Clase I Electronica Analógica 1

Universidad Autnoma del
Estado de Hidalgo
Escuela Superior de Tizayuca
Asignatura: Electrnica Analgica I
Ing. en Electrnica y Telecomunicaciones.
Horario: lunes y miercoles (7:00 9:00) y jueves (10:00 11:00)
OBJETIVO: Comprender y aplicar correctamente los fundamentos OBJETIVO: Comprender y aplicar correctamente los fundamentos
bsicos de anlisis y diseo de circuitos analgicos basados en
dispositivos semiconductores.
Correo electrnico: sack_gi@yahoo.com.mx
M.enC.JuanCarlosGonzlezI
Tizayuca Hgo.,23deenerode2012
Temario
1. Diodos
1. Introduccin
2. Circuitoscondiodos:anlisisDCyModelos
3. Lneadecarga
4 Id l 4. Ideal
5. ideal+batera
6. Aproximado
7 Circuitos con diodos: Circuito equivalente AC 7. Circuitoscondiodos:CircuitoequivalenteAC
8. Tiposdediodos
9. Seleccin
10. Circuitos con diodos 10. Circuitoscondiodos
11. Circuitosrectificadores
12. CircuitoscondiodosZener
13. Circuitos:Cipper &Clamper
2
pp p
14. Circuitosconmltiplesdiodos
Temario
2.TransistorBipolarBJT
1. Introduccin
2. AnlisisDCdecircuitos
3. Circuitodeemisorcomn
4 A li i 4. Aplicaciones
5. Polarizacin
6. Amplificadorlineal
7 Clases de amplificadores 7. Clasesdeamplificadores
8. Amplificadoresdeemisorcomn
9. Amplificadoresdecolectorcomn
10. Amplificadores de base comn 10. Amplificadoresdebasecomn
11. Consideracionesdepotencia
12. AmplificadoresdePotencia
13. Conexin
3
Temario
3.TransistordeefectodecampoFET/MOSFETD
1. Introduccin
2. Polarizacin
3. Aplicaciones
4 A li i d l 4. Anlisisdepequeaseal
5. Configuracionescompuestas
4 Mosfet 4.Mosfet
1. Introduccin
2. Polarizacin
3. Aplicaciones 3. Aplicaciones
4
Bibliografa
Bsica
A. Sedra, K. C. Smith; Dispositivos Electrnicos y Amplificacin de seales:
Interamericana
Donald A Reamen; Electronic Circuit Analysis and Design 2
nd
edition; Mc Graw Hill Donald A. Reamen; Electronic Circuit Analysis and Design 2 edition; Mc Graw Hill
Richard R. Spencer, Mohammed S. Ghausi; Introduction to Electronic Circuit Design,
Prentice Hall
Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky; Electronic Devices and Ciruit Theory 8
th
edition;
Prentice Hall
Thomas L. Floyd and David Buchla; Fundamentals of Analog Circuits; Pearson Education
Thomas L. Floyd; Electronics Fundamentals, Circuits, Devices, and applications 5
th
edition;
Prentice Hall Prentice Hall
Complementaria
d i b l d d
5
FredG.Martin;RoboticExplorations,AHandsOnIntroductiontoEngineering;Pearson
Education
Universidad Autnoma del
Estado de Hidalgo
Escuela Superior de Tizayuca
Asignatura: Electrnica Analgica I
Ing. en Electrnica y Telecomunicaciones.
