Universidad Politcnica De Madrid

Escuela Tcnica Superior de Ingenieros Industriales

ALTA TENSION

Origen, Mecanismos y Efectos

Miguel Martnez Lozano JUNIO 2003

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INTRODUCCION

Origen y Mecanismo Magnitudes Caractersticas Efectos de las DP sobre los equipos Normalizacin y Valores Lmites

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Introduccin - Justificacin
* El envejecimiento y la falla de un aislamiento se inicia por multiplicidad de procesos elctricos, mecnicos, trmicos y qumicos, no separables y que pueden ser originados bien sea desde la fase de fabricacin o durante la Operacin del mismo (instalacin). Una forma de producirse dichos procesos es a travs de imperfecciones en el material aislante. En stos pueden ocurrir DP, las cuales incrementan la tasa de envejecimiento y por lo tanto reducen la vida til del equipo. * Por ello, para asegurar la confiabilidad y seguridad de la operacin de este tipo de equipamiento, es necesario desarrollar conocimiento del fenmeno, tcnicas de medicin, de identificacin (diagnstico) y localizacin. Y es importante tanto en la fase de fabricacin (desarrollo de prototipos o pruebas rutinarias), como durante la vida til en operacin.

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Origen y Mecanismo

1.a-

Definicin:

Descarga Parcial :
Descarga elctrica confinada en un espacio y que solo causa una falla parcial de aislamiento entre Conductores que estn a una diferencia de potencial.

IEC-270:

Referencias: a un proceso de ruptura dielctrica, en el cual el arco que se forma

entre dos electrodos, es de carcter parcial y transitorio, con un tiempo de duracin muy corto y de un bajo contenido energtico

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Origen y Mecanismo

1.b-

Caractersticas:

- El proceso de descargas parciales es caractersticamente pulsante y con Tiempo de duracin, entre 3 300 ns. - La descarga fsicamente solo puede ocurrir en una fase gaseosa, ya que la Formacin del canal ionizado conlleva a la evaporacin del material. - La descarga es detectada como un pulso de corriente y viene asociado a una variacin de la carga elctrica (q) del aislante y adems responde a un proceso estocstico y no estacionario, ya que viene determinado por variables aleatorias dependientes del tiempo. - Carga aparente: Es el valor de una carga elctrica q, tal que si es introducida durante un tiempo muy corto entre los terminales del objeto de prueba, dar la misma lectura en un instrumento de medicin que el pulso de corriente en si mismo. Viene expresada en pC y es la unidad de medicin de las DP. De ella, es importante: Magnitud, intervalo de repeticin y ngulo de fase.

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Origen y Mecanismo

1.b-

Caractersticas:

-Al depender del tiempo, es un proceso no Markoviano, lo cual no permite Imitar en laboratorios el desarrollo de este tipo de fenmeno. FISICA QUIMICA DESARROLLO EXPERIMENTAL TECNICAS DE MEDICION DESARROLLO TECNOLOGICO INTERES PRACTICO - ECONOMICO

TEORIA DEL FENOMENO FUENTES: EXTERNAS INTERNAS NUEVOS MATERIALES

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Origen y Mecanismo

1.c-

Clasificacin:
A.- EXTERNAS Por ionizacin del aire. Se denomina: CORONA

Depende fuertemente de las condiciones ambientales (Humedad, Temperatura, etc)

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Origen y Mecanismo

1.c-

Clasificacin:

B.- SUPERFICIALES por contacto entre dos materiales aislantes (Aire Slido)

AIRE Aislante V

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Origen y Mecanismo

1.c-

Clasificacin:
C.- INTERNAS en cavidades o inclusiones de aire, u otros gases en el interior del aislamiento slido, ocasionadas por el proceso de extrusin o vaciado

Hueco

V Aislante

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Origen y Mecanismo

1.c-

Clasificacin:

ALTA TENSION

Origen y Mecanismo 2.- MECANISMO: 2.a.- DESCARGAS INTERNAS

- Visin Externa Global - Formacin Interna: Descarga en cavidades Teora de Descarga en gases (Townsend) Particularizacin a espacios confinados Procesos Estocsticos

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- Visin Externa Global

Circuito Equivalente (Modelacin Simplificada ABC)

ALTA TENSION Circuito

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- Visin Externa Global

(Simulacin en ATP)
Forma de Onda
1.2 [V] 0.8

0.4

0.0

-0.4

-0.8

Impulso de Corriente (200 ns)

