Tesis

Escuela Tcnica Superior de Ingeniera
Modelizacin y Fabricacin de Dispositivos Supresores TVS para Proteccin en Aplicaciones de Ba ja Tensin.
wemori presentd por

Jess Roberto Urresti Ibez
pr optr l qrdo de hotor en sngenier iletrni hiretor

Dr. Salvador Hidalgo Villena
Bellaterra, Octubre 2008
il rofF tordi u rruellD gtedrtio de iletrni del heprtE mento de sngenier iletrni de l isuel ni uperior de sngenier de l ef y tutor de l presente tesis dotorl
CERTIFICA:
presentd por hF tess oerto rresti sez pr optr l grdo de hotor en sngenier iletrniD h sido relizd jo l direin del hrF lvdor ridlgo illeE nD gient(o itulr del gsgD y que es pt pr ser presentd en trmite de letur y defens pliF
TVS para Proteccin en Aplicaciones de Baja Tensin
ue l memori
Modelizacin y Fabricacin de Dispositivos Supresores
fellterrD yture de PHHVF
rofF tordi u rruell
hrF lvdor ridlgo illen
iv
Agradecimientos
we gustr provehr l osinD ntes de presentr este trjoD pr expresr mi grdeimiento tods quells persons que lo hn heho posiE leF in primer lugrD quiero grdeer los rofesores prnes err y imilio vorEmyo el heho de permitir relizr est tesis dotorl en ls instlE iones del swfEgxwF es mismoD quiero mnifestr mi ms sinero grdeiE miento l hrF lvdor ridlgoD diretor de est tesisD por tod su dediinD su predisposiin onstnte l dilogo y portin de idesD su pieni y su rti onstrutivF min quiero expresr mi reonoimiento l rofF tos willn y los hotores tos eollo y hvid plores por su tiles onE sejos y nimosF uiero grdeer l inestimle yud que me hn ofreido el rofF hilippe qodignon y los hotores wiquel ellvehD vier tordD emdor rezD ierre frosselrd yD espeilmenteD vier erpiny por su inlulle yud y omp en nuestr estni en resF min me gustr dr ls gris todos los omperos y migos que he tenido dentro y fuer del despE hoD por su ompD yud y momentos de oioX tume oigD prnes wdridD sgnsi gortsD wel lidiD tos vuis qlvez @FkFF epe2 AD euE rore gonstntD lo pernndezD hvid nhez y un lrgo etF del mismo modoD quiero grdeer todo el personl del swfEgxw por filitr on su trjo ls lores dirisF he l mism formD quiero grdeer pgor iletrniD espeilmente hF smnol wzrredoD por el inters mostrdo en l utilizin industril de los resultdos de este trjo y por ls filiddes dds pr el eso l informin de su tenolog s omo su inestimle yud en l friinD enpsuldo y rterizin de los dispositivos ojetos de estudioF xo quisier dejr psr l oportunidd de poder grdeer todos mis
vi
migos que d trs d hn omprtido onmigo su rtos liresX hvid 4ito4 qilD itor gsedsD wnuel wuozD elerto qutierrezD l ortsD tess wenD wrio qilD ness worillsD enn llsD svn frnsD prniso oE lesD wiguel ngel qonzlezD en reejoD tordi rernndezD wiguel redesD wr 4lnks4 @y lo siento si me olvido lgunoD pero es queFFF sois muE hos3333AF qris de todo orzn por tods ls ensD todos los 4o nun heFFF4 y todos los momentos uenos y mlosFFF y por los que n nos quedn3F min me gustr grdeer de un mner muy espeil wiguel ngel qr y ngel yrtnD porque unque slo nos vemos en ontds osionesD me his demostrdo que un mistd rel qued por siempreD ms que migos sois mis hermnosF e mi prejD plorD grdeerle por estr h undo h tenido que estrD por on(r siempre en mi y por herme sentir espeilF estimo gndul3F pinlmenteD deseo grdeer de un form ms fetiv el poyo y el E rio que me hn demostrdo siempre mis seres ms queridosF e mis pdres y mis hermnos jms os podr devolver lo que me his yuddo en todo momentoD sin vosotros seguro que hor mismo no estr esriiendo estoD deir lo que os quiero y lo que os grdezo todo se qued muyD muy ortoF l resto de mi fmili gris de todo orzn por vuestro rioD yud y on(nzF
ndice general
Listado de smbolos Listado de acrnimos Introduccin 1. Perturbaciones elctricas
IFIF IFPF IFQF IFRF IFSF IFTF sntroduin F F F F F F F F F F F F F F puentes de soretensiones trnsitoris ifetos produidos por soretensiones hispositivos supresores F F F F F F F F rnsient oltge uppressor @A hispositivos vnzdos F F F F F F F F F F F F F F F F F F F trnsitoris F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F
ix xiii
1
F S F U F W F IH F IS F IW F F F F F F F F F F F F F F
2. Dispositivos supresores verticales de efecto punch-through

PFIF sntroduin F F F F F F F F F F F F F F F F PFPF il efeto punch-through F F F F F F F F F PFQF hispositivo Q ps F F F F F F F F F PFQFIF sntroduin F F F F F F F F F F F F PFQFPF enlisis de l orriente de fug F PFQFQF enlisis de l tensin de ruptur PFRF hispositivo R ps F F F F F F F F F PFRFIF sntroduin F F F F F F F F F F F F PFRFPF wodelo de ruptur F F F F F F F F PFRFQF grterstis eltris F F F F F QFIF hiseo y friin del de Q ps QFIFIF he(niin del proeso tenolgio QFIFPF priin de los dispositivos F F QFIFQF grterizin eltri F F F F F
23
PQ PR PU PU PV QS QW QW RH RU TU TV UI UR
3. Diseo y fabricacin de TVS verticales
F F F F
F F F F
67
viii
NDICE GENERAL
F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F UV UW VH VQ WI WP WP WT IHP IHQ IHT IHT IIH
QFPF hiseo y friin de R ps F F QFPFIF he(niin del proeso tenolgio QFPFPF priin de los dispositivos F F QFPFQF grterizin eltri F F F F F
4. Dispositivos supresores laterales de efecto punch-through

RFIF sntroduin F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F RFPF lterles en tenolog Bulk F F F F F F F F RFPFIF hesripin de los dispositivos F F F F F F RFPFPF enlisis de los dispositivos F F F F F F F F RFPFQF il punch-through lterl F F F F F F F F F RFPFRF ls de mpo en lterles F F F F RFQF lterles en tenolog Silicon-On-Insulator RFQFIF sntroduin l ys F F F F F F F F F F F F RFQFPF enlisis del dispositivo F F F F F F F F F F SFIF SFPF SFQF SFRF he(niin del proeso tenolgio F F F F F hiseo de msrsX de(niin opolgi priin de los dispositivos F F F F F F F grterizin del dispositivo F F F F F F F SFRFIF grterizin tenolgi F F F F SFRFPF grterizin eltri F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F @ysA F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F
91
5. Diseo y fabricacin de TVS laterales
F F F F F F
F F F F F F
115
IIS IIU IPI IPR IPR IQP
Conclusiones Artculos publicados Bibliografa
139 141 161
Listado de smbolos
e re emplitud de l se @ Q psA emplitud del u'er P + @ R psA rofundidd de difusin de oletor emplitud de l se @ vertilesA histni entre ventns de implntin @ lterlesA qrosor de l epitxi gonstntes de difusin de portdores inerg gorriente totl gorriente de fug gorriente mxim gonstnte de foltzmn @= 1.38 1023 tGuA vongitud de difusin de heye vongitud de l pl de mpo ws efetiv del eletrn hensidd intrnse del iliio hensidd de impurezs de l se hensidd de impurezs del oletor hensidd de impurezs del emisor
Db
Dc Def f
Depi Dn,p
i s
IL IP P
k
LD Lf p m e ni Nb Nc Ne
Listado de smbolos
Nepi Ntot OP OLY P P OU P q T
hensidd de impurezs de l epitxi hensidd de impurezs totl yverlp de l pl de mpo emplitud del olysiliio dentro del oletor grg eletrni @= 1.9 1019 g empertur roilidd de rnsiin qrosor de l p de xido enterrdo ensin plid otenil uiltEin ensin de ruptur ensin de lmpping ensin oletorEemisor ensin de punhEthrough ensin de reposo ensin de reposo en invers emplitud de oletor emplitud lterl del u'er P + emplitud de l se ixtensin de l zon de rg espil de l unin seEemisor ixtensin de l zon de rg espil en l zon x de l unin seEoletor ixtensin de l zon de rg espil en l zon x de l unin seEemisor
Tbox VA Vbi VBR VC VCE VP T Vst VW M WC Wb Wef f xjo xn
xn
Listado de smbolos
xp
ixtensin de l zon de rg espil en l zon de l unin seEoletor ixtensin de l zon de rg espil en l zon de l unin seEemisor gonstnte dieltri del iliio vongitud de penetrin de impurezs wovilidd de los portdores otenil en el oletor otenil en el emisor
xi
xp
si
n,p 1 2
xii
Listado de smbolos
F
Listado de acrnimos
fsgwy fy gwy gs iy ih qh tpi wypi wy ef ew yw es swy ys fipolrEgwy furied yxide gomplementry wetl yxide emiondutor giruito sntegrdo iletril yvertress iletrottil hishrge qs hishrge ues tuntion pield i'et rnsistor wetl yxide emiondutor pield i'et rnsistor wetl yxide ristor rivte eutomti frnh ehnge ndom ees wemory edEynly wemory istem de elimentin sninterrumpid eprtion y swplnted yxigen ilion yn snsultor rnsient oltge uppressor
xiv
Listado de acrnimos
Introduccin
v onstnte reduin de tmo y de tensin de trjo en los iruitos integrdos @gssA de nuev generin requiere un reduin del espesor de ls diferentes ps que los omponen @en espeil de los xidos de puerE t y de islmiento entre niveles ondutoresAD on el (n de umentr su densidd de integrin y su veloiddD reduiendo su onsumo de energF in emrgoD ests mejors onllevn un umento de su sensiilidd frente perturiones externs tles omo ls )utuiones en l red eltriD los oplmientos pitivos o ls desrgs eletrosttis @ihAF eunque existe un mpli gm de dispositivos eletrnios oneidos pr proteger los gss de este tipo de perturiones evitndo su destruE in @diodos zenerD tiristoresD etFAD l ontinu reduin de sus tensiones de operin y el umento de l freueni de trjo h requerido un grn esfuerzo de investigin pr dptr los dispositivos de protein ls nuevs ondiiones de operinF vs rterstis priniples que dee umplir todo dispositivo destiE ndo l protein de un sistem eletrnio sonX rpidez de respuestD j pidd prsitD j resisteni en onduinD lt pidd de sorin de orrienteD j orriente de fug en inversD mnimo tmoD jo osteD no dee interferir en el modo de operin norml del sistem que protege y dee mntener inlterles sus rterstis eltris lo lrgo del tiempoF in pliiones de lt tensinD los diodos zener y los tiristores son los elementos ms utilizdosD tnto en formto disreto omo de form monoltiE on el gsD pr l protein frente fenmenos de ihF in emrgoD ls nuevs generiones de gs pr pliiones mviles @ordendores porttilesD teleomuniionesD ontrol de sistems remotosD etFA requieren dispositivos pes de trjr j tensinD on jos onsumos de energ @on el (n de mximizr l vid de ls tersAF in ests ondiionesD los elementos
Introduccin
de protein trdiionles no son ptimosD por lo que son neesrios nuevos dispositivos de protein on j tensin de dispro y j orriente de fug en su estdo de loqueoF in est situinD el uso de nuevs estruturs de protein sds en un proeso de ruptur por vimiento @punch-through A mejor ls rteE rstis de ls sds en un ruptur por vlnh @se de los ompoE nentes trdiionlesAF esD este trjo pretende nlizrD optimizrD diser y frir nuevos elementos de protein on ruptur por punch-throughD onoidos omo upresores de rnsitorios de ensin o Transient Voltage Suppressors @AD que mejoren ls prestiones de los diodos zener en pliE iones de j tensin @menor de Q AF esD el gptulo I es un introduin o state of the art de ls perturE iones eltrisD de los dispositivos supresores en generl y de los en prtiulrF in el gptulo P presentmos un estudio de los de efeto punchthrough vertilesD donde se nlizn ls rterstis eltris de sus dos on(guriones @ Q psD R psAF min se present el modelo terio de ruptur desrrolldo pr este tipo de estrutursD s omo l veri(in del mismo medinte simuliones numris y dtos experimenE tlesF il gptulo Q trt sore el diseoD friin y rterizin de vertilesF e presentn los proesos tenolgios relizdos y se detlln ls mejorsD poniendo de mni(esto l superioridd de los R ps respeto los Q ps y los diodos zenerF il gptulo R present el estudio de los dispositivos lterlesD se reE liz por primer vez un estudio de dispositivos de efeto punch-through en rquitetur lterlD on l ide de poderlos integrr onjuntmente on l iruiter protegerF iste estudio se reliz pr diferentes on(gurE iones propuests en tenolog Bulk de iliioD se omprn entre ells y se esoge l on(gurin que muestr mejores rterstis omo dispositivo de estudioF iste gptulo tmin present un novedos form de utilizr l pl de mpo pr reduir l tensin de ruptur en los lterlesF or ltimoD y omo lne de futuroD se estudi su integrin dentro de un tenolog ys @Silicon-On-Insulator AF
Introduccin
pinlmenteD el gptulo S muestr todo el proeso de friin de los lterlesF e expli el proeso tenolgioD el diseo de msrsD su friin en sl ln y (nlmente su rterizinD tnto tenolgiD utilizndo tnis de Reverse EngineeringD omo eltriF
Introduccin
Captulo 1 Perturbaciones elctricas

1.1. Introduccin
vos supresores de trnsitorios son elementos indispensles pr segurr el uen funionmiento y lrg durin de los dispositivos que omponen todo sistem eletrnioF is un heho omprodo que el SHETH % de los fE llos en los iruitos integrdos @gs9sA son deidos fenmenos de Electrical OverStress @iyA I PD tmin onoidos omo perturiones eltris @o trnsitoriosAF esD se denomin perturin eltri l vriin o lE terin trnsitori de l orriente yGo tensin eltriF n perturin eltri es pz de destruir ulquier sistem elE trioD desde un instlin industril hst un omponente isldo de un prto de uso personlD si ste no est protegido onvenientementeF istuE dios pulidos reientemente Q hn demostrdo que el oste nul deido este fenmeno destrutivo superD slo en los istdos nidosD los QHFHHH millones de dlresF vos requerimientos de (ilidd y roustez dieron luE grD prtir de l dd de los VH del siglo psdoD un reiente esfuerzo investigdor destindo l omprensin de los fenmenos usntes de l perturin y l desrrollo de dispositivos supresores pes de proteger los sistems eltriosGeletrnios ontr estos fenmenosD soriendo el exeso de orrienteGtensinF eunque ulquier sistem eltrio es suseptile de sufrir un perturE inD en los ltimos osD y deido l veloidd l que vnzn ls nuevs generiones tenolgisD los gs9s se hn reveldo espeilmente senE siles este fenmenoF v squed de un myor densidd de integrin y freueni de operin en ls nuevs generiones sumirnis de gs9sD h
6
Forma de la perturbacin Tipo de perturbacin Subida/cada de tensin
Perturbaciones elctricas
Equipo afectado Proteccin efectiva
Tensiones anormalmente bajas o altas que duran varios segundos. Causadas por cargas excesivas de circuitos, pobre regulacin de la tensin o una reduccin intencionada.
Se ve afectado todo el equipo, aunque la mayora estn diseados para tolerar 10 %.
Reguladores de tensin, acondicionadores de lnea, Sistemas se alimentacin ininterrumpida (SAIs).
La tensin disminuye fuera de la tolerancia normal durante algn segundo. Causado a menudo cuando se conectan equipos de gran carga, por rayos y por fallos en el sistema de potencia.
Descenso de tensin
Afectan a la circuitera de puesta en marcha de los ordenadores y a la gran mayora de los controladores. Puede provocar el apagado del equipo.
Reguladores de tensin, acondicionadores de lnea, transformadores ferroresonantes, o SAIs.
Incremento de la tensin durante microsegundos o varios milisegundos, de 200 a 600 V. Causados por rayos, conmutaciones transitorias, descargas electrostticas o fallos en el sistema de potencia.
Sobretensin transitoria
Puede destruir componentes elctricos y el aislante de transformadores o motores.
Dispositivos supresores o algunos
acondicionadores de lnea.
Prdida completa de energa (entre milisegundos y varias horas). Causado por los fallos en el sistema de potencia, accidentes que involucran las lneas de alta tensin, fallos del transformador y/o generador.
Corte de suministro
Afecta a todos los equipos. Equipos sensibles pueden destruirse por paros tan cortos como 15 milisegundos.
SAIs o suministros de energa de reserva.
Es una distorsin de la forma de onda del suministro elctrico o de la seal. Causada por transmisiones de radio o radar, luces uorescentes, circuitera de control, etc.
Ruido elctrico
Afecta a los equipos basados en microprocesadores, como ordenadores o controladores de programas.
Filtros, SAIs o algunos acondicionadores de lnea.
Tabla 1.1:
Tipos de perturbaciones y proteccin contra ellas.
1.2 Fuentes de sobretensiones transitorias
llevdo l desrrollo de tenologs miroeletrnis que se snD priniplE menteD en l reduin de ls dimensiones mnimsD tles omo el espesor del xido de puert y l longitud del nl de los trnsistores D junto l reduE in de l tensin de limentin @pigur IFIAF iste heho provo que d nuev generin de gs9s requier el desrrollo de nuevos dispositivos supreE sores pes de operr d vez menor tensin y on un myor (iliddF
Figura 1.1:
Tendencia de la tensin de alimentacin. 2004 IBM corporation.
vs perturiones eltris se pueden diferenir en funin de l form de ondD del tiempo de durinD de los equipos los que fetD etF in l l IFI R podemos ver ls diferentes perturiones de l sel eltri @y se sel lgi o de limentinA que pueden usr fllos en equipos eltriosF vs perturiones eltris en ls que se entr este trjo son ls denominds soretensiones trnsitorisD y que los dispositivos ojeto de nlisis y desrrollo se destinn l protein ontr ests perturionesF
1.2. Fuentes de sobretensiones transitorias

v nturlez de ls fuentes generdors de soretensiones puede ser de lo ms vridoD rndo desde fenmenos nturles hst el ruido induido por equipos eltriosF vos trnsitorios pueden durr entre IHH ns y vrios msD pudiendo lnzr pios de tensin superiores IH kF he entre tods ellsD ls ms relevntes sonX
8 Conmutaciones Transitorias:
gundo se interrumpe un )ujo de orriente eltri se re un soretensin trnsitoriF isto es lo que ourre undo despree el mpo mgntio en un rg indutiv @l enerE g lmend se desrg provondo un umento de tensin que intent mntener el )ujo de orrienteAF olenoidesD trnsformdoresD motores eltrios e indutoresD son ejemplos de elementos que geneE rnD hitulmenteD perturiones durnte l desrg de l energ lmendF ist fuente de trnsitorios es l ms din de tods ls existentesF i un dispositivo est disedo pr soportr ls soretenE siones produids por l d de un ryoD on tod ertez ser pz de soportr tods ls otrs fuentes de menor mgnitudF vos ryos se produen undo l friin entre nues elev el potenil eletrosttio hst niveles pes de ionizr el ireD rendo un mino ondutor entre nues o entre nue y tierrF vs tnis moderns de detein de nleos tormentosos por rdrD hn permitido evlur l freueni de l d de ryos nivel mundilD estimndose en unos IHH ryos por segundo SF gundo un ryo e diretmente sore un lne de lt tensinD el pio de orriente de l perturin puede superr los PHH keF e pesr de su mgnitudD ests desrgs eltris se distriuyen entre ls numeross rgs y omponentes onetdos en prleloD y no suelen produir grndes dosF
Cada de rayos:
Descargas electrostticas(ESD):
il fenmeno de desrg eletrostti @ihD Electrostatic Discharge A se de(ne omo "la transferencia de carga entre dos cuerpos con diferente potencial elctrico" T medinte el ontto direto o trvs de un mpo eltrio induidoF ixisten tres menismos de generin de rgX ifeto trioeltrioD induin y onduin UF qenerlmenteD el desequilirio de eletrones en l suE per(ie del mteril est usdo por l friin entre mteriles de diferente onstnte dieltriD y reie el nomre de ifeto rioelE trioF il esquem de este efeto se puede oservr en l pigur IFPF il uerpo humno es pz de umulr rgD pudiendo lnzr los IS k de difereni de tensin respeto l sueloF v desrg eletrosttiE por ontto entre el mteril umuldor y un gs se produe de form muy rpidD lnzndose el mximo de orriente en menos de I nsD por lo que es neesrio utilizr omponentes semiondutores de protein de respuest rpidF etulmenteD los gs9s presentes en los sistems eletrnios suelen inorporr dispositivos de protein inteE grdos monoltimente en el mismo hip on el (n de grntizr su
1.3 Efectos producidos por sobretensiones transitorias

inmunidd frente este tipo de perturionesF
Figura 1.2:
Mecanismo de la carga triboelctrica. Contacto y separacin de los materiales.
1.3. Efectos producidos por sobretensiones transitorias

vos efetos produidos por ls soretensiones trnsitoris dependen del sistem fetdoF xos entrremos en omponentes semiondutores y gs9sD puesto que los supresores nlizdos en este trjo se destinn l proE tein de stos sistemsF vos fllos produidos por soretensiones se pueden dividir en tres lsesX
Destruccin:
is filmente oservle y generlmente se onoen sus ussF il resultdo es l destruin fsi de los omponentes semiondutores @ronizin de ls pist de metlD ruptur de xidos o de lguno de los omponentes en l integrdosAF isto se trdue en ortoiruitos o en l prdid de ontrol de los mismosD que su vez pueden provor ms dos en ls etps posteriores del sistemD pudiendo produirD inE lusoD su inutilizinF e vees l destruin produid no dej efetos visilesD puesto que slo fet un peque re de lgn dispositivo semiondutorF
10 Alteracin:
is el ms omn de los fllosD dndo lugr un omportmiento norml momentneo @prd del sistemD errores de omuniinD errores en medidsD prdid o inutilizin de (herosD errores de slidD etFAF in el peor de los sos puede provor fllos ltentesF
Latencia:
is prole que l myor de ls perturiones produids por un soretensin trnsitori no mni(esten su preseni orto plzoD por lo queD no ser que el equipo est ompletmente ddo o muestre un ml funionmientoD se sume que ste funion orretmenteF in emrgoD un soretensin puede produir dos queD sin fetr l norml funionmiento del sistemD reduen su inmunidd un soE retensin posteriorD por lo que el resultdo (nl es un disminuin signi(tiv del tiempo de vid del sistemF
Figura 1.3:
fundida
Destrucciones provocadas por ESD: Ruptura de xido y pista
1.4. Dispositivos supresores

vos dispositivos supresores de tensin se utilizn pr proteger los sisE tems eltrios de ls soretensionesF esoren l perturin de form que el sistem l que protegen no se ve fetdo y puede ontinur funioE nndo on normliddF
1.4 Dispositivos supresores
11
gonoer l rquitetur del sistem es el primer pso pr onseguir un uen protein y elegir el dispositivo deudoF n dispositivo supresor idel dee umplir los siguientes requisitosX IF esisteni nul y d de tensin ero en onduinD PF iempo de respuest instntneoD QF gpidd de sorer energ in(nitD RF hispro slo durnte ls perturiones (ltrrD SF rsprente l iruitoD TF wnimo onsumo de re de iliioF
Figura 1.4:
Caracterstica de trabajo de un supresor
is ovio que un dispositivo rel no umple todos estos requisitosD por lo que se h de estleer un riterio que (je el ompromiso del umplimiento de d uno de ellos l hor de su diseo y optimizinF in l pigur IFR se puede ver l evoluin temporl de un soretensin tpi y l form en que t un dispositivo supresor VF gomo se oservD se dee elegir el dispositivo que se lo su(ientemente rpido y que mnteng l tensin plid por dejo de niveles de voltje potenilmente peligrosos pr el sistem que protegeF
12
ixisten diferentes tipos de dispositivos supresores en funin de l oE rriente y l tensin que deen soportrD de l veloidd de onmutinD etF vos ms omunes sonX
aA Estructuras Metal-xido Varistor (MOV): on estruturs idiE
reionles frids prtir de prtuls de un xido metlio @norE mlmente inA omprimids en un mtriz de fismutoF gd zon de ontto de ls prtuls t omo un unin x on un tensin de ruptur de unos PEQ F willones de ests uniones tn omo diodos que trjn diferentes tensionesF rindo el tmo de l prtulD el espesor del dispositivo y su reD se pueden ontrolr sus prmetros eltriosF n grn nmero de uniones he umentr l orriente de fug @unos S me pr un wy de PH mm de dimetroA peroD l mismo tiempoD proporion un exelente pidd pr sorer grn ntiE dd de energF eunque l orriente que puede irulr por un vristor es muy elevdD su omportmiento se degrd en d exposiin un soretensin trnsitoriD por lo que su tiempo de vid es stnte limitdoF en sD on un uiddoso test y selein de los wysD junto un on(gurin en prleloD se puede umentr su tiempo de vidD queD en l tuliddD puede llegr unos IS osF
bA Tubos de Descarga de Gas (GDT):
vos qhs onstn de dos grndes eletrodos de metlD seprdos por un distni del orden de I mm y hermtimente selldosD en un mteril ermio o vidrioF il dispositivo se rg on un mezl de ridrgeno y ergn un presin de unos HFI frF istos dispositivos se disprn undo l tensin entre los eletrodos es lo su(ientemente lt omo pr ionizr el gs de su interiorF e ontinuinD l tensin ument hst un nivel muy superior su tensin nominl on un veloidd de suid de I kGs prD (nlmenteD lnzr el modo de onduin on un d en tensin de poos voltiosF u pidd de protein depende de l seprin y de l longitud de los eletrodosF ionmiento que el qhF gonst de dos elementos ondutores situdos muy prximos entre siD seprdos nimente por ireF sgul que en el qhD l hisp se produe undoD entre los terminlesD existe un difereni de potenil lo su(ientemente grnde omo pr ionizr el ireF e utiliz omo primer protein en un sistem multiEetp de dispositivos supresores destindo l protein diret ontr d de ryosF
cA Gap de aire: iste dispositivo se s en el mismo prinipio de funE
1.4 Dispositivos supresores
13
dA Bloques de carburo de silicio: punionn de form similr l gp
de ireD peroD en este soD un orriente muy elevd puede vporizr literlmente los eletrodos de ronoF yriginlmente disedo pr protein ontr ds de ryosD en l tulidd es un dispositivo en desuso sustituido por los qhsD de menor oste y mejores prestionesF que durnte el tiempo de respuestD ntes de su destruin trmiD pueden onduir grndes ntiddes de orrienteF istos dispositivos son de un solo uso y despus deen ser reemplzdosF
eA Fusibles: qenerlmente no se onsidern dispositivos supresores puesto
f A Surge Relays:
e disen pr desonetr ls lnes de sel nte soreorrientes ltsF in l tulidd pueden operr en rngos de poE teni elevdosD on uenos niveles de estilidd y sensiiliddF v veloidd de respuest es su myor inonvenienteD puesto que los onE ttos son meniosF equipo eletrnioF u veloidd de respuest es del orden de deens de msD por lo que son demsido lentos omo pr proteger un trnsitorioF istos dispositivosD en protein ontr soretensionesD pueden ser uni o idireionlesF e rterzn por su j d de tensin en onduin y su elevd pidd de disipin de poE teniF il rngo de tensiones de dispro de estos dispositivos vD en pliiones de teleomuniionesD desde PH hst IHHH on unos vlores de orriente entre SH y PHH eF u destruin se produe por ortoiruito internoF
gA Corta-circuitos: e utilizn pr desonetr l limentin de un hA Tiristores:
iA Transient Voltage Suppressor (TVS):
on dispositivos semionE dutores supresores de soretensiones sdos en l ruptur por vlnE h de un unin xF u pidd de protein depende del re y su metlizin dee ser grues pr otener un uen pidd de disipin de l energ que sore de l perturinF is proleE menteD de entre todos los supresoresD el que present un myor veE loidd de dispro @inferior l nnosegundoA y su orriente de fug es extremdmente j @del orden de AAF edemsD su onexin tnto en serie omo en prleloD permite umentr enormemente l pidd de proteinF gure un rngo de tensiones de dispro desde los RRH hst vlores ernos I F v destruin fsi del omponente se produe normlmente por ortoiruito internoF
14
v l IFP muestr ls rterstis priniples de los diferentes disE positivos supresores VX

