Amplificadores con transistores de efecto de campo

1. Ventajas y desventajas del FET

Las ventajas del FET pueden resumirse como sigue: 1. Son dispositivos sensibles a la tensin con alta impedancia de entrada (del orden de 107 W). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa. 2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3. Los FET so ms estables con la temperatura que los BJT. 4. Los FET son, en general, ms fciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor nmero de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener una densidad de empaque mayor). 5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensin para valores pequeos de tensin de drenaje a fuente. 6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. 7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes. Existen varias desventajas que limitan la utilizacin de los FET en algunas aplicaciones: 1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada. 2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.

3. Los FET se pueden daar manejarlos debido la electricidad esttica.

al a

2. Tipos de FET
Se consideran tres tipos principales FET: 1. FET de unin (JFET) 2. FET metal xido semiconductor empobrecimiento (MOSFET empobrecimiento) 3. FET metal xido semiconductor enriquecimiento (MOSFET enriquecimiento) de

de de de de

Con frecuencia el MOSFET se denomina FET de compuerta aislada (IGFET, insulated-gate FET).

3. Operacin y construccin del JFET

Al igual que el BJT, el FET es un dispositivo de tres terminales, pero solo tiene una unin pn en vez de dos, como en el BJT. El JFET de canal n, mostrado en la figura 4.1

(a), se construye utilizando una cinta de material de tipo n con dos materiales de tipo p difundidos en ella, uno en cada lado. El JFET de canal p tiene una cinta de material de tipo p con dos materiales de tipo n difundidos en ella, como se muestra en la figura 4.1 (b)

. Para entender la operacin del JFET, se conecta el JFET de canal n de la figura 4.1(a) a un circuito externo. Se aplica una fuente de tensin, VDD, al drenaje (esta es anloga a la fuente de tensin VCC para el BJT) y se enva a tierra. Una fuente de tensin de compuerta, VGG, se aplica a la compuerta (aquella es anloga a la VBB para el BJT). Esta configuracin se muestra en la figura 4.2(a). VDD proporciona una tensin drenaje a fuente, Vds., que provoca una corriente de drenaje, iD, del drenaje a la fuente. La corriente de drenaje, iD, que es idntica a la corriente de fuente, existe en el canal rodeado por la compuerta de tipo p. La tensin compuerta a fuente, vGS, que es igual a VGG crea una regin desrtica en el canal, que reduce el ancho de este y por tanto aumenta la resistencia entre drenaje y fuente. Como la unin compuerta fuente esta polarizada en inverso, el resultado es una corriente de compuerta nula.

Estos smbolos son iguales excepto por la direccin de la flecha. Conforme se incrementa vGS (ms negativo para un canal n y ms positivo para un canal p) se forma la regin desrtica y se cierra para un valor menor que iD. Por tanto, para el JFET de canal n de la figura 4.4(a),

4. Variacin de la tensin compuerta a fuente en el FET

El Fet es un dispositivo controlado por tensin y se controla mediante vGS. En la figura 4.4 se muestran las curvas caractersticas iD-vDS tanto para un JFET de canal n como para uno de canal p. Antes de analizar estas curvas, tomese nota de los smbolos para los JFET de canal n y de canal p, que tambin se muestran en la figura 4.4.

La iD mxima se reduce desde IDSS conforme vGS se hace ms negativo. Si vGS disminuye aun ms (ms negativo), se alcanza un valor de vGS, despus del cual iD ser cero sin importar el valor de Vds. Este valor de vGS se denomina VGSOFF, o tensin de estrangulamiento (VP). El valor de VP es negativo para un JFET de canal n y positivo para un JFET de canal p. Caractersticas de transferencia del JFET De gran valor en el diseo con JFET es la caracterstica de transferencia, que es una grfica de la corriente de drenaje, iD, como funcin de la tensin compuerta a fuente, vGS, por encima del estrangulamiento. Un mtodo til de determinar la caracterstica de transferencia es con ayuda de la siguiente relacin (ecuacin de Shockley):

Por tanto, solo se necesita conocer IDSS y VP, y toda la caracterstica quedara determinada. Las hojas de datos de los fabricantes a menudo dan estos dos parmetros, por la que se puede construir la caracterstica de transferencia o utilizar la ecuacin 4.1 directamente. El parmetro de control para el FET es la tensin compuerta-fuente en lugar de la corriente de base, como en el BJT. La regin entre el estrangulamiento y la ruptura por avalancha se denomina regin activa, regin de operacin del amplificador, regin de saturacin o regin de estrangulamiento, como se muestra en la figura 4.5.