0.68 [V] 0.66 0.64

-1.2 0.00

0.02

0.04 v:XX0004

0.06

0.08

[s] 0.10

(file NONAME.pl4; x-var t) v:XX0006

1.2 [V] 0.8

0.4
0.62 0.60 0.58 0.56 0.54 0.52 18.19

0.0

-0.4

-0.8

18.19

18.19

18.19 v:XX0004

18.19

18.20 [ms] 18.20

-1.2 15

19

23 v:XX0004

27

31

[ms] 35

(file NONAME.pl4; x-var t) v:XX0006

(file NONAME.pl4; x-var t) v:XX0006

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Streng E (V/m
6.700

- Visin Externa Global

EJEMPLO: USANDO ELEMENTOS FINITOS
Tierra

6.309

5.918

Dielctrico

5.527

5.136

4.745

4.354

3.963

3.572

3.181

DONDE: r = 3 Vapl = 1 V

CON: Ws = 6.52e-11 J Cs = 1.3e-10 F

2.790

Se visualiza que la punta origina la zona con mayor intensidad de Campo Elctrico (E)

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- Visin Externa Global

AL INCLUIR UN HUECO CON AIRE (2 cm x 2 cm)
Streng E (V/m
7.2 20 6.7 77

6.3 34

5.8 91

5.4 48

5.0 05

4.5 62

4.1 19

3.6 76

3.2 33

CON: Ws = 6.54e-11 J Cs = 1.31e-10 F

2.7 90

DONDE (aire): - Hay mayor intensidad de E, debido a la interfaz con aire. r = 1 - Ws y Cs cambian debido a la incorporacin del hueco

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- Visin Externa Global

DESCARGA EN EL HUECO DE AIRE
Streng E (V/m
7.230

- Distorsin en la distribucin de potencial y en la intensidad de E Estudiando las diferencias en la energa almacenada Ws Ws = C V^2 C = 8.13e-11 F Con ese valor, puede estimarse, la variacin de la carga, como: Q = C * V Q = 81.3 pC

6.507

5.784

5.061

4.338

3.615

2.892

2.169

1.446

CON: Ws = 6.51e-11 J Cs = 4.97e-11 F

0.723

0.000

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- Visin Externa Global

(Experimentalmente)

Semiciclo Positivo

Circuito de Ensayo

Semiciclo Negativo Grfico Elipsoidal

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- Formacin de la descarga
a.- Condicin Necesaria: Fase Gaseosa b.- Para la ocurrencia de una DP, debe cumplirse que (EF/DG) En Gases Electronegativos. (E/N) > (E/N)c

Esa condicin, cumple con el planteamiento del mecanismo Townsend de inicio, Ya que: Coeficiente de Ionizacin () = Coeficiente de absorpcin () Donde: Coef. Ionizacin efectivo /p = ( )/p = G ((E/p) (E/p)o) (E/p)o Propiedad del Gas G Geometra del defecto c.- Aparicin del Electrn Inicial (ei) A C B DP

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El Campo (E) en el defecto, tiene dos componentes:

Laplace

Poisson

Este E, determina en parte el proceso de la DP

ALTA TENSION A Fase Gaseosa.

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La formacin del canal ionizado implica vaporizacin en lquidos o presencia de huecos en slidos.

C Aparicin del Electrn Inicial. Proceso Aleatorio (Estocstico) Es la etapa ms importante, ya que es requisito indispensable para la formacin de avalanchas. GENERACION VOLUMETRICA Foto-Ionizacin (PI) Ionizacin por E (FD) PRODUCCION SUPERFICIAL Emisin en conductores desde el ctodo (FE) Liberacin e de la superficie aislante (DT) Liberacin por impacto en iones (II) Foto Liberacin (PE)

ALTA TENSION C

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Aparicin del Electrn Inicial.

GENERACION VOLUMETRICA Funcin Legler: Establece la probabilidad de que un simple electrn desarrolle una avalancha PRODUCCION SUPERFICIAL Ley de Emisin Termoelctrica Material Ctte Boltzman Superficial Temperatura Area Funcin Schottky Involucrada Trabajo El tiempo que transcurre entre que se logra que E>Ecrit y la obtencin de ei, es Conocido como retraso o time lag. Probabilidades

Mecanismo Presin Funcin Ionizacin Volumen Legler

ALTA TENSION B

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Avance y formacin de la descarga

Una vez generado el primer electrn, comienza el fenmeno de inicio y desarrollo de una descarga y por ltimo la ruptura del medio. Para ello, se tienen que distinguir los diferentes procesos presentes en este desarrollo: (Dep. E) Curva V-I obtenida por Townsend

Debido a E, se origina sobre ne una Energa cintica en direccin a E, lo cual Causa colisiones. Siendo n, el nmero de e en x. Integrando en la d interelectrdica

ALTA TENSION

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En trminos de corriente: Se debe observar que el trmino , toma en cuenta la ionizacin por colisin y la recombinacin. Si: C y : Cttes gas (E/p)cr es donde Se obtiene una Avalancha de electrones =

Ctodo

Anodo

Tomando en cuenta la liberacin de e por choque de iones con el Ctodo:

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Criterio de Ruptura
Townsend: Kcr: nmero crtico de e en la avalancha Para causar desarga autosostenida.