Dispositivo MOV GDT Gap de aire Bloque SiC Fusible Velocidad de respuesta Nivel de proteccin (sensibilidad) Capacidad de absorcin de energa Estabilidad
Muy rpida Rpida (s) Rpida Rpida Muy lenta Lenta (ms) Lenta Rpida Muy rpida (<ns)
Regular Regular Malo Malo Bueno Bueno Regular Bueno Muy bueno
Alta Alta Alta Alta Alta Alta Alta Baja Baja
Mala Regular Mala Mala Regular Buena Regular Buena Muy buena
Surge relay
Corta circuitos Tiristor TVS
Tabla 1.2:
Principales caractersticas de diferentes dispositivos supresores.
vos dispositivos supresores se pueden lsi(r en funin del modo de trjoX
Clamping : il dispositivo empiez onduir undo l tensin soE
reps un determindo vlor umrl y vuelve l estdo de loqueo undo l tensin desiende por dejo de diho vlorF v protein en modo clamping se reliz on dispositivos y estruturs wetlE xidoEristor @wyAF
il dispositivo empiez onduir undo l tensin soE reps el vlor de ruptur y l orriente soreps el vlor de disproF n vez en onduin l tensin e hst unos poos voltios @estdo de j impedniAF il retorno l estdo de orte se produe undo l orriente deree por dejo del vlor de mntenimientoF v protein en modo Crowbar se reliz on uos de hesrg de qs @qhA y on tiristores uniD o iD direionlesF v ventj prinipl de los supresores tipo crowbar es l po d de tensin en onduinD lo que permite soportr niveles muy elevdos de oE rriente on un re reduid de siliioF xo ostnteD el uso de tiristores no es posile en pliiones de j orriente @lnes de selA deido su proeE so de orte por orrienteF or tntoD los tiristores se utiliznD priniplmenteD en lnes de teleomuniin potenilmente sometids l d de ryosF ijemplos de sistems protegidos on tiristores son ls entrles de telefonD
Crowbar :
1.5 Transient Voltage Suppressor (TVS)
15
efsD telfonosD pesD wyhiws e instrumentin eletrni en generlF or el ontrrioD los supresores tipo clamping @omo el A se emplen en lnes de teleomuniin que eventulmente pueden sufrir efetos seunE drios derivdos de l d de ryos y desrgs eletrosttisF n de ls pliiones tpis de los dispositivos es l protein de fuentes de liE mentinD donde el dee retornr l estdo de loqueo sin interrumpir o limitr l tensin o l orriente que )uye trvs de l rgF
bar.
Figura 1.5:
Caracterstica I-V de dispositivos tipo Clamping y tipo Crow-
pinlmenteD l pidd de entrd de los tiristores es notlemente menor que l de los equivlentesD espeilmente tensiones de loqueo jsD lo que se trdue en un menor tenuin de l sel en ls lnes de lt pidd de trnsmisin de dtosF iste trjo se entr en el estudio de los dispositivos yD en prtiE ulrD en quellos en los que l ruptur ourre por el efeto punch-throughF
1.5. Transient Voltage Suppressor (TVS)

iste tipo de elementos supresores de trnsitorios de tensinD se sn en l ruptur por vlnh de un unin x lo su(ientemente grnde omo pr sorer orrientes trnsitoris elevdsF ienen un tiempo de dispro
16
inferior l nnosegundo y un ftor clamping @relin entre l tensin de clamping y l tensin de rupturA de IFQQF il heho de que su funionmiento se de l ruptur por vlnhD segur un orriente de fug j en l myor de los sosF ists propieddes hen que estos dispositivos sen pes de proteger gss muy sensilesF
Figura 1.6:
Funcionamiento de un TVS
v tensin de ruptur de los v desde RRH hst I y sus prE metros eltrios ms importntes sonX
i
F F F
Tensin de ruptura (VBR ): ensin l que l orriente por vlnE

h del dispositivo super un vlor preestleidoD del D
ii
Tensin de clamping (VC ): gd de tensin l orriente nominl Tensin de reposo (Vst ): ensin de(nid omo el VH % del vlor de
VBR D
iii
iv v
F F F
WH % del vlor de VBR on polrizin inversD dispositivo ntes de su destruin fsiF
Corriente de fuga (IL ): gorriente que trvies el dispositivo Vst D Tensin de reposo en inversa (VW M ): ensin de(nid omo el Corriente mxima (IP P ): gorriente mxim que puede soportr el
vi
1.5 Transient Voltage Suppressor (TVS)

in l pigur IFU se desrien lgunos de estos prmetrosF
17
Figura 1.7:
Caracterstica I(V) de un TVS.
eunque existen dispositivos on tensin de ruptur elevdD el heho de que estos dispositivos tengn un grn rpidez de respuestD se puedn enpsulr sin indutnis prsits y presenten un grn pidd pr soportr orrientes elevds sin lterr su omportmientoD he que sen idneos omo elementos de protein en pliiones de j tensinF elE gunos ejemplos de ests pliiones sonX
Proteccin de CIs. il diseo de l pl donde se sueldn los gss y

winimizr l distni entre el y el gs protegerD il dee siturse tn er omo se posile de los onetores externos de l plD xo situr pists protegids y sin proteger en prlelo y po distniD xo situr pists por ls que iruln seles rtis er de l periferi de l plD y que est zon es ms propens desrgs eletrosttisF
los omponentes psivos es esenil pr minimizr los efetos de ls desrgs eletrosttisD deindose tomr ls siguientes preuionesD
18
Proteccin de MOSFETs de potencia. n de ls uss ms oE munes de l destruin fsi de un wypi es un vlor exesivo de l tensin drendorEfuente @siendo un form de evitr este proleE m onetr un entre drendor y fuenteAF ytr posile us de su destruin fsi es l ruptur del xido de puert deido un soretensin en l mism @pigur IFQAF esD l elein de un deE udo pr d tipo de wypi dee herse segn ls siguientes reglsD
v tensin clamping @so drendorEfuenteA dee ser inferior l tensin de ruptur del wypi en rgimen de orriente pulsdD in pliiones de onmutin on rg indutivD se reomienE d utilizr un @so drendorEfuenteA on un pidd de disipin de poteni en el orden de los P kD r proteger l puert de un wypi st on un on un pidd de disipin de poteni en el orden de los QHH @segn l norm VGPH sAF
Proteccin de puertos I/O. etulmenteD pr onseguir un mejor
pidd de protein de los puertos entrdGslid on un tensin inferior S D es preiso utilizr dos dispositivos onvenionles onetdos en serieF iste tipo de onexin permite reduir l piE dd de entrd y ls orrientes de fugD on polrizin inversD hst vlores inferiores IHH pp y IHH neD respetivmenteF
in emrgoD tensiones de ruptur inferiores los S D l respuest frente ls perturiones de los sdos en l ruptur por vlnh no es ptimD ddo queD pr poder otener tensiones de loqueo inferiores S D es neesrio umentr ls onentriones de impurezsD mos ldos de l uninD por enim de 1019 cm3 @pigur IFVAD lo que impli un rpido umento del mpo eltrio y de l orriente de fugD en omprin on un de S F min se oserv queD mientrs que en los on tensiones de loE queo superiores S l ruptur se produe de form ruptD pr vlores inferiores l orriente ument de form grdulD dndo lugr un odo en l zon de rupturD efeto que reperute negtivmente en l veloidd de respuest del dispositivoF il ojetivo de los de nuev generin es onE seguirD on un nio dispositivoD mejores prestiones en ests ondiionesF
1.6 Dispositivos TVS avanzados
19
los mismos.
Figura 1.8:
Perl de dopajes de dispositivos Zener y caractersticas I-V de
1.6. Dispositivos TVS avanzados

in l tuliddD en l myor de pliiones de protein se utilizn diodos enerF il funionmiento de este dispositivo @sdo en l ruptur por vlnh de su unin x polrizd en inversAD su simpliidd de fE riin y jo osteD junto sus uens rterstis eltrisD hen que se idneo en l myor de los sosF in emrgoD pr tensiones de ruptur inferiores S su omportmiento se degrdD experimentndo un disminuin de l veloidd de respuestD junto un umento onsiderle en l orriente de fugF iste umento onllev dos prolemsD el disminuir l veloidd de respuestD l orriente puede umentr lo su(iente omo pr destruir el dispositivo l ul dee protegerD n umento de l orriente de fug signi( un umento en l poteni onsumid undo el dispositivo est en loqueoD siendo espeilmente rtio en sistems porttiles limentdos on ter @donde el onE sumo h de ser mnimoD l poseer un fuente de limentin limitdAF esD on ojeto de mejorr el diodo ener trdiionl pr tensiones inE feriores S D preieron los punch-through diodes WF istos dispositivos se implementn on un tenolog ipolr @N + P N + o P + N P + AD donde el siliio de prtid es un sustrto ltmente dopdo @N + o P + A sore el que se ree un p epitxil poo dopd @ o xAD formndose sore est
20
epitxi un difusin super(il ltmente dopd @N + o P + AD tl omo se muestr en l pigur IFWF
Figura 1.9:
Corte transversal de un TVS con ruptura por punch-through.
Figura 1.10:
Corte transversal de un TVS 4 capas.
iste dispositivo lnz l ruptur l vir ompletmente de portdores l zon epitxilF il vlor de l tensin de ruptur est determindo por el espesor y l onentrin de impurezs de l zon epitxilF gon est teE nolog se pueden frir dispositivos supresores on tensiones de loqueo inferiores S D mejorndo en vrios rdenes de mgnitud ls orrientes de
1.6 Dispositivos TVS avanzados
21
fug respeto l ener trdiionlD unque se degrd tnto el ftor clampingD omo l veloidd de respuestF or est rznD no resultn del todo deudos en pliiones que requiern tensiones de loqueo inferiores los Q F vos nuevos requerimientos en l protein de gs9s fridos on un tenolog gwyD olign utilizr dispositivos supresores on tensiones de ruptur omprendids entre IFS y QFQ F isto h fvoreido el desrrollo de nuevos dispositivos de muy j tensinD sdos en un estrutur utrip @N + P + P N + o P + N + N P + A IHF in su friin se prte de un ole ltmente dopd @N + o P + A sore l que se ree un epitxi poo dopd @ o xAD en l queD on el (n de reduir n ms los niveles de orrientes de fug y el ftor de clampingD se reliz un dole difusin @P + N ++ o N + P ++ AF in l pigur IFIH se muestr l sein trnsversl de un de R psF
22
Captulo 2 Dispositivos supresores verticales de efecto punch-through

2.1. Introduccin
v tensin de limentin de los iruitos integrdos disminuye en d nuev generin tenolgi @pigur IFIAD permitiendo un grn inremento de l eletrni mvil gris l reduin de onsumoF ist disminuE in he que los gs9s sen ms sensiles un desrg eletrostti o perturionesD tnto de tensin omo de orrienteD en ls lnes de omuniE inF he l neesidd de disponer de dispositivos supresores de trnsitorios de muy j tensin y j orriente de fugD surgieron los punch-through diodes @sdos en l ruptur de un trnsistor ipolr en se iertAF in los dispositivos reti(dores onvenionlesD el espesor y l resistiviE dd de l epitxi se esogen de form deud pr onseguir el voltje requeridoF iste voltje est determindo por l ruptur por vlnh de un unin xF in emrgoD estos dispositivos tienen limitd su pidd de sorer energ IID deidoD priniplmenteD l heho de que l ruptur por vlnh tiende formr regiones lolizds donde el mpo eltrio se vuelve muy intensoD lo que indue l folizin de l orrienteF prente est situinD l pidd de sorer energ de los punch-through diodes es muy superior IP por lo queD durnte l ltim ddD se h inrementdo el estudio y friin de este tipo de estruturD dds ls ventjs frente los dispositivos supresores trdiionlesF
24
Dispositivos supresores verticales de efecto
punch-through
2.2. El efecto
punch-through
gomo su nomre indiD los punch-through diodes se sn en un fenE meno de ruptur diferente l de los supresores trdiionlesF v ruptur por punch-through se oserv iniilmente en trnsistores ipolres yD origiE nlmenteD se mnifest produiendo un ortoiruito en l regin de seF iste fenmeno se produe undoD deido l grn d de potenil en l unin seEoletor polrizd en inversD se re un orriente exesiv emisorEoletor imposile de ontrolr por l tensin seEemisor IQF iste efeto es tmin responsle de l ruptur entre ls puerts de los tpi de dole puert IR y de l ruptur fuenteEdrendor en los trnsistores wy de nl orto ISF e pesr de que en un prinipio se dese evitr est rupE tur tod ostD posteriores estudios IT demostrron queD on un diseo deudoD l orriente de punch-through en trnsistores wy de nl orE to est moduldD priniplmenteD por l tensin de puertD por lo que se pod utilizr omo un portin extr de orriente y umentr l trnsonE dutni del trnsistorF v posiilidd de ontrolr este efeto inrement el inters por su pliE in en diferentes dispositivosF il efeto punch-through se utilizD por ejemE ploD omo menismo de reiniio en detetores ptios y en memoris dinmiE s tpiD omo menismo de orriente en peques luls yw vertilesD omo dispositivo de rg en luls ew rpidsD omo dispositivo de voltE je de refereni en iruitos wy y omo fenmeno islnte en luls ew dinmisF esD pr poder diser on preisin los dispositivos D es neesrio onoer l fsi del efeto punch-through WD en espeil l tensin l que ste preeD VP T D tensin que diversos utores proximron en un primer intento omo IID IUX
VP T =
q Nb W 2 2 Si
@PFIA
donde Nb es l onentrin de impurezs en l se y W l nhur de l mismF v pigur PFI muestr un estrutur tpi N + P N + D en l que l se est dopd homognementeF in ellD el emisor se ontt tierrD el oletor se polriz un tensin positiv y l se se dej )otnteF
2.2 El efecto
punch-through
25
Figura 2.1:
Estructura N + P N + con la regin P dopada homogneamente. Distribucin de carga elctrica y perles de campo elctrico y voltaje en la regin de base, para VCE < VP T .
il efeto punch-through se s en el vimiento totl de l zon de se l unirse ls zons de rg espil de ls dos unionesF l omo muestr l pigur PFID l unin seEoletor se enuentr polrizd en inversD por lo queD l umentr l tensinD su zon de rg espil ument dentro de l se del dispositivoD mientrs que l unin seEemisor se enuentr polrE izd un tensin Vbi que no se modi( hst lnzr el punch-throughF in est situinD l orriente que trvies l estrutur ntes de l rupE tur es inyetd por l unin seEoletor que est en inversF n vez lnzdo el punch-throughD l unin seEemisor qued polrizd en direE tD produindose un umento exponenil de l orrienteD de form similr un unin x en diretD omo muestr l iuin PFPD donde VA es l tensin plid l uninF
I = I0 (e kT 1)
qVA
@PFPA
in l estrutur N + P N + el emisor y el oletor estn ltmente dopdosD de form que l extensin de ls zons de rg en ellos puede despreirseF esD xjo ser l extensin de l zon de rg espil de l unin seEemisor en l se undo el dispositivo est polrizndo positivmente entre el oleE tor y el emisor @por simetr de l estruturD si el dispositivo se polriz en inversD el omportmiento ser prtimente el mismo intermindo ls
26
punch-through
unionesAF hdo que l tensin se soport priniplmente en l unin seE oletorD y l estr l se )otnteD l unin seEemisor soport el potenil interno Vbi IVF in ests ondiionesD y teniendo en uent que ls zons de rg espil no penetrn en el oletor ni en el emisorD se puede onsiderr que el voltje en ls uniones es el mismo que en los onttos @onsiderndo onttos hmios idelesAF or onsiguienteD l tensin plid e en su totlidd en l regin de se @Vbi en l unin seEemisor y VCE + Vbi en l oletorEseAF el ir umentndo VCE D l zon de rg espil de l unin seEoletor ument @proporionlmente VCE A hst lnzr l zon de rg espil de l unin se emisor @pigur PFPA un vlor de tensin plid que se onsider omo l tensin de punch-throughF
Estructura N + P N + con la regin P dopada homogneamente y distribucin de carga elctrica, perles de campo elctrico y voltaje en la regin de base, para VCE = VP T .
Figura 2.2:
v iuin PFI es un proximin de l tensin de punch-through undo W >> xjo F in emrgoD en pliiones de muy j tensin es neesrio reduir W hst uns pos mirsD por lo queD pr otener un vlor ms exto de est tensinD hy que tener en uent l extensin de l zon de rg espil de l unin seEemisor IVF in ests ondiionesD l tensin de punch-through esX
VP T =
qNb W 2 W 2 Si
2qNb Vbi
Si
@PFQA
2.3 Dispositivo TVS 3 capas

donde Vbi se lul medinteX
27
Vbi =
kT Nb Ne ln( 2 ) q ni
@PFRA
siendo Nb l onentrin de impurezs en l se y Ne en el emisorF il vlor de l orriente que trvies el dispositivo depende del estdo de d uninF entes de llegr l rupturD l orriente es inyetd por l unin seEoletorF osteriormenteD l inyein de l unin seEemisor es l que dominF esD ntes de lnzr l rupturD los portdores inyetdos por el emisor @en este so eletronesA deen superr un rrer de potenilD Vbi D tl omo se puede oservr en l pigur PFPF ist rrer de potenil se mntiene onstnte hst que se lleg VP T D disminuyendo prtir de este momento y permitiendo l polrizin en diret de l unin seE emisor pr dr lugr l tpi rtersti s@A exponenil de un diodoF gomo se dedue de est expliinD los dos fenmenos @vimiento de l se y polrizin en diret de l unin seEemisorA estn reliondos entre s y sueden seuenilmente en el instnte en que se lnz VP T F he est formD siempre se onsider que se lnz ruptur undo l se qued vid ompletmenteD unque el umento ruso de l orriente se produe l polrizrse l unin seEemisor en diretF
2.3. Dispositivo TVS 3 capas

2.3.1. Introduccin
il trnsistor ipolr en se iert se puede utilizr diretmente omo dispositivo supresorD provehndo su ruptur por punch-throughF eunque l myor prte del merdo de dispositivos supresores pr pliiones de j tensin @ÌH A est opdo por los diodos enerD los trnsistores ipolres de se )otnte mejorn ls prestiones de los ener en pliiones de muy j tensin @`S AF v primer estrutur estudid est formd por tres psD N + P N + o P + N P + D donde l nhur y el dopje de l regin de se se esogen de mner que l unin que se polriz en invers lne l ruptur por punch-through ntes que por vlnhF in este prtdo se nlizn ls E rterstis eltris de est estrutur y su dependeni on los siguientes prmetros tenolgios @pigur PFQAX
28

enhur de l seD Db = Depi Dc hopje de l seD Nb emplitud de l difusin de oletorD Wc ipo de portdores
punch-through
Figura 2.3:
Corte transversal de un TVS bipolar de 3 capas.
il estudio se h relizdo on l yud del simuldor numrio idimenE sionl ilvo gehD del que se hn utilizdo tnto ls herrmients de simulin tenolgi @ethenA omo eltri @etlsA IWF il resto de pE rmetros tenolgios se hn mntenido onstntes en tods ls simulionesD y que se h omprodo que su in)ueni en ls rterstis eltris es poo relevnte si se mntienen en vlores ernos los utilizdos por tF vohstroh et lF IV en l friin de este tipo de dispositivosD hopje del emisorX Ne = 5 1018 cm3 io de dopje de l difusin de oletorX Nc = 3 1019 cm3 rofundidd de l difusin de oletorX Dc = 0.8m
2.3.2. Anlisis de la corriente de fuga

il nlisis del omportmiento fsio de l estrutur ipolr on se iert yud omprender los resultdos otenidos en unto l depenE deni de l orriente de fug on el dopje de l seD l mplitud de l difusin de oletor y el tipo de portdoresF
29
Dopaje de la base (Nb )

e h estudido l rtersti s@A del dispositivo vrindo el dopje de l se entre 1 y 5 1015 cm3 D mnteniendo el vlor de l tensin de ruptur R @pigur PFRAD justndo Db deudmente pr elloF
Wc = 600m.
Figura
2.4:
Corriente de fuga de un TVS 3 capas variando Nb ,
e oserv que l orriente de fug disminuye l umentr el nivel de dopjeF isto se puede entender si se onsider que l orriente que ps por el dispositivo es l orriente de fug de l unin seEoletorF odemos onsiderr que no existe reominin en el interior de l se del dispositivo puesto que l nhur de st es menor @no soreps en ningn so ls 10mA que l longitud de difusin de los portdores minoritrios @entre PH y QS mA IQF in ests ondiiones IV l orriente de fug del dispositivo es @idelmenteAX
AqDn n2 i I0 = 2 LD Nb
@PFSA
donde A es el re por donde irul l orrienteD Dn es l onstnte de difusin de los eletrones y LD es l longitud de difusin de heye de los portdores en l seD que se puede expresr omoX
30
punch-through
LD =
kT 2Nb q 2
@PFTA
or lo tntoD l orriente de fug es inversmente proporionl l rz udrd del dopje de l seX
1 I0 Nb
@PFUA
ist dependeni se h oservdo en ls simuliones relizdsF esD en l pigur PFR se muestr el vlor de l orriente de fug en estruturs on diferentes vlores de Nb D pr un mism tensin de rupturD donde se h determindo l orriente que ps diferentes niveles de tensin ntes de l rupturF
Figura 2.5:
Corriente que circula por el dispositivo en funcin de
1 . Nb
gomo se puede preir en l pigur PFSD l dependeni de l orriente on el dopje de l se ument on el voltje plidoF isto es deido que l orriente que irul depende de l d de potenil @omo en ulquier unin xAF in emrgoD l vriin de l orriente de fug on l onentrin de impurezs en l se se mntiene hst que se lnz l rupturD ddo que en este punto es l unin seEemisor l que domin el omportmiento del dispositivo l enontrrse polrizd en diretF
31
Amplitud de la difusin de colector Wc

l omo indi l iuin PFSD l orriente de fug depende linelmente del re por donde irul l orrienteF in reliddD est (rmin no es del todo extD y que l densidd de orriente no es onstnte lo nho de todo el dispositivoD ddo queD ntes de l rupturD l orriente )uye por todo el dispositivo pero mostrndo un densidd myor dejo de l unin de oletor @pigur PFT AAF
Figura 2.6:
Lneas de corriente y zonas de vaciamiento para: a) V < VP T y b) V > VP T . Wc = 400m.
esD (jdo el tmo del dispositivoD y por tnto su reD l orriente de fug umentr on l mplitud de l difusin de oletor @Wc AF v rzn de que l myor prte de l orriente )uy por dejo de l unin N + P oedee que esD en es reginD donde se redue l rrer de potenil que se opon l difusin de eletrones del emisorF iste heho se oserv lrE mente un vez lnzd l ruptur l rerse un mino ien de(nido de menor resistividd @pigur PFTAA por el que )uye l totlidd de l orrienteF r estudir este omportmientoD se hn simuldo diferentes estruE turs modi(ndo nimente l mplitud del oletorD vrindo desde ls 200m hst ls 600mD on un mplitud totl del dispositivo de 800mF vos resultdos otenidos se pueden oservr en l pigur PFUF in l pigur PFU se oserv omo I0 ument medid que lo he l mplitud de l difusin de oletorD Wc F enlizndo l dependeni de I0 on
32
punch-through
el re del oletorD se oserv omo ntes de l ruptur @pigur PFV AA st no es linelD unque se prei omo l orriente ument on el re de l difusin de oletorD deido queD unque grn prte de l orriente )uye por dejo de l difusinD tmin existe )ujo en el resto de l estruturF
Caracterstica I-V de estructuras TVS 3 capas con diferentes valores de amplitud del colector.
Figura 2.7:
Dependencia de la corriente con el rea del colector para diferentes tensiones.

Figura 2.8:
n vez lnzd l ruptur @pigur PFV AA tod l orriente irul justo por dejo del pozoD deido l reduin de l rrer de potenil
33
en es reginF or tntoD l orriente ument linelmente on el re de l difusin de oletorF
Tipo de portadores
he l iuin PFS se dedue que l ni dependeni on el tipo de porE tdores reside en l onstnte de difusinD Dn,p D que se expres de uerdo on l relin de iinsteinD omoX
Dn,p =
kT n,p q
@PFVA
donde nDp es l movilidd de los portdoresF
Figura 2.9:
stos.
Movilidad de portadores en funcin de la concentracin de
is ien sido que l movilidd de los hueos es menor que l de los eletronesD omo se muestr en l (gur PFWD PHF or tnto es de esperr que un dispositivo P + N P + teng un orriente de fug menor que un N + P N + F r veri(r este hehoD se hn simuldo dispositivos idntios pero interE mindo el tipo de portdoresD oteniendo los resultdos presentdos en l pigur PFIH AF
34
punch-through
a) Caracterstica I(V) de un dispositivo N + P N + y su equivalente P N P + . b) Tensiones clamping para diferentes dispositivos.

Figura 2.10:
e oserv que en un dispositivo P + N P + se redue tnto l orriente totl que irul por l omo l orriente de fugD presentndo tmin un menor orriente undo el dispositivo lleg sturinF il heho de que un on(gurin P + N P + teng un menor orriente de fug he pensr que st ser preferile frente l on(gurin N + P N + D sin emrgoD l reduin de l orriente en l sturin provo un umento en el vlor del voltje de clampingD pigur PFIH A IHF in est situinD si l difereni de orrientes de fug no exede un orden de mgnitudD se prioriz l otenin de un voltje de clamping menorD y que redund en un myor rpidez del dispositivoF in tods ls simuliones relizds en este trjoD y mientrs no se espei(que lo ontrrioD se h utilizdo un on(gurin N + P N + F v rzn de est elein reside en que l tenolog de(nid pr l integrin de ests estruturs dee poder ser trnsferid pgor iletrniD y ddo que l plnt de produin de semiondutores de dih empres ree de un implntdor inioD el dopje se reliz medinte proesos lterntivosF in onretoD l difusin tipo x @oletorA se reliz medinte el predepsito en un horno on miente rio en psforo @P OCl3 AD mientrs que l difusin tipo se llev oD o ien medinte l dopnte on un omposiin ri en foroD o ien medinte el predepsito en un horno on un miente rio en oro @B2 OCl3 AF v prues relizds en pgor iletrni hn eviE denido un myor repetitividd y ontrol en el proeso de predeposiin de impurezs tipo xD por lo que (nlmente se opt por desestimr l friin de estruturs P + N P + F
35
2.3.3. Anlisis de la tensin de ruptura

egn l iuin PFQD el voltje de punch-through depende nimente @desde el punto de vist de los prmetros tenolgiosA del dopje y de l nhur de l seD Nb y Db @que en l iuin PFQ pree omo W AF u in)ueni sore l tensin de ruptur se nliz por seprdoD de form nlog l nlisis relizdo en l orriente de fugF
Dopaje de la base Nb
n umento de l onentrin de portdores en l se impli un reduin de l zon de rg espil de l unin seEoletorF or onE siguienteD pr lnzr un mism extensin de l zon de rg espil on un onentrin myor de l regin de seD dee plirse un tensin myorD dndo lugr un umento de l tensin de ruptur del dispositivo PID siempre y undo no se lne l vlnhF
Figura 2.11:
I-V de dispositivos N + P N + , Nb variable, Db = 2.5m.
iste heho viene desrito por l primer prte de l iuin PFQD donde l tensin l ul l zon de rg espil lnz un extensin Db esD
2 qNb Db 2 Si
@PFWA
36
punch-through
or otro ldoD existe l zon de rg espil de l unin seEemisorD uy expresin esD
xjo =
Si Vbi
qNb
@PFIHA
esD l zon de rg espil de l unin seEoletor no dee llegr hst Db sino hst Db xjo F or tntoD l umentr l onentrin de impurezsD l nhur efectiva de l regin de se que h de lnzr l zon de rg espil ument l disminuir xjo F esD un umento de Nb proE due siempre un umento de l tensin de ruptur del dispositivo deido dos fenmenosX l menor extensin de l zon de rg espil de l unin seEoletor un tensin plid y l reduin de l nhur de l zon de rg espil de l unin seEemisorF
Variacin de la tensin de ruptura con el dopaje de la base. Resultados mediante simulacin y prediccin terica (Ecuacin 2.3).
Figura 2.12:
r oservr este efetoD se h simuldo el omportmiento del disposiE tivo vrindo hor nimente Nb F in l pigur PFII se prei el umento de l tensin de ruptur on el dopje de l seF edemsD se oserv omo este umento es prtimente linelD tl omo indi l iuin PFWD puesto que el efeto no linel prediho por l iuin PFIH D deido l disminuin de xjo D es menor que el produido por l menor extensin de l zon de rg espilF
37
vos resultdos de l simulin presentdos en l pigur PFIP se hn otenido (jndo l orriente de ruptur 10AF ist elein se dee que se h oservdoD en l myor de ls simulionesD que este nivel de oE rriente el dispositivo y h lnzdo el punch-throughF esD unque es difil determinr extmente el punto de ruptur prtir de ls simulionesD nos segurmos de que el vlor otenido se proxim l relF
Anchura de la base (Db )

v nhur de l seD Db D es el prmetro lve l hor de diser el dispositivo y elegir su tensin de rupturD deido dos rzonesX IF is filmente ontrolle @siempre que se dispong de un tenolog ien estleidA dentro del proeso de friin del dispositivoD PF u vriin nimente modi( l tensin de rupturD dejndo ls otrs rterstis eltris del dispositivo inlterds @omo l oE rriente de fug y l tensin de clampingD Vc AF
Caracterstica I-V dispositivos N + P N + , Db variable para a) Nb = 10 cm3 y b) Nb = 5 1015 cm3 .

