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4. IMPERFEIES NO ARRANJO CRISTALINO

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IMPERFEIES NO ARRANJO CRISTALINO

4.1 INTRODUO: 4.2 DEFEITOS PONTUAIS 4.3 DEFEITOS LINEARES - DISCORDNCIAS 4.4 DEFEITOS INTERFACIAIS 4.5 DEFEITOS VOLUMTRICOS

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4.1 INTRODUO
Policristais
Quando tomos ocupam posies regulares sem se repetirem indefinidamente, mas apenas em regies, temos uma estrutura policristalina. Neste material policristalino tem-se um agregado de pequenos gros, cuja estrutura interna cristalina a direo do arranjo cristalino de um gro no apresenta relao com a direo dos seus vizinhos. Aumentando o grau de desordem ao extremo temos o que chamado de material amorfo. Neste caso, no h regularidade nas posies ocupadas pelos tomos.
Estrutura policristalina

Estrutura amorfa

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Monocristais
Para um material cristalino, quando todos os tomos ocupam posies regulares no espao, que se repetem indefinidamente atravs de toda a amostra sem interrupo, o resultado um monocristal. Todas as clulas unitrias encadeiam-se da mesma maneira e tm a mesma orientao. Monocristais existem na natureza, mas eles podem ser tambm produzidos artificialmente. Monocristais cermicos tm se tornado extremamente importantes em muitas das nossas modernas tecnologias, em particular micro circuitos eletrnicos. Se as extremidades de um monocristal crescerem sem constrangimento externo, o cristal assumir a forma geomtrica tendo faces planas, tal como em algumas das pedras gemas.

Nano-monocristal de magnetita (Fe3 O4 ) (MET)

Escoamento em um monocristal de Zinco

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Todos os materiais apresentam imperfeies no arranjo de seus tomos, que reflete no comportamento do mesmo. Controlar as imperfeies, significa obter materiais com diferentes propriedades e para novas aplicaes. Podem existir diferentes tipos de imperfeies na rede: i) vibraes da rede: quantizadas por fnons ii) defeitos pontuais: vacncias, tomos intersticiais, tomos substitucionais, defeitos Frenkel e Schottky; iii) defeitos lineares: discordncias; iv) defeitos interfaciais, bidimensionais ou planares: superfcies livres, contornos de gro, contornos de macla, interfaces (falhas de empilhamento, contorno de fases, mudana de composio qumica...); v) defeitos volumtricos: incluses, partculas, estruturas amorfas, trincas, poros...

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Defeitos possveis em um material

a partir da dimenso em que ocorrem na estrutura

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4.2 DEFEITOS PONTUAIS

Podem ser classificados quanto a NATUREZA
Vacncia tomo intruso (intersticial ou substitucional) Frenkel Schottky

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4.2.1 VACNCIAS
Tambm denominado de lacuna a falta de um tomo na rede cristalina Pode resultar do empacotamento imperfeito na solidificao inicial, ou decorrer de vibraes trmicas dos tomos em temperaturas elevadas

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4.2.1 VACNCIAS O nmero de vacncias varia com a temperatura

nv = n exp (-Q/RT)

onde: nv : n de vacncias n: n de tomos por clula na rede Q: energia necessria para produzir a vacncia (J/mol) R: cte dos gases (8,31 J/molK ou 8,62.10-5 eV/tomoK) T: temperatura em K

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4.2.1 VACNCIAS
Exemplo: Calcule o n de vacncias por centmetro cbico e o n de vacncias por tomo de Cu (CFC), quando o cobre est (a) a temperatura ambiente, (b) 1084C. Aproximadamente 83600 J/mol so requeridos para produzir uma vacncia no cobre. Dados: aCu = 3,6151 x 10-8 cm Q = 83600 J/mol R = 8,31J/mol K CFC = 4 tomos por clula

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4.2.1 VACNCIAS
Exemplo - Soluo

O nmero de tomos de Cu por parmetro da rede por cm3 :

n= n tomos/clula volume da clula unitria = no t/cel (aCu)3

n = 4 tomos/clula = 8,47 x 1022 tomos Cu/cm3 (3,6151 x 10-8)3

nv a Tamb e a 1084C ?

nv = n exp (-Q/RT)