La descarga anterior, solo es vlida, si durante la avalancha de electrones no se Distorsiona sensiblemente el E aplicado al espacio interelectrdico. Este lmite viene definido por la cantidad de carga espacial, la cual depende directamente de la cantidad de electrones libres en el espacio de inters. El criterio se ha establecido de la siguiente forma: Nc = 1 x 10^8 Eg: E aplicado

ALTA TENSION < nc Si n > nc

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Mecanismo Townsend Streamer

Dada la alta carga espacial en la cabeza de la descarga lder, se desarrolla: Un alto nivel de ionizacin.

Transicin Avalancha Streamer

Avance del streamer

ALTA TENSION

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En presencia de bordes laterales:

Modelacin Computacional Cond Este fenmeno tiene mayor corriente De descarga y maneja mucha energa, Por lo que desde el pto de vista de DP, Muy daino.

Aisl

Aisl

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Tensin durante la DP

Carga Fsica durante la DP:

Colapso de V --- Separacin de Cargas (Espacio Dipolar)

g: Distribucin de Cargas (Dep. Geometra, gas y E)

En el caso de un elipsoide: Con:

Resumiendo:

ALTA TENSION Carga Inducida:

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La distribucin dipolar de cargas en el defecto (hueco o burbuja), induce cargas En los conductores del sistema y es realmente la registrada por los equipos de Medida. a b En un hueco o defecto elipsoidal: Donde: o es el gradiente de un Campo escalar adimensional, que toma en cuenta la Ubicacin del defecto en el aislante (Solucin de la ecuacin de Laplace con o = 1 en el electrodo de medicin y o = 0 en los bordes) q es conocida como la CARGA APARENTE Discusin del modelo ABC

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- Formacin de la descarga (RESUMEN)

Frecuencia de Ocurrencia Tipos de DP Emisin Superficial Conduccion Superficial "Glow" Micro-descargas Descarga Townsend Streamer" Arco Parcial Clasificacin Continua Continua Continua pulsante pulsante pulsante semicontnuo Tiempo ---100 ns 1 ms 1 ms 1s Magnitud pA/m2 pA/m2 pA/m2 pA/m2 > 1 pC 1 - 10 A 1 - 10 A Detectable? no no no no si si si Relevante para Envej. no si si si si si si Falla no si no no si si si

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Apectos Resaltantes (consideracin Historial)

La relacin entre DP sucesivas en la misma cavidad, aun no esta bien entendida tericamente. Sin embargo, se conoce su alto impacto, especialmente en lo relacionado al primer electrn. Los cambios fsico-qumicos, son Otros factores de inters, no solo En el envejecimiento del material, Sino en eventos de DP intermedios

Microdescargas (Pseudo- Glow) Y descargas largas (Glow)

Similares al Mecanismo Townsend, pero son consecuencia de los cambios morfolgicos

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Magnitudes Caractersticas

Segn el punto de vista experimental o terico:

1.- Determinstico (solo para rutinas)
a.- Valor Mximo b.- Localizacin aproximada de la fase de ocurrencia c.- Forma de las descargas (Patrn)

2.- Estadstico (proceso estocstico):

a.- Tiempo de retraso b.- Valores Mximos y Mnimos c.- Tiempo de muestreo d.- Variacin temporal de la magnitud (Distribucin) e.- Fase de ocurrencia f.- Frecuencia de ocurrencia en intervalo de valores g.- Tipo de Material (Proceso de Fabricacin) h.- Conocimiento del sistema

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Magnitudes Caractersticas
En resumen: CONDICION PARA DP Ehueco > Einc ext Presencia del primer (e)

Ejemplo del comportamiento estadstico de las DP

s
Ne = Next + Ns Next r^2 rad Ns q f(t) g(E) Proceso Aleatorio

Adems, suponiendo como nico proceso de DP, el canal plasmtico o streamer: B Durante la DP, el hueco posee un Eres Einc := E 1 + pd q r o r^2 (E-Eres) Donde: E = Efuente + Eq qmin r o r^2 (Einc-Eres) Einc = Emin

qmax r o r^2 (2Emax Eres) DPi finaliza en Vp(+) y DPi+1 comienza en Vp(-)

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Magnitudes Caractersticas

(e) libres

Cantidad DP Magnitud pC

(e) libres

Cantidad DP Magnitud pC

ALTA TENSION

Magnitudes Caractersticas

Grfico 3D caracterstico de un estudio Que toma en cuenta la aleatoriedad

Importancia: Historial de Ensayos CANTIDAD FASE MAGNITUD Incremento de DP en el tiempo, producto del cambio fsico - qumico

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Diagnstico Aislamiento Slido

DIAGNOSTICO PD

- Cables, TRX, Motores

ALTA TENSION

Diagnstico Aislamiento Slido

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Consecuencias (Efectos)