Unidad 1: DIODOS
Contacto: sack gi@yahoo commx Contacto: sack_gi@yahoo.com.mx
M.enC.JuanCarlosGonzlezI
Tizayuca Hgo.,13defebrerode2011
Diodos
Introduccinalafsicadeestadoslido:semiconductores
LauninPN
Caractersticas elctricas de un diodo semiconductor Caractersticaselctricasdeundiodosemiconductor
Caractersticareal
Li li i d l t ti d di d Linealizacin delacaractersticadeundiodo
Eldiodocomoelementodeuncircuito:ejemplosde
aplicacin aplicacin
EldiodoZener
Interpretacindelascaractersticasdeuncatlogo
Diodosespeciales
7
Introduccinalafsicadeestadoslido:
semiconductores
Semiconductor intrnseco Semiconductorintrnseco
Si Si Si
0K
Si Si Si
Si: silicio
Grupo IV de la
bl d
Si Si Si
tabla peridica
8
semiconductores
Semiconductor intrnseco
0K
Semiconductorintrnseco
Si Si Si
0K
Si Si Si
300K
+
Electrn
Si Si Si
Electrn
Hueco
9
semiconductores
Semiconductor intrnseco: accin de un campo elctrico
+
Semiconductorintrnseco:accindeuncampoelctrico
Si Si Si
+
+
+
+
Si Si Si
+
+
+
+
Si Si Si
+
+
10
semiconductores
Semiconductor intrnseco: accin de un campo elctrico
La corriente en un semiconductor es debida a dos
Semiconductorintrnseco:accindeuncampoelctrico
La corriente en un semiconductor es debida a dos
tipos de portadores de carga: HUECOS y
ELECTRONES
La temperatura afecta fuertemente a las
propiedades elctricas de los semiconductores: propiedades elctricas de los semiconductores:
mayor temperatura ms portadores de carga menor
i i resistencia
11
semiconductores
Semiconductor extrnseco: TIPO N
i i i
Sb:antimonio
Semiconductorextrnseco:TIPON
Si Si Si
Impurezasdel
grupoVdela
tablaperidica
Si Si Si
p
Sb
Esnecesaria
muypoca
+
Si Si Si
energapara
ionizareltomo
deSb
Atemperaturaambientetodoslostomosdeimpurezasseencuentranionizados
12
semiconductores
Semiconductor extrnseco: TIPO N
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
+
+
+
+
+
+
Semiconductorextrnseco:TIPON
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Impurezas grupo V
300K
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Sb Sb
Sb
Sb
+ +
+
+
Electrones libres tomos de impurezas ionizados
Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor p y g
tipo N son electrones libres
13
semiconductores
Semiconductor extrnseco: TIPO P
Si Si Si
Al: aluminio
Semiconductorextrnseco:TIPOP
Si Si Si
Impurezas del grupo
III de la tabla
peridica
Si Si Si
p
Al
Es necesaria muy
poca energa para
+
Si Si Si
ionizar el tomo
de Al
A t t bi t t d l t d i A temperatura ambiente todos los tomos de impurezas se
encuentran ionizados
14
semiconductores
Semiconductor extrnseco: TIPO P
Al
Al
Al
Al
Al
Al

Semiconductorextrnseco:TIPOP
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
ImpurezasgrupoIII
300K
Al Al
Al
Al

Huecoslibres tomosdeimpurezasionizados
Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo p y g p
P son Huecos. Actan como portadores de carga positiva.
15
LauninPN
La unin PN en equilibrio
+
+
+
+
+
+
LauninP Nenequilibrio
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
SemiconductortipoP SemiconductortipoN
16
LauninPN
Zona de transicin
La unin PN en equilibrio
+
+
+
+
+
+
Zonadetransicin
LauninP Nenequilibrio
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

SemiconductortipoP SemiconductortipoN
+
+
Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una
zona de carga espacial denominada zona de transicin. Que
acta como una barrera para el paso de los portadores p p p
mayoritarios de cada zona.
17
LauninPN
LauninPNpolarizadainversamente
+
+
+
+
+
P
N
p
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
La zona de transicin se hace ms grande Con polarizacin La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin
inversa no hay circulacin de corriente.
18
LauninPN
LauninPNpolarizadadirectamente
+
+
+
+
+
P
N
p
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente
comienza a circular a partir de un cierto umbral de tensin
directa.
