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Unidad 1
Programa
1- Transferencia de registros y micro operaciones 1.1- Lenguaje de transferencia de registros 1.2- Transferencia entre registros 1.3- Micro operaciones aritmticas 1.4- Micro operaciones lgicas 1.5- Micro operaciones de corrimiento 1.6- Unidad de lgica aritmtica y de corrimiento
Notacin de registros
R 7 6 5 4 3 2 1 0
15 R
15 R(H)
87 R(L)
Transferencia de registros
R2 P: R2
R1 R1 R1
Si (P=1) entonces R2
Transferencia de registros
Circuito de P Carga control R2 n R1 Reloj Carga La transferencia ocurre aqu
Reloj
Carga paralela
Bus de entrada
Mux 4x1
Mux 4x1
Mux 4x1
Mux 4x1
R4
4
R3
4
R2
4
R1
4
Tercer estado
Entradas Bus
Dispositivos prcticos
Memorias
Conjunto de celdas de almacenamiento y sus circuitos asociados Una palabra es el conjunto de bits que puede leerse o escribirse en una sola operacin Un grupo de 8 bits es un byte. Un grupo de 4 bits un Nible Los tamaos de palabra en las memorias suelen ser multiplos de 8 bis El tamao de la palabra coincide con el numero de terminales de datos que poseen.
Memorias (2)
Las lineas de direcciones sirven para escoger en cual de todas las palabras de la memoria se va a guardar o a leer un dato El nmero de lineas de direcciones se determina por el tamao de la memoria T=2^N T - Nmero de palabras o localidades N - Nmero de lineas de direcciones Es comn que el tamao de las memorias se exprese como un mltiplo de las siguientes unidades: 1K = 2^10=1024; 1M = 2^20 = 1024*1024, 1G=2^30 = 1024*1024 *1024
Clasificacin de Memorias
Voltiles: pierden la informacin cuando son desenergizadas (RAM) RAM esttica: Se forma con flipflops. Rapida pero cara. RAM Dinamica: Se almacenan los datos en la capacitancia parsita de un transistor. Como el capacitor se descarga necesita reescribirse el dato con frecuencia. Alta densidad, baratas pero lentas. No voltiles: conservan la informacin an sin suministro de energa ROM: Se construyen con diodos, datos grabados por el fabricante PROM: Los datos se graban quemando fusibles. EPROM: Similares a la DRAM, guardan los datos en la carga almacenada en la compuerta flotante de un MOSFET especial. Se borran con Luz UV EEPROM y FLASH: Se borran elctricamente
Ejemplos de memorias
6264 Memoria SRAM
Transferencias a memoria
Lectura: de la memoria al exterior Leer: DR M[AR]
AR Registro de direccin
Sumador Restador
A3 B3 B3 Sel A2 B2 B2 Sel A1 B1 B1 Sel A0 B0 B0 Sel 01 01 01 01
A B Co Ci
A B Co Ci
A B Co Ci
A B Co Ci Restar/Sumar
S3
S2
S1
S0
Sobreflujo
Circuito aritmtico
Micro operacin Suma Suma con acarreo Resta con prestamo Resta Transferir A Incrementar A Decrementar A Transferir A
Circuito lgico
Corrimientos
Bi Ai Ai-1 Ai+1
shr shl
74181
19 21 23 2 18 20 22 1
A3 A2 A1 A0 B3 B2 B1 B0
181
F3 F2 F1 F0
13 11 10 9
7 Cn 8 M
A=B 14 Cn+4 16 G 17 15 P
C16
181
S3 S2 S1 S0 3 4 5 6
F3 13 F2 11 F1 10 F0 9 A=B 14 Cn+4 16 G 17 P 15
S3 S2 S1 S0 3 4 5 6 19 A3 21 A2 23 A1 2 A0 18 B3 20 B2 22 B1 1 B0 7 Cn 8M
6 15 2 4 5 14 1 3
182
181
F3 13 F2 11 F1 10 F0 9 A=B 14 Cn+4 16 G 17 P 15
S3 S2 S1 S0 3 4 5 6 19 21 23 2 18 20 22 1 7 8 A3 A2 A1 A0 B3 B2 B1 B0 Cn M
181
13 Cn
C0
F3 13 F2 11 F1 10 F0 9 A=B 14 Cn+4 16 G 17 P 15
S3 S2 S1 S0 3 4 5 6