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4.2.1 VACNCIAS

Exemplo - Soluo (a) Tambiente: T = 25 + 273 = 298 K nv = n exp (-Q/RT)

nv = (8,47 x 1022) exp [-83600/(8,31 x 298)] nv = 1,847 x 108 vacncias/cm3

nv /n= 1,847 x 108 vacncias/cm3 8,47 x 1022 tomos de Cu/cm3 nv /n= 2,18 x 10-15 vacncias/ tomos de Cu

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4.2.1 VACNCIAS
Exemplo - Soluo (b) T = 1084 C: T = 1084 + 273 = 1357 K nv = (8,47 x 1022) exp [-83600/(8,31 x 1357)] nv = 5,11 x 1019 vacncias/cm3

nv = n exp (-Q/RT)

nv /n= 5,11 x 1019 vacncias/cm3 8,47 x 1022 tomos de Cu/cm3 nv /n= 6,03 x 10-4 vacncias/ tomos de Cu

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4.2.2 TOMOS INTERSTICIAIS

Quando um tomo fica comprimido por uma estrutura cristalina ocupando um stio intersticial, principalmente se esta tiver um baixo fator de empacotamento; Conseqncia, distoro da rede.

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4.2.3 TOMOS SUBSTITUCIONAIS

Quando um tomo deslocado de sua posio original por outro, e conforme o tamanho, pode (a) aproximar os tomos da rede Conseqncia, distoro da rede e mudana de propriedades mecnicas, fsicas e qumicas.

(a)

tomo substitucional pequeno

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4.2.4 TOMOS SUBSTITUCIONAIS

Quando um tomo deslocado de sua posio original por outro, e conforme o tamanho, pode (b) separar os tomos da rede Conseqncia, distoro da rede e alterao nas propriedades mecnicas, fsicas e qumicas.

(b)

tomo substitucional grande

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4.2.4 DEFEITO DE FRENKEL

Ocorre em compostos inicos Quando um on (ction) desloca-se de sua posio no reticulado (formando uma lacuna) para uma posio intersticial

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4.2.5 DEFEITO DE SCHOTTKY

Somente para compostos inicos Ocorre para compostos que devem manter o equilbrio de cargas opostas Quando ocorre lacuna de um par de ons (ction e nion).

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4.3 DEFEITOS LINEARES

Discordncia defeito linear ou unidimensional ao redor de alguns tomos desalinhados associadas a estrutura cristalina e a deformao plstica
origem: trmica (solidificao) e mecnica

Tipo de defeito responsvel por deformao falha rompimento dos materiais Quantidade e movimento das discordncias podem ser controlados pelo grau deformao (conformao mecnica) por tratamentos trmicos

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Defeitos lineares
As discordncias podem ser: - Cunha (aresta) - Hlice (parafuso ou espiral) - Mista

As discordncias geram um vetor de Burgers (b): - Fornece a magnitude e a direo da distoro da rede - Corresponde distncia de deslocamento dos tomos ao redor da discordncia

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4.3.1 DISCORDNCIA EM CUNHA

Descrita como a aresta de um plano atmico extra na estrutura cristalina

Vista superior da discordncia

Plano extra

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4.3.1 DISCORDNCIA EM CUNHA

Ilustrada pelo talhamento de um cristal perfeito, deslocando a rede de um espaamento atmico; Zonas de trao e compresso acompanham uma discordncia em cunha aumentando a energia ao longo da discordncia; O vetor de Burgers perpendicular discordncia em cunha.

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4.3.1 DISCORDNCIA EM CUNHA

Imagem MET em campo claro discordncias (fios presentes na micrografia)

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4.3.2 DISCORDNCIA HELICOIDAL

Ocorre quando o empilhamento atmico ocorre na forma de mola. H o deslocamento de uma distncia atmica entre um plano e outro

Produz distoro na rede

pois tenses de cisalhamento esto associadas aos tomos adjacentes; O vetor de Burgers paralelo direo da linha de discordncia.

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4.3.2 DISCORDNCIA HELICOIDAL

Ilustrada pelo corte parcial de um cristal perfeito, deslocando a rede de um espaamento atmico

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4.3.2 DISCORDNCIA HELICOIDAL

(b) (a) Imagem MET Al AA6056 discordncias e dispersides (partculas de segunda fase). Aumento: (a) e (b) 66.000X e (c) 50.000X (c)

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4.3.3 DISCORDNCIA MISTA

Em um cristal pode ocorrer os dois tipos de discordncia. Neste caso, as duas discordncias apresentam uma nica linha de discordncia.

