................................................................................56
4.4.2EnergiadeLigao......................................................................................................57
4.4.3ForaseDistnciasInteratmicas..............................................................................60
5ESTRUTURASCRISTALINAS...............................................................................................62
5.1ORDENAODOSTOMOS.................................................................................................64
5.1.1Desordenado(Amorfo)...............................................................................................65
5.1.2OrdenadoaCurtoAlcance..........................................................................................65
5.1.3OrdenadoaLongoAlcance..........................................................................................66
5.2CLULAUNITRIA.................................................................................................................67
5.2.1NmerodetomosporClulaUnitria.......................................................................70
5.2.2RelaoentreRaioAtmicoeParmetrodeRede......................................................73
5.2.3NmerodeCoordenao............................................................................................75
5.2.4FatordeEmpacotamento............................................................................................77
5.2.5Densidade...................................................................................................................78
5.3ESTRUTURAS.........................................................................................................................79
5.3.1ResumodaEstruturaCbica.......................................................................................79
5.3.2EstruturaHexagonalSimples......................................................................................80
5.3.3EstruturaHexagonalCompacta...................................................................................80
5.3.4AlotropiaouTransformaesPolimrficas..................................................................81
5.4DIREESEPLANOSNOCRISTAL.........................................................................................84
5.4.1CoordenadasdosPontos.............................................................................................84
5.4.2DireesdaClulaUnitria.........................................................................................85
III
5.4.3Planos.........................................................................................................................90
5.4.4ndicesdeMillerparaaClulaHexagonal...................................................................95
5.5METAIS.................................................................................................................................97
5.6CRISTAISINICOS.................................................................................................................98
5.6.1StiosIntersticiais........................................................................................................99
5.6.2TiposdeEstruturas...................................................................................................101
5.6.2.1TeoriadaRedeCristalinaparaCristaisInicos........................................................102
5.6.2.2EstruturasdoTipoAX............................................................................................105
5.6.2.3EstruturasdoTipo
.......................................................................................109
5.6.2.4EstruturasdoTipo
...................................................................................111
5.7CRISTAISCOVALENTES........................................................................................................112
5.7.1EstruturasdoDiamante............................................................................................112
5.8POLMEROS........................................................................................................................113
5.9DIFRAODERAIOSX........................................................................................................114
5.10IMPERFEIESNOARRANJOCRISTALINO........................................................................118
5.10.1VibraesnaRede...................................................................................................120
5.10.2DefeitosPontuais....................................................................................................120
5.10.2.1QuantoaForma...................................................................................................121
5.10.2.2QuantoaOrigemdoDefeito................................................................................128
5.10.2.3QuantoaEstequiometria.....................................................................................138
5.10.3DefeitosLineares....................................................................................................139
5.10.3.1DiscordnciaemEspiral.......................................................................................140
5.10.3.2DiscordnciaemCunha........................................................................................141
5.10.3.3DiscordnciaMista...............................................................................................142
5.10.4DefeitosPlanares....................................................................................................144
5.10.4.1SuperfcieExterna................................................................................................144
5.10.4.2ContornodeGro.................................................................................................144
IV
5.10.5DefeitosVolumtricos.............................................................................................145
5.10.5.1EstruturasAmorfas..............................................................................................145
6PROPRIEDADESTRMICAS..............................................................................................147
6.1CAPACIDADECALORFICA...................................................................................................147
6.2CALORESPECFICO..............................................................................................................147
6.3DILATAOOUEXPANOTRMICA.................................................................................148
6.4CONDUTIVIDADETRMICA.................................................................................................148
6.5TENSESTRMICAS............................................................................................................149
6.6EXPERIMENTOSDEPROPIEDADESTRMICAS....................................................................150
6.6.1AnlisedeCalorEspecficodosMateriais..................................................................150
6.6.2AnlisedeCoeficientedeDilataodeTrsMateriais...............................................152
7PROPRIEDADESMAGNTICAS.........................................................................................154
7.1EXPERIMENTODEPROPRIEDADESMAGNTICAS..............................................................154
7.1.1ObservaodeCampoEletroMagntico...................................................................154
7.1.2VariveisdosCamposEletroMagnticos..................................................................155
8PROPRIEDADESELTRICAS....................................................................................................156
8.1CONCEITOS.........................................................................................................................156
8.2MECANISMOSDECONDUODEBANDASDEENERGIA...................................................157
8.2.1TiposCaractersticosdeEstruturasdeBandasdeEnergiaemSlidos........................159
8.2.2Metais......................................................................................................................159
8.2.3Semicondutores........................................................................................................160
8.2.4Isolantes...................................................................................................................160
8.2.5EfeitodaTemperatura..............................................................................................161
8.3RESISTIVIDADEELTRICADEMETAISELIGAS....................................................................161
8.3.1EfeitodaTemperaturaedaEstruturanaResistividadedoMaterial..........................162
8.4CONDUTIVIDADEELTRICADOSMATERIAISINICOS.......................................................163
8.5CONDUTIVIDADEELTRICADOSMATERIAISCOVALENTES................................................164
V
8.6SEMICONDUTORESCONDUTIVIDADEELETRNICA.........................................................165
8.6.1SemicondutoresConduoIntrnseca.....................................................................166
8.6.2SemicondutoresConduoExtrnseca....................................................................167
8.7SUPERCONDUTIVIDADEELTRICA......................................................................................169
8.8COMPORTAMENTODIELTRICO.........................................................................................170
8.8.1ComportamentoFerroeltrico..................................................................................170
8.8.2ComportamentoPiezoeltrico..................................................................................171
9PROPRIEDADESTICAS...................................................................................................171
9.1CONCEITOSBSICOS..........................................................................................................172
9.2PROPRIEDADESTICASDEMATERIAISMETLICOS..........................................................172
9.3PROPRIEDADESTICASDEMATERIAISNOMETLICOS..................................................173
10BIBLIOGRAFIA...............................................................................................................176
10.1Webgrafia.........................................................................................................................176
11ANEXOS........................................................................................................................177
11.1ExercciosResolvidos........................................................................................................177
1INTRODUO
interessantedividiradisciplinaemCinciaeEngenhariadosmateriais,acinciados
materiais,envolveoestudoeinvestigaodasrelaesentreestruturasepropriedadesdos
materiais.JaEngenhariadosMateriaisbaseadanorelacionamentoestruturaVS.
Propriedade,desenvolveaestruturadeummaterialparaobtercertaspropriedades.Emum
pontodevistafuncional,oCientistadeMateriaisdesenvolveousintetizanovosmateriais
enquantooEngenheirodeMateriaisdesenvolvemsistemasusandomateriaisexistentese/ou
desenvolvetcnicasdeprocessarosmateriais.
AsEstruturasdosmateriaisestorelacionadascomaorganizaodeseus
componentesinternos.Asestruturassubatmicasenvolvemoseltronsemseustomosesua
interaocomoncleo,nonvelatmico,asestruturasenglobamostomosoumolculaseo
modoqueelesserelacionam,aprximamaiorestruturaseriamgruposdetomosou
molculasmicroscopicamenteaglomerados,efinalmenteelementosestruturaisquepodem
servistosaolhonu,chamadosmacroscpicos.
Enquantoemuso,todososmateriaisficamexpostosaestmulosexternosque
resultamemalgumtipoderesposta,porexemploumcorpoexpostoaforamecnica
apresentaralgumtipodedeformao,oufazeropolimentodeumasuperfciemetlicaa
deixarareflexiva.Apropriedadeomaterialtratadotercertotipoemagnitudederespostaa
umestimuloexternoimposto.Essadefiniodepropriedadetemqueserindependentede
tamanhoouforma.
Oobjetivodestaapostilafazercomqueatravsdaorganizaodosdadose
informaesexpostosaosalunos,osmesmosfixemestesedesenvolvamaorganizaoda
comunicaoescrita.
Nestaapostilaestoreunidosostemasdiscutidosemsaladeaula,osexperimentos,os
exercciosresolvidosealgumaspesquisasqueconsidereiinteressanteerelevanteparao
desenvolvimentodoconhecimentobsicodacinciadosmateriais.
2PROCESSOSMICROESTRUTURASPROPRIEDADES
Temosumexemplodarelaoprocessos>microestruturas>propriedadesnafigura
2.1,quemostratrsdiscossobreumasuperfcie.Mostraseclaraadiferenanaspropriedades
pticas(i.e.,atransmissodeluz)dosdiscos;omaisaesquerdatransparente(i.e.,
virtualmentetodaaluzrefletidapassaporele),enquantoosdiscosdocentroedadireitaso,
respectivamente,translcidoeopaco.Estesdiscossodomesmomaterial,Oxidodealumnio,
pormomaisaesquerdaumcristalnicoouseja,comaltograudeperfeiooque
aumentasuatransparncia.Odocentrocompostoporvriospequenoscristaisnicos
conectados;asfronteirasentremestespequenoscristaisdispersopartesdaluzrefletidada
superfcieoquedeixaomaterialopticamentetranslcido.Finalmenteodiscomaisadireita
compostonospormuitospequenoscristaisinterconectados,maistambmcomporum
grandenumerodeporoseespaosvazios.Estesporosajudamnadispersodaluzedeixaeste
materialopaco.
Figura2.1
Destamaneiraasestruturasdostrsdiscossodiferentesemtermosdecristalografia
oqueafetaaspropriedadesdetransmissotica.Almdisso,cadadiscofoiproduzidousando
processosdiferentese,claro,queseatransmissoticaforumparmetroimportanteparaa
utilizao,odesempenhodecadadiscoserdiferente.
2.1INTRODUOAOSMATERIAIS
TODO ENGENHEIRO (HARD)
manufatura materiais
processa materiais
projeta materiais
constri com materiais
seleciona materiais
testa e analisa materiais
Palheta de turbina
Fundi o convencional Gros col unares Cristal nico
Palheta de Turbina
OBJETIVO
ampliar os conhecimentos dos materiais disponveis
entender seu comportamento em geral e seu POTENCIAL de
utilizao
reconhecer os efeitos do meio e condies de servio -
LIMITAES
fornecer subsdios para compreender o comportamento de
materiais em servio
seu potencial (e limitaes) de utilizao em funo das
condies de servio e do meio
2.2TIPOSDEMATERIAIS
CLASSIFICAO DOS MATERIAIS:
CRITRIOS
aplicaes pela indstria
metais, cermicos, polmeros e compsitos
pelo grau de desenvolvimento tecnolgico
naturais, empricos, desenvolvimento cientfico e projetados
morfologia estrutural
monoestruturados, recobrimentos, gradiente e aleatrio
Materiais polimricos so
geralmente compostos
orgnicos baseados em
carbono, hidrognio e outros
elementos no-metlicos.
So constitudos de molculas
muito grandes (macro-
molculas)
Tipicamente, esses materiais
apresentam baixa densidade e
podem ser extremamente
flexveis
Materiais polimricos incluem
plsticos e borrachas
Classificao dos materiais pela indstria
Polmeros
Materiais compsitos so
constitudos de mais de um tipo
de material insolveis entre si.
Os compsitos so projetados
para a obteno de propriedades
as quais no esto presentes em
um material monofsico
Um exemplo clssico o
compsito de matriz polimrica
com fibra de vidro. O material
compsito apresenta a
resistncia da fibra de vidro
associado a flexibilidade do
polmero
Classificao dos materiais pela indstria
Compsitos
10
11
O uso das diferentes classes dos materiais tem sido alterado com a
evoluo tecnolgica.