Figura 2.13:
15
r estudir el efeto de Db sore Vbr D se hn simuldo dispositivos on dos vlores diferentes de dopje de l seD vrindo Db F in l pigur PFIQ se puede oservr que un disminuin de Db impli un disminuin de l tensin de ruptur del dispositivoD on un myor d de tensin l
38
punch-through
umentr el dopje de l seF or tntoD pr un vlor de dopje (jdoD el juste de l nhur de se determinr l tensin de ruptur PPF in emrgoD existe un lmite por dejo del ul no se puede disminuir ms dih nhurD y queD si l se es lo su(ientemente estrehD ls zons de rg espil de ls dos uniones pueden llegr estr tondose siempreF he este modoD l plir un mnim difereni de potenil el dispositivo entr en rupturF or onsiguienteD l nhur de se dee umplir l siguiente ondiinX
Db > 2 xjo
@PFIIA
Variacin de la tensin de ruptura con la anchura de la base para dos valores de Nb (mediante simulacin y prediccin terica, Ecuacin 2.3).
Figura 2.14:
or ejemploX un dispositivo on un onentrin en l se de 1015 cm3 dee tener un nhur myor de 1.5mD mientrs que si l onentrin es 5 1015 cm3 l nhur se puede reduir hst 0.7mF v pigF P IR muestr el uerdo de ls simuliones de l pigur PFIQ on l iuin PFQ y oE mo l tensin de ruptur tiende ero en los vlores seldos nteriormenteF n vez nlizds ls rterstis eltris del Q ps vmos nlizr hor el R psF
39
2.4. Dispositivo TVS 4 capas

2.4.1. Introduccin
e pesr de l signi(tiv reduin de l orriente de fugD los Q ps no llegn tener l veloidd de respuest que presentn los ener trdiionlesF he tods formsD es innegle l mejor de los dispositivos Q ps pr tensiones de trjo inferiores S D ms n si su uso se orient hi dispositivos porttiles donde el onsumo de energ es de vitl importniF in emrgoD unque se logre reduir l orriente de fug en vrios rdenes de mgnitudD no se dee olvidr que l veloidd de respuest de un dispositivo supresor es un prmetro fundmentlF in el prtdo nterior no se h tenido en uent l veloidd de resE puest l hor de optimizr el dispositivoD unque y se dvirti de que l tensin de clampingD ftor ligdo l veloidd de respuestD er myor pr estos dispositivosF e pesr de que el Q ps no muestre un veloidd de respuest similr l enerD st se puede mejorrD y que l veloidd de respuest de un dispositivo dee grntizr l sorin de trnsitorios sin que se destruynD o se degrdenD ls etps posteriores que el propio disposiE tivo protegeF il dispositivo ms simple sdo en el efeto punch-through omo mtodo de ruptur es el Q psY pero ello no quiere deir que se el nio yD ni muho menosD el mejorF xo dej de ser espernzdor el heho de queD on el dispositivo ms senilloD se onsign prestiones eltris sustnilmente superiores ls del enerD lo que he pensr que es posile frir dispoE sitivos supresores de j tensin @sdos en el efeto punch-through A on uns rterstis n mejoresF eunque los dispositivos supresores Q ps se estudin y se frin desde he ddsD hst medidos de los os WH PQ no se enontr un soluin l prolem del umento de l tensin de clamplingF in esos osD emteh gorpF PR introdujo en el merdo un nuevo dispositivo supresor sdo en el efeto punch-through on prestiones superiores ls del Q psF v estrutur si de este dispositivoD formdo por R psD se muestr en l pigur PFISF eos ms trdeD rotek hevies PS inorporE este tipo de dispositivo su tlogo yD reientementeD investigdores de hilips hn propuesto dispositivos similres PTD de hst S psD pero mnE teniendo l ide originl de emtehF
40
punch-through
Figura 2.15:
Corte transversal de un TVS 4 capas.
ods ests estruturs tienen omo ojetivo l reduin de l tensin de clamping provehndo el efeto de snapback PUF r ello se de un p P + jo l unin seEoletor de l estrutur trip siF ist p ltmente dopd no fet l orriente de fug del dispositivoD pero en mioD un vez lnzd l rupturD goiern l orriente que irul por lF il snapbackD o resisteni negtivD se produe deido l ionizin por impto generd por el elevdo mpo eltrio en l zon P + D donde los pres eletrnEhueo son elerdos en direiones opuestsF il resultdo del movimiento por seprdo de eletrones y hueosD us un reduin en l ltur de l rrer de potenilD disminuyendo de este modo l d de potenil en el dispositivo pr un orriente dd PVF heido l reiente priin de l nuev generin de dispositivos R psD no existe en l iliogrf un estudio exhustivo de l dependeni de sus rterstis eltris on los diferentes prmetros tenolgiosD s omo un formulin pr su voltje de rupturF istos vn ser los priniples tems que vmos trtr lo lrgo de est seinF
2.4.2. Modelo de ruptura

etulmenteD el diseo de dispositivos semiondutores se s en siE muldores numrios que permiten emulr su omportmiento @y sen sus rterstis eltris o el proeso de friinAF il uso de ests herrE mients h reduido el tiempo de desrrolloD l vez que permite preisr d vez ms ls rterstis (nles del dispositivoF in los dispositivos
41
supresoresD sto no es un exepin yD pr no exederse ms de lo neesrio en el nmero de simuliones relizrD siempre es til poseer un formuE lin que nos d informin ulittiv del omportmiento de lguno de sus prmetros ms importntesF he est formD podemos otr el rngo de situiones simulr y optimizr el proeso de desrrolloF in el so onreE to de los D el prmetro lve en su optimizin es l tensin de rupturF in el prtdo nterior se h presentdo un proximin nlti pr l tensin de ruptur @tipo punch-through A pr un de Q psF in emE rgoD hst l fehD no exist ningun formulin preis pr l tensin de ruptur de un R psF heido l grn similitud entre ls dos estrutursD se h podido desrrollr un proximin qusiEnlti pr stF
Figura 2.16:
Perl de dopajes de un TVS 4 capas obtenido por simulacin.
il proedimiento seguido onsiste en enontrr l tensin que eD en el dispositivoD en el momento en que ls zons de vimiento de ls dos uniones se tonF esD onoiendo el per(l de dopjes del dispositivo @pigur PFITAD se puede lulr el mpo eltrio y el voltje en d puntoF ry que destrD que siempre existe un lmite superior por enim del ul l tensin de ruptur y no vendr determind por l tensin de punch-throughF isto suede undo l nhur de l se es superior un ierto vlorD impidiE endo que ls zons de vimiento lleguen unirseD l produirse ntes l ruptur por vlnh de l unin seEoletorF in emrgoD mientrs l
42
punch-through
tensin de punch-through est determind por el ontto entre ls zons de vimientoD l ruptur por vlnh depende de otros ftoresD omo l form de l uninD los menismos de proteinD etF in nuestro soD l form de l unin no es relevnte ddo que l zon de vimiento entre ls dos uniones es siempre plnF
Figura 2.17:
Zonas de vaciamiento y polarizacin del dispositivo.
e onsider el dispositivo idel que muestr l pigur PFIUD dondeD l her un ldo de ls uniones un onentrin de dopje vrios rdenes de mgnitud myor omprd on el dopje del otro ldoD se puede (rmr que ms uniones son rupts PWF r enontrr l tensin de ruptur por punch-throughD se lulD iniilmenteD el voltje en l unin seEoletor en funin de l zon de vimiento dentro de l zon D 1 (xp )D junto l longitud de l zon de vimiento dentro de l zon de l unin seE emisorD xp F v ruptur se produir undo xp = xp D por lo queD ddo que l difereni de tensin entre oletor y emisor del dispositivo es V = 1 2 y onoido el vlor 2 = Vbi D se otiene un expresin pr l tensin de rupturX
VP T = 1 (xp ) Vbi
@PFIPA
in l sein PFP se desrii el efeto punch-through esogiendo el oriE gen de potenil en el emisorF in este soD se esoge el origen en l seD puesto que ser til en los lulos posterioresD y que l difereni de potenE il en ls uniones oletorEse y emisorEse son simplemente 1 y 2 F or el mismo motivoD se elige el origen de oordends en l unin seEoletor y todos ls lulos de longitudes @xp D xn D xp D xn y Def f A estrn referidos lF
43
r empezrD se dee proximr el per(l de dopjes en l se del disE positivo prtir de un per(l gussinoD puesto que es el que mejor se just l per(l rel otenido medinte implntin de impurezs y su posterior difusin QHX
Ntot (x) = Nb exp
x2 2
+ Nepi
@PFIQA
donde es l longitud de penetrin de ls impurezsD l ul se hll prtir de l de(niin de Db queD omo se puede ver en l (gur PFITD se de(ne omo l distni l ul el vlor de l gusin es igul l vlor onstnte de l epitxiX
Nb exp
por lo queX
2 Db 2
= Nepi
@PFIRA
Ntot (Db ) 2Nepi =
Db ln
Nb Nepi
@PFISA
vos dopjes de oletor y emisor se onsidern homogneosD on onenE triones Nc y Ne D respetivmenteF r el lulo se he uso de l proE ximin de vimiento y ls siguientes ondiiones de ontornoX el mpo eltrio es nulo en los lmites de ls zons de rg espil y l tensin que e sore ells es l mism que l tensin en los onttos @tl omo muestr l pigur PFIUAF fjo estos supuestosD se h determindo QI un expresin pr su tensin de rupturX
VP T =
q 2
Si
Nc
xp Nb erf 2Nc
+ xp2 2
Nepi x Nc p
+Nepi xp2 + Nb 2 1 exp
Vbi
@PFITA
que depende de los priniples prmetros tenolgiosX
VP T = VP T (Nc , Nb , Nepi , Db , Def f )
@PFIUA
he est formD se tiene un expresin qusiEnlti pr l tensin de punch-throughD pero on el inonveniente de tener que resolver numrimente xp D y que xp se extre de l siguiente iuinX
44
punch-through
xp Nb Def f qNe Nepi (Def f xp ) + erf erf Vbi = 2 Si Ne 2Ne xp qNepi qNb Def f + (Def f xp )2 + Def f erf erf 2 Si 2 Si 2 2 Def f xp + exp 2 exp 2
@PFIVA
v imposiilidd de enontrr un soluin nlti pr xp pree l onsiderr su inursin dentro de l zon P + @de per(l gusinoAD fundmenE tl pr otener un uen proximin pr su tensin de ruptur undo l se es muy estrehD xp Db F in emrgoD pr xp > Db se pueden plir ls siguientes proximionesD
xp Def f erf , erf
xp2 xp2 1 y exp 2 , exp 2
@PFIWA
por lo queD en este soD es posile determinr filmente xp X
xp = Def f q
2
2 Nepi Ne
Si Vbi
Nepi
@PFPHA
e pueden omprr ls iuiones PFIV y PFPH pr oservr hst que punto l proximin relizd es vlidF
Figura
2.18:
Nepi = 10 cm
15
xp (Def f ). 3
Db = 0.5m, Nb = 2.37 1016 cm3 y
45
gomo se dedue de l pigur PFIVD pr xp > Db l proximin es vE lidF in emrgoD undo Def f disminuyeD se dee enontrr el vlor de xp numrimenteF r estimr el error ometido l efetur est proximinD se dee omprr l tensin de punch-through lulndo xp numrimente on su proximin nltiF esD hiendo uso de ls proximiones relizds en l iuin PFIWD nos quedr que l expresin pr l tensin de punchthroughD undo xp se lul nltimenteD esX
VP T =
q 2
Si
Nc
Nb Nepi + x 2Nc Nc p
+ Nepi xp2 + Nb 2 Vbi
@PFPIA
Figura
Nepi
VP T (Def f ). Db = 0.5m, Nb = 2.37 1016 cm3 y = 5 10 cm3 .

2.19:
15
v omprin entre ls iuiones PFIT y PFPI d uent de l vlidez de l proximinF in l pigur PFIW se oserv omo l proximin es vlE id unimente pr vlores de Def f que hen que xp > Db F e pesr de que este vlor depende de los dopjesD podemos onsiderr que pr VP T < 3V D l proximin nlti y no es vlid frente l vlor otenido numriE menteF esD pr VP T > 3V D se tiene un expresin nlti pr l determiE nin de l tensin de ruptur del dispositivoD mientrs que pr VP T < 3V est se otiene de form qusiEnltiF
46
punch-through
2.4.2.1 Lmite al modelo TVS 3 capas

in este prtdo se muestr omo el modelo desrrolldo pr un estruE tur utrip on per(l gusino tmin permite l otenin de l tensin de ruptur pr el dispositivo trip @iuin PFQAF il modelo otenido en el so del de R ps dee onverger en el lmite l expresin otenid pr un de Q psF or elloD se nlizn los dos sos donde se lnE z el lmiteX undo l nhur del u'er P + D Db D es muy grnde @ D oupndo tod l epitxiAD o muy peque @ 0 D llegndo despreerAF
Disminucin de la anchura del buer P + hasta su desaparicin,
in este soD l estrutur se onvierte en un dispositivo trip on un dopje de se Nepi y un nhur de se Def f F in ests ondiionesD l plir el lmite 0 y posteriormente Nc y Ne >> Nepi en ls iuiones PFIT y PFIVD todos los ftores multiplidos por onvergen HD por lo que xp qued de l siguiente formX
xp = Def f
y l tensin de rupturD
2 Si Vbi qNepi
@PFPPA
VP T
qNc Nepi = x 2 Si Nc p
qNepi Vbi 2 Si
@PFPQA
que l sustituir xp por el vlor de l iuin PFPP y suponiendo Nc > Nepi D
VP T =
qNepi 2 D Def f 2 Si ef f
2qNepi Vbi
Si
@PFPRA
gomo se oservD est expresin es idnti l iuin PFQD donde Nepi sustituye Nb y Def f W en l euin originlF
Incremento de la anchura del buer epitaxia ,
P+
hasta ocupar toda la
el umentr l nhur del u'er P + D tod l se se onvierte en un zon homogneD ltmente dopdD on un onentrin Nb + Nepi y on
47
un nhur Def f F r lulr l tensin de ruptur en ests ondiionesD se deen de plir los siguientes lmitesX
l m x erf
a x
2a = a2 x2
@PFPSA
l m x2 1 exp
= a2
@PFPTA
gon lo que es posile lulr xp nlitimente omoD
xp = Def f
y l tensin de rupturD
2 Si Vbi q (Nb + Nepi )
@PFPUA
VP T
qNc Nb + Nepi = xp 2 Si Nc
q (Nb + Nepi ) 2 xp Vbi 2 Si
@PFPVA
que l sustituir xp de l iuin PFPU y suponiendo Nc > Nepi D
VP T =
q (Nb + Nepi ) 2 Def f Def f 2 Si
2q (Nb + Nepi )Vbi

Si
@PFPWA
donde se otiene de nuevo l expresin de l tensin de punch-through de un estrutur trip on un dopje de se Nb + Nepi F
2.4.3. Caractersticas elctricas

e ontinuinD y del mismo modo que hiimos en l estrutur Q psD vmos nlizr ls rterstis eltris de l estrutur R ps y su dependeni on los diferentes prmetros tenolgiosF in este soD l dir el u'er P + jo l unin seEoletorD se ument el nmero de prmetros que fetn ls rterstis de slid @ver l pigur PFISAX enhur de l seD Def f enhur del u'er P + D Db
48

io de dopje del u'er P + D Nb hopje de l epitxiD Nepi emplitud de l difusin de oletorD Wc
punch-through
in el estudio de l estrutur de Q psD se dispon de un modE elo tnto pr l orriente de fug omo pr l tensin de ruptur @tipo punch-through AF or elloD y on l yud de ls simuliones numrisD se reliz un estudio ulittivo exhustivo de ests rterstisF or ontrD en ls estruturs de R psD el estudio de l orriente de fug se s nimente en ls oserviones de ls simuliones numrisD y queD on l introduin de l p P + D el fenmeno de snapback se produe en el rngo de tensiones ojeto de inters @`Q A pr este tipo de estrutursD situin que no ourr on l estrutur tripF iste fenmeno he que no se dispong de un modelo pr l orrienteF sgul que en el estudio de l estrutur tripD se hn (jdo los prmeE tros menos relevntes en l rterizin de est estruturX hopje del emisorX Ne = 5 1018 cm3 io del dopje de l difusin de oletorX Nc = 3 1019 cm3 rofundidd de l difusin de oletorX Dc = 0.8m vos vlores elegidos oiniden on el so tripD y son los usules en l friin de este tipo de dispositivosF
2.4.3.1 Anlisis de la corriente de fuga

hel nlisis de l estrutur trip se onluye que l orriente de fug disminuye l umentr el dopje de l seD unque ni el umento del dopje @entre 1015 y 5 1015 cm3 A ni l disminuin de l orriente de fug @pr un mism mplitud de oletorA son relmente signi(tivos si los omprmos on el per(l de dopje y l orriente de fug que tiene un ener en este rngo de tensinF is deirD l orriente de fug de ulquier dispositivo trip es muy inferior l ener trdiionlF hel mismo modoD l orriente de fug de un estrutur de R ps es menor que l de un de Q psF vs diferenis oservds entre los niveles de orriente de fug entre distints estruturs utrip no son signi(tivsF esD l funin del u'er P + esD simenteD reduir l tensin de clampingD omo se ver ms delnteF
49
Dopaje de la epitaxia (Nepi )

v orriente de fug en los de R ps viene determind por l unin seEoletorF or tntoD es de esperr que Nepi no in)uy en su vlorD puesto que el dopje de l se en ese punto es Nb D donde Nb >> Nepi F r est (rminD se h simuldo est estrutur vrindo Nepi y justndo el vlor de Def f pr otener el mismo vlor de VP T @pigur PFPHAF
Nepi , Wc = 600m, Db = 0.5m, Nb = 3.97 1016 cm3 , Def f ajustado para una VP T = 3.5V .
Figura 2.20:
Corriente de fuga de una estructura TVS 4 capas variando
e oserv queD l disminuir Nepi D l orriente de fug no umentD de modo preileD si se ompr on el umento que se produ en un esE trutur trip @pigur PFRAF v pigur PFPI muestr l orriente de fug pr estruturs on un pio Nb myor que en ls estruturs simulds en l pigur PFPHF e oserv que un umento de Nb disminuye l dependeni de l orriente de fug on Nepi D por lo que se dedue que Nepi no es un prmetro tenolgio relevnte en l optimizin de l orriente de fug en estruturs de R psF
50
punch-through
Nepi , Wc = 600m, Db = 0.5m, Nb = 5.35 1016 cm3 , Def f ajustado para una VP T = 3.5V .
Figura 2.21:
Pico de dopaje del buer P + (Nb )

v difusin P + de oletor olig tener en uent un serie de fenmenos que no preen en ls estruturs tripF he lo nlizdo en prtdos nteE riores se podr deduir queD l simulr diferentes estruturs on un mism tensin de ruptur y diferentes vlores de Nb D l orriente de fug deer mostrr un omportmiento similr l de l pigur PFRD donde se prei oE mo disminuye l orriente l umentr el dopje de epitxiF in emrgoD tl omo se muestr en l pigur PFPP en l que se re)ejn los resultdos de ls simuliones relizds sore un estrutur utrip en l que se h vrido el dopje del u'erD en sus rterstis se pueden preir dos zons ien diferenidsF in l primer zonD l orriente de fug es prtimente l mism pr ls tres estruturs @indepeni frente Nb AD mientrs que en l segundD se oserv un disminuin de l orriente de fug l umentr el pio de dopje del u'erF vs uss fsis que explin este omportmiento son diferentes ls vists en l estrutur de Q psF
51
Nb , Wc = 600m, Db = 0.5m, Nepi = 1015 cm3 , Def f ajustado para una VP T = 3.5V .
Figura 2.22:
in el so del Q psD l orriente de fug es deidD priniplE menteD l orriente de l unin seEoletor polrizd en inversD donde no se onsider l portin de l unin seEemisorD ddo que se trt de un unin x en equilirio polrizd un tensin Vbi F in est uninD los eletrones inyetdos por el emisor deen superr un rrer de potenil @Vbi AD por lo que l posile portin de orriente extr deid est unin es prtimente nulF ividentementeD undo est rrer de potenil j @un vez lnzdo el punch-through A los eletrones pueden vijr liremente hi el oletorD por lo que su portin l orriente totl es dominnteF v ltur de est rrer de potenil depende del dopje epitxil @proporE ionl log (Nepi )AD umentndo on steF v ltur de est rrer de potenil es prtimente igul en tods ls estruturs tripD puesto que el dopje de l epitxi no vri signi(tivE menteD on lo que l difereni de orriente de fugD deid ls vriiones en l ltur de l rrer de potenil en sos de epitxis diferentesD no es preileF in este sentidoD ls diferentes estruturs de R ps que se hn simuldo en l pigur PFPP no deenD en prinipioD presentr el omportmiento de l zon PF enlizndo l estruturD se puede desrtr que est difereni en l orriente de fug se de l orriente de l unin
52
punch-through
seEoletor puesD de ser sD l zon I deer presentr un rtersti similr @omo en el so de ls estruturs Q psA yD en prinipioD l rrer de potenil de l unin seEemisor es l mism en todos los sosD puesto que se h mntenido Nepi onstnteF
Perl de dopajes de la zona epitaxial, Nepi = 1015 cm3 , Db = 0.5m, VP T = 3V . El origen de coordenadas se toma en la unin base-colector.
Figura 2.23:
e prtir del modelo de ruptur presentdo nteriormenteD se h luldo el per(l de dopje de dos dispositivosD pigur PFPQD donde se h determindo Def f pr otener el punch-through Q en funin del pio de dopje Nb esogidoF e oserv omoD pr onseguir l mism tensin de rupturD se h de disminuir Def f l umentr Nb F iste heho he que el u'er P + est ms er de l unin seEemisorD por lo que in)uye en l nhur de l zon de rg espil y en l orriente de fug de est uninF v expresin del potenil interno de un unin xD sd en el equilirio trmio de l mism QPD permite determinr omo ste depende de l onentrin de impurezs un distni su(ientemente lejd de l uninF
Vbi =
kT ln(n) q
n() n(+)
@PFQHA
in l prtiD est distni se redue hst un poo ms ll de l zon de rg espilF in ls estruturs de l pigur PFPQD l zon de rg espE il de ls uniones seEemisor es del orden de 1mF in est situinD en l estrutur on Nb = 2.4 1016 cm3 el lmite de l zon de rg espil est todv lejdo de l difusin P + F in emrgoD pr Nb = 7.4 1016 cm3 D l zon de rg espil prtimente lnz l difusinD por lo que se puede
53
deduir que el potenil Vbi en este ltimo so ser myorF isto impli que l proilidd de que los eletrones superen l rrer por efeto tnel disminuyeD lo que se trdue en un inyein extr de orriente menor que en el so de un rrer inferiorF iste heho explir el omportmiento en l zon P de ls estruturs simulds en l pigur PFPPF in emrgoD puesto que l ltur de l rrer de potenil no mi hst lnzr el punch-throughD se puede pensr que tmin deer oserE vrse est fenmeno en l zon IF v difereni entre ls dos zons estri en que l rrer de potenil es myorD es deirD l rrer que hn de trvE esr los eletrones es ms nhD por lo que l proilidd de trvesrl es menorF hdo que l nhur de est rrer de potenil es igul l disE tni entre ls zons de rg espil de ls dos unionesD l ir umentndo l tensin plid l dispositivoD l zon de rg espil seEoletor uE mentD l nhur de l rrer de potenil disminuye y l proilidd de que los eletrones l trviesen tmin umentF
Figura 2.24: Corriente de fuga de estructuras TVS 4 capas variando Nb , Wc = 600m, Db = 0.5m, Nepi = 1015 cm3 , Def f ajustado para una Vbr = 8V .
esD en ls estruturs simulds en l pigur PFPPD l difereni de ltur y nhur en l rrer de potenil expli ls diferenis de l orriente oservds en ls dos zons mrdsF r ompror l hiptesis de l nE hur de l rrer de potenilD se hn simuldo dos estruturs on un per(l de dopje similr los de l pigur PFPQ pero umentndo Def f pr otener un Vbr de V D tl omo se oserv en l pigur PFPRF e h umentdo Def f
54
punch-through
lo su(iente pr segurr que Vbi es el mismo en ls dos estrutursD on el (n de otener nimente el efeto de l nhur de l rrer de potenilF gomo se puede oservr en l pigur PFPSD se h luldo medinte el modelo desrrolldo el voltje interno en d punto de l epitxi pr ls estruturs simulds un tensin plid de H @A y V @AD que es undo se produe el punch-throughF in l pigur PFPS tmin se prei lrmente l nhur de est rrer de potenilF
15 3 Figura 2.25: Voltaje interno de la zona epitaxial, Nepi = 10 cm , Db = 0.5m, Vbr = 8V . a) Tesin aplicada 0 V, b) Tensin aplicada
8 V.
i se supone que l difereni en l orriente de fug oservd en l pigur PFPR se dee l difereni de nhur de l rrer de potenil de ls dos estrutursD el modelo de ruptur desrrolldo dee permitir predeir este omportmientoF r elloD se h determindo l nhur de l rrer de potenil en mos dispositivos en funin del potenilF il resultdo otenido se puede oservr en l pigur PFPTF ehor dee lulrse l proilidd de trnsmisin de un eletrn que se enuentr en l unin seEemisor frente l rrer de potenil @AF hih proiliddD pr un rrer de ltur Vbi y nhur L @distni entre los lmites de ls zons de vimiento de ls dos unionesA se expres omoX
T = 1+
k3 k1
3 4k k1
+ 1+
k3 k1
k2 k1
k3 k2
@PFQIA
sinh (k2 L)
55
aplicada.
Figura 2.26:
Anchura de la barrera de potencial en funcin de la tensin
dondeD
k1 = k2 = k3 =
2
2m eE
2
2m e (qVbi E ) 2m e (E + qVa )
2
@PFQPA
siendo m e l ms efetiv del eletrnD q l rg elementl y Va l tenE sin plid l dispositivoF gon el (n de omprr est expresin on ls simuliones presentds en l pigut PFPRD se h luldo el oiente entre ls orrientes de ls dos estruturs nlizdsD que oinide on l relin entre proiliddes de trnsmisinF
Q=
I2 T2 = I1 T1
@PFQQA
v similitud entre ls dos urvs se puede oservr en l pigur PFPUF esD podemos (rmr que ls diferenis de orriente entre ls dos estruturs se
56
punch-through
Cocientes entre corrientes y entre probabilidades de transmisin de las dos estructuras analizadas.
Figura 2.27:
pueden hr l difereni entre ls nhurs de l rrer de potenilF or onsiguienteD el modelo de ruptur desrrolldo en este trjoD junto on l proilidd de trnsmisinD se justn los resultdos otenidos medinte el simuldor numrioF
Anchura del buer P +
(Db )
gomo se prei en l pigur PFPVD un umento de l nhur del u'er redue l orriente de fug del dispositivoF iste resultdo esD fenomenolgiE menteD similr lo que ourre l umentr Nb X un umento de Db olig disminuir Def f pr onseguir l mism tensin de rupturF gomo suede undo se vr el pio de dopje del u'er P + D pr tensiones muy js @Ì A no existe un grn difereni de orriente en ls estruturs simuE lds @tnto en l pigur PFPV omo en l pigur PFPPA puesto que en este so domin l orriente de l unin seEoletorF in emrgoD l umentr l tensin plid l nhur de l rrer de potenil disminuyeD siendo diferente en d estruturD heho que expli ls diferenis de orriente entre stsF n umento de Db es nlogo un umento de Nb yD de l mism formD l umentr Db l zon de rg espil de l unin seEoletor se redueD dndo lugr un nhur de potenil myorF xo ostnteD l distni entre ls zons de vimiento entre ls dos uniones es superior l ser myor
57
Def f F esD el omportmiento oservdo l vrir Nb es similr l de vrir Db F
Corriente de fuga de una estructura TVS 4 capas variando Db , Wc = 600m, Nepi = 1015 cm3 , Nb = 4.07 1016 cm3 , Def f ajustado para una Vbr = 3.5V .
Figura 2.28:
Amplitud de la difusin de colector (Wc )

el igul que en el dispositivo Q psD si l densidd de orriente es prtimente homogne y est onentrd jo l difusin de oletorD l orriente totl es proporionl l re del oletor oD lo que es lo mismoD proporionl Wc2 F in el so de l estrutur R psD deido l p u'er P + D l orriente tiende onentrrse todv ms jo l unin de oletorF isto se dee que l nhur de l se es menor que en el Q ps pr un mism tensin de rupturD dndo lugr un myor folizin de l orriente que en ls estruturs Q psF esD se hn simuldo S estruturs R ps modi(ndo l mplitud de l difusin de oletorD desde ls 200m hst ls 600mD on un mpliE tud totl del dispositivo de 800mF vos resultdos otenidos se representn en l pigur PFPWD donde se puede oservr omo l reduin de Wc impli un disminuin de l orriente de fug sin vrir l tensin de rupturF
58
punch-through
Caracterstica I-V de estructuras TVS 4 capas para diferentes valores de Wc .

