UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO FACULTAD DE INGENIERA EN SISTEMAS, ELECTRNICA E INDUSTRIAL INGENIERA INDUSTRIAL EN PROCESOS DE AUTOMATIZACIN 1.

DATOS INFORMATIVOS: NOMBRE:

lvarez Rojas Kevin Marcelo

NIVEL:

Cuarto Semestre

FECHA:

19 de mayo de 2011

MDULO:

ELECTRNICA

TEMA:

TIEMPOS DE CONMUTACIN DEL TRANSISTOR

Ambato Ecuador

2.- OBJETIVO GENERAL: Identificar los tiempos de conmutacin de un transistor.

3.- OBJETIVOS ESPECFICOS: Investigar en el texto de Boylestad ya que dicha libro lo utilizamos en clase. Obtener grficas para un mejor entendimiento. Reconocer las ecuaciones para el clculo de los tiempos de conmutacin.

4.- MARCO TERICO: Transistores de Conmutacin Existen transistores que se les denomina transistores de conmutacin debido a la velocidad con que cambian de un nivel de voltaje a otro. En la figura 3 los perodos de tiempo definidos como ts, td, tr y tf se proporcionan en funcin de la corriente de colector. Su impacto sobre la velocidad de respuesta de la salida del colector se define por la respuesta de la corriente de colector de la figura 4. El tiempo total necesario para que el transistor cambie del estado "apagado" al "encendido" esta designado como tencendido y definido por:

siendo td el tiempo de retardo entre el estado de cambio de la entrada y el comienzo de una respuesta en la salida. EI elemento de tiempo tr , es el tiempo de subida del 10 al 90% del valor final.

Figura 3: Tiempos de Conmutacin

Figura 4: Definicin de los intervalos de tiempo de una forma de onda de pulso. El tiempo total que requiere un transistor para cambiar del estado "encendido" al "apagado" se Io conoce como tapagado y se define as:

donde ts es el tiempo de almacenamiento y tf es el tiempo de bajada del 90 al 10% del valor inicial. Tiempos de conmutacin

Figura 1: Potencia Disipada Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. Pero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de potencia disipada (figura 1), ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener un valor apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en el transistor va a ser mayor. Estas prdidas aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar sta, tambin lo hace el nmero de veces que se produce el paso de un estado a otro. Podremos distinguir entre tiempo de excitacin o encendido (ton) y tiempo de apagado (toff) (figura 2). A su vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos.

Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se aplica la seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la seal de salida alcanza el 10% de su valor final. Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final. Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde que se quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su valor final. Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.

Figura 2: Tiempos de conmutacin Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones :

Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) ser siempre mayor que el tiempo de encendido (ton). Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia mxima a la cual puede conmutar el transistor:

5. BIBLIOGRAFA.http://www.pablin.com.ar/electron/cursos/trpot/index.htm Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Boylestad-Nashelsky, Octava Edicin, pags 151 205 - 206