LECCIN 10 DISPOSITIVOS EMISORES DE MICROONDAS (DISPOSITIVOS GUNN) 1)INTRODUCCIN Ya hemos visto en la leccin 6 un dispositivo PN (el diodo tnel) con

una caracterstica I(V) que tiene una zona de resistencia diferencial negativa. Dicha zona de resistencia negativa da lugar a inestabilidades que permiten utilizar el dispositivo como generador de microondas. Existe otro dispositivo con el que se pueden generar microondas y que, a diferencia del diodo tnel, basado en una unin pn degenerada, est basado en una particularidad de la estructura de bandas de algunos semiconductores. Aunque a veces se le llame, impropiamente, diodo Gunn, se trata de un dispositivo cuyas caractersticas dependen de propiedades intrnsecas del material, no de efectos de contacto entre materiales diferentes.

2.- DISTRIBUCIN DE ELECTRONES ENTRE MNIMOS DE LA BANDA DE CONDUCCIN En algunos semiconductores como el GaAs o el InP, existe un segundo mnimo en la banda de conduccin (a pocas centenas de meV del mnimo absoluto y con masa efectiva mayor que ste), segn el esquema mostrado en la figura 1. En general, al no estar dichos mnimos en centro de zona, habr M2 mnimos equivalentes, segn la simetra del cristal. En equilibrio trmico, a temperatura ambiente, dicho mnimo est vaco. En presencia de un campo elctrico intenso, al aumentar la temperatura electrnica, una parte de los electrones son transferidos al segundo mnimo en el que la movilidad de los electrones es mas pequea. Como consecuencia, la resistividad del material aumenta bruscamente a partir de cierto campo umbral, apareciendo una zona de resistencia negativa. Si llamamos n1 a la concentracin en el mnimo absoluto, n2 a la concentracin en el mnimo excitado y EC a la diferencia energtica entre ambos mnimos, en equilibrio trmico se cumplir:
n1 = N C1 e
EC1 E F kT

n2 = N C 2 e

EC 2 E F kT

donde NC1 y NC2 son las densidades efectivas de estados en cada mnimo y EF es el nivel de Fermi. Podemos obtener la relacin entre las concentraciones en ambos mnimos:
2 EC m* n 2 = N C 2 EC 2 EC 1 = 2 e kT M 2 * e kT n1 N C1 m1 3

donde M2 es el nmero de mnimos equivalentes de tipo 2. En el GaAs, EC es del orden de 0.3 eV y el mnimo 2 se sita en el punto L (borde de la primera zona de Brillouin en la direccin cristalina [111], por lo que el nmero de mnimos equivalentes es 4. La relacin entre las masas efectivas es del orden de 8. Con esos valores, en equilibrio trmico y a temperatura ambiente la poblacin de electrones en el mnimo 2 es despreciable. 3.- TRANSFERENCIA DE ELECTRONES: TEMPERATURA ELECTRNICA Si acta un campo elctrico E, la potencia ganada por los electrones, a una velocidad v, ser evE. Si la energa ganada porel sistema electrnico es pequea comparada con la energa trmica media, la poblacin de electrones en los mnimos no vara. Si la energa ganada por los electrones es mucho mayor que la energa trmica media, se producir un desequilibrio entre la temperatura de la red y la temperatura del gas de electrones. El exceso de energa en el sistema electrnico se describe mediante el concepto de temperatura electrnica, Te. Al aumentar la temperatura electrnica, aumenta la probabilidad de los procesos inelsticos mediante los cuales los electrones generan vibraciones de alta energa en la red. Para un valor dado del campo elctrico, la temperatura electrnica de equilibrio ser aquella a la que la potencia ganada por el gas de electrones se iguala con la potencia cedida a la red:

qEv =

3 k( T e T) 2

Te=T +

2 qEv 3 k

donde el tiempo de relajacin de la energa electrnica. Dicho tiempo que es en torno a uno o dos rdenes de magnitud el tiempo de relajacin del impulso, que determina la movilidad electrnica. Ello es debido a que este ltimo est, en general, regulado por procesos elsticos, mientras que el tiempo de relajacin de la energa, que regula la transferencia de energa a la red, est regulado por procesos inelsticos. Si la temperatura electrnica aumenta, la distribucin de los electrones entre los mnimos cambiar, de manera que empezar a poblarse el mnimo 2
2 EC m* n2 = 2 M 2 * e kTE n1 m1 3

y ello afectar a la relacin entre la densidad de corriente y el campo:

J = E = qvn = q( 1 n1 + 2 n2 ) v =

1 n1 + 2 n2
n1 + n2

E=

1 E
1+ n2 n1

Si sustituimos la expresin de la velocidad en la de la temperatura electrnica obtenemos: 2 2 q 1 E Te = T + EC 3 k N 1 + C 2 e kT e N C1

ecuacin que permite calcular Te , y por tanto las concentraciones en ambos mnimos y, en consecuencia, la densidad de corriente en funcin del campo: J = qvn = qn

1 E
1+ N C 1 2 e kT e
EC

NC Para campos altos puede existir una alta poblacin de electrones en los mnimos excitados, con la consiguiente disminucin de la densidad de corriente, tal como muestra la figura.