Figura 2.29:
Figura 2.30:
Dependencia de la corriente de fuga con el rea del colector.
59
in l pigur PFQH se prei lrmente l dependeni linel de l oE rriente on el re del oletor @proporionl Wc2 A ntes de l rupturD indindo que l orriente irul homognementeD si en su totliddD por dejo de l unin de oletorF
2.4.3.2 Anlisis de la tensin de ruptura

gomo en el so del Q psD se nliz l in)ueni de los diferenE tes prmetros en el vlor de l tensin de rupturF qris l modelo de rupturD es posile herse un ide de mo vn fetr los prmetros dih tensinD dems de orroorr el modelo desrrolldo on los resultE dos otenidos por simulinF vos prmetros que se vrn en ls simuliones sonX el pio de dopje del u'er @Nb AD l nhur del u'er @Db AD el dopje de epitxi @Nepi A y l grosor efetivo de epitxi @Def f AF e h elegido omo tensin de ruptur l tensin que soport un disposiE tivo undo irul trvs de l un orriente de 1AF
Pico de dopaje del buer P +
(Nb )
Nb , Wc = 600m, Db = 0.5m, Nepi = 1015 cm3 , Def f = 1.16m.
Figura 2.31:
Caracterstica I-V de una estructura TVS 4 capas variando
60
punch-through
n umento de Nb impli un myor tensin de ruptur QQ puesto que l zon de rg espil disminuyeF isto impli que pr un mism tenE sin plidD si Nb umentD l distni xp es menorD por lo tnto se deer plir un tensin myor pr lnzr el punch-throughF in l pigur PFQI puede oservrse los resultdos del estudio relizdo vrindo nimente Nb F he l iuin PFIT se puede deduir que l tensin de ruptur depende linelmente on Nb F ist tendeni linel se orroor en l pigur PFQPD donde se pueden oservr omo los resultdos otenidos medinte simulin onuerdn on l prediin del modeloF es mismoD hemos omprodo queD segn los dtos filitdos por fF u et alF QRD el modelo otenido se just orretmente dtos experimentlesD pig PFQQF
Figura 2.32:
Db = 0.5m, Nepi = 1015 cm3 , Def f = 1.16m.
Variacin de la tensin de ruptura con Nb , Wc = 600m,
Comparacin entre dispositivos TVS de SEMTECH y el modelo desarrollado. Parmetros tecnolgicos extrados de [34].
Figura 2.33:
61
Anchura del buer P + (Db )

el igul que on Nb D un umento de Db impli un umento de l tensin de rupturF
Figura 2.34:
Caracterstica I-V de estructuras TVS 4 capas variando Db , Wc = 600m, Nepi = 1015 cm3 , Nb = 4.5 1016 cm3 , Def f = 1.16m.
gomo se oserv en l pigur PFQRD un peque vriin de Db @0.1mA se trdue en un umento de ms de I en l tensin de rupturF ividenteE mente est sensiilidd es myor l umentr Nb QSD por lo queD pr vlores de Nb elevdosD es neesrio ontrolr deudmente l difusin P + de oleE tor durnte l friin del dispositivoD puesto queD omo se desprende de ls simulionesD un peque vriin de Db produe importntes vriE iones de l tensin de ruptur del dispositivoD oteniendo vlores lejnos l requeridoF in l pigur PFQS se muestrn los resultdos de ls simuliones junto on l prediin del modeloD donde se oserv omo l tensin de ruptur ument rpidmente l umentr Db D s omo el uen juste del modeloF
62
punch-through
Variacin de la tensin de ruptura con Db , Wc = 600m, Nepi = 1015 cm3 , Nb = 4.5 1016 cm3 , Def f = 1.16m.
Figura 2.35:
Dopaje de la epitaxia (Nepi )

e difereni de lo que ourr en ls estruturs Q psD en ls que el dopje de l regin de se er homogneo @lo que filit el nlisis de su in)ueni sore sus rterstisAD en ls estruturs R ps l se no present un dopje homogneoF in emrgoD el dopje de l epitxi Nepi si lo es yD oneptulmenteD ejere l mism in)ueni en l tensin de ruptur que nteriormente ejer el dopje de l seF
Figura 2.36:
Wc = 600m, Db = 0.5m, Nb = 2.4 1016 cm3 , Def f = 1.16m.
Caracterstica I-V de estructuras TVS 4 capas variando Nepi ,
63
gomo se disuti en prtdos nterioresD l tensin de ruptur ument on el vlor de Nepi F or un ldoD l extensin de l zon de vimiento es menor l umentr el dopje yD por otro ldoD disminuye l zon de rg espil de l unin seEemisor de form nlog l efeto usdo por Nb en l unin seEoletorF edemsD l in)ueni que Nepi tiene sore l zon de rg espil de l unin de emisor es menor que l ejerid en l unin de oletorF or onsiguienteD e esperr un dependeni linel entre l tensin de ruptur y el dopje de epitxiF in l pigur PFQT se muestrn los resultdos otenidos de ls simuliones relizds sore un mism estrutur vrindo nimente Nepi D mientrs que en l pigur PFQU se oserv l dependeni linel de l tensin de ruptur on Nepi F l omo se esperD tnto l tensin de ruptur otenid de ls simuliones omo l derivd del modelo siguen un dependeni linel on Nepi F pinlmenteD puede preirse el uen uerdo entre el modelo y los resultdos de ls simulionesF
Figura 2.37:
Db = 0.5m, Nb = 2.4 1016 cm3 , Def f = 1.16m.
Variacin de la tensin de ruptura con Nepi , Wc = 600m,
Amplitud de la base (Def f )

l omo suede en ls estruturs de Q psD l mplitud de l se es el prmetro que ms in)uye en el ontrol de l tensin de ruptur del dispositivoD puesto que es el nio que l modi( dejndo inlterds ls otrs rterstis eltrisD omo l orriente de fug o l tensin de clampingF
64
punch-through
e h simuldo el omportmiento pr diferentes vlores de dopje de epitxi @tnto Nb omo Nepi A y d un de ests estruturs se h estuE dido on diferentes vlores de Def f F in l pigur PFQV se puede oservr el omportmiento de l tensin de ruptur de ls estruturs simulds en funE in de Def f @ls lnes ontinus orresponden ls prediiones del modelo presentdo en l iuin PFITAF
Figura 2.38: Variacin de la tensin de ruptura con Def f , para diferentes valores de Nb y Nepi , Wc = 600m, Db = 0.5m.
xuevmente se oserv un uen uerdo entre ls simuliones y el moE deloF edemsD de l mism form que en l estrutur Q psD existe un lmite por dejo del ul ls zons de rg espil de ls dos uniones llegn torse l plir un mnim tensin l dispositivoD por lo que inmeditmente entr en rupturF v ondiin que dee umplirse pr que esto no sued esX
xp > xp (V = 0)
@PFQRA
ist ondiin estlee un lmite fsio inferior pr unos dopjes deE termindosF or otr prteD existe un lmite superior pr el ul el modelo dej de ser vlidoD puesto que pree un menismo de ruptur diferenteX l vlnhF in l pigur PFQW se muestrn ls rterstis s@A de vris estruE turs simulds umentdo Def f hst lnzr l ruptur por vlnhF n vez lnzdD un umento de Def f y no modi( l tensin de rupE

turD ddo que st se produe l lnzr el mpo eltrio rtioF
65
Figura 2.39: Variacin de la tensin de ruptura con Def f hasta alcanzar la ruptura por avalancha.Db = 0.5m, Wc = 600m, Nepi = 3 1015 cm3 , Nb = 3.97 1016 cm3 .
in l pigur PFRH se oserv el rngo de vlidez del modelo de ruptur propuestoF in nuestro so no se lleg l zon de vlnhD y que estmos trtndo on dispositivos on VP T < 3V F
Figura 2.40:
Variacin de la tensin de ruptura con Def f hasta alcanzar la ruptura por avalancha.
66
punch-through
Figura 2.41:
Wc = 600m, Nepi = 1015 cm3
Optimizacin de un dispositivo con VP T = 2V . Db = 0.5m,
e modo de ejemploD se hn simuldo diferentes estruturs que presenE tn un mismo vlor de tensin de ruptur pr oservr ls mejors que se presentn l optimizr el dispositivoF gomo se oserv en l pigur PFRID on ojeto de mejorr ls rterstis del dispositivo se h umentdo proE gresivmente Nb pr reduir l orriente de fug y l tensin clamping @l estrutur sin Nb he refereni un estrutur de Q psD tmin se h simuldo un diodo enerAF min se h disminuido Def f on el (n de mntenerD en d soD un mismo vlor de l tensin de rupturF he qu se dedue queD pr Nepi = 1015 cm3 y Db = 0.5mD el dispositivo ptimo pr un ruptur de P es el que tiene N b = 4.5 1016 cm3 y Def f = 1.16mF e puede oservr un mejor sustnil del dispositivo trip si lo omE prmos on un diodo ener en este rngo de tensiones y l posterior mejor que se produe en l estrutur ptim R psF in emrgoD pr lE nzr este nivel de orriente de fugD hemos tenido que disminuir Def f hst vlores ernos l lmite inferior fsio del dispositivoD por lo que requiereD puesto que l tensin de ruptur es ms sensile ls vriiones de Def f l umentr Nb D un ontrol preiso del vlor de Def f durnte el proeso de friinD pr poder otener l tensin de ruptur requeridF
Captulo 3 Diseo y fabricacin de TVS verticales

3.1. Diseo y fabricacin del TVS de 3 capas
il ojetivo (nl de l friin de estruturs de Q ps es l integrin de dispositivos supresores en el orden de los Q D on un proeE so tenolgio de friin trnsferile l lne de produin de pgor iletrniF hel estudio presentdo en el ptulo nteriorD se dedue que un disposiE tivo ptimo pr l tensin desed es el formdo por un se dopd on foro on un onentrin de 5 1015 cm3 y un nhur de 1.3 mF in emrgo l sensiilidd que present est estrutur un vriin de l nhur de l seD pr este vlor de Nb D es muy grndeD por lo que los proesos de dopdo y difusin deen ser muy preisosD dems de utilizr oles sin pens desviin en el espesor de l epitxiF hd l preisin requerid en el espesor epitxil se deidi integrr ests estruturs utilizndoD pr de(nir l seD un epitxi de foro de 1015 cm3 on un espesor omprendido entre PFS y Q m @deido l ftor de error inherente l proeso de reimiento epitxil del proveedor de ls olesAF istos vlores permiten un mrgen de seguridd en el vlor de l tensin desed myor que en el so de utilizr oles on un onentrin de impurezs en l epitxi superiorF
68
Diseo y fabricacin de TVS verticales
3.1.1. Denicin del proceso tecnolgico

n vez se hn (jdo ls rterstis sis de l estrutur que se dese frirD se deen de(nir ls etps del proeso tenolgio neesris pr implementr en iliio los dispositivosD tnto en l sl ln del gxw omo en l de pgor iletrniF il primer pso es l elein del tipo de oles de prtidF gomo y se indi nteriormenteD se h utilizdo un epitxi dopd on foro on un onentrin de 1015 cm3 y 10 m de espesorD reid sore oles tipo x on orientin ristlogr( ÌIIb y un resistividd de 10 m cm @lo que equivle un dopje en el orden de 1018 cm3 AF in l de(niin del proeso tenolgio se h tenido presente que su imE plementin h de herse en diferentes instlionesD por lo que dee ser lo su(ientemente )exileF entes de (jr todo el proeso de friinD se h relizdo un estudio exhustivo de ls diferentes etps tenolgis on l yud del simuldor tenolgio ethen IWF esD se hn justdo tods ls etps que formrn prte del proeso de friinD tnto ls y existentes omo ls desrrollds expresmente pr l friin de este tipo de esE trutursF iste estudio nos h permitidos determinr los vlores de dosis y energ de implntinD tempertur y tiempo de difusin ptimosF no de los psos ms rtios del proeso es otener ls mplitudes de l seD que ls simuliones indin omo idnesD pr el rngo de tensiones elegidoF gomo se h omentdo nteriormenteD el vlor de l mplitud de l se dee de estr omprendido entre PFS y Q mD lo que impli difundir el pozo que de(ne el oletor uns S mY estoD sumdo l difusin que sufrirn durnte este proeso ls impurezs del sustrto hi l epitxi @lo que err uns P m l unin seEemisor hi l unin oletorEseA nos permitir otener l mplitud de se desedF gon este propsito se hn simuldo diferentes ominiones de dosis de implntinD tiempo y tempertur de difusinD relizndo diferentes prues en sl ln on el (n de vlidr los resultdos previstos por el simuldorF e modo de ejemploD en ls pigurs QFI y QFPD podemos oservr el per(l de impurezs @frido y simuldoD respetivmenteA otenido trs un proeso de difusin on fsforo @medinte P OCl3 AD un tempertur de IIHH durnte UH minutosF in mos sos l difusin de oletor se extiende uns RFV mD poniendo de mni(esto el uen uerdo entre ls simuliones y l friin relF
3.1 Diseo y fabricacin del TVS de 3 capas
69
Figura 3.1:
Perl de impurezas real obtenido mediante Spreading Resistance. Difusin a 1100 durante 70 minutos.
rs el estudio del proeso tenolgio relizdo medinte el simuldorD l seueni de etps que permitir su integrin en siliio es l siguienteX IF yxidin de gmpo @hmedA PF potolitogrfX he(niin del oletor QF redeposiin de psforo
70
Perl de impurezas mediante simulador. Difusin a 1100 durante 70 minutos .

Figura 3.2:
RF etivin y difusin de psforo SF potolitogrfX epertur de onttos TF wetlizinX rip elGgrGxi UF potolitogrfX qrdo del metl il proeso tenolgio ontempl tres vrintesD en funin del mtodo de dopdo on psforo @pso QA y del lugr donde se relizF esD en ls instlE iones de pgor ste se llev o medinte el predepsito en un horno on miente rio en psforo @P OCl3 AD mientrs que en l l fln del gxw se hn utilizdo dos proesos diferentesX uno similr l relizdo en pgor y otro medinte implntin iniF he est form se pueden omprr los resultdos otenidos on el mismo mtodo de dopdo en instliones diferenE tesD s omo l omprin entre los dos mtodos de dopdo implementdos en el gxwF r l integrin de los Q ps se h disedo un juego de msE rs ompuesto por tres niveles fotolitogr(os @goletorD gontto y wetl @pigur QFQAAD del que se hn relizdo dos versiones on el (n de umplir los requerimientosD en unto motivos de linemiento y tipo de resin utilizdD espe(os de d l flnF
71
Figura 3.3:
Niveles del conjunto de mscaras: Colector, Contacto y Metal.
3.1.2. Fabricacin de los dispositivos

gomo se h explido nteriomenteD l de(niin del proeso tenolgiE o se h relizdo utilizndo el simuldor tenolgio ethenD optimizndo ls etps pr onseguir un nhur de se omprendid entre PFS y Q mF v seueni de etps simulds es l siguienteX F e prte de un ole on un epitxi de 10m de espesor y un onentrin de impurezs tipo de 1015 cm3 @pigur QFR A sore l que se ree un p de xido de unos VFHHH @pigur QFR A on el (n de islr ls zons donde no se quieren introduir impurezs en los proesos de dopdo posteriores @so IF yxidin de mpoAF F e ontinuinD se reliz l primer etp fotolitogr( @so PF poE tolitogrfX he(niin de oletorA y se eliminD medinte tque seoD el xido de l zon donde se relizr l implntinD pigur QFS F F in so de utilizr implntin iniD se ree un xido de pntll @RHH A pr proteger l super(ie de iliio y evitr l exodifusin de impurezsD pigur QFS F dF eguidmente se proede l predeposiin de psforo @so QAF ist etpD tl omo se h diho nteriormenteD se puede relizr medinte P OCl3 o por implntin iniF in el primer soD l predeposiin se reliz en un horno on un miente rio en psforo un tempertur de 1100 en dos ondiiones diferentesD QS y UH minutos de dopdo @on el (n de otener diferentes piddes en tensinAF in el segundo so se hn implntdo ls oles on iones de psforoD pigur QFT D on un dosis de 5 1015 cm2 y un energ de ISH keF eF v tivin y difusin de ls impurezs @so RAD se reliz en un horno lt tempertur y en miente seoF in el so de ls oles
72
Simulaciones 2D del proceso de fabricacin. a) Oblea inicial, b) Crecimiento del xido de campo
Figura 3.4:
Simulaciones 2D del proceso de fabricacin. a) Grabado de xido, b) Crecimiento de xido de pantalla

Figura 3.5:
Simulaciones 2D del proceso de fabricacin. a) implantacin de Fsforo, b) Redistribucin de Fsforo

Figura 3.6:
73
dopds on P OCl3 est etp se h relizdo 1100 durnte QH minutos @oles de QH minutos de dopdoA y 1075 durnte RH miE nutos @oles de UH minutos de dopdoAF vs oles implntds se hn reoido 1200 durnte SH @pigur QFT AD TH y UH minutos @on el (n de otener diferentes piddes de tensinAF fF e ontinuinD se reliz l segund etp fotolitogr( destind l pertur de onttos @so SAF gF eguidmenteD se metlizn ls oles @pso TAF ist etp onsiste en l predeposiin de tres ps diferentesX un p de eluminio de I m seguid de un de gromo de 650 yD (nlmenteD un p de xquel de 5000 de espesorF il ojetivo de est trip es permitir su enpsuldoD en formto xilD en l plnt de pgor iletrniD en l que se utilizr un ltim p de istoGlomoF ist lein slo se dhiere on grnts sore xquelD que su vez neesit de un p de gromo pr que se dhier l eluminioD que se utiliz pr onseguir un uen ontto hmio entre el metl y el iliioF hF pinlmente se proede l relizin de l terer etp fotolitogr( @so UAD y l grdo del metlF
Figura 3.7:
Perles de difusin mediante simulador 2D.
v pigur QFU muestr el per(l de onentriones otenido despus de simulr el proeso tenolgio on un implntin ini ISH keD un
74
dosis de 5 1015 cm2 y un distriuin de impurezs 1200 durnte SH minutosF e puede oservr omo l nhur de l se es de uns 3mD tl omo se requerF
3.1.3. Caracterizacin elctrica

e hn proesdo tres lotes de olesD el primero de ellos en pgor ileE trni utilizndo P OCl3 y los restntes en l l ln del gxwD uno meE dinte P OCl3 y el otro por implntin ini de psforoF vos dispositvos fridos se hn rterizdo primero sore ole y posteriormente enpE suldos en formto xil @el proeso de enpsuldo se h relizdo en pgor iletrniAF
Figura 3.8:
el CNM.
I(V) de estructuras fabricadas mediante P OCl3 en Fagor y en
vs pigurs QFV y QFW muestrn ls rterstis sE de dispositivos enpsuldos y l pigur QFIH muestr los resultdos de un rtogrf reE lizd sore un ole frid en pgorF in tods ests (gurs se puede oservr un grn dispersin en los vlores de l tensin de ruptur otenidosF ist dispersin se deeD priniplmenteD l error inherente en el espesor de ls oles utilizdsD dispersin que fet l nhur de se del dispositivo @Db AF ry que resltr que el frinteD en ls espei(iones del produE toD proporion un mrgen de error en el espesor de l epitxi de 2 mD por lo queD en lugr de otener vlores de l nhur de se omprendidos entre PFS Q mD podemos otenerD en el peor de los sosD nhurs de se omprendids entre HFS y S mF
75
Figura 3.9:
CNM.
I(V) de estructuras fabricadas mediante implantacin en el
Fagor.
Figura 3.10:
Cartografa realizada sobre una de las obleas fabricada en
76
v pigur QFII muestr l vriin de l tensin de ruptur en funin de l mplitud de l se pr un epitxi on un dopje de 1015 cm3 D donde se puede preir omoD pr vlores de tensiones de ruptur entre H y T @omo los otenidos experimentlmenteAD el vlor orrespondiente de Db est omprendido entre 1.5 y 3.5 mD por lo que se enuentr dentro del error de 2 m que el frinte proporionD lo que justi( l dispersin otenidF
Variacin de la tensin de ruptura con Db , para dispositivos con Nepi = 1015 cm3 .
Figura 3.11:
ytro dto interesnteD que podemos extrer de l omprin de los diE ferentes mtodos de implementin del oletorD es que en ls oles donde su de(niin se h relizdo medinte implntin iniD l dispersin en los vlores de l tensin de rupturD s omo l orriente de fugD es menor que en el so de ls oles dopds medinte P OCl3 F isto es deido l mejor preisin y uniformidd que port el dopdo medinte implntin y l mejor de(niin de l unin seEoletorD de ls oles implntdsD l her permneido menos tiempo sometids lts tempertursF n vez se h orroordo que los dispositivos ofreen ls rterstis eltris desedsD se h prodo l poteni mxim que estos dispositivos son pes de sorer sin llegr destruirseF r elloD se simul un desrg eletrostti @pigur QFIP A ontrold medinte un generdor de desrgsF
77
Figura 3.12:
Forma de onda de una descarga 10/1000s.
rs produirse l desrgD se omprue si el dispositivo funion orE retmente yD en tl soD se ument su pio de poteniF iguiendo este protooloD se h puesto de mni(esto que los dispositivos fridos son E pes de sorer desrgs on pios de poteni de IHHH sin llegr destruirseF v pigur QFIQ muestr el esquem del iruito implementdo pr l relizin de est rterizin de sorin de perturionesF
Figura 3.13:
Esquema del circuito para probar la absorcin de perturbaciones elctricas.
he l rterizin eltri de ls estruturs Q ps se desprenE den los siguientes resultdosX F wedinte P OCl3 se hn otenido dispositivos on tensiones de loqueo
78

omprendids entre HFV y S D F v orriente de fug en invers es inferior 100AD F v tensin de clamping @Vc A ument si se ompr on l de los diodos ener trdiionlesD dF v utilizin de implntin ini permite otener dispositivos on vlores de l tensin de punch-through @VP T A omprendidos entre I y R D eF e redue tnto l orriente de fug en invers @ vlores inferiores IH AAD omo l tensin de clamping @si se ompr on los relizdos utilizdo P OCl3 AD fF in mos sos existe un dispersin importnte en el vlor de l tenE sin de rupturD deido l error inherente en el espesor epitxil de ls oles utilizdsD gF vos dispositivos fridos permiten l sorin de perturiones on pios de poteni de I u sin destruirse @utilizndo pulsos 10/1000 sAF
in onlusinD los dispositivos relizdos on est tenolog presentn orrientes de fug inferiores los diodos ener trdiionlesD unque su tenE sin de clamping umentD lo que d lugr un inremento de su resisteni un vez lnzd l tensin de rupturF
3.2. Diseo y fabricacin de TVS 4 capas

in est estruturD l preseni de un pozo P + en l se ument l omplejidd del proeso tenolgioF esD l neesidd de de(nir de form suesiv dos regiones on diferente tipo de impurezs @foro en l se y psE foro en el oletorAD junto on un ontrol preiso del espesor epitxilD olig utilizr tnis de dopdo y difusin que permitn un uen juste de su profundidd y pio de dopjeD y que un desviin en el vlor de Def f provo un vriin signi(tiv del vlor de l tensin de rupturD siendo este efeto myor l umentr l onentrin de impurezs en l seF or ello se h deidido relizr todos los proesos de dopdo medinte implntE dor inio on ojeto de otener un myor preisin que on P OCl3 F
3.2 Diseo y fabricacin de TVS 4 capas
79
e hn integrdo seis estruturs diferentes vrindo el dopje de l se @Nb yGo Nepi Apr ompror l dependeni de los prmetros eltrios on estos vloresF
3.2.1. Denicin del proceso tecnolgico

r l friin de estos dispositivos se hn usdo dos tipos de suE strtos distintosF ore un ole dopd on entimonio @1018 cm3 A y oriE entin ristlogr( < 111 >D se hn reido dos epitxis dopds on foroD un on un onentrin de 1015 cm3 y 4.5 m de espesor y l segunE d on un onentrin de 5 1015 cm3 y 3 m de espesorF gomo en el so del Q psD se hn simuldo tods ls etps del proeso tenolgio pr esoger ls dosis y energs de implntinD s omo l tempertur y tiempo de difusin neesris pr otener los per(les de impurezs neesrE ios pr soportr ls tensiones requeridsF v seueni de etps del proeso tenolgio es similr l del Q ps diendo un pso previo de juste epitxil y dos psos diionles pr implementr el u'er P + F v seueni omplet del proeso es l siguE ienteX IF ejuste de l epitxi @proeso lt temperturA PF yxidin de gmpo @hmedA QF potolitogrfX he(niin del oletor RF smplntin de foro SF etivin y difusin de foro TF smplntin de psforo UF etivin y difusin de psforo VF potolitogrfX epertur de onttos WF wetlizinX rip elGgrGxi IHF potolitogrfX qrdo del metl r d tipo de sustrto se hn relizdo tres vrintes del pso RD dndo lugr T tipos de estruturs diferentes on diferentes piddes en tensinF ods ls etps de dopdo se hn relizdo medinte implntin
80
iniD lo que permite mejorr el rendimiento del proeso de friinD reE duiendo l dispersin del vlor de l tensin de ruptur oservdo en ls estruturs Q psD donde se h utilizdo P OCl3 pr l de(niin del oletorF in ls etps fotolitogr(s se h utilizdo el onjunto de msrs disedo pr l friin de estruturs tripD ompuesto por tres niveE les fotolitogr(os @goletorD gontto y wetlAD on el (n de omprr ls rterstis de estruturs en ls queD mnteniendo l geometrD min los sustrtos utilizdosF
3.2.2. Fabricacin de los dispositivos

e h simuldo el proeso tenolgio pr justr el vlor de ls vriles neesris pr otener l tensin de ruptur requerid pr d onjunto de olesF gon el (n de otener diferentes vlores pr l tensin de rupturD en el proeso de friin se h deidido vrir nimente el pso nmero QD dejndo los restntes (jos e igules pr d oleF he est formD se otieneD pr d vriin del pso RD diferentes vlores de Nb y Db yD por lo tntoD vlores de l tensin de ruptur diferentesF vs seueni de etps tenolgis seguids durnte l friin de los dispositivos R ps es l siguienteX F e prte de sustrtos tipo N + D on un resistividd omprendid entre HFHI y HFHP cm @lo que equivle un onentrin omprendid entre 1.2 1018 y 4.4 1018 cm3 AD sore los que se hn reido dos tipos de epitxi P X un de RFS m de espesor on un onentrin de impurezs de 1015 cm3 D y otr de 3 m y 5 1015 cm3 F il proeso se inii on un reoido en miente inerte un tempertur de IIHH durnte T hors @pso IF ejuste de l epitxiAD on ojeto de reduir el espesor de l epitxi @pigur QFIR A y justrlo l vlor que permite lnzr l tensin de ruptur desedF e ontinuin se ree un xido de mpo @pigur QFIS AD on el (n de islr ls zons donde se desen relizr los pozos P @pso PF yxidin de mpoA F eguidmente se reliz l primer etp fotolitogr( @pso QF potoliE togrfX he(niin del oletorA y se elimin el xido de l zon donde se relizr l implntin de impurezsF e ontinuin se ree un xido pntll @PSH AD on el (n de proteger l super(ie de iliio durnte l implntin y evitr l exodifusin de impurezs durnte el proeso trmio posterior @pigur QFIS AF
81
Figura 3.14:
a) Oblea inicial con una epitaxia de 1015 cm3 y 4.5m de espesor, b) Perl de dopajes de la oblea inicial y tras el recocido de ajuste de epitaxia.
Figura 3.15:
a) Crecimiento de xido de campo, b) Grabado de xido y crecimiento de xido pantalla.
a) Implantacin de Boro (dosis 9 1012 cm2 ), b) Perl de dopaje de la implantacin tras el recocido.
Figura 3.16:
82

F osteriormente se proede l implntin de foro on diferentes dosisX 2.5 1012 cm2 D 5 1012 cm2 @pigur QFIT A y 9 1012 cm2 D on un energ de implntin de SH keF dF v tivin y difusin de foro @pso SA se h relizdo en tods ls oles en un horno on miente de xitrgeno IIHH durnte QH minutosF @pigur QFIT AF
Figura 3.17:
Perl de dopajes del dispositivo despus de todo el proceso.
eF e ontinuin se reliz l implntin de psforo @pso TAF on un dosis de 1015 cm2 y un energ de SH keF fF v tivin y difusin de psforo @pso UA se reliz en un horno en miente oxidnte @pr regenerr el xido de mpoA IHHH durnte PH minutosF gF rs l segund etp fotolitogr( pr rir onttos @pso VAD se metliz @pso WA medinte l trip y utilizd en ls estruturs de Q psD pr enpsulr posteriormente ls estrutursD en formto xilD en l plnt de pgor iletrniF v pigur QFIU muestr el per(l de dopjes l (nl del proeso en un ole de 4.5m y 1015 cm3 de epitxiD donde l implntin de foro orE responde un dosis de 9 1012 cm2 F
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in totl se hn proesdo IP olesD mostrndose ls priniples rE terstis de friin de d un en l l QFIF
Nmero de oblea Dopaje epitaxia (cm3 ) Dosis implantacin de Boro (cm2 )
1y7 2y8 3y9 4 y 10 5 y 11 6 y 12

Tabla 3.1:
1015 1015 1015 5 1015 5 1015 5 1015
2.5 1012 5 1012 9 1012 2.5 1012 5 1012 9 1012
Caractersticas de las obleas procesadas.
v rterizin eltri se s en un rtogrf sore oleD midiE endo en d uno de los dispositivos fridos l tensin que e l psr un orriente de IH me @rupturA y SH me @lmpingAF gon estos dtos se h relizdo un estudio estdstio de los vlores otenidos en d oleF vs pigurs QFIV y QFIW se un muestrn los resultdos de ls rtogrfs relizds en l ole nmero T y el histogrm de los vlores de l d de tensin undo irul un orriente de IHmeF in l l QFP se muestrn los vlores medios de ests tensiones pr d oleF
Figura 3.18: Cartografa de la oblea 6 del primer proceso. Valores de la tensin para 10 mA.
84
gomo indi l l QFID se hn proesdo P oles pr d omiE nin de epitxi y dosis de implntin de foroF istos pres de oles hn seguido el mismo proeso de friinD unqueD omo se puede oserE vr en l l QFPD existen disrepnis en ls tensiones medisD del orden de HFS pr ls epitxis de 1015 cm3 y de unos HFQ pr ls epitxiE s de 5 1015 cm3 F ists disrepnis pueden deerseD tl omo se vi en prtdos nterioresD un difereni de espesor de l epitxi en ls oles iniiles inherente su proeso de friinF
Histograma de la oblea 6 del primer proceso. Valores de la tensin para 10 mA.

