TECNOLOGIA

DE MATERIAIS ELTRICOS (DEEE0188)

Prof. Francisco Svio Mendes Sinfrnio DEE CCET - UFMA

Tpicos da disciplina
Estrutura interna de materiais; Slidos cristalinos; Bandas de Energia distribuio Fermi-Dirac; Conduo de Materiais; Materiais condutores; Ligas resisIvas e de contato eltricos; Isolantes; Materiais semicondutores; Materiais opto-eletrnicos; Dieltricos; Propriedades magnIcas dos materiais; FerromagneIsmo e ferrimagneIsmo; Princpios bsicos; Ligas ferromagnIcas e ferrites; Materiais magnIcos industriais.

Bibliograa
Materiais Eltricos, Saraiva, D. B., Editora Guanabara Dois, Rio de Janeiro, RJ, 1993. EletromagneIcs, Kraus, J. D., Mc Graw Hill, Inc. 1991. Materiais e Disposi,vos Eletrnicos, Sergio M. Rezende, 2a edio. So Paulo: Livraria da Fsica, 2004 . Cincia e Engenharia de Materiais uma Introduo, W. D. Callister Jr., 7 edio. Rio de Janeiro: LTC, 2008 Fsica do Estado Slido, N. W. Ashcrod, N. D. Mermin. So Paulo, Cengage (2011). Introduo Fsica do Estado Slido, C. Kigel. 8a edio, Rio de Janeiro, LTC (2005).

Estrutura interna de materiais

Instrumentao com semicondutores e fibra tica Estrutura de ao e fibra de carbono

Bancos de couro e acabamento sinttico Para-choques polimricos e alumnio

Filamentos das lmpadas de Tungstnio

Bloco motor de ferro fundido e alumnio

Janelas de vidro

Iluminao LED

Bateria de chumbo

Peas do motor de cermica avanada e superligas

Velas de ignio de cermica

Fiao de cobre

Pneus de borracha

Relao entre estrutura e propriedades dos materiais

 A natureza e o comportamento dos materiais em servio esto basicamente associados aos ,pos de tomos envolvidos e aos seus arranjos. A estrutura dos materiais pode ser estudada de acordo com quatro nveis sequenciais, quais sejam: Subatmico; Atmico; Microscpico; Macroscpico.

Ligaes atmicas Ligaes fortes:

Inicas Covalentes Metlicas

Ligaes fracas:

Van der Waals

Ligao Inica (Na- Cl)

Ligao Covalente (Cl Cl)

Ligao Metlica (Fe)

Slidos Cristalinos
Cristais inicos; Cristais covalentes; Cristais moleculares; Metais; Cristais com ligaes de hidrognio.

Materiais cristalinos inicos

Ligao forte interao eletrostIca atraIva entre ons. Eltrons altamente localizados em torno dos ons. Materiais com ponto de fuso bastante alto. Baixa conduIvidade trmica e eltrica, alta transparncia Ica. Ex.: NaCl, KCl, LiF, xidos, ...

cristais de NaCl

Materiais cristalinos covalentes

Densidade eletrnica na regio intersIcial (entre os tomos no cristal). Materiais duros, com ponto de fuso relaIvamente alto, mas menor que para os cristais inicos. Tipo de ligao mais comum em materiais semicondutores. Ex.: C (diamante), Si, Ge, GaAs, InSb, ...

Materiais cristalinos moleculares

Interao atraIva: van der Waals (fraca). Eltrons localizados nos tomos. Ponto de fuso em geral muito baixo (< 100K). Ex.: Ne, Ar, Kr, Xe, O2, N2, ...

(Clula unitrio do cristal de O2)

Materiais cristalinos metlicos

Eltrons altamente deslocalizados. Modelo: gs de eltrons, gs de Fermi. Ligao razoavelmente fraca. Ponto de fuso relaIvamente baixo, grande conduIvidade eltrica e trmica. Ex.: Li, Na, K, Cu, Ag,...

Cristais com ligaes de hidrognio

Ligao de hidrognio; Ligao mais fraca que a inica ou a covalente, mas mais forte que a interao de Van der Waals; Ex.: H2O (gelo), DNA, polmeros, ...

(Estrutura de uma das fases do cristal de gelo)

Classicao dos materiais

De modo geral, os materiais de engenharia so classicados em quatro grupos principais: metais, polmeros, cermicos e, mais recentemente, compsitos. Outros dois grupos tm sido considerados importantes como materiais de engenharia, em funo do grande desenvolvimento de suas aplicaes nos lImos anos, so eles os semicondutores e os biomateriais.