La regin hmica (antes del estrangulamiento) a veces se denomina regin controlada por tensin. El FET opera en esta regin cuando se desea un resistor variable y en aplicaciones de conmutacin. La tensin de ruptura es funcin de vGS as como de Vds. Conforme aumenta la magnitud entre compuerta y fuente (ms negativa para el canal n y ms positiva para el canal p), disminuye la tensin por ruptura. Con vGS = VP, la corriente de drenaje es cero (excepto por una pequea corriente de fuga), y con vGS = 0, la corriente de drenaje se satura a un valor ID = IDSS Donde IDSS es la corriente de saturacin drenaje a fuente. Circuito equivalente, gm y rDS Para obtener una medida de la amplificacin posible con un JFET, se introduce el parmetro gm, que es la transconductancia en directo. Este parmetro es similar a la ganancia en corriente (o hfe) para un BJT. El valor de gm, que se mide en siemens (S), es una medida del cambio en la corriente de drenaje para un cambio en la tensin compuerta-fuente. Esto se puede expresar como

Se puede encontrar la transconductancia diferenciando la ecuacin (4.1), lo que da como resultado.

La resistencia dinmica en inverso, rDS, se define como el inverso de la pendiente de la curva iD-vDS en la regin de saturacin:

El desempeo de un JFET esta especificado por lo valores de gm y rDS. Estos parmetros se determinan ahora para un JFET de canal n utilizando la curva caracterstica de la figura 4.7.

Si las curvas caractersticas para el FET no estn disponibles, gm y vGS se pueden obtener matemticamente, siempre que se conozcan IDSS y VP. Por lo general, estos dos parmetros se incluyen en las especificaciones del fabricante. Se puede seleccionar una corriente de drenaje esttica, IDQ, que se halle entre 0.3 y 0.7 veces IDSS, lo cual ubica el punto Q en la regin ms lineal de las curvas caractersticas.

vGS. El MOSFET de empobrecimiento se construye (como se muestra en la figura 4.9(a) para el de canal n y en la figura 4.10(a) para el de canal p) con un canal fsico construido entre el drenaje y la fuente. Como resultado de ello, existe una iD entre drenaje y fuente cuando se aplica una tensin, Vds. El MOSFET de empobrecimiento de canal n de la figura 4.9 se establece en un sustrato p, que es silicio contaminado de tipo p. Las regiones contaminadas de tipo n de la fuente y el drenaje forman conexiones de baja resistencia entre los extremos del canal n y los contactos de aluminio de la fuente (S) y el drenaje (D). Se hace crecer una capa de SiO2, que es un aislante, en la parte superior del canal n, como se muestra en la figura 4.9(a). Se deposita una capa de aluminio sobre el aislante de SiO2 para formar el material de compuerta (G). El desempeo del MOSFET de empobrecimiento, es similar al del JFET, como puede verse en las figuras 4.9(C) y 4.10(C).

5. Operacin y construccin del MOSFET

En esta seccin, se considera el FET de metal xido semiconductor (MOSFET). Este FET se construye con la terminal de compuerta aislada del canal con el dielctrico dixido de silicio (SiO2), y ya sea en modo de empobrecimiento o bien de enriquecimiento. Estos dos tipos se definen y consideran en las siguientes secciones. MOSFET de empobrecimiento Las construcciones de los MOSFET de empobrecimiento de canal n y de canal p se muestran en las figuras 4.9 y 4.10, respectivamente. En cada una de estas figuras se muestra la construccin, el smbolo, la caracterstica de transferencia y las caractersticas iD-

El JFET se controla por la unin pn entre la compuerta y el extremo de drenaje del canal. No existe dicha unin en el MOSFET enriquecimiento, y la capa de SiO2 acta como aislante. Para el MOSFET de canal n, mostrado en la figura 4.9, una vGS negativa saca los electrones de la regin del canal, empobrecindolo. Cuando vGS alcanza VP, el canal se estrangula. Los

valores positivos de vGS aumentan el tamao del canal, dando por resultado un aumento en la corriente de drenaje. Esto se indica en las curvas caractersticas de la figura 4.9(C).

