UNIVERSIDAD NACIONAL DE LOJA AREA DE ENERGIA, INDUSTRIA Y RECURSOS NATURALES NO RENOVABLES

Microcontroladores PROF. Ing. juan pablo cabrera.

Deber 1:consultar acerca de los diferentes tipos de memorias. Autor: franklin gualan.

Fecha: 27 de junio del 2012

MEMORIA ROM.

La memoria de solo lectura, conocida tambin como ROM (acrnimo en ingls de read-only memory), es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos electrnicos, que permite solo la lectura de la informacin y no su escritura, independientemente de la presencia o no de una fuente de energa. Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera rpida o fcil. Se utiliza principalmente para contener el firmware (programa que est estrechamente ligado a hardware especfico, y es poco probable que requiera actualizaciones frecuentes) u otro contenido vital para el funcionamiento del dispositivo, como los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los diagnsticos. La mayora de los ordenadores tienen una cantidad pequea de memoria ROM (algunos miles de bytes). Caractersticas. Hace algunos aos, la ROM era una memoria para una sola escritura de datos, en la fbrica se grababa la informacin y ya no era posible modificarla. Almacena configuraciones bsicas de la tarjeta principal ("motherboard"), tales como la informacin del fabricante, la fecha de manufactura, el nmero de serie, el modelo, etc. Integra un programa denominado POST que se encarga de realizar una revisin bsica a los componentes instalados en el equipo antes de que se visualice algo en pantalla. Integra otro programa llamado SETUP, que contiene una serie de mens sobre las configuraciones avanzadas del equipo, las cules pueden ser modificados por el usuario (forma de arranque, dar de alta discos duros, disqueteras, unidades de CD/DVD, velocidad del microprocesador, etc.).

los perifricos de entrada y salida bsicos con que cuenta la computadora as como inicializar un sistema operativo desde alguna unidad de disco o desde la red. CMOS: proviene de las siglas de ("Complementary Metal Oxide Semiconductor") semiconductor complementario xido-metlico. Es el tipo de material con el que est basada la fabricacin de un circuito especial llamado del mismo nombre "CMOS", el cul tiene la caracterstica de consumir un nivel muy bajo de energa elctrica cuando est en reposo. En este material esta basada la construccin de la memoria ROM. SETUP: es un software integrado en la memoria ROM, desde el cul el usuario puede acceder y modificar ciertas caractersticas del equipo antes de que cargue la interfaz de usuario, es decir, el sistema operativo. Tipos actuales de memoria ROM. Tipos de memoria ROM. Hay actualmente 3 tipos principales: Memorias PROM: son las siglas de ("Programable Read Only Memory") memoria programable de slo lectura. Esta memoria permite una nica programacin con un programador PROM, una vez concluida esta equivale a una ROM. Memorias EPROM: son las siglas de ("Erasable Programable Read Only Memory") memoria borrable y programable de slo lectura. Es una variante que permite el borrado por medio de rayos ultravioleta sobre una ventana que tiene el circuito integrado y la reprogramacin electrnica por medio de un programador PROM. Memorias EEPROM: son las siglas de ("Electrically Erasable Programable Read Only Memory") memoria elctricamente borrable y programable de slo lectura. Es la variante que permite alterar el contenido mediante seales elctricas sin necesidad de programadores o borradores. Este tipo de memorias se pueden actualizar con un software de la misma computadora. Usos especficos de la memoria ROM. Se utilizan para el arranque de las computadoras, ya que tienen datos sobre el equipo e informacin que el usuario no debe modificar, por ello son de solo lectura. Estas almacenan tambin datos importantes como la fecha, la hora, los dispositivos instalados, algn pequeo antivirus, etc., los cules el sistema operativo lee, utiliza y modifica como la hora y fecha.