Classificao dos materiais pela indstria
12
Classificao
dos materiais
Metais
Polmeros
Cermicos
Aplicao pela
indstria
Classificao dos materiais pela indstria
Espessura de parede: 0,15 mm
%peso embalagem/contedo: 3,85
Densidade (g/cm
3
): 2,70
Espessura de parede: 0,30 mm
%peso embalagem/contedo: 2,90
Densidade (g/cm
3
): 1,35
Espessura de parede:
8,0 mm
%peso
embalagem/contedo:
46,80
Densidade (g/cm
3
): 2,70
13
14
15
2.3RELAOENTREPROCESSOSESTRUTURAPROPRIEDADES
MATERIAIS PARA ENGENHARIA
desenvolvidos para uso na Indstria
fundamento: CINCIA DOS MATERIAIS
interrelao entre ESTRUTURA e PROPRIEDADES
ESTRUTURA PROPRIEDADES
CINCIA DOS MATERIAIS
16
17
18
19
- PROPRIEDADES
DE SUPERFCIE
DE VOLUME
- PROPRIEDADES DE SUPERFCIE
reatividade com o meio, resistncia corroso e
ao desgaste, biocompatibilidade, efeito decorativo
20
- PROPRIEDADES DE CORPO
comportamento mecnico, propriedades eltricas e
magnticas, condutividade trmica
21
22
- PROCESSOS DE FABRICAO
METAI S
Fundio: areia, vazamento, molde
permanente, cera perdida, lingotamento
contnuo
Conformao: forjamento, extruso,
estampagem profunda, dobramento, laminao
J uno: soldagem a gs, por resistncia
eltrica, brasagem, a arco, a estanho, por
frico e por difuso
Usinagem: torneamento, perfurao, fresa,
corte
Metalurgia do p
CERMICOS
Fundio ou colagem
Compactao: extruso, prensagem e
prensagem isosttica
Sinterizao
POLMEROS
Moldagem por injeo
Conformao: a vcuo, por repuxamento,
por extruso
SEMI-CONDUTORES
Crescimento de cristais
Deposio qumica de
vapores
COMPSITOS
Fundio, incluindo infiltrao
Conformao
J uno: juno adesiva, ligadura por
exploso, por difuso
Compactao e sinterizao
23
- PROCESSOS DE FABRICAO
DIFERENTES PROCESSOS DE FABRICAO
DIFERENTES MICROESTRUTURAS
MATERIAIS PARA
ENGENHARIA
Exemplo da relao
tripartite aplicada a uma
barra de alumnio laminado
24
25
2.4EFEITOSDOMEIOSOBOCOMPORTAMENTODOMATERIAL
Os materiais tm seu comportamento influenciado
pelo meio em que se encontram:
- TEMPERATURA
- CORROSO
- RADIAO
- DESGASTE
Temperatura
Tendncia: T RM
troca rpida de temperatura - catastrfica
Aumento de
temperatura
diminui a
resistncia
mecnica dos
materiais
26
Corroso
Metais e polmeros reagem com O
2
e outros gases
aumento de temperatura reage mais
pode ocorrer corroso por lquidos
pits, trincas fratura
Cermicos podem ser atacados por outros lquidos cermicos
Alumnio
atacado por
bactria
Hidrognio dissolvido no
cobre
fratura frgil
27
2.5SELEODOSMATERIAIS
Quais os critrios que um engenheiro deve adotar para selecionar
um material entre tantos outros?
Custo total.
Em primeiro lugar, o engenheiro deve caracterizar quais as condies de servio a que
ser submetido o material e levantar as propriedades requeridas para tal aplicao.
Deve-se incluir os fatores de degradao de propriedades, como temperatura de
trabalho, agentes corrosivos - ataque qumico, desgaste, radiaes, nessas
consideraes.
Determinar (ou saber como foram determinados) as propriedades de interesse e saber
qual o desempenho e limitaes e restries no uso dos materiais selecionados.
Em raras ocasies um material rene uma combinao ideal de propriedades,
ou seja, muitas vezes necessrio reduzir uma em benefcio da outra. Um
exemplo clssico so resistncia e ductilidade, geralmente um material de alta
resistncia apresenta ductilidade limitada. Este tipo de circunstncia exige que
se estabelea um compromisso razovel entre duas ou mais propriedades
Disponibilidade de matria-prima e viabilidade tcnica em obter a dimenso e forma da
pea para seu emprego.
Impacto ambiental da produo e reciclabilidade do material aps uso.
28
RELAO: RESISTNCIA/DENSIDADE
29
3ESTRUTURASATOMICAS
antes de entender fenmenos que determinampropriedades nos materiais a
partir da MICROESTRUTURAdeve-se primeiramente entender a ESTRUTURA
ATMICA(e ESTRUTURACRISTALINA) dos materiais porque estas definem
algumas de suas propriedades
ESTRUTURA PROPRIEDADES
CINCIA DOS MATERIAIS
ESTRUTURA ATMICA
ESTRUTURA CRISTALINA
MICROESTRUTURA
30
3.1CONCEITOSELEMENTARES
Por que os elementos no se decompem formando novos elementos?
Por que as substncias se decompem formando novas substncias?
Por que o nmero de elementos pequeno comparado ao nmero de
substncias?
Surgimento de Dalton
Thompson
TEORIAS: Rutherford
Bohr
Princpio da incerteza de Heisenberg
31
32
33
34
35
3.2ESTRUTURAATMICA
Eltrons (e
-
): - componente do tomo com carga negativa
de 1,6 x 10
-19
C;
- apresentam-se em rbitas;
- podem ser e
-
de valncia, se na ltima camada;
- podem gerar ctions ou nions.
Os e
-
mais afastados do ncleo determinam:
- propriedades qumicas;
- natureza das ligaes interatmicas;
- controlam tamanho do tomo, condutividade eltrica;
- influencia nas caractersticas ticas.
36
3.3ESTRUTURAELETRNICADOSTOMOS
3.3.1NMEROSQUNTICOS
37
38
Representao
da energia
relativa dos
eltrons de
cada camada e
subcamada
39
3.3.2CONFIGURAOELETRNICADOSELEMENTOS
Descreve o modo com o qual os eltrons esto arranjados nos orbitais do
tomo.
A configurao escrita por meio de uma notao convencional: lista o
n quntico principal, seguido pela letra do orbital, e o ndice sobrescrito
acima da letra do orbital.
Exemplo de configurao eletrnica:
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
4s
2
3d
10
4p
6
5s
2
Sr
DIAGRAMA DE LINUS PAULING
3.3.3EXCLUSODEPAULI
Distribuio eletrnica de tomos neutros
1s
2
Nvel
de
energia
Subnvel
Nmero
mximo
de
eltrons
Princpio de excluso de Pauli:
apenas 2 e
-
podem ter os mesmos n
os
qunticos
orbitais e estes no so idnticos pois tem spins
contrrios
40
3.3.4DESVIOSDAESTRUTURAELETRNICAESPERADA
Ocorre pois nem sempre
seguida a distribuio
eletrnica prevista pelo
ordenamento de eltrons,
principalmente quando o n de
tomos aumenta e os nveis d e
f comeam a ser preenchidos.
3.3.5VALNCIA
A camada de valncia a camada mais afastada do ncleo.
Est relacionada com a capacidade de um tomo em se combinar
quimicamente com outros elementos
Exemplo:
Mg: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
Valncia 2
Al: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
1
Valncia 3
Ge: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
10
4s
2
4p
2
Valncia 4
Depende tambm da natureza da reao qumica.
Exemplo: P
41
3.3.6TABELAPERIDICA
3.3.7ELETRONEGATIVIDADE
Valores de eletronegatividade dos elementos, segundo a Tabela Peridica dos elementos.
Tabela de Eletronegatividade
42
3.3.8PROPRIEDADESAPERIDICASEPERIDICOS
Relao do PF e PE com o nmero
atmico
Aperidicas: massa atmica
Peridicas: raio atmico
potencial de ionizao
eletroafinidade
densidade
PF e PE
43
Relao do
potencial de
ionizao com o
nmero atmico
Aperidicas: massa atmica
Peridicas: raio atmico
potencial de ionizao
eletroafinidade
densidade
PF e PE
4LIGAESQUIMICAS
4.1LIGAESPRIMRIASFORTESENTRETOMOS
O tipo de ligao interatmica geralmente explica a propriedade do material. Por
exemplo, o carbono pode existir na forma de grafite que mole, escuro e gorduroso e na
forma de diamante que extremamente duro e brilhante. Essa enorme disparidade nas
propriedadescomeapelotipodeligaoqumicadocarbonoemcadaumdoscasos.Paraum
elementoadquiriraconfiguraoestvelde8e
naltimacamadaelepode:
1. Recebere
extrasformandoons
2. Cedere
positivosounegativos
3. Compartilhare
associaoentretomos
Inicas
LigaesprimriasCovalentes
Metlicas
44
4.1.1LIGAESINICAS
z Os eltrons de valncia so
transferidos entre tomos
produzindo ons
z Forma-se com tomos de
diferentes eletronegatividades
(alta e baixa)
z A ligao inica no direcional,
a atrao mtua
z A ligao forte= 150-300
Kcal/mol (por isso o PF dos
materiais com esse tipo de
ligao geralmente alto)
Inica
Em resumo:
Atrao mtua de cargas + e -
Envolve o tamanho de ons
Elementos menos eletronegativos: cedeme
-
ctions
Elementos mais eletronegativos: recebeme
-
nions
45
46
4.1.2LIGAESCOVALENTES
z Os eltrons de valncia so
compartilhados
z Forma-se com tomos de alta
eletronegatividade
z A ligao covalente
direcional
z A ligao covalente forte
(um pouco menos que a
inica)= 125-300 Kcal/mol
z Esse tipo de ligao comum
em compostos orgnicos, por
exemplo em materiais
polimricos e diamante.
Tipo de simetria em
ligaes covalentes
Covalente
47
Diamante macromolcula
C distribuio eletrnica no estado fundamental: 1s
2
2s
2
2p
2
pode formar 2
ligaes covalentes
C forma quatro ligaes covalentes de mesma intensidade porm
HIBRIDIZAO
1s 2s
2p
Dois orbitais
semipreenchidos
1s Quatro orbitais equivalentes
sp
3
semipreenchidos
ARRANJO DOS ORBITAIS NO
ESTADO FUNDAMENTAL
ARRANJO DOS ORBITAIS sp
3
HIBRIDIZADAS
ENERGIA PARA LEVAR O ELTRON 2s PARA O ORBITAL 2p COMPENSADA
PELA DIMINUIO DE ENERGIA QUE ACOMPANHA O PROCESSO DE LIGAO
48
Diamante
C apresenta ligaes tetradricas sp
3
: C no centro de um tetraedro regular formado de
outros quatro carbonos
Estrutura do diamante: molcula macia contnua em cada cristal
Dureza do diamante trincar um diamante significa quebrar milhes de ligaes
covalentes com energia de ligao de 711kJ/mol
Grafite
- apresenta-se em camadas
- C 3 vizinhos prximos com comprimento
de ligao 1,42
- planos separados por 3,35
indica foras de ligao fracas
Gap de van der Waals
- ligao na camada: sp
2
hbrida
- ligao entre camadas: orbital p
- Propriedades qumicas e condutividade
eltrica esto relacionadas com as ligaes
49
4.1.3FRAOCOVALENTE
Muito poucos compostos exibem ligao inica e covalente
puras.
A maioria das ligaes inicas tm um certo grau de ligao
covalente e viceversa transferem e compartilham
eltrons.
O grau do tipo de ligao depende da eletronegatividade dos
tomos constituintes.
Muitos cermicos e semicondutores so formados por metais
e no-metais, e so na verdade uma mistura de ligaes
inicas e covalente.
Quanto maior a diferena de eletronegatividade entre os
tomos aumenta o carter inico.