Las DP, causan cambios fsicos y qumicos en el material dielctrico (slido, Lquido o gaseoso) y generalmente esos cambios van en detrimento del comportamiento del material como aislante. Dichos Cambios, son originados por la exposicin al bombardeo de electrones durante la descarga y que pueden manejar energas del orden de 10 eV.
3.5 eV -----6.2 eV -----C-H C=C

Remocin de Material (Sup Epxica)

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Consecuencias (Efectos) - Subproductos gaseosos - Cambios de Morfologa y slidos en el gas - Cambios en la resistividad superficial - Acidificacin Superficial, oxidacin. - Crecimiento de Huecos, fisuras y arborizacin (seca o lquida).
FALLA DEL AISLAMIENTO

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Consecuencias (Efectos)

Los cambios pueden ser: Transitorios (cambios en la cristalizacin de grupos Carbonilos en cables XLPE) Permanentes (erosin o arborizacin)
ENVEJECIMIENTO

La mayora de los mecanismos que producen estos cambios, son hoy da, an Observaciones empricas que han originado El gran avance de las tcnicas de medicin.

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Consecuencias (Efectos)

Los cambios producen diferencias entre DP sucesivas:

Proceso

No Estacionario Degradacin

ALTA TENSION

Consecuencias (Efectos)

En General: Con las observaciones experimentales realizadas

Y las modelaciones estocsticas del fenmeno (incluyendo la qumica)
Nuevo Envejecimiento Falla

Fbrica Con o sin Defectos significativos

Cambios Elctricos Fsicos y Qumicos

Incremento de Corriente Superficial (Conductividad)

ALTA TENSION

Consecuencias (Ejemplo)

Una teora para establecer la reduccin en la actividad de DP, justo antes De producirse la falla, viene relacionada con: AVALANCHA (DE MEDIANA O ALTA ENERGIA) Tipo Townsend o Kanal de Raether PLASMAS LUMINOSOS NO PULSANTES PSEUDO-GLOW De baja intensidad pero larga duracin

En un arreglo Punta Placa, sometido a una tensin muy superior a la Ui de DP

DP Degradacin Fsico - Qumica Incremento de Conductividad Superficial Transicin PGD Conduccin Superficial Falla

Se producen Radicales libres creando atmsferas oxidantes. Produciendo: Acidos: Frmico, ntrico,etc. Adems Reducen O y por lo tanto cambian el gas

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MEDICION DE DP

Detalle experimental (IEC-270 e IEC 1287)

Equipamiento con mayor tasa de fallas por DP CABLES MAQUINAS ROTATIVAS TRANSFORMADORES OTROS (GIS, TP, TC) 60% 25% 10% 5% Terminaciones y Empalmes S/T, mantenimiento S/T, S/C, Hermeticidad

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MEDICION DE DP

La Medicin de DP, tiene muchos detalles, aun no desarrollados, tal como Se ha comentado en la presentacin de Mecanismos: - Frecuencia de Medicin - Ruido externo - Estadstica en conjunto con otras caractersticas dielctricas (tan, IP, etc) - Diagnstico: Tcnicas de Fuzzy Logic, Inteligencia artificial, filtrado digital.

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MEDICION DE DP

Algunos lmites, representativos: Cables: (XLPE) Capacitores: 5 pC Lminas Plsticas Papel/Aceite de Castor Transformadores Y Reactores: Aceite Epoxy -------20 pC 200 pC 500 pC 10 pC > 5000 pC

Mquinas Rotativas

Sin embargo, el Diagnstico debe basarse en la estimacin estadstica y clasificacin de patrones con tcnicas digitales (STFT, Wavelet, etc)

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ALTA TENSION

CORONA

- Visin Externa Global

(Circuito Equivalente)

Pulsos Trichel En general son autosostenidos con Alta distorsin de E. n > nc. Sin embargo, no producen ruptura.

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CORONA

- Formacin de la descarga
Definicin: Es una regin parcialmente ionizada, adyacente A un conductor energizado.

El proceso, tiene como fundamento, la teora anterior. Lo que Cambia es la forma de interpretarla fsicamente: -Esta causa un cambio en E entre Cond Tierra -Este cambio puede interpretarse como un incremento de C o un mayor radio del conductor - Como consecuencia, hay un V en la lnea (prdidas)

ALTA TENSION

CORONA

Sin embargo, Fsicamente es un movimiento de cargas o iones (tanto + como -), segn el semiciclo de la onda senoidal.

Consecuencias: Ruido audible, EMI, prdidas.

* Formulacin experimental de Peek

Consideraciones de Diseo:
Altamente Dependiente de las condiciones ambientales

* El dimetro del conductor, se disea:

Adems: implica tener cuidado con terminaciones en punta, con defectos de fabricacin, etc.