MEMORIA MROM En su sentido ms estricto, se refiere solo a mscara ROM -en ingls, MROM- (el ms antiguo tipo de estado slido ROM), que se fabrica con los datos almacenados de forma permanente, y por lo tanto, su contenido no puede ser modificado de ninguna forma. Sin embargo, las ROM ms modernas, como EPROM y Flash EEPROM, efectivamente se pueden borrar y volver a programar varias veces, an siendo descritos como "memoria de solo lectura" (ROM). La razn de que se las contine llamando as es que el proceso de reprogramacin en general es poco frecuente, relativamente lento y, a menudo, no se permite la escritura en lugares aleatorios de la memoria. A pesar de la simplicidad de la ROM, los dispositivos reprogramables son ms flexibles y econmicos, por lo cual las antiguas mscaras ROM no se suelen encontrar en hardware producido a partir de 2007. Este tipo de ROM tiene sus localidades de almacenamiento ya escritas (programadas) por el fabricante, de acuerdo con las especificaciones del cliente, un negativo fotogrfico llamado mascara se usa para controlar las interconexiones elctricas en el chip. Se requiere una mscara especial para cada conjunto distinto de informacin que se almacenar en la ROM. Debido a que estas mascaras son costosas, este tipo de ROM solo es econmico si usted necesita una gran cantidad de la misma ROM. Algunas ROMs de este tipo estn disponibles como dispositivo de fabricacin normalizada pre programadas con informacin o datos de uso comn, como ciertas tablas matemticas y cdigos generadores de caracteres para visualizadores CRT. Una desventaja importante de este tipo de ROM es que no se puede re programar cuando tiene lugar un cambio de diseo que requiere una modificacin de los datos almacenados. Se tendr que remplazar la ROM por una nueva con los datos que se requieran escritos en ella. Se ha desarrollado varios tipos de ROM que puede programar el usuario para superar esta desventaja. Sin embargo, las ROMs programadas con mascara an representa la opcin ms econmica cuando se necesitan una gran cantidad de ROM programadas de forma idntica. A las ROMs programadas con mascara comnmente slo se les domina ROM, pero esto puede ser confuso puesto que el termino ROM en realidad representa una categora muy amplia de dispositivos que, durante una operacin normal, solo se puede leer. En la figura se muestra la estructura de una MROM bipolar pequea. Consta de 16 celdas de memoria colocadas en cuatro renglones de cuatro celdas, cada celda esta formadas por un transmisor bipolar conectado en configuracin de colector abierto (entrada en la base, salida al emisor). El rengln superior de la celda (REGION 0) forma un registro de 4 bits.

Estructura de una ROM bipolar que ilustra el uso de un transistor bipolar para cada celda de memoria. Una conexin de base abierta almacena uno 0; una conexin de base cerrada almacena un 1.

OTP: MEMORIA EPROM PROGRAMABLE UNA SOLA VEZ. Cuando un microcontrolador con EPROM se encapsula con plstico opaco, se le llama un microcontrolador de programable una sola vez o OTP, Y es el usuario quien puede escribir el programa en el chip mediante un sencillo grabador controlado por un programa desde un PC. La versin OTP es recomendable cuando es muy corto el ciclo de diseo del producto, o bien, en la construccin de prototipos y series muy pequeas. Tanto en este tipo de memoria como en la EPROM, se suele usar la encriptacin mediante fusibles para proteger el cdigo contenido. El silicio dentro de una OTP es idntico a uno encapsulado con una ventana de cuarzo. El encapsulado en plstico es mucho ms barato que el encapsulado en cermico con una ventana de cuarzo. Las MCU con OTP son ideales para aplicaciones de alto volumen.

Las OTP tienen densidades que oscilan entre 256 Kbits a 8 Mbits, las velocidades de hasta 45ns, y las opciones de paquetes que incluyen PDIP, PLCC, SOIC, TSOP, DIP. Los dispositivos son ampliamente utilizados para el almacenamiento embebido el cdigo del programa en aplicaciones tales como: telfonos inalmbricos, localizadores, los jugadores de videojuegos, impresoras, mdems, tarjetas grficas, instrumentos, dispositivos mdicos, automotriz, telecomunicaciones, redes, equipos de control industrial, y las unidades de disco duro.