Material Metlicos

CaractersQcas DcIl, elevada resistncia mecnica, alta dureza, condutor trmico e eltrico, opaco Frgil, isolante trmico e eltrico, alta

ConsQtuintes Rpicos tomos metlicos e no- metlicos

Cermicos

estabilidade trmica, elevada dureza, transparentes em alguns casos

xidos, silicatos, nitretos, aluminatos etc.

DcIl, baixa resistncia mecnica, baixa Polimricos dureza, exvel, baixa estabilidade trmica, transparente em alguns casos Compsitos Alta relao resistncia/peso, alta dureza, etc.

Cadeia molecular orgnica de comprimento elevado

Matriz + ligante

Organizao estrutural dos slidos

Representao dos tomos nos estados lquido e slido, mostrando o ordenamento de curto alcance dos slidos amorfos e o ordenamento de longo alcance dos slidos cristalinos

Estrutural slidas amorfa, parcialmente cristalinas e cristalinas

Um material cristalino aquele em que os tomos so arranjados de forma repeIIva ou peridica por distncias correspondentes a vrias distncias atmicas (ordem a longas distncias. Para os que no cristalizam a ordem atmica a longas distncias est ausente, e o material denominado no cristalino ou amorfo . J o material parcialmente cristalino consiste em uma mistura de fases cristalinas e regies amorfas, simultaneamente.
Distribuio dos tomos no espao e suas respecIvas funes W(r) em um gs (aeb),em um lquido(ced), em um slido amorfo (eef) e em um cristal (geh).

Arranjo estrutural cristalino e amorfo

Materiais cristalinos, tm uma estrutura altamente organizada, em contraposio aos materiais amorfos, nos quais no h ordem de longo alcance.

Cristal 1

Fronteira Cristal 2

Fronteira entre dois cristais de TiO2.

Carbono amorfo.

Ordenamento regular dos tomos

Ordenamento somente a curtas distncias

Slidos amorfos: Materiais metlicos amorfos; Materiais cermicos amorfos; Materiais orgnicos amorfos.

Slidos parcialmente cristalinos: Materiais metlicos parcialmente cristalinos; Materiais cermicos parcialmente cristalinos; Materiais orgnicos parcialmente cristalinos. Slidos cristalinos

Representao bidimensional da slica: (a) cristalina e (b) amorfa.

Composio, propriedades e usos de alguns vidros

Modelo bidimensional para um material nanocristalinos

Clulas unitrias
Como a rede cristalina tem uma estrutura repetitiva, possvel descrev-la a partir de uma estrutura bsica, como um tijolo, que repetida por todo o espao.

Clulas no unitrias

Clula unitria Menor tijolo que repetido reproduz a rede cristalina

Slido cristalino: arranjo denido e bem ordenado de molculas, tomos ou ons. Os cristais tm uma estrutura ordenada que se repete. A menor unidade que se repete em um cristal uma clula unitria. A clula unitria a menor unidade com toda a simetria de um cristal inteiro. Uma pilha tridimensional de clulas unitrias a rede cristalina.

 As redes cristalinas tridimensionais esto agrupadas em sete sistemas cristalinos; Os sistemas so classicados de acordo com os 7 Ipos convencionais de clulas unitrias.; As clulas unitrias so sistemaIzadas de acordo com os 3 eixos cristalinos a, b e c , e os trs ngulos

Sistemas cristalinos - Redes de Bravais

Estruturas usuais dos metais cristalinos Cbica simples; Cbica de corpo centrado (ccc); Cbica de face centrada (cfc); Hexagonal compacta (hc)

Hexagonal Compacta

Estrutura cbica simple (CS)

A rede cbica simples uma rede na qual existe um tomo em cada vrIce do cubo. Os tomos se tocam ao longo da diagonal.
Fator de empacotamento atmico (APF - atomic packing factor) Volume(tomos)

R a

a Po Nmero de tomos na clula unitria Na= 8x(1/8) = 1 Relao entre a e R 2R = a NC = 6

= Volume(clula) N (tomos)V (1tomo ) = = 3 a 4 N (tomos) R 3 3 = a3

FEAccc 0,52

FEA =

Estrutura cbica de corpo centrado (CCC)

A rede cbica de corpo centrado uma rede cbica na qual existe um tomo em cada vrIce e um tomo no centro do cubo. Os tomos se tocam ao longo da diagonal.

