Slides Do Rubens

1
Introduo Engenharia de
Materiais pticos-Optoeletrnicos
Dr. Rubens Viana
rubens@deti.ufc.br
2
Motivao: Fsica & Informao
Informao a representao de sistemas fsicos.
A informao gerada, armazenada, processada,
transmitida e detectada por sistemas fsicos.
O que um bit ?
Como um bit pode ser gerado ?
Como um bit pode ser armazenado ?
Como um bit pode ser transmitido ?
Como um bit pode ser processado ?
Como um bit pode ser detectado ?
3
Sumrio
Introduo Mecnica Quntica
Introduo Fsica de Semicondutores
Dispositivos Semicondutores
Supercondutores
4
INTRODUO MECNICA QUNTICA
Eltron como onda
Princpio da Incerteza de Heisenberg
Postulados da Mecnica Quntica
Solues da Equao de Schrdinger
Aplicaes em Teleinformtica
Fsica de Semicondutores (diodos, transistores, etc...)
Lasers
Microeletrnica, Nanoeletrnica & Nanodispositivos
Supercondutores
Teleportao Quntica e Comunicaes seguras (Inviolveis)
Computador Quntico (paralelismo intrnseco)
5
O eltron como onda
O eltron livre caracterizado por uma
freqncia v e um comprimento de onda . O
primeiro est relacionado com a energia,
enquanto que o segundo est relacionado com
o momentum da partcula.
2
2
E h
h h
P k
v e
t
t
= =
= = =
(1.1)
(1.2)
6
O eltron como onda
Seja um objeto de massa m=1kg movendo-se com velocidade
v=100m/s. Qual o comprimento de onda do objeto?
34
36
6, 626x10
6, 626x10
1 100
h J s
m
P kg m s
= = =
(1.3)
(1.4)
Seja um eltron com energia cintica T=100eV (1ev=1,6022x10
-
19
J). Qual o comprimento de onda do eltron?
2
34
10
31
2
2
6, 626x10
1, 2x10 1, 2A
2
2 9,1095x10 100
P
T P mT
m
h J s
m
mT
kg eV
= =
= = ~ =

(1.5)
O de um objeto de massa grande muito pequeno em relao s dimenses
de outros objetos similares, por isso, efeitos ondulatrios no so perceptveis.
Por outro lado, o de um eltron com energia de algumas dezenas de eV da
mesma ordem de grandeza da dimenso de tomos e da distncia entre eles
na matria. Por isso, efeitos ondulatrios so importantes na escala atmica.
7
O eltron como onda
Se o eltron uma onda plana (eltron livre) com momentum bem definido P
0
,
ele ter um vetor de onda k
0
=P
0
/ e sua funo de onda (considerando um
movimento unidimensional na direo x) dada por:
-20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
k
(
k
)
|
Ak
( )
( )
0
,
i k x t
x t Ae
e
+ =
(1.6)
Esta funo de onda descreve um eltron que preenche todo o espao e,
portanto, tem uma incerteza na posio Ax. Se o momentum do eltron (e,
portanto, o vetor de onda) no bem definido, ento a funo de onda do
eltron ser uma superposio de ondas planas e o eltron ser mais bem
localizado.
-20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
x
(
x
)
+
Ax
Fig. 1.1 Distribuio do momentum. Fig. 1.2 Funo de onda do eltron.
8
O eltron como onda
Neste caso o eltron no tem um vetor de onda bem definido e a funo de
onda uma superposio de ondas planas com vetores de onda prximos
de k
0
e amplitude |(k), com mximo em k
0
e largura Ak. Como P=k, tem-se
AP=Ak.
Segundo o princpio da incerteza de Heisenberg, PIH, em uma experincia no
possvel determinar exatamente o valor da posio do eltron x e seu
momentum P simultaneamente. Existe uma incerteza mnima no processo
de medio que dada por:
2 x P A A >
(1.7)
Isto ocorre porque as funes das Figs. 1.1 e 1.2, |(k) e +(x), formam um par
de transformada de Fourier.
Relaes de incerteza aparecem entre quaisquer dois pares de observveis
conjugados. Alm de posio e momentum, tem-se, por exemplo, energia e
tempo:
E t A A >
(1.8)
9
O eltron como onda
Assim, se a medio da energia efetuada num intervalo de tempo At
finito, existir uma incerteza AE na determinao de E.
Assim como a partcula eltron tem uma onda a ela associada, a onda
eletromagntica tem uma partcula a ela associada. Esta partcula
chamada de fton. Um fton um quantum, isto , ele representa a
mnima energia que uma onda pode ter. A mnima energia de uma
onda com freqncia angular e e.
Usando o PIH, explique porque no possvel construir um oscilador
ptico (laser) que oscile em uma nica freqncia.
Sol.: A mnima energia de uma onda com freqncia angular e e.
Assim, usando o PIH para energia e tempo, tem-se:
1 E t t t e e A A > A A > A A >
Se a onde tiver uma nica freqncia, isto , incerteza zero na freqncia, e
ela dever ter At infinito para que o PIH seja satisfeito.
(1.9)
10
O eltron como onda
Usando o PIH, mostre qual a energia de um pulso de luz de um fton
com durao t e freqncia central e
0
.
Sol.:
0
2 2
E E
E
E E
t t
e
t
A > A >
A
= =
(1.10)
(1.11)
O momentum que o fton carrega e a incerteza do mesmo so dados por
fton fton
E
P P
c c c
e e A
= = A =
Um pulso ptico com largura t tem incerteza na posio, relativa posio
central do pulso, dada por Ax=ct/2. Logo:
2 2
fton
x P
et A
A A = >
(1.12)
(1.13)
11
O eltron como onda
Verificou-se que a velocidade de um projtil de 50g e a velocidade de um
eltron (m=9,1x10-28g) so iguais a 300m/s, com uma incerteza de
0,01%. Com que preciso fundamental poderamos localizar a posio
de cada um em uma medio simultnea com a velocidade?
Sol.:
| | | | ( )
34
-32
-3 31
0, 0001
6, 626x10 4 0, 0001 300
2 2
3.515x10 para 0, 05
1.931x10 para 9,1x10
P m V mV
x P x J s m m s
P
x m kg
x m kg
t
A = A =
A A > A > =
A
A = =
A = =
O sinal de uma estao de televiso constitudo de pulsos de durao

At~10-6s. Explique porque no factvel a transmisso de televiso na
faixa AM de radiodifuso [0,5MHz-1,5MHz].
Sol.:
( )
( )
1
6
1 2 1 2
2 10 0,159MHz
E t h t t t
s
v v t v t
v t

A A > A A > A A > A > A

A > =
Portanto, no factvel porque caberiam poucos canais.
(1.14)
(1.15)
(1.16)
(1.17)
(1.18)
(1.19)
12
O eltron como onda
Um tomo pode emitir radiao em qualquer momento aps ter sido
excitado. O tempo de vida mdio de aproximadamente 10-8s. Qual a
mnima incerteza Av na freqncia do fton?
Sol.:
( )
( )
1
8
1 2 1 2
2 10 15, 92MHz
E t h t t t
s
v v t v t
v t

A A > A A > A A > A > A

A > =
(1.20)
(1.21)
Um diodo emissor de luz emite no comprimento de onda =549nm e
potncia de 1W. Qual a energia dos ftons emitidos? Quantos ftons por
segundo so emitidos pelo diodo?
Sol.:
| | | |
| |
| |
| |
34 8
19
9
6
13
19
6, 626x10 3x10
3, 62x10
549x10
10
2.762x10
3, 62x10
f
f
f
J s m s
hc
E h J
m
W
P
E Pdt nE n ftons s
E W s
v

= = = =
= = = =
}
(1.22)
(1.23)
13
O eltron como onda
Um eltron livre e um fton tm, cada um, =3x10-10m. Calcule as
energias e momento de cada um e interprete os resultados
(me=9,1095x10-31kg).
Sol.:
( )
( ) ( )
34
24
10
34 8
16
10
34 31
6
10
6, 626x10
2, 208 10
3x10
6, 626x10 3x10
6, 626x10
3x10
6, 626x10 2, 208 9,1x10
5, 36x10
3x10
e f
f
e e
e
h
P P kg m s
hc
E h J
h P m
hV
E h J
( = = = =

= = = =
= = = = =
Dado encontre o PIH para posio e comprimento de onda,
.
Sol.:
2 x p A A >
2
2
1 1
2 2 2
4
x p xh xh x

t
| | | |
A A > A A > A A > A A >
| |
\ . \ .
(1.24)
(1.25)
(1.26)
(1.27)
14
O eltron como onda
Se , qual o valor de Ax se: a) =5.10-4 (raios ); b) =5 (raios
X); c) =500 nm (luz visvel)?
Sol.:
7
10

A =
-8 14
2 7
-4 10
-1 7
3.978x10 para 5x10
10
3.978x10 para 5x10
4 4 4
3.978x10 para 5x10
m m
x x m m
m m

t t t
=
| |
A A > A > = = =
|
A
\ .

=
(1.28)
Um fton com E=e tem extenso infinita. Por outro lado, um pulso ptico finito
com um nico fton e envoltria no domnio da freqncia dado por A(e) tem
energia dada por .
Que interpretao pode-se dar a ,A(e),
2
e qual a condio matemtica
necessria para que esta interpretao seja vlida?
Sol.: ,A(e),
2
de a probabilidade do fton ter freqncia entre e e e+de. A
condio matemtica a ser satisfeita :
( )
2
0
E A d e e e
=
}
( )
2
1 A d e e
=
}
15
O eltron como onda
Dois importantes parmetros na construo de sistemas digitais so o tempo
de chaveamento, t, e a densidade de integrao n (nmero de chaves
binrias por unidade de cm
2
). O nmero mximo de transies binrias por
unidade de tempo dado por B=n/t. Cada transio binria requer uma
energia E
bit
, e a potncia dissipada dada por P=BE
bit
. A mnima energia
requerida para processar um bit dada pela energia de Shannon-von
Neumann-Landauer, E
SNL
=k
B
Tln2 (=0,017eV em T=300K, com
k
B
=1,3807x10
-23
J/K e 1eV=1,6022x10
-19
J). a) Baseando-se no P.I.H.,
AxAp>/2 e AEAt>, estime o mnimo tamanho da chave binria e o mnimo
tempo de chaveamento. b) Calcule a potncia dissipada. c) O que acontece
se a energia gasta para realizar uma transio for E
bit
=cE
SNL
, sendo c um
valor maior que 1? Pistas: 1) O valor mnimo no pode ser menor que a
incerteza. 2) AP=(2m
e
AE)
1/2
.
Sol.: O tamanho mnimo da chave estimado por:
( )
min
0, 75 300
2
2 2 2 2 ln 2
e bit e B
x nm T K
p
m E m k T
= = = = =
A
O mnimo tamanho da chave corresponde mxima densidade de integrao,
isto , =1,778x10
14
/cm
2
.
2
max min
1 n x =
(1.29)
16
O eltron como onda
O tempo mnimo de chaveamento estimado como
min
0, 04ps
ln 2
B
t
E k T
= = =
A
Logo, a potncia dissipada por unidade de rea
( )
14 2
7 2
max
min
1, 778x10 ln 2
1, 210x10
0, 04
B
bit
cm k T
n E
P W cm
t ps
= = =
Se E
bit
=cE
SNL
, ento
min
min
3 3
2
max
3
min
2
2 2 2 2 ln 2
ln 2
8 ln 2
ln 2
8
ln 2
e bit e B
B
e B
B
bit e SNL
B
x
p
m E m ck T
t
E ck T
m ck T
ck T
n E c m E
P
t
ck T
= = =
A
= =
A
= = =
O comprimento da chave
diminui proporcionalmente a
c
1/2
(densidade de integrao
cresce proporcionalmente a c),
a velocidade chaveamento
diminui proporcionalmente a c,
mas a potncia dissipada
aumenta proporcionalmente a
c
3
.
(1.30)
(1.31)
(1.32)
(1.33)
(1.34)
17
I. A funo de onda: O estado de qualquer partcula material caracterizado
por uma funo de onda complexa +(r,t). A funo + e suas derivadas em
relao r so contnuas, finitas e unvocas.
Se num instante t fizermos uma medio para determinar a localizao da
partcula com funo de onda +(r,t), a probabilidade de encontr-la entre r e
r+dr dada pela equao (1.39).
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
*
*
, , ,
, , , 1
P r t r t r t dr
P r t dr r t r t dr

= + +
= + + =
} } } } } }
(1.35)
(1.36)
II. Operadores qunticos: A cada grandeza fsica corresponde um operador
matemtico que opera na funo de onda. Alguns exemplos esto na Tabela
1.1.
x x x

x x
p p i
x
c

c

p P i V
E E i t c c
( )
2 2
2 T T m V
18
Por exemplo, aplicando o operador quntico do momentum (em uma
dimenso) na funo de onda de um eltron livre, que uma onda plana,
temos:
( )
( )
( )
( )
0
0
0 0
, ,
i k x t
i k x t
Ae
P x t i k Ae k x t
x
e
e
c
+ = = = +
c
(1.37)
sendo k
0
exatamente o momentum do eltron livre proposto por Broglie. Por
outro lado, a aplicao do operador quntico de energia na funo de onda do
eltron livre d:
( )
( )
( )
( )
0
0
, ,
i k x t
i k x t
Ae
E x t i Ae x t
t
e
e
e e
c
+ = = = +
c
(1.38)
sendo e exatamente a energia do eltron livre proposto por Broglie.
Obs.: Quando um operador aplicado funo de onda + resulta na prpria funo +
multiplicada por uma constante, dizemos que a funo + um auto-estado do referido
operador e a constante o autovalor correspondente.
19
Assim, a funo de onda do eltron livre um auto-estado do operador
momentum com autovalor k
0
, e ela tambm um auto-estado do operador
energia com autovalor e.
O operador energia cintica pode ser obtido a partir do operador
momentum :
P
2 2
2
1

2 2 2
T P P
m m m

= = V V = V
(1.39)
III. Valor esperado de uma grandeza: O valor esperado da grandeza Q, (Q),
associado ao operador dado por:
Q Q dr
+
-
= + +
}
(1.40)
IV. A equao de Schrdinger: A evoluo da funo de onda de uma
partcula em um sistema fsico determinada pela equao diferencial
proposta por Erwin Schrdinger.
2
2

2
T V E H E V i
m t
c+
(
+ + = + + = + V ++ + =

c
(1.41)
20
Na Eq. de Schrdinger, o operador representa o potencial de interao a
que a partcula esta sujeita numa dada situao fsica. O operador est
associado energia total (energia cintica + energia potencial) e chamado
Hamiltoniano. A Eq. de Schrdinger tem uma infinidade de solues. As
solues para cada problema especfico so limitadas pelas condies de
contorno que + e suas derivadas devem obedecer, bem como a condio
de normalizao
Se o potencial no depende do tempo, o primeiro passo para resolver a
equao de Schrdinger utilizar a tcnica de separao de variveis.
Ento, se a funo de onda pode ser decomposta em
V
( )

