Fsica de los Semiconductores Fsica de los Semiconductores

Introduccin a la Electrnica
Estructura atmica Estructura atmica
De acuerdo al modelo mecanocuntico del tomo, existen niveles energticos
discretos en los cuales pueden residir los electrones.
Cada uno de estos niveles est representado por un conjunto de nmeros Cada u o de estos ve es est ep ese tado po u co ju to de e os
cunticos:
n = nivel principal
l = subnivel azimutal (0, 1, 2, 3)
m = momento magntico m = momento magntico
s = spin (sentido de giro)
Principio de Exclusin de Pauli: 2 electrones no pueden tener el mismo
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Principio de Exclusin de Pauli: 2 electrones no pueden tener el mismo
nmero cuntico (n,l,m,s).
Estructura atmica del Si Estructura atmica del Si
El silicio tiene nmero atmico 14; es decir que posee 14 electrones.
Distribucin de electrones:
Orbital 1s 2
Orbital 2s 2
Orbital 2p 6
Orbital 3s 2
Orbital 3p 2
Electrones de valencia (nivel de energa 3) 4 Electrones de valencia (nivel de energa 3) 4
Los electrones de valencia son los que con la menor energa posible pueden
abandonar el ncleo al que pertenecen, y por ende forman enlaces covalentes
o inicos con los tomos que estn alrededor.
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Estructura atmica del Si Estructura atmica del Si
De acuerdo a las posibles combinaciones de nmeros cunticos, la cantidad
mxima de estados por subnivel es:
s=1 2 electrones s 1 2 electrones
p=2 6 electrones
d=3 10 electrones
Observando la estructura del tomo de Si, se nota que el ltimo subnivel est
incompleto. Esto origina la posibilidad de enlaces covalentes con tomos
vecinos.
Existe la posibilidad que un electrn cambie su nivel energtico. Para esto Existe la posibilidad que un electrn cambie su nivel energtico. Para esto
debe ganar o perder energa, lo cual puede producirse por agitacin
trmica o impacto de un fotn (dualidad onda-corpsculo).
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Bandas de Energa Bandas de Energa gg
El tomo aislado posee niveles de energa discretos donde pueden residir los
electrones.
Al formar estructuras cristalinas, hay interaccin entre los campos elctricos o a est uctu as c sta as, ay te acc e t e os ca pos e ct cos
de los tomos vecinos, y debido al principio de Exclusin de Pauli, los niveles
de energa cambian ligeramente dentro del cristal, formando entonces bandas
de energa :
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Modelo de Enlace Modelo de Enlace
Modelo de enlace del silicio:
R i 2D Representacin en 2D
Cada par de lneas indica el
enlace entre 2 tomos.
Modelo simplificado (no cuntico) Modelo simplificado (no cuntico)
Ion de Silicio con carga +4q
A 0K se comporta como aislante pues
no hay electrones libres Todos los enlaces no hay electrones libres. Todos los enlaces
estn completos.
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Electrones y Huecos Electrones y Huecos yy
A mayor temperatura se producen vibraciones
en la red cristalina que pueden dar como
resultado que algunos electrones de valencia
rompan el enlace (generacin trmica) y pasen
a la banda de conduccin, transformndose en
portadores.
Esto hace que existan electrones libres que se q q
desplazan dentro del cristal
Los electrones dejan puestos vacantes que
sern cubiertos por otros electrones en
movimiento lo cual se puede pensar como movimiento, lo cual se puede pensar como
una vacante mvil llamada hueco.
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Generacin y Recombinacin Generacin y Recombinacin yy
Los electrones pueden moverse de la banda de valencia a la de conduccin
fundamentalmente por agitacin trmica e impacto con fotones. u da e ta e te po ag tac t ca e pacto co oto es.
Tasa de generacin total:
G = Gth(T) + Gop [1/cm
3
*seg]
Recombinacin es el proceso de balance natural por el cual los enlaces p p
incompletos por los electrones que abandonan los tomos son
reconstituidos.
R = k*(n*p) [1/cm
3
*seg]
E di i bi l ( di i i En condiciones ambientales constantes (temperatura, radiacin ptica,
campos elctricos) se cumple:
G = R
La recombinacin puede ser trmica (calentamiento cristal) u ptica
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La recombinacin puede ser trmica (calentamiento cristal) u ptica
(emisin de fotones en GaAs).
Silicio intrnseco Silicio intrnseco
Densidad atmica del Si: 5x10
22
/cm
3
Concentracin electrones de valencia: 2x10
23
/cm
3
Concentracin electrones de valencia: 2x10
3
/cm
3
En el silicio intrnseco en condicin de equilibrio trmico n = p
n *p = n
2
= p
2
= n
2
(T) n
0
p
0
= n
0
= p
0
= n
i
(T)
n
i
(T) = concentracin intrnseca = 10
10
[1/cm
3
] a 27C
n
i
(T) se duplica cada 10C
n
i
2
(T) = 10
20
[1/cm
3
]
i
( ) [ / ]
Relacin portadores a 27C respecto a densidad atmica = 2x10
-13
Sin
uso prctico
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Dopado Dopado pp
Dopado
Se agregan impurezas ya sea del grupo III o grupo V