Figura 3.19:
hespus de l rterizin sore ole se proedi su enpsulin en formto xil en pgor iletrni @pigur QFPHA y l rterizin de muestrs letoris de d oleD mostrndose en l pigur QFPI l rE tersti s@A en uno de dihos dispositivosF
Nmero de oblea V@10mA (V) V@50mA (V) Nmero de oblea V@10mA (V) V@50mA (V)
1 2 3 4 5 6
Tabla 3.2:
3.86 4.15 4.71 0.72 1.48 2.62
4.30 4.56 4.53 0.88 1.65 2.94
7 8 9 10 11 12
4.28 4.70 5.13 0.92 1.91 2.94
4.77 5.35 5.02 1.24 2.18 2.97
Tensiones medias de cada oblea, resultados de las cartografas.
85
Prototipos encapsulados en formato axial.

Figura 3.20:
3.21: I(V) Experimental de un dispositivo encapsulado con VP T = 1.2V . Figura
min se hn omprdo los resultdos de ls simuliones relizds on los orrespondientes los dispositivos reles un vez enpsuldosF in l pigur QFPP se oserv el uerdo entre ls rterstis s@A de estruturs de Nepi = 5 1015 cm3 del primer proesoF
Figura 3.22: Comparacin de las caractersticas I(V) entre las estructuras simuladas y las fabricadas Nepi = 5 1015 cm3 .
ytro prmetro importnte que se h medido es l tensin de clampingF v (gur QFPQ muestr l tensin de clamping @dSHmeA en funin de l tensin de ruptur @dImeAF v tensin de clampling dee ser lo ms prxE im posile l tensin de rupturD puesto que de est form los iruitos
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estn mejor protegidos IHF gomo se puede preir en l (gurD los R ps fridos presentn un tensin de clamping sensilemente menor que los diodos enerD pr tensiones de ruptur inferiores Q F ist mejorD junto on l disminuin de l orriente de fugD he que estos dispositivos sen un lterntiv mejor en l protein de iruitos en pliiones on tensiones inferiores Q F
Tensin de clamping en funcin de la tensin de ruptura en TVS de 4 capas fabricados, diodos Zener [10] y caso ideal (VClamping = VBR ).
Figura 3.23:
pinlmenteD se h proedido determinr l poteni mxim que los dispositivos son pes de sorer sin llegr destruirseF vos experimenE tos muestrn un pidd de soportr pios de poteni de IHHH sin lterin de ls rterstis eltrisF gon el (n de reduir ls disrepnis oservds en los vlores de l tenE sin de ruptur entre oles que se hn frido dentro de un mismo lote y ddo que no podemos ontrolr el proeso de reimiento epitxilD deidimos modi(r el proeso de juste del espesor epitxil utilizdo hst el momenE to @proeso trmio relizdo lt temperturAF e medid que ument el tiempo que ls oles estn lt temperturD l unin sustrtoEepitxi se he ms gusinD lo que produe un umento de l tensin soportd por dih uninF gunto myor es el espesor reduir myor es el tiempo neesrioD diendose este inremento en l tensin soportd l error inE herente l proeso de reimiento epitxilF hdo queD desde el punto de vist de l futur trnsfereni industrilD
87
no es vile el disponer de un espesor epitxil pr d vlor de l tenE sin de ruptur desedoD se deidiD pr reduir l epitxiD relizr un serie de oxidiones y posteriores depdos de xidoD y que d oxidin onsume siliioD reduiendose s el espesor epitxilF vs simuliones relE izds pusieron de mni(esto que pr otener el espesor epitxil deudo er mejorD puesto que se redu tnto l tempertur omo el tiempo de esE tni en el hornoD relizr vris oxidiones de SHHH @dos pr ls oles de Q m y tres oxidiones en ls oles de RFS m de espesor epitxilA en lugr de onsumir el siliio neesrio on un ni oxidinF
Figura 3.24: Perl de dopajes de dispositivos, P1: Primer proceso con ajuste epitaxial por difusin. P2: Segundo proceso con ajuste epitaxal por consumo de silicio por oxidacin.
v pigur QFPR muestr l omprinD por simulinD de los per(les de impurezs de dos dispositivos que hn seguido el mismo proeso de fE riin exepto en el juste epitxilF e puede oservr omo l unin seEemisor de l estrutur P @dispositivo on un juste epitxil por serie de oxidionesA es ms rupt y queD l her permneido menos tiempo sometido lts tempertursD ls impurezs del emisor no se hn difundido tnto omo en el so IF e hn proesdo IP oles modi(ndo el proeso de juste epitxil y se h relizdo un rtogrf omplet de d ole @pigur QFPSAF vs rtogrfs hn puesto de mni(esto que no hy un grn difereni en l dispersin de l tensin de ruptur dentro de l mismo ole en omprin on el proeso nteriorF in emrgoD omo se oserv en l pigur QFPTD
88
existe un notle repetitividd entre diferentes oles que hn seguido el mismo proesoF ist omprin se puede oservr on ms nitidez en l l QFQF
Cartografa de la oblea 7 del segundo proceso. Valores de la tensin para 10 mA.

Figura 3.25:
Figura 3.26:
Curvas I-V medias de cada oblea procesada.

Nmero de oblea Proceso 1 VBR (V) Proceso 2 VBR (V) Nmero de oblea Proceso 1 VBR (V) Proceso 2 VBR (V)
89
4.28 4.70 5.13 0.92 1.91 2.94 1.69 2.79 3.61 0.33 0.96 2.00
1 2 3 4 5 6
Tabla 3.3:
3.86 4.15 4.71 0.72 1.48 2.62
1.52 2.26 3.31 0.30 0.85 1.92
7 8 9 10 11 12
Tensiones de ruptura (V @10mA) medias de cada oblea, resultados de las cartografas.
e l vist de los resultdosD podemos (rmr que el nuevo proeso de juste epitxil mejor sustnilmente l repetitividd de los dispositivos en diferentes olesD lgo muy importnte si queremos que este proeso pueE d introduirse en un proeso se industrilizleF vos priniples resultdos otenidos en l friin del de R ps sonX IF in funin de l epitxi y de l dosis de foro implntdD se hn otenido dispositivos on tensiones de loqueo omprendids entre HFV y R D PF vos dispositivos relizdos medinte el juste epitxil por reimienE to y depdo de xidoD muestrn un myor repetitividd y menor dispersin en l tensin de rupturD QF v orriente de fug en invers se situ en un rngo omprendido entre 1A y 100AD RF v tensin de clamping disminuye lrmente en omprin on los diodos ener trdiionlesD siendo est mejor ms preile unto menor es l tension de rupturD SF e h reduido l dispersin en el vlor de l tensin de loqueo que pree en ls estruturs de Q psD TF vos dispositivos fridos permiten l sorin de perturiones on pios de poteni de IHHH sin destruirse @utilizndo pulsos 10/1000sAF
90
Captulo 4 Dispositivos supresores laterales de efecto punch-through

4.1. Introduccin
in los ptulos nteriores hemos trtdo los dispositivos de efeE to punch-through on rquitetur vertilD uy pidd de protein en j tensin es superior l de los diodos enerF rst l fehD los disposiE tivos de efeto punch-through que existen en el merdo presentn un rquitetur vertil en l que se enpsul d ddo individulmenteD por lo que se otienen omponentes disretos PR que deen onetrse externE mente l iruito que protegenF isto es deido queD en ls tenologs Bulk gwyD los dispositivos vertiles no pueden ser integrdos junto on el irE uito gwy deidoD priniplmenteD l di(ultd de islr eletrimente el dispositivo del resto del iruito l que protegeF in emrgoD en ls tenologs Smart-Power @tenologs inteligentes de poteniA tnto en sustrtos Bulk omo ys @Silicon-On-InsulatorD iliio soE re islnteAD es de grn inters poder integrr en un solo hip los dispositivos supresores junto on l iruiter protegerF vs ventjs que ello onllev son vrisX il dispositivo supresor se muestr ms efetivo l estr uiE do er de l iruiter proteger yD demsD se onsigue un reduin de ls onexiones prsitsD de ls dimensiones (nles del sistem y de los ostes ligdos l proeso de enpsuldoF r poder integrr estos disposiE tivos monoltimente on el resto del gsD dee optrse por un rquitetur lterlF
92
Dispositivos supresores laterales de efecto
punch-through
4.2. TVS laterales en tecnologa Bulk

4.2.1. Descripcin de los dispositivos
Figura 4.1:
Corte transversal de un TVS lateral 4 capas.
in l pigur RFI se muestr un sein trnsversl de un dispositivo R ps lterl implementdo en tenolog BulkF il R ps lterl onE sisteD igul que en su versin vertilD en un trnsistor ipolr @N + P + P N + o P + N + N P + A de se iert integrdo en un sustrto tipo N + @o P + A on un epitxi tipo P @o N AD donde l onentrin de impurezs del oletorD emisor y sustrto es del orden de 1 1018 cm3 F v implementin de un Q ps lterl en tenolog Bulk tmin es posileD siendo su proeso tenolgio ms simple que el de los lterE les de R psF in emrgoD omo se vi en el estudio de los vertilesD los dispositivos punch-through de R ps ofreen uns rterstis eltris mejores y un myor grdo de protein que ls estruturs tripF hdo que el prinipio de operin de los no depende de su rquiteE turD es de esperr que los lterles de R ps ofrezn un prestiones superiores los de su equivlente Q psF r ompror est (rminD se hn simuldoD on l yud del simuE ldor eltrio etls IWD tres estruturs lterles diferentesD dos de ells on un on(gurin Q ps y l otr on un on(gurin R psD
4.2 TVS laterales en tecnologa
Bulk
93
donde hemos denomindo estruturs tipo a y b ls on(guriones triE p y tipo l on(gurin R psF v pigur RFP muestr un sein trnsversl de ls estruturs tipo a y tipo bF
Figura 4.2: Arquitectura de las estructuras TVS 3 capas tipos a y b, incluido el perl de concentracin supercial de impurezas.
94
punch-through
v estrutur Q ps tipo a est implementd en un epitxi tipo on un onentrin uniforme de impurezs de 1 1017 cm3 D dndo lugr vlores de l tensin de clamping similres los lnzdos on l estrutur R psF ist on(gurin es l estrutur tipo punch-through lterl ms simple posile y se tom omo refereni pr l omprin on ls otrs dos estruturs simuldsF v on(gurin tipo b es un proximin ms relist pr l integrin en iliioF sulmenteD l onentrin de impurezs de ls epitxis tipo P en tenologs gwy es menor que 1 1017 cm3 @normlmente estn en el rngo de 1 1015 cm3 AF in emrgoD on un resitividd tn elevd no se pueden lnzr vlores de l tensin de clamping su(ientemente josF v estrutur tipo b es un Q ps donde se h dido un difusin tipo P + on un pio de dopje del orden de 1 1017 cm3 F he est formD se onsigue un dispositivo similr l estrutur tipo a pero mnteniendo un epitxi on resistividd ltF gomo onseueniD l estrutur es omptile on los sustrtos gwy tipo P estndrD on vloE res jos de l tensin de clampingF r elloD l onentrin de impurezs er de l super(ie dee ser l mism en ls estruturs tipo a y bD tl y omo muestr l pigur RFPF
Relacin entre la tensin de clamping y la tensin de ruptura en las tres estructuras analizadas.
Figura 4.3:
v estrutur R ps @tipo c A orresponde l sein trnsversl que se muestr en l pigur RFID on un epitxi tipo P poo dopd @1 1015 cm3 A y un pozo profundo tipo P + jo el oletorD on un pio de dopje de 5 1016 cm3 F vs onentriones de impurezs de ls diferentes difusiones
Bulk
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en d tipo de estrutur se hn esogido pr otener los mismo vlores de l tensin de clamping yD de est formD poder otener un omprin ms relist de l pidd de protein de tods ls estruturs lterles nlizdsF in l pigur RFQ se muestr omo ls tres estruturs exhien un mism relin entre l tensin de clamping y l tensin de rupturF eunqueD de uerdo on los resultdos de l pigur RFQD pued preer que ls tres estruturs ofreen un mismo omportmiento eltrioD existen un pr de diferenis entre los dispositivos Q ps y los R ps que ponen de mni(esto l prefereni por est ltim estruturF
Figura 4.4: Variacin de la tensin de ruptura con la anchura de la base en las tres estructuras estudiadas.
v pigur RFR muestr l vriin de l tensin de ruptur on l nhuE r de l se en ls misms estruturs de l pigur RFQF e puede oservr que ls dos estruturs trip tienen un mismo omportmientoD mientrs que l estrutur tipo c di(ere de ls otrs dosF in primer lugrD se oserv que pr otener los mismos vlores de tensin de ruptur @y tensiones de clamping A es neesrio de(nir un nhur de se @distni entre ls dos unionesA menor en ls estruturs trip que en l de R psD lo que onE llevD neesrimenteD un myor preisin tenolgiF ero lo relmente negtivo de ls estruturs Q ps es l sensiilidd que muestr l tensin de ruptur on l nhur de l seF gomo se oserE vD un peque vriin de 0.05 m provo un vriin de ms de Q
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punch-through
en l tensin de rupturF or ontrD l mism vriin de l nhur de l se en un estrutur R ps he vrir l tensin de ruptur solo unos HFUS F iste heho pone de mni(esto queD si ien ls tres estruturs son muy sensiles este prmetroD en ls estruturs trip @tipo a y b A est senE siilidd es ms usdD oligndo implementr un ontrol muy preiso durnte su friinF isto he que los lterles de Q ps difilE mente puedn ser fridos omerilmenteD ddo que ontrolr l difusin lterl de dopnte on un preisin de 0.05 mD es prtimente invileF or lo tntoD igul que en el so de on rquitetur vertilD podemos (rmr queD en los lterlesD ls estruturs R ps ofreen un myor filidd de integrin y mejores prestiones que ls estruturs tripF
4.2.2. Anlisis de los dispositivos

he l mism form que se hizo on los dispositivos vertilesD se h estuE didoD on l yud de un simuldor numrioD l in)ueni de los priniples prmetros geomtrios y tenolgios del lterl de R ps en l tenE sin de ruptur y l orriente de fugF vs simuliones relizds muestrn que el omportmiento eltrio de los lterles es equivlente l otenido en los dispositivos vertilesF in emrgoD existen lgunos fenmenos inherentes l rquitetur lterl y l form de ls uniones que in)uyen en l fsi de los lterlesF
Pico de dopaje del buer
P + (Nb )
he form nlog los R ps vertilesD un umento del pio de dopje del buer @en los lterles se onsider el vlor del pio de dopE je del buer er de l super(ie de l oleA provo un umento de l tensin de rupturF iste omportmiento se puede oservr en l pigur RFSF il estudio de l in)ueni de este prmetro sore l tensin de ruptur en los R ps vertilesD mostr un dependeni prtimente linel entre Nb y VP T @pigur PFQPA orroord por nuestro modeloF ist depenE deni linel tmin se prei en los dispositivos lterles @pigur RFTAF
Bulk
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Figura 4.5:
Nepi = 1 1015 cm3 , Wef f = 1 m.
Caractersticas I-V de varios TVS laterales variando Nb .
Nepi = 1 1015 cm3 , Wef f = 1 m.
Figura 4.6:
Variacin de la tensin de ruptura con Nb .
98
punch-through
vmentlementeD no existe un modelo terio pr los dispositivos lteE rlesD puesto que l ruptur por punch-through di(ere un poo de los disposiE tivos vertiles @omo veremos ms delnteAF xo ostnteD podemos oservr queD ulittivmenteD el omportmiento es idntio en ls rquiteturs verE til y lterlF edems de l vriin de l tensin de rupturD l pigur RFS muestr otros resultdos que meree l pen destrF e oserv un pequeo umenE to de l orriente de fug on Nb F min se puede preir un disminuin de l tensin de clamping l umentr Nb D omo y se oserv en los dispoE sitivos vertilesF he hehoD est es l funin prinipl que dee relizr el + buer P F
Amplitud de la base Wef f

v in)ueni de l mplitud de l se @Wef f A tnto l tensin de ruptur omo en l orriente de fug se puede oservr en l pigur RFUF gomo er de esperrD l tensin de ruptur ument on Wef f D presentndo un depenE deni udrti on este prmetro igul que en el so de los dispositivos vertilesF in emrgoD no se prei ningun vriin en l orriente de fugF min se h oservdo que l tensin de ruptur es menos sensile vriiones de Wef f @siempre y undo el buer no oupe l totlidd de l seA undo disminuye Nepi F
Figura 4.7:
Nepi = 1015 cm3 , Nb = 6.7 1016 cm3 .
Caractersticas I-V de varios TVS laterales variando Wef f .
Bulk
99
Amplitud de la difusin de colector Wc

eunque l rquitetur de este dispositivo se lterlD se podr onsiE derr que su omportmientoD ntes de lnzr l rupturD es nlogo l versin vertilF esD existe un fuerte dependeni de l orriente de fug on Wc D dependeni que se puede entender medinte ls lines de orriente mostrds en l pigur RFVF
ruptura.
Figura 4.8:
Lineas de corriente, (a) antes de la ruptura, (b) despus de la
Figura 4.9:
Nepi
2 Variacin de la corriente de fuga con Wc . Wb = 0.5 m, 15 3 = 4.8 10 cm , Wef f = 1.4 m.
100
punch-through
gomo se oserv en l pigur RFVD l orriente de fug irul por minos diferentes ntes y despus de l rupturF entes que l ruptur ourrD l oE rriente es prtimente vertil en l unin N + P + @oletorEepitxiAF n vez se h lnzdo el punch-throughD l orriente irul lterlmente er de l super(ie del iliioD trvs del mino menos resistivo redo lo lrgo de l zon de vimiento l herse reduido l rrer de potenilF or lo tnto no es de extrrD pigur RFWD que l orriente de fug depend linelmente on el re del oletor @que es proporionl Wc2 AD de l mism form que sued en los R ps vertilesF
Grosor de la epitaxia (Depi ) y tipo de sustrato

v optimizin de l estrutur R ps lterl dee ontemplr dos nuevos prmetrosX il grosor de l epitxi y el tipo de impurezs dopntes del sustrtoF sulmenteD el grosor de l epitxi y el tipo de sustrto estn (jdosD y que los lterles se destinn l protein onEhip y estn integrdos monoltimente on l tenolog de los gs9s proteger @gwyD figwyD ysD etFAF
Figura 4.10:
m, Nepi = 1 1015 cm3 , Nb = 2.81 1016 cm3
Variacin de la tensin de ruptura con Depi . Wef f = 1.16
v pigur RFIH muestr los vlores de l tensin de ruptur de estruturs R ps lterles integrds en sustrtos N y P D on epitxi tipo P en mos sosF gomo se puede oservrD l tensin de ruptur pens vr en
Bulk
101
el so de sustrtos tipo P F in emrgoD en el so de sustrtos tipo N on un espesor epitxil su(ientemente delgdoD el vlor de l tensin de rupE tur se redue drstimente por l priin de un ruptur vertilF hdo que el sustrto es tipo N y l epitxi tipo P D existe un unin x yD por lo tntoD un estrutur N P P N vertil prsit que puede llegr lnE zr l ruptur ntes de l priin del punch-through lterlF ist ruptur dee tenerse en uent en el diseo de lterles de efeto punch-through integrdos en sustrtos tipo xF r poder omprr ls rterstis sE de tods ls estruturs nE lizdsD tnto en rquitetur vertil omo lterl @ Q y utro ps y diodos enerAD on tensiones de ruptur lrededor de P D se h relizdo un estudio por simulin numriF vs rterstis eltris de tods ls estruturs simulds se presentn en l pigur RFII
Comparacin entre estructuras verticales y laterales de dispositivos TVS y diodos Zener

Figura 4.11:
v estrutur R ps lterl optimizd present un mejor omporE tmiento eltrio que ulquier diodo ener @vertil o lterlAD disminuyenE do l orriente de fug en tres rdenes de mgnitudF in emrgoD despus de l ruptur l tensin clamping es myor en ulquier de ls estruturs simuldsD en omprin on l de los diodos enerD deidoD siE menteD l diferente menismo de rupturF or lo tntoD se puede onluir que ls rterstis eltris de ls estruturs R ps lterles son omprles ls de ls estruturs vertilesD on un peque degrdin
102
punch-through
de l orriente de fug y tensin clampingF or onsiguienteD l pidd de protein de los lterles es omprle l lnzd por los dispoE sitivos vertilesF
4.2.3. El punch-through lateral

e lo lrgo de tods ls simuliones relizdsD se h oservdo que los vlores de ls tensiones de ruptur en los dispositivos lterles son mE yores que los vlores otenidos en su orrespondiente versin vertilD on el mismo per(l de impurezsF i se sume que l ruptur por punch-through ourre undo ls dos zons de rg espil se unenD es de esperr que los vlores de l tensin de ruptur sen idntios en ms rquitetursF in emrgoD se oserv un disrepni que fet negtivmente l hor de integrr los dispositivosD puesto queD pr otener un mism tensin de rupE turD se dee disminuir l mplitud de l seD on el onsiguiente inremento de preisin tenolgiF
Figura 4.12:
TVS laterales.
Efecto punch-through inicial (a) y total (b) en estructuras
vs diferenis otenids por simulin en los vlores de l tensin de ruptur se pueden triuir l form de ls uniones xF in el so de ls estruturs vertilesD ls uniones x son prtimente unidimensioE nlesD por lo que l ruptur por punch-through omienz l mismo tiempo lo lrgo de tod l regin jo l unin seEoletorF or ontrD en ls estruturs lterles l ruptur por punch-through tiene lugr en l urE vtur de ls uniones xF gomo se puede oservr en el esquem de l pigur
Bulk
103
RFIPD ls zons de rg espil omienzn unirse er de l super(ie del iliio @de(nido omo punch-through iniilA prD posteriormenteD extenderE se @l regin donde se h produido el punch-through A dentro del iliioF e h oservdo por simulin que l ruptur del dispositivo omienz undo l profundidd de l regin de punch-through es similr l profundiE dd de ls difusiones N + de oletor y emisor @de(nido omo punch-through totlAF in onseueniD es lgio suponer que pr un mismo per(l de imE purezs @per(l vertil en un rquitetur vertil y per(l lterl er de l super(ie de iliio en un rquitetur lterlAD l ruptur por punchthrough en dispositivos vertiles y el punch-through iniil en dispositivos lterlesD se produzn un mism tensinF in emrgoD hst lnzr el punch-through totl en los lterlesD deemos inrementr el vlor de l tensin plidF es puesD pr lnzr l mism tensin de ruptur en dispositivos vertiles y lterlesD dee reduirse l mplitud de l se en ls estruturs vertiles o plir lgun tni que pr otener tensiones de ruptur menoresF
4.2.4. Placas de campo en TVS laterales

il uso de pls de mpo en terminiones de medi y j tensin se reE mont los os UHD oinidiendo on el desrrollo de los trnsistores wy de poteni vertiles y lterlesF ist tni onsiste en el uso de un mteril ondutor @eluminioD olysiliioD etFA que lter l distriuin del potenil eltrio en l super(ie del iliioD dndo lugr un reduin del mpo eltrio y l onsiguiente umento de l tensin de ruptur de ls uniones xF is ien sido que el mpo eltrio en l super(ie de un unin pln difundid es myor que l de un unin plnoEprlel deido los efetos de l urvtur de l zon de vimiento PWF ist urvtur se puede onE trolr modi(ndo el potenil eltrio en l super(ie del iliioD siendo l form ms simple de onseguirlo olor un eletrodo metlio @denomindo pl de mpoA en el extremo de l uninD omo muestr l (gur RFIQF u potenil eltrio determin l form de l zon de vimientoF gundo se pli un tensin negtiv l pl de mpo metliD los hueosD en el so de sustrto tipo D son trdos hi l super(ie por lo que l zon de vimiento disminuye @so eAF iD por el ontrrioD se pli un tensin positiv l pl de mpoD los hueos se lejn de l super(ie y l zon de vimiento se expnde @so gAD dndo lugr un inremento de l tensin de ruptur de l unin QTF in el so de tur sore un sustrto tipo xD sus efetos sern los inversos @un tensin negtiv v de eletrones l super(E ieD produiendo un umento de l extensin de l zon de vimientoY un
104
punch-through
tensin positiv ument eletrones en l super(ie reduiendo su extensinAF
Figura 4.13:
Unin plana con placa de campo en el extremo.
v polrizin independiente de l pl de mpo requiere l impleE mentin de un eletrodo diionl y iert iruiter de ontrolD espeilE mente omplej en rquiteturs lterlesF ritulmenteD l pl de mpo se re extendiendo l metlizin de uno de los onttos sore el xidoD tl y omo muestr l pigur RFIR AF v preseni de l pl de mpo olig l zon de vimiento extenderse ms ll del lmite de l plD reduiendo l urvtur de l zon de vimiento y el mpo eltrio en ese puntoD dndo lugr tensiones de ruptur ms elevdsF
Zonas de vaciamiento de uniones pn en inversa sin a) y con placa de campo b).