O carter inico aumenta em elementos com distribuio
eletrnica de final sp
FC = exp (- 0,25 E
2
)
onde E a diferena nas eletronegatividades dos tomos
Ex: SiO
2
E
Si
= 1,8 E
O
= 3,5
Frao covalente FC = 0,486= 48,6%
FI = 1 FC FI: frao inica
50
4.1.4LIGAESMETLICAS
z Forma-se com tomos de baixa
eletronegatividade (em torno de 3
eltrons de valncia)
z Os eltrons de valncia so divididos
por todos os tomos (no esto
ligados a nenhum tomo em
particular) e assim eles esto livres
para conduzir
z A ligao metlica no direcional
porque os eltrons livres protegem o
tomo carregado positivamente das
foras repulsivas eletrostticas
z A ligao metlica forte (um pouco
menos que a inica e covalente)= 20-
200 Kcal/mol
Metlica
Eltrons externos dos tomos do metal esto livres para mover-se entre os centros positivos
juno eletrnica determinam propriedades
Fora eltrica de atrao entre eltrons mveis e imveis ligao metlica.
Forte ligao resulta em: materiais densos, fortes com alto ponto de fuso e ebulio
Metais - bons condutores de eletricidade: eltrons livres so transportadores de
carga e corrente eltrica, quando uma
ddp aplicada na pea metlica.
- bons condutores de calor: choques de eltrons livre, transferindo E
c
- tem uma superfcie prateada que pode ser facilmente manchada por
corroso, oxidao do ar e da gua
ons
mar de
eltrons
51
4.2LIGAESSECUNDRIAS
Podem ser:
Ligaes ou Foras de - Dipolos permanentes -Pontes de
van der Waals Hidrognio
- Dipolos flutuantes -Dipolos
induzidos
Est relacionada com a quantidade de energia envolvida
- PE dos halognios (F
2
, Cl
2
, Br
2
, I
2
): crescente massa molecular
- PE dos haletos dos halognios
geometria molecular: linear, trigonal plana, angular,
tetradrica, piramidal;
repulso dos pares eletrnicos - ngulo de ligao
4.2.1FORASDEVANDERWAALS
z So ligaes de natureza
fsica
z A polarizao (formao de
dipolos) devido a estrutura da
ligao produz foras
atrativas e repulsivas entre
tomos e molculas
z A ligao de van der Waals
no direcional
z A ligao fraca< 10 Kcal/mol
Van der Waals
52
4.2.1.1DIPLOSFLUTUANTESINDUZIDOS
Ocorre em molculas com distribuio de
cargas eltricas simtricas (H
2
, N
2
, O
2
,...), onde
os e
-
e suas vibraes podem distorcer esta
simetria, ocorrendo um dipolo eltrico.
Esquema representativo (a) tomo eletricamente
simtrico (b) um dipolo atmico induzido
53
4.2.1.2DIPLOSPERMANENTESMOLCULASPOLARES
Molculas assimtricas (NH
3
, CH
3
Cl) jamais tm
coincidentes os centros de suas cargas positivas e
negativas, podendo interagir eletrostaticamente com as
adjacentes.
Esquema representativo da
molcula polar de HCl
Molculas polares
na ausncia de
campo eltrico
na presena de
campo eltrico
54
PONTES DE HIDROGNIO
ons e de certas molculas se dissolvem na gua polaridade
Exemplo:o cloreto de sdio (forma cristalina)
e dissolvido em gua.
Propriedades da gua ligao
- gelo flutuar: menos
denso: as ligaes de hidrognio
mantm as molculas de gua
mais afastadas no slido do que
no lquido, onde h uma ligao
hidrognio a menos por molcula)
- elevado calor de
vaporizao
- forte tenso
superficial
- alto calor especfico
- propriedades
solventes
- efeito hidrofbico
Estrutura do gelo
4.3RESUMODASLIGAES
INICA COVALENTE METLICA SECUNDRIAS
55
56
4.4COMPRIMENTO,FORAEENERGIADELIGAO
Representao
tetradrica dos
diferentes tipos de
ligaes que ocorrem
entre os materiais de
engenharia.
4.4.1COMPRIMENTODELIGAO
z A distncia entre 2 tomos
determinada pelo balano das
foras atrativas e repulsivas
z As foras atrativas variam
com o quadrado da distncia
entre os 2 tomos
z As foras repulsivas variam
inversamente proporcional a
distncia interatmica
z Quando a soma das foras
atrativas e repulsivas zero,
a distncia entre os tomos
est em equilbrio.
57
4.4.2ENERGIADELIGAO
z a soma das foras atrativas e
repulsivas entre os tomos
z No ponto de equilbrio a soma das
duas foras zeroF
resultante
= 0
z Quando os tomos se aproximam as
foras de atrao e repulso
aumentam (mas as foras de
repulso aumentambemmais)
F
atrao
= - Z
1
Z
2
e
2
4
0
a
2
F
repulso
= - nb
a
n+1
F
resultante
= - Z
1
Z
2
e
2
- nb
4
0
a
2
a
n+1
F
atrao
> F
repulso
F
atrao
< F
repulso
58
59
60
4.4.3FORASEDISTNCIASINTERATMICAS
61
62
5ESTRUTURASCRISTALINAS
antes de entender fenmenos que determinam propriedades nos materiais a
partir da MICROESTRUTURAdeve-se primeiramente entender a (ESTRUTURA
ATMICA) e ESTRUTURA CRISTALINAdos materiais porque estas definem
algumas de suas propriedades
ESTRUTURA ATMICA
ESTRUTURA CRISTALINA
MICROESTRUTURA
ESTRUTURA PROPRIEDADES
CINCIA DOS MATERIAIS
63
64
5.1ORDENAODOSTOMOS
Cristal Amorfo Gs
Ordenamento a
longo alcance
Ordenamento a
curto alcance
Sem
ordenamento
Os materiais slidos podem ser classificados de acordo com a regularidade
na qual os tomos ou ons se dispem em relao seus vizinhos.
Estado slido
Estado gasoso
65
5.1.1DESORDENADO(AMORFO)
Em gases, como o Ar e outros gases nobres.
Se confinados, os gases no apresentaro nenhuma ordem
entre seus tomos constituintes.
Argnio
Hlio
5.1.2ORDENADOACURTOALCANCE
ngulos, distncias e simetria com ordenao
a curto alcance.
Ocorre na H
2
O, que apresenta uma orientao
preferencial, no SiO
2
e no polietileno.
em materiais no-cristalinos ou amorfos
H
O
O
H
2
O
SiO
2
Polietileno
66
5.1.3ORDENADOALONGOALCANCE
Material cristalino
tomos ordenados em longas distncias atmicas
formam uma estrutura tridimensional
rede cristalina
Metais, muitas cermicos e alguns
polmeros formam estruturas
cristalinas sob condies
normais de solidificao
67
5.2CLULAUNITRIA
As estruturas ideais apresentam baixa energia e maior empacotamento,
j as reais compreendem os defeitos possveis nas ideais.
As estruturas ideais compreendem:
- diferentes sistemas cristalinos ngulos ,,
tamanho das arestas a, b, c
- sistemas cristalinos 7 diferentes
- redes de Bravais 14 diferentes
68
69
Metais cristalizam
preferencialmente:
- hexagonal
- CCC
- CFC
- CS muito raro
7 sistemas cristalinos e 14 redes de Bravais
METAIS
Ligao metlica no-
direcional: no h restries
quanto ao nmero e posies
dos vizinhos mais prximos.
Estrutura cristalina dos metais
tm geralmente um nmero de
vizinhos grandes e alto
empacotamento atmico.
Rombodrico
Hexagonal
70
5.2.1NMERODETOMOSPORCLULAUNITRIA
o nmero especfico de pontos da
rede que define cada clula unitria.
- tomo no vrtice da clula
unitria cbica: partilhado por
sete clulas unitrias em contato
somente 1/8 de cada
vrtice pertence a uma
clula particular.
- tomo da face centrada:
partilhado por
duas clulas
unitrias
Cbico Simples
(CS)
Cbico Corpo Centrado
(CCC)
Cbico Face Centrada
(CFC)
SISTEMA CBICO
71
72
CS 1 tomo
CCC 2 tomos
CFC 4 tomos
73
5.2.2RELAOENTRERAIOATMICOEPARMETRODEREDE
Determina-se primeiramente como os tomos esto em contato
(direo de empacotamento fechado, ou de maior empacotamento)
Geometricamente determina-se a relao entre o raio atmico (r) e
o parmetro de rede (a
o
).
74
a=2R2
Contato entre os tomos ocorre
atravs da diagonal da face da
clula unitria
d
face
2
= a
o
2
+ a
o
2
(4r)
2
= 2a
o
2
Exemplo 2: Determine a relao entre o raio atmico e o
parmetro da rede cristalina para as clulas unitrias do
sistema cristalino cbico (CS, CFC, CCC).
CBICO DE FACE CENTRADA
75
Fe CCC
Exemplo3: O raio atmico do ferro 1,24 A Calcule o parmetro de rede
do Fe CCC e CFC.
Fe CFC
a
o
= 4r
3
1/2
a
o
= 4 x 1,24 = 2,86 A
3
1/2
a
o
= 4r
2
1/2
a
o
= 4 x 1,24 = 3,51 A
2
1/2
5.2.3NMERODECOORDENAO
O nmero de coordenao o nmero de vizinhos mais prximos,
depende de: - covalncia: o nmero
de ligaes covalentes
que um tomo pode
compartilhar;
- fator de empacotamento
cristalino.
CBI CO
SIMPLES
NC = 6
76
CBICO DE
CORPO
CENTRADO
NC = 8
CBICO
DE FACE
CENTRADA
NC = 12
77
HEXAGONAL
COMPACTO
NC = 12
5.2.4FATORDEEMPACOTAMENTO
Fator de empacotamento a frao de volume da clula unitria
efetivamente ocupada por tomos, assumindo que os tomos so esferas
rgidas.
FE = (n tomos / clula) * volume cada tomo
volume da clula unitria
Exemplo 4: Calcule o fator de empacotamento do sistema cbico (CS, CFC
e CCC).
78
5.2.5DENSIDADE
A densidade terica de um cristal pode ser calculada usando-se as
propriedades da estrutura cristalina.
= (n tomos / clula)*(massa atmica de cada tomo)
(volume da clula unitria) * (n de Avogadro)
Exemplo 5: Determine a densidade do Fe CCC, que tem um a
0
de 2,866 A.
79
5.3ESTRUTURAS
5.3.1RESUMODAESTRUTURACBICA
tomos Nmero de Parmetro Fator de
por clula coordenao de rede empacotamento
CS 1 6 2R 0,52
CCC 2 8 4R/(3)
1/2
0,68
CFC 4 12 4R/(2)
1/2
0,74
CS
CCC CFC
80
5.3.2ESTRUTURAHEXAGONALSIMPLES
Metais no cristalizam no sistema hexagonal simples
o fator de empacotamento
muito baixo
Cristais com mais de um tipo
de tomo podem cristalizar neste
sistema
5.3.3ESTRUTURAHEXAGONALCOMPACTA
O sistema Hexagonal Compacto mais comum nos metais (ex: Mg, Zn)
Neste sistema cada tomo em seu nvel est localizado acima ou
abaixo do interstcio de 3 tomos de nveis adjacentes.
81
5.3.4ALOTROPIAOUTRANSFORMAESPOLIMRFICAS
Alguns metais e no-metais podem ter mais de uma estrutura cristalina
dependendo da temperatura e presso.
Materiais de mesma composio qumica, mas que podem
apresentar estruturas cristalinas diferentes, so denominados de
alotrpicos ou polimrficos.
Geralmente as transformaes polimrficas so acompanhadas de
mudanas na densidade e mudanas de outras propriedades fsicas.