MEMORIA UV-EPROM.

En la zona central hay una compuerta flotante aislada elctricamente del resto de la estructura. Cuando aplicamos una tensin de aproximadamente 25 V entre el terminal de compuerta de control y el drenaje, la compuerta flotante recibe una carga elctrica que se convierte en un punto de memoria. La carga almacenada en la zona deja un estado lgico alto, que slo puede ser borrado mediante radiacin ultravioleta. De esta manera, si queremos borrar algo tendremos que reprogramar todo el dispositivo. Memorias EEPROM o EAPROM (Memorias de solo lectura programables y borrables elctricamente): Su estructura interna es parecida a las UV-EPROM, solo que estas solo se pueden borrar aplicando una tensin inversa.

MEMORIAS EPROM.

Las EPROM, o Memorias slo de Lectura Reprogramables, se programan mediante impulsos elctricos y su contenido se borra exponindolas a la luz ultravioleta (de ah la ventanita que suelen incorporar este tipo de circuitos), de manera tal que estos rayos atraen los elementos fotosensibles, modificando su estado. Las EPROM se programan insertando el chip en un programador de EPROM y activando cada una de las direcciones del chip, a la vez que se aplican tensiones de -25 a -40 V a los pines adecuados. Los tiempos medios de borrado de una EPROM, por exposicin a la luz ultravioleta, oscilan entre 10 y 30 minutos. Dado que cualquier sistema microprocesado requiere de al menos un mnimo de memoria no voltil donde almacenar ya sea un sistema operativo, un programa de aplicacin, un lenguaje intrprete, o una simple rutina de "upload", es necesario utilizar un dispositivo que preserve su informacin de manera al menos semipermanente. Y aqu es donde comienzan a brillar las EPROMs. Direcciones. El bus de direcciones dispone de tantas lneas como sean necesarias para seleccionar cada una de las posiciones de memoria. Puesto que el bus de datos normalmente tiene una longitud de palabra de 8 bits, 1 byte, cada posicin de memoria direccionada selecciona 8 clulas de memoria a la vez. Por ejemplo una memoria de 2KB, (2048 bytes o 2048 posiciones de memoria) dispone de un bus de 11 bits, (2 elevado a 11 son 2048) y una memoria de 32KB, 32768 bytes, tiene 15 lneas de direccin (2 elevado a 15 son 32768). Datos El bus de datos, normalmente de 8 bits para presentar palabras de 1 byte, presenta en las patillas D0 a D7, el contenido de la memoria en el modo de lectura