V V r =
( ) ( ) ( )
, r t r t | + =
(1.42)
Substituindo (1.42) na equao de Schrdinger (1.41), obtm-se
21
Na (1.45), uma vez que o lado direito depende s de r e o lado esquerdo
depende s de t, para que ela seja satisfeita para todo r e t, ambos os lados
devem ser igual a uma mesma constante:
( ) ( )
( )
2
2
2
2
2
2
2
1 1
2
V i
m t
V i
m t
V i
m t
|
| |
|
| |
|
|
c
V + =
c
c
V + =
c
c
V + =
c
(1.43)
(1.44)
(1.45)
( )
2 2
2 2
1

0
2 2
1
iE
t
V E V E H E
m m
iE
i E e
t t

| |
| |
|

V + = V + = =
c c
= = =
c c
(1.46)
(1.47)
A equao (1.46) chamada equao de Schrdinger independente do tempo
22
Pode-se ainda observar no termo mais a direita de (1.46) que a constante E
um autovalor ( o auto-estado) do operador Hamiltoniano, portanto, E
um valor de energia. Por fim, a soluo completa da equao de
Schrdinger
( ) ( )
,
iE
t
r t r e

+ = (1.48)
Solues da Equao de Schrdinger:
Eltron Livre
Neste caso o potencial constante (V=constante) e, portanto, a fora a qual o
eltron est submetido F=-VV=0. Assim, o eltron se move livremente com
velocidade constante. Uma vez que o valor da constante no altera o
comportamento do eltron, por simplificao assume-se V=0. Assumindo-se
ainda movimento apenas na direo x, tem-se:
2 2 2
2 2
2
0
2
d mE
E
m x dx

c
= =
c
(1.49)
23
Assumindo como soluo a funo exp(x) e substituindo em (1.49)
obtm-se:
2
2 2
2 2 2
2 2
2
x x x
x x
d e d de de mE mE
e e
dx dx dx dx
mE
i

| |
= = = = =
|
\ .
=
(1.50)
(1.51)
portanto
( )
2 2
2 2 2
2
2 2
mE mE
i x i x
ikx ikx
x Ae Be Ae Be
mE k P
k E
m m

= + = +
= = =
(1.52)
(1.53)
Em (1.52), o termo com coeficiente A representa uma onda se movendo no
sentido x positivo, enquanto que o termo com coeficiente B representa uma
onda se movendo no sentido x negativo. De (1.53) v-se que a energia total E
igual energia cintica, como esperado para o movimento de uma
partcula livre.
24
Outra varivel importante a ser considerada a relao de disperso E(k) do
eltron livre. Ela pode ser determinada fazendo:
2 2
2
2 2
k
E k
m m
e e = = = (1.54)
e, portanto uma parbola.
O eltron num poo de potencial infinito
0 L
x
V(x)

( )
0 0
0 e
x L
V x
x x L
< <
=

s >
(1.55)
25
( )
( )
2 2
0
0 0 e
mE mE
i x i x
x Ae Be x L
x x x L
= + s s
= s >
No intervalo 0<x<L a equao de Schrdinger exatamente a mesma do
eltron livre, por isso, nesta regio a soluo a mesma dada na equao
(1.52). Em xs0 e x>L a funo de onda deve ser nula, (x)=0, pois sendo o
potencial infinitamente grande, ele no permite que o eltron esteja nestas
regies. Portanto, a soluo em todas as regies :
O momentum do eltron e deve ser finito, portanto, a funo
(x) deve ser contnua em x. Logo.
(1.56)
(1.57)
P i d dx =
Substituindo estas condies de contorno em (1.56), obtm-se
(0)=(L)=0
(1.58)
0
0
ikL ikL
A B
Ae Be
+ =
+ =
(1.59)
(1.60)
26
( )
( )
2 0
ikL ikL
B A
A e e iAsen kL kL nt
=
= = =
Portanto,
A funo de onda soluo do problema do poo potencial infinito
( ) ( )
2 2
n
n
x iAsen x iAsen k x
L
t
| |
= =
|
\ .
Usando, agora, a condio de normalizao (1.36), tem-se
( ) ( )
2 2 2
0
1
4 2 1
2
L
n
x x dx A sen x dx A L A
L
L
t

| |
= = = =
|
\ .
} }
A energia do eltron no poo de potencial infinito
2 2 2 2
2
2
2
2 2
n
n
k mE
k E n
m mL
t
| |
= = =
|
\ .
(1.61)
(1.62)
(1.63)
(1.64)
(1.65)
27
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
x 10
-8 x
n=1
n=2
n=3
n=4
n=5
Os valores de energia que o eltron pode possuir dependem de n, portanto o
confinamento da partcula provoca a discretizao da energia. A funo de
onda completa do eltron em um poo potencial infinito
( ) ( ) ( )
2
2
2
2
2 2
,
n n
E E
i n t
i t i t
mL
n n
n
x t x e i sen k x e i sen x e
L L L
t
t
| |
|
|
\ .
| |
+ = = =
|
\ .
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
x 10
-20
n
J
o
u
l
e
n=1
n=2
n=3
n=4
n=5
Fig. 1.2 Autofunes do poo inf. (L=10nm) Fig. 1.3 Autovalores do poo inf. (L=10nm).
(1.66)
A varivel n chamada nmero quntico. As energias E
n
so os autovalores e
as funes
n
so as autofunes do Hamiltoniano para o poo infinito. Para
um poo infinito com largura L=10nm os 5 primeiros modos so:
28
2 A L =
Do problema do poo infinito duas observaes devem ser notadas:
Obs1.: Pode-se observar que partculas cujo movimento confinado a uma
regio limitada do espao s podem ocupar estados (estacionrios) de energia
discreta, ou seja, tm energia quantizada. Matematicamente isto decorre das
condies de contorno impostas s funes de onda nos limites da regio. O
estado de menor energia chamado estado fundamental.
Obs2.: A funo de onda de uma partcula confinada a uma regio do espao
tem um certo nmero de zeros que tanto maior quanto maior for a energia da
partcula.
Calcule (x), (p
x
), (Ax)
2
e (Ap
x
)
2
e (Ax)
2
para uma partcula confinada em um
poo de potencial infinito de largura L, no modo fundamental.
Sol.:
No modo fundamental tem-se n=1, e .
2
2 2
0 0 0
2
1 cos
2 2
L L L
x A x L
x x dx A xsen dx x dx
L L
t t

-
(
| | | |
= = = =
| |
(
\ . \ .

} } }
( )
Asen x L t =
(1.67)
( ) ( ) ( )
2
1
cos cos sin
x
x ax dx ax ax
a a
= +
}
(1.68)
29
O valor esperado do momentum :
2 2
0 0 0
2
cos 0
L L L
x
x x x
p i dx i A sen dx i A sen dx
x L L L L L
t t t t t

-
c
| | | | | | | |
= = = =
| | | |
c
\ . \ . \ . \ .
} } }
A varincia da posio dada por:
2 2
2
2 2 2 2 2 2
0 0
2
2 2 2
2 2
0
sin
4 4
2 6
1 cos 0.033
4 2 3
L L
L
L L x
x x x x dx A x dx
L
A L x L
x dx L
L L
t

t t
t
-
| | | |
| |
A = = = =
| | |
\ .
\ . \ .
| | | | (
| | | |
= = =
| | | | (
\ . \ .
\ . \ .
} }
}
Em (1.72) foi usada a relao:
( )
( )
( )
2 2
2
2 3
2 cos
2
cos sin
x ax
a x
x ax dx ax
a a

= +
}
(1.69)
(1.70)
(1.71)
30
A varincia do momentum :
( )
2
2 2
2 2 2
2
0 0
2
2
L L
x x x x
x
p p p p dx i dx
x
p
L

t
- -
c
A = = = =
c
| |
A =
|
\ .
} }
Por fim, a relao de incerteza :
0.033 0, 57 2
x
x p L
L
t
A A = = >
(1.72)
(1.74)
(1.73)
31
Barreira de Potencial tipo Degrau
V0
x
V(x)
1 2
E
( )
0
0 0
0
x
V x
V x
<
=

>
Um eltron livre viajando na direo +x e encontra uma barreira de potencial

de altura V
0
maior do que sua energia E.
( )
2 2
1
mE mE
i x i x
ikx ikx
x Ae Be Ae Be

= + = +
A funo de onda do eltron na regio 1 dada por:
(1.75)
32
Na regio (2), temos a ESIT
( )
2
0
2 2
2 d m
V E
dx
=
Usando
2
2 2
2
x x
d
e e
dx

= = =
obtemos
( ) ( )
2
0 0
2 2
2 2 m m
V E V E = =
Sendo V
0
>E, assume apenas valores reais. Portanto, a soluo na regio
(2) :
( )
( ) ( )
0 0
2 2
2
m V E m V E
x x
x Ce De

= +
(1.76)
(1.77)
(1.78)
(1.79)
Como a primeira parcela do lado direito cresce indefinidamente com x,
devemos ter C=0.
33
Em x=0, devemos ter a continuidade da funo de onda e da derivada
primeira da mesma.
( ) ( )
( )
1 2
1 2
0 0
0 0
x x
A B D
d d
ik A B D
dx dx

= =
= + =
= =
2k
D A
k i
| |
=
|
+
\ .
k i
B A
k i
| |
=
|
+
\ .
-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
x 10
-8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
x [m]
A
m
p
l
i
t
u
d
e
Funo de onda no normalizada
Meio 1 Meio 2
Como 2>0, existe uma
probabilidade do eltron ser
encontrado na regio 2.
(1.80)
(1.81)
34
O eltron incidindo em uma barreira de potencial Efeito Tnel
V0
x
V(x)
1
2
0 a
3
E
( )
0
0 0 ,
0
x x a
V x
V x a
< >
=

s s
( )
( )
( )
( )
1 1
2 2
1 1
1
2
3
1
2 0
2
2
ik x ik x
ik x ik x
ik x ik x
x Ae Be
x Ce De
x Fe Ge
k mE
k m E V
= +
= +
= +
=
=
(1.82)
(1.83)
(1.84)
(1.85)
(1.86)
35
Como E<V0, k2 um nmero puramente imaginrio. Com o eltron vindo na
direo da regio 1 para a regio 3 e no h nada que cause uma reflexo
do eltron na regio 3, deve-se ter G=0 em (1.84). Agora, usando as
condies de continuidade da funo de onda e sua derivada primeira em
x=0 e x=a, obtemos:
( ) ( ) ( )( )
( ) ( ) ( )
2 2 1 2 2 1
2 1
1 2
I II
III IV
ik a ik a ik a ik a ik a ik a
A B C D A B k k C D
Ce De Fe Ce De k k Fe

+ = + =
+ = =
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
1 2
1 2
1 2 1 2
1 1
1 2 1 2
1 1
2 1
2
2 1
2
1 1
V = I + II
2 2
1 1
VI = I - II
2 2
1
VII = III + IV
2
1
VIII = III - IV
2
ik a ik a
ik a ik a
A k k C k k D
k k
B k k C k k D
k k
C k k Fe e
k
D k k Fe e
k
= + +
= + +
= +
=
(1.87)
(1.88)
(1.89)
(1.90)
(1.91)
(1.92)
36
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
x 10
-19
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
T
(
E
)
E
Transmissividade da barreira de potencial quadrada
( ) ( )
( )
( )
( )
1
2 2
2
0
1 2
2 2
1 2 1 2
0
2 2
0 0
4
4
2
4 sin
ik a
ik a ik a
E E V
k k e F F
T
A A
k k e k k e
m E V
E E V V a
= = =
(
+

(
+
(

(1.93)
O termo tunelamento ocorre
pela seguinte razo: A energia
total do eltron a soma das
energias cintica e potencial,
E=Ek+Ep. Fora da barreira
temos E=Ek+0 enquanto que
dentro da barreira temos
E=Ek+V
0
. Se E<V
0
, ento
dentro da barreira temos
E=Ek+V
0
<V
0
, logo, a energia
cintica dentro da barreira
deveria ser negativa. Por isso, o
eltron atravessa a barreira sem
passar por dentro dela. Ele
tunela atravs da mesma.
37
V0
x
V(x)
1
2
2
a
2
a
3
( )
0
0
2
0 2 2
2
V x a
V x a x a
V x a
<
= s s
>
( )
( ) ( ) ( )
( )
( )
2 2
2 2
1
2 1 1
3
1
2 0
sin cos
2
2
k x k x
k x k x
x Ce De
x A k x B k x
x Fe Ge
k mE
k m V E
= +
= +
= +
=
=
O eltron em um poo simtrico quadrado de potencial
(1.94)
(1.95)
(1.96)
(1.97)
(1.98)
38
Se V
0
>E ento k
2
real e positiva, portanto, para que as funes
1
e
2
sejam
finitas no infinito, deve-se ter D=F=0. As autofunes e suas derivadas de
primeira ordem devem ser contnuas em x=a/2, logo:
( )
( )
( )
( )
2
2
2
2
2
1 1
2
1 1
2 1 1
2
1 1
2
1 1
2 1 1
I sin cos
2 2
II cos sin
2 2
III sin cos
2 2
IV cos sin
2 2
k a
k a
k a
k a
k a k a
Ce A B
k a k a
Ck e Ak Bk
k a k a
Ge A B
k a k a
Gk e Ak Bk
| | | |
= +
| |
\ . \ .
| | | |
= +
| |
\ . \ .
| | | |
= +
| |
\ . \ .
| | | |
=
| |
\ . \ .
V0
x
V(x)
1 2
2
a
2
a
3
(1.99)
(1.100)
(1.101)
(1.102)
39
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
2
2
2
2
2
1
2
1
2
1
1 2
2
1
1 2
V I - III 2 sin
2
VI I + III 2 cos
2
VII IV II 2 sin
2
VIII IV II 2 cos
2
k a
k a
k a
k a
k a
A G C e
k a
B G C e
k a
Bk G C k e
k a
Ak G C k e
| |
= =
|
\ .
| |
= = +
|
\ .
| |
= = +
|
\ .
| |
= + =
|
\ .
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
2
2
2
2
1
2
1
2
1
1 2
2
1
1
2
1
2
1
1 2
2
1
2 sin
VII
2
tan
VI 2
2 cos
2
2 cos
VIII
2
c tan
V 2
2 sin
2
k a
k a
k a
k a
k a
Bk
G C k e
k a
k k
k a G C e
B
k a
Ak
G C k e
k a
k k
k a G C e
A
| |
|
+
| |
\ .
= =
|
+ | |
\ .
|
\ .
| |
|

| |
\ .
= =
|
| |
\ .
|
\ .
(1.103)
(1.104)
(1.105)
(1.106)
(1.107)
(1.108)
40
A equao (1.107) vlida se (I) B=0 e G=-C enquanto que a equao (1.108)
vlida somente se (II) A=0 e G=C. Suponhamos que todas estas condies
possam ser satisfeitas simultaneamente. Neste caso, usando (1.107) e (1.108)
teramos:
2 2
1 1 1 1
tan c tan sin cos 0
2 2 2 2
k a k a k a k a
| | | | | | | |
= + =
| | | |
\ . \ . \ . \ .
(1.109)
o que , obviamente, um absurdo. Portanto, as condies (I) e (II) no
podem ser simultaneamente verdadeiras. Assim, as autofunes do poo
de potencial quadrado so de dois tipos:
Tipo 1
( ) ( )
1
1 2
1 1
2 2
tan
cos exp 2 cos exp 2 2
2 2
0 e
k a
k k
k a k a
B G k a G C B k a
A G C
| |
=
| | | |
|
= = =
\ . `
| |
\ . \ .
= =
) (1.110)
Tipo 2
( ) ( )
1
1 2
1 1
2 2
c tan
sin exp 2 sin exp 2 2
2 2
0 e
k a
k k
k a k a
A G k a G C A k a
b G C
| |
=
| | | |
|
= = =
\ . `
| |
\ . \ .
= =
)
(1.111)
41
Portanto, as autofunes do tipo 1 so:
( )
2 2
2 2
2
1
1
2 1
2
1
3
cos
2
cos
cos
2
k a k x
k a k x
k a
B e e
B k x
k a
B e e

(
| |
=
| (
\ .