82
T
ambiente
Fe
CCC
,
NC 8
FE 0,68
910 C Fe
CFC
NC 12
FE 0,74
1390 C Fe
CCC
83
84
5.4DIREESEPLANOSNOCRISTAL
Aspropriedadesdemuitosmateriaissodirecionais,porexemploomdulode
elasticidadedoFe
CCC
maiornadiagonaldocuboquenadireodaaresta.
5.4.1COORDENADASDOSPONTOS
Pode-se localizar os pontos das
posies atmicas da clula
unitria cristalina construindo-se
um sistema de eixos coordenados.
85
5.4.2DIREESDACLULAUNITRIA
Algumas direes da clula unitria so de particular importncia, por
exemplo os metais se deformam ao longo da direo de maior
empacotamento.
Algumas propriedades dos materiais dependem da direo do cristal
em que se encontram e so medidas.
Os ndices de Miller das direes so usados para descrever estas
direes.
86
Algumas observaes:
- direo e suas mltiplas so idnticas [111] [222];
- ndices de Miller simtricos no so da mesma direo
(direes e suas negativas no so idnticas) [111] [111];
FAMLIA DE DIREES: conjunto de ndices de Miller onde todos tem
mesma simetria.
Exemplo para
simetria cbica:
87
L
= nmero de tomos
unidade de comprimento
88
L
= 1/2 + 1/2
a
o
a
o
= 4r/3
1/2
L
= 0,187 tomos/
Exerccio: Qual a densidade linear na direo [1 1 0] para o Cu?
89
Densidade linear
L
L
= 1/ D
r
= 1/ 6,262 10
-8
L
= 1,597 10
7
tomos/cm
Fator de empacotamento FE
FE = 2r/ D
cubo
= 0,408
Exerccio: Compare a D
r
, r
L
e o FE para as direes [1 1 1] e [1 1 0] do Cu CFC.
Exemplo 9: Calcule a distncia de repetio, densidade linear e o fator de
empacotamento para a direo [1 1 1] do Cu CFC. (ao=3,6151 A)
90
5.4.3PLANOS
Um cristal possui planos de tomos que influenciam as propriedades e
o comportamento de um material.
Os ndices de Miller tambm so determinados para planos.
NDICES DE MILLER PARA PLANOS:
1. Definir trs pontos onde o plano corta x, y e z.
2. Calcular os recprocos dos valores obtidos.
3. Eliminar as fraes sem reduzir ao m.m.c.
4. Escrever entre parnteses, e se houver n negativo o sinal colocado
sobre este n.
OBS.: Se o plano passar pela origem, desloque-a. (h k l)
x y z
91
Observaes importantes:
- Iguais ndices de Miller para direo e
plano, significa que estes apresentam
perpendicularidade.
Exemplo: (1 0 0) [1 0 0]
- ndices de Miller simtricos so o mesmo
plano, depende apenas do referencial
(planos e seus negativos so idnticos).
Exemplo: (0 2 0) (0 2 0)
- Planos e seus mltiplos no so
idnticos (densidade planar diferente).
P
= nmero de tomos no plano
rea do plano
FATOR DE EMPACOTAMENTO PLANAR: quanto da rea est
efetivamente coberta por tomos.
FE
P
= rea dos tomos
rea do plano
92
planar (0 2 0)
= zero
FE
planar (0 2 0)
= zero
planar
= n tomos
rea
planar (0 1 0)
= 1 tomo = 8,96 10
14
tomos/cm
2
a
o
2
FE
planar
= rea de tomos por face
rea da face
FE
planar (0 1 0)
= 1 tomo (pr
2
)= 0,79
a
o
2
(010)
(020)
93
94
95
5.4.4NDICESDEMILLERPARAACLULAHEXAGONAL
Chamados ndices de Miller Bravais, devido a modificao em relao
ao sistema cristalino
Estabelece-se 4 eixos, 3 coplanares
Tem-se 4 intersees e 4 ndices de Miller
ndices de Miller Bravais: h k i l
onde: h + k = - i
Similar aos ndices de Miller para plano da estrutura cristalina cbica,
determina-se os ndices de Miller Bravais.
96
Direes na clula
unitria hexagonal
[h k i l]
Eixos: a
1
a
2
a
3
c
97
Direo C:
1. alvo= 0, 0, 0, 1; origem= 1, 0, 0, 0
2. alvo - origem = -1, 0, 0, 1
3. sem fraes
4. [1 0 01]
Direo D:
1. alvo= 0, 1, 0, 0; origem= 1, 0, 0, 0
2. alvo - origem = -1, 1, 0, 0
3. sem fraes
4. [1 1 0 0]
Exemplo 13: Determine os ndices de Miller para os planos A e B e para
as direes C e D
5.5METAIS
Sistema cbico
Sistema
hexagonal
compacto
Sumarizando: os elementos metais cristalizam preferencialmente em
sistemas cbico(CCC, CFC) ou hexagonal (HC). Logo, a estrutura cristalina
destes materiais j foi estudada.
CCC CFC
98
5.6CRISTAISINICOS
Muitos materiais cermicos possuem ligaes inicas entre
nions e ctions.
possuem estruturas cristalinas que
asseguram a neutralidade eltrica.
Relao de raios: nion (geralmente maior)
e ction
Considera-se que o nion vai formar a rede cristalina e o ction
preencher os vazios da rede.
determina o tipo de
arranjo cristalino.
99
5.6.1STIOSINTERSTICIAIS
Estrutura cristalina de uma clula unitria
existem pequenos espaos no
ocupados (vazios) stios intersticiais.
Podem ser ocupados por tomos estranhos
a rede ex: impurezas e elementos liga nos metais
Estruturas inicas (como muitos cermicos) podem ser
entendidas como o nion formando a rede cristalina e o ction
preenchendo os stios intersticiais, respeitando a neutralidade
inica.
100
2R + 2r = 2R 2
r = 2
R - R
r = (2
- 1) R
r /R= 0,414
2R + 2r = 2R 3
r = 3
R - R
r = (3
- 1) R
r /R= 0,732
Exemplo 14: Supondo uma esfera, calcule o tamanho de um stio intersticial: (a) cbico (b)
octadrico.
101
O tomo intersticial
- tamanho menor do
stio intersticial
- tamanho maior do
stio intersticial
Razo entre raios
determina NC e a
localizao do interstcio
2 0 - 0,155
3 0,155 - 0,225
4 0,225 - 0,414
6 0,414 - 0,732
8 0,732 - 1,000
NC
Razo raios
5.6.2TIPOSDEESTRUTURAS
102
5.6.2.1TEORIADAREDECRISTALINAPARACRISTAISINICOS
Modelo matemtico da estrutura cristalina de cristais inicos
clculo de propriedades do cristal: energia de ligao e espaamento de
equilbrio dos ons no cristal
Considera-se que:
- rede construda com esferas rgidas que tocam-se em uma direo;
as esferas tem um raio fixo e definido;
- as esferas so eletricamente carregadas com cargas elementares;
- as cargas formam um arranjo peridico;
- a rede empacota de forma simples: cbico, hexagonal ou cbico de face centrada
Ex: NaCl
Caractersticas da rede:
- Arranjo peridico de esferas
- Esferas rgidas com raio fixo e definido
- Esferas carregadas com cargas elementares
- Tamanho dos ons: Na
+
: 0,98 e Cl
-
: 1,81
103
1
2 1
= = z z
2 , 1
2
0
2 , 1
4
1
r
e
E =
=
= + + + + + + =
=
2
14 13 ' 12
14 13 12
2 ...
' ' '
k
CL CL
E E E E E E E E
Como:
CL
k
CL
r
e
E
2
0
4
1
) 1 ( =
e
0 4 1 0 3 1 0 2 1
3 2 d r d r d r = = =
Ento:
+ + = ...
5
1
4
1
3
1
2
1
1
4
2
0 0
2
d
e
E
CL
ln 2
0 0
2
4 d
e
A E
CL CL
=
A
CL
= 2 ln2 = 1,386
CADEIA LINEAR
Por comparao, a energia de ligao de um simples on em uma molcula de dois
ons, separado por uma distncia d
0
, :
0 0
2
4 d
e
E
Mol
=
Logo, A
CL
a razo da energia de ligao de um on na cadeia linear em relao a um
on na molcula:
Mol
CL
CL
E
E
A =
IMPORTANTE: A
CL
> 1 significa que a situao de um on na cadeia linear energeticamente
mais favorvel que em uma molcula de dois ons, embora na cadeia linear, h a repulso
entre cargas.
ENERGIA DE LIGAO EM UMA REDE TRIDIMENSIONAL?
104
=
k i
ik G
E E
=
ik
G
n d
e
E
1
4
1
0
2
0
= A
n
ik
1
0 0
2
4 d
e
A E
G
=
Significado de A:
Razo entre a energia de
ligao do on na rede
cristalina e a energia de
ligao do on na
molcula
N
d
e z z
A E
G
0 0
2
2 1
4
=
105
5.6.2.2ESTRUTURASDOTIPOAX
Os compostos cermicos mais simples possuem igual
nmero de tomos metlicos e no-metlicos. Podem ser
inicos como o MgO (Mg
+2
, O
-2
), ou covalentes como o ZnS.
NC
Trs formas principais: CsCl 8
NaCl 6
ZnS 4
Tipo CsCl
Cada tomo A tem
oito vizinhos X
r
Cs+
= 1,69
R
Cl
-
=
1,81
NC = 8
r/R=0,92
106
Tipo CsCl
D
c
= 2 (R+r)
Os ons se tocam pela diagonal do cubo
a
o
= 2(r+R)
3
1/2
Tipo NaCl
Cada tomo A tem
seis vizinhos intersticiais
r
Na+
= 1,02
R
Cl
-
=
1,81
NC = 6
r/R=0,56
Exemplos: MgO, MnS, LiF, FeO
Na
Cl
107
Tipo NaCl
Os ons se tocam pela aresta do cubo
a
o
= 2(r+R)
Tipo ZnS
Os ctions ocupam 4 das 8
posies intersticiais tetraedrais
possveis.
r
Zn+
= 0,74
R
S
-
=
1,84
NC = 4
r/R=0,40
Exemplos: BeO
108
Tipo ZnS
D
c
= 4 (R+r)
Os ons se tocam pela diagonal do cubo
a
o
= 4(r+R)
3
1/2
Tipo NiAs
Estrutura hexagonal com seis interstcios com Ni
+2
109
5.6.2.3ESTRUTURASDOTIPOA
n
X
m
Relao de 1
ction para 2 nion
Estrutura cubica
de face centrada
8 interstcios
octadricos ocupados
Ex: estruturas AX
2
ou A
2
X
3
Tipo AX
2
Exemplos: UO
2
, PuO
2
,
ThO
2
CaF
2
Exemplo: UO
2
, interstcios octaedrais disponveis combustvel nuclear
produtos de fisso acomodados nas posies vazias.