19
LauninPN
LauninPNpolarizadadirectamente
+
+
+
+
+
P
N
p
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Concentracindehuecos
Concentracindeelectrones
Larecombinacinelectrnhuecohacequelaconcentracinde
electronesenlazonaPdisminuyaalalejarsedelaunin.
20
LauninPN
21
LauninPN
Conclusiones: Conclusiones:
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin
de corriente elctrica
P N
DIODOSEMICONDUCTOR
22
Diodosemiconductor(diode)
Zona libre de cargas.
Solo quedan los iones fijos
P N
ZONA
TRANSICIN
Solo quedan los iones fijos.
-
-
-
-
+
+
+
+
NODO
CTODO
+
NODO
CTODO
SMBOLO
Fue descubierto accidentalmente el los laboratorios Bell por
Russel Ohl en 1940
23
RepresentacindeldiodoendiagramaVI
I I I I I I
+
V
V
+
V
V
+
V
V
-
V
Corto
(R = 0)
-
V
Abierto
(R = )
-
V
Resistencia
(R)
I I
I
+
I
+
-
V
V
+
-
V
V
F t
Batera
Fuente
Corriente
24
Polarizacindirectadeldiodo
I
Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios
se ven empujados a "invadir" la zona de transicin se ven empujados a invadir la zona de transicin.
La zona de transicin se ve reducida drsticamente.
P
La corriente se debe a mayoritarios y la corriente
directa puede llegar a ser importante.
N
P N
La aproximacin de una resistencia pequea
(idealmente un cable es razonable)
P N
+
-
25
Polarizacininversadeldiodo
I
Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios
se ven empujados a "escapar" de la zona de
P
se ven empujados a escapar de la zona de
transicin.
La zona de transicin aumenta drsticamente.
N
La corriente se debe a minoritarios y la corriente
directa ser muy pequea (idealmente nula).
P
N
La mejor aproximacin es un cable roto
-
+
-
-
-
+
+
+
+
+
+
-
-
-
- + + -
26
Caractersticaidealdeldiodo
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como Idealmente, permite corriente directa (se comporta como
un cable) y bloquea o no permite la corriente inversa (se
comporta como un cable roto)
+
I
P
I
V
P
N
-
N
V
27
Diodoreal
nodo ctodo 1
i [mA]
p n
nodo ctodo 1
Ge
Si
A
K
Smbolo
V [Volt.]
0
0.25 -0.25 0.5
I
S
= Corriente Saturacin Inversa
K= Cte Boltzman
Silicio
Germanio
K = Cte. Boltzman
V
D
= Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
|
|
|
|
=

1
T K
q V
S D
D
e I I
T = temperatura (K)
I
D
= Corriente diodo
|
.
\
S D
28
Diodoreal(distintasescalas)
i [mA]
30
i [mA]
Ge
Ge: mejor en conduccin
Si: mejor en bloqueo
1
Ge
Si
Ge
Si
Si: mejor en bloqueo
V [Volt.]
0
0 25 -0.25 0 5
0
1 -4
V [Volt.]
0.25 0.25 0.5
i [A]
i [pA]
-0.5
0
V [Volt]
-0.5
0
V [Volt.]