=
(
| |
=
| (
\ .

( )
2 2
2 2
2
1
1
2 1
2
1
3
sin
2
sin
sin
2
k a k x
k a k x
k a
A e e
A k x
k a
A e e

(
| |
=
| (
\ .

=
(
| |
=
| (
\ .

enquanto que as autofunes do tipo 2 so:
(1.112)
(1.113)
(1.114)
(1.115)
(1.116)
(1.117)
42
( )
( )
( ) ( )
0
0
2
2 2 2
tan tan
2 2
m V E
V E
mE mE a mE a
f E g E
E
| | | |
= = =
| |
| |
\ . \ .
A soluo da equao transcendental (1.110) s pode ser encontrada
numericamente
0 1 2 3 4 5 6
x 10
-20
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
E [J]
f

,

g
Fig. 1.9 Autovalores
de energia para o poo
quadrado com a=10
nm e V
0
=10 eV.
(1.118)
43
O eltron incidindo em uma barreira de potencial dupla
V0
x
V(x)
0
a a L + 2a L +
E
( )
0
0 e 2
0 0, e 2
V x a a L x a L
V x
x a x a L x a L
s s + s s +
=

< < < + > +
( )
( )
( )
( )
( )
( )
1
2
1
1
2
1
1 2 2
2 2
1 2 2
1
0
2
4
1 sin
2 cos
tan
sin
2
2
R
T k L
T
k k k a
k k k a
mE
k
m E V
k
u
u
(
= +
(

=
+
=
=
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
x 10
-19
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
E [J]
T
Fig. 1.11 Transmissividade versus
energia do eltron incidente para a
barreira de potencial dupla com
V0=0,5eV, a=2nm e L=0,5nm.
(1.119)
(1.120)
(1.121)
(1.122)
44
O eltron no potencial do oscilador harmnico simples
x
V(x)
( )
2
2 V x Cx =
2 2
2
2
2 2
d C
x E
m dx
+ =
(1.123)
(1.124)
2 2
1
4
2
C
C m
m
v t v
t
= =
Usando a freqncia de oscilao clssica, temos
.
2
2 2
2 2 2
2 2 2
2 2
0 0
d mE m d
x x
dx dx
t v
| o
(
| |
( + = + =
(
|

\ .
(

Substituindo (1.125) em (1.124), a equao de Schrdinger a ser resolvida :
(1.125)
(1.126)
45
2 2
2 2
d d du d
dx du dx du
d d d d d d
dx dx du dx du du
o
o o o
= =
= = =
Fazendo agora u=o
1/2
x, temos:
Substituindo (1.127)-(1.128) em (1.126), obtemos
2
2
2
0
d
u
du
|

o
(
+ =
(

.
A soluo e sua primeira derivada devem ser contnuas, unvocas e finitas no
intervalo (-,+). Quando ,u,, tem-se u
2
>>|/o e, portanto, sob esta
condio, a equao diferencial (1.129) reduz-se a:
2
2
2
d
u
du
=
(1.127)
(1.128)
(1.129)
(1.130)
46
2 2
2 2
u u
Ae Be

= +
A soluo geral de (1.130) da forma
Para que a soluo (1.131) seja finita quando ,u,, devemos ter B=0. Agora,
procuramos solues de (1.130) da forma
( )
2
2
u
Ae H u

=
(1.131)
(1.132)
Para que tal soluo seja vlida em todo o intervalo, H(u) deve variar
lentamente em comparao a Aexp(-u
2
/2) quando ,u,. Substituindo (1.132)
em (1.130), encontramos a equao diferencial que governa H(u):
( )
2 2
2
2 2
2 2
2
2
2 2
2
2
1 2
2 1 0
u u
u
d dH
Aue H Ae
du du
d dH d H
Ae u H u
du du du
d H dH
u H
du du
|
o

= +
(
= +
(

| |
+ =
|
\ .
(1.133)
(1.134)
(1.135)
47
( )
( )
2 3
0 1 2 3
0
1 2 3
1 2 3 4
1
2
2 2 3
2 3 4 5
2
2
2 3 4
1 2 6 12 20
l
l
l
l
l
l
l
l
l
H u a u a a u a u a u
dH
la u a a u a u a u
du
d H
l l a u a a u a u a u
du
=
= = + + + +
= = + + + +
= = + + +
Para encontrar a soluo de (1.135), usamos a decomposio de H em srie de

potncias:
Substituindo (1.136)-(1.138) em (1.135) obtemos um polinmio que deve ser
igual zero. Para que isso ocorra para todos os possveis valores de u, os
coeficientes de cada potncia de u devem se anular. Desta condio surge a
relao de recorrncia
( )
( )( )
2
1 2
1 2
l l
l
a a
l l
| o
+

=
+ +
Assim, obtem-se a
2
, a
4
, a
6
,... a partir de a
0
e a
3
, a
5
, a
7
,... a partir de a
1
. As
constantes a
0
e a
1
so as constantes arbitrrias da equao diferencial de
segunda ordem e so determinadas pelas condies de contorno.
(1.136)
(1.137)
(1.138)
(1.139)
48
Solues do tipo (1.136)-(1.139) podem no ser aceitveis (finitas quando
,u,) se |/o puder assumir qualquer valor. Entretanto, fazendo
2
2 2 2 2 1
2 1
2 2 2
2
2
n n n n
n
mE E E E
n E n h
h
m h
|
v
o t v t v v
t v
t
| |
= = = = = + = +
|
| |
\ .
|
\ .
que so os autovalores de energia.
(1.140)
|/o=2n+1 e n=1,3,5,... se a
0
=0
|/o=2n+1 e n=2,4,6,... se a
1
=0
a srie termina no n-simo termo pois a
l+2
(l=n)=0. As solues resultantes
H
n
(u) so polinmios de ordem n chamados polinmios de Hermite. Alm
disso, |/o=2n+1 implica em:
(1.141)
(1.142)
49
As cinco primeiras autofunes so:
( )
( )
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
2
0 0
2
1 1
2 2
2 2
3 2
3 3
2 4 2
4 4
3 5 2
5 5
exp 2
exp 2
1 2 exp 2
3 2 exp 2
3 12 4 exp 2
15 20 4 exp 2
Autofunes
A u
Au u
A u u
A u u u
A u u u
A u u u u
=
=
=
=
= +
= +
1
2
n
E n hv
| |
= +
|
\ .
(1.144)
(1.143a)
(1.143b)
(1.143c)
(1.143d)
(1.143e)
(1.143f)
Teorema de Bloch
Seja V(x) um potencial peridico com perodo a: V(x)=V(x+a) (-<x<).
Isto implica que o Hamiltoniano H=(-/2m)
2
/x
2
+V(x) tambm ser peridico
com o mesmo perodo: H(x)=H(x+a) .
Seja agora o operador Translao: T
a
f(x)=f(x+a).
Seja tambm (x) um autoestado do operador H: H(x)=E(x).
Assim, temos que: T
a
H(x)f(x)=H(x+a)f(x+a)=H(x)f(x+a)=H(x)T
a
f(x), logo
T
a
H=HT
a
([H,T
a
]=0). Portanto, H e T
a
possuem o mesmo conjunto de autoestados,
isto , (x) tambm autoestado de T
a
: T
a
(x)=(x). Mas:
T
a
(x)=(x+a)=(x). Aplicando a condio de normalizao, temos:
50
( ) ( ) ( )
2 2 2
2 2
1 1
ika
T x dx x a dx x dx e

= + = = = =
} } }
Definindo agora , temos
( ) ( )
ikx
x e u x
( )
( )
( ) ( )
( )
( ) ( ) ( )
ik x a ik x a
ika
x a e u x a e x e u x u x a u x
+ +
+ + = = + =
51
Teorema de Bloch
( ) ( )
ik r
r u r e

=
Teorema de Bloch: Seja um potencial peridico V(r)=V(r+T), sendo T o perodo. A
soluo da funo de onda
com u(r)=u(r+T). Assim,
( ) ( )
( )
( ) ( )
ik r T
ik r ik T ik T
r T u r T e u r e e r e
+

+ = + = =
O teorema de Bloch mostra que o eltron pode propagar atravs de um meio
perfeitamente peridico sem espalhamento, isto , sem chocar-se com os tomos.
(1.145)
(1.146)
52
Potencial Peridico Modelo de Kronig-Penney
Fig. 1.13 Potencial de Kronig-Penney.
V0
x
V(x)
0
2
a
1
a
( )
0 2
1
0
0 0
V a x
V x
x a
s s
=

s s
Na Fig. 1.13, a=a

1
+a
2
o perodo.
( )
( )
0
2
i x i x
e
x Ae Be
m E V
| |
= +
=
.
(1.147)
(1.148)
Na regio a
2
sxs0, o potencial V=V
0
e a soluo da ESIT
Para 0sxsa
1
, o potencial V=0 e a soluo
da ESIT
( )
2
i x i x
e
x De Fe
m E
o o
= +
=
(1.149)
(1.150)
53
Potencial Peridico Modelo de Kronig-Penney
Pelo teorema de Bloch, (x)=u(x)e
ikx
e u(xa)=u(x), portanto, (xa)=(x)e
ika
. Assim,
a funo de onda no perodo a
1
sxsa
1
+a dada por:
( )
( ) ( )
( ) ( )
1
2

i x a i x a
ika
i x a i x a
ika
Ae Be e a x a
x
De Fe e a x a a
| |
o o
(
+ s s

=

(
+ s s +
Fazendo a continuidade de e d/dx em x=0 e x=a

1
, leva equao de autovalor
( ) ( ) ( )
( )
( ) ( )
( ) ( ) ( )
( )
( ) ( )
( )
2 2
1 2 1 2 0
2 2
1 2 1 2 0
0
cos cos cosh sin sinh se 0
2
cos cos cos sin sin se
2
2
e
ka a a a a E V
ka a a a a E V
m V E
o o
o o o o
oo
o |
o | o |
o|
o
= < <
+
= >
=
Para que uma soluo exista, devemos ter -1scos(ka)s1. Chamando o lado direito de
(1.155) de r(E), podemos ver no grfico da figura 1.14 os valores de energia permitidos.
(1.151)
(1.152)
(1.153)
(1.154)
(1.155)
54
2 4 6 8 10 12 14
x 10
-19
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
1
1.5
1
E
2
E
3
E
4
E
5
E
6
E
7
E
8
E
9
E
10
E
E
(
)
r
E
Bandas permitidas
Bandas proibidas
Fig. 1.14 r(E) x E.
55
E
Fig. 1.15: Relao de disperso em um potencial peridico
unidimensional com periodicidade a.
Banda de energia
Banda Proibida
Banda de energia
Banda de energia
Banda Proibida
( )
1
arccos k r E
a
( =

(1.156)
56
Potencial Peridico Soluo via srie de Fourier
( )
( )
ik r
k
k
il r
l
l
V r V e
r c e
=
=
Como V peridico, ele e a funo de onda podem ser decompostos em

suas srie de Fourier.
Substituindo (1.157) e (1.158) na equao de Schrdinger, obtemos
( )
2
2
2
2
2
2
il r ik r im r il r
l k m l
l k m l
i k m r
il r il r
l k m l
l k m l
c e V e c e E c e
m
c e V c e Ec e
m

+

V + =
V + =

.
(1.157)
(1.158)
(1.159)
(1.160)
57
( )
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
( ) ( )
2 2 2
2 2
2 2 2
2 2 2
2
-
l l l l l l l l l
x y z x y z x y z
l l l
x y z
l l l l l l
x y z x y z
i a x a y a z i a x a y a z i a x a y a z
i a x a y a z
il r
i a x a y a i a x a y a
l l l
x y z
e e e
e e
x y z
a a a e l e
+ + + + + +
+ +
+ + + +
c c c
V = V = + + =
c c c
(
+ + =
(

Entretanto,
.
Aplicando, agora, (1.161) em (1.160), temos:
( )
( )
2
2
2
2
2
0
2
i k m r
il r il r
l k m l
l k m l
i k m r
il r
l k m
l k m
c l e V c e E c e
m
l E c e V c e
m
+

+
+ =
| |
+ =
|
\ .

(1.161)
(1.162)
(1.163)
58
Para solucionar (1.163), igualamos os coeficientes das exponenciais iguais, o que ocorre
quando k+m=l:
2 2
2 2
0 0
2 2
il r
l k l k l k l k
l k k
l E c V c e l E c V c
m m

(
| | | |
+ = + =
( | |
\ . \ .