Figura 4.14:
Bulk
105
in emrgoD en este trjo utilizmos el efeto que us sore ls zons de vimiento l inlusin de l pl de mpo pr otener tensiones de ruptur menoresF he est formD podemos otener dispositivos R ps lterles on ls tensiones de ruptur deseds sin neesidd de reduir l nhur de l seF il ojetivo es queD l insertr l pl de mpoD l zon de vimiento de l unin seEoletor se extiend ms que en el so sin pl de mpoD por lo que ls dos zons de vimiento entrrn ntes en onttoD dndo lugr l punch-throughF
Figura 4.15:
Estructura TVS lateral con placa de campo.
v pigur RFIS muestr el esquem de un dispositivo R ps lE terl on pl de mpoF st est formd por un pist de olysiliio onttd diretmente l metl del oletorD form omnmente empled pr formr l pl de mpo en wy dispositivos de poteniF r oE servr el efeto de l pl de mpo en los lterlesD se h simuldo un dispositivo on pl de mpo y se h nlizdo el efeto que produe l vriin de l longitud de l pl @Lf p AF vos resultdos presentdos en l pigur RFIT permiten oservr omo l tensin disminuye on el umento de l longitud de l pl de mpoF il dispositivoD que sin pl de mpo tiene un tensin de ruptur de si R lnz los Q pr Lf p > 1F min se oserv omoD prtir de un ierto vlor de Lf p D y no se redue l tensin de rupturD deido queD l umentr el vlor de Lf p D lleg un momento en que ste es igul l distni entre ls uniones oletorEemisor yD por tntoD se onsigue el mximo efeto de l pl de mpoF
106
punch-through
Figura 4.16:
de campo.
Variacin de la tensin de ruptura con la longitud de la placa
gomo hemos vistoD gris l pl de mpoD podemos lnzr vloE res de l tensin de ruptur ms jos que on el dispositivo sin plF ytr ventj es que podemos otener on un mism estrutur @on un mismo proeso tenolgioA dispositivos on vris tensiones de rupturF rst hoE rD pr modi(r l tensin de ruptur h que vrir lgn prmetro tenolgio omo l dosis de implntinD l mplitud de l seD etF in emrgoD hor l vrir l longitud de l plD y otenemos diferentes vlores de l tensin de rupturF
4.3. TVS laterales en tecnologa Insulator (SOI)

4.3.1. Introduccin al SOI
Silicon-On-
v revoluin de l er eletrni se h deido priniplmente @entre otros ftoresA l progresivo umento de l densidd de integrin de los omponentes miroeletrniosF v priin de los primeros iruitos inteE grdos QU se hizo posile l onseguir islr los dispositivos veinos medinte un unin pEn en inversD lo que se denomin omnmente omo islmiento por unin QVF in emrgoD l ontinu evoluin de l miroeletrni h puesto de mni(esto que el islmiento por unin no es siempre l mejor
Silicon-On-Insulator
(SOI)
107
opin pr onseguir un uen integrin monoltiF is ien sido que ests uniones introduen piddes prsits extrD umentn ls orrientes de fug y reduen l densidd de trnsistores en los iruitosF or est rznD se omenz populrizr otro sistem de islmiento sdo en introduir un mteril dieltrio de seprinD lo ul se onsigue utilizndo oles Silicon-On-Insulator @ysA @pigur RFIUAF hesde (nles de l dd de los WHD ls pliiones omeriles de l tenolog ys hn ido reiendo expoE nenilmente yD hoy en d es utilizd en l friin de los miroproeE sdores de IQH nm y WH nm ypteron de ehwD s omo en los proesdores suministrdos por sfw en ls onsols oxQTHD lyttion Q y iiD por poner unos ejemplosF
Figura 4.17:
Estructura de una oblea SOI
vos sustrtos ys onsisten en un p de iliio monoristlino @E p tivA seprd por otr p de SiO2 @p fyA del sustrto @que normlmente es tmin de iliioAF il heho de que l p superior de ser iliio monoristlinoD pero seprdo por un islnte morfo del sustrtoD represent l myor di(ultd de su friinD ddo que no existen tnis de deposiin que den un p monoristlin sore un mteril morfo QWF vos priniples prmetros de un ole ys son l onentrin impurezs de l p tiv de iliioD el grosor de l p tiv @Depi A y el grosor de l p de xido enterrdo @Tbox AF ixisten tres tipos de oles ys en funin del grosor de l p tivD si Depi es un orden de mgnitud myor que Tbox @usulmente entre 0.4 y 1 mA se denomin tenolog Thick SOID si Depi y Tbox tomn vlores similres @lrededor de 1 mA se denomin tenolog Thin SOID vlores ms pequeos de Depi hy que usrlos en tenologs Ultra-Thin SOIF
108
punch-through
etulmente existen vrios mtodos pr l friin de oles ysD sin emrgoD dos de ellos son los que oupn un posiin dominnte sore el restoX swy @Separation by IMplanted OXigen A y mrtEgut F
Proceso SIMOX
gomo su nomre indiD el proeso swy onsiste en formr un p de SiO2 enterrd medinte l implntin de iones de yxgenoF vos primeros intentos fueron relizdos medidos de l dd de los sesentD pero no fue hst (nles de los setent undo szumi et lF onsiguieron frir oles ys medinte implntin de oxgeno on l su(iente lidd omo pr integrr dispositivos en ells RHF il proeso de friin medinte swy se puede resumir en dos etps @pigur RFIVAX smplntin de iones de oxgeno y reoido lt temperturF
Figura 4.18:
Etapas de fabricacin de una oblea SIMOX
v energ y dosis de implntin son los priniples prmetros que determinn el resultdo (nl del proesoF v energ normlmente est omE prendid entre SHEPHH ue yD omo en tod implntinD (j l profundiddF in unto l dosisD pr poder formr un p de xido enterrdoD se dee implntr un dosis de oxgeno lo su(ientemente elevd omo pr otener un onentrin estequiomtri que permit l formin de SiO2 D pr ello se requieren dosis de implntin entre 4 1017 y 2 1018 tomosGm2 F v dosis de implntin (j el grosor de l p fyD siendo el prinipl inonE veniente de ls estruturs swyD puesto que el proeso de implntin tn lts dosis d l estrutur ristlin de l super(ie del iliioF r minimizr este doD se reliz l implntin un tempertur de unos THH D por lo que no se otienen grndes espesores de xidoF
(SOI)
109
hespus de l implntin se reliz un reoido lt temperturD entre IQHHEIQSH F u (nlidd es distriuir uniformemente el oxgeno forE mndo l p fy y mejorr l lidd de l p ysD eliminndo los preE ipitdos de SiO2 que hyn podido quedr y evitndo su mor(zinF en sD siempre quedn disloiones en l p ys lo queD unido los pequeos espesores de l p fy que se pueden onseguirD formn los priniples inonvenientes de ls estruturs swyF
Proceso SmartCut
e prinipios de l dd de los WHD wF fruel ptent un nuevo mtodo pr otener ps (ns de semiondutor @mrtgut A que fue rpidmente utilizdo pr otener oles ys RIF v ide de este proeso onsiste en implntr protones @en un ole previmente oxiddA pr rer un E p de miroviddes dentro del ilio prD posteriormenteD provor un frtur en es zon y otener un p delgd de iliioF
Figura 4.19:
Etapas de fabricacin de una oblea SmartCut
v pigur RFIW muestr ls etps priniples del proesoX rtiendo de dos oles previmente oxidds trmimenteD se reliz en un de ells un implntin de iones de hidrgeno un energ omprendid entre 2 1016 1 101 7 tomosGm2 D donde l energ de l implntin determiE nr l profundidd de st yD por tntoD el grosor de l p ysF il siguiente pso onsiste en soldr ls dos oles @por l rs oxidds que formrn l p fyA y relizr un reoido unos THH F gon este reoido ls miroE viddes reds en l implntin reen y trpn el hidrgenoD on lo que se re un zon muy frgilD l que se le provo filmente l frturD retirndo l prte de l ole sornteD que se reil pr l formin de
110
punch-through
nuevs estrutursF r (nlizr el proesoD se reliz un pulido suve pr reduir l rugosidd de l super(ie de l p ysF
4.3.2. Anlisis del dispositivo

hdo que l utilizin de sustrtos ys en ulquier rm de l miE roeletrni es d d ms usulD es neesrio relizr un estudio de ls rterstis de los punch-through lterles en este tipo de olesF in l pigur RFPH se muestr el esquem de un dispositivo R ps lterl en un ole Ultra-Thin SOIF
Corte transversal y esquema de una estructura TVS 4 capas lateral en oblea Ultra-Thin SOI.
Figura 4.20:
e h nlizdoD priniplmenteD l in)ueni de los prmetros de l oleD es deirD los grosores de l p tiv y del xido enterrdoF e h oE servdo que el dispositivo se omport ms o menos igul que en tenolog Bulk pr oles Thick y Thin SOIF in emrgoD pr oles Ultra-Thin SOI el dispositivo se omport de mner diferenteF v pigur RFPI muestr ls urvs sE de dispositivos R ps lterles en oles ys vrindo Depi D l urv fulk orresponde l mismo dispositivo en es tenologF e puede oservr omo l tensin de ruptur disminuye l reduirse el grosor de l p tivF iste fenmeno se puede explir si tenemos en uent l ruptur por punch-through en estruturs lterlesD omo se h visto en puntos preedentesD donde se puso de mni(esto queD pr un mismo per(l de impurezsD un dispositivo lterl tiene un vlor de l tensin de ruptur

myor que uno vertilF
(SOI)
111
Figura 4.21: Caracterstica I-V de dispositivos TVS laterales en obleas SOI variando Depi . Wef f = 1.4 m, Nepi = 5 1015 cm3 , Nb = 5.20 1016 cm3 , Tbox = 1 m.
in oles Ultra-Thin SOI l tensin de ruptur disminuye porque l p tiv es tn delgd que ls difusiones @y por tnto ls unionesA de oletor y emisor son ms profunds que el grosor de l p tivD por lo tnto sE lo existe unin lterl y el menismo de ruptur se omport omo si fuer vertil @en el so de l pigur RFPI l profundidd de ls uniones de oletor y emisor es de 0.64 mAF iste heho es ms entudo medid que hemos l p tiv ms delgdD puesto que l urvtur de l unin despreeF esD omo podemos ver en l pigur RFPID pr ps ms delgds que ls profundiddes de ls uniones @0.3 y 0.4 mA l reduin de l tensin de rupE tur es notleF in emrgoD pr vlores myoresD su omprin on l estrutur Bulk muestr un disminuin en l pidd de tensinD mienE trs que se mnten prtimente onstnte undo se trt de estruturs SOID por lo que l difusin lterl es igul en los sos onsiderdosF min se oserv en l pigur RFPI un vriin importnte en l oE rriente de fugF iste er un fenmeno previstoD puesto que menor re de unin menor orriente de fugD os que ourre en todos los sos ys de l (gur exepto en el de Depi = 0.8 mD puesto queD en este soD existen uniones vertiles y el re de unin es myorF
112
punch-through
gomo se h podido omprorD vriiones de Depi pueden fetr signiE (tivmente ls rterstis eltris del dispositivoD sin emrgoD vriE iones de Tbox no fetn demsido l dispositivoF in l pigur RFPP podemos veri(r tl (rminD donde se puede preir un peque vriin en ls urvs pr ps muy delgds de xido enterrdoF
Caracterstica I-V de TVS en obleas SOI variando Tbox . Wef f = 1.4 m, Nepi = 5 1015 cm3 , Nb = 5.20 1016 cm3 , Depi = 0.5 m.
Figura 4.22:
Caracterstica I-V de TVS con placa de campo en obleas SOI variando Lf p . Wef f = 1.4 m, Nepi = 5 1015 cm3 , Nb = 5.20 1016 cm3 , Depi = 0.5 m, Tbox = 1 m.
Figura 4.23:
e ontinuinD se h estudido el efeto sore el dispositivo de l pl de mpoF v pigur RFPQ muestr omo l tensin de ruptur disminuye l
(SOI)
113
umentr l longitud de l plD omo y sued en un tenolog BulkF min podemos verD prte de l disminuin de l orriente de fugD omo un estrutur que en tenolog Bulk tiene un tensin de ruptur de unos R D disminuye un voltio undo lo integrmos en oles Ultra-Thin SOID l eliminr el efeto punch-through lterl y omo onseguimos reduir IFS ms l inluir l pl de mpoF in de(nitivD on un mismo per(l de impurezs en oles ys podemos otener diversos dispositivos que uren un mplio rngo de tensiones de rupturD l modi(r l longitud de l pl de mpo yGo el grosor de l p tivF
Figura
4.24: Relacin entre la tensin clamping y la tensin de ruptura de las diferentes estructuras analizadas.
Relacin entre la tensin de ruptura y la anchura de la base de las diferentes estructuras analizadas.
Figura 4.25:
vs pigurs RFPR y RFPS muestrn un omprin entre estruturs Bulk Q y R ps y estruturs ys R psF he l mism form que undo nE lizmos ls diferentes estruturs lterles en tenolog Bulk @pigurs RFQ y RFRAD podemos ver queD unque ls diferentes estruturs exhien un mism relin Clamping GupturD los dispositivos ys muestrn un menor sensiE ilidd Wef f D por lo que el proeso tenolgio en este so no dee ser tn preiso omo en el de ls estruturs BulkF odemos oservr omoD l igul que ourr on ls estruturs lterles en tenolog Bulk @pigurs RFQ y RFRAD los dispositivos relizdos sore SOI presentn un menor sensiilidd on Wef f D mnteniendo un relin clamping Gruptur similrF ist menor sensiilidd on Wef f nos permite pensr que su proeso tenolgio de friE in no requerir del grdo de preisin que requiere el BulkD simpli(ndo l tenolog requerid pr su integrinF
114
punch-through
Captulo 5 Diseo y fabricacin de TVS laterales

5.1. Denicin del proceso tecnolgico
gomo se oment en el ptulo nteriorD los dispositivos lterles estn pensdos pr su integrin monolti junto on l irtuiter l que protegeF or est rznD es neesrio que el proeso tenolgio utilizdo pr su friin se omptile on los proesos que se utilizn pr l integrin de est iruiterD normlmente tenolog gwyF or tntoD en l friin de los dispositivos lterlesD se h optdo por utilizr los proesos estndr gwy de l sl ln del gxwF r elloD se hn esogido oles tipo de foroD tpis en l integrin de iruitos on tenolog gwyD on un resistividd omprendid entre 20 10 cmD lo que equivle un onentrin de impurezs de 7 1014 1015 cm3 F gon el (n de justr deudmente todos los psos de l friinD se h simuldo l totlidd del proeso tenolgio pr esoger los prmetros neesriosD tles omoX dosis y energ de implntinD tiempos y tempeE rturs de difusinD etFD y s otener un dispositivo lterl on un j tensin de rupturF v seueni de etps del proeso tenolgioD que se explir en deE tlle en el prtdo de priin del dispositivoD es en eseni similr l utilizdo pr l friin de vertilesD on l di(ultd did de tener que de(nir el emisor en l super(ie y l de inluir un pl de mpoF v seueni totl onsiste en los siguientes IR psosX
116
IF yxidin de gmpo PF hepsito de xitruro @Si3 N4 A
Diseo y fabricacin de TVS laterales
QF potolitogrfX he(niin del pozo P + de oletor RF smplntin de foro SF etivin y difusin de foro TF potolitogrfX he(niin de oletor y emisor UF smplntin de ersnio VF etivin y difusin de ersnio WF hepsito de olysiliio IHF potolitogrfX he(niin de l pl de mpo IIF hepsito de xido de mpo IPF potolitogrfX epertur de onttos IQF wetlizinX hepsito de eluminio IRF potolitogrfX qrdo del metl v pigur SFI muestr el esquem del orte trnsversl de un eld siE del dispositivo trs el proeso tenolgioD donde el oletor se sit en el entro y el emisor en l prte exteriorF n vez se hn de(nido los psos neesrios pr su friinD se proede diser el juego de msrs que determinr l topolog (nl del dispositivoF
Esquema de un corte transversal del TVS 4 capas lateral obtenido mediante el proceso tecnolgico propuesto.
Figura 5.1:
5.2 Diseo de mscaras: denicin Topolgica
117
5.2. Diseo de mscaras: denicin Topolgica

e difereni de los dispositivos vertilesD el diseo de msrs en los lterles es un prte muy importnte dentro de todo el proeso de friin del dispositivoF i reordmos l friin de los vertiE lesD su proeso slo requer de tres niveles de msrsX goletorD gontto y wetlF he ellsD slo l de(niin de oletor in)u en lgun rtersti eltri del dispositivoD puesto queD ms re de oletorD ms orriente es pz de )uir por el dispositivoF il resto de rterstis @ensin de rupturD ensin de ClamplingFFFA se de(nnD un vez esogids ls rE terstis de l ole de prtidD durnte el proeso de friin (jndo iertos prmetros del mismoD omo son l energ y dosis de implntinD el tiempo y l tempertur de difusinD etF in emrgoD en el so de los lterlesD ls msrs de(nirnD entre otrs ossD l distni entre oletorEemisor y l longitud de l pl de mpoD por lo queD dems de su pidd en orrienteD in)uir diretmente en l tensin de ruptur del dispositivoF
Figura 5.2: Esquema de un TVS 4 capas lateral, donde se indica la zona por la que circula la corriente y se dene la amplitud y longitud de colector.
in el diseo de msrs deemos tener en uent dos ftoresD por un ldoD de(nir l topolog (nl del dispositivo yD por otroD justrnos ls regls de diseo que nos mr l tenolog que vmos utilizrF gundo trtmos los vertilesD de(nir l topolog (nl er un pso seniE lloY l topolog del dispositivo onsist en un re ms o menos grnde en funin de l orriente que el dispositivo de soportrF eroD en el so de onduin lterlD l orriente que irul por el dispositivo no depende del re de oletor de l mism form que en el so de los dispositivos vertiE lesF is importnte reordr queD en los dispositivos vertilesD l orriente ument proporionlmente on el re de oletorD puesto que st deE pend del re de l unin oletorEse vertilD que esD en eseniD igul l
118
re de oletorF in emrgoD l onduin lterl depende del re de l unin oletorEse lterlD que depende de l profundidd de est unin y de l longitud de oletorD entendiendo omo longitud de oletor @ver pigur SFPA l extensin de l difusin que form l unin oletorEse y que est ms prxim l unin seEemisorD es deirD por donde irul l orrienteF esD deemos mximizr este re lterl de uninD minimizndo el re de siliio totl onsumidoF v form ms senill de umplir est ondiin es mximizndo ls longitudes de oletor y emisorD minimizndo su mplitudY de est formD se otiene un serie de tirsD o ngersD de oletor y emisor prlels entre siF i tenemos limitd l longitudD pr que soporte myor orriente podemos dir tnts tirs omo deseemosD onetndolsD (nlE menteD tods un eletrodo omn @uno pr los ngers de emisor y otro pr los de oletorAF v pigur SFQ muestr l distriuin topolgi o layout de ls pists de metl del dispositivo disedo de est formF
Figura 5.3:
Layout de las pistas de metal de un TVS lateral.
gomo se indi en el prtdo nteriorD el proeso pr l friin de lterles onst de S niveles de msrsX he(niin del pozo P + de oletorD de(niin de oletor y emisorD de(niin de l pl de mpoD pertur de onttos y grdo de metlF e l izquierd de l l SFI podemos ver el orte trnsversl del dispositivo junto on ls zons ops de l msr pr d nivelD tmin se muestrn los prmetros ms imE portntes de ls tres primers msrsX W P OU P emplitud del pozo P + D W P OU N emplitud del pozo N ++ de emisorD W P OLY emplitud totl de l pl de mpoD P P OU P emplitud de olysiliio dentro del oletorD OP OLY = W P OLY P P OU P Overlap de l pl de mpoF vos prmeE tros de ls msrs R y S vienen determindos por prmetros de msrs nteriores y por ls regls de diseo de l tenolog utilizdF in l prte dereh de l tl se muestrn detlles de d msrF
5.2 Diseo de mscaras: denicin Topolgica

Corte transversal y parmetros de mscara Detalle de mscara
119
Tabla 5.1:
rales.
Niveles de mscaras empleados en la fabricacin de TVS late-
120
eunque existen diversos prmetros de msrD nimente se hn onE siderdo omo vriles l distni entre uniones @SDF A y el overlap de l pl de mpo @OP OLY AD estos dos prmetros nos (jrn l tensin de ruptur en d soF esD hemos disedo dispositivos on SDF de ID IFPD IFRD IFT y P mD mientrs que los vlores de OP OLY estn omprendidos entre H y PFS mD dependiendo del vlor de SDF F v pigur SFR muestr los resultdos de ls simuliones relizs on un dosis de foro de 5 1013 cm3 y SDF = 2mD pr diferentes vlores de OP OLY F gon el (n de simpli(r l rterizin eltriD mntenemos onsE tntes el resto de prmetros en l msrF esD (jmos l longitud del dispositivo en IVHH m y l mplitud del pozo @W P OU P A en V mF iste vlor es el mnimo que se puede esoger teniendo en uent que l longitud de l pl de mpo sore el pozo D P P OU P D es de Q m y que l mnim nhur de onttoD (jd por l tenologD es de Q mF pinlmente hemos esogido T m omo vlor de l mplitud del pozo de emisor y PH omo el nmero de tirs prlels del dispositivoF he est form todos los dispositivos deern mostrr un mism pidd en orrienteF
Resultados de las simulaciones realizadas siguiendo el proceso tecnolgico con una dosis de Boro de 5 1013 cm3 y SDF = 2m, para diferentes valores de la longitud de la placa de campo.
Figura 5.4:
5.3 Fabricacin de los dispositivos
121
5.3. Fabricacin de los dispositivos

gomo hemos omentdo en el prtdo nteriorD l pidd en tensin de este tipo de dispositivos vendr determindD priniplmenteD por el vlor de los prmetros geomtrios del dispositivo que se hyn (jdo en d uno de los niveles de msr utilizds en su proeso de friinF in emrgoD un vez (jdos estos vloresD todv es posile tur sore de l tensin de rupturD esto se onsigue vrindo l dosis yGo energ de imE plntin del pozo F he est form se otienen dispositivos on idntio layout y diferente pidd en tensinF v seueni de etps tenolgis seguids pr l friin de los dispositivos R ps lterles es l siguienteX
i
F gomo se indi l omienzo del presente ptuloD se prte de sustrtos tipo P + D on un resistividd omprendid entre PH y IH cm @lo que equivle un onentrin omprendid entre 7 1014 y 1 1015 cm3 AF sniilmente se reliz un oxidin de mpo de RHHH @pso IF yxidin de mpoA y un depsito de IIUS de nitruro de siliio @so PF hepsito de xitruroD Si3 N4 AF ist oxidin umplir un dole funinD por un ldo es l que hr de msr pr de(nir los pozos de oletor y emisor yD por otroD ser el xido sore el ul de(niremos l pl de mpoF esD en l pigur SFS se muestr l dependeni de l tensin de ruptur on el espesor del xido jo l pl de mpoF ist pigur muestr omo l tensin de ruptur disminuye l umentr el espesor de xidoD pudiendo diferenir e ell dos zonsX v primerD que v desde los THHH D en l que l tensin disminuye muy rpidmenteD y un segundD prtir de este vlorD en l que l disminuin no es tn usdF or este motivo se h esogido un vlor de RHHH D y que nos permitir otener un tensin de ruptur jD y l mismo tiempo sin induir prolems on el depsito de olysiliioD y que un espesor de xido myor podr provor un ruptur del olysiliio en ls zons donde se h de eliminr este xido produiendo un mio ruso de nivelF or otr prteD el nitruro servir omo msr pr eliminr el xido de puert sornteF F e ontinuin se reliz l primer etp fotolitogr( @pso QF poE tolitogrfX he(niin del pozo P + de oletorA donde se elimin el nitruro y el xido pr rir l ventn donde se implntr el foro primero y el ersnio ms delnteF eguidmenteD se ree un xido de pntll @PHH A pr proteger l super(ie del iliio y evitr l exodifusinF
ii
122
Inuencia del espesor de xido de la placa de campo en la tensin de ruptura.

Figura 5.5:
iii
F v siguiente etp es l implntin de foro @pso RF smplntin de foroAF in ell se hs utilizdo dos vlores pr l dosis de implntin on el (n de vrir l pidd en tensinF esD pr ls oles I y Q se h utilizdo un dosis de 5 1013 cm3 D mientrs que pr ls oles P y R l dosis es de 7 1013 cm3 F in mos sos l energ de implntin h sido de QH keF
iv
F v tivin y difusin de foro @pso SA se h relizdo en tods ls oles en un horno on miente de xitrgenoD IIHH D durnte PH minutos @pigur SFTAF
Esquema de un corte transversal del TVS 4 capas lateral despus de la activacin y difusin de Boro.
Figura 5.6:
5.3 Fabricacin de los dispositivos

v
123
F eguidmente se reliz l segund etp fotolitogr( @pso TF potoliE togrfX he(niin de oletor y emisorAD donde se otienen ls venE tns que de(nirn los pozos de ersnio que formrn el oletor y el emisorF ist pertur se reliz en diferentes psosF rimero se re l ventn en l resin fotosensile y se gr en ell el nitruro y el xido hst llegr l siliioY ontinuinD se retir l resin restnteD se reliz un pequeo grdo pr eliminr el xido que previmente se h reido omo pntll en el oletor y (nlmente se retir l totlidd del nitruro y se vuelve her reer un xido de pntllF osteriormente se reliz l implntin de ersnio on un dosis de 3 1015 cm3 y un energ de VH uevF F v tivin y difusin de ersnio @pso VA se h relizdo en tods ls oles en un horno on miente de xitrgeno IHHH durnte TH minutos @pigur SFUAF
vi
Esquema de un corte transversal del TVS 4 capas lateral despus de la activacin y difusin de Arsnico.
Figura 5.7:
Esquema de un corte transversal del TVS 4 capas lateral despus de la denicin de la placa de campo.
Figura 5.8:
vii
F eguidmente se proede de(nir l pl de mpoF rimero se deE posit un p de olysiliio de QSHH D ontinuin se reliz su dopdo @pr otener un mejor ondutividdA medinte P OCl3 yD (nlmenteD se reliz l terer etp fotolitogrgi @pso IHF potoliE togrfX he(niin de l pl de mpoA @pigur SFVAF
124
viii
F vs ltims etps del proeso estn destinds l de(niin de los onttosF rimero se ree un xido de mpo de IFQ m que hr el ppel de islnteF hespus se reliz l s etp fotolitogr( @pso IPF epertur de onttosAD seguidmente se deposit un p de I m de eluminio y (nlmente se gr este metl medinte l quint y ltim etp fotolitogr( @pso IRF potolitogrfX qrdo de metlAF il resultdo (nl se puede oservr en l pigur SFWF
Esquema de un corte transversal del TVS 4 capas lateral despus de seguir todo el proceso tecnolgico.
Figura 5.9:
5.4. Caracterizacin del dispositivo

