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INSTITUTO TECNOLOGICO DE VERACRUZ


PRACTICA NO. 3

NOMBRE DE LA PRCTICA:
PRINCIPIOS BSICOS DE LA FOTORRESISTENCIA

MATERIA:

OPTOELECTRNICA
GRUPO:

7:00-8:00 AM
Integrantes: Viveros Luna Luis Alejandro Fernando Hidalgo Melndez Canela Castillo Luis ngel

PROFESOR:

ING. MIGUEL VALERIO CANALES

26 de septiembre de 2013

ndice Presentacin Hoja de Evaluacin Objetivo Material Marco Terico Procedimientos Anexo 1 Anexo 2 Conclusiones 0 2 3 3 4 7 9 10 11

GRUPO: 7:00-8:00 AM

EQUIPO NO.

HOJA DE EVALUACION
PRCTICA NO. 3

NOMBRE DE LA PRCTICA:
PRINCIPIOS BSICOS DE LA FOTORRESISTENCIA

MATERIA: OPTOELECTRNICA
PROCEDIMIENTOS:
3.1.- Medicin de la resistencia terminal en funcin de la luz incidente. (Mediciones). 3.2.- Comprobar cmo se puede variar directamente e inversamente el voltaje de salida de un circuito simple con fotorresistencia, en funcin de la luz incidente (Comprobacin con Clculos, Mediciones). 3.3.- Demostrar la operacin de un circuito puente detector de luz con fotorresistencia (Explicar el comportamiento, y comprobar elctricamente).

INTEGRANTES Hidalgo Melndez Fernando Canela Castillo Luis Angel Viveros Luna Luis Alejandro

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.6

CALIF TOTAL

Objetivo:
El alumno ser capaz de medir la resistencia terminal de una fotorresistencia dependiendo de la cantidad de luz incidente, as mismo, demostrar como puede variarse directamente e inversamente el voltaje de salida de un circuito en relacin a la intensidad luminosa.

Material:
Fuente de alimentacin a 6 v Fuente de alimentacin a 12 v Multmetro Miliampermetro L1 Fuente luminosa a 6 v FR1 Fotorresistencia (1 K a 500 K) R1 Resistencia 1 K R2 Resistencia 4.7 K R3 Resistencia 4.7 K R4 Potencimetro 10 K S1 Interruptor S2 Interruptor Protoboard

MARCO TERICO FOTORRESISTECIA Dispositivo semiconductor de dos terminales, cuya resistencia terminal vara linealmente con respecto a la energa luminosa incidente. (Figura 1) Caractersticas: Material de fabricacin: Sulfuro de Cadmio (CdS) Y Seleniuro de Cadmio (CdSe) No presentan una unin como la del fotodiodo. Dispositivo bastante fotosensible Figura 1 Mxima capacidad de respuesta: (CdS) 510nm (CdSe) 615nm Velocidad de conmutacin lenta comparada con otro, dependiente del material de fabricacin. (CdS) 100 mseg. (CdSe) 10 mseg. Condiciones de operaciones (en forma aislada) * Oscuridad: La resistencia aumenta * Iluminacin: la resistencia disminuye por lo tanto aumenta la energa. Con la intensidad de la luz a un nivel constante, el valor de la resistencia de la fotorresistencia depende de los siguientes factores: Material Fotoconductivo Cada material tiene su propia influencia sobre la resistencia y sensibilidad de la fotorresistencia. rea de Recepcin de la Luz Incidente. El aumento del rea de recepcin incrementar la sensibilidad de la fotorresistencia a la luz incidente. Distribucin de las Longitudes de Onda Incidente. Cada fotorresistencia tiene su propia sensibilidad mxima para una longitud de onda especfica (entre 400-700 nm.) una desviacin hacia arriba o abajo reduce la sensibilidad. La respuesta espectral de varios materiales fotoconductores intrnsecos se muestra en la Fig. 1.2 La respuesta de cualquier material cae a mayor longitud de onda porque la energa de los fotones se hace menor que la energa del intervalo de energa del material, con lo cual la energa no es adecuada para excitar los electrones de valencia hasta elevarlos a la banda de conduccin. La respuesta en la zona de longitud de onda menor (ultravioleta) es ms baja porque la absorcin tiene lugar ms cerca de la superficie. La respuesta puede desplazarse dopando el cristal.
Figura 1.2

