RECEPTORES DE LUZ

RECEPTORES DE LUZ
2 CARLOS BIANCHI
OBJETIVO
Objetivo General
Especificar el principio de funcionamiento de conversin corriente-
luz, conocer los distintos tipos de fotodetectores, sus
caractersticas y as como algunos ejemplos comerciales
3 CARLOS BIANCHI
FOTODETECTORES
Principio de Funcionamiento
Se basa en una unin semiconductora P-
N con polarizacin inversa, que al incidirle
fotones de una determinada frecuencia
induce una transicin de electrones de la
BV a BC, Generndose un par electrn-
hueco en la regin de transicin.
El par electrn-hueco generado es
conducido hacia la regin P y N
respectivamente debido a la accin del
campo elctrico generado por las
densidades internas de carga
Si no se polariza el semiconductor la
corriente inducida a travs de la unin
ser compensada por la corriente de
difusin de los portadores mayoritarios
Luz
P N
R
L
V
Pol
- +
V
- E
x
x
Vcc - R
L
Regin de Absorcin
Regin de
Transicin
Regin de
Difusin
Regin de
Difusin
4 CARLOS BIANCHI
FOTODETECTORES
Principio de Funcionamiento
Si se polariza inversamente la difusin de portadores mayoritarios se
reducir notablemente por lo que habr una corriente neta fluyendo
Si la prdida por recombinacin es ignorada la corriente generada (I
L
) ser:
I
L
=q P
o
/(h f ) P
o
=potencia ptica incidente
=eficiencia de conversin
Si un par electrn-hueco se genera en la zona de difusin es ms probable
que se recombine (baja la eficiencia)
A medida que la luz penetra en la unin es absorbida por el par electrn-
hueco disminuyendo su energa:
P
L
(x) = P
L
(0) e
(-x/L
f
)
L
f
= longitud media de difusin
El recproco de L
f
es el coeficiente de absorcin a()
A partir de cierto valor de l, a() sube notablemente, bajando la
sensibilidad. El valor crtico se llama l corte
c
y est determinado por:

c
= h c/ E
g
5 CARLOS BIANCHI
DEFINICIONES
Responsividad (r)
Factor de respuesta de un fotodetector, mide la eficiencia de
generar corriente elctrica (I
L
) cuando incide una potencia lumnica
P
L
:
r = I
L
/ P
L
P
L
=Nf h f / t donde Nf es el nmero de fotones
I
L
=Ne q / t donde Ne es el nmero de electrones
r = q h /(h f )
donde h=Ne/ Nf (eficiencia del material)
I
L
= r P
L
6 CARLOS BIANCHI
DEFINICIONES
Velocidad de respuesta y ancho de banda
La metodologa consiste en determinar el tiempo de trnsito tr para
un dispositivo detector con anchura regin de transicin W, la
proporcionalidad entre velocidad (v) y valor de campo elctrico (E)
igual a
v=E
tr = W/ v = W/ E
suponiendo de E vara linealmente:
tr = W
2
/ (V
cc
)
El ancho de banda vendr limitado por la frecuencia elctrica de
corte f
c
f
c
= 0.44 / tr
7 CARLOS BIANCHI
FOTODIODO PIN
Estructura
Consiste en una unin P-N a la cual se le inserta en el medio un
material semiconductor intrnseco (poco dopado) con la finalidad de
aumentar la regin de transicin
Luz
p n -
R
P
V
Pol
- +
- E
n +
x
Regin de Absorcin
La manera de extender
esta zona de transicin
es impurificar menos
una de las dos zonas
del diodo, as en la zona
impura la zona de
transicin penetra poco
y se extender mucho
ms en la zona menos
impura
8 CARLOS BIANCHI
FOTODIODO PIN
Estructura
La estructura plana de un
fotodetector PIN se basa
en un substrato n
moderadamente dopado
en el cual se crece
epitaxialmente una capa
intrnseca, luego por
difusin se crea la P
+
, a
travs de la cual entra la
luz
La zona P
+
es pequea
para evitar el efecto de
recombinacin y se
recubre de un material
anti-reflectante
-
+
p +
n -
n
Carcasa de Metalizacin
Luz
9 CARLOS BIANCHI
FOTODIODO DE AVALANCHA (APD)
Principio de Funcionamiento
Al observar la curva V/I de los
diodos hay una zona en la que I
aumenta muy rpidamente con V.
Es posible utilizar esta zona sin que
se destruya el componente
(capacidad de disipar calor)
El APD utiliza polarizaciones
inversas altas (50-100 V).
Produciendo un campo elctrico tan
intenso que los electrones
generados, en su trnsito producen
un efecto de avalancha (choques
con alta energa y generacin de
electrones secundarios)
+ -
n+ p
(p)
R
P
V
Pol
- E
p +
x
Regin de Transicin
p
Regin de
Campo Intenso
10 CARLOS BIANCHI
FOTODIODO DE AVALANCHA (APD)
Principio de Funcionamiento
Para cuantificar el fenmeno se introduce un parmetro de multiplicacin de
avalancha M = I
L
/ I
L
, (I
L
= corriente primaria sin avalancha). Debido a M, el
factor de ganancia x ancho de banda es mayor
La vecindad de las dos regiones P-N (de la izquierda) y sus moderadamente
altos grados de impurezas hacen una zona de transicin estrecha donde se
produce toda la cada de potencial
Para la fabricacin del dispositivo,
sobre un substrato P
+
se deposita por
crecimiento epitaxial la zona intrnseca
P
-
() luego se crean las zonas P y N
por procesos de difusin
La luz atraviesa el material hasta la
zona de absorcin, los electrones
liberados por el potencial son llevados
al anillo colector superior y provocan la
avalancha al cruzar la zona de
potencial alto
p+
n+
p
p
Zona de Transicin
Radiacin Incidente
Metalizacin
11 CARLOS BIANCHI
FOTODIODO DE AVALANCHA (APD)
Anlisis de Ruido
Ruido tipo granalla (shot): son derivados del carcter estadstico de la
interaccin luz-materia, su forma obedece a una distribucin de Poisson:
Ruido Cuntico: aparecido en el proceso de traduccin potencia ptica/
corriente (I
L
)
Ruido Espreo: generado en forma semejante al anterior pero debido a
componentes luminosas (I
b
) que van con la seal pero no forman parte
de ella
Ruido de oscuridad: no depende de la seal, est presente debido al
efecto catico generacin-recombinacin produciendo una corriente de
oscuridad (I
d
)
Ruido trmico: Debido a las fluctuaciones aleatorias de los valores de
energa de los electrones en un conductor y que originan pequeos
potenciales de ruido, en este caso hay que considerar:
Ruido de J ohnson: generado en el cuerpo del semiconductor (con una
resistencia equivalente R
s
)
Ruido de J ohnson: sobre la resistencia global exterior R
p
12 CARLOS BIANCHI
FOTODIODO DE AVALANCHA (APD)
Anlisis de Ruido
Agrupando todas las fuentes de Ruido debido a los diferentes
conceptos se obtiene el circuito de la figura
Se supone que los cinco generadores de ruido no estn
correlacionados.
Las expresiones correspondientes a las potencias de ruido tomando
en cuenta la amplificacin de M, son las siguientes:
<i
q
2
> = 2 q I
L
B M
2
Fa
<i
b
2
> = 2 q I
b
B M
2
Fa
<i
d
2
> = 2 q I
d
B M
2
Fa
<i
s
2
> = 4 K T B / R
s
<i
p
2
> = 4 K T B / R
p
<i
q
2
> <i
b
2
> <i
d
2
>
<i
s
2
>
<i
p
2
>
M
C
d
R
s
R
p
13 CARLOS BIANCHI
FOTODIODO DE AVALANCHA (APD)
Anlisis de Ruido
Considerado que la potencia de ruido total es la suma de las
parciales, que la potencia de seal es I
L
2
y asumiendo que luego
del dispositivo se aade un amplificador con factor de exceso de
ruido F, la relacin seal a ruido (S/N) ser:
Fa = factor de exceso de ruido del proceso de avalancha, que
depende del factor de ionizacin (a):
1/3 < a < 1
Fa = M
1+a