(1.164)
2
2
0 0
0
2 2 2
l l l
V V
l E c c c
m
+
| |
+ + =
|
\ .
Por exemplo, suponhamos o caso unidimensional que V(x)=V
0
cos(x). Neste caso,
decompondo cos(x) em srie de Fourier temos V(x)=V
0
(e
ix
+e
-ix
)/2 e a equao
(1.164) fica da forma:
(1.165)
A soluo dentro da primeira zona de Brillouin requer l=/2, com
c
3/2
=0.
59
2 2
0
2 2
2 2
0
2 2
0
2 2
0
2 2
V l
E c c
m
V l
E c c
m

| |
+ =
|
\ .
| |
+ =
|
\ .
V(x)=V
0
(e
ix
+e
-ix
)/2
Portanto
2 2
0
2 2
V l
E
m
=
Por fim
2 2
C C

=
2
2
2 cos
2
2 sin
2
c x
ic x
| |
=
|
\ .
| |
=
|
\ .
(1.166)
(1.167)
(1.168)
(1.169)
(1.170)
(1.171)
60
INTRODUO FSICA DE SEMICONDUTORES
tomos de 1 eltron
Eltrons em Cristais: Teoria de Bandas
Distribuio de Fermi-Dirac e Densidade de Estados
Teoria da Condutividade
Materiais Semicondutores
Dopagem e Heteroestruturas
Diodo, Transistor, Laser, Fotodetector
Aplicaes em Teleinformtica
Dispositivos Eletrnicos e Optoeletrnicos para Comunicao,
Computao e metrologia
61
tomos de 1 eltron
M
m
M
m
m M
| |
=
|
+
\ .
Potencial Coulombiano:
( ) ( )
2 2
2 2 2
0
0
, ,
4
4
Ze Ze
V x y z V r
r
x y z
tc
tc
= = =
+ +
no qual e a carga do eltron, Ze a carga nuclear sendo Z o nmero
atmico e r a distncia do eltron ao ncleo (Z=1Hidrognio,
Z=2Hlio ionizado) . A equao de Schrdinger fica da forma:
( )
( )
( )
( )
2 2 2
2 2 2 2
2 2 2
2
2
1
, ,
2
, ,
2
, ,
2
x y z
K V p p p V x y z E
V x y z i
x y z t
V x y z i
t
+ = + + + =
(
| |
c c c c+
+ + + + =
( |
c c c c
\ .

c+
V ++ + =
c
(2.1)
(2.2)
(2.3)
(2.4)
62
tomos de 1 eltron
Usando a separao de variveis
( ) ( )
, , , , , exp
E
x y z t x y z i t
| |
+ =
|
\ .
obtemos
2
2
2
V E
V + =
que, em coordenadas esfricas, fica da forma:
( ) ( )
( )
2 2
2
2 2 2 2 2
1 1 1
2
r sen V E
r r r r sen r sen
u
u | u u u
(
c c c c c
| | (
+ + + =
(
|
(
c c c c c
\ .
(

A soluo, por separao de variveis, da forma
( ) ( ) ( ) ( )
, , r R r u | u | = O u
Substituindo (2.6) em (2.5):
(2.5)
(2.6)
63
tomos de 1 eltron
Substituindo (2.6) em (2.5):
( ) ( )
( )
( ) ( )
( )
2 2
2
2 2 2 2 2
2 2
2
2 2 2 2 2
1 1 1
2
1
2
R R R
r sen V E
R r r r r sen r sen
d dR R d R d d
r sen V E
R r dr dr r sen d r sen d d
u
u | u u u
u
u | u u u
(
c c Ou c Ou c c Ou
| | (
+ + + =
(
|
(
Ou c c c c c
\ .
(

(
O u u O
| | (
Ou + + + =
(
|
(
Ou
\ .
(

( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
( )
2 2
2 2
2 2 2
2 2 2
2
2
2 2
0
2
2
1
0
d dR d d d
sen r R R sen sen V E
R r sen dr dr d d d
sen sen r sen
d dR d d d
r sen E V
R dr dr d d d
u u u
u | u u
u u u
u
| u u
( u O
| | (
Ou + O + u + =
| (
(
Ou
\ .

(
u O
| | (
+ + + =
(
|
(
u O
\ .

ou ainda
( ) ( )
( ) ( )
( )
( )
2 2 2
2
2 2
2 2
2
2
2
2
1
1
l
l
im
l
sen sen r sen
d d dR d d
r sen E V m
d R dr dr d d
d
m e
d
|
u u u
u
| u u
|
|
(
u O
| | (
= + =
(
|
(
u O
\ .

u
= u =
u
(2.7)
(2.8)
(2.9)
(2.10)
64
tomos de 1 eltron
mas u(0)= u(2t), logo
( ) ( )
2 0
1 cos 2 sin 2
0, 1, 2, 3,...
l
i m
l l
l
e e m i m
m
t
t t = = = +
=
A varivel m
l
um nmero quntico. Por outro lado, ainda temos que
( ) ( )
( ) ( )
( )
( ) ( )
( ) ( ) ( )
2 2 2
2 2
2
2 2
2
2 2
2
1 2 1
1
l
l
sen sen r sen
d dR d d
r sen E V m
R dr dr d d
m d d r d dR
sen E V r l l
sen sen d d R dr dr
u u u
u
u u
u
u u u u
(
O
| | (
+ =
(
|
(
O
\ .

O
( | |
= + = +
|
(
O
\ .
A soluo da equao de u da forma:
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( ) ( )
2
2
, ,
1
1
cos
l
l l
l
m
l m l m
m d d
sen l l
sen sen d d
sen P
u
u u u u
u u u
O O
(
= + O
(

( O =

(2.11)
(2.12)
(2.13)
(2.14)
65
tomos de 1 eltron
Na equao (2.14),
( )
,
cos
l
l m
P u (

so polinmios em cos(u) cujas formas dependem do valor de l e do valor
absoluto do nmero quntico m
l
. Estas solues so finitas somente se l
for um nmero inteiro, positivo e limitado por |m
l
|sl.
A soluo da componente radial da forma:
( ) ( ) ( ) ( )
( )
( )
2
2 2
2 2 2 2
2
2 2
2 2 2
0
2 1 1 2
1 1
1
2 2
0
4 2
r d dR d dR R R
E V r l l r E V l l
R dr dr r dr dr r
l l
d R dR Ze
E R
dr r dr r r

tc
| | | |
+ = + + = +
| |
\ . \ .
(
+
+ + + =
(
(

(2.15)
(2.16)
Para encontrar as solues, fazemos a seguinte mudana de varivel:
2
1
2
2 1
2 2 2
2 2 2 2
8
8
8 8
;
r
E
E
r
E E
d d d d d d
dr d dr d dr d
| |

=
|
\ . | |
= = =
|
\ .
(2.17)
(Polinmios de Legendre Associados)
66
tomos de 1 eltron
Substituindo em (2.16), obtemos:
( )
( )
( )
( ) ( )
2
2 2 2
2 2 2 2 2
0
2
2 2
2 2
2
0 0
1 8 8
2 2
0
8 4 2
1
2 1
0
4
8
4 4 4 2
l l E E
d R dR Ze
E R
d d E
l l
d R dR
R R
d d
E
Ze Ze
E E

tc
tc tc
(
| | +
+ + + = (
|
(
\ .

+
| |
+ + =
|
\ .
= =
Quando , a equao (2.19) tende a
(2.18)
(2.19)
(2.20)
2
2
0
4
d R R
d
=
(2.21)
cuja soluo finita para
2
R e

Agora, escrevemos a soluo geral de (2.19) como R()=e
-/2
G()
.
Substituindo em (2.19), ficamos com
(2.22)
67
tomos de 1 eltron
( )
( ) ( )
2 2 2
2 2
2 2
2
2 2
1
2 1
0
4
1 1
2
1 0
l l
d e G de G
e G e G
d d
l l
d G dG
G
d d

+
| |
+ + =
|
\ .
( +
| |
+ =
(
|
\ .

Assumindo a expanso em srie como soluo
( )
0
l n
n
n
G a
=
=

Substituindo na equao diferencial, obtemos:
( )( )
1
1
1 2 2
n
n
a n l
a n n l
+
+ +
=
+ + +
(2.23)
(2.24)
(2.25)
(Polinmios de Laguerre)
68
tomos de 1 eltron
Quando n cresce, a soluo R() no bem comportada no infinito, a
menos que a srie termine. Isto significa que, para um dado l, deve
existir um valor de n tal que n+l+1- se anule, isto , existe um n=n
r
que
satisfaz
1
r
n l = + +
Com isso, introduz-se o nmero quntico principal n=n
r
+l+1.
S existem solues de estado ligado aceitveis (finitas) se a constante E
(energia total) tiver um dos valores E
n
, onde
( )
( )
2 2 4
2 2
2
0
0
1
4 2
2 4
n
n
Ze Z e
n E
E n

tc
tc
= =
sendo n=l+1, l+2, l+3,...
(2.26)
(2.27)
69
tomos de 1 eltron
Uma forma conveniente de escrever R(r) :
( )
0
2
0
0
2
0 0
4
,
l
Zr
na
nl nl
Zr Zr
R r e G a
a a e
tc
| | | |
= =
| |
\ . \ .
Em (2.28), os G
nl
(Zr/a
0
) so polinmios em Zr/a
0
com formas diferentes
para os diferentes valores de n e l.
Resumindo as condies satisfeitas pelos nmeros qunticos, teremos:
0,1, 2, 3,...
, 1, 2, 3,...
1, 2, 3...
l
l l l l
m
l m m m m
n l l l
=
= + + +
= + + +
1, 2, 3...
0,1, 2,..., 1
, 1,..., 0,..., 1,
l
n
l n
m l l l l
=
=
= +
n o nmero quntico principal, l o nmero quntico azimutal (o
momento angular orbital depende de l) e m
l
o nmero quntico
magntico (se o tomo se encontra em um campo magntico externo,
existe uma dependncia de sua energia com m
l
).
(2.28)
70
tomos de muitos eltrons
Como os Zeltrons de um tomo se distribuem nos orbitais?
1) Os eltrons devem ocupar os estados de mais baixa energia possvel.
2) Dois eltrons no podem ocupar exatamente o mesmo estado de
energia (princpio da excluso de Pauli). Cada eltron pode ter spin
ms=1/2.
3) A distribuio no tomo feita preenchendo-se os estados de menor
energia , a partir do estado fundamental, sucessivamente com dois
eltrons cada
Na configurao de menor energia, um tomo com Z eltrons tem:
Dois eltrons com nmeros qunticos n=1, l=0, ml=0.
Dois eltrons com nmeros qunticos n=2, l=1, ml=1.
E assim sucessivamente.
Um orbital l pode ter m
l
=0, 1, 2,..., l, portanto, comporta 2(2l+1)
eltrons.
l=0,1,2,3,4... s,p,d,f,g...
n=1,2,3,4,5... K,L,M,N,O...
71
tomos de 1 eltron
Transies Eletrnicas
Quando o eltron se encontra em um estado caracterizado por uma
autofuno da equao de Schrdinger, ele permanece neste estado se
no houver qualquer perturbao no tomo. Uma perturbao possvel
a causada pela radiao eletromagntica. Quando um tomo submetido
a um campo eletromagntico, o eltron pode passar para um estado de
maior energia pela absoro de um fton de freqncia v, desde que a
diferena entre as energias do estado final e estado inicial seja igual
energia do fton:
f i
E E E hv A = =
O eltron tambm pode passar de um estado de energia mais alto para
outro de menor energia pela emisso de ftons de freqncia dada por v
=AE/h. Existe, entretanto, uma regra de seleo: As transies
acompanhadas de absoro e emisso de ftons s podem ocorrer se
Al=1. Se o campo linearmente polarizado, ento Am
l
=0, enquanto que
para um campo circularmente polarizado a regra de seleo Am
l
=1.
(2.29)
72
Teoria de Bandas: Estrutura Peridica de Cristais
1) A teoria de bandas junto com o princpio de excluso de Pauli pode ser
utilizada para explicar a natureza fundamental de isolantes, condutores e
semicondutores.
2) A teoria de bandas de slidos s se aplica em materiais cristalinos.
Materiais slidos podem ser classificados como cristalinos,
policristalinos ou amorfo.
3) Um slido cristalino tem uma estrutura regular consistindo de um
arranjo peridico de tomos chamado rede cristalina. Ex: Cobre, Ouro,
Silcio, Arseneto de Glio. Em um cristal os tomos so arranjados de
forma peridica.
4) Um slido policristalino tem uma estrutura bem definida em cada uma
de muitas pequenas regies mas, em geral cada regio difere das suas
regies vizinhas.
5) O oposto de um material cristalino um slido amorfo, o qual no
exibe qualquer tipo de regularidade. Ex.: vidro e plstico.
73
Um grupo de tomos chamado base tal que , quando colocado em cada
ponto da rede cristalina, o cristal inteiro formado. Assim, pela definio
da rede cristalina, a base se repete de forma peridica.
Alguns exemplos de rede cristalina so: rede cbica, cbica de corpo
centrado BCC (sdio e tungstnio) e cbica de face centrada FCC
(cobre, ouro, prata, nquel, silcio, arseneto de glio, germnio)
+ =
BCC FCC
74
Um eltron num tomo isolado tem estados qunticos estacionrios
caracterizados por nveis de energia discretos e quantizados,
correspondendo aos orbitais atmicos designados por 1s, 2s, 2p, 3s, 3p,
3d, etc...
Ao trazermos um tomo isolado para prximo de outro, os nveis de
energia de cada um so perturbados levemente pela presena do vizinho.
Se aproximarmos um grande nmero de tomos, teremos um grande
nmero de nveis prximos uns dos outros, formando uma banda de
energia quase contnua.
1s
2s
2p
3s
Banda 1s
Banda 2s
Banda 2p
Banda 3s
E
n
e
r
g
i
a
Distncia entre tomos
tomos de sdio: 1s
2
,2s
2
,2p
6
,3s
1
Cada orbital l tem 2(2l+1)
nveis de energia
Um cristal com N tomos
ter, em cada banda
2N(2l+1) nveis de energia
75
O surgimento das bandas de energia ocorre devido natureza
ondulatria dos eltrons nos cristais. Se o potencial em um cristal fosse
constante, a funo de onda para o eltron seria a do eltron livre, em
uma dimenso:
( )
ik r
r Ae

=
e a energia
( )
( )
2
2
k
E k
m
=
Em um potencial no constante e peridico as funes de onda do
eltron tm a forma das funes de Bloch, definidos por:
( ) ( )
ik r
r r e