Exemplo: ZrO
2
Tipo AX
2
110
Exemplo: Pirita
Tipo AX
2
FeS
2
Fe
S
Exemplo: Al
2
O
3
Tipo A
2
X
3
Mantm
neutralidade
eltrica devido a
valncia
111
5.6.2.4ESTRUTURASDOTIPOA
n
B
m
X
p
Tipo BaTiO
3
xido duplo com dois
ctions
Estrutura mais complexa
devido a presena de mais
um tomo
Estrutura da Perovskita
Exemplos: CaTiO
3,
SrZnO
3
, SrSnO
3,
Ferritas e Espinlios
Tipo FeAl
2
O
4
Estrutura do Espinlio
A metal valncia +2
B metal valncia +3
O forma rede CFC
A interstcio octadrico
B interstcio tetradrico
Uso: materiais magnticos no
metlicos em aplicaes
eletrnicas
112
5.7CRISTAISCOVALENTES
5.7.1ESTRUTURASDODIAMANTE
Ocupao dos interstcios ~ ZnS
Totalmente covalente
Forma metaestvel
Exemplos: Ge, Si, Pb
D
c
= 8r
Os tomos se tocam
pela diagonal do cubo
a
o
= 8r
3
1/2
113
Soluo:
= m/ V
Massa cl. unit.= 8 C 8 x 12/6,02.10
23
= 15,95 . 10
-23
g
Volume da clula unitria: a
o
3
a
o
= 8 r / 3
0,5
r = 0,077 nm
a
o
= 8 . 0,077 nm / 3
0,5
= 0,356 nm
a
0
3
= 0,0451 . 10
-27
m
3
= 15,95 . 10
-23
g / 0,0451 . 10
-27
m
3
= 3,54 . 10
6
g/m
3
ou 3,54 g/cm
3
Exemplo 16: Calcule a densidade do Diamante.
5.8POLMEROS
Tipicamente: amorfos
(ordem a curto alcance)
Sob condies especiais:
estrutura cristalina.
Ex.: polietileno estrutura
ortorrmbica
114
5.9DIFRAODERAIOSX
Difrao de raios-X diferentes comprimentos de onda
Espectro de radiao eletromagntica, salientando o
comprimento de onda para a radiao X.
115
O FENMENO DA DIFRAO:
Quando um feixe de raios x dirigido um material cristalino, esses
raios so difratados pelos planos dos tomos ou ons dentro do cristal
T= fonte de raios X
S= amostra
C= detector
O= eixo no qual a amostra e o
detector giram
O DIFRATMETRO:
Para que ocorra a difrao, o feixe de raios X precisa estar em fase com os planos
do cristal.
De outra maneira, interferncias destrutivas de ondas ocorrem e no possvel
detectar um feixe de difrao intenso.
116
117
118
Exemplo 17: Uma amostra de ferro CCC foi colocada num difractmetro de
raios X incidentes com = 0,1541nm. A difrao pelos planos {110} ocorreu
para 2= 44,704
o
. Calcule o valor do parmetro de rede do ferro CCC
(considere a difrao de 1
a
ordem, com n=1).
Soluo:
d
[110]
2= 44,704
o
= 22,352
o
= 2.d
[hkl]
sen
d
[110]
= / 2 sen = 0,1541nm / 2(sen 22,35
o
) = 0,2026 nm
a
o(Fe)
d
[110]
= a
o
/ (h
2
+k
2
+l
2
)
0,5
a
o(Fe)
= d
[110]
= a
o
/ (h
2
+k
2
+l
2
)
0,5
= 0,2026nm (1,414) = 0,287 nm
5.10IMPERFEIESNOARRANJOCRISTALINO
Rede sem defeitos, ideal,
T= 0K Propriedades:E
L
, E,
diagrama de fases,
equilbrio termodinmico
ESTRUTURA CRISTALINA
PERTURBAES NA ESTRUTURA CRISTALINA
Estgio 1: vibrao da rede, T>0
Propriedades: k, , C
Estgio 2: defeitos pontuais
(vacncias, tomos intersticiais,
substitucionais, Frenkel e Schottky)
na rede
Propriedades: difuso, processos
de transporte conduo inica,
reaes de estado slido,
transformaes de fase, evoluo
da microestrutura, deformao em
T
elevadas
Estgio 3: defeitos lineares, discordncias
Propriedades: mecnicas (deformao
plstica), fragilidade, dureza
Estgio 4: defeitos planares,falhas,
contornos de gros, de fases.
Propriedades: magnticas e dieltricas
No apresenta rede
cristalina, defeito
volumtrico.
ESTRUTURA AMORFA
119
120
5.10.1VIBRAESNAREDE
As vibraes da rede so quantizadas por fnons.
Configurao cristalina ideal s ocorre
hipoteticamente
temperatura do zero
absoluto
demais temperaturas
vibrao dos tomos na rede provoca
distores no cristal perfeito;
5.10.2DEFEITOSPONTUAIS
Podemser classificados segundo:
FORMA
ORIGEM DO DEFEITO
ESTEQUIOMETRIA
- vacncia
- tomo intruso
- schottky
- frenkel
- intrnseco
- extrnseco
- sub rede de ctions
no
estequiomtrico
- sub rede de nions
121
5.10.2.1QUANTOFORMA
VACNCIAS:
Tambm denominado de lacuna
a falta de um tomo na rede cristalina
Pode resultar do empacotamento
imperfeito na solidificao inicial,
ou decorrer de vibraes trmicas
dos tomos em temperaturas elevadas
122
VACNCIAS:
O nmero de vacncias varia com a temperatura
n
v
= n exp (-Q/RT)
onde:
nv: n de vacncias/cm3
n: n de pontos na rede/cm3
Q: energia necessria para produzir a vacncia (J/mol)
R: cte dos gases (8,31 J/molK)
T: temperatura em K
VACNCIAS:
Exemplo 18: Calcule o n de vacncias por centmetro cbico e o n de
vacncias por tomo de cobre, quando o cobre est (a) a temperatura
ambiente, (b) 1084C. Aproximadamente 83600 J/mol so requeridos para
produzir uma vacncia no cobre.
Dados:
a
0
= 3,6151 x 10
-8
cm
Q = 83600 J/mol
R = 8,31J/mol K
123
VACNCIAS:
n
v
= n exp (-Q/RT)
Exemplo 18 - Soluo
O nmero de tomos de cobre por parmetro da rede por cm
3
:
n = n tomos/clula
volume da clula unitria
n = 4 tomos/clula = 8,47 x 10
22
tomos Cu/cm3
(3,6151 x 10
-8
)
3
O que se quer saber?
n
v
a T
amb
e a 1084C
VACNCIAS:
n
v
= n exp (-Q/RT)
Exemplo 18 - Soluo
(a) T
ambiente
:
T = 25 + 273 = 298 K
n
v
= (8,47 x 10
22
) exp [-83600/(8,31 x 298)]
n
v
= 1,847 x 10
8
vacncias/cm
3
n
v
= 1,847 x 10
8
vacncias/cm
3
n 8,47 x 10
22
tomos de Cu/cm
3
n
v
= 2,18 x 10
-15
vacncias/ tomos de Cu
n
124
VACNCIAS:
Exemplo 18 - Soluo
n
v
= n exp (-Q/RT)
(b) T = 1084C:
T = 1084 + 273 = 1357 K
n
v
= (8,47 x 10
22
) exp [-83600/(8,31 x 1357)]
n
v
= 5,11 x 10
19
vacncias/cm
3
n
v
= 5,11 x 10
19
vacncias/cm
3
n 8,47 x 10
22
tomos de Cu/cm
3
n
v
= 6,03 x 10
-4
vacncias/ tomos de Cu
n
VACNCIAS:
Exemplo 19: O ferro tem a densidade medida de 7,87 Mg/m3. O parmetro
de rede do Fe CCC 2,866 A. Calcule a percentagem de vacncias no ferro
puro.
Dados:
a
0
= 2,866 A
M
Fe
= 55,85g/gmol
% vacncias = ?
125
VACNCIAS:
Exemplo 19 - Soluo
Utilizando-se a densidade medida pode-se calcular o n de tomos por
clula unitria:
= n tomos/clula x massa de cada tomo
N Avogadro x volume da clula unitria
7,87 Mg/m3 = n tomos/clula x 55,85 g/gmol
6,02 x 10
23
x (2,866 x 10
-8
)
3
nt/clula = 1,998
Deveriam ser 2 tomos no Fe CCC
% Vacncias = (2 - 1,998) x 100 / 2 = 0,1%
DEFEITO INTERSTICIAL:
Quando um tomo abrigado por
uma estrutura cristalina, principalmente
se esta tiver um baixo fator de
empacotamento
Conseqncia, distoro da rede
126
DEFEITO SUBSTITUCIONAL:
Quando um tomo deslocado de
sua posio original por outro, e
conforme o tamanho, pode
(a) aproximar os tomos da rede
(b) separar os tomos da rede
Conseqncia, distoro da rede
(a)
(b)
DEFEITO SUBSTITUCIONAL:
tomo substitucional pequeno tomo substitucional grande
Gera distoro na rede
127
DEFEITO FRENKEL:
Quando um on desloca-se de sua
posio no reticulado (formando uma
lacuna) para uma posio intersticial
Ocorre em compostos inicos
DEFEITO SCHOTTKY:
Quando ocorre lacuna de um par de
ons
Ocorre para compostos que devem
manter o equilbrio de cargas opostas
Somente para compostos inicos
128
5.10.2.2QUANTOORIGEMDODEFEITO
Regras:
1. A letra maiscula indica o tipo de defeito pontual, isto , um dos ons, dos quais a rede
cristalina formada, ou se vacncia ou impureza;
NOTAO KRGER-VINK
POSIO NA REDE
M
TIPO
i
CARGA NA
REDE
2. O subscrito indica a posio que o on ou vacncia ocupa na rede: 3 possibilidades:
posio do ction, do nion ou intersticial;
3. O superscrito indica o excesso de carga: se positiva: pontos; se negativa: traos; se
no h excesso de carga, pode-se indic-lo por X.
Ex.: M
M
e X
X
ction e nions em suas posies normais
V
M
e V
X
vacncias de ction e nions
M
i
e X
i
ction intersticial positivamente carregado ou nion intersticial negativamente
carregado
129
EXEMPLOS:
POSIO NA REDE
M
TIPO
i
CARGA NA
REDE
Ex.: V
Al
V
Na
V
O
Ex.: Al
Mg
Mg
Al
Ca
Na
Ex.: Zn
i
O
i
Al
i
NOTAO KRGER-VINK
EXEMPLOS:
POSIO NA REDE
M
TIPO
i
CARGA NA
REDE
Ex.: V
Al
vacncia de um ction Al
+3
em Al
2
O
3
V
Na
vacncia de um ction Na
+
em NaCl
V
O
vacncia de um nion O
-2
em ZrO
2
Ex.: Al
Mg
Al substituindo ion Mg em MgO
Mg
Al
Mg substituindo Al em Al
2
O
3
Ca
Na
Ca
+2
substituindo Na em NaCl
Ex.: Zn
i
Zn intersticial em ZnO
O
i
O em um interstcio de um xido
Al
i
Al intersticial em Al
2
O
3
NOTAO KRGER-VINK
130
EXEMPLOS:
POSIO NA REDE
M
TIPO
i
CARGA NA
REDE
Ex.: Ca
2+
incorporado em KCl
CaCl
2
(s)
KCl
Ca
K
+ V
K
+ 2 Cl
Cl
Como seria uma reao alternativa a essa?