Fator de empacotamento atmico (APF - atomic packing factor)

a R

Fe, Cr, W

1 tomo inteiro

1/8 de tomo

Volume(tomos) = Volume(clula) N (tomos)V (1tomo ) = = 3 a 4 N (tomos) R 3 3 = 3 a FEA =

FEAccc 0,68 Nmero de tomos na clula unitria Na= 1 + 8x(1/8) = 2 Relao entre a e R Metais no cristalizam na estrutura cbica simples 4R = a3 => a = 4R/3 (devido ao baixo empacotamento atmico) NC = 8

Estrutura cbica de face centrado (CFC)

A rede cbica de face centrada uma rede cbica na qual existe um tomo em cada vrIce e um tomo no centro de cada face do cubo. Os tomos se tocam ao longo das diagonais das faces do cubo.

a R

1/8 de tomo

1/2 tomo Al, Ag, Cu, Au Nmero de tomos na clula unitria Na= 6x1/2 + 8x(1/8) = 4 Relao entre a e R 4R = a2 => a = 2R2 NC = 12
Fator de empacotamento atmico FEAcfc = 0.74 A rede CFC a mais compacta

Hexagonal compacta (HC)

A rede hexagonal compacta pode ser representada por um prisma com base hexagonal, com tomos na base e topo e um plano de tomos no meio da altura.

c Cd, Mg, Ti, Zn Nmero de tomos na clula unitria Na= 12x1/6 + 2x(1/2) + 3 = 6 Relao entre a e R 2R = a NC =12 FEA = 0,74

c/2

A rede HC to compacta quanto a CFC

! ! ! =! + ! 2 ! 3 ! ! ! ! . !"#30 = ! . = != ! 2 2 2 3 ! ! ! ! ! Logo:!!! = ! + ! !! = ! ! ! !
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Estrutura AmXp

Estrutura AX (Sal-gema)

Estrutura AmBnXp (perovsquita)

Clula unitria do CsCl

Clula unitria do NaCl

Clula unitria do BaIO3

Estruturas espinlios

Clula unitria do MgAl2O4

Alotropa (polimorsmo): a propriedade que alguns elementos qumicos tm de formar uma ou mais substncias simples diferentes.

Temperatura

Tempo

Anisotropia: a caractersIca que uma substncia possui em que uma certa propriedade ~sica varia com a direo.

Exemplo de cortes na seo longitudinal e transversal em barra para obteno de amostras para observao: (a) material isotrpico, (b) material anisotrpico.

Propriedades eltricas
Condutores, Isolantes, semicondutores, Ligas resisIvas e de contato eltrico.

MEV de um circuito integrado

Mapa de pontos de Si. Silcio dopado uIlizado como componente semicondutor.

Mapa de pontos de Al. Alumnio metlico usado com condutor eltrico em circuitos integrados .

Estrutura eletrnica
Equao de Schrdinger para uma parcula de massa m e energia potencial V(x):

d . + V ( x ) = E 2 2 m dx
2 2

Funo de onda para uma parcula na caixa:

# 2& # xn & ( x ) = % ( sen% ( $ L' $ L '

1 2

Energias permiIdas para a parcula na caixa:

h n En = 8 mL2
2 2

h = 6, 62 x1034 J .s1

Separao dos nveis de energia:

( 2 n + 1) h 2 E = En +1 En = 2 8 mL
h E1 = 2 8 mL
2

Estrutura de tomos hidrogenides

Energia potencial de coulomb:

Ze 2 V = 4 0 r

Nveis permiIdos de energia:

h En = 2 n

E1 = h

Orbitais atmicos
(r, , ) = R(r )Y ( , )
r r0

(r , , ) =

2e
3

1 2

(a )
0

4 0 2 ao = 2 mee

Orbitais atmicas e sua energia

O nmero qunIco principal (n) determina a energia do orbital
Um eltron pode ser descrito por

n, l , ml

(n = 1, 2, 3, ...)