6. Polarizacin de los FET

Los mismos circuitos bsicos de la figura 3.6 que se utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear para los JFET y los MOSFET de empobrecimiento, la polaridad de vGS puede ser opuesta a la de la fuente de tensin del drenaje. Cuando se selecciona el punto de operacin, no hay tensin de polaridad opuesta disponible de la fuente para cumplir con los requerimientos del circuito. Puede ser necesario descartar R2 de manera que solo se obtenga una tensin de la polaridad correcta. No siempre es posible encontrar valores de un resistor para lograr un punto Q en particular. En tales casos, seleccionar un nuevo punto Q puede proporcionar a veces una solucin al problema. Anlisis de un amplificador FC En la figura 4.13 se muestra el circuito equivalente en ca para el amplificador FET.

MOSFET de enriquecimiento El MOSFET de enriquecimiento difiere del MOSFET de empobrecimiento en que no tiene la capa delgada de material n sino que requiere de una tensin positiva entre la compuerta y la fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la accin de una tensin positiva compuerta a fuente, vGS, que atrae electrones de la regin de sustrato ubicada entre el drenaje y la compuerta contaminados de tipo n. Una vGS positiva provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior de la capa de oxido. Cuando la tensin alcanza el valor de umbral, VT, han sido atrados a esta regin los electrones suficientes para que se comporte como canal n conductor. No habr una corriente apreciable iD hasta que vGS excede VT. La corriente de drenaje en saturacin se puede calcular de la ecuacin

Se supone que rDS es grane comparada con RDllRL, por lo que se puede despreciar. Escribiendo la ecuacin de LTK alrededor del circuito de compuerta, se encuentra.

Resolviendo para vgs, se obtiene

La tensin de salida, v0, est dada por

ecuaciones que relacionan las tensiones y corrientes de entrada y salida. La ganancia de tensin, Av., es

2.2 amplificadores de multietapa

Los amplificadores multietapa son circuitos electrnicos formados por varios transistores (BJT o FET), que pueden ser acoplados en forma directa o mediante capacitores. Las configuraciones clsicas son el par Darlington (alta impedancia de entrada e incremento de la ganancia de corriente), el par diferencial (Relacin de rechazo en modo comn elevada), el amplificador casco de (alta impedancia de salida). Todas estas etapas amplificadoras pueden ser integradas y encapsuladas en un chip semiconductor llamado Circuito Integrado (CI). En el CI las polarizacin de las etapas se hace usando fuentes de corriente, debido a la mayor facilidad de construccin (a travs de transistores). La combinacin de distintas tecnologas permitir mejorar la prestacin de los sistemas diseados.

La resistencia de entrada y la ganancia de corriente estn dadas por:

2. Tema: Amplificacin de pequea seal con transistores BJT

Las seales de pequea amplitud y baja frecuencia permiten al BJT trabajar en la zona lineal. En estas condiciones, el modelo de parmetros hbridos se convierte en la mejor herramienta para analizar el funcionamiento del transistor BJT en pequea seal. De este modo, El comportamiento del transistor se puede describir mediante unas ecuaciones lineales y sencillas. El transistor se puede sustituir por un circuito equivalente com p u e s t o p o r elementos lineales, lo cual permite utilizar las leyes comunes de la electrnica (Ohm, Kirchoff, Thevenin) para su resolucin.