y recibe datos en el modo de programacin. Por esta doble funcin dispone de salida triestado. En modo de lectura las patillas de los datos entregan el contenido de la direccin seleccionada o bien, mediante una seal de control, permanente en estado de alta impedancia. En modo programacin las patillas de datos actan como entrada. Programacin y borrado. Para la programacin se utiliza una tensin de programacin (Vpp) y un pulso de programacin PGM. El borrado se realiza mediante luz ultravioleta por lo que la EPROM se encapsula con una ventana. Existen EPROM que carecen de ventana de cuarzo (OTP, programable una sola vez) y por ello no pueden borrarse. Se programan igual que las otras EPROM pero son ms baratas, lo que resulta interesante para la produccin en serie. Funcionamiento interno de la EPROM. La EPROM tiene tantas celdas de memoria como bits deban almacenarse, as una memoria de 2KB tiene 16384 celdas de memoria (2048x8bits). La EPROM almacena los bits en celdas formadas a partir de transistores de tipo FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) un tipo de MOSFET cuya puerta est rodeada por xido de silicio y, en consecuencia, totalmente aislada. La cantidad de carga elctrica almacenada sobre la puerta aislada o flotante determina que el bit de la celda contenga un 1 o un 0; las celdas cargadas son ledas como un 0, mientras que las que no lo estn son ledas como un 1. Tal como las EPROMs salen de fbrica, todas las celdas se encuentran descargadas, por lo cual el bit asociado es un 1; de ah que una EPROM virgen presente el valor hexadecimal FF en todas sus direcciones. Cuando un bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 1 a un 0, con la ayuda de una tensin relativamente alta (la tensin de programacin Vpp), se crea un campo elctrico mediante el cual algunos electrones ganan suficiente energa como para atravesar la capa que asla la puerta flotante. En la medida que estos electrones se acumulan en la puerta flotante, esta toma una carga negativa, lo que finalmente produce que la celda tenga un 0. Uso prctico de las EPROM. Una vez grabada una EPROM con la informacin pertinente, por medio de un "programador" se instala en el sistema correspondiente donde ser utilizada como dispositivo de lectura solamente. Eventualmente, ante la necesidad de realizar alguna modificacin en la informacin contenida o bien para ser utilizada en otra aplicacin, la EPROM se retira del sistema, se borra mediante la exposicin a luz

ultravioleta, se programa con los nuevos datos, y se vuelve a instalar en el sistema de uso como una memoria de lectura solamente. Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte aos, y se puede leer un nmero ilimitado de veces. Las antiguas BIOS de los ordenadores personales eran frecuentemente EPROMs y la ventana de borrado estaba habitualmente cubierta por una etiqueta que contena el nombre del productor de la BIOS, su revisin y una advertencia de copyright. Las EPROM pueden venir en diferentes tamaos y capacidades. As, para la familia 2700 se pueden encontrar:

EPROM 2764

Con el advenimiento de las nuevas tecnologas para la fabricacin de circuitos integrados, se pueden emplear mtodos elctricos de borrado. Estas ROM pueden ser borradas sin necesidad de extraerlas de la tarjeta del circuito. Adems de

EAPROM suelen ser denominadas RMM (Read Mostly Memories), memorias de casi-siempre lectura, ya que no suelen modificarse casi nunca, pues los tiempos de escritura son significativamente mayores que los de lectura. MEMORIA FLASH.

La memoria flash consiste en una pequea tarjeta destinada a almacenar grandes cantidades de informacin en un espacio muy reducido. Usualmente es posible encontrarlas guardando las fotos de una cmara digital, los programas de calles y rutas de un GPS, la agenda de contactos de un telfono celular o los archivos, correos y direcciones de una agenda PDA. Este tipo de tarjetas son denominadas no voltiles, ya que conservan los datos an cuando no se encuentran conectadas a la corriente elctrica. Los primeros dispositivos de este tipo fueron fabricados en 1971 y eran denominadas EPROM por el ingls Erasable Programmable Read-Only Memory. Las tarjetas de memoria flash estn hechas de muchsimas celdas microscpicas que acumulan electrones con diferentes voltajes a medida que la electricidad pasa a travs de ellas, creando as un mapa de diferentes cargas elctricas. De este modo la tarjeta logra guardar la informacin que el usuario requiere. Mientras ms compacta est distribuida su estructura, mayor informacin almacena, y asimismo tambin aumentan los costos en la fabricacin de estos dispositivos. La otra forma de almacenar toda esta informacin es a travs de un disco duro, y la gran diferencia que tienen con las tarjetas de memoria flash, es que estas ltimas no cuentan con partes mviles (como el lector del disco), sino que estn formadas por una sola pieza fabricada en un material semiconductor. De este modo se configura como un dispositivo de tamao muy reducido que no pierde los datos cuando sufre de movimientos fuertes y/o golpes. Generalmente son de forma cuadrada o rectangular y se pueden conectar al computador a travs de un puerto USB, por lo tanto, es posible intuir que se trata tambin de los famosos pendrive o llaveros USB.