 O nmero qunIco momento angular (l) informa sobre a forma das orbitais

{l (l + 1)}

l = 0,1, 2, 3,...( n 1)

O nmero qunIco (ml) especica a orientao permiIda para uma nuvem eletrnica no espao;

ml = 0,1,2,,l ml

 O nmero qunIco de spin (ms) indica a orientao do eltron ao redor do seu prprio eixo # 1 1& ms = %+ , ( $ 2 2'
s1 s2

Ordem de preenchimento das primeiras orbitais 1s 2s 2p 3s 3p 4s 3d 4p 5s 4d 5p 6s.

os eltrons ocupam diferentes orbitais de uma dada subcamada antes de ocuparem duplamente qualquer uma delas

Regra de Hund

Bandas de energia nos slidos

Formao de bandas de nveis de energia nos slidos

Banda de energia Energia GAP de energia Banda de energia

Espaamento interatmico em equilbrio

Separao interatmica

Energia

Estrutura das bandas do materiais slidos

Isolante Condutores (Metal)

Semicondutor

Condutores

Isolantes e semicondutores

Mobilidade eletrnica

ResisIvidade eltrica dos metais

ConduIvidade eltrica de metais (temperatura ambiente). Metal Prata Cobre Ouro Alumnio Ferro PlaIna Ao inox ConduQvidade eltrica [(.m)-1] 6,8 x 107 6,0 x 107 4,3 x 107 3,8 x 107 1,0 x 107 0,94 x 107 0,2 x 107

Inuncia da temperatura na resisIvidade eltrica

Inuncia das impurezas

Inuncia da deformao plsIca

Nvel de Fermi (T=0) K

Em T = 0 K, os eltrons ocupam os estados de menor energia permiIdos no cristal, de modo a preencher, um a um, todos os estados at um certo nvel de energia EF, o nvel de Fermi.

Nvel de Fermi (T > 0 K)

Para T > 0 K, alguns eltrons podem ser excitados para estados com nveis de energia mais elevados.

Nvel de Fermi em semicondutores

Em semicondutores, apenas certos nveis de energia so permiIdos.

Distribuio de Fermi-Dirac - Comportamento dos eltrons em T>0

A probabilidade de encontrar um eltron em um certo nvel de energia E

Condutores

Materiais condutores e caractersIcas

Elevada conduIvidade eltrica e trmica: diferentemente dos no-metais (metalides), todos os metais so bons condutores de eletricidade e calor, e apresentam elevao da resistncia com o aumento da temperatura; So geralmente slidos temperatura ambiente: a exceo o mercrio, que um metal que se solidica apenas temperatura de -39 oC; Estrutura cristalina: os metais caracterizam-se por apresentarem seus tomos em uma disposio regular, ordenada e repeIda em todas as suas dimenses, chamada arranjo cristalino; Formao de ligas: os metais possuem grande capacidade de se combinarem entre si para formar ligas metlicas; Capacidade de deformao e moldagem: os metais so facilmente moldados perante elevao de temperatura e aplicao posterior de esforos mecnicos; Brilho e opacidade: os metais possuem elevada capacidade de reexo luz e mantm-se opacos at uma espessura superior a 0,001 mm; Encruamento: os metais deformados a frio endurecem. Tal caractersIca chamada encruamento, que tem, como consequncia extra, a reduo da conduIvidade eltrica do metal; Transformam-se em derivados metlicos perante certos ambientes: nos metais, em contato com o oxignio do ar, formam-se xidos e, sob a ao de cidos, formam-se sais. Como regra geral, todos os derivados metlicos so menos condutores eltricos que os metais de origem.

Condutores metlicos

Condutores no metlicos

Ligas condutores

Tipos de ligas condutores

1. Ligas de cobre: metais so acrescentados ao cobre para melhorar a resistncia mecnica, a ducIlidade e a estabilidade trmica, sem reduzir as conduIvidades eltrica e trmica e resistncia corroso. Bronzes: liga binria de cobre e estanho, possui boa conduIvidade, elevada resistncia corroso e fadiga, resistente ao desgaste por atrito, de fcil usinagem e so elsIcas. Lato: liga binria de cobre e zinco (30%), possui conduIvidade relaIvamente alta, boa resistncia corroso, grande resistncia trao. empregado em barramentos de quadros e equipamentos, varas de subestaes e bornes. Outras ligas: cromo, nquel e zinco so adicionados ao cobre quando se necessita obter uma maior resistncia trao para o mesmo. Pode-se obter este resultado tambm com um condutor de cobre com ncleo de ao, chamado Copperweld, que combina a alta conduIvidade do cobre com alta resistncia mecnica e tenacidade do ao.