I. Introduccin
Un amplificador se describe un circuito capaz de procesar las seales de acuerdo a la naturaleza de su aplicacin. El amplificador saber extraer la informacin de toda seal, de tal manera que permita mantener o mejorar la prestacin del sistema que genera la seal (sensor o transductor usado para la aplicacin). Se llama amplificador multietapa a los circuitos o sistemas que tienen mltiples transistores y adems pueden ser conectadas entre s para mejorar sus respuestas tanto en ganancia, Zin, Zout o ancho de banda. Las aplicaciones pueden ser tanto de c/c como de ca. II. Tipos de acoplamiento El acoplamiento establece la forma en la cual se conectan las distintas etapas

2.1. Definicin parmetros hbridos

de

los

Para conseguir el modelo de pe quea seal de un transistor BJ T a n a l i z a r e m o s e l transistor como un cuadripolo, desarrollando las

amplificadores, dependiendo de la naturaleza de la aplicacin y las caractersticas de respuesta que se desean. Existen distintos tipos de acoplamiento: Acoplamiento directo, capacitivo y por transformador. 3. Acoplamiento de amplificadores Cuando un sistema est compuesto por ms de una etapa de transistores, es necesario conectar, o acoplar, los transistores entre s. Existen muchas formas comunes de lograr esta interpretacin entre amplificadores. En las siguientes secciones se analizan los acoplamientos directo, capacitivo, por transformador y ptico. Acoplamiento directo Dos amplificadores estn acoplar es directamente si la salida del primer amplificador se conecta en forma directa a la entrada del segundo sin utilizar capacitores. La salida en ca de la primera etapa est superpuesta con el nivel de Cd esttico de la segunda etapa. El nivel de Cd de la salida de la etapa anterior se suma al nivel de Cd de polarizacin de la segunda etapa. Para compensar los cambios en los niveles de polarizacin, en amplificador utiliza diferentes valores de fuentes de tensin de Cd en lugar de una fuente de Vcc sencilla. El acoplamiento directo se puede utilizar de manera efectiva al acoplar en amplificador EC a uno ES. El amplificador acoplado directamente tiene una buena respuesta en frecuencias pues no existen elementos de almacenamiento en serie (es decir, sensibles a la frecuencia) que afecten la seal de salida en baja frecuencia. Acoplamiento capacitivo Constituye la forma ms simple y efectiva de desacoplar los efectos del nivel de Cd de la primera etapa amplificador, de aquellos de la segunda etapa. En capacitor separa el componente de Cd de la seal de ca. Por tanto, la etapa anterior no afecta la polarizacin de la siguiente. Para asegurar que la seal no cambie de manera significativa por la

adicin de un capacitor, es necesario que est se comporte como cortocircuito para todas las frecuencias a amplificar. Acoplamiento por transformador Se puede utilizar un transformador para acoplar dos etapas del amplificador. Este tipo de acoplamiento se utiliza a menudo cuando se amplifican seales de alta frecuencia. Las transformaciones son ms costosas.

Acoplamiento Capacitivo
El acoplamiento capacitivo es representado por la interaccin de campos elctricos entre conductores. Un conductor pasa prximo a una fuente de ruido (perturbador), capta el ruido y lo transporta para otra parte del circuito (vctima). Es el efecto de capacitancia entre dos cuerpos con cargas elctricas, separadas por un dielctrico, o que llamamos efecto de la capacitancia mutua. El efecto de campo elctrico es proporcional a la frecuencia e inversamente proporcional a la distancia. El nivel de perturbacin depende de las variaciones de la tensin (dv/dt) y el valor de capacitancia de acoplamiento entre el cable perturbador y el cable vctima. La capacitancia aumenta con:

de

acoplamiento

El inverso de la frecuencia: La potencia para acoplamiento capacitivo aumenta de acuerdo con el aumento de la frecuencia (la reactancia capacitiva, que puede ser considerada como la resistencia del acoplamiento capacitivo, disminuye de acuerdo con la frecuencia y puede ser vista en la frmula XC = 1/2pfC) La distancia entre los cables perturbadores y vctima y la

longitud de los cables que corren en paralelo. La altura de los cables en relacin al plan de referencia (en relacin al suelo). La impedancia de entrada del circuito victima (circuito de alta impedancia de entrada son ms vulnerables). El aislamiento del cable victima principalmente para paredes de cables fuertemente acoplados.