=
onde a funo ( )
r
uma funo real com a mesma periodicidade da rede cristalina (ou da
funo potencial do cristal
( )
V r
(2.30)
(2.31)
(2.32)
76
A presena de um potencial peridico provoca descontinuidades na
relao de disperso E(k). As descontinuidades, em uma dimenso,
ocorrem nos pontos , onde a a periodicidade da rede
cristalina unidimensional, como mostrado na Figura abaixo:
a n k
n
t =
E
Banda de energia
Banda Proibida
Banda de energia
Banda de energia
Banda Proibida
a
t 3
a
t 2
a
t
a
t 3
a
t 2
a
t
a a a a a
x
77
As energias permitidas formam as bandas de energia. Entre duas bandas
de energia aparece uma banda proibida de energia. Devido s condies
de contorno nas superfcies do cristal, k assume valores discretos, por
isso, o nmero de estados em cada banda finito. Se o nmero de
clulas unitrias no cristal N, cada banda contm 2N estados
eletrnicos (por causa do spin).
A formao do estado fundamental do slido feita com o preenchimento
dos nveis discretos de menor energia pelos eltrons. O resultado deste
preenchimento determina se o slido isolante ou condutor eltrico.
Num cristal com n eltrons, o estado fundamental obtido preenchendo
os nveis de menor energia de modo a ter somente um eltron em cada
estado.
( ) ( )
, ,
,
x y z x y z
k n Na t =
existem N valores inteiros n
x(yz)
=1,2,3,...,Nentre 0 e t/a. Multiplicando
por dois devido ao spin, temos 2N estados.
(2.33)
78
Como existem 2N estados em cada banda, o nmero de bandas
ocupadas no estado fundamental :
N
n
n
B
2
=
Como n/N o nmero de eltrons por clula unitria, ele um nmero
inteiro, logo n
B
um nmero inteiro ou semi-inteiro. Assim, em um cristal
a T=0K (estado fundamental) h vrias bandas cheias com eltrons,
sendo a ltima necessariamente preenchida por completo ou pela
metade.
Os isolantes (materiais que no conduzem corrente eltrica) so cristais
que tm a ltima banda completamente cheia. Ento, a condio
necessria, mas no suficiente, para um cristal ser isolante que ele
tenha um nmero par de eltrons por clula unitria. O nvel de energia
acima do qual no h estados ocupados a temperatura 0K chamado
nvel de Fermi, E
F
.
Nmero de eltrons
Nmero de estados
(2.34)
79
Os materiais condutores, tambm chamados de metais, so os que tm a
ltima banda semi-cheia. Isto ocorre sempre que o nmero de eltrons
por clula for mpar. Neste caso possvel mudar os estados dos eltrons
com um campo eltrico, resultando em uma corrente. So condutores os
metais alcalinos (Li
3
, Na
11
,K
14
, etc...) e os metais nobres (Cu
29
, Ag
47
, Au
79
).
Fig. 2: Isolante.
Fig. 3. Condutor.
80
possvel ter um metal formado por tomos com um nmero par de
eltrons na clula unitria, como os metais alcalinos terrosos (Be
4
, Mg
12
,
Ca
20
, Sr
38
, Ba
56
). A distribuio de bandas como mostrado na figura:
A banda I tem seu mximo acima do mnimo da banda II. Como os
eltrons ocupam os estados de menor energia, os eltrons que estariam
no topo da banda I vo para a banda II, ficando ambas as bandas
incompletas. Nestes materiais, a aplicao de um campo eltrico externo
faz os eltrons mudarem de estados, o que resulta numa corrente
eltrica. Assim, os alcalinos terrosos so condutores mas no to bons
quanto os metais alcalinos, sendo chamados de semi-metais.
I
II
81
Em um cristal isolante, somente em T=0K a ltima banda, chamada
banda de valncia, est completamente cheia. Quando T>0K, os
eltrons da banda de valncia podem ganhar energia trmica
suficiente para atingir a banda seguinte, chamada banda de conduo,
que estava vazia em T=0K. A passagem de eltrons da banda de
valncia para a banda de conduo deixa na banda de valncia
estados que se comportam como portadores de carga eltrica
positiva, chamados buracos ou lacunas. Os eltrons na banda de
conduo e os buracos na banda de valncia produzem corrente
eltrica sob a ao de um campo externo.
A condutividade de um material depende do nmero de eltrons que
passam para a banda de conduo. Este nmero to maior quanto
maior for a temperatura e menor for a energia que separa as duas
bandas. Esta energia representada por Eg, energia do gap. Os
materiais que so isolantes em T=0K, mas que tm Eg s 1eV
temperatura ambiente, tm condutividade significativa e por isso so
chamados semicondutores.
82
E
k
Fig. 6: Isolante com T>0K
E
c
E
v
E
F
E
g
= E
c
E
v
Banda de Conduo
Banda de Valncia
O nmero de eltrons na banda de conduo significante em
relao a um isolante, mas muito menor que em um condutor e, por
isso, a condutividade de um semicondutor muito menor que a dos
metais. A principal diferena entre um semicondutor e um isolante
o valor de Eg.
83
MASSA EFETIVA
O eltron descrito por um pacote de onda que se movimenta com
velocidade de grupo
k V
g
c c = e
Se
e
a energia do eltron, ento
g
V
k k
E
=
c
c
=
c
c e
Se o eltron for submetido a uma fora F, causada por um campo eltrico
por exemplo, sua energia varia de dE durante um percurso dx, sendo
dE=Fdx. Logo,
dk
dx
V
F dk V Fdx dE
g
g
= = =
mas V
g
=dx/dt, logo dx=V
g
dt, portanto:
dt
dP
dt
k d
dt
dk
dk
dt V
V
F
g
g
= = = =

Alm disso, a acelerao a dada por:
a m a
k E
F
F
k
E
dt
dk
k
E
t k
E
dt
dV
a
e
g -
=
c c
=
c
c
=
c
c
=
c c
c
= =
2 2
2
2
2
2
2 2
1 1 1

(2.35)
(2.36)
(2.37)
(2.38)
(2.39)
84
Distribuio Dirac-Fermi
E i t c c
Em um condutor os eltrons livres formam uma espcie de gs
bidimensional. A energia e o momentum so dados pelos operadores
P i V
O eltron livre possui energia e momento dados por:
2 2 2
2 2
e e
P k
k P
E
m m
=
= =
Portanto, toda energia do eltron livre cintica. A soluo da equao de
Schrdinger para o eltron livre :
( )
( )
2
3
1
1
ik r
vol
r e
vol
r d r
=
=
}
onde vol o volume no qual existe apenas um eltron.
e
(2.40)
(2.41)
(2.42)
(2.43)
(2.44)
85
Para a descrio do movimento dos eltrons assumimos que a funo de
onda do mesmo uma onda propagante e, como tal, obedece a
condies de contorno peridicas em uma estrutura tridimensional
imaginria. Na sua forma mais simples, o espao todo suposto ser
preenchido com cubos de lado L. Portanto, as condies de contorno
implicam em:
( ) ( ) ( ) ( ) z y x z y L x z L y x L z y x , , , , , , , , = + = + = +
Tais condies de contorno impem restries nos possveis valores
que o vetor de onda
k
pode assumir:
( )
( )
( )
L
n
k e e e
L
n
k e e e
L
n
k e e e
z
z
L ik L z ik z ik
y
y
L ik L y ik y ik
x
x
L ik L x ik x ik
z z z
y y y
x x x
t
t
t
2
1
2
1
2
1
= = =
= = =
= = =
+
+
+
(2.45)
(2.46)
(2.47)
(2.48)
86
k
x
k
y
Fig. 1 Estados possveis no
espao k.
Os valores que n
x
, n
y
e n
z
podem assumir so os nmeros inteiros. Cada
conjunto de valores {n
x
, n
y
, n
z
} corresponde a um estado eletrnico.
Observando a figura abaixo vemos que o volume no espao k que cada
estado eletrnico ocupa (2t/L)
3
=8t
3
/L
3
=8t
3
/V, sendo V o volume do
cubo imaginrio no espao real.
O nmero de estados eletrnicos em um volume V
k
do espao k
V
k
V/8t
3
. Neste momento importante introduzir o conceito de densidade
de estados. A densidade de estados o nmero de estados eletrnicos
disponveis por unidade de volume e por unidade de energia nas
proximidades de uma energia E. Se N(E) a densidade de estados, o
nmero de estados em um intervalo dE ao redor da energia E, por
unidade de volume, N(E) dE
L
t 2
L
t 2
87
k
Densidade de estados para um sistema tridimensional

k
k+dk
kx
ky
kz
O volume no espao k entre os vetores
k
e
k dk +

dk k
2
4t
O nmero de estados eletrnicos no volume compreendido entre
dk V k dk V k
2 2 3 2
2 8 4 t t t =
O nmero de estados por unidade de volume :
( ) dk k dE E N
2 2
2t =
.
e
k dk +

(2.49)
(2.50)
(2.51)
88
Densidade de estados para um sistema tridimensional
3 2
1 2 1 2 2 1 2
3
2 2 2
2
m m m
k E dk E dE k dk E dE
= = =
Entretanto, usando a relao entre energia e momentum do eltron livre,
equao (2), encontramos:
Portanto, levando em considerao que o eltron pode ter dois estados
de spin, -1/2 e +1/2 (tem que multiplicar por 2), a densidade de estados em
um sistema tridimensional dada por:
( )
3 2
1 2
2 3
2m
N E dE E dE
t
=
(2.51)
(2.52)
89

k
k+dk
kx
ky
Densidade de estados para um sistema bidimensional
Para um sistema bidimensional, existe um
estado eletrnico por cada rea 4t
2
/L
2
=4t
2
/A.
A rea no espao k entre os vetores
k
e
k dk +

kdk t 2
O nmero de estados eletrnicos na rea compreendida entre
k
e
k dk +
dk kA dk kA t t t 2 4 2
2
=
Portanto, a densidade de estados eletrnicos (nmero de estados por
unidade de rea)
( ) dk k dE E N t 2 =
( )
2
m
N E dE dE
t
=
Entretanto, usando a relao entre energia e momentum do eltron livre,
e os dois possveis estados de spin do eltron, encontramos:
(2.53)
(2.54)
(2.55)
(2.56)
90
( ) t 2 dk dE E N =
Densidade de estados para um sistema unidimensional
Para um sistema unidimensional, existe um estado eletrnico para cada
comprimento 2t/L. O comprimento entre k e k+dk , obviamente, dk.
Assim, o nmero de estados no comprimento dk Ldk/2t. A densidade
de estados (nmero de estados por unidade de comprimento)
( )
1
1 2
2
2m
N E dE E dE
t

=
Entretanto, usando a relao entre energia e momentum do eltron
livre, os dois possveis estados de spin do eltron e lembrando que k
assume valores positivos e negativos (tem que multiplicar por 4),
encontramos:
(2.57)
(2.58)
91
Se existem n eltrons disponveis, como eles so distribudos entre os
estados disponveis? As partculas que possuem spin semi-inteiro
{/2,3/2,5/2,...} so chamados frmions. Os frmions, como o
eltron, obedecem ao princpio de excluso de Pauli. A presena de um
frmion em um determinado estado de energia probe a presena de
outro frmion no mesmo estado. A distribuio de energia para frmions
a distribuio de Fermi-Dirac:
( )
( ) T K E E
B F
e
E f

+
=
1
1
( ) ( )
( )
( )
} }

+
= =
0 0
1
dE
e
E N
dE E f E N
T K E E
B F
q
onde f(E
F
)=1/2. A funo f(E) a probabilidade do estado com energia E
estar ocupado. Para um gs de eltrons tendo densidade q (nmero de
eltrons por unidade de volume), temos:
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
E
f
(
E
)
Distribuio de Fermi-Dirac
T1
T2<T1
T=0K
EF
(2.59)
(2.60)
92
( )
}
=
F
E
dE E N
0
q
Na temperatura T=0K f(E)=1 se EsE
F
e f(E)=0 nos demais casos. Portanto, a
concentrao de eltrons emT=0K :
2 3
3 2
2 3
0
2 1
3 2
2 3
3
2 2 2
F
e
E
e
E
m
dE E
m
F
t t
q = =
}
Para o sistema tridimensional, em T=0K, temos:
Assim, a quantia
( )
e F
m E 2 3
3 2
2 2
q t =
o estado de energia mais alta ocupada em T=0K. Alm disso,
K
F
=(3t
2
q)
1/3
o vetor de onda de Fermi e a velocidade de Fermi :
( )
e F
m V
3 1
2
3 q t =
(2.61)
(2.62)
(2.63)
(2.64)
93
Corrente Eltrica em Metais
Se o campo eltrico externo E, ento a acelerao do eltron :
dV e
a E
dt m
-
= =
Se o campo eltrico constante, ento a acelerao tambm constante
e, portanto, V=at. Por outro lado, se E=0, , ento a=0 e a velocidade
constante e pode ser no nula. Isto resulta do fato de que o estado
estacionrio do eltron no cristal sem campo externo uma onda plana
( ) ( )
, exp( ) , r t ik r u r t =
Esta onda tem momento k, que corresponde a uma velocidade
constante. Entretanto a funo de onda do eltron s um estado
estacionrio quando o cristal perfeito, em T=0K e sem campo externo.
Se a regularidade da rede cristalina perturbada, o eltron s permanece
num estado estacionrio durante um certo intervalo de tempo. A
perturbao provoca a coliso do eltron, produzindo um espalhamento
que resulta na passagem para um outro estado estacionrio.
(2.65)
(2.66)
94
As duas principais perturbaes da regularidade da rede em movimento
trmico so:
1) A prpria vibrao dos ons devido agitao trmica em T=0.
2) A presena de tomos ou ons de impurezas.
x
x
Impureza
(a)
(b)
A coliso com a rede em movimento trmico corresponde ao
espalhamento de eltrons por fnons. Devido s colises, a velocidade
mdia do eltron nula na ausncia de um campo eltrico externo.
95
Quando um campo eltrico aplicado ao material, ao movimento rpido e
aleatrio do eltron, causado pelas colises, superpe-se um contnuo
deslocamento na direo do campo eltrico. Este deslocamento resulta
numa corrente eltrica chamada de corrente de deriva (drift) ou corrente
de conduo.
E
Na descrio quntica do comportamento dos eltrons preciso
considerar que em T=0K e sem campo externo, todos os estados no
espao k no interior da superfcie de Fermi esto ocupados
kx
ky
Superfcie de Fermi
96
Como todos os estados com k<k
F
esto preenchidos, a cada estado (com
momento) +k
e
ocupado existe outro estado -k
e
tambm ocupado, de tal
forma que
0 k =
e, por conseguinte, a corrente tambm nula.

(2.67)
Se um campo eltrico aplicado na direo x em t=0, os eltrons
mudam de estado k de acordo com
dP d k dk
F
dt dt dt
= = =
Sendo a fora sobre os eltrons
( )
x x x
F e E eE = =
a variao de k no intervalo ot
x
x
eE dk F eE
F dk dt dt k t
dt
o o = = = =
(2.68)
(2.69)
(2.70)
97
Portanto, cada eltron num estado k passa para outro estado k+ok
x
aps
um intervalo ot, resultando na ocupao de estados mostrada na Figura
abaixo
kx
ky
Superfcie de Fermi
x
E
F
O resultado lquido um momento total Nok
x
por unidade de volume,
sendo N a concentrao de eltrons na banda. Isto resulta numa corrente
eltrica na direo +x. Embora todos os eltrons tenham seus estados
alterados pela ao do campo eltrico , so os eltrons prximos da
superfcie de Fermi que contribuem para fazer a soma vetorial das
velocidades ser diferente de zero.
98
Devido s colises, o deslocamento da esfera de Fermi estaciona aps
um intervalo mdio de tempo t, chamado tempo de coliso. A velocidade
mdia resultante, chamada velocidade de deriva, pode ser obtida da
seguinte forma
=
x x x x
x x x
eE dV eE eE dk e dk dk
E eE V
dt dt m dt m dt m m
t
- - - -
= = = =
(2.71)
Considerando que existem N eltrons livres por unidade de volume,
obtemos a densidade de corrente
2
x
x x
Ne E
J eNV
m
t
-
= =
(2.72)
A lei de Ohm dada por V=RI, sendo
1 L L
R
A A
o
= =
(2.73)
99
Em (2.73) o a condutividade enquanto que a resistividade. Logo
x x x x
L V I
V RI I E J J E
A L A
o = = = = =
portanto
2
Ne
m
t
o
-
=
.
Num condutor em T=0K e com rede cristalina perfeita, o tempo de coliso
infinito e, portanto, a condutividade tambm ser infinita. Num cristal
real, t limitado por causa do espalhamento dos eltrons pelas
impurezas e imperfeies da rede e por fnons. Como a agitao trmica
aumenta com a temperatura, o tempo de coliso devido ao espalhamento
por fnons diminui com o aumento da temperatura. A contribuio das
impurezas e imperfeies no varia com T e existe mesmo com T=0k.
(2.74)
(2.75)
100
Ex. Cobre com o~10
8
/Om, N~10
23
/cm
3
, m=9,1.10
-31
kg e e=1,6.10
-19
C. Calcule
t(~10
-13
s).
O livre caminho mdio dado por
F
l V t =
(os eltrons envolvidos na corrente so aqueles prximos da superfcie
de Fermi), sendo V
F
=k
F
/m
*
. Tem-se para o cobre
( )
2
2 3
2
3
2
F
E N
m
t
-
=
Logo
2
2
F
F
mE
k =
o que implica em V
F
~10
6
m/s e
7
10 m=1000A l