4.- INESTABILIDADES DE LA CARGA Vimos en la leccin 5 que en cualquier material que contenga portadores libres, se mantiene la neutralidad elctrica, ya que, en presencia de carga elctricas, se producen movimientos de carga tendentes a compensarlas. Mediante la ecuacin de conservacin de la carga (ecuacin de continuidad de la carga) y del teorema de Gauss pudimos deducir el tiempo mximo que tarda en restablecerse la neutralidad en un medio de constante dielctrica y conductividad : t r r r M (t) = 0 e = J = ( E) = E = M = t El exceso de carga desaparece en un intervalo de tiempo del orden de / =M, que es el llamado tiempo de relajacin de Maxwell. Si en el semiconductor existe un mecanismo como el que hemos descrito, por encima de cierto valor del campo elctrico habr una conductividad diferencial negativa (pendiente de la curva J(E). En esa situacin, la ecuacin de continuidad y el teorema de Gauss conducen a: r r r (t) = 0 e R = J = ( E) = E = D = R= R D t Cualquier inestabilidad de la carga tender a crecer indefinidamente, en lugar de compensarse. Es esa inestabilidad la que origina oscilaciones de alta frecuencia. Si el dispositivo se introduce en una cavidad resonante adecuada, ese efecto permite la emisin de microondas.
t

Si el dispositivo tiene una longitud L, dado que la carga ser arrastrada por el campo, el tiempo que tarda el exceso de carga en atravesar el dispositivo ser: t=L/v. El factor de crecimiento de la carga durante ese tiempo ser:
t

F =e =e Este factor permite definir un criterio para determinar el modo de trabajo de estos dispositivos. Para que una inestabilidad de carga se desarrollo, debe haber sificiente carga disponible en el semiconductor. Si F>1, la inestabilidad se desarrolla rpidamente y aparecer una distribucin no homognea de carga en el dispositivo. La condicin puede escribirse como:

L v R

L v R

>1

L > v R

L>v

v = D en0 D

Ln0 >

v 1012 cm 2 e D

El valor crtico del producto Ln0 es similar para el GaAs o El InP. En funcin del valor de ese parmetro existen dos modos principales de trabajo para un dispositivo Gunn: a) Modo de acumulacin: Cuando Ln0<1012 cm-2 la inestabilidad de carga no llega a desarrollarse completamente en el tiempo de trnsito. Se produce una zona de acumulacin de electrones (electrones lentos del mnimo 2), lo que cambia la distribucin de campo en el interior del dispositivo. Una pequea fluctuacin en el ctodo genera un exceso local de electrones que va aumentando a medida que es arrastrado hacia el nodo (figura c). El campo en el dispositivo va cambiando, como consecuencia de la discontinuidad generada por la zona de acumulacin de electrones (figura b). Dado que la carga debe conservarse, la inestabilidad se desarrolla a partir de los electrones que entran por el ctodo y que se van acumulando. Los electrones se acumulan porque, al ser transferidos al mnimo 2, se ralentizan. La acumulacin de carga en el dispositivo hace disminuir la corriente en el circuito exterior (figura d). En el punto 6 la corriente vuelve a aumentar por la llegada de los electrones de la zona de acumulacin al nodo. La zona de acumulacin desaparece y el dispositivo vuelve al punto de trabajo 1, de manera que se puede iniciar una nueva inestabilidad. La frecuencia de trabajo estar, bsicamente, determinada por el tiempo de trnsito. b) Modo de dominios dipolares Cuando Ln0>1012 cm-2 la inestabilidad de carga se desarrolla completamente en una fraccin de tiempo inferior al tiempo de trnsito. Al existir mayor concentracin de electrones, la acumulacin es rpida y, por delante de la zona de acumulacin de electrones lentos (electrones del mnimo 2) se forma una zona de agotamiento, lo que origina un dipolo, ya que la zona de acumulacin es negativa y la de agotamiento es positiva. Entre ambas zonas se crea una zona de campo intenso. Este campo hace aumentar la velocidad de los electrones lentos, estabilizndose el dominio cuando la velocidad de los electrones lentos en el dominio se iguala a la de los

electrones rpidos (del mnimo 1) en el resto del dispositivo.

La siguiente figura muestra la evolucin temporal del dominio. Cuando el dominio se forma (figura 1), la acumulacin de la carga en el dominio hace disminuir la corriente en el circuito exterior. La propagacin del dominio (figura2) corresponde a un mnimo de la corriente, que solo vuelve a aumentar cuando la zona de acumulacin del dominio alcanza el nodo (figuras 3, 4). Es necesario sealar que, en ambos regmenes de trabajo, es cavidad resonante de microondas en la que est el dispositivo la que fija la frecuencia de emisin.