Medidas para reducir el efecto de acoplamiento capacitivo

o o o o Lmite de la extensin de cables corriendo en paralelo. Aumente la distancia de los cables corriendo en paralelo. Conecte a tierra una de las extremidades de los shields en los dos cables. Reduzca el dv/dt de la seal perturbadora, aumentando el tiempo de subida de la seal, siempre que sea posible (bajando la frecuencia de la seal).

La figura 1 muestra un ejemplo del efecto por acoplamiento capacitivo.

En la figura 2 podemos ver el acoplamiento y sus fuentes de tensin y corriente en modo comn y diferencial.

Envuelva siempre que sea posible el conductor o equipo con material metlico (blindaje de Faraday). Lo ideal es que cubra cien por ciento de la parte a ser protegida y que se conecte a tierra este blindaje para que la capacitancia parasita entre el conductor y el blindaje no actuara como elemento de realimentacin o de crosstalk. La figura 4 muestra la interferencia entre cables, donde el acoplamiento capacitivo entre cables induz transigente (pickups electrostticos) de tensin. En esta situacin, la corriente de interferencia es drenada a tierra por el shield sin afectar los niveles de las seales.

Interferencias electrostticas pueden ser reducidas:

Conexin a tierra y blindajes adecuados. Asolacin ptica. Por el uso de canaletas y abanderamientos metlicos conectados a tierra.

La figura 6 muestra la capacitancia de acoplamiento entre dos conductores separados por una distancia D.

Figura 3 - Medidas para reducir el efecto de acoplamiento capacitivo.

Acoplamiento Inductivo
Figura 4 Interferencia entre cables: el acoplamiento capacitivo entre los cables induz transigente (pickups electrostticos) de tenso. La figura 5 muestra un ejemplo de proteccin contra transigentes. El cable perturbador y el cable victima, son acompaados por un campo magntico. El nivel de perturbacin depende de las variaciones de corriente (di/dt) y de la inductancia de acoplamiento mutuo. El acoplamiento inductivo aumenta con:

Figura 5 - Ejemplo de proteccin contra transigentes (mejor solucin contra corriente de Foucault)

La frecuencia: la reactancia inductiva es directamente proporcional a la frecuencia (XL = 2pfL). La distancia entre los cables perturbadores y vctima y la longitud de los cables que corren en paralelo. La altura de los cables con relacin al plano de referencia (en relacin al suelo). La impedancia de carga del cable o circuito perturbador.

Medidas para reducir el efecto del acoplamiento inductivo entre cable y campo

Figura 7 - Acoplamiento inductivo entre conductores

Medidas para reducir el efecto de acoplamiento inductivo entre cables.

Limite la altura h del cable al plano de tierra. Siempre que sea posible coloque el cable junto a la superficie metlica. Use cables trenzados. Use ferritas y filtros de EMI

Limite la longitud de los cables corriendo en paralelo. Aumente la distancia entre el cable perturbador y el cable vctima. Conecte a tierra una de las extremidades de los shields de los dos cables. Reduzca el dv/dt del perturbador aumentando el tiempo de subida de la seal, siempre que sea posible (Resistores conectados en serie o resistores PTC en el cable perturbador, anillos de ferrita en los perturbadores y/o cable vctima).

Figura 9 - Acoplamiento inductivo entre cable y loop de tierra

Medidas para reducir el efecto de acoplamiento inductivo entre cable y lopp de tierra.

Figura 8 - Acoplamiento inductivo entre cable y campo

Reduzca la altura (h) y el largo del cabo. Siempre que sea posible ponga el cable junto a la superficie metlica Use cables trenzados En altas frecuencias, conexione a tierra el shield en dos puntos (cuidado!) y en bajas frecuencia en un solo punto solamente
.

Figura 10 - Interferencia entre cables: campos magnticos a travs del acoplamiento inductivo entre cables inducen transigentes (pickups electromagnticos) de corriente

Las interferencias Electromagnticas pueden ser reducidas:

Cable trenzado Isolain ptica Por el uso de canaletas y bandejas metlicas de conexin a tierra.