+ + + +
=
p s
r d b
2
r
R R
M rP I I Fa M BF
P r
N
S
1 1
2KT ) / ( q 2
2
2
14 CARLOS BIANCHI
PARAMETROS CARACTERISTICOS
Longitud de Onda (): Punto de Operacin a la cual el fotodetector
optimiza su operacin
Responsividad (r): Factor de respuesta de un fotodetector, mide la
eficiencia de generar corriente elctrica cuando incide una potencia
lumnica
Corriente de Oscuridad (I
d
): Corriente de ruido generada por un
fotodetector producto de proceso espontneo de generacin-
recombinacin
Tiempo de Subida (t
r
): Tiempo de respuesta a un escaln en que la
seal fotodetectada pasa del 10% al 90% de su valor final
Tiempo de Bajada (t
f
): Tiempo de respuesta a un escaln inverso
donde la seal fotodetectada pasa de 90% a 10% de su valor inicial
Potencia Equivalente de Ruido (NEP): Potencia de ruido real
aadido por unidad de ancho de banda del receptor
Factor de Multiplicacin de Avalancha (M): Factor de Amplificacin
de corriente fotodetectada en APDs debido al proceso interno de
avalancha
15 CARLOS BIANCHI
COMPARACION ENTRE FOTODETECTORES
LEDs Vs. APDs
Photo-
detector
Peak
Wavelength
(nm)
Responsivity
(A/W)
Dark Current
Approximate
(nA)
Rise Time
(ns)
(50W load)
Operating
Voltage
NEP
1
(W/Hz)
Silicon P-N 550 - 850 0.4 - 0.7 1 - 5 5 - 10 20 - 40 10
-13
- 10
-14
Silicon PIN 850 - 950 0.6 - 0.8 3 - 300 1 - 5 5 - 40 10
-13
- 10
-14
InGaAs PIN 300 - 1.500 0.8 10 - 30 1 - 3 5 - 40 10
-13
- 10
-14
Silicon
APD
650 - 900 74 - 100 1 0.5 - 2 60 - 120 10
-14
Photo-
transistor
800 - 900 70 25 - 100
5 - 15ms
10 No data
16 CARLOS BIANCHI
EJEMPLOS COMERCIALES
Diodos PIN
17 CARLOS BIANCHI
EJEMPLOS COMERCIALES
Diodos PIN
18 CARLOS BIANCHI
EJEMPLOS COMERCIALES
Diodos PIN