Bronze

Lato

Copperweld

CaractersIcas gerais de ligas de cobre

2. Ligas de Alumnio: em aplicaes baixa tenso, o alumnio puro usado apenas nos casos em que as solicitaes mecnicas so pequenas (capacitores, barras condutoras em ranhuras de motores, etc.). Duralumnio: (4% Cu + 0,5 % Mg + 0,5 % Mn + Al) - liga leve com elevada resistncia mecnica. Alumoweld: o o de alumnio com ncleo de ao, que lhe aumenta a resistncia trao. Aldrey: (0,3% Mg + 0,7% Si + Fe + Al) - liga de boas propriedades mecnicas.

Duralumnio

Alumoweld

Aldrey:

Comparao de caractersIcas ~sicas entre cobre e alumnio

CaractersIcas gerais de ligas de alumnio

3. Liga de chumbo e estanho: so ligas resistentes corroso e possuem baixo ponto de fuso (60 a 200 oC).

Sn60Pb40

Condutores eltricos de potncia em baixa tenso

Condutores eltricos de potncia em baixa tenso podem ser os ou cabos de cobre ou alumnio capazes de transportar energia eltrica em circuitos com tenses eltricas de at 1000 V. Os principais componentes de um o ou cabo de potncia em baixa tenso so o condutor, a isolao e a cobertura.

 ConduQvidade eltrica e resisQvidade: expressa capacidade que os materiais tm de transportar corrente eltrica. A resisIvidade, por sua vez, que denida como o inverso da conduIvidade eltrica, a propriedade que os materiais possuem de dicultar a passagem da corrente.

Peso: a fora gravitacional sofrida por este objeto em virtude da atrao gravitacional nele exercida por um outro corpo massivo Conexes

Flexibilidade dos condutores eltricos

 o um produto macio, composto por um nico elemento condutor. condutor encordoado tem relao com a construo de uma corda, ou seja, parIndo-se de uma srie de os elementares, eles so reunidos (torcidos) entre si, formando ento o condutor. As formaes padronizadas de condutores encordoados (cordas) redondos normais so: 7 os (1+6), 19 os (1+6+12), 37 os (1+6+12+18) e assim sucessivamente. condutor encordoado compactado uma corda na qual foram reduzidos os espaos entre os os componentes. Essa reduo realizada por compresso mecnica ou trelao. O resultado desse processo um condutor de menor dimetro em relao ao condutor encordoado redondo normal, porm com menor exibilidade. condutor exvel obIdo a parIr do encordoamento de um grande nmero de os de dimetro reduzido.

Isolao dos condutores eltricos A funo bsica da isolao connar o campo eltrico gerado pela tenso aplicada ao condutor no seu interior. Com isso, reduzido ou eliminado o risco de choque eltrico e curto-circuito. Cloreto de polivinila (PVC) O PVC isolante , na realidade, uma mistura de cloreto de polivinila puro (resina sintIca), plasIcante, cargas e estabilizantes; Sua rigidez dieltrica relaIvamente elevada, sendo possvel uIlizar cabos isolados em PVC at a tenso de 6 kV; Sua resistncia a agentes qumicos em geral e a gua consideravelmente boa; Possui boa caractersIca de no propagao de chama. Tenso eltrica: para o PVC est limitado a 6 kV, o que o torna recomendado para emprego em cabos de baixa tenso, seja de potncia, de controle, de sinal ou para ligao de equipamentos.

Corrente eltrica: cada Ipo de material de isolao correspondem trs temperaturas caractersIcas que so:

 Temperatura em regime permanente: a maior temperatura que a isolao pode aIngir conInuamente em servio normal. Temperatura em regime de sobrecarga: a temperatura mxima que a isolao pode aIngir em regime de sobrecarga. Segundo as normas de fabricao, a durao desse regime no deve superar 100 horas durante doze meses consecuIvos, nem superar 500 horas durante a vida do cabo. Temperatura em regime de curto-circuito: a temperatura mxima que a isolao pode aIngir em regime de curto-circuito. Segundo as normas de fabricao, a durao desse regime no deve superar 5 segundos durante a vida do cabo.

Cobertura Em algumas aplicaes, necessrio que a isolao seja protegida contra agentes externos tais como impactos, cortes, abraso, agentes qumicos, etc. Nesses casos, os cabos eltricos so dotados de uma cobertura e so ento chamados de cabos unipolares ou mulQpolares.