-0.8
-10
Ge
Si
29
Diodo(distintasaproximaciones)
I
I
I
Solo tensin
de codo
Ge = 0.3
Si 0 6
I
Tensin de codo y
Resistencia directa
Ideal
V
Si = 0.6
V
V
Tensin de codo es la tensin en polarizacin directa por debajo de la
I
I
Curva real
Tensindecodo,eslatensin,enpolarizacindirecta,pordebajodela
cuallacorrienteesmuypequea
Corriente de fugas con
Tensin de codo y
Resistencia directa
(simuladores
, anlisis
grfico)
V V
30
Diodo(Limites)
I
Corriente mxima
Tensin inversa
Lmite trmico,
seccin del
conductor
Tensin inversa
mxima
Ruptura de la Unin
por avalancha
V
600 V/ 6000 A
200 V / 60 A
1000 V / 1 A
31
Diodo(Parmetrosfacilitadosporel
fabricante)
i
d
I
fabricante)
I
Omax
V
R
= 1000V Tensin inversa mxima
I
OMAX (AV)
= 1A Corriente directa mxima
V = 1V Cada de Tensin directa
V
d
i
S
V
R
V
F
= 1V Cada de Tensin directa
I
R
= 50 nA Corriente inversa
V
R
= 100V Tensin inversa mxima
I
OMAX (AV)
= 150mA Corriente directa mxima
V
F
= 1V Cada de Tensin directa
I
R
= 25 nA Corriente inversa
32
Diodosespeciales(Zener)
La ruptura no es destructiva La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).
En la zona Zener se
I
Tensin
Zener
(V
Z
)
comporta como una fuente
de tensin (Tensin Zener).
V
(
Z
)
Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.
P d di l d l
V
Lmitemximo
Podemos aadir al modelo
lineal la resistencia Zener.
Aplicaciones en pequeas
Lmite mximo
Normalmente, lmite
de potencia mxima
Aplicaciones en pequeas
fuentes de tensin y
referencias.
Un diodo normal tambin tiene una zona de ruptura,
en la cual no funciona, el Zener si puede trabajar en
esa zona esa zona
L t i i i t l "Z d R t " La potencia mxima que resiste en la "Zona de Ruptura"
("Zona Zener"):
E l d t d l "Ef t En la zona de ruptura se produce el "Efecto
Avalancha" "Efecto Zener", esto es, la corriente
aumenta bruscamente aumenta bruscamente.
Los diodos con un valor determinado de tensin de ruptura
(V
Z
) dependen del grado de dopado, V
Z
es funcin de la
impurificacin (N
A
N
D
). p (
A D
)
Lazonaderupturanoesunavertical,realmentetieneuna
inclinacindebidaaR
Z
:
Zener (ModeloIdeal1raAproximacin)
Estosoloesvlido
entreI
Zmn
yI
Zmx
.
Sibuscamossuequivalenteveremosque
esunapilaconlatensinV
Z
.
Zener (Circuitolimitador)
VDZ1+VDZ2
VDZ1VDZ2
Circuito limitador con diodos Zener. Cuando un diodo esta
polarizado en directa el otro diodo lo estar en inversa polarizado en directa, el otro diodo lo estar en inversa.
Tarea:simularestecircuito
ReguladorZener
Circuitorectificador
ReguladorZener
Circuitorectificador
v
C
=v
L
Problemas:
R
L
variable(variacionesdecarga).
L
a ab e ( a ac o es de ca ga).
Variacionesdetensindered(variacionesdered).
ReguladorZener
Pararesolveresteproblemasediseaunreguladorde
tensinbasadoeneldiodozener.
ReguladorZener
D
E t d S lid
Regulador
D
+
Entrada Salida
+
R
C
R
L
v
S
=v
R
v
E
v
Regulador con rectificador de media onda
V
Z
V
min
t
v
S
Tarea:simularestecircuito
ReguladorZener
Se tiene (v
Smx
y v
Smn
) de una fuente variable de cd, el
regulador tiene que funcionar bien en ambos casos.
ReguladorZener (sincarga)
Para que funcione correctamente el
zener, tiene que trabajar en la zona de
ruptura y en esa zona se cumplen las ruptura y en esa zona se cumplen las
condiciones correspondientes.
ReguladorZener (sincarga ejemplo)
Comprobarsielsiguientecircuitofuncionaadecuadamente
Solucin: verificar si en la caracterstica los valores se
encuentran entre I y I encuentran entre I
Zmn
y I
Zmx
ReguladorZener (sincarga ejemplo)
Lasalidaesconstante,loque
absorbe la tensin que sobra es absorbelatensinquesobraes
laresistencialimitadora.