Se incrementa la cantidad de huecos o electrones disponibles
D (V) F f (P) A i (A ) A i i (Sb) Donantes (V): Fsforo (P), Arsnico (As), Antimonio (Sb)
Aceptores (III): Boro (B), Aluminio (Al), Galio (Ga), Indio (In)
Dopado bajo: 1 en 5000.000.000 (10
13
[1/cm
3
]) p j ( [ ])
Dopado alto: 1 en 5.000 (10
19
[1/cm
3
])
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Dopado (donantes) Dopado (donantes) p ( ) p ( )
Al utilizar elementos del grupo V, 4 de los 5 electrones de valencia forman
enlaces con los tomos vecinos de silicio. El 5 electrn queda dbilmente
ligado al tomo donante y puede moverse fcilmente, dejando un in
positivo +q
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Dopado (donantes) Dopado (donantes) p ( ) p ( )
El semiconductor dopado sigue manteniendo su neutralidad elctrica:
q*(p
0
-n
0
+N
D
+
) = 0
2
/ +N 0 n
i
2
/n
0
-n
0
+N
D
= 0
2
D
2
i D D
0
N
4n
1
2
N
2
N
n + + =
Como N
D
>>n
i
n
0
N
D
La generacin trmica de electrones se puede despreciar.
La concentracin de electrones es igual a la cantidad de tomos donantes.
d h La concentracin de huecos es:
p
0
= 10
20
/N
D
[1/cm
3
]
Material tipo N. Los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos
los minoritarios
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los minoritarios.
Dopado (aceptores) Dopado (aceptores) p ( p ) p ( p )
Al utilizar elementos del grupo III, los 3 electrones de valencia forman
enlaces con los tomos vecinos de silicio. Sin embargo queda una vacante
que puede ser llenada fcilmente por un electrn. El hueco puede as
d d moverse, dejando un in negativo q.
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Dopado (aceptores) Dopado (aceptores) p ( p ) p ( p )
El semiconductor dopado sigue manteniendo su neutralidad elctrica:
q*(p
0
-n
0
-N
A
-
) = 0
2
/ N 0 n
i
2
/n
0
-n
0
-N
A
= 0
2
A
2
i A A
0
N
4n
1
2
N
2
N
p + + =
Como N
A
>>n
i
p
0
N
A
La generacin trmica de electrones se puede despreciar.
La concentracin de huecos es igual a la cantidad de tomos donantes.
d l La concentracin de electrones es:
n
0
= 10
20
/N
A
[1/cm
3
]
Material tipo P. Los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones
los minoritarios
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los minoritarios.
Dopado Dopado pp
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Densidad de estados Densidad de estados
Existen bandas de energa permitidas (valencia conduccin). Las bandas
contienen tantos estados de energa como 4*N tomos contenga el cristal;
pero en realidad existe una distribucin de niveles que vienen dadas por: pero en realidad existe una distribucin de niveles que vienen dadas por:
h = 6.62x10
-34
[J seg]
g
c
y g
v
son las densidades de estados para cierto nivel de energa E.
m* y m* son las masas efectivas de electrones y huecos (equivalente clsico
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m
n
y m
p
son las masas efectivas de electrones y huecos (equivalente clsico
de un fenmeno cuntico).
Distribucin de Fermi Distribucin de Fermi
La ocupacin de los diferentes estados energticos obedece una ley
probabilstica:
k = cte Boltzmann = 8.62x10
-5
[ev/K]
E
F
= Nivel de Fermi
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Factor de ocupacin Factor de ocupacin pp
La distribucin de portadores o factor
de ocupacin ser:
n g
c
(E)*f(E)
p g
v
(E)*(1-f(E))
Dependiendo del dopaje del
semiconductor, el nivel de energa de
Fermi se ubica cerca de la banda de
conduccin o cerca de la banda de
valencia
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Velocidad de desplazamiento Velocidad de desplazamiento pp
A temperatura ambiente, los electrones y huecos en el silicio se mueven
aleatoriamente, a una velocidad llamada velocidad trmica. V
te
10
7
[cm/seg]
(1/3000 de c).
En su movimiento los electrones y huecos chocan entre s, o con la superficie
del material, o son capturados por tomos ionizados.
Tiempo de colisin promedio:
c
= 0.1pseg.
Trayectoria libre promedio: =
c
x V
te
= 10nm y p
c te
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Velocidad de desplazamiento Velocidad de desplazamiento pp
En equilibrio trmico, los huecos y electrones no
tienen movimiento neto dentro de la red cristalina; es
decir que la posicin de los mismos no cambia en
el tiempo.
Esto es vlido siempre que no haya campos elctricos
aplicados: E = 0
Se cumple que:
( ) ( ) ( )
0
3
x x x x x x
x
i
3
f i
2
f i
1
f
~
+ +
=
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Velocidad de desplazamiento Velocidad de desplazamiento pp
La situacin es diferente si hay un campo elctrico
aplicado.
Notacin: E>0 en sentido de crecimiento del eje x.
El movimiento neto ahora no ser nulo debido a la
presencia de E
( ) ( ) ( )
0
3
x x x x x x
x
i
3
f i
2
f i
1
f
<
+ +
=
Los electrones sern atrados hacia el potencial (+)
del campo elctrico
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Velocidad de desplazamiento Velocidad de desplazamiento pp
Velocidad de desplazamiento de electrones:
0 0 si E