Existen distintos formatos para las memorias flash: CompactFlash (CF) I y II Memory Stick (MS) MicroSD MiniSD Multi Media Card (MMC) Secure Digital (SD) SmartMedia Card (SM/SMC) xD-Picture Card. MEMORIA RAM

RAM proviene de ("Read Aleatory Memory") memoria de lectura aleatoria: es un dispositivo electrnico que se encarga de almacenar datos e instrucciones de manera temporal, de ah el trmino de memoria de tipo voltil ya que pierde los datos almacenados una vez apagado el equipo; pero a cambio tiene una muy alta velocidad para realizar la transmisin de la informacin. En la memoria RAM se carga parte del sistema operativo (Linux Ubuntu, Apple MacOS, Microsoft Windows 7, etc.), los programas como (Office, Winzip, Nero, etc.), instrucciones desde el teclado, memoria para desplegar el video y opcionalmente una copia del contenido de la memoria ROM. Ejemplo: cuando damos doble clic a la aplicacin Microsoft Word, el programa ser ledo desde el disco duro e inmediatamente la computadora buscar almacenarlo en la memoria RAM, ello para que el usuario lo utilice sin la lentitud que implicara trabajarlo desde el disco duro, y una vez terminada de usar la aplicacin, la RAM se libera para poder cargar el prximo programa a utilizar. Tipos de memoria RAM. Hay tres tipos de memorias RAM, las primeras son las DRAM, SRAM y una emulacin denominada Swap: Tipo 1, DRAM: las siglas provienen de ("Dinamic Read Aleatory Memory") dinmicas, debido a que sus chips se encuentran construidos a base de condensadores (capacitores), los cules necesitan constantemente refrescar su carga (bits) y esto les resta velocidad pero a cambio tienen un precio econmico. Ejemplo: hagamos una analoga con una empresa que fabrica hielo, pero para ello no cuenta con una toma de agua, sino que constantemente necesita de pipas con agua para realizar su producto. esto la hace lenta ya que tiene que esperar que le lleven la materia de trabajo constantemente.

La siguiente lista muestra las memorias RAM en modo descendente, la primer liga es la mas antigua y la ltima la mas reciente. Memoria RAM tipo TSOP. Memoria RAM tipo SIP. Memoria RAM tipo SIMM. Memoria RAM tipo DIMM - SDRAM. Memoria RAM tipo DDR/DDR1 y SO-DDR. Memoria RAM tipo RIMM. Memoria G-RAM / V-RAM (Actual). Memoria RAM tipo DDR2 y SO-DDR2 (Actual). Memoria RAM tipo DDR3 y SO-DDR3(Actual). Memoria RAM tipo DDR4 y SO-DDR4 (Prxima Generacin).

Tipo 2. SRAM: las siglas provienen de ("Static Read Aleatory Memory") estticas, debido a que sus chips se encuentran construidos a base de transistores, los cules no necesitan constantemente refrescar su carga (bits) y esto las hace sumamente veloces pero tambin muy caras. El trmino memoria Cach es frecuentemente utilizada pare este tipo de memorias, sin embargo tambin es posible encontrar segmentos de Cach adaptadas en discos duros, memorias USB y unidades SSD. Ejemplo: hagamos una analoga con una empresa que fabrica hielo, la cul cuenta con una toma de agua, por lo que no necesita esperar la llegada pipas carros tanque, sino que inmediatamente puede realizar sus funciones. Esto la hace rpida ya que tiene la materia de trabajo constante. Memorias SRAM para insertar en ranura de la tarjeta principal (Motherboard). Memorias Cach integradas en los discos duros. Memorias Cach integradas en los microprocesadores. Tipo 3. Swap. La memoria virtual memoria Swap ("de intercambio") no se trata de memoria RAM como tal, sino de una emulacin (simulacin funcional), esto significa que se crea un archivo de grandes dimensiones en el disco duro unidad SSD, el cul almacena informacin simulando ser memoria RAM cundo esta se encuentra parcialmente llena, as se evita que se detengan los servicios de la computadora. Este tipo de memoria se populariz con la salida al mercado de sistemas operativos grficos tales como MacOS de Macintosh (actualmente Apple) Windows de Microsoft, debido a que la memoria instalada en la computadora es regularmente insuficiente para el uso de ventanas, aunque al parecer el sistema operativo UNIX lo utilizaba de manera normal antes que sus competidores.