ReguladorZener (concarga)
Para comprobar la existencia en la zona de ruptura
calculamos el equivalente de Thevenin desde las calculamos el equivalente de Thevenin desde las
terminales de la tensin V
Z
:
Como el anterior, los valores del circuito tienen que Comoelanterior,losvaloresdelcircuitotienenque
estarentreunmximoyunmnimo:
El Zener absorbe la corriente sobrante (I
Z
variable) y
la resistencia (R) la tensin sobrante. Entonces a la la resistencia (R) la tensin sobrante. Entonces a la
salida la forma de onda es la siguiente:
2 aproximacin 2aproximacin
El circuito equivalente es de la siguiente forma: Elcircuitoequivalenteesdelasiguienteforma:
Aplicando superposicin Aplicandosuperposicin
L i i l d t 2 i it l Lasuperposicineslasumadeestos2circuitosla
solucines:
El zener "Amortigua el rizado". Como se muestra en la
siguiente figura:
EJEMPLO 1N961 V 10 V R 8 5 V 2 V EJEMPLO:1N961 V
Z
=10V R
Z
=8.5 V
Rentr.
=2V
Paradisminuirelrizadoseponeotroreguladorque
disminuyeelrizadopicoapico:
tarea: Circuitos: Clipper & Clamper tarea:Circuitos:Clipper &Clamper
Circuitosconmltiplesdiodos
Zener (coeficientedetemperatura)
Dependiendo de la impurezas con que se dopa, se
obtiene un Zener con distinto V
Z
(diferentes tipos de
Zener) Zener).
Esto es para una misma temperatura, pero si se vara la
temperatura se comporta de otra manera,
HojadecaractersticasdeunZener
EJEMPLO: 1N759 V
Z
= 12 V I
ZT
= 20 mA
El fabricante suele dar un
valor intermedio de V
Z
y
I
ZT
.(corriente de prueba, I
ZT
.(corriente de prueba,
valor al que el fabricante a
hecho esa prueba).
EJEMPLO: 1N759 V
Z
= 12 V 10%
1N759A V
Z
= 12 V 5 %
DiodosespecialesLED(LightEmisorDiode)
Con la unin PN polarizada directamente emiten Con la unin PN polarizada directamente emiten
fotones (luz) de una cierta longitud de onda.
A
K
A
K
LaintensidaddelLED
Los valores tpicos de corriente directa de polarizacin Los valores tpicos de corriente directa de polarizacin
de un LED se sitan entre los 10 mA y los 20 mA.
LaintensidaddelLED
En este circuito el LED es un indicador de encendido o EnestecircuitoelLEDesunindicadordeencendidoo
apagadodelafuentedealimentacin.
LaintensidaddelLED
EJEMPLO: TIL 222 LED verde; V 1 8 : 3 V EJEMPLO: TIL222LEDverde;V
LED
=1.8:3V
La variacin mnima de la corriente implica que la La variacin mnima de la corriente implica que la
iluminacin vara muy poco.
LaintensidaddelLED
EJEMPLO: TIL 222 LED verde; V 1 8 : 3 V EJEMPLO: TIL222LEDverde;V
LED
=1.8:3V
En este caso varia mucho la intensidad y en En este caso varia mucho la intensidad y en
consecuencia la iluminacin.
65
Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores:
verde, rojo, amarillo, mbar, azul y algunos otros.
El LED tiene un voltaje de operacin de 1 5 V a 2 2 volts aprox y la El LED tiene un voltaje de operacin de 1.5 V a 2.2 volts aprox. y la
gama de corrientes que circulan por va de los 10 y 20 (mA) en los
diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 (mA) para los otros LEDs.