v
x
> < = 0 0 si E

v
t
dn
> < =
*E v
n dn
=

n
= movilidad del electrn [cm
2
/V seg]
La movilidad depende de la temperatura y del dopado que tenga el
semiconductor.
La movilidad disminuye con el aumento de la temperatura debido a la
agitacin trmica que provoca mayores colisiones, disminuyendo c
*E v
p dp
=
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p dp
Movilidad a Movilidad a TT
amb amb amb amb
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Velocidad vs E Velocidad vs E
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Corriente de desplazamiento Corriente de desplazamiento pp
Los portadores se desplazan a lo largo del semiconductor, al aplicar un campo
elctrico externo.
Los huecos se mueven en direccin al campo y los electrones en sentido p y
inverso.
Este movimiento o transporte de cargas genera una corriente de
desplazamiento a travs del semiconductor.
Se ntifi on n p rmetro ll m do Densidad de Corriente J Se cuantifica con un parmetro llamado Densidad de Corriente J.
J
p
dr
J
n
dr
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Densidad de corriente desplazamiento Densidad de corriente desplazamiento pp
Clculo de J para huecos:
Clculo de J para electrones: J p
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Ejemplo Ejemplo j p j p
Dibujar J en funcin del campo elctrico para un trozo de silicio de tipo N,
dopado con N
D
= 10
17
[1/cm
3
]. Considerar T
amb
= 27C.
Para campos elctricos chicos, es vlido: p ,
n = N
d
) (
sat dn n
dr
n
v v E qn J << =
La saturacin ocurre para E 10
4
[V/cm]

n
800 [cm
2
/VSeg]
J = 12,8 E [A/cm
2
]
J 128 [kA/
2
]
OJ O
J
max
128 [kA/cm
2
]
I
max
= 32 [mA]
V
max
= 10
4
[V/cm]*1[m] = 1[V]
I (huecos) = 480 [pA]
OJ O
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I
max
(huecos) = 480 [pA]
Resistencias integradas Resistencias integradas gg
Trozo de silicio dopado N o P con
contactos metlicos y potencial elctrico
aplicado.
Campo elctrico (en la direccin de x)
dentro del silicio:
E = V/L [V/cm]
Densidad de corriente de desplazamiento
originada por este campo elctrico:
La corriente circulante vendr dada por el producto de J y el rea transversal:
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Resistencias integradas Resistencias integradas gg
Por ende la resistencia del material semiconductor es:
Al primer trmino se lo conoce como resistividad () [cm] p () [ ]
Para dopajes N entre 10
13
y 10
19
[1/cm3] se logran resistividades entre 500
[cm] y 5 [mcm ] (cobre = 1,7 [cm ])
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Difusin Difusin
Es el proceso natural en el cual la existencia de un gradiente provoca una
accin tendiente a anularlo.
An en ausencia de un campo elctrico, los portadores se mueven hacia
regiones de menor concentracin.
Este movimiento establece una circulacin de corriente adicional al proceso de
despl z miento desplazamiento.
Esta corriente existir hasta tanto no se logre la uniformidad.
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Densidad de corriente de difusin Densidad de corriente de difusin
Cuanto mayor sea la no uniformidad en la concentracin de portadores, mayor
ser la corriente resultante:
Si cada portador tiene una carga q y el semiconductor tiene una seccin
transversal A, tendremos:
D
n
= cte de Difusin [cm
2
/Seg] para electrones. D
p
para huecos.
D = 34 [cm
2
/Seg] y D = 12[cm
2
/Seg] para silicio intrnseco D
n
= 34 [cm
2
/Seg] y D
p
= 12[cm
2
/Seg] para silicio intrnseco.
Normalizando respecto al rea transversal:
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Convencin de signos Convencin de signos gg
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Relacin de Einstein Relacin de Einstein
Los coeficientes de difusin dependen del dopaje del semiconductor y
temperatura, pues son funcin del tiempo de colisin (
c
) y de la trayectoria
libre promedio ().
Existe una relacin que los une con los coeficientes de movilidad, llamada
Relacin de Einstein:
k = Cte Boltzmann = 1.38x10
-23
[J/K]
El coeficiente de difusin puede obtenerse a travs de la movilidad.
La relacin kT/q se la conoce por definicin como Tensin trmica
equivalente (V
th
) y su valor es de 26mV a temperatura ambiente.
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q (
th
) y p
Densidad de corriente total Densidad de corriente total
Los huecos y electrones se desplazan debido a la presencia de un campo
elctrico y se difunden por gradientes en la concentracin.
La densidad de corriente total en un semiconductor ser la suma de las 4
componentes:
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