En los sistemas operativos Microsoft Windows Vista/Microsoft Windows 7, con el software ReadyBoost y en Microsoft Windows XP con ayuda de algunas utilidades como EBoostr, es posible utilizar un archivo de intercambio (Swap) en memorias USB e incluso en memorias SD, MemoryStick, etc., que permiten aumentar la velocidad del equipo. Bsicamente no debe ser menor a 256 MB la capacidad disponible del dispositivo, tener una velocidad alta de transmisin de datos y asignarse del siguiente modo: a) Mnimo: (Total de RAM) + (1/2 Total de RAM) b) Mximo: 3X(Total de RAM) Ejemplo: Si tengo 1 GB en RAM, debo tener mnimo (1 GB + 0.5 GB)= 1.5 GB, y mximo 3X(1 GB)= 3 GB. Nota: Es bien sabido que el uso "puro" de la RAM es lo ms veloz, ya que el tiempo de acceso es mucho menor que el de una memoria Flash (USB, SD, MMC, etc.) de un disco duro; esto se logra deshabilitando la memoria virtual en el Panel de Control, sin embargo slo se recomienda si se cuenta con una gran cantidad de RAM disponible (Microsoft Windows 95, 98 y ME con 512 MB, Microsoft Windows XP con ms de 1 GB, Microsoft Windows 7 con ms de 3 GB), en caso de no contar con RAM suficiente, Windows automticamente crear el archivo SWAP para evitar detener sus servicios, en el caso de Linux, es requisito contar con espacio asignado para memoria Swap . Estructura lgica de una memoria RAM. Desde las primeras computadoras, la estructura lgica ha sido la siguiente: Memoria base: desde 0 hasta 640 KB (KiloBytes), es en esta zona dnde se almacena la mayora de los programas que el usuario utiliza. Memoria superior y reservada: de 640 a 1.024 MB (MegaBytes), carga unas estructuras llamadas pginas de intercambio de informacin y unos bloques de memoria llamados UMB. Bloques UMB (Upper Memory Blocks): se trata de espacios asignados para el sistema dentro de la memoria superior, pero debido a la configuracin de diversos dispositivos como el video, en algunos casos estos espacios quedan sin utilizar, por lo que se comenz a pensar en utilizarlos de modo funcional, lo que se logra con optimizadores de memoria como el comando "memmaker" de Ms-DOS, que se utilizaba estos bloques para cargar ciertos Drivers (controladores que permiten al Hardware ser utilizado en el sistema). Memoria expandida: se trata de memoria paginada que se asigna a programas en memoria superior, la cul algunas veces no se utilizaba debido a la configuracin del equipo y con este mtodo se puede utilizar.

 Memoria extendida: de 1.024 MB hasta 4 GB (Gigabytes), se cargan todas las aplicaciones que no caben en la memoria base. Antes debido a que los equipos contaban con memoria RAM limitada, existan utileras que reacomodaban los programas cargados en memoria para optimizar su funcionamiento, inclusive el sistema operativo Microsoft Ms-DOS necesitaba de un controlador especial (himem.sys), para reconocer la memoria extendida, sin l solo reconoca 640 KB aunque hubiera instalados ms de 1 MB.

BIBLIOGRAFIA www.electronicafutura.blogspot.com www.labv87.blogspot.com www.arkanosant.blogspot.com www.scribd.com