correspondendo distncia de centenas de tomos na rede cristalina.
Ex.: Clculo da velocidade de deriva. Seja a tenso V=10V aplicada em
L=1m de fio de cobre. Ento, E
x
=10V/m. Usando t=10
-13
s, obtemos V
x
=10
-
1
m/s.
Ex.: Prata em T=300K, t=3,8.10
-14
s e N=5,86.10
22
cm
-3
. Calcule A) R se L=100m e
s=0,1mm
2
(seo reta) (sol. 16O). B) I se V=1.6V (sol. 0,1A). C) Velocidade de
deriva se V=1,6V (sol. Vx=1,7.10
-4
m/s).
(2.76)
(2.77)
101
Os materiais semicondutores possuem a banda de valncia cheia e a
banda de conduo vazia em T=0K, separadas por um intervalo proibido
de energia relativamente pequeno, Eg<2eV. A concentrao de eltrons
na banda de conduo de um semicondutor puro varia exponencialmente
com a temperatura, o que faz sua condutividade depender fortemente da
temperatura. Os semicondutores puros tambm so chamados
intrnsecos e so pouco utilizados em dispositivos (devido forte
dependncia da condutividade com a temperatura). A condutividade dos
semicondutores tambm pode ser drasticamente alterada com a presena
de impurezas, ou seja, de tomos diferentes dos que compem o cristal
puro. O processo de colocar impurezas de elementos conhecidos num
semicondutor chamado dopagem e semicondutores com impurezas so
chamados de dopados ou extrnsecos.
Ex.: O silcio tem Eg=1,16eV em T=0K e diminui com o aumento de T
(Eg=1,12eV em T=300K). O germnio tem Eg=0,66eV em T=300K.
102
Em optoeletrnica o semicondutor mais utilizado o arseneto de glio,
GaAs. O Ga pertence ao grupo III e o As pertence ao grupo V. Na
formao do GaAs, o tomo de As perde um eltron que passa para um
vizinho de Ga, ficando ambos com 4 eltrons nas camadas 4s
2
4p
2
. Para o
GaAs o tamanho da faixa proibida de Eg=1,43eV. Outros
semicondutores formados por elementos dos grupos III e V, chamados
compostos III-V, so: InSb (Eg=0,18eV), InP (Eg=1,35eV), GaP (Eg=2,26eV).
As transies eletrnicas acompanhadas da emisso ou absoro de
ftons devem conservar energia e momento, ou seja:
f i
f i
E E
k k k
e =
=
E
f
e E
i
so as energias do eltron nos estados final e inicial. k
f
e k
i
so os
vetores de onda correspondentes. Por fim, e e k so, respectivamente, a
freqncia e o momento do fton absorvido (E
f
>E
i
) ou emitido (E
f
<E
i
) na
transio.
(2.78)
(2.79)
103
k
E
g g
E e =
k
E
g
g
e
e e
O
~
fnon
Para o arseneto de glio, GaAs, a transio de um eltron do mnimo da
banda de conduo para o mximo da banda de valncia
acompanhada da emisso de um fton de energia e=Eg=1,43eV. Nesta
transio, o momento tambm conservado e a transio chamada de
processo direto de emisso. O semicondutor, neste caso, chamado de
gap direto. No caso do silcio ou do germnio, no possvel ter uma
transio entre o topo da banda de valncia e o mnimo da banda de
conduo apenas com a emisso ou absoro de ftons. possvel
haver uma transio atravs do gap, com emisso ou absoro de um
fton, desde que acompanhada da emisso ou absoro de um fnon.
Esta transio chamada de processo indireto. Assim, Si e Ge so
semicondutores de gap indireto.
104
Eltrons e Buracos em Semicondutores Intrnsecos
Em T>0K um certo nmero de eltrons passa da banda de valncia para a
banda de conduo. Se um campo eltrico aplicado, as duas bandas
contribuem para a conduo de corrente eltrica, pois ambas esto
parcialmente preenchidas. Os eltrons na banda de conduo, sob ao
do campo E sentem uma fora e movem-se de acordo com a lei
de Newton, com massa efetiva dada pela equao
F eE =
( )
2 2 2
m E k
-
= c c
Como os eltrons esto agrupados em torno do mnimo da banda de
conduo, todos tm aproximadamente a mesma massa:
( )
2 2 2
mc
e
k k
m E k
-
=
= c c
sendo k
mc
o valor do momento no ponto mnimo da banda de conduo.
Sendo a curvatura da banda de conduo para cima, a massa efetiva dos
eltrons positiva, de modo que a acelerao no sentido oposto ao
campo.
(2.80)
(2.81)
105
k
E
k
E
k
E
(a) (b)
(c)
Suponha que h somente um estado de energia vazio no topo da banda
de valncia, Fig. (a) . Antes da aplicao do campo eltrico, o estado
vazio deve estar no topo para que (somatrio do momento de
todos os eltrons seja nulo). Aps a aplicao do campo, todos os
eltrons tendem a se deslocar no espao E(k) no sentido k
x
negativo, pois
0
x
k =
( ) ( )
1
x
x x x x
dk e
eE k n k n E t
dt
= + = A
Como o valor negativo, k
x
(n+1)<k
x
(n), portanto, os eltrons se movem
no sentido k
x
negativo, Figs. (b) e (c).
(2.82)
106
O deslocamento de todos os eltrons da banda no sentido k
x
negativo,
resulta no deslocamento do estado vazio no mesmo sentido no espao
do momento. Como todos os outros estados esto ocupados. A
existncia de um estado vazio com momento k
1
(portanto, fora do topo
da banda de valncia) implica que o momento total do sistema k
1
.
Assim sendo, o sistema comporta-se como se fosse formado por um
buraco com vetor de onda k
b
=-k
e
. A equao de fora pode ento ser
escrita como:
e b b
e
dk dk dk
F eE eE
dt dt dt
= = = =
Portanto, o buraco se comporta como uma partcula de carga positiva.
Alm disso, a massa efetiva do buraco :
( )
2 2 2
mv
b
k k
m E k
-
=
= c c
sendo k
mv
o momento no ponto mximo da banda de valncia. Como
( )
2 2
mv
k k
E k
=
c c
negativo (pois a curvatura da banda de valncia para
baixo), a massa do buraco positiva.
(2.83)
(2.84)
107
Num semicondutor intrnseco, a passagem de um eltron da
banda de valncia para a banda de conduo sempre corresponde
criao de um buraco na banda de valncia, ou seja, eltrons e buracos
so criados aos pares. Eltrons vo para a banda de conduo deixando
buracos na banda de valncia, com uma certa taxa g que representa o
nmero de pares gerados por unidade de volume e tempo.
Simultaneamente, eltrons recombinam com buracos a uma taxa de
recombinao r. O fato que, no regime estacionrio o nmero de pares
constante, Isto requer que g=r (Princpio do Balanceamento Detalhado).
Vrias propriedades dos semicondutores (como condutividade)
dependem fundamentalmente da concentrao de portadores de carga
eltrica. Esta concentrao depende do nmero de estados disponveis
para serem ocupados e da probabilidade de ocupao de cada um. Para
um semicondutor intrnseco, em T=0, E
v
<E
F
<E
c
, porm a posio exata do
nvel de Fermi no gap depende da forma das bandas.
108
Devido simetria de f(E)e ao fato de que em T>0k, o nmero de eltrons
na banda de conduo igual ao nmero de buracos na banda de
valncia (semicondutor intrnseco), se as bandas forem simtricas, o
nvel de Fermi estar exatamente no meio do gap. Usando uma
aproximao parablica, tem-se que:
2 2
2 2
banda de conduo
2
banda de valncia
2
c
c
v
v
k
E E
m
k
E E
m
-
-
= +
=
A densidade de estados eletrnicos nas bandas de conduo e valncia
so dadas, respectivamente, por:
( ) ( )
( ) ( )
3 2
1 2
2 2
3 2
1 2
2 2
2 1
2
2 1
2
c
c
v
v
m
N E E E
m
N E E E
t
t
-
-
| |
=
|
\ .
| |
=
|
\ .
(2.85)
(2.86)
(2.87)
(2.88)
109
A concentrao de eltrons na banda de conduo dada por:
( ) ( )
c
E
n N E f E dE
=
}
Na temperatura ambiente, T~290K, K
B
T~0.025eV. Como E
F
est prximo
do centro do gap e Eg 1eV, pode-se considerar E-E
F
>>K
B
T. Assim, a
equao de f(E) pode ser aproximada por
( )
( )
F B
E E k T
f E e

~
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
3 2
1 2
2 2
3 2
1 2
2 2
0
3 2 3 2
1 2
2 2
3 2
2
2 1
2
2 1
2
2 1
2 2
2
2
F B
c
c F B c B
c F B c F B
E E K T
c
c
E
E E K T E E K T
c
c c
E E K T E E K T B
c
C
c B
C
m
n E E e dE
m
n e E E e d E E
K T
m
n e N e
m K T
N
t
t
t
t
t
-

-

-

-
| |
=
|
\ .
| |
=
|
\ .
(
| |
= = (
|
(
\ .

| |
=
|
\ .
}
}
Portanto, tem-se
(2.89)
(2.90)
(2.91)
(2.92)
(2.93)
(2.94)
110
A concentrao de buracos na banda de valncia :
( ) ( )
1
v
E
p f E N E dE
( =
}
Considerando E
F
-E>>K
B
T, pode-se usar a aproximao
( )
( )
1
F B
E E K T
f E e

=
o que leva a
( )
3 2
2
2
2
F V B
E E K T
V
v B
V
p N e
m K T
N
t

-
=
| |
=
|
\ .
Para um semicondutor intrnseco, tem-se n=pn
i
. Logo,
( ) ( )
( ) ( ) 3
ln ln
2 2 2 4
c F B F V B
E E K T E E K T
C V
c v c v
V v B
F B
C c
N e N e
E E E E
N m K T
E K T
N m

-
-
=
+ + | | | |
= + = +
| |
\ . \ .
(2.95)
(2.96)
(2.97)
(2.98)
(2.99)
(2.100)
111
Portanto, somente se T=0K ou o nvel de Fermi estar no centro
do gap. E
F
~(E
c
+E
v
)/2 uma boa aproximao para Si, Ge e GaAs na
temperatura ambiente. Por fim, as concentraes de eltrons na banda de
conduo e buracos na banda de valncia, no semicondutor intrnseco,
podem ser re-escritas como:
c v
m m
- -
=
( )
( )
c i B
i v B
E E K T
i C
E E K T
i V
n N e
p N e

=
=
sendo E
i
o nvel de Fermi do semicondutor intrnseco. Sendo n
i
=p
i
tem-se
( )
2
g B
E K T
i i i i C V
n p n p N N e = = =
Para T=300K, n
i
(Ge)=2,510
13
/cm
3
, n
i
(Si)=1,510
10
/cm
3
, n
i
(GaAs)=10
7
/cm
3
.
Em metais, a densidade de portadores da ordem de 10
22
/cm
3
.
(2.101)
(2.102)
(2.103)
112
Semicondutores Extrnsecos
Os semicondutores intrnsecos so poucos utilizados em
dispositivos pois sua condutividade pequena e depende muito da
temperatura. Os semicondutores dopados so mais utilizados. Atravs da
dopagem possvel fazer com que o nmero de eltrons seja maior que o
nmero de buracos, ou vice-versa. Os semicondutores com
predominncia de eltrons so chamados tipo N, enquanto que os
semicondutores com predominncia de buracos so chamados tipo P. Os
semicondutores dopados tm condutividade que varia pouco com a
temperatura e cujo valor controlado pela concentrao de impurezas.
Existem dois mtodos de dopagem: Difuso em alta temperatura e
implantao inica.
113
Difuso em alta temperatura: Os tomos da impureza desejada so
provenientes de um gs, como A
s
H
3
no caso do A
s
, e difundem para o
interior do material atravs de sua superfcie. A profundidade da camada
superficial que fica dopada e a concentrao de impurezas dependem da
temperatura e do tempo de exposio. O material intrnseco e o gs que
fornece a impureza ficam em um forno com temperatura na faixa de 400
o
C
-700
o
C. No processo de difuso, a fronteira entre a camada dopada e o
material puro no bem definida. Devido natureza trmica do processo,
a concentrao de impurezas varia gradualmente na fronteira.
Implantao inica: Um feixe de ons acelerados com energia na faixa 10-
100keV bombardeia a superfcie do material e penetra no interior.
Camadas de impurezas com fronteiras bem controladas e bem definidas
podem ser produzidas por este processo, com espessuras de at 1m.
114
Os elementos do grupo V da tabela peridica (P, As ou Sb, por
exemplo) tm uma camada eletrnica interna igual do Si ou Ge, mas tm
5 eltrons de valncia em vez de quatro. Em pequenas quantidades esses
elementos podem facilmente entrar no cristal no lugar dos tomos de Ge
ou Si. A dopagem pode tambm ser feita com elementos do grupo III (B,
Al, Ga ou In), que tm um eltron de valncia a menos que o Ge ou Si.
Ga
As
Buraco
Eltron
115
No caso de impurezas do grupo V, como o As, 4 de seus 5 eltrons de
valncia so utilizados na ligao covalente com os tomos vizinhos de
Ge ou Si. O quinto eltron fica fracamente ligado ao tomo, que pode ser
ionizado termicamente a temperaturas relativamente baixas, como acima
de 50K. Com a ionizao o quinto eltron fica livre para se movimentar no
cristal, o que equivale a dizer que ele vai para a banda de conduo. Isto
significa que o nvel de energia da impureza de As est prximo da banda
de conduo. As impurezas do grupo V so doadoras, pois doam eltrons
para a banda de conduo. Os semicondutores com impurezas doadoras
tm maior concentrao de eltrons do que de buracos, por isso, so
chamados tipo N.
No caso de impurezas todo grupo III, como Ga, h um eltron a menos do
que os quatro necessrios para completar a ligao covalente com os
vizinhos. Em temperaturas da ordem de 50K a 100K, eltrons da banda de
valncia do cristal so capturados para completarem as ligaes
covalentes, deixando buracos na banda de valncia. As impurezas do
grupo III so chamadas aceitadoras e formam semicondutores do tipo P.
As impurezas aceitadoras tm nvel de energia prximo da banda de
valncia.
116
P
N
Ec
Ev
Ec
Ev
As concentraes utilizadas variam de 10
14
/cm
3
(1 parte em 10
8
,
considerando 10
22
tomos/cm
3
) a 10
20
/cm
3
(1 parte em 10
2
, que torna o
semicondutor fortemente dopado).
117
Concentrao de Portadores em Semicond.Dopados
( )
( )
3 2
0
2
3 2
0
2
2
2
2
2
c F B
F V B
E E K T
c B
C C
E E K T
v B
V C
m K T
n N e N
m K T
p N e N
t
t
-