5.4.1. Caracterizacin tecnolgica
hespus de l friin de los dispositivosD es neesrio orroorr que stos se justn lo esperdoD tnto tenolgi omo eltrimenteF in este prtdo se ompror l lidd de l tenolog utilizd pr su friiE n y si el proeso tenolgio se h relizdo stisftorimenteD omprndo los prmetros otenidos en est rterizin on los otenidos previE mente medinte simulinF r ello se hn utilizdo tnis de sngenier invers on l (nlidd de otener un visin del dispositivo en sus diferentes nivelesD tnto en vist hotizontl omo en orte trnsverslF e hn relizdo depjes suesivos de ls diferentes ps que lo forE mn @wetlD olysiliioA hst llegr l super(ieD siguiendo l metodolog desrit en RP y RQF he est mner podemos oservr el layout y evlur l lidd del proeso de friinF
5.4 Caracterizacin del dispositivo
125
Figura 5.10:
Dispositivos TVS laterales en tiras paralelas. Vista nivel metal.
Figura 5.11:
Detalle a nivel metal de un pad de contacto.
vs (gurs SFIHD SFII y SFIP muestrn diversos detlles de los dispositivos fridos nivel de metlF rs eliminr l p de eluminio de I m de espesorD otenemos un visin generl de l p de olysiliio lolizd jo ellD ddo que l p de xido de islmiento es trnsprenteF
126
Detalle a nivel metal de las tiras de aluminio en la zona de contacto con los pozos de nodo y ctodo.
Figura 5.12:
Detalle a nivel Polysilicio del dispositivo en la zona de contacto. Longitud de la placa de campo: 1.4 m.
Figura 5.13:
127
Detalle a nivel Polysilicio del dispositivo en la zona de contacto. Longitud de la placa de campo: 2.5 m.
Figura 5.14:
in ls (gurs SFIQ y SFIR se muestr el dispositivo despus de retirr l p de metlD podemos oservr en ms (gurs omo hy entre los ngers un nillo de olor rosdo que envuelve el nodoF iste nillo es l pl de mpo de olysiliio queD omo se oment nteriormenteD pretende justr l tensin de ruptur del dispositivoF in el dispositivo de l (gur SFIQD el overlap @OPOLY A del olysiliio es de uns IFR mD mientrs que l (gur SFIR se oserv un overlap myorD de uns PFS mF e ontinuinD se retirn ls ps de olysiliio y el xido de islmiento quedndo l desuierto el siliioF vs (gurs SFIS y SFIT muestrn un detlle trs retirr ls ps de metl y olysiliioF e esre nivel se puede ompror si ls mplitudes de ls ventns donde se implnt el foro y el psforoD donde se de(nen el nodo y el todoD son ls esperdsD s omo l distni entre sts @SDF AF v (gur SFIS es de un dispositivo disedo on un distni entre implntiones de nodo y todo de I mD mientrs que l (gur SFIT es de P mF in mos sos se puede ompror omo stos prmetros son los orretosD lo ul nos indi queD en prinipioD el proeso se h relizdo orretmente y sin deslinemientos signi(tivos en los niveles fotolitogr(os que de(nen los pozosF
128
Figura 5.15:
Detalle a nivel Silicio de un dispositivo con SDF=1 m.
Figura 5.16:
Detalle a nivel Silicio de un dispositivo con SDF=2 m.
129
Figura 5.17: Comparativa entre una microseccin de un dispositivo real y el esquema propuesto inicialmente.
Figura 5.18: Microseccin de un dispositivo fabricado: Medida de parmetros tecnolgicos.
130
eguidmenteD y pr (nlizr l rterizin tenolgiD se reliz un estudioD medinte miroseionesD del dispositivo pr visulizr ls diE mensiones reles de los prmetros tenolgios ms relevntesF
Comparativa de las medidas de profundidad de uniones y espesores de xido. Microseccin real y simulada.
Figura 5.19:
131
v (gur SFIU muestr un omprin entre un mirosein de un dispositivo rel y el esquem que se ide en el proeso de diseoF e oserv omoD primer vistD el proeso tenolgio se h relizdo orretmenteF e ve lrmente l dole difusin del nodo y l difusin simple del todoD s omo el olysiliioD el xido depositdo y ls perturs de onttoF vs dimensiones de los prmetros tenolgios ms relevntes de su fE riin se muestrn en l (gur SFIVD dondeD se pone de mni(esto que ls dimensiones dentro de un mismo dispositivoD nivel olysiliioD no son repetitivs @y es de suponer que ourr lo mismo entre dispositivos de un mism oleAF in onretoD el dispositivo de l (gur SFIV es de un on hpa P m y yyva IFR mD en el que se oserv un difereni mxim de HFQ m entre diferentes hp @P m ls ms grnde y IFU m l ms peE que oservdsA del mismo dispositivo y de HFPS m si mirmos yyv @P m y IFU mAF isto impli queD dentro de l mism oleD posilemente prezn vriiones entre los diferentes dispositivos integrdos en l oleD por lo que ls urvs sE y ls tensiones de ruptur de los dispositivos sufrn un dispersinF v us de est vriin en los prmetros puede deerse dos ussX n pequeo deslinemiento de msrs o un desuniformidd en el proeso de grdoF eunque no h sido posile detetr on ertez l us del errorD es muy posile que se un ominin de mosF or un ldo el proeso fotolitogr(o se h relizdo medinte un Stepper @linedoE r utomtiA on un mrgen de error de HFPS mD vlor que est dentro del error que enontrmos en ls miroseionesF or otro ldoD es posile que en el proeso de grdo se produz un fenmeno de soretque que puede her vrir el grdo en determinds ondiionesF lindonos de ls miroseionesD se h medido tmin l profundidd de ls difusiones y su extensin lterlD on el (n de omprrls on los dtos otenidos medinte el simuldorF ry que remrr que ests medids son proximds ddo queD unque ls muestrs se preprn pr que hy un uen ontrste l hor de her l mirosein y su posterior fotogrfD l posiin de l unin depender de lo rupto de l mismF es puesD en l (gur SFIW se oserv queD mientrs en el nodo on l dole difusinD ls profundidd y l difusin lterl de l unin se semejn muho l simuE linD en el todo existe un disrepni on stF he l mism formD podemos oservr omo el espesor del xidoD sore el que se hy l pl de mpoD tiene un vlor erno los RHHH en mos sosF he tods formsD hemos de reordr queD en l pidd en tensin del dispositivoD el efeto de l difusin de todo no er lo ms signi(tivo @xo s l dole difusin en el nodo y el espesor d xido jo l pl de mpoF
132
n vez (nlizd l rterizin tenolgi proedemos rteriE zr el dispositivo eletrimenteF

gomo y se dijo nteriormenteD se hn proesdo R olesF in l siguiente tl se muestrn ls dosis de implntin de foro pr d un de ellsX
Nmero de oblea Dosis implantacin de Boro (cm2 )
1y3 2y4
Tabla 5.2:
5 1013 7 1013
Caractersticas de las obleas procesadas.
in d ole @ prte de otros dispositivos que se relizron pr otros propsitosA integrmos II dispositivos on el (n de estudir sus rterstiE s eltris en funin de l vriin de dos prmetrosX SDF y OPOLYF v tl SFQ muestr los vlores de estos prmetros pr d dispositivo integrdoF
Nmero de dispositivo SDF (m) OPOLY (m)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
Tabla 5.3:
1 1.2 1.4 1.6 2 2 2 2 2 2 2
0 0 0 0 0 0.4 0.8 1 1.4 1.6 2.5
Caractersticas de los dispositivos integrados.
v rterizin eltri se h relizdo medinte un rtogrf en d oleD midiendo en d dispositivo su urv sEF se h medido en d uno de los dispositivos l tensin que e l psr un orriente de HFHS e pr de(nir su tensin de rupturF
133
Figura 5.20:
3.
Cartografa de la tensin de ruptura de la oblea 4, dispositivo
3.
Figura 5.21:
Histograma de la tensin de ruptura de la oblea 4, dispositivo
134
vs pigurs SFPH y SFPI muestrn los resultdos de l rtogrf relizd l dispositivo nmero Q de l ole nmero R y el histogrm del mismoF vos vlores mostrdos son l tensin de ruptur medido undo por el dispositivo irul un orriente de HFHS eF vs siguientes tls muestrn los vlores de tensin de ruptur @vlor medio de d dispositivoA pr d ole de los dispositivos del I l SF
Nmero de dispositivo Oblea 1 V@0.05A (V) Oblea 3 V@0.05A (V)
1 2 3 4 5
Tabla 5.4:
0.73 3.4 3.99 4.08 4.07
0.66 3.26 3.91 4.06 3.99
Tensiones medias de cada dispositivo, resultados de las cartografas. Obleas 1 y 3.

Nmero de dispositivo Oblea 2 V@0.05A (V) Oblea 4 V@0.05A (V)
1 2 3 4 5
Tabla 5.5:
3.06 3.96 3.88 3.91 3.97
1.39 3.99 3.92 4.02 3.98
Tensiones medias de cada dispositivo, resultados de las cartografas. Obleas 2 y 4.
e puede oservr de ls tls SFR y SFS omo ls oles que hn seguido un mismo proeso tenolgio @IEQ y PERA muestrn un tensin de ruptur similrF v (gur SFPP muestr omo l tensin de ruptur ument l uE mentr SDFF ry que remrr el umento sito de l tensin de ruptur pr SDF pequesD esto de deeD priniplmenteD que pr vlores de SDF pequeos l distni entre onttos es mnim @puesto que hy que restrle l difusin lterlA por lo que l se se ompone de siliio ltmente dopdo P + de l difusin de oletorD y omo y se indi en ptulos nterioresD si el vlor del dopje es lto en l seD un pequeo umento de l distni entre onttos ument de mner signi(tiv su tensin de rupturF in mio pr vlores myores de SDFD l se se ompone del per(l gussino P + de oletor ms el dopje de l ole de prtid @muy inferiorAD por lo que hor un umento de SDF no mi signi(tivmente l tensin de rupturF in ulquier soD tods ls oles se omportnD ulittivmenteD
135
de un mner esperdD es deirD umentn su tensin de ruptur l uE mentr l distni entre unionesF v (gur SFPQ muestr el uerdo de los resultdos experimentles on ls simuliones relizdsF in este soD ls simuliones se justn los resultdos otenidos experimentlmente dentro de un rngo de error sumile en el pio del buer P + F
Tensin de ruptura de cada dispositivo para cada oblea en funcin de SDF.

Figura 5.22:
Figura 5.23:
Tensin de ruptura de dispositivos experimentales (obleas 2 y 4) y simulados con diferentes valores de pico de dopaje del buer P + .
136
min podemos oservr de l (gur SFPP queD un undo l dosis de oro implntd en ls oles I y Q es menor que l implntd en ls oles P y RD l difereni de tensin de ruptur es pens preileF r vlores de SDF pequeosD que es undo ms importni tiene el vlor del pio de dopjeD se puede preir omo los vlores de l tensin de ruptur s son inferiores en ls oles impres @omo er de esperrAD sin emrgoD medid que se ument l distni entre unionesD mos pres de oles presentn un tensin de ruptur similrF iste resultdo se puede explir de lo oservdo en l (gur SFPRD omo se prei en ls urvs de l ole RD sts present un fuerte snapback por lo queD ddo que medimos l tensin de ruptur un vlor de orriente de HFHS eD l tensin l que los dispositivos rompen es myor que l luldF
Figura 5.24:
Caractersticas I-V de los dispositivos n 5 de las obleas 3 y 4 realizado mediante cartografa.
min se h nlizdo l vriin de l tensin de ruptur on l lonE gitud de l pl de mpoF in teor @omo y se expli en el ptulo nteriorA un umento de l longitud de l pl de mpo dee disminuir pidd en tensin del dispositivoD deido que ls zons de vimiento se extienden ms y el punch-through se lnz menor tensinF v pigur SFPS muestr l vriin de l tensin de ruptur on l lonE gitud de l pl de mpo de los dispositivos de ls oles P y RD s omo los vlores de ls simuliones relizdsF e oserv omo estos dispositiE vos mni(estn un ligero desenso de l tensin de rupturD unque no tn usdo omo muestrn ls simulionesF min se oserv omoD prtir de un ierto vlor de l pl de mpoD el ul se just l de ls simuE liones relizdsD l tensin de ruptur no disminuye msD deidoD omo y se expli en el ptulo RD que l longitud pl de mpo lnz l unin seEemisorF esD unque l distni entre ls ventns sore ls que
137
se de(nieron los oletores y emisores es de P mD hy que tener en uent l difusin de ls implntionesD que omo se mostr en el prtdo nterior @(gur SFIWA es del orden de HFS m @en el emisorAD por lo tnto es de esperr que l sturin de l tensin de ruptur prez undo l longitud de l pl de mpo se ms o menos de IFS mF
Figura 5.25:
Tensin de ruptura de dispositivos experimentales (obleas 2 y 4) y valores obtenidos mediante simulacin.
vos priniples resultdos otenidos en l friin del lterles R ps sonX IF e h onseguido frir por primer vez dispositivos lterlesD su (nlidd es poder integrr monoltimente junto on l iruiter l que protegenD on vlores de tensin de ruptur omprendidos entre I y R voltiosF PF v rterizin tenolgi muestr l di(ultd que entr fE rir este tipo de dispositivosD puesto queD unque el proeso en si es senilloD se hn oservdo que dentro del mismo proeso no existe repetE itividd en ls dimensiones de olysiliioD es impli que pr poder frir orretmente estos dispositivos es neesrio un nivel de preE isin en tods ls etps tenolgis muy elevdoD QF vos resultdos otenidos muestrs lguns disrepnis untittivs respeto ls simuliones relizdsD pero en todos los sos y sumE iendo los errores tenolgios entrr dentro del error previsileF
138
RF e h omprodo omo l pl de mpo es pz de disminuir l tensin te ruptur de los dispositivosF
Conclusiones
vs priniples onlusiones y resultdos de este trjo son ls siguientesD e h relizdo un estudioD medinte simulin numriD de ls rE terstis eltris de los dispositivos vertilesD en sus on(guE riones de Q y R psD nlizndo su dependeni on los prmetros tenolgios y geomtrios rterstiosF iste estudio h permitido de(nir un modelo qusiEnltio pr deterE minr l tensin de ruptur en funin de dihos prmetrosF il modelo present un uen juste tnto on ls simuliones relizds omo on los dtos experimentlesF e hn optimizdo los dispositivos vertiles de Q y R ps on piddes de tensin inferiores Q F e hn de(nido dos tenologs pr l integrin de los dispositivos vertiles de Q ps tnto en l sl ln del gxw @medinte imE plntin iniA omo en l de pgor iletrni @medinte fuente lquidAF vos dispositivos fridos medinte implntin ini preE sentn menor orriente de fug en inversD tensin de clamping y disE persin en el vlor de l tensin de rupturF min se h de(nido un tenolog pr l integrin de disposiE tivos vertiles de R ps en l sl ln del gxw @medinte imE plntin iniAF vos dispositivos fridos presentn mejores prestE iones eltris que los equivlentes en formto Q ps y los diodos zener trdiionlesF e h oneido un nuev rquitetur lterl pr ls estruturs ER psD de onepin propiD en l que los dos eletrodos se enuentrn en l super(ie del ddoD on el (n de filitr su integrin monolti on el iruito protegerF
140
Conclusiones
wedinte simulin numri se hn optimizdo sus rterstis y se h de(nido l tenolog neesri pr su integrin en l sl n del gxwF gon el (n de permitir l integrin de medinte tenologs on po preisin fotolitogr(D se h propuesto por primer vez l utiE lizin del efeto de l de gmpo pr ontrolr su pidd en tensinD mnteniendo onstnte l seprin entre los pozos de nodo y todoF esD mindo nimente l extensin de est pl se oE tienen dispositivos on tensiones de ruptur diferentesF vos resultdos experimentles hn orroordo l vlidez del oneptoF in todos los dispositivos fridos se h relizdo un extenso trjo de rterizin eltri y tenolgiD on el (n de ompror l lidd del proeso de friinF gomo extensin futur de los trjos relizdos sore oles de siliio homogneoD medinte simuliones numris se h estudido l viilE idd de l integrin de este tipo de estruturs sore sustrtos ysF vos resultdos de este estudio muestrn l viilidd de los en ys s omo un mejor de ls rterstis eltris en omprE in on los integrdos sore sustrto homogneoF
Artculos publicados
hurnte l relizin de este trjo se hn pulido vrios rtulosD tnto en ongresos omo en revists internionlesF e ontinuin se expoE nen los rtulos de myor relevniF il primer rtuloD ttuldo Optimisation of Very Low Voltage TVS Pro@wiroeletroni tournlF sxX HHPTEPTWPF olF QRD n WD ppF VHWEVIQD PHHQAD re)ej los resultdos del nlisis del efeto de l vriin de los prmetros rterstis de un estrutur de R ps en onE (gurin vertilD su optimizin pr segurr ls piddes en tensin deseds y su orroorin experimentl trs l friinF vos resultdos presentdos ponen de mni(esto que ls estruturs frids preE sentn mejores rterstis eltris que ls trdiionles tensiones de loqueo inferiores Q F
tection Devices
@olidEtte iletronisF sxX HHQVEIIHIF olF RWD n VD ppF IQHWEIQIQD PHHSAD presentmos l modE elizin mtemti desrrolld on el (n de predeir l pidd en tenE sin de un estrutur de R ps en on(gurin vertilF v vlidez del modelo desrrolldo se orroor medinte simuliones numris junto on estruturs reles frids l efetoF il terer rtuloD tituldo Lateral punch-through TVS devices for on@wiroeletronis eliilityF sxX HHPTEPUIRF olXRS sssuesXUEVD pp IIVIEIIVTAD se presentn ls rterstis priniples de un estrutur R ps de onepin propiD rterizd por un rquitetur lterl on el (n de permitir su integrin monolti on el sistem protegerF v optimizin de sus prmetros rterstios nos permiti demostrr que su omportmiento er similr los vertiles @que no se pueden integrr de form monoltiAF
chip protection in low-voltage
Model in Four-Layer Punch-Through TVS Diodes
in el segundo rtuloD tituldo A
Quasi-Analytical Breakdown Voltage
Microelectronics Journal 34 (2003) 809813 www.elsevier.com/locate/mejo
Optimisation of very low voltage TVS protection devices

J. Urrestia,*, S. Hidalgoa, D. Floresa, J. Roiga, J. Rebolloa, I. Mazarredob
a
nica (CNM-CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain Centro Nacional de Microelectro b nica S.Coop., B8 San Andre s, s/n-Aptdo, 33 20500, Mondrago n, Guipu zcoa, Spain Fagor Electro Received 7 February 2003; revised 7 April 2003; accepted 16 April 2003
Abstract This paper is aimed at the design and optimisation of advanced Transient Voltage Suppressors (TVS) devices for IC protection against ESD. A four-layer NPPN structure has been used to achieve breakdown voltages lower than 3 V. The effect of the critical geometrical and technological parameters on the TVS electrical characteristics is analysed with the aid of technological and electrical simulations. In this sense, the trade-off between voltage capability, leakage current and clamping voltage has been optimised. Fabricated TVS devices exhibit better electrical performances than those of the equivalent three-layer TVS device counterparts. q 2003 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.
Keywords: TVS; Protection devices; Punchthrough and clamping voltage; Voltage suppressor
1. Introduction The IC feature size, gate oxide thickness and supply voltage are continuously decreased to improve the package density, the electronics speed and the dissipated energy. However, the ICs sensitivity to external disturbances, i.e. lightning, capacitive coupling and electrostatic discharges (ESD), increases every new technological generation due to the small tolerance to the supply voltage uctuations of nanoscale gate oxides. Although several semiconductor devices for ICs protecting purposes are already available in the market, the continuous reduction of the supply voltage value and the increase of the operating frequency have brought to a signicant research effort to develop ultra fast protecting semiconductor devices with low parasitic capacitance and high surge current capability values [1]. Today, more than 60% of electronic system failures are related to over voltage and electrostatic discharge phenomena. Over voltage transient processes usually range from 100 ns (ESD) to several ms (lightning), with voltage peak values up to 10 kV. A large amount of money is lost every year, thus justifying the continuous market growth for high performance, low cost surge protection semiconductor devices. The choice of the suitable device to protect an
* Corresponding author. Tel.: 34-93-594-77-00; fax: 34-93-580-1496. E-mail address: jesus.urresti@cnm.es (J. Urresti).
electronic system depends on the device effectiveness, and it cannot interfere with the normal operation of the system to be protected. The electrical characteristics of the selected protection device should ideally be: a fast response, a suitable withstand voltage and a very low on-state voltage drop, a high surge current capability, to be operative after a large number of surge disturbances, a minimum area, the minimum leakage current value and the lowest cost. The Transient Voltage Suppressor (TVS) is an over voltage suppressor device based on the avalanche breakdown voltage of a PN junction. The TVS surge current capability depends on the silicon area, and a thick metallization layer is needed for the sake of energy dissipation during the disturbance absorption. TVS devices can be connected either in series or in parallel to increase their protection capability, with a standard rise time lower than 1 ns and a clamping factor (ratio between clamping and breakdown voltage values) about 1.33. Although, there is a large number of applications requiring protecting devices with high breakdown voltage capability, ICs and communication cards have to be protected against ESD with devices having a low clamping voltage and very low leakage current level [2]. As stated before, the conventional TVS device consists of a PN junction designed to breakdown by an avalanche process [3]. Unfortunately, low breakdown voltage values (3.3 V or even lower) require high doping concentration
0026-2692/03/$ - see front matter q 2003 Elsevier Science Ltd. All rights reserved. doi:10.1016/S0026-2692(03)00136-8
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J. Urresti et al. / Microelectronics Journal 34 (2003) 809813
levels, yielding a signicant increase of the leakage current and capacitance values. These drawbacks have favoured the development of a new four-layer TVS device generation [4, 5] with high electrical performance based on the punchthrough diode structure, which may be thought as an open base bipolar transistor with a lightly doped base and a highly doped buffer layer so that punchthrough takes place at a voltage value lower than that of the avalanche breakdown with a lower leakage current level. This paper is addressed to the optimisation of very low voltage (, 3 V) four-layer TVS structures by means of electrical and technological simulations and the simulation results are compared with the experimental electrical characteristics of the fabricated TVS devices.
2. Device optimisation The cross-section of the analysed four layer TVS structure and the doping concentration prole across the structure are drawn in Fig. 1. The TVS structure consists of an NPPN open base bipolar transistor integrated on an N-substrate with a P-type epilayer. The critical process steps are the formation of the deep N-diffusion used to electrically isolate the die periphery and the denition of the collector/buffer double NP diffusion, which determines the device breakdown voltage. The relevant geometrical and technological parameters taken into account during optimisation of the TVS structure are the substrate resistivity, the P-type epilayer doping concentration and thickness Nepi and Depi ; the peak concentration of the P-buffer diffusion below the N-collector diffusion Nb ; the effective thickness of the P-buffer diffusion Db and the peak concentration, the depth and the width of the N-collector diffusion Nc ; Dc and Wc : The critical parameters of a TVS device designed to protect against ESD are the clamping voltage, the punchthrough voltage and the leakage current level. Among them, the clamping voltage is crucial to ensure a safe absorption of a high voltage transient. The clamping voltage has to be higher than but as close as possible to the breakdown value in order to minimise the dissipated energy once the TVS is activated by an incoming over voltage.
In the case of a clamping voltage lower than the breakdown value, the over voltage could eventually damage the protected equipment due to the decrease of the TVS voltage capability when the current increases. Although the inherent leakage current level of the four layer TVS structure is one order of magnitude lower than that of the conventional TVS structure, the trade-off between voltage capability, the leakage current and the clamping factor has to be optimised for a given application. The analysis and optimisation of the electrical characteristics of the four layer TVS structure have been carried out with the aid of 2D technological and electrical simulations performed with Athena and Atlas CAD software [6], respectively. The voltage capability of the four-layer TVS structure is determined by the depletion process of the N-cathode/Pbuffer junction when a positive voltage is applied to the collector electrode. Once the P-buffer is fully depleted, the depletion region expands into the P-type epilayer. Then, the P-type epilayer becomes also completely depleted when the applied voltage is high enough Vpt value) and the punchthrough takes place [7]. Therefore, the dependence of the breakdown voltage on the effective thickness of the Ptype layers below the cathode diffusion Deff Depi 2 Dc has been extensively analysed. The effective thickness of the P-buffer diffusion has been kept constant at 0.5 mm in all the performed simulations. The impact of the effective thickness of the P-type epilayer on the punchthrough voltage is shown in Fig. 2 and 3 corresponding to Nepi values of 1e15 and 3e15 cm23, respectively. As it can be expected, the Vpt value increases with Deff since the voltage sustained by the P-type epilayer exhibits a quadratic dependency with its thickness. Moreover, the voltage capability increases with doping concentration of the P-type epilayer at a given Deff value whereas the leakage current value I0 decreases when increasing Nepi : Therefore, a reduction of the voltage capability and a signicantly increase of the leakage current level is
Fig. 1. Cross-section of the analysed four-layer TVS structure.
Fig. 2. Ic Vc characteristics. Nepi 1e15 cm23 ; Nb 4:5e16 cm23 ; Db 0:5 mm:
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Fig. 3. Ic Vc characteristics. Nepi 3e15 cm23 ; Nb 4:5e16 cm23 ; Db 0:5 mm:
Fig. 5. Ic Vc characteristics. Nepi 1e15 cm23 :
observed when decreasing Nepi ; for a given Deff value. In addition, it is also remarkable that in spite of the leakage current increase, the punchthrough voltage value is less sensible to variations of the Deff value as far as Nepi value is decreased. The inuence of the P-buffer doping concentration on the punchthrough voltage value is shown in Fig. 4 where the snapback effect, crucial to control the clamping voltage value Vc ; is clearly seen. It is also worth to point out that the snapback in the I V characteristics is also observed when increasing Deff for a given Nepi value. A four-layer TVS structure with the minimum clamping voltage (highest slope of the I V characteristic) and leakage current values can be obtained by controlling the P-buffer parameters, as shown in Fig. 5. In relation with the choice of the optimum P-buffer doping concentration, the trade-off between the clamping and the punchthrough voltage values has to be taken into account since the Vc value decreases when increasing Nb which, in turns, increases the Vpt value.
Performed simulations have shown that an optimal 2 V fourlayer TVS structure requires a Deff value of 0.66 mm for Nb 5:2 1016 cm23 and Nepi 1015 cm23 : Moreover, the optimised four-layer TVS structure exhibits better electrical performances in comparison with the equivalent three-layer TVS structure (without the P-buffer layer), as it can be inferred from Fig. 5. Finally, the simulated impact of the collector diffusion width We on the leakage current level is plotted in Fig. 6. The leakage current increases with We without a breakdown voltage shift, being the leakage current path mainly located at the plane region of the collector diffusion. This is a direct consequence of the linear dependence of the leakage current level with the collector area.
3. Experimental results Four-layer TVS devices with an active area of 1.5 1.5 mm2 have been integrated on different starting
Fig. 4. Ic Vc characteristics. Nepi 5e15 cm23 ; Db 0:5 mm; Deff 1:2 mm:
Fig. 6. Ic Vc characteristics. Nepi 1e15 cm23 ; Nb 5:2e16 cm23 ; Deff 0:7 mm:
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Fig. 9. Experimental Ic Vc characteristics. Nepi 1e15 cm23 : Fig. 7. Optimised impurity prole of the four-layer TVS structure.
Silicon wafers. In order to corroborate the optimisation of the TVS structure, previously carried out with the aid of numerical simulations, P-type epilayers of 1e15 and 5e15 cm23 with a thickness of 4.5 and 3 mm, respectively, were grown on a k111l, 10 mV cm N-type substrate. According to the optimised doping prole drawn in Fig. 7, obtained from simulation results, a double Boron/Phosphorous implantation has been used to dene the P-type buffer layer and the N-collector, respectively. Three Boron implantation doses have been used to obtain TVS devices with different Nb and Db values. The experimental I V curve of a 1.2 V four-layer TVS device with a leakage current level in the range of 1 mA, is shown in Fig. 8. The inuence of the Boron implantation dose used to dene the P-type buffer layer on the experimental I V characteristic is plotted in Fig. 9. TVS devices with punchthrough values from 1 to 3 V have been fabricated, being the leakage current level in the range of 1 mA in all the measured devices.
Three-layer TVS devices have also been fabricated in order to compare their electrical performances with those measured on the four-layer counterparts. Experimental results have shown that the leakage current levels and the clamping voltage values of the four-layer TVS devices are lower than those of the equivalent three-layer devices. Moreover, the dependence of the punchthrough voltage on the relevant geometrical and technological parameters of the four-layer TVS structure is less critical than that observed in the three-layer counterparts. This improvement is mainly due to the presence of the P-type buffer layer, which allows the use of a thinner epilayer. Finally, axial packaged fourlayer TVS devices have been stressed under hard test conditions (1000 W pulses in accordance to the 10/1000 ms standard) without destroying them, thus proving the device roughness.
4. Conclusions Optimised four-layer TVS devices for low voltage IC s protection (, 3 V) are presented in this paper based on the punchthrough breakdown of a four-layer NPPN structure. Extensive numerical simulations have been carried out to analyse the dependence of the breakdown and clamping voltage values and the leakage current level on the relevant geometrical and technological parameters. It has been demonstrated that the leakage current level decreases when increasing the epilayer doping. Moreover, the punchthrough voltage is controlled by the effective epilayer thickness under de P-type buffer, for a given epilayer doping; and by the buffer doping level, for a given epilayer doping and thickness. Fabricated TVS devices exhibit lower clamping voltage and leakage current values than those of the equivalent three-layer structure.
Fig. 8. Experimental Ic Vc characteristics. Nepi 5e15 cm23 :
813
Acknowledgements This work was supported by the FEDER European n Interministerial de Ciencia Programme and by the Comisio a (CICYT) (ref. 2FD1997-1131). y Tecnolog References
[1] SEMTECH, TVS Product Catalog, 1994 [2] O.M. Clark, Transient voltage suppressor types and application, IEEE Trans. Electron. Devices 5 (11) (1990) 20 26.
[3] D. de Cogan, The punchthrough diode, Microelectronics 8 (2) (1977) 2023. [4] Y. King, B. Yu, J. Pohlman, C. Hu, Punchthrough diode as the transient voltage suppressor for low-voltage electronics, IEEE Trans. Electron. Devices 43 (11) (1996) 20372040. [5] Y. King, B. Yu, J. Pohlman, C. Hu, Punchthrough transient voltage suppressor for low-voltage electronics, IEEE Electron. Device Lett. 16 (7) (1995) 303305. [6] Athena and Atlas, from Silvaco TCAD Software, are provided by Synopsis Inc.. [7] J.B. Gunn, Avalanche injection in semiconductors, Proc. Phys. Soc. B69 (1956) 781 790.
Solid-State Electronics 49 (2005) 13091313 www.elsevier.com/locate/sse
A quasi-analytical breakdown voltage model in four-layer punch-through TVS devices