NOTAO KRGER-VINK
EXEMPLOS:
POSIO NA REDE
M
TIPO
i
CARGA NA
REDE
Ex.: Ca
2+
incorporado em KCl
CaCl
2(s)
KCl
Ca
K
+ V
K
+ 2 Cl
Cl
Alternativa:
CaCl
2(s)
KCl
Ca
i
+ 2V
K
+ 2 Cl
Cl
NOTAO KRGER-VINK
131
INTRNSECO:
Surge no material apenas pelo efeito da TEMPERATURA
Vacncias, defeitos tipo Schottky e tipo Frenkel so intrnsecos
esto presentes em materiais puros
Termodinamicamente defeitos devem estar presentes em uma
estrutura cristalina
INTRNSECO:
Surgimento de defeitos intrnsecos em estruturas cristalinas energia
de formao
G=H - TS
Balano entre variao de entalpia aumenta com a
criao do defeito
variao da entropia
diminuio da energia livre na formao inicial do defeito
132
INTRNSECO:
FRENKEL: consiste em um par de defeitos: uma vacncia e um tomo intersticial
Defeito na rede do ction: M
M
V
M
+ M
i
Defeito na rede do nion: O
O
V
O
+ O
i
Clculo da concentrao de defeito em
funo da temperatura
) 2 exp( kT g x
F F
=
x
F
: concentrao de defeitos Frenkel
g
F
: energia livre de formao para defeito Frenkel
k: constante de Boltzmann
T: temperatura
IMPORTANTE: com 1g
F
, 2 defeitos so formados
FORMAO DO DEFEITO FRENKEL
133
INTRNSECO:
SCHOTTKY: consiste em um pequeno nmero de vacncias de nions e ctions, com
relao estequiomtrica
Defeito na rede : nulo V
M
+ V
X
Ex, para Al
2
O
3
: nulo 2V
Al
+ 3V
O
FORMAO DO DEFEITO SCHOTTKY
CONSIDERAES:
- ons deslocados das posies normais da
rede so adicionados na superfcie, nos
contornos internos, ou nas discordncias.
- Defeito Schottky causa aumento no
volume do cristal.
- Contribuio anmala em a T
elevadas
devido a diminuio da densidade pelo
defeito Schottky
INTRNSECO:
SCHOTTKY: Clculo da concentrao de defeito em funo da temperatura
Ex, para Al
2
O
3
: nulo 2V
Al
+ 3V
O
, aplicando a lei de conservao de massa, temos:
[ ] [ ] ) exp( ) ( .
3 2
kT g T K V V
S O Al
= =
] [ ] [
V,O O V,Al Al
x V x V = =
Al V O V
x x
, ,
2
3
=
) (
8
27
.
3
,
2
,
T K x x
Al V Al V
=
) 5 exp( '
,
kT g K x
S Al V
=
5 / 1
) 27 / 8 ( ' = K
x
V,Al
: concentrao de defeitos Schottky
g
S
: energia livre de formao para defeito Schottky
K: constante de equilbrio da reao, f(T)
k: constante de Boltzmann
T: temperatura
IMPORTANTE: com 1g
S
, 5 defeitos so formados
Para muitos cristais: g
S
< g
F
134
INTRNSECO:
OBSERVAES:
1. A concentrao de defeitos intrnsecos aumenta muito com a temperatura.
2. O clculo da energia absoluta de formao e da concentrao de defeitos pode no ser
possvel, pois o valor do termo S incerto.
3. A energia de formao dos trs tipos possveis de defeitos intrnsecos pode ser diferente
dependendo do tipo de estrutura cristalina, raio inico, polarizibilidade; logo deve ser
determinada experimentalmente.
4. Em halognios alcalinos h
F
muito grande, e observa-se predominantemente defeitos
Schottky.
5. Na estrutura tipo fluorita h
F
pequeno, logo observa-se freqentemente defeitos Frenkel.
6. Em xidos h
Sch
cerca de 2 a 3 vezes maior que em halognios alcalinos, a concentrao de
defeitos muito pequena e s apresenta importncia em altas temperaturas
Ex: x
S
,(Al
2
O
3
, PF) 10
-7
= 0,1ppm defeitos intrnsecos em xidos so freqentemente
mascarados por defeitos extrnsecos.
135
EXTRNSECO:
Principal interesse deste tipo de defeito
Conseqncias da substituio de ons da
matriz da rede cristalina por ons de impureza
ou adicionados intencionalmente que possuem
valncia diferente.
Idia fundamental do conceito de desordem extrnseca
cargas em falta ou em excesso so compensadas
COMO?
EXTRNSECO:
Atravs de uma mudana:
i) no nmero de lacunas ou de defeitos intersticiais
intrnsecos
ii) na valncia dos ons da matriz da rede
Conseqncia: concentrao dos defeitos intrnsecos alterada
136
EXTRNSECO:
Defeitos extrnsecos na estrutura devido a incorporao de ons:
levam a formao de solues slidas intersticial ou substitucional
= valncia: isovalente valncia: aliovalente
- so incorporados de forma simples;
- deve-se considerar a interao elstica
resultante da diferena dos raios inicos
- aplica-se a regra de Hume-Rothery para
determinar o tipo de soluo slida formada
ISOVALENTE
EXTRNSECO:
1. Excesso de cargas introduzidas deve ser compensada por defeitos hospedeiros: V
M
, V
X
, M
i
e X
i
.
2. Causa grande concentrao de defeitos na rede. atrmico.
3. O tipo de defeito induzido hospedeiro pode no ser predito, depende da energia de formao.
4. Lei de conservao de massa: defeito hospedeiro dominante. Exemplos
ALIOVALENTE:
Exemplo 1: Defeitos Schottky na estrutura
Para o produto concentrao de vacncias no KCl
Ca
2+
incorporado como Ca
K
e produz vacncias V
K
. A
concentrao de vacncias de nion V
Cl
ento reduzida
) ( ] ].[ [
'
T K V V
S Cl K
=
137
EXTRNSECO:
ALIOVALENTE:
Exemplo de incorporao de ons aliovalentes
1. ZrO
2
em Y
2
O
3
2ZrO
2
2Zr
Y
+ 3O
O
+ O
i
2. Al2O3 no espinlio 4Al
2
O
3
2Al
Mg
+ V
Mg
+ 6Al
Al
+ 12O
O
3. CaO em ZrO
2
Verso 1: diminuio da densidade CaO Ca
Zr
+ O
O
+V
O
Verso 1: pequena diminuio da densidade 2CaO + ZrO
2
2Ca
Zr
+ Zr
i
+ 4V
O
Y
2
O
3
x
x
x MgAl
2
O
4
x
ZrO
2
x
ZrO
2
Exemplo: adio de Al
2
O
3
em MgO
aumenta a concentrao de Al
+3
na rede de MgO
COMO: incorporao de Al
+3
: 2 V
M
+ Al Al
+3
+ 3Mg;
Representao esquemtica da reao de adio de Al em MgO,
observando-se a criao de lacunas.
EXTRNSECO:
ALIOVALENTE:
138
5.10.2.3QUANTOESTEQUIOMETRIA
Sub rede de ctions
Tipo de desvio
estequiomtrico
Defeito
dominante
Defeito
compensador
Equao Exemplos
Deficincia de
metal
V
M
buracos h 1/2O
2(g)
O
O
+ 2h +V
M
Fe
1-x
O, Ni
1-x
O, Co
1-x
O,
Mn
1-x
O, Cu
2-x
O,
Deficincia de
oxignio
V
O
eltrons e 1/2O
2(g)
+ V
O
+ 2eO
O
UO
2-x
, CdO
1-x
, Nb
2
O
3-x
,
ZrO
2-x
. .
.. ..
x
x
Dependncia da presso
parcial de oxignio
Dependncia da presso
parcial de oxignio
Tipo de desvio
estequiomtrico
Defeito
dominante
Defeito
compensador
Equao Exemplos
Excesso de
oxignio
O
i
buracos h 1/2O
2(g)
O
i
+ 2h UO
2+x
, Y2O
3+x
Excesso de
metal
M
i
eltrons e 1/2O
2(g)
+ Zn
i
+ eZn
Zn
+O
O
Zn
1+x
O
Dependncia da presso
parcial de oxignio
Dependncia da presso
parcial de oxignio
Sub rede de nions
. .
x
x
139
5.10.3DEFEITOSLINEARES
Discordncias associadas a cristalizao e a
deformao
origem: trmica, mecnica e supersaturao de defeitos pontuais
Tipo de defeito responsvel por deformao
falha
rompimento dos materiais
Quantidade e movimento das discordncias podem ser
controlados pelo grau de deformao (conformao
mecnica) e/ou por tratamentos trmicos
140
5.10.3.1DISCORDNCIAEMESPIRAL
Ilustrada pelo corte parcial de um cristal perfeito, deslocando a rede de um
espaamento atmico
141
5.10.3.2DISCORDNCIAEMCUNHA
Ilustrada pelo talhamento de um cristal perfeito, deslocando a rede de
um espaamento atmico
O vetor de Burgers perpendicular discordncia em cunha
142
5.10.3.3DISCORDNCIAMISTA
Discordncia
em cunha
Discordncia
em espiral
Em um cristal pode ocorrer os dois
tipos de discordncia
Visualizao de discordncias na
microestrutura de um material
143
Exemplo 21: Supondo a estrutura CCC com ao=4A, com uma discordncia
como na figura abaixo, determine a direo e o comprimento do vetor de
Burgers.
Exemplo 21: Supondo a estrutura CCC com ao=4A, com uma discordncia
como na figura abaixo, determine a direo e o comprimento do vetor de
Burgers
D
(222)
= 4/(2
2
+2
2
+2
2
)
0,5
= 1,15 A
D
(hkl)
= a
o
/(h
2
+k
2
+l
2
)
0,5
(222) [222] [111]
144
5.10.4DEFEITOSPLANARES
5.10.4.1SUPERFCIEEXTERNA
Mais evidente dos defeitos de superfcie devido a descontinuidade
Coordenao atmica na superfcie no comparvel a dos tomos no
interior do cristal
tomos superficiais tem seus vizinhos em apenas um lado, logo
possuem mais energia e esto menos firmemente ligados aos tomos
externos
5.10.4.2CONTORNODEGRO
Microestrutura de metais e
outros materiais slidos consistem
de muitos gros
Gro: poro de material onde o
arranjo cristalino idntico,
variando sua orientao
Contorno de gro: fronteira
entre os gros
145
5.10.5DEFEITOSVOLUMTRICOS
5.10.5.1ESTRUITURASAMORFAS
Vidros
Polmeros
Algumas estruturas sem
ordenamento a longo alcance so
consideradas como defeitos
volumtricos, como o caso do
vidro e dos polmeros
146
147
6PROPRIEDADESTRMICAS
6.1CAPACIDADECALORFICA
Capacidadetrmicaoucapacidadecalorficaagrandezafsicaquedeterminaa
variaotrmicadeumcorpoaoreceberdeterminadaquantidadedecalor.Ovalorda
capacidadetrmicacorrespondentequantidadedecalornecessriaparaelevara
temperaturadocorpoemumaunidadedevariaodetemperatura.
C =
J
JI
OndeCacapacidadecalorficaemJoule/Kelvin,dQ/dTsoaenergiaexigidapara
produzirumavariaodetemperatura.
Acapacidadetrmicacaracterizaocorpo,enoasubstnciaqueoconstitui.Dois
corposdemassasedesubstnciasdiferentespodempossuiramesmacapacidadetrmica.
Doiscorposdemassasdiferentesedemesmasubstnciapossuemcapacidadestrmicas
diferentes.
Agrandezaquecaracterizaumasubstnciaocalorespecfico.
6.2CALORESPECFICO
Calorespecficoumagrandezafsicaquedefineavariaotrmicadedeterminada
substnciaaoreceberdeterminadaquantidadedecalor.Tambmchamadodecapacidade
trmicamssica.constanteparacadasubstnciaemcadaestadofsico.Podesedizerqueo
calorespecficocaracterizaumasubstncia(emdeterminadoestadofsico).
AunidadenoSIJ/kg.K(JouleporQuilogramaKelvin).Outraunidademaisusualpara
calorespecficocal/g.C(CaloriaporGramaGrauCelsius).
possvelcalcularocalorespecficodeumasubstncia(c)apartirdacapacidade
trmicadeumcorpocompostoporela(C)edamassadessecorpo(m).
c =
C
m
Tambmpossveldeterminarocalorespecficodeumasubstnciaapartirda
quantidadedecalorcedidaaumcorpodessasubstncia(
c
),davariaotrmicaqueele
sofre(I),edamassadessecorpo.
c =
m
. I
148
6.3DILATAOOUEXPANOTRMICA
Dilataoouexpansotrmica()eoaumentodovolumedaumcorpoocasionado
peloaumentodetemperaturadeste.