-

| |
= =
|
\ .
| |
= =
|
\ .
O que difere um semicondutor intrnseco de um extrnseco a posio do
nvel de Fermi. Num semicondutor tipo N com impurezas doadoras com
energia E
d
prxima da banda de conduo, em T=0K os estados com
energia E
d
esto cheios enquanto que aqueles com energia E>E
c
esto
vazios. Portanto, em T=0K o nvel de Fermi est entre E
d
e E
c
. Em T>0K
ele pode estar abaixo de E
d
, mas no estar muito longe deste nvel.
Como na temperatura ambiente E
F
est prximo de E
c
, (E
c
-E
F
)< (E
F
-E
v
),
logo a exponencial de n
0
muito maior que a exponencial de n
1
, de modo
que o nmero de eltrons muito maior que o de buracos.
(2.104)
(2.105)
118
Fisicamente, o que ocorre que n
0
no semicondutor tipo n aumenta em
relao n
i
por causa da ionizao das purezas doadoras. Por outro lado,
o nmero de buracos diminui porque h mais eltrons para recombinar
com eles. Tomando o produto n
0
p
0
, obtem-se:
2
0 0
g B
E K T
C V i
n p N N e n
= =
Portanto, o produto n
0
p
0
constante e independe do tipo e da
concentrao de impurezas. Este resultado conhecido como lei de ao
das massas. Usando
(2.106)
( ) ( )
( ) ( )
0
0
,
,
c i B c F B
i v B F v B
E E K T E E K T
i C C
E E K T E E K T
i V V
n N e n N e
p N e p N e

= =
= =
obtem-se
( )
( )
0
0
F i B
i F B
E E K T
i
E E K T
i
n n e
p n e
=
=
(2.107)
(2.108)
(2.109)
(2.110)
119
As equaes (2.109)-(2.110) mostram que n
0
=n
i
quando E
F
=E
i
e que n
0
e
p
0
variam exponencialmente quando E
F
se afasta de E
i
.
Nos semicondutores tipo N o nvel de Fermi E
F
est prximo da banda
de conduo, de modo que (E
F
-E
i
)/K
B
T>>1. Em conseqncia, n
0
>>n
i
e
p
0
<<n
i
, por isso os eltrons so chamados portadores majoritrios
enquanto que os buracos so portadores minoritrios. Por outro lado,
nos semicondutores tipo P, (E
F
-E
i
)/K
B
T grande e negativo, de modo que
n
0
<<n
i
e p
0
>>n
i
. Neste caso, os buracos so os portadores majoritrios e
os eltrons so minoritrios.
Sendo a concentrao de impurezas doadoras ionizadas (impurezas
que cederam eltrons para a banda de conduo e ficaram carregadas
positivamente) e a concentrao de impurezas aceitadoras ionizadas
(que receberam eltrons da banda de valncia e ficaram negativas), a
condio para que o material fique eletricamente neutro :
d
N
+
a
N
0 0 a d
n N p N
+
+ = +
(2.111)
120
Seja um semicondutor tipo N com N
d
impurezas doadoras, a uma
temperatura tal que todas estejam ionizadas, ou seja, . Neste
caso
d d
N N
+
0 0 d
n p N ~ +
Usando a lei de ao das massas
2
0 0 i
n p n = em (2.112), obtem-se
(2.112)
2
2 2
0 0 0
0
0
i
d d i
n
n N n N n n
n
= + =
cuja raiz positiva
1 2
2
2
0
2 2
d d
i
N N
n n
(
| |
= + +
(
|
\ .
(

Alm disso, de (2.112) e (2.114)
(2.113)
(2.114)
1 2
2
2
0
2 2
d d
i
N N
p n
(
| |
= + +
(
|
\ .
(

(2.115)
121
Normalmente, no semicondutor dopado N
d
>>n
i
. Neste caso, as equaes
(2.114) e (2.115) ficam da forma simplificada
2
0 0
,
d i d
n N p n N = =
Para determinar o nvel de Fermi, faz-se
( )
( )
( )
( )
0
0
ln
ln
c F B
F i B
E E K T
C d F c B C d
E E K T
i d F i B C i
n N e N E E K T N N
n n e N E E K T N n

= = =
= = = +
As equaes acima valem para semicondutores tipo N na condio
N
d
>>n
i
. Por analogia, num semicondutor tipo P, dopado com Na
impurezas aceitadoras, as expresses para as concentraes e o nvel de
Fermi so:
( )
( )
2
0 0
,
ln
ln
a i a
F v B V a
F i B a i
p N n n N
E E K T N N
E E K T N N
= =
= +
=
(2.116)
(2.117)
(2.118)
(2.119)
(2.120)
(2.121)
Correntes em Semicondutores
122
A operao dos dispositivos semicondutores baseada na dinmica
dos portadores de carga eltrica, que so os eltrons e buracos. Os
principais processos dinmicos so a criao de pares eltron-buraco,
a recombinao de pares e o movimento coletivo de portadores. O
movimento coletivo das cargas resulta em corrente eltrica, que
consiste no principal mecanismo de transmisso de informao nos
dispositivos. H dois tipos de movimento coletivo: corrente de deriva
(devido ao de campo eltrico) e corrente de difuso (devido um
gradiente espacial na concentrao de portadores).
A corrente de conduo ou deriva, resulta do lento deslocamento mdio
de portadores de carga produzido por um campo eltrico externo,
simultneo ao movimento rpido e aleatrio caracterstico das partculas
em agitao trmica. Esta corrente da mesma natureza da corrente nos
metais, entretanto, nos semicondutores ela formada tanto por eltrons
como por buracos. Quando um campo eltrico aplicado ao material, os
eltrons e buracos tm movimento de deriva em sentidos opostos.
Porm, como eles tm cargas opostas, as intensidades das correntes dos
dois tipos de portadores se somam.
123
A medida da facilidade com a qual cada eltron se desloca no material
sob ao do campo externo chamada mobilidade,
n
.
1
velocidade e e
n
e e
V eE e
E E m m
t t
- -
= = =
2
0
n e
m
t
o
-
=
0 n
n e o =
.
A condutividade depende diretamente de n
0
que, por sua vez, depende da
concentrao de impurezas. Por analogia, para os buracos temos:
0
p
p p p
p
e
p e
m
t
o
-
= =
(2.122)
(2.123)
(2.124)
124
A densidade total de corrente
( )
( )
0 0
n p
n p
J E E
e n p
o o o
o
= + =
= +
Portanto, a condutividade total do material depende da mobilidade dos
eltrons e buracos.
Ex. Calcule a resistividade do silcio em T=300K em duas situaes: a)
Intrnseco. b) Dopado com impurezas de As com concentrao
N
d
=210
6
cm
-3
, n
i
=1,510
10
cm
-3
. Alm disso, para o silcio tem-se:
n
=1350cm
2
/Vs,
p
=480cm
2
/Vs. Por fim, e=1,610
-19
C.
Sol.: a) o=4,3910
-6
(Ocm)
-1
=2,2810
5
(Ocm)
b) o=3,2 (Ocm)
-1
=0,31 (Ocm)
(2.125)
(2.126)
Corrente de Difuso
125
A corrente de conduo resulta do movimento de cargas produzido por
um campo eltrico, ou seja, pelo gradiente do potencial eltrico. Quando
portadores de cargas so criados no uniformemente num material, o
gradiente de concentrao resultante produz movimento de portadores.
Este movimento, chamado de difuso, ocorre no sentido da regio de
maior concentrao para a de menor concentrao.
Seja p(x) a funo que descreve a concentrao de buracos, l o livre
caminho mdio e t o tempo mdio entre duas colises.
Corrente de Difuso
126
Considere dois planos perpendiculares a x com coordenadas x e x+Ax,
sendo Ax=l. No movimento aleatrio que caracteriza a difuso, os
buracos que esto entre os planos xe x+Ax tm igual probabilidade de se
moverem no sentido +x ou x. Da mesma forma, os buracos entre os
planos x e x-Ax podem se mover no sentido +x ou x com mesma
probabilidade. Se a concentrao dos buracos for a mesma esquerda
ou direta de x, o nmero lquido de buracos que atravessa o plano x
nulo, portanto a corrente nula.
Corrente de Difuso
127
Entretanto, se a concentrao dos buracos for diferente a corrente no
plano x no ser nula. Esta corrente proporcional diferena das
concentraes esquerda e direita de x. Como (em mdia) metade dos
buracos entre x-Ax e x cruza o plano x no sentido +x, durante um
intervalo t, a corrente devido esses buracos numa seo reta de rea A
aproximadamente
( )
1 1
2 .
2
I elAp x x
t
= A
Corrente de Difuso
128
Para determinar a densidade de corrente (J ) no plano xdeve-se subtrair a
contribuio dos buracos que esto entre x e x+Axe que cruzam o plano
xno sentido x:
( ) ( )
1
2 2 .
2
J el p x x p x x
t
( = A + A

Se Ax=l muito pequeno, o termo entre colchetes
( ) ( )
2 2
dp
p x x p x x x
dx
( A + A = A

Portanto
2
2
dif
p p
l dp dp
J e eD
dx dx t
= =
De forma semelhante
dif
n n
dn
J eD
dx
=
Corrente de Difuso
129
A corrente de conduo resulta do movimento de cargas produzido por
um campo eltrico, ou seja, pelo gradiente do potencial eltrico. Quando
portadores de cargas so criados no uniformemente num material, o
gradiente de concentrao resultante produz movimento de portadores.
Este movimento, chamado de difuso, ocorre no sentido da regio de
maior concentrao para a de menor concentrao.
Como os portadores tm carga eltrica, o movimento de difuso resulta
numa corrente eltrica chamada corrente de difuso. Nos
semicondutores, a difuso dos portadores de carga em excesso,
inicialmente encontrados em uma certa regio, resulta de seu movimento
aleatrio na rede cristalina do material. A equao que descreve o
movimento de difuso :
diff
p p
diff
n n
J eD p
J eD n
= V
= V
( )
, , ,
2
n p n p n p
D l t =
(2.127)
(2.128)
(2.129)
Corrente de Difuso
130
O parmetro D
n,p
o coeficiente de difuso, o livre caminho mdio
entre duas colises e o tempo mdio entre duas colises. Alm disso,
a equao da continuidade de carga afirma que
, n p
l
, n p
t
J
t
c
V =
c
a densidade volumtrica de carga dada por =e(p-n). Se um
semicondutor tipo N considerado, ento n>>p e ~-en. Assim
n
J e
t
c
V =
c
Entretanto , portanto
diff
n n
J eD n = V
2 diff
n n n
J eD n eD n V = V V = V
(2.130)
(2.131)
(2.132)
Corrente de Difuso
131
Juntando (2.131) e (2.132), chegamos a
2 2
1
0
n
n
n n
n D n
D t t
c c
V = V =
c c
que chamada equao de difuso. A equao de difuso permite
calcular a evoluo espacial e temporal da concentrao de eltrons em
excesso, sujeito apenas ao movimento da agitao trmica.
Para buracos no material tipo P temos p>>n, portanto ~ep. Assim,
p
J e
t
c
V =
c
mas
2 diff diff
p p p p p
J eD p J eD p eD p = V V = V V = V
(2.133)
(2.134)
(2.135)
Corrente de Difuso
132
Juntando (2.134) e (2.135) chegamos equao de difuso dos buracos:
2
0
p
p
D p
t
c
V =
c
Se alm do gradiente de concentrao de portadores houver um campo
eltrico E aplicado ao semicondutor, as densidades de corrente de
eltrons e de buracos tero componentes de conduo e de difuso:
( ) ( )
n n n
p p p
t n p n p n p
J e nE eD n
J e pE eD p
J J J e n p E e D n D p

= + V
= V
= + = + + V V
So o campo eltrico e as concentraes de portadores na regio de uma
juno entre dois semicondutores tipo P e N que determinam a relao
entre a tenso e a corrente num dispositivo de juno e, portanto, o
funcionamento do mesmo.
(2.136)
(2.137)
(2.138)
(2.139)
Corrente de Difuso
133
Quando um semicondutor est em equilbrio trmico, sem campo
externo, tanto a corrente de eltrons quanto a de buracos devem ser
nulas. Nesta situao se, devido ao movimento trmico, as cargas
produzirem uma variao em sua concentrao, o campo eltrico por ela
criado produzir uma corrente de deriva que cancelar a corrente de
difuso,
portanto
0
n p
J J = =
Logo
int p p
D p pE V =
Do eletromagnetismo temos que
int int
E | = V
Substituindo (2.142) em (2.141), temos
0
int int
0
p
p p
p
p
D p p
D p
| |
V
V = V V =
Sendo p
0
a concentrao de equilbrio de buracos. Para eltrons
temos:
0
int
0
e
e
n
D n
|
V
V =
(2.140)
(2.141)
(2.142)
(2.143)
(2.144)
Corrente de Difuso
134
Sendo p
0
=n
i
exp[(E
i
-E
F
)/K
B
T], obtemos
( )
( )
( ) ( )
( )
( )
int
exp
exp
exp
1
exp
i i F B
p
p i i F B
i i F B i F B
i F
B i i F B
n E E K T
D n E E K T
n E E K T E E K T
E E
K T n E E K T
|
( V

V = =
(

( ( V

= V
(

O nvel de Fermi no pode variar com a posio pois o sistema est em
equilbrio, logo VE
F
= 0. Por outro lado, a energia de um eltron no
potencial eltrico |
int
E = -e|
int
. Isto significa que se o potencial eltrico
variar no espao, os nveis e as bandas de energia do eltron
acompanham o potencial, ou seja, VE
i
= -eV|
int
. Logo
,
int i int
,
1
p p e
B
p B B p e
D
K T e
E
D K T K T e
| |
V = V = V =
(2.145)
(2.146)
Injeo de Portadores
135
Portadores so introduzidos numa regio do semicondutor por um
processo qualquer. Por exemplo, quando eltrons, que so portadores
majoritrios num semicondutor tipo N, passam para o lado P de uma
juno PN. Na regio da juno os eltrons so injetados no
semicondutor tipo P. No processo de injeo de portadores, o mecanismo
de recombinao eltron-buraco, at ento ignorado, importante. O
processo de recombinao faz com que a concentrao de portadores
injetados diminua e tenda para o equilbrio. Considere, por exemplo,
buracos injetados num semicondutor de modo que, em certo instante de
tempo sua concentrao seja p=p
0
+op. A recombinao do excesso de
buracos com os eltrons existentes no semicondutor ocorre em uma taxa
que tanto maior quanto maior for op. Em uma primeira aproximao
( ) ( )
0
p
t
t
p
p p
p t p e
t t
o o
o o

c
= =
c
Sendo t
p
o tempo de recombinao dos buracos e t
n
o tempo de
recombinao dos eltrons.
( ) ( )
0
n
t
t
n
n n
n t n e
t t
o o
o o