Figura 11 - Inductancia mutua entre dos conductores

Para minimizar el efecto de induccin se debe usar el cable de par trenzado que minimiza el rea (S) y disminuyen el efecto de la tensin inducida Vb en funcin del campo B, balanceando los efectos (medida de los efectos de acuerdo a las distancias):

El cable de par trenzado es compuesto por pares de hilos. Los hilos de un par son enroscados en espiral a fin de, a travs del efecto de cancelacin, reducir el ruido y mantener constantes las propiedades elctricas del medio por toda su extensin. El efecto de cancelacin, reduce la diafona (crosstalk) entre los pares de los hilos y disminuye el nivel de interferencia electromagntica/radiofrecuencia. El nmero de trenzas de los hilos puede ser variado a fin de reducir el acoplamiento elctrico. Con su construccin proporciona un acoplamiento capacitivo entre los conductores del par. Tiene un comportamiento ms eficaz en bajas frecuencias (< 1MHz). Cuando no es blindado, tiene una desventaja en el ruido en modo comn. Para bajas frecuencias, esto es, cuando el largo del cable es menor a 1/20 de extensin de onda de frecuencia del ruido, el blindaje (malla o shield) presentar la misma potencia en toda su extensin, en este caso, se recomienda conectar el blindaje en un solo punto de tierra. En altas frecuencias, esto es, cuando la extensin del cable es mayor que 1/20 de largo de onda de la frecuencia del ruido, el blindaje presentar alta susceptibilidad al ruido, en este caso, se recomienda que sea conectada a tierra en las dos extremidades. En el caso inductivo Vruido = 2pBAcosa donde B es el campo y a es el ngulo en que el flujo corta el area del vector (A) o an en funcin de la inductancia mutua

M: Vruido = 2pfMI donde I e la corriente en el cable de potencia.

Figura 12 - Ejemplo de ruido por induccin

La figura 13 nos muestra el comportamiento de la seal en relacin a la forma de acondicionamiento de tierra y shield. Perciba que la mejor condicin se tiene al conectar a tierra o shield e todava crea un rea metlico de contacto conectada a tierra en una canaleta metlica.

Figura 14 - Profibus-DP y los loops de tierra

Uso de Cables Blindados en la minimizacin de ruidos

En el tema de mejor eficiencia de la proteccin a ruidos, el doble blindaje (trenza y folio), han sido aplicada con mejoras significativas en relacin seal/ruido y podemos comentar que:

Figura 13 Efecto en la seal dependiendo del tratamiento en relacin a tierra y shield.

Con doble proteccin con certeza y eficiente es mayor. Existen cables hasta con ms de 3 protecciones. Cuanto ms cerrada la malla, mejor es la proteccin. Puede utilizar el shield (trenza) y el folio de maneras distintas, aplicando para bajas y altas frecuencias.

A figura 14 detalla la situacin de Profibus-DP y los loops de tierra.

En el caso de bajas frecuencias se puede conectar a tierra el cable en solo una extremidad y se espera que en caso que en estas frecuencias el blindaje presente el mismo potencial. Con esto tendramos una mayor proteccin en ruidos de bajas frecuencias.

En el caso de altas frecuencias, el blindaje presentar alta susceptibilidad al ruido y en este caso, se recomienda que sea conectada a tierra en las dos extremidades (aqu algunos cuidados deben ser tomados en la prctica por cuestiones de la potencia del equipo y en la seguridad). Con esta alternativa de doble proteccin, protegera la comunicacin de bajas y altas frecuencias, siendo mejor en la proteccin de la EMI. La eficacia de la malla (trenza) es generalmente ms eficaz en bajas frecuencias, en cuanto que el folio es ms eficaz en frecuencias ms altas. Los cables con shield en especial requieren ser evaluados pues pueden presentar efectos inductivos y ser ineficientes en altas frecuencias. En cuanto se tiene la conexin a tierra de la malla en un solo punto (ver figura 15), la corriente no circular por la malla y no cancelar campos magnticos. Cuando se conecta a tierra en dos puntos, tiene dos caminos de corriente, uno para bajas y otro para altas frecuencias. Vale la pena recordar que:

corriente circular por el camino de menor inductancia. El camino de menor impedancia es aquel cuyo recorrido de retorno es prximo al recorrido de ida, por presentar mayor capacitancia distribuida y menor inductancia distribuida. Al conectarse a tierra el shield en dos puntos:

Minimizar la extensin del conductor que se extiende fuera del blindaje. Garantizar una buena conexin del shield a tierra.