Adilataonosmateriaiscbicoseamorfosisotrpica,igualemtodasasdirees,
emoutrosmateriaisamagnitudedadilataovariacomaorientao.
NosmetaisvariaentreSx1u
-6
e2Sx1u
-6
C
-1
,noscermicosadilataoa
menordetodasvariandoentreu,Sx1u
-6
e1Sx1u
-6
C
-1
,ospolmerosporoutroladosoos
materiaisemqueadilataotrmicaamaiorevariaentreSux1u
-6
e4uux1u
-6
C
-1
.No
temosummaterialquecombinealtopontodefusocomaltograudedilataotrmica.
6.4CONDUTIVIDADETRMICA
Condutividadetrmicaumapropriedadefsicadosmateriaisquedescritacomoa
habilidadedosmesmosdeconduzircalor.Condutividadetrmicaequivalequantidadede
calor(Q)transmitidaatravsdeumaespessura(L),numadireonormalsuperfciederea
(A),devidoaumavariaodetemperatura(T),sobcondiesdeestadofixoequandoa
transfernciadecalordependenteapenasdavariaodetemperatura.Asformulasusadas
paracalcularcondutividadetrmicaso:
I
= K. A. _
I
I
]
OndeKcondutividadetrmica[W/(m.K)].
Coeficientedecondutividadetrmicaumacaractersticadanaturezadomaterial,
correspondequantidadedeenergia,sobaformadecalor,quepassa,numsegundo,atravs
de1mdesuperfcie,quandoadiferenadetemperaturaentreointerioreoexteriorde1K.
I
= u. A. t
Onde
1
aenergiatransferida,comocalor,porsegundo[J/s]eUocoeficiente
decondutividadetrmica.
Acondutividadetrmicaeocoeficientedecondutividadetrmicaserelacionam
atravsdaseguinteexpresso:
u =
K
I
OndeUpodeestarexpressoemwattpormetroquadradoporkelvin[wm
2
K]
149
6.5TENSESTRMICAS
Tensesinduzidasemumcorpocomoresultadodasvariaesdetemperatura.
Podemoscalcularatensoinduzidapelaequao:
o = E. J. (I
-I
]
)
Ondeatensoinduzida[MPa]eEomodulodeelasticidade[GPa].
150
6.6EXPERIMENTOSDEPROPRIEDADESTRMICAS
6.6.1ANLISEDECALORESPECFICODOSMATERIAIS
Materiais
1. Sistemadeaquisiodedados
2. TermopartipoK
3. Balanadigital
4. Fornoeltrico
5. Beckercomisolamentotrmicodepoliuretano
6. guadestilada
Metodologia
Mediramassadosmateriais,nocasolato,cobreao1045,alumnioetijolo,ea
temperaturainicialtantodosmateriaisquantodagua.
Usandoasseguintesformulas
1
= m
1
. C
1
. I
1
Q
1
sendoaquantidadedecalordomaterialeQ
2
daguadestilada,
2
= m
2
. C
2
. I2 eCocalorespecifico.
PorequilbriotrmicoemumadeterminadaIteremosentoqueQ
1
=Q
2
,deduzindo
assim;m
1
. C
1
. I
1
= m
2
. C
2
. I
2
C
1
=
m
2
.C
2
.1
2
m
1
.1
1
Comusodabalanaforamadquiridososdadosdemassadosmateriaisanalisadoseda
guadestiladautilizadanoexperimento,astemperaturainicialdosmateriaisedaguafoi
medidacomousodotermopartipoKesistemadeaquisiodedados,osmateriaisforam
colocadosnofornoeaquecidoatatemperaturafinalquefoinovamentemedida,os
materiaisforammergulhadosemguadestiladaatemperaturaambienteemumBecker
isoladotermicamentecompoliuretano,apsestabilizaratrocadecalorfoimedidaa
temperaturadaguanovamente.
151
Dadosadquiridos:
MASSA TEMP.INICIAL TEMP.FINAL
gua 249g 25.1C 30.0C
Lato 68g 208C 30.0c
Clculos:
Lato>>C
Luto
=
249.1.4,9
68.-178
= u,1uu8
cuI
g
C
Cobre>>C
Cobc1
=
250.1.6
70.-172,8
= u,124u
cuI
g
C
Ao1045>>C
Ao
=
253.1.6,9
62.-171,1
= u.1646
cuI
g
C
Alumnio>>C
AIumno
=
310.1.3,6
20.-174,6
= u.S196
cuI
g
C
Tijolo>>C
1]oIo
=
300.1.10,6
80.-165.6
= u.24uu
cuI
g
C
152
6.6.2ANLISEDOCOEFICIENTEDEDILATAOTRMICADETRSMATERIAIS
Materiais:
1. Caldeiradgua;
2. Termopartipok;
3. Sistemadeaquisiodedados;
4. TubosdeMetal:Alumnio,CobreeAo;
5. Basecomfixaodepaqumetroderelgio;
Metodologia
Primeiromedimosocomprimentoeatemperaturainicialdostubos,montandoosna
base,zeramosopaqumetro,fazendousodacaldeiraparaaqueceragua,utilizamosovapor
produzidoparaaquecerostubosdemetal,apscertotempo,medimosdevoltaa
temperaturaeocomprimento,colocandoestesdadosnaformula:
o =
l
l
. I
Podemoscalcularocoeficientededilataotrmicadomaterial.
DadosAdquiridos:
Ao Alumnio Cobre
l
153
Clculos:
o
uo
=
u,6
7uu.69,1
= 1,24x1u
-5
mm
mm
C
o
uIumno
=
1,22
700.69
= 2,SSx1u
-5
mm
mm
C
o
cobc
=
u,94
7uu.71
= 1,89x1u
-5
mm
mm
C
154
7PROPRIEDADESMAGNTICAS
7.1EXPERIMENTOSDEPROPRIEDADESMAGNTICAS
7.1.1OBSEVAODECAMPOELETROMAGNTICO
Materiais;
1. MaquinadeSoldaeltrica;
2. Limalhasdematerialmagnticoenomagntico;
Metodologia
Duranteoprocessodesoldagem,comacorrenteeltricaquepassapeloscabos,
formaseumcampoeletromagntico,comumasuperfciebrancafuradaaomeioparaa
passagemdocabodamaquinadesoldagem,observamosaorganizaodaslimalhasde
materialmagnticonaorientaodocampoformadopelaeletricidade.
155
7.1.2VARIVEISDOSCAMPOSELETROMAGNTICOS
Material:
1. FonteEstabilizada;
2. Transformadorde110vpara12v;
3. Multmetro;
4. Fiosdecobreesmaltados;
5. 2barrasdeao1045isoladas.
Metodologia
Variandoonmerodevoltas(N),ocomprimentodaespiral(l)eacorrenteeltrica(i),
verificamosasmudanasnocampoeletromagntico,atravsdoexperimentoedaformula:
E =
N. i
l
Podemosdeduzirqueocomprimentodaespiralinversamenteproporcionala
intensidadedocampoeletromagntico(H),quantomaiorocomprimentodaespiralmenora
intensidadedocampo,equeonmerodevoltaseacorrenteeltricasodiretamente
proporcionaisaintensidadedocampo.
Aoladotemosumarepresentaogrficadestes
acontecimentos,adensidadedefluxomagntico(B)emum
slidoigualapE,ondeapermeabilidadedesteslido.
156
8PROPRIEDADESELTRICAS
As propriedades eltricas servem para distinguir os materiais:
- geral: metal / no-metal
- especfico: supercondutor ou no
Compreender as propriedades eltricas
METAIS
TEORIA DE BANDAS CONDUTORES
SEMICONDUTORES
ISOLANTES
Classificao
geral dos
materiais
segundo suas
propriedades
eltricas
8.1CONCEITOS
Condutividade eltrica o movimento
de cargas eltricas (eltrons ou ons)
de uma posio para outra.
= 1/= n.q.
= condutividade eltrica (ohm
-1
.cm
-1
)
= resistividade eltrica (ohm.cm)
n= nmero de portadores de carga por cm
3
q= carga carregada pelo portador (coulombs) [q
do eltron= 1,6x10
-19
coulombs]
= mobilidade dos portadores de carga (cm
2
/V.s)
R = . l/A
Para o conhecimento da teoria de bandas alguns conceitos devem estar presentes:
Resistncia eltrica (R) de
um fluxo de corrente
determinada pelas
dimenses do material e
por sua resistividade.
157
-1
m
-1
Isolantes: <10
-3
-1
m
-1
O diagrama mostra o range de
condutividade eltrica para alguns
materiais, bem como sua classificao.
8.2MECANISMOSDECONDUODEBANDASDEENERGIA
A condutividade eltrica do material depende:
- n de condutores ou transportadores de cargas por unidade de
volume (n)
- da carga de cada condutor (q)
- da mobilidade do condutor (m)
n e m dependem da temperatura
condutores podem ser: nions
ctions
eltrons
holes
= nqm
158
Bandas de energia:
banda de valncia
banda proibida Eg: energia do gap
- o espao entre as bandas de energia
- o que distingue um semicondutor de um condutor ou
isolante
banda de conduo
Nvel de Fermi (E
F
): definido como o
nvel de energia abaixo do qual todos os
estados de energia esto ocupados a 0K.
E
F
Probabilidade 0,0 1,0
Banda de
valncia
E
eltron
159
8.2.1TIPOSCARACTERSTICOSDEESTRUTURASDEBANDASDEENERGIAEMSLIDOS
Condutor
metlico
Banda de
conduo
parcialmente
ocupada
Condutor
metlico
Superposio da
banda de valncia
com a banda de
conduo vazia
Isolante Semicondutor
Metal
monovalente
Metal
bivalente
Apresentam banda proibida
E
g
isolante > E
g
semicondutor
8.2.2METAIS
- eltrons no preenchem todos os estados possveis da banda de valncia e
a conduo ocorre na banda de valncia alta condutividade eltrica bandas
energia parcialmente preenchidas
- vazios entre os estados ocupados campo acelera e
-
e produz
eltrico corrente eltrica
- passagem de e- da banda de valncia para de conduo fcil
- dificultar o movimento de e- significa reduzir a
condutividade eltrica.
Ex.: - vibrao trmica
- solutos
- defeitos cristalinos
Nvel de fermi
Banda de
valncia
incompleta
160
8.2.3SEMICONDUTORES
- banda de valncia preenchida e banda de conduo vazia
- largura da banda proibida pequena e pode ser suplantada facilmente levando e
-
banda de conduo ativao trmica
dopantes
- exemplos de largura de diamante - 6eV
banda proibida: SiC - 3eV
silcio - 1,1eV
germnio - 0,7ev
InSb - 0,18eV
estanho cinzento - 0,08eV
Nvel de fermi
BANDA
DE
CONDUO
BANDA
DE
VALNCIA
GAP DE ENERGIA
8.2.4ISOLANTES
- polmeros
- cermicos
- banda proibida muito larga
e difcil de ser suplantada
CONDUTIVIDADE ELTRICA
MUITO BAIXA
Nvel de fermi
BANDA
DE
CONDUO
BANDA
DE
VALNCIA
GAP DE ENERGIA
161
8.2.5EFEITODATEMPERATURA
- metais: diminui a condutividade eltrica a agitao trmica reduz o livre percurso
mdio dos eltrons, a mobilidade dos mesmos
e como conseqncia a condutividade.
- semicondutores
- isolantes
Efeito da condutividade
eltrica em vrios
materiais
O aumento da temperatura fornece energia que
liberta transportadores de cargas adicionais.
