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Contenido
Introduccin Fundamentos de semiconductores
Semiconductores Tipo N Semiconductores Tipo P
Caractersticas del diodo Caractersticas de recuperacin inversa Tipos de diodos de potencia Diodos conectados en serie Diodos conectados en paralelo Diodos con cargas RC y RL Diodos con cargas LC y RL
Introduccin
Los diodos de potencia tienen una funcin importante en los circuitos de potencia para realizar la conversin de energa elctrica. Un diodo funciona como un interruptor. Las caractersticas de los diodos prcticos difieren de las ideales y tienen algunas limitaciones. Son dispositivos unidireccionales. Permiten la circulacin de corriente en un solo sentido. El nico procedimiento de control es invertir la tensin entre nodo y ctodo. Los diodos de potencia se parecen a los diodos de seal de unin PN. Tienen mayores capacidades de manejo de potencia, voltaje y corriente. La respuesta en frecuencia es baja (velocidad de conmutacin)
Fundamentos de semiconductores
Se fundamentan en el Silicio monocristalino de alta pureza. Su resistividad es baja para ser aislador y alta para ser conductor. Semiconductor extrnseco. intrnseco y
Para regular su resistividad y sus portadores de carga se deben implantar impurezas. (Dopado agregar 1 tomo de impureza por cada 1 milln de tomos de silicio).
Cristal de Si dopado con tomos trivalentes (B, Ga, In). Espacios vacantes denominados huecos. Los huecos aumentan mucho la conductividad del material. Cuando el Si se dopa en forma leve con B, el proceso toma el nombre de dopado p y el material resultante es un semiconductor tipo P. Dopado intenso semiconductor tipo P+
ID Corriente a travs del diodo VD Tensin del diodo IS Corriente inversa de saturacin n Factor de idealidad (Si=2)
VT q T k
Constante denominada Voltaje trmico Carga del electrn 1.6022 X 10-19 C Temperatura absoluta (K=273+C) Constante de Boltzmann 1.3806 X 10-23 J/K
A una temperatura especificada, la corriente de fuga es constante. La curva del diodo se divide en tres regiones: Regin de polarizacin directa VD > 0 Regin de polarizacin inversaVD < 0 Regin de ruptura VD < -VBR
ta se debe al almacenamiento de cargas en la unin. tb se debe al almacenamiento de cargas en la masa del material semiconductor. La razn tb/ta se llama factor de suavidad (SF softness factor). = +
Para fines prcticos se debe poner atencin en el tiempo total de recuperacin y en el valor pico de la corriente en sentido inverso IRR = + =
IRR
= + = + = =
+ = +
Ejercicio: Se conectan dos diodos en serie, como se observa en la figura para compartir un voltaje total de cd en sentido inverso de VD=5kV. Las corrientes de fuga inversas de los diodos son Is1=30 mA e Is2=35 mA. A) Determinar los voltajes de diodo, si las resistencias de voltaje compartido son iguales R1=R2=100 k. B) Determinar las resistencias de voltaje compartido R1 y R2 para que los voltajes en los diodos sean iguales VD1=VD2=VD/2
Deber
Ejercicios 2.1, 2.2, 2.3, 2.4, 2.5 y 2.6