Visualizao de ramificaes e parede de discordncias (a tendncia aliviar a tenso local atravs da formao de subgros)

Discordncia em espiral

Discordncia em cunha

Imagem MET Al AA6056. Aumento: 38.000X

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4.4 DEFEITOS INTERFACIAIS

Os defeitos interfaciais podem ser: Superfcies externas; Contornos de gro; Contornos de macla Interfaces (falhas de empilhamento dos tomos, contornos de fase em materiais multifsicos, superfcies das cadeias de polmeros dobradas e outros).

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4.4.1 SUPERFCIES EXTERNAS

A superfcie externa (contornos ) - considerada como uma imperfeio visto que ela representa o contorno ao longo do qual a estrutura do cristal termina. tomos da superfcie no esto ligados ao nmero mximo de vizinhos mais prximos e esto, portanto, num estado de maior energia do que os tomos nas posies do interior. Para reduzir esta energia, materiais tendem a minimizar, se for possvel, a rea de superfcie total. Por exemplo, lquidos assumem uma forma tendo uma rea mnima - as gotculas se tornam esfricas. Naturalmente, isto no possvel com slidos, que so mecanicamente rgidos.

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4.4.2 CONTORNOS DE GR O
A microestrutura de metais, cermicos, alguns polmeros e outros materiais slidos policristalinos consiste de muitos gros. Gro: poro de material onde o arranjo cristalino idntico. Contorno de gro (CG): fronteira entre os gros com uma largura de apenas alguns tomos. Separa gros ou cristais em que possuem orientaes cristalogrficas diferentes. Os tomos esto ligados de maneira menos regular no CG (quimicamente mais reativos). A magnitude da energia interfacial depende do grau de desorientao, sendo para CG alto ngulo. A energia interfacial menor em materiais de gros grosseiros, pois a rea total de CG menor do que em materiais com gro mais fino. CG<

CG<

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4.4.2 CONTORNOS DE GR O

Al AA6056 MO 200x MEV 1000x

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4.4.2 CONTORNOS DE GR O

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4.4.3 PLANOS DE MACLA

As maclas so cristais complexos, formados a partir de um agrupamento de dois cristais gmeos ou dois semi-cristais. Ou seja, existe uma simetria, em espelho, da rede cristalina. Resultam de deslocamentos atmicos produzidos a partir de foras de cisalhamento (maclas de deformao) e tambm durante tratamentos trmicos de recozimento (maclas de recozimento). Ocorre em um plano definido e direo definidos, que dependem da estrutura cristalina. Ex. maclas de recozimento (CFC) e maclas de deformao (CCC e HC).

Linhas de maclas do Mg deformado plasticamente.

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4.5 DEFEITOS VOLUMTRICOS

Os defeitos volumtricos so defeitos em nvel de trs dimenses. Como defeitos volumtricos, temos: Incluses, Trincas, Poros resultantes de processo de soldagem e outros

Vidro borossilicato (SiO2 + Na2O + Al2O3 + B2O3) com incluses de Mo, Ti, Ni, Fe, Al e W (mais claros na fotomicrografia) MEV Al AA6056 - incluses de fabricao e outras partculas de segunda fase. Aumento: 5000X

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4.5.1 INCLUSE ES
So considerados impurezas de fabricao ou partculas de segunda fase da ordem de alguns m (10-6m). Estas partculas contm, geralmente, metais e no-metais de composio diferente da liga original.

Amostra de meteorito (Vaca Muerta) composto de silicatos e metal. As incluses so ricas em Fe e Ni. http://www.meteorites.cl/.../vaca-muerta-metaleng.htm

MEV Al AA6056 TMAZ: CG, incluses e partculas de segunda fase. Aumento: 1000X

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4.5.2 TRINCAS E POROS

So introduzidos durante as etapas de processamento, fabricao e em servio (normalmente indevido) .

Porosidade em liga Al ocasionada por solda a laser.

b Trinca superficial de fadiga. (a) roda dentada fraturada, (b) detalhe da engrenagem.

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tomo Intersticial
Vacnc ia

Contorno de Gro de baixo angulo Maclas

Substitucional

Intersticial

Discordncia

Vazios

Contorno de Gro

Zona de tomos estranhos

Contorno de fases

Precipitado

Incluso

Micro trincas

Poros