T aumenta a
condutividade
eltrica
8.3RESISTIVIDADEELTRICADEMETAISELIGAS
- alta condutividade eltrica grande n de e
-
livres podem ser
promovidos acima de E
F
- rede cristalina sem defeitos e vibraes (0 K) nula
- resistncia eltrica resulta do espalhamento de e- devido:
vibraes da rede
tomos de impureza
defeitos cristalinos
- resistividade eltrica de um material monofsico (Matthiessen)
t
vibraes trmicas
i
impurezas
d
deformao
=
t
+
i
+
d
162
8.3.1EFEITODATEMPERATURAEDAESTRUTURANARESISTIVIDADEDOMATERIAL
Variao da resistividade eltrica com a
temperatura para o Cu puro e trs solues slidas
Cu-Ni. O efeito da deformao na resistividade da
liga Cu 1,2Ni tambm apresentado.
i
= Ac
i
(1-c
i
)
A - constante
c
i
- frao atmica de soluto
Variao da resistividade eltrica com a
composio para o sistema Ag-Au, para
trs diferentes temperaturas.
Obs.:Em ligas bifsicas
uma propriedade
aditiva
163
ESTRUTURA PERFEITA A
BAIXA TEMPERATURA
MOVIMENTO DOS ELTRONS A MAIS
ALTA TEMPERATURA
MOVIMENTO DOS ELTRONS
EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS
8.4CONDUTIVIDADEELTRICADOSMATERIAISINICOS
- resultado das contribuies eletrnica e inica
- importncia de cada contribuio pureza e temperatura
- modelo de bandas vlido, porm o n de e
-
na banda de
conduo muito baixo portanto predomina a inica
- difuso dos ons depende da presena de defeitos pontuais
- condutividade eltrica de slidos inicos temperatura
abruptamente na
fuso
164
i
= Ne
2
D/kT = (Ne
2
/kT) D
0
exp(-Q/kT)
N - nde posies inicas de um mesmo sinal por unidade de volume
e - carga do eltron
D - difusividade
k - constante de Boltzman
T - temperatura em K
Q - energia de ativao para a difuso
Condutividade inica:
i
8.5CONDUTIVIDADEELTRICADOSMATERIAISCOVALENTES
- estrutura em bandas de polmeros tpica dos isolantes
- 10
-10
a 10
-17
-1
m
-1
- polmeros de alta pureza a conduo eletrnica
- conduo inica pode ser ativada pela presena de impurezas
restos de monmeros
catalisadores
aumento da temperatura
- aditivos condutores podem aumentar entre 1 e 50
-1
m
-1
como
em borrachas de silicones
- exemplos de polmeros condutores: poliacetileno e polianilina
165
8.6SEMICONDUTORESCONDUTIVIDADEELETRNICA
PROPRIEDADES: Temresistividade entre metais e isolantes
10
-6
-10
-4
.cm 10
10
-10
20
.cm
- A condutividade aumenta com o aumento de temperatura (ao contrrio dos
metais)
- Acondutividade aumenta coma adio de certas dopantes (impurezas)
- Acondutividade diminui coma presena de imperfeies nos cristais.
EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
- silcio, germnio (Grupo IV da Tabela Peridica)
- GaAs, GaN, InP, InSb, etc. (Grupo III-V da Tabela Peridica)
- PbS, CdTe, galena, (Grupo II-VI da Tabela Peridica)
Observe: 95% dos dispositivos eletrnicos so fabricados com silcio
65% dos dispositivos de semicondutores do grupo III-V so para uso
militar
166
8.6.1CONDUOINTRINSECA
Conduo resultante dos movimentos eletrnicos nos materiais puros
Um semicondutor pode ser tipo "p" ( conduo devido aos buracos)
tipo "n" (conduo devidos aos eltrons)
Este tipo de conduo se origina devido presena de uma imperfeio
eletrnica ou devido presena de impurezas residuais intrnsecas.
CONDUO INTRNSECA (SEMICONDUTOR
INTRNSECO)
CONDUO INTRNSECA
167
8.6.2CONDUOEXTRNSICA
Quando adiciona-se intencionalmente uma impureza dopante para
proporcionar eltrons ou buracos extras.
Os semicondutores extrnsecos podem ser:
Tipo p: com impurezas que proporcionam buracos extras
Tipo n: com impurezas que proporcionam eltrons extras
Os processos utilizados para dopagem so: difuso
implantao inica
Deve-se considerar:
Os eltrons tem maior mobilidade que os buracos
A presena de impurezas pode alterar o tamanho do gap de energia do
semicondutor
CONDUO EXTRNSECA (SEMICONDUTOR
EXTRNSECO)
168
169
APLICAO
Dispositivos eletrnicos como
transistores, circuitos integrados, chips,
usam a combinao de semicondutores
extrnsecos tipo p e tipo n
DIODO umdispositivo que permite a
corrente fluir em um sentido e no em outro.
construdo juntando um semicondutor tipo
n e tipo p.
JUNO P-N
- Quando uma voltagem aplicada como no esquema
(A), os dois tipos de cargas se movero em direo
juno onde se recombinaro. A corrente eltrica ir
fluir.
- No esquema (B), a voltagem causar o movimento de
cargas para longe da juno. A corrente no ir fluir
no dispositivo.
(A)
(B)
8.7SUPERCONDUTIVIDADEELTRICA
- ocorre quando a resistividade do material for nula
- temperatura crtica (T
c
) resistividade torna-se bruscamente nula
- at 1986 melhores supercondutores T
c
< 23 K material
deveria ser resfriado em hlio lquido para tornar-se supercondutor
- mais tarde: supercondutores cermicos com T
c
mais altas:
Y
1
Ba
2
Cu
3
O
7-x
T
c
100K
nitrognio lquido suficiente para resfriar
- supercondutividade desaparece: acima da T
c
campo magntico
corrente eltrica
PARMETROS QUE DEFINEM
UM SUPERCONDUTOR
170
8.8COMPORTAMENTODIELTRICO
- MATERIAL DIELTRICO: material isolante
- RIGIDEZ DIELTRICA: tenso mxima que o material pode suportar antes de perder as
caractersticas de ser isolante para vidros, polmeros e cermicos 10 a 40 V/mm
Constante dieltrica:
Capacitor constitudo de duas placas metlicas paralelas separadas por uma distncia
"d" e de rea "A".
capacitnciamedida da habilidade de armazenar uma carga eltrica.
adio de um dieltrico aumenta a capacitncia por um
fator , proporcionalmente.
C = k A : constante dieltrica
d e: permeabilidade do meio
Propriedades Bsicas dos Materiais Dieltricos
8.8.1COMPORTAMENTOFERROELTRICO
FERROELTRICOS
- no tm um centro de simetria formam um momento dipolar
- polarizao permanente propriedades PIEZOLETRICAS
Estrutura do BaTiO
3
. (a) Acima de 120C cbica. (b) Abaixo de 120C levemente tetragonal,
apresentando um momento dipolar eltrico.
171
8.8.2COMPORTAMENTOPIEZOELTRICO
- materiais dieltricos onde a polarizao pode ser induzida pela
aplicao de foras
Esquema dos dipolos eltricos em um material piezoeltrico.
(a) Material em condies normais. (b) Tenso compressiva causa uma ddp.
(c) A aplicao de uma voltagem causa uma diferena dimensional.
PIEZOELTRICOS
9PROPRIEDADESTICAS
Propriedades ticas resposta oureao de ummaterial incidncia de
radiao eletromagntica, e emparticular a luz visvel
Luz fenmenoondulatrio
evidncia: ocorrncia de difrao
Trabalhoexperimental a luz uma onda
eletromagntica
Einstein feixe de luz consiste empequenos
pacotesde energia
quanta de luz: FTON
Fton incidindo na superfcie de ummetal
transfere energia para o eltron,
que pode escapar do material
Radiao eletromagntica
mecnica clssica ondas
mecnica quntica ftons
Formas de radiao eletromagntica: luz,
calor, ondas de radar, ondas de rdio e raios X
Espectro de radiaes eletromagnticas
172
9.1CONCEITOSBSICOS
Todos os corpos emitem radiao eletromagntica movimento trmico de tomos e
molculas
radiao trmica visvel depende de T
Ex.: 300C radiao infravermelha
800C radiao visvel
Luz visvel espectro de radiaes pequeno 0,4m 0,7m CORES
Radiao eletromagntica atravessa o vcuo com a
velocidade da luz
c = velocidade da luz 3x108 m/s
0
= permissividade eltrica no vcuo
0
= permeabilidade magntica no vcuo
c = 1
(
0
0
)
9.2PROPRIEDADESTICASDOSMATERIAISMETLICOS
Radiao incidente com
visvel
absorvida por e
-
parte da radiao absorvida reemitida na superfcie
luz visvel de = incidente
POR QU?
e- que foram promovidos acima do nivel de Fermi pela
absoro de ftons de luz, decaem para nveis menores de
energia e emitem luz.
Refletncia dos metais entre 0,90 e 0,95 dissipao do calor
Metais so opacos a radiaes eletromagnticas de
ondas de rdio, TV, microondas, infravermelho, luz visvel
Metais so transparentes a radiaes eletromagnticas de
raios X e raios
173
9.3PROPRIEDADESTICASDOSMATERIAISNOMETLICOS
Cermicos e polmeros no apresentam e- livres (que absorvem ftons de luz) e podem ser
transparentes luz visvel
Fenmenosimportantes: Refrao, Transmisso, Reflexo e Absoro
REFRAO(n) E REFLEXO (R)
Velocidade de propagaoda luz no slido transparente () menor que no ar
feixe de luz muda de direo na interface ar/slido
ndice de refrao:
= permissividade eltrica do material
= permeabilidade magntica do material
n = c = ()
(
0
0
)
174
REFRAO(n) E REFLEXO(R)
Se um dos meios for o ar n
1
= 1
R = n
2
- n
1
n
2
+n
1
R = n
2
- 1
n
2
+1
Variao das fraes da luz
incidente que so
transmitida, absorvida e
refletida por um determinado
vidro em funo do
comprimento de onda
Cermicos cristalinos Cbicos e vidros ndices de
refrao isotrpicos
Cristais no cbicos ndices de refrao
maior em direes mais densas
Luz passa de um meio n
1
para outro n
2
parte da luz refletida na interface dos meios
Como o n depende de da luz incidente, R tambmdepende de
min
= 0,4 m E
max
= 3,1eV
max
= 0,7mE
min
= 1,8eV
Comprimentos de onda absorvidos (nm) e cores complementares
Concluso: i) a luz pode ser absorvida por materiais com banda proibida
menor que 1,8 eV (SEMICONDUTORES) estes materiais so
opacos ex.:Si, Ge, AsGa
ii) materiais com banda proibida entre 1,8 e 3,1 eV absorvem
apenas alguns comprimentos de ondas estes materiais so
coloridos ex.:GaP, CdS
iii) a luz visvel no pode ser absorvida por este mecanismo em
materiais com banda proibida maior que 3,1 eV
175
176
10BIBLIOGRAFIA
Callister,WilliamD.,1940
Materialsscienceandengineering:anintroduction/WilliamD.Callister,Jr.7thed.
Bergmann,C.P.
CinciadosMateriais,DEMATEEUFRGS.
10.1Webgrafia
WIKIPEDIA
1. http://pt.wikipedia.org/wiki/Capacidade_t%C3%A9rmica
2. http://pt.wikipedia.org/wiki/Calor_espec%C3%ADfico
3. http://pt.wikipedia.org/wiki/Condutividade_t%C3%A9rmica
177
11ANEXOS
11.1ExercciosResolvidos