Material
Longitud de
Onda
Color Vd Tpica
Onda
AsGa 904 nm IR 1 V
InGaAsP 1300 nm IR 1 V InGaAsP 1300 nm IR 1 V
AsGaAl 750-850 nm Rojo 1,5 V
AsGaP 590 nm Amarillo 1,6 V
66
InGaAlP 560 nm Verde 2,7 V
CSi 480 nm Azul 3 V
Diodos laser
Son similares a los LEDs pero adems tiene una cavidad ptica
donde la emisin estimulada toma lugar.
Stimulatedemission
f h t ofaphoton.
67
Structureofanedgeemittinglaserdiode
Diodos laser
68
Corte esquemtico de la emisin de luz en diodos LED y lser
Diodos laser
69
IntensidaddeluzenfuncindelalongituddeondaparadiodosLEDylser
Diodos laser
Fotodiodoyfototransistor
70
EsquemadelfuncionamientodelCDROM
UnionpN(optoelectronicdevices)
Summary
71
EsquemadelfuncionamientodelCDROM
LED(Display de7segmentos)
Diodosespeciales(fotodiodo)
i
Son sensibles a una determinada
longitud de onda, la corriente es
0
V
proporcional a la luz incidente.
Aplicaciones principales:
0
i
opt
Aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotmetros)
Comunicaciones pticas
Los diodos presentan variaciones en la corriente de fuga p g
proporcional a la temperatura y pueden usarse como sensores
trmicos
73
En este dispositivo el diodo es expuesto a la luz lo cual permite En este dispositivo el diodo es expuesto a la luz lo cual permite
que exista una fotocorriente, entonces la corriente total es
igual a la corriente del diodo ms la fotocorriente.
Lafotocorrienteesta
dadaporla
Fotogeneracin de Fotogeneracin de
electronesyhuecos.
74
Motionofphotogeneratedcarriersinapnphotodiode.
I = f(T) I = f(T)
El modelo puede ser una fuente de corriente dependiente El modelo puede ser una fuente de corriente dependiente
de la luz o de la temperatura segn el caso
75
El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la j p
generacin de pares electrn hueco debido a la energa
luminosa.
El t i t d l f t di d di t El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve
alterado por la generacin luminosa de portadores
76
Cortetransversaldeunfotodiodocomercial
Diodosespeciales(clulassolares)
El dispositivo puede usarse como generador El dispositivo puede usarse como generador.
Paneles de clulas
solares
i
V V
CA
i
Zona
uso
i
CC
77
77
Diodosespeciales(clulassolares)
78
Diodosespeciales(Varicap,Varactoro
Tunning diode)
La unin PN polarizada
g )
P
N
-
+
-
-
-
+
+
+
+
+
+
-
-
-
La unin PN polarizada
inversamente puede asimilarse a
un condensador de placas
planas (zona de transicin)
- + + -
Dielctrico
planas (zona de transicin).
Esta capacidad se llama
C id d d T i i (C )
Dielctrico
Capacidad de Transicin (C
T
).
Al aumentar la tensin inversa
t l d t i i aumenta la zona de transicin.
Un efecto parecido al de separar
las placas de un condensador
d (C
T
disminuye).
79
Optoacoplador
Si i l il I l SisevarialapilavaraI
LED
,varala
corrienteI yconsecuentementela
tensin en R
80
tensinenR
L
.
Optoacoplador
EJEMPLO: Conectar un torno le tengo que pasar informacin EJEMPLO: Conectar un torno, le tengo que pasar informacin
con un control numrico.
81
Optoacoplador
EJEMPLO: Osciloscopio
82
Diodosespeciales(Varicap,Varactoro
Tunning diode)
Se tiene una capacidad dependiente de
g )
Se tiene una capacidad dependiente de
la tensin inversa.
U di d V i ti lib d Un diodo Varicap tiene calibrada y
caracterizada esta capacidad.
C
T
Uso en equipos de comunicaciones
(p.e. Control automtico de
frecuencia en sintonizadores)
T
30 pF
frecuencia en sintonizadores)
V
II
10 V
83
Diodosespeciales(Schottky)
Unin Metal-semiconductor N Producindose el Unin Metal semiconductor N. Producindose el
llamado efecto schottky.
Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy p y p ( p y
bajas).
Corriente de fugas significativamente mayor.
Menores tensiones de ruptura.
C d di t b j (t i d d 0 2 V) Cadas directas mas bajas (tensin de codo ~ 0.2 V).
Aplicaciones en Electrnica Digital y en
Electrnica de Potencia Electrnica de Potencia
84
Unionmetalsemiconductor
Diodo Schottky (diodo debarrera)
DiododepotenciaSchottky CMSD6263sondiodosdealtovoltajede
( Sensitron Semiconductor Schottky delsilicio(Central
Semiconductor)
85
DiodoSchottky VISHAY
DiodoSchottky InternationalRectifier
Diodosespeciales(TneloGunn)
I
D
Zona de
resistencia
ti
Los efectos se traducen en una
zona de resistencia negativa en la
caracterstica directa del diodo
I
D
negativa.
Efecto Tnel
caracterstica directa del diodo.
Esta zona se aprovecha para hacer
V
D
osciladores de microondas.
(El diodo GUNNaparece en el (El diodo GUNN aparece en el
oscilador local del receptor del
radar. Est presente en todos
los radares marinos actuales)
Diodo GUNN
los radares marinos actuales).
86
AsociacindeDiodos
Puente rectificador
Diodo de alta tensin
(Diodos en serie)
+
Monofsico
-
T if i
DISPLAY
+
Trifsico
-
87
AplicacindeDiodos
Detectores reflexin de
objeto j
Detectores reflexin de espejo
Detectores de barrera
88
AplicacindeDiodos
Sensores de luz: Fotmetros
Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color
Objetivo
LED azul

LED verde
LED rojo
Fotodiodo

LED
89
AplicacindeDiodos
Los diodos (y el resto de dispositivos electrnicos) Los diodos (y el resto de dispositivos electrnicos)
son dispositivos no lineales.
V
E
+
V
S
V
E
V
S
EJ EMPLO TPICO:
RECTIFICADOR
+
-
t
t
R
V
MAX
I
D
V
E
t
R
V
V
E
t
MAX
V
V
D
t
90
AplicacindeDiodos
1N4007 Diodo de Silicio 1N4007 DiododeSilicio
1N4148 DiododeSiliciorpido(FAST)
OA91 DiododeGermanio
HLMPD150 Diodo LED HLMPD150 DiodoLED
BZX79C15 DiodoZener
10MQ040N DiodoSchottky
OK60 PanelSolar
BB152 DiodoVaricap
MG100715 Diodo GUNN MG1007 15 DiodoGUNN
AI201K DiodoTunel
BPW21R Fotodiodo
91
AplicacindeDiodos
Una unin pn es un Una unin p n es un
elemento verstil,
puede ser usado
como un rectificador
R ifi d d di
92
Rectificadordemedia
ondaAC
AplicacindeDiodos
En este circuito la
media onda es
suavizada por un
capacitor capacitor.
OndadeACrectificada
93
suavizadaporun
capacitor
AplicacindeDiodos
L fi t La figura muestra
como una seal de
AC es rectificada en
onda completa
Rectificador de onda
94
Rectificadordeonda
completadeAC
AplicacindeDiodos
La figura muestra g
como una seal de
AC es convertida en
l i d una seal suavizada
de DC.
Rectificador de onda
95
Rectificadordeonda
completadeAC
Diodos
BIBLIOGRAFIA
Sedra, K. C. Smith; Dispositivos Electrnicos y Amplificacin de
seales: Interamericana
Donald A. Reamen; Electronic Circuit Analysis and Design 2
nd
edition;
Mc GrawHill
Richard R. Spencer, Mohammed S. Ghausi; Introduction to
Electronic Circuit Design, Prentice Hall
http://jcgonzal.blogspot.com
96

Clase I Electronica Analógica 1

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