Ocurre una distribucin de corrientes, en funcin de las frecuencias, pues la corriente tiende a seguir el camino de menor impedancia. Hasta algunos kHx: la reactancia inductiva es despreciable y la corriente circular por el camino de menos resistencia. Sobre kHz: hay predominio de reactancia inductiva y con esto la la

No hay proteccin contra loops de tierra. Daos a los equipos activos posiblemente significativos cuando la diferencia de potencial de tierra entre ambos extremos ultrapase 1 V (rms) (sobre 1 V (rms) no es recomendado conectar a tierra en dos puntos. Se debe tener cuidado!) La resistencia elctrica de conexin a tierra debe ser la ms baja posible en ambos extremos del segmento para minimizar los loops de tierra, principalmente en bajas frecuencias. Minimizar la extensin de la conexin blindaje-referencia, pues este exceso de extensin funciona como una bobina y puede facilitar la susceptibilidad a ruidos. La mejor solucin para el blindaje magntico es reducir el rea de loop. Se utiliza un par trenzado o el retorno de corriente por el blindaje. La efectividad del blindaje del cable trenzado aumento con el nmero de voltas pr cm.

mnimo 0.3 m fuerza/potencia.

hilos

de

Conclusin
El blindaje contra campos magnticos no es tan eficiente cuanto lo es contra campos elctricos. El blindaje solo es eficiente cuando establece un camino de baja impedancia para tierra, y adems de eso, una conectada al potencial de referencia (tierra) del circuito que est siendo blindado. Al conectar a tierra el blindaje en ms de un punto puede ser problemtico. En bajas frecuencias, los pares trenzados absorben la mayor parte de los efectos de la interferencia electromagntica. Ya en altas frecuencias blindaje fluctuante no protege contra interferencias. La malla de blindaje debe ser esos efectos son absorbidos por el blindaje del cable. Vale la pena recordar aun que si un material no-magntico envuelve un conductor hace con que la corriente de este conductor retorne por otro camino de tal modo que el rea definida para el trayecto de esta corriente es menor que cuando el conductor no es envuelto, entonces esta proteccin ser ms efectiva. Siempre que sea posible, conecte las bandejas de cables al sistema de lnea equipotencial.

Figura 15 Blindaje en baja y alta frecuencia & conexin a tierra en uno y dos puntos.

En relacin a inversores, que normalmente sern generadores de ruidos, un punto importante es que la mayora de los inversores posea frecuencia de conmutacin que puede ir desde 1.0 kHz a 30 kHz. Adems de eso, algunos fabricantes de inversores comentan que atienden las normas CE, ms que en instalaciones envolviendo inversores se debe: 1. Conectar a tierra adecuadamente y segn los manuales (shield conectado a tierra en dos extremos y las carcasas de motores conectadas a tierra son recomendables de las fbricas). 2. La potencia de salida, fijacin del control (E/S) y la seal deben ser de cable blindado con cobertura igual o superior a 75%, Potencia de cada, fiasco de controle (E/S) e final deben ser de cabo blindado, trancado con cobertura igual o superior a 75%, hilos conductores metlicos o atenuacin equivalente. 3. Todos los cables bindados deben tener su terminacin en un conector blindado apropiado. 4. Los cables de control y seales deben quedar apartados en lo

Leer ms: http://www.monografias.com/trabajos89/c onceptos-electronica-teoriacircuitos/conceptos-electronica-teoria-

circuitos.shtml#ixzz2ewC3pzqI

Etapa

de potencia