TRABALHO DE ESTUDO DIRIGIDO ED - 2013 CURSO DE ENGENHARIA MECNICA / PRODUO

ESTUDO DIRIGIDO DE ELETRNICA GERAL

Cirineu J. de C. Rosa, Evandro C. de Paula, Gustavo P. de V. Paiva e Luiz Fernando S. V. Menezes*
Engenharia de Produo, Escola Tcnica Everardo Passos Faculdades, Av. Baro do Rio Branco, So Jos dos Campos SP, Brasil *e-mail: luiz.fsvm@gmail.com

Resumo: Este projeto tem por objetivo aplicar os conceitos de transistores BJT e diodos funcionando como chave. Estes dispositivos foram utilizados em simulaes de portas lgicas NOT, AND, OR, NAND e NOR com a aplicao de chaves (swithces) e um led em cada circuito, podendo atravs dele verificar o resultado lgico. Palavras Chave: transistores, diodos, portas lgicas, led.

I. INTRODUO
O diodo um dispositivo que pode se comportar como um isolante ou condutor (funcionando assim como uma chave), dependendo da forma com que as tenses so aplicadas em seus terminais, anodo (terminal positivo) e catodo (terminal negativo), realizando assim a passagem ou no de tenso e corrente, permitindo ou impedindo a alimentao do restante de um circuito. Ao se aplicar uma tenso no anodo do diodo, sendo esta superior a que se encontra no catodo, ocorre a chamada polarizao direta, quando o dispositivo tende a conduzir e comporta-se como uma chave fechada, havendo uma queda de aproximadamente 0,7V. A polarizao inversa ocorre quando a tenso maior aplicada no catodo, fazendo com que o diodo comporte-se como uma chave aberta. Os transistores BJT so encontrados em dois tipos, NPN e PNP, os quais se diferem de acordo com suas polarizaes, e possuem trs terminais, coletor, base e emissor. O utilizado neste projeto do tipo NPN, o qual polarizado ao ser aplicado valores de tenso na base (desde que acima de 0,7V) e no emissor simultaneamente. Ao realizar este procedimento, o transistor ir funcionar como uma chave fechada, transmitindo a corrente em direo ao emissor, possibilitando a alimentao do restante do circuito. Quando pelo menos um dos terminais (coletor ou base) no estiver alimentado, no ocorrer esta passagem, fazendo do transistor uma chave aberta.

A porta OR composta por dois transistores, com uma tenso fixa em seus respectivos coletores e duas chaves, uma em cada base. Com as chaves abertas no h tenso em nenhuma das bases, portanto os transistores se comportaro como chaves abertas, no permitindo a passagem de corrente ao led. Ao se fechar CH1, Q1 se comportar como chave fechada, transmitindo correndo no sentido do emissor, fazendo com que esta se divida entre R1 e o led, assim acendendo-o. Ao se fechar CH2, o transistor Q2 se comportar do mesmo modo. Com as duas chaves fechadas tambm seguir o mesmo comportamento, porm com Q1 e Q2 comportando-se como chaves fechadas. Na porta NAND, quando as duas chaves estiverem abertas haver a presena de tenso no anodo dos dois diodos utilizados, fazendo-os polarizarem diretamente e se comportarem como chaves fechadas, levando corrente e acendendo o led. Quando apenas uma das chaves estiver aberta, o respectivo diodo ligado a ela ser polarizado diretamente, tambm levando corrente ao led e fazendo-o acender, no importando a situao da outra chave. Ao se fechar as duas chaves, a maior corrente tende a seguir o caminho das chaves at o terra, no havendo corrente suficiente para acender o led, mantendoo apagado. Por fim, na porta NOR, ao se abrir as duas chaves a corrente forada a seguir o caminho de R3 at o led, possibilitando com que ele seja aceso. Ao se fechar CH1, o esquema eltrico utilizado nesta configurao tende a fechar um circuito paralelo entre D2 e o led, devido a isto, a tenso nestes dois componentes ser de 0,7V (padro do diodo), no sendo suficiente para acender o led. O mesmo acontece quando se fecha CH2, porm entre D1 e o led. O restante da tenso acumulada nos respectivo resistor. Ao fechar as duas chaves simultaneamente ocorre o mesmo princpio em cima dois diodos e do led.