5 Principio de Funcionamiento La resistencia de estos tipos de componentes vara en funcin de la luz que recibe en su superficie. As, cuando estn en oscuridad su resistencia es alta y cuando reciben luz su resistencia disminuye considerablemente. Cuando incide la luz en el material fotoconductor se generan pares electrn hueco. Al haber un mayor nmero de portadores, el valor de la resistencia disminuye. De este modo, la fotorresistencia iluminada tiene un valor de resistencia bajo. Las clulas son tambin capaces de reaccionar a una amplia gama de frecuencias, incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV). Los materiales que intervienen en su construccin son Sulfuro de Cadmio, utilizado como elemento sensible a las radiaciones visibles y sulfuro de plomo se emplean en las LDR que trabajan en el margen de las radiaciones infrarrojas. Estos materiales se colocan en encapsulados de vidrio o resina. Figura 2. Fotogeneracin de Portadores Si dejamos de iluminar, los portadores fotogenerados se recombinarn hasta volver hasta sus valores iniciales. Por lo tanto el nmero de portadores disminuir y el valor de la resistencia ser mayor. Por supuesto, el material de la fotorresistencia responder a unas longitudes de onda determinadas.
Figura 2

Figura 3. Estado de Conduccin sin Fotogeneracin Es decir, la variacin de resistencia ser mxima para una longitud de onda determinada. Esta longitud de onda depende del material y el dopado, y deber ser suministrada por el proveedor. En general, la variacin de resistencia en funcin de la longitud de onda presentan curvas como las de la Figura 3 figura siguiente:

Figura 4. Curva caracterstica de la LDR

Figura 4

Los fotoconductores resistivos tienen las siguientes ventajas:


1. Alta sensibilidad (debido a la gran superficie). 2. Fcil empleo. 3. Bajo costo. 4. No hay potencial de unin. 5. Alta relacin resistencia luz-oscuridad.

Sus inconvenientes son:


1. Respuesta espectral estrecha. 2. Efectos de histresis. 3. Estabilidad por temperatura baja para los materiales ms rpidos. 4. Respuesta lenta en materiales estables. 5. Falta de linealidad entre resistencia e iluminacin. APLICACIONES: En la Figura 5B se muestran dos aplicaciones de las ms simples de un fotorresistor. Reemplazando un extremo de un simple divisor de tensin por un fotorresistor se obtiene una tensin dependiente de la luz, como muestra la Fig. 5b. Como ejemplo de la sensibilidad de estos fotorresistores, considrese el circuito de la izquierda de la Fig. 5B, con R1 = 10 k y un fotorresistor con condiciones de iluminacin que varan.

Figura 5B

Desarrollo: 3.1.- Medicin de la resistencia terminal en funcin de la luz incidente. (Mediciones).


Examine el circuito de la Fig. 3.1 y proceda a implementarlo, asegurando que L1 y FR1 queden lo mejor alineados posibles. Determine la resistencia de salida en condiciones de diferentes grados de iluminacin y de oscuridad Analice y Explique el comportamiento del circuito.

3.2 .- Comprobacin de como se puede variar directamente e inversamente el voltaje de salida de un circuito simple con fotorresistencia, en funcin de la luz incidente (Comprobacin con Clculos, Mediciones). Examine el circuito de la Fig. 3.2 y explique su comportamiento, posteriormente proceda a implementarlo. Asegurando que L1 y FR1 queden lo mejor alineados posibles.

Calcule el voltaje de salida cuando L1 est apagada y la fotorresistencia FR1 est en oscuridad, posteriormente compruebe mediante su medicin, y justifique textualmente dicho comportamiento. Calcule el voltaje salida cuando L1 est encendida y la Fotorresistencia FR1 est en iluminacin, posteriormente compruebe mediante su medicin, y justifique textualmente dicho comportamiento. Examine el circuito de la Fig. 3.3 y explique su comportamiento, posteriormente proceda a implementarlo.

8 Calcule el voltaje de salida cuando L1 est apagada y la fotorresistencia FR1 est en oscuridad, posteriormente compruebe mediante su medicin, y justifique textualmente dicho comportamiento. Calcule el voltaje salida cuando L1 est encendida y la Fotorresistencia FR1 est en iluminacin, posteriormente compruebe mediante su medicin, y justifique textualmente dicho comportamiento.

3.3 .- Demostracin de la operacin de un circuito puente detector de luz con fotorresistencia (Explicar el comportamiento, y comprobar elctricamente). Examine el circuito de la Fig. 3.4 y explique su comportamiento, posteriormente proceda a implementarlo. asegurndose que L1 y FR1 queden lo mejor alineados posibles.

Ajuste el miliampermetro en la escala correspondiente, y observe que sucede con la direccin de la deflexin de la aguja para condiciones de iluminacin y de oscuridad. Explique el comportamiento.

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