Jesus Urresti
a
a,*
, Salvador Hidalgo a, David Flores a, Jaume Roig a, Rebollo a, Imanol Mazarredo b Jose
` s, Barcelona, Spain nica (IMB-CSIC), Campus UAB, 08193 Cerdanyola del Valle Centro Nacional de Microelectro b s, 20500 Mondrago n, Spain FAGOR Electronica S.Coop., Bo. San Andre Received 21 September 2004; received in revised form 7 June 2005; accepted 11 June 2005
The review of this paper was arranged by Prof. S. Cristoloveanu
Abstract A quasi-analytical model addressed to predict the breakdown voltage in four-layer transient voltage suppressor (TVS) diodes based on the punch-through eect is reported in this paper. For breakdown voltage in excess of 1 V, a closed form expression is derived. In addition, the three-layer TVS diode can also be described with the developed model. Finally, results obtained from the model are in good agreement with simulation and experimental data. 2005 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Keywords: Electrostatic discharge; Transient voltage suppressors; Analytical models; Semiconductor devices
1. Introduction The continuous reduction of operating voltage and gate oxide thickness in very large scale integrated circuits (VLSI) has increased their sensitivity to electrostatic discharges (ESD) [1] and external disturbances, i.e., lightning and capacitive coupling. Zener diodes and thyristors [2] are the most widely used semiconductor devices for ESD protection, either on-chip or as discrete devices. The choice of the right device depends on several parameters and cannot interfere with the normal operation of the system to be protected [3]. The ideal protection device has to exhibit a fast response, a low on-state voltage drop, a high surge current capability, a low cost and has to be operative after a large number
Corresponding author. Tel.: +34 935 947700; fax: +34 935 801496. E-mail address: jesus.urresti@cnm.es (J. Urresti).
of surge disturbances. In this sense, the eciency of Zener diodes with breakdown voltage lower than 5 V is strongly reduced due to the high leakage current and the parasitic capacitance. However, the increase of the operating frequency has brought to a research eort to develop ultra fast protection devices with low parasitic capacitance and high surge current capability values [4]. Power semiconductor devices based on the punchthrough of an open base bipolar transistor are a good alternative to replace Zener diodes in very low voltage applications, thus providing the required electrical performance in VLSI protection standards. Two approaches have been contemplated up to now: threeand four-layer transient voltage suppressor (TVS) structures [59]. Although three-layer TVS structures [10] exhibit better electrical performances than Zener diodes, their leakage current is still high for very low voltage applications. The four-layer TVS structure includes an additional
0038-1101/$ - see front matter 2005 Elsevier Ltd. All rights reserved. doi:10.1016/j.sse.2005.06.010
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J. Urresti et al. / Solid-State Electronics 49 (2005) 13091313
Fig. 1. Cross-section of a four-layer TVS structure.
P+-buer into the bipolar transistor base, as shown in Fig. 1. The breakdown occurs at an applied collector voltage value lower than the corresponding avalanche one, and the leakage current is reduced one order of magnitude due to the buer eect. To reduce the electrical simulation process and the design computational cost, it is recommendable to have an analytical or quasi-analytical model to describe the voltage capability of TVS structures. An analytical model describing the breakdown behaviour of a conventional three-layer TVS structure [11] was reported long time ago, that model though, cannot be applied to the four-layer TVS structure due to the constant base doping concentration assumption. Hence, this paper addresses the development of a suitable model for an N+P+PN+ TVS structure. The proposed model will help in the design and optimization of four-layer TVS structures due to strong dependence of the basic electric properties on the technological parameters.
Fig. 2. Conduction band prole of a four-layer TVS structure as a function of collector bias.
Fig. 3. Relevant geometric parameters of a N+P+PN+ four-layer TVS structure under study, where x = xn, x = xp, x x0p and x x0n are the depletion region boundaries of the collectorbase junction and the emitterbase junction, respectively and De is the total base width.
2. Punch-through model The punch-through breakdown voltage is dened as the collector voltage value which provides complete depletion of the P-base region. The depletion region of the reverse-biased N+P+ collector junction touches the inherent depletion region of the forward biased N+P emitter junction. Collector voltages above the punchthrough value cause shrinkage of the potential barrier of the emitterbase junction as drawn in Fig. 2. As a consequence, electrons diused from the emitter can be driven towards the collector, and the TVS enters the low resistance on-state conduction regime [11]. The one-dimensional cross-section of the four-layer TVS structure, including the relevant geometrical parameters, is drawn in Fig. 3. Collector and emitter doping concentration (Nc and Ne, respectively) are assumed to have constant values. The total boron concentration (Ntot) inside the epilayer, including the P+ buer, is given by 2 x N tot x N b exp 2 N epi 1 k
where Nb is the peak doping concentration of the P+ buer, x is the distance from the collectorbase junction to any point inside the base region (Fig. 3) and k is the penetration depth of impurities. The P+ buer amplitude (Db) is dened as the distance from the collector base junction to the point where the Gaussian doping prole reaches the Nepi value. Hence, k = Db/(ln(Nb/ Nepi))1/2. The depletion approach of an exponential graded PN junction [12] is used to calculate the potential and electric eld distributions from the one-dimensional Poisson equation. This has been solved by taking into account the continuity of the electric eld in each junction, by setting x = 0 at the collector N+P+ junction and by assuming the V = 0 to be located in the P-base region between the two depletion regions. The solution provides " 2 p q N b k p xp N epi p erf / 1 xp p xp 2 e si k Nc 2 Nc !!# x2 p 2 2 N epi xp N b k 1 exp 2 2 k Moreover, the potential at the emitter side (/2), which is xed by the corresponding Vbi value of the PN+ emitter
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junction, also depends on the geometrical parameters and is expressed as (" p q N epi N bk p Deff p Deff x0p p erf /2 2 e si k 2 Ne Ne # 0 2 xp 2 N epi Deff x0p erf k " 0 xp p Deff N b k p Deff erf erf k k ! !#) x0p2 k D2 p exp eff V bi exp p k2 k2 3 Note that x0p cannot be analytically obtained from (3). Therefore, we have numerically calculated x0p by means of mathematical software tools, leading to a quasianalytical solution. The punch-through takes place when the two depletion regions merge and xp x0p . The punch-through voltage (VPT) is derived from (2) by introducing the x0p value obtained in (3). " 2 p 0 xp q N bk p N epi 0 p p V PT erf x 2 e si k 2 Nc Nc p !!# x0p2 2 02 N epi xp N b k 1 exp 2 V bi 4 k From the quasi-analytical solution of (3), plotted in Fig. 4, we conclude that there exist a linear relation between x0p and the eective base width (De), except for De values short enough to lead the x0p value inside the P+-buer; i.e., when x0p < Db . In this sense, an analytical solution of (3) yielding a linear relation between x0p and De has been derived by assuming 0 xp Deff erf % 1; erf % 1; k k ! 5 x0p2 D2 % 0 exp 2 % 0; exp eff k k2
x0p
Deff
v u 2esi V bi u u 2 t N epi q N c N epi
The punch-through voltage, in this case, is nally obtained by substituting (6) into (4) and performing the necessary simplications 2 s!!2 q 4 N epi 2 e si V b i A p Deff V PT 2 e si qB Nc 3 s!2 2esi V bi N b k2 5 V bi 7 N epi Deff qB where A = Nb k (p/4Nc)1/2, and B N 2 epi =N c N epi . The breakdown voltage related with the punchthrough eect, in the case of x0p > Db , is directly extracted from the closed form (7). The dependence of the VPT value of a four-layer TVS structure on the eective base width is shown in Fig. 5. The comparison between the VPT values obtained from the analytical and quasianalytical forms (4) and (7) is provided for Db = 0.5 lm, Nb = 2.37 1016 cm3 and Nepi = 1015 cm3 as xed parameters. Signicant divergence between analytical and quasianalytical calculation of VPT can be inferred from Fig. 5 for De < 1.5 lm. On the contrary, a good match is achieved at larger De values, corresponding to the x0p > Db case. As a consequence, the use of the quasianalytical solution is mandatory when dealing with four-layer TVS structures with very low breakdown voltage capability. On the other hand, the analytical approach greatly simplies the study of structures with VPT > 1 V. The breakdown mechanism of a three-layer TVS structure, also based on the punch-through phenomenon, has intensively been analyzed in previous works [8,11]. The punch-through voltage of the three-layer TVS structures is given by
Fig. 4. x0p versus De for Db = 0.5, Nb = 2.37 1016 cm3 and Nepi = 1015 cm3.
Fig. 5. VPT versus De for Db = 0.5 lm, Nb = 2.37 1016 cm3 and Nepi = 1015 cm3.
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V PT
qN b W 2 e si
s 2qN b V bi e si
where Nb and W are the base doping and thickness, respectively. The three-layer TVS structure can be considered as a particular case of the four-layer TVS structure when the P+ buer is not included (k ! 0). Then, (4) becomes s 2qN epi V bi qN b D2 eff 9 Deff V PT 2 e si e si Likewise, if the P+ buer thickness is large enough to consider a constant base doping concentration Nb + Nepi (k ! 1), the following limits can be applied: a 2a lim x erf p x!1 x p 2 10 a 2 2 lim x 1 exp 2 a x!1 x and (4) is nally expressed as V PT qN b N epi 2 Deff Deff 2 e si s 2qN b N epi V bi e si 11
Fig. 6. Comparison between SEMTECH TVS devices and the proposed model. Technological parameters extracted from [15].
As stated before, the VPT value of a four-layer TVS structures with thick enough P+-buer is expressed identically as in the case of the three-layer TVS counterparts. Hence, we can conclude that the developed model (4) also accounts for the solution at the three-layer TVS case (11).
Fig. 7. Variation of the VPT with De for Db = 0.5 lm.
3. Experimental results A rst validation of the proposed punch-through model was done on commercial four-layer TVS devices from SEMTECH Corp. The implemented Nb, Nc and De values and the corresponding punch-through voltages were extracted from [13]. The Db value was estimated according to the simulation results of the described fabrication process technology. The model ts the experimental data as inferred from Fig. 6, for Nb values ranging from 2 to 12 1016 cm3, leading to VPT values from 0.6 to 4.2 V, depending on the Nc, De values. The P+ buer amplitude is a xed parameter in all the reported devices (0.4 m), value large enough to use the reported model. A second validation of the model was performed on four-layer TVS diodes fabricated at FAGOR Electronica S. Coop. The impurity proles of TVS diodes with VPT values ranging from 1 to 3 V were optimized with the aid of the proposed model. The simulation results [14] of the TVS optimization work are shown in Fig. 7. The model ts the simulation results in the whole range of practical VPT values.
Devices with an active area of 2.25 mm2 were integrated on 10 mX cm h1 1 1iN+ silicon substrates with epilayer doping concentrations of 1015 and 5 1015 cm3. A boron/phosphorous implantation was used to dene the P+-buer and the N+-collector. Three boron implantation doses were used to fabricate TVS diodes with dierent Nb and Db values. The whole fabrication process and the nal metallization, packaging and reliability characterization, including protection standards, were carried out at FAGOR. The experimental I(V) characteristics of a FAGOR TVS diode with VPT = 1.2 V and a leakage current of 1 lA is shown in Fig. 8. The experimental variation of the punch-through voltage with the P+-buer implantation dose can be seen in Fig. 9, the leakage current being lower than 1 lA in all the fabricated TVS diodes. The agreement between the experimental and theoretical breakdown voltage can be also inferred from Fig. 9. The simulation results correspond to the technological values obtained with the aid of the reported model. As expected, the simulation leakage current is lower than the experimental value, particularly close to the punchthrough voltage. Three-layer TVS diodes were also fabricated and compared with four-layer counterparts. The sensitivity
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model has been validated with reported results from SEMTECH TVS diodes and with devices fabricated at FAGOR Electronica S. Coop. A good agreement among simulation, proposed model and experimental results is achieved.
Acknowledgements n InterminThis work was supported by the Comisio a (CICYT) under Grant isterial de Ciencia y Tecnolog TIC2002-02564 and by the Generalitat de Catalunya (CIRIT) under Grant SGR2001-00359.
Fig. 8. Experimental I(V) characteristics for Nepi = 5 1015 cm3.
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Fig. 9. Experimental I(V) for dierent boron implantation doses characteristics for Nepi = 5 1015 cm3.
of the VPT value with geometrical and technological parameters is much higher than in the four-layer case due to the absence of the P+-buer layer. 4. Conclusion Theoretical model for the punch-through breakdown voltage calculation of four-layer N+P+PN+ TVS diodes for low voltage ICs protection (<3 V) is reported in this paper. The derived quasi-analytical formulation accounts for breakdown voltage values lower than 1 V, and provides an analytical solution for higher breakdown voltages. In addition, the formulation also accounts for the three-layer TVS breakdown voltage description since this structure can be considered as a particular case of the four-layer TVS analysis. The
Microelectronics Reliability 45 (2005) 11811186 www.elsevier.com/locate/microrel
Lateral punch-through TVS devices for on-chip protection in low-voltage applications

s, J. Rebollo J. Urresti, S. Hidalgo, D. Flores *, J. Roig, I. Corte
nica (IMB-CNM-CSIC), Campus de la UAB, Bellaterra, 08193 Barcelona, Spain Centro Nacional de Microelectro Received 28 June 2004; received in revised form 15 September 2004 Available online 29 December 2004
Abstract A novel lateral punch-through TVS (Transient Voltage Suppressor) structure addressed to on-chip protection in very low voltage applications is reported in this paper. Dierent lateral TVS structures have been studied in order to optimize the electrical performances related with the surge protection capability. Lateral TVS structures with a four-layer doping prole exhibit the best electrical performances, as in the case of vertical TVS devices. The dependence of the basic electrical characteristics on the technological and geometrical parameters is also analysed. Finally, the electrical performances of lateral TVS structures are compared with those of vertical punch-through TVS devices and conventional Zener diodes, being the leakage current level reduced two orders of magnitude in the case of the lateral architecture. Lateral TVS structures exhibits similar performance than vertical counterparts with the advantage of easiest on-chip integration. 2004 Elsevier Ltd. All rights reserved.
1. Introduction The continuous reduction of the size and operating voltage in VLSI circuits increases the probability of being destroyed by an ESD (Electro-Static Discharge) event. As it is well known, in very low voltage applications, i.e. less than 5 V, Zener diodes do not provide the required protection capability. This is mainly due to the signicant increase of the leakage current level [1] when the Zener breakdown voltage is reduced. Punch-through devices are a good alternative to Zener diodes for low voltage protection [2,3] in very low volt-
Corresponding author. Tel.: +34 93 594 7700x1303; fax: +34 93 580 1496. E-mail addresses: jesus.urresti@cnm.es (J. Urresti), david. ores@cnm.es (D. Flores).
age applications due to the much lower leakage current levels, and the inherent reduction of the power consumption, in comparison with the equivalent Zener device. The punch-through TVS structure is based on NPN or PNP open-base bipolar transistors. The punchthrough eect takes place when the two existent depletion regions of the PN junctions touch each other. Beyond this point, a small increase of the applied bias reduces the emitter-base potential barrier and the electrons diused from the emitter can be driven towards the collector. The decrease of the leakage current and the parasitic capacitance levels in punch-through TVS structures has been proven in previous works [3,4]. Moreover, punch-through based TVS structures can be implemented as conventional three-layer architecture or by adding a buer to reduce the sensitivity of the basic electrical parameters with process technology related events. Therefore, four-layer TVS structures
0026-2714/$ - see front matter 2004 Elsevier Ltd. All rights reserved. doi:10.1016/j.microrel.2004.10.023
1182
J. Urresti et al. / Microelectronics Reliability 45 (2005) 11811186
exhibit the highest protection performance in very low voltage applications. Up to now, commercially available punch-through TVS devices are implemented in a vertical architecture and packaged as single die. Although the surge protection capability of vertical TVS devices is higher than that of the Zener counterparts, it would be of great interest to integrate these devices together with the circuitry to be protected on a single chip in smart power technologies on Bulk or SOI (Silicon-on-Insulator) substrates. As a consequence, with the monolithic integration of the protection devices within the IC systems, the packaging costs and the parasitic connections will be further reduced. Moreover, the protection capability of lateral TVS devices will be even higher than that exhibit by discrete vertical TVS devices since they can be placed closer to the circuitry to be protected. Finally, the process technology for the fabrication of lateral TVS devices is fully compatible with a standard CMOS technology.
onstrated in the last section. According to these benets, the four-layer lateral TVS structure is the best candidate for the integration of a protection device in lateral architectures. Three dierent lateral TVS structures have been simulated, two of them in a three-layer conguration and one in a four-layer conguration. Type a and b structures are plotted in Fig. 2. The three-layer TVS type a structure is implemented on a highly doped P-type epilayer, the base of the N+PN+ bipolar transistor, with a uniform concentration of 1e17 cm3 to achieve low clamping voltage values (voltage at peak surge current [3]). This structure is the simplest punch-through TVS
2. Device description The cross-section of a lateral four-layer punchthrough TVS device implemented in Bulk technology is shown in Fig. 1. The lateral TVS consists of an N+P+PN+ open base bipolar transistor integrated on a N+ or P+ type substrates with a P-type epilayer, the doping concentration of the collector, emitter and substrate is the range of 1e19 cm3. Three and four layer TVS structures were analysed by means of numerical simulations carried out with Athena and Atlas CAD software [5] using cylindrical coordinates with Wc and We (collector and emitter width) of 20 lm. The sensitivity of the breakdown voltage value with possible variations of the eective base width (We, the distance between the junctions) is signicantly lower in four-layer in comparison with the three-layer counterparts, as it will be dem-
Fig. 1. Cross-section of the type c lateral four-layer TVS structure.
Fig. 2. Architecture of type a and b three-layer TVS structures, including the supercial doping concentration prole.
1183
Fig. 3. Clamping voltage versus breakdown voltage in the three structures under study.
Fig. 4. Variation of the breakdown voltage with the eective base width in the three structures under study.
concept and it is used as a reference for the comparison with the other two simulated TVS structures. Usually, the doping concentration of the P-type substrates in conventional CMOS technologies is lower than 1e17 cm3. Hence, basic structures with epilayer doping concentrations in the range of 1e15 cm3 have also been simulated. However, with high epilayer resistivity very low clamping voltage values cannot be achieved. The type b structure, also plotted in Fig. 2, is a three-layer TVS concept adding a deep P-type diusion with a peak concentration in the range of 1e17 cm3, maintaining a high resistivity epilayer. As a consequence, the structure is compatible with a CMOS standard P-type substrates and very low clamping voltage can now be easily achieved. Finally, the doping concentration close to the surface of type a and b structures is almost identical as shown in Fig. 2. The four-layer TVS structure (named as type c) corresponds to the cross-section drawn in Fig. 1 with a low doped P-type epilayer (1e15 cm3) and a deep P+buer under the collector electrode with a peak doping concentration of 5e16 cm3. The doping concentrations of the dierent diusions in each structure type have been chosen to obtain equal clamping voltage values to provide a realistic comparison of the protection capability of all the analysed lateral TVS structures. The almost identical relation with the clamping and breakdown voltage values in the three simulated structures is shown in Fig. 3.
than that observed in the four-layer TVS structure. Moreover, it can be inferred from Fig. 4 that type c structures can reach smaller breakdown voltages values (given at 1e10 A) with higher We values than those obtained in three-layer ones (type a and b) with similar clamping voltage (measured at 1e5 A) values and leakage current levels (IL), as reported in the last section of this paper. The inuence of the main geometrical and technological parameters of the four-layer lateral TVS structure on the breakdown voltage and the leakage current (IL) level has been analysed. The performed simulations show a similar electrical behaviour than that obtained in the equivalent four-layer vertical TVS structures [4]. The breakdown voltage increases with We, exhibiting a quadratic dependence with this parameter, as derived from Fig. 5. However, any signicant inuence of the We on the leakage current has been observed. Nevertheless, at a given We value, the simulation results show
3. Analysis of lateral TVS structures As stated before, the dependence of the breakdown voltage on the eective base width (We) plotted in Fig. 4 reveals that type a and b structures exhibit higher sensitivity of the breakdown voltage with We
Fig. 5. Ic(Vc) 6.7e16 cm3.
characteristics.
Nepi = 1e15 cm3,
Nb =
1184
3 Fig. 7. I L W 2 c , Nepi = 4.8e15 cm , Wb = 0.5 lm, We = 1.4 lm.
Fig. 6. Ic(Vc) characteristics. Nepi = 1e15 cm , We = 0.36 lm.
a slight leakage current decrease and a breakdown voltage increase when the doping concentration of the Ptype epilayer is increased. Finally, of the punch-through voltage is less sensible with the eective width of the epilayer when reducing the doping concentration of the selected epilayer. The dependence of the breakdown voltage with the peak concentration of the P+-buer is plotted in Fig. 6. As expected from the results obtained in the vertical four-layer TVS devices, an increase of the breakdown voltage with the concentration peak of the buer can be inferred from this gure. The clamping voltage in type c structures can be controlled with the peak doping concentration of the P+-buer, in a similar way than in the case of vertical TVS devices. A reduction of the clamping voltage when Nb increases has been observed. Moreover, the breakdown voltage increases and the leakage current level do not exhibit a signicant variation when Nb increases. The inuence of the collector diusion width (Wc) on the leakage current level is plotted in Fig. 7. From this gure, a quadratic dependence of the leakage current on the Wc value can be inferred. The strong dependence of the leakage current on the collector diusion width can be explained according to
the current owlines plotted in Fig. 8. The leakage current ows through dierent paths before and after the punch-through breakdown. Before the breakdown takes place, the current path is mainly vertical through the collector N+P+ junction down to the P-type epilayer. Once the punch-through is reached, the current ows laterally close to the Silicon surface through the low resistance path created along the depleted region and the low potential wall. We have observed that the breakdown voltage values obtained in lateral TVS devices are higher than those corresponding to the vertical counterparts when equal doping proles are implemented. Assuming that the punch-through breakdown takes place when the two depletion regions merge, identical breakdown voltage values should be expected. The observed discrepancy can be attributed to the dierent shape of the PN junctions. In the case of vertical TVS structures, PN junctions are almost one-dimensional, leading to a punch-through breakdown starting at the same time in the entire region below the collector-base junction. On the contrary, the punch-through breakdown takes place in the curvature of the N+P junctions in lateral TVS structures [6]. As it can be inferred from Fig. 9, the depletion regions start merging near the Silicon surface
Fig. 8. Current ow lines, (a) before breakdown, (b) after breakdown.
1185
Fig. 9. Initial (a) and total (b) punch-through eect in lateral TVS architectures.
(initial punch-through) in lateral TVS structures. Later on, the punch-through spreads into the Silicon volume. The punch-through breakdown starts when the depth of the punch-through region is close to the depth of the collector and emitter N+ diusion (total punchthrough). As a consequence, the breakdown voltage of lateral TVS structures is slightly higher than that obtained in vertical TVS structures. Therefore, identical voltage capability can be achieved in both vertical and lateral TVS structures if the base width is properly reduced in the lateral TVS architecture. Two new geometrical parameters have to be taken into account when optimising a four-layer lateral TVS structure: the nature of substrate doping impurities and the P-type epilayer thickness (Depi). The substrate type is usually xed by the circuitry to be protected since the TVS will be integrated within the same chip. Breakdown voltage values of a four-layer lateral TVS structure integrated in N and P substrates are plotted in Fig. 10. As it can be observed, the breakdown voltage value is not signicantly modied in the case of P-type
substrates. However, in the case of N-type substrates with an epitaxial layer thin enough, the breakdown voltage value is strongly reduced. The reason is the existence of a vertical breakdown; a PN junction is created by the N-type substrate and the P-type epilayer and, as a consequence, a parasitic NPPN vertical structure that can eventually breakdown before the punch-through of the lateral junction. This parasitic breakdown has to be taken into account when designing lateral punch-through TVS structures integrated on N-type substrates. In order to compare the I(V) characteristics of all the analysed structures, both in lateral and vertical architectures (three and four layer TVS and Zener structures) with a breakdown voltage values in the range of 2 V, numerical simulations have been carried out. The electrical characteristics of all the simulated structures are plotted in Fig. 11. The optimised lateral four-layer TVS structure exhibits better electrical performance than that of the equivalent Zener diode, either vertical
Fig. 10. Vbr versus Depi. Nb = 2.81e16 cm3, We = 1.16 lm, Nepi = 1e15 cm3.
Fig. 11. Comparison between vertical and lateral TVS devices and Zener diodes.
1186
or lateral, thus improving the leakage current level three orders of magnitude. Moreover, after the punch-through breakdown the on-resistance is higher in any of the simulated punch-through TVS structures, compared to that of the Zener counterparts, basically due to the dierent breakdown mechanism. As a conclusion, the electrical performances of lateral four-layer TVS structures are comparable to those of the vertical TVS counterparts, with a slight degradation of the leakage current level and the clamping voltage. Therefore, the protection capability of the lateral TVS architecture will be almost the same than that already checked in vertical TVS diodes. Finally, optimised lateral punch-through TVS structures inherently force the reduction of the We value to the submicron range in order to obtain the required very low breakdown voltages values. Hence, implantation and anneal steps have to be carefully characterised when these devices are fabricated in a CMOS process line in order to avoid undesired uctuations of the relevant electrical parameters. 4. Conclusions A lateral four-layer TVS structure addressed to onchip protection in low voltage applications is presented in this work. The lower sensitivity of the breakdown voltage value in the four-layer structure with the possible uctuations of We parameter is explained. The dependence of the punch-through voltage and the leak-
age current on the main geometrical and technological parameters is also provided. A comparison of electrical performances of vertical and lateral Zener diodes, three-layer and four-layer TVS structures is shown, proving the protection capability of the new lateral architecture for on-chip protection purposes.
Acknowledgments n InterminThis work was supported by the Comisio a (CICYT) under Grant isterial de Ciencia y Tecnolog TIC2002-02564 and by the Generalitat de Catalunya (CIRIT) under Grant SGR2001-00359.
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Escuela Tcnica Superior de Ingeniera

Modelizacin y Fabricacin de Dispositivos Supresores TVS para Proteccin en Aplicaciones de Ba ja Tensin.

wemori presentd por

pr optr l qrdo de hotor en sngenier iletrni hiretor

Bellaterra, Octubre 2008

Modelizacin y Fabricacin de Dispositivos Supresores

fellterrD yture de PHHVF

rofF tordi u rruell

hrF lvdor ridlgo illen

2. Dispositivos supresores verticales de efecto punch-through

3. Diseo y fabricacin de TVS verticales

4. Dispositivos supresores laterales de efecto punch-through

5. Diseo y fabricacin de TVS laterales

IIS IIU IPI IPR IPR IQP

Conclusiones Artculos publicados Bibliografa

139 141 161

Tbox VA Vbi VBR VC VCE VP T Vst VW M WC Wb Wef f xjo xn

Captulo 1 Perturbaciones elctricas

Se ve afectado todo el equipo, aunque la mayora estn diseados para tolerar 10 %.

Reguladores de tensin, acondicionadores de lnea, Sistemas se alimentacin ininterrumpida (SAIs).

Reguladores de tensin, acondicionadores de lnea, transformadores ferroresonantes, o SAIs.

Puede destruir componentes elctricos y el aislante de transformadores o motores.

Dispositivos supresores o algunos

SAIs o suministros de energa de reserva.

Afecta a los equipos basados en microprocesadores, como ordenadores o controladores de programas.

Filtros, SAIs o algunos acondicionadores de lnea.

Tipos de perturbaciones y proteccin contra ellas.

1.2 Fuentes de sobretensiones transitorias

Tendencia de la tensin de alimentacin. 2004 IBM corporation.

1.2. Fuentes de sobretensiones transitorias

1.3 Efectos producidos por sobretensiones transitorias

Mecanismo de la carga triboelctrica. Contacto y separacin de los materiales.

1.3. Efectos producidos por sobretensiones transitorias

Destrucciones provocadas por ESD: Ruptura de xido y pista

1.4. Dispositivos supresores

1.4 Dispositivos supresores

Caracterstica de trabajo de un supresor

aA Estructuras Metal-xido Varistor (MOV): on estruturs idiE

bA Tubos de Descarga de Gas (GDT):

cA Gap de aire: iste dispositivo se s en el mismo prinipio de funE

1.4 Dispositivos supresores

dA Bloques de carburo de silicio: punionn de form similr l gp

eA Fusibles: qenerlmente no se onsidern dispositivos supresores puesto

gA Corta-circuitos: e utilizn pr desonetr l limentin de un hA Tiristores:

iA Transient Voltage Suppressor (TVS):

v l IFP muestr ls rterstis priniples de los diferentes disE positivos supresores VX

Alta Alta Alta Alta Alta Alta Alta Baja Baja

Principales caractersticas de diferentes dispositivos supresores.

vos dispositivos supresores se pueden lsi(r en funin del modo de trjoX

Clamping : il dispositivo empiez onduir undo l tensin soE

1.5 Transient Voltage Suppressor (TVS)

Caracterstica I-V de dispositivos tipo Clamping y tipo Crow-

1.5. Transient Voltage Suppressor (TVS)

Tensin de ruptura (VBR ): ensin l que l orriente por vlnE

WH % del vlor de VBR on polrizin inversD dispositivo ntes de su destruin fsiF

1.5 Transient Voltage Suppressor (TVS)

Caracterstica I(V) de un TVS.

Proteccin de CIs. il diseo de l pl donde se sueldn los gss y

Proteccin de puertos I/O. etulmenteD pr onseguir un mejor

1.6 Dispositivos TVS avanzados

Perl de dopajes de dispositivos Zener y caractersticas I-V de

1.6. Dispositivos TVS avanzados

epitxi un difusin super(il ltmente dopd @N + o P + AD tl omo se muestr en l pigur IFWF

Perl de dopajes de dispositivos Zener y caractersticas I-V de

Perl de dopajes de un TVS 4 capas obtenido por simulacin.

Disminucin de la anchura del buer P + hasta su desaparicin,

Incremento de la anchura del buer epitaxia ,