III. MEDIES
As medidas apresentadas a seguir foram obtidas com a utilizao de multmetro:
PORTA NOT (CH1=0) NOT (CH=1) AND (CH1=0) (CH2=0) AND (CH1=1) (CH2=0) VCB(V) 5 -0,715 -0,342 5,2 VCE(V) 2,045 0,100 0,464 0,574 VBE(V) -3,2 0,816 -1,902 -2,163 VL(V) 2,046 0,107 -3,120 -3,130

II.DESENVOLVIMENTO DO PROJETO
Com base nos estudos das portas lgicas, explanaremos primeiramente a funcionalidade e objetivo de cada uma. Na porta NOT h uma chave que ir permitir a entrada ou no de tenso na base do transistor utilizado. Sabendo que h uma tenso fixa no coletor, ao se fechar a chave haver entrada de 5V na base, fazendo com que o transistor comporte-se como uma chave fechada, fazendo com que a maior corrente passe por ele, mantendo o led apagado. Ao abrir a chave, a corrente tende a seguir o nico caminho possvel (em direo ao led), mantendo-o aceso. Foi utilizado um transistor na montagem da porta AND, onde as duas chaves foram aplicadas uma no coletor e outra na base. O transistor funcionar como chave fechada somente quando houver tenso nestes dois pontos permitindo a passagem de corrente no sentido do emissor, sendo assim, o led acender somente quando CH1 e CH2 estiverem fechadas. Ao abrir-se uma das chaves, no haver tenso no respectivo ponto, fazendo com que o transistor se comporte como uma chave aberta.

PORTA AND (CH1=0) (CH2=1) AND (CH1=1)

VCB(V) -0,572 1,603

VCE(V) 0 2,280

VBE(V) 0,580 0,671

VL(V) 1,637 1,878

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(CH2=1) OR (Q1) (CH1=0) (CH2=0) OR (Q2) (CH1=0) (CH2=0) OR (Q1) (CH1=1) (CH2=0) OR (Q2) (CH1=1) (CH2=0) OR (Q1) (CH1=0) (CH2=1) OR (Q2) (CH1=0) (CH2=1) OR (Q1) (CH1=1) (CH2=1) OR (Q2) (CH1=1) (CH2=1)

5,69 6,73 5,54 2,206 2,205 4,95 1,809 1,773

5,098 5,102 2,946 2,965 2,927 2,932 2,538 2,545

-3,108 -2,966 -3,077 0,727 0,715 -3,033 0,733 0,750

0 0 2,075 2,075 2,130 Figura 2: Montagem da porta NOT. 2,130 2,053 2,053 Figura 3: Tabela da verdade da porta NOT.

PORTA NAND (CH1=0) (CH2=0) NAND (CH1=1) (CH2=0) NAND (CH1=0) (CH2=1) NAND (CH1=1) (CH2=1) NOR (CH1=0) (CH2=0) NOR (CH1=1) (CH2=0) NOR (CH1=0) (CH2=1) NOR (CH1=1) (CH2=1)

VD1(V) 0,7 0,7 -2,6 -2,6 -2,57 -2,57 0,7 0,7

VD2(V) 0,7 -2,6 0,7 -2,6

VL(V) 2 1,95
CH1 CH2 Key = A

1,95
Key = A

R1 1k

Q1

BC548BP RL 470 LED1

V1 5V

-2,57 0,7 -2,57 0,7

2,03 0,7 0,7 0,7 Figura 4: Esquema eltrico da porta AND.

R2 100

CH1 Key = A V1 5V

R1 1k

Q1

V2 5V LED1

BC548BP

Figura 1: Esquema eltrico da porta NOT.

Figura 5: Montagem da porta AND.

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Figura 9: Tabela da verdade da porta OR. Figura 6: Tabela da verdade da porta AND.
R2 100 D1
BC548BP Q2

CH1 Key = A

R2 1k

Q1

R1 100

1N4007G CH2 Key = A D2 R3 1k LED1

CH2 Key = A

R3 1k

BC548BP

V1 5V

V1 5V

R1 1k

LED1

CH1 Key = A

1N4007G

Figura 7: Esquema eltrica da porta OR.

Figura 10: Esquema eltrico da porta NAND.

Figura 8: Montagem da porta OR. Figura 11: Montagem da porta NAND.

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IV. COMENTRIOS E CONCLUSES
Foi verificado que os resultados obtidos se enquadram conforme os resultados das respectivas portas lgicas, sendo assim, conclui-se que possvel utilizar somente transistores e diodos para realizar as programaes necessrias. Outra verificao realizada deve-se a diferena, porm aceitvel, entre os resultados das correntes e tenses obtidas manualmente (clculos) e atravs de medies (multmetros), portanto as partes tericas e prticas so condizentes.

V. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
[1] [2] Figura 12: Tabela da verdade da porta NAND. [3] [4] http://www2.feg.unesp.br/Home/PaginasPessoais/ProfMarceloWendling/2--diodo-semicondutor.pdf http://aquarius.ime.eb.br/~aecc/FundEngEle/Diodos.pdf http://www.eletrica.ufpr.br/ufpr2/professor/36/TE214/2011/BIPOLAREletronica-P1-4p-White.pdf http://ltodi.est.ips.pt/beirante/electronica1/Acet_BJT.pdf

R2 100 R1 100 V1 5V D1 1N4007G CH2 Key = A D2 1N4007G CH1 Key = A

R3 100

LED1

Figura 13: Esquema eltrico da porta NOR.

Figura 14: Montagem da porta NOR.

Figura 15: Tabela da verdade da porta NOR.