c
= =
c
(2.147)
(2.148)
Injeo de Portadores
136
Os portadores injetados numa certa regio do semicondutor produzem
um gradiente de concentrao que, por sua vez, resulta numa corrente de
difuso. Assim, no processo de injeo, a evoluo espacial e temporal
da concentrao de portadores determinada pelo processo de difuso e
de recombinao.
( )
( )
0 2 2
0
2 2
0 0
0
n n
n n
n n
n
D n D n n
t t
n n
D n D n
t t
o
o
o o
o o
c +
c
V = V + =
c c
c c
V = = V
c c
Em (2.149)-(2.150) foram usados V
2
n
0
-cn
0
/ct=0. Para levar em
considerao a taxa de recombinao fazemos
2
n
n
n n
D n
t t
o o
o
c
= V
c
Analogamente, para buracos, tem-se que
2
p
p
p p
D p
t t
o o
o
c
= V
c
(2.149)
(2.150)
(2.151)
(2.152)
Injeo de Portadores
137
Quando luz de intensidade constante produz pares eltrons buracos na
regio iluminada, a taxa de criao de pares constante e a derivada
temporal nula. Outra situao semelhante quando uma corrente
constante atravessa uma juno PN. Assim, no estado estacionrio
temos c /ct=0. Desta forma, as equaes (2.151) e (2.152) ficam:
2 2
2
2
2
n n n
n n n
n n n n
p
p
p
D
t D t l
l
o o o
o o
o
o
V = V = =
V =
l
n
=(D
n
t
n
)
1/2
e l
p
=(D
p
t
p
)
1/2
so os comprimentos de difuso de eltrons e
buracos, respectivamente.
(2.153)
(2.154)
Injeo de Portadores
138
Como exemplo, consideremos o sistema unidimensional estando a
fronteira na posio x=0 e um semicondutor de extenso infinita na
direo x positivo. Em x=0, op(x)=Ap constante. A variao de op(x)
obtida usando a equao (2.154):
( )
( ) ( )
2
2
1 2
2 2 2
exp exp
p p p
p p p p
p p
d
x c x l c x l
l dx l
o o o
o o V = = = +
Devido recombinao, op(x)0 quando x, logo c
2
=0. Alm disso,
op(0)=c
1
=Ap. Portanto a soluo de (2.155) e o nmero de buracos so:
( )
( )
( ) ( )
( )
0 0
exp
exp
p p
p p
x p x l
p x p x p p x l
o
o
= A
= + = + A
O comprimento de difuso depende do tipo de portador, do semicondutor
e da concentrao. A dependncia da concentrao de impurezas ocorre
atravs de t. Quanto maior a concentrao de impurezas menor o tempo
de recombinao. D~10-200cm
2
/s e t~10
-6
-10
-7
s, logo l=(Dt)
1/2
est
tipicamente na faixa de 10
-3
-10
-2
cm ou 10-100m.
(2.155)
(2.156)
(2.157)
A BARREIRA DE POTENCIAL NA JUNO PN
139
Simplificaes:
1) Devido forma da juno e dos contatos, o movimento dos eltrons e
buracos em grande parte do dispositivo ocorre na direo normal
superfcie que separa as regies P e N. O problema
aproximadamente unidimensional.
2) Variao brusca de N
a
-N
d
na juno
x=0
Regio P
Regio N
Juno abrupta
Contato metlico
x
a d
N N
140
Antes de formar a juno temos
P N
Ec
Ev
EF
Ei
EF
Ec
Ei
Ev
Aps juntar os semicondutores e formar a juno:
Como h excesso de eltrons do lado N em relao ao nmero de
buracos, h uma difuso de eltrons do lado N para o lado P.
Semelhantemente, haver uma corrente de difuso de buracos do lado P
para o lado N. A difuso de cargas de um lado para o outro produz duas
camadas de cargas formadas pelas impurezas ionizadas, doadoras do
lado N e aceitadoras do lado P.
N P
+
+
+
+
E
141
Estas camadas de carga criam um campo eltrico E dirigido do lado N
para o lado P, que se ope continuao do movimento de cargas
causado pela difuso. O campo E empurra os buracos de volta para o
lado P e os eltrons de volta para o lado N, atravs de uma corrente de
deriva que se ope corrente de difuso. No equilbrio, as correntes de
deriva e difuso se anulam, tanto para eltrons como para buracos, de
forma que a corrente total tambm nula. Nesta situao, a distribuio
de cargas e o campo eltrico adquirem uma configurao estacionria.
A regio nas proximidades da juno onde h cargas no compensadas
chamada regio de carga espacial, de transio ou de depleo. O campo
eltrico E criado nesta regio corresponde a uma diferena de potencial
V
0
entre o lado N e o lado P.
N P
+
+
+
+
0
V
Barreira de Potencial
142
Como a energia do eltron relacionada ao potencial eletrosttico | por
E=-e|, a diferena das energias da banda de conduo entre o lado P e o
lado N :
( )
P N P N 0 c c
E E e eV | | = =
Isto significa que quando a juno formada, as referncias para os
nveis de energia dos lados P e N se ajustam de modo que a diferena
das energias da banda de conduo entre os dois lados, bem como da
banda de valncia, correspondem diferena de potencial criada pelo
campo eltrico produzido na juno multiplicado pela carga. Esta
alterao nos nveis relativos decorrncia do fato de que o nvel de
Fermi deve ser o mesmo nos dois lados da juno.
N P
+
+
+
+
0
eV
cP
E
cN
E
vP
E
vN
E
F
E
F
E
(2.158)
143
O valor limite da barreira de potencial V
0
=E
g
/esendo E
g
=E
cP
-E
vP
=E
cN
-E
vN
.
A concentrao de equilbrio de buracos do lado P P
p0
e a concentrao
de equilbrio de buracos do lado N P
n0
. Nas regies afastadas da juno
temos:
( )
( )
0
0
ip F B
in F B
E E K T
p i
E E K T
n i
P n e
P n e
`
=
)
( )
0
0
ip in B
E E K T
p
n
P
e
P

=
Como o semicondutor intrnseco o mesmo nas regies N e P, temos
que a diferena entre os nveis de Fermi intrnsecos nos dois lados
igual ao valor do potencial da barreira em eltron-volt: E
ip
-E
in
=eV
0
.
Portanto,
0
0
0 0
0
0 0
0
0
0
0
ln
ln
B
p
B
n
p n
eV K T
n p
n
B
p
P
K T
V
e P
P N
e
P N
N
K T
V
e N
| |
= |
|

\ .
= =
`
| |
=
|
\ .
)
(2.159)
(2.160)
144
Mas, no lado P, P
p0
~N
a
enquanto que,na regio N, P
n0
~(n
i
)
2
/N
d
. Assim,
obtemos
0
2
ln ln
g
a d C V B B
i a d
E
N N N N K T K T
V
e n e e N N
| | | |
~ =
| |
\ . \ .
Exemplo: Seja uma juno PN de silcio, com N
d
=10
16
cm
-3
e N
a
=10
18
cm
-3
.
Calcule o potencial em T=300K. (K
B
T=0,026eV, E
g
=1,12eV, N
C
=2,810
19
cm
-3
,
NV=1,0210
19
cm
-3
)
19 19
0
18 16
1,12 0, 026 2, 6 10 1, 02 10
ln 0,85
1 10 10
eV eV
V V
e e
| |

~ =
|
\ .
(2.161)
(2.162)
CARGA E CAMPO NA JUNO EM EQUILBRIO
145
Como a juno eletricamente neutra, temos eN
a
Al
p
=eN
d
Al
n
, ou
N
a
l
p
=N
d
l
n
. Com l=l
p
+l
n
, temos: l
p
=[N
d
/(N
a
+N
d
)]l e l
n
=[N
a
/(N
a
+N
d
)]l. A
espessura maior do lado de menor dopagem. Para calcular o campo
eltrico na juno, usamos a lei de Gauss
( )
( )
em 0
,
em - 0
d n
a p
eN x l
x
dE
x
eN l x
dx

c
< <
= =

< <
D V =
Em l
p
<x<0, E(x)=-e(N
a
/c)x-E
0
, sendo E
0
o campo em x=0. Como E(x=-
l
p
)=0, pois o campo nulo fora da regio de carga espacial, E
0
=el
p
N
a
/c
(ou E
0
=el
n
N
d
/c). Para 0<x<l
n
, E(x)=e(N
d
/c)x-E
0
. Por fim,
( )
( ) ( ) ( ) ( )
2
0
1
2
a
d x
eN
E x x E x dx x x E x c
dx
|
| |
c
= = = + +
}
(2.163)
(2.164)
146
Tomando como referncia |(x=-l
p
)=0, temos que . O potencial
em l
p
<x<0
2
2
a p
c eN l =
( )
( )
2
2
a
p
eN
x x l |
c
= +
Para 0<x<l
n
,
( )
2
2
1 1
2 2 2
d
n p n
eN
x x l x l l |
c
| |
=
|
\ .
Portanto
( )
( )
( )
2
0 0
1 2 1 2
0
2 2
1
2 2 2
2 2 1 1 1 1
ln
d a d
n p n n
a d
a d B
a d a d i
eN N N e
V x l x l x l l l E l l
N N
V N N K T
l
e N N e N N n
| | |
c c
c c
= = = = = = = =
+
( (
| | | | | |
= + = +
( ( | | |
( (
\ . \ . \ .

(2.165)
(2.166)
(2.167)
(2.168)
147
N P
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
P
l
N
l
Regio de carga espacial
x
d
eN
a
eN
N
l
P
l
x
E
N
l
P
l
0
E
x
( ) x |
N
l
P
l
148
A equao 2.168 fornece o comprimento da regio de depleo.
Atravs dela pode-se calcular l
n
e l
p
.
Como a diferena de potencial entre os dois lados da regio de
depleo produzido por duas camadas de carga, a juno possui uma
capacitncia C. Se a rea da seo reta da juno A, as cargas totais
nas camadas so +Q=eN
d
l
n
A e -Q. A capacitncia da juno C=dQ/dV.
Usando o valor de Q e as equaes (2.168) e l
n
=N
a
/(N
a
+N
d
)l pode-se
encontrar
A
C
l
c
=
(2.169)
De (2.169) nota-se que a capacitncia varia de forma inversamente
proporcional espessura da regio de depleo. Como o comprimento da
regio de depleo pode ser variado com a aplicao de uma tenso
externa, a juno pn se comporta tambm como um capacitor cuja
capacitncia controlada por uma tenso externa.
CORRENTE NA JUNO POLARIZADA
149
Quando uma juno polarizada o equilbrio alterado. Tenses em
sentidos diferentes produzem correntes com intensidades diferentes.
Quando uma tenso externa V aplicada nos terminais da juno ela
aparece quase totalmente na regio de carga espacial. Isto ocorre por que
a densidade de portadores nesta regio muito menor do que nas outras
regies do semicondutor e, por isso, tem resistncia muito maior.
A tenso externa V soma-se ou subtrai-se do potencial V
0
da barreira
em equilbrio, dependo do sentido.
Quando a tenso V aplicada no sentido direto ela diminui a barreira
de potencial que passa a ter o valor V
0
-V. Por outro lado, se o diodo
polarizado reversamente a barreira aumenta, passando a ter o valor V
0
+V.
O resultado que a corrente que atravessa a juno quando a tenso
aplicada no sentido direto maior que a corrente obtida quando a juno
reversamente polarizada.
150
Quando a juno polarizada diretamente, a diferena de potencial na
barreira diminui o que causa a diminuio do campo eltrico e da
espessura da regio de depleo. Quando a juno polarizada
reversamente a altura da barreira, o campo eltrico e a espessura da
regio de depleo aumentam.
151
Quando uma tenso positiva (polarizao direta) aplicada juno, a
corrente I entra pelo contato metlico do lado p e sai pelo contato do lado
n. Nas regies neutras do semicondutor afastadas da regio de depleo,
a corrente inteiramente de deriva e dominada pelo portadores
majoritrios, buraco do lado p e eltrons do lado n. Estes portadores se
movem em direo regio de depleo onde se encontram, alguns se
recombinam outros passam para o outro lado por difuso.
Quando os buracos vindo do lado p atingem a regio prxima da juno,
muitos deles se recombinam com eltrons provenientes do lado n. Os
sobreviventes chegam regio de depleo, onde a densidade de
portadores bem menor e, portanto, h pouca recombinao. Ao
atingirem a fronteira da regio de depleo (o plano de coordenada x=l
n
),
os buracos so injetados na regio, onde passam a ser portadores
minoritrios. Nesta regio os buracos difundem mais para dentro do lado
n enquanto recombinam com os eltrons. Os buracos injetados na regio
n tm uma concentrao op em excesso do valor de equilbrio p
n0
e que
cai exponencialmente com x.
Comportamento anlogo tm os eltrons do lado p, onde so eles os
portadores minoritrios.
152
De acordo com (2.160) a razo entre as concentraes de equilbrio de
buracos nos dois lados
Quando a tenso V positiva aplicada, no mais permanece em
equilbrio. Neste caso, a diferena entre os nveis de Fermi nos lado p e n
de
0
0 0
.
B
eV K T
p n
P P e = (2.170)
.
F
E eV A =
(2.171)
A razo entre as concentraes de buracos nas fronteiras da regio de
carga espacial nos lados p e n dada por
( )
( )
( )
0
0
.
0
B
e V V K T p
n
p x
e
p x

'
=
=
=
(2.172)
153
Se a corrente na juno no muito alta, ento a concentrao de
portadores majoritrios quase no varia em relao aos valores de
equilbrio com a aplicao da tenso externa. Desta forma
(2.174)
Agora, usando (2.173), (2.172) e (2.170), chega-se a
( )
0
0 .
B
eV K T
n n
p x p e = =
(2.173)
( )
0
0 .
p p
p x p
'
=
A equao (2.174) mostra que a concentrao de buracos na regio n em
x=0, cresce (diminui) exponencialmente com a tenso direta (reversa)
aplicada na juno.
O incremento da concentrao de buracos em relao ao equilbrio em
x=0 dado por
( ) ( )
( )
0 0
0 0 1 .
B
eV K T
n n n n
p x p x p p e o = = = = (2.175)
154
155
A variao de op
n
com x dada por
(2.177)
A densidade de corrente de difuso de buracos na direo positiva de x
( )
( )
0
1 .
p
B
x L p
eV k T dif
p n
p
D
J x e p e e
L

=
(2.176)
( )
( )
0
1 .
p
B
x L
eV k T
n n
p x p e e o

=
Sendo A a rea da seo reta da juno, a intensidade da corrente de
difuso de buracos em x=0
(2.178)
( )
( )
0
0 1 .
B
p
eV k T dif
p n
p
D
I eA p e
L
=
Na regio de depleo a recombinao desprezvel, portanto, o valor da
corrente de buracos na regio de depleo igual ao valor dado por
(2.178). De forma similar, a corrente de difuso de eltrons na regio de
depleo
( )
( )
0
0 1 .
B
eV k T dif
n
n p
n
D
I eA n e
L
= (2.179)
156
Em regime estacionrio a corrente total a mesma em qualquer seo da
juno. Assim a corrente total que circula pelo diodo
(2.180)
( ) ( )
( )
( )
0 0
0 0 1
1
B
B
p
eV k T dif dif
n
n p n p
p n
eV k T
s
D
D
I I I eA p n e
L L
I I e
| |
= + = + =
|
|
\ .
=
A equao (2.180) chamada equao do diodo. Ela d a relao entre a
corrente que flui pelo diodo e a tenso aplicada aos terminais do mesmo.
157
Constantes da Fsica
Constante de Planck: =1,05459x10
-34
Js
Constante de Boltzmann: k
B
=1,3807x10
-23
J/K
1ev = 1,6022x10
-19
J
Massa de repouso do eltron: 9,1095x10
-31
kg
Massa de repouso do prton: 1,6726x10
-27
kg
Carga do eltron: 1,60219x10
-19
C
( )
2
kg m s m s
J s N m s
m
kg m s kg m s kg m s

= = =

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