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POLARIZAO DO TRANSISTOR
Uma das condies mais importantes para que um circuito eletrnico transistorizado funcione adequadamente estabelecer corretamente o ponto de operao, por meio da polarizao do transistor. Este texto trata dos mtodos mais simples de obteno do ponto de operao em um circuito transistorizado de modo a fornecer, com exatido em um circuito real, as condies previstas atravs das curvas caractersticas. Para melhor compreenso destes contedos necessrio conhecimentos anteriores sobre as relaes entre parmetros, curvas caractersticas, reta de carga e ponto de operao do transistor, e divisor de tenso.

Polarizao de base por corrente constante

Polarizao de base o processo de obteno da corrente de base necessria para levar o transistor ao ponto de operao. O processo de polarizao de base mais simples o de polarizao por corrente constante, ou polarizao fixa. Por meio do traado da reta de carga e da determinao da corrente de base (IB) na malha de base, obtm-se o ponto de funcionamento do transistor ou ponto quiescente (Q).

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No mtodo de polarizao por corrente de base constante, a corrente de base quiescente (IQB) obtida atravs de um resistor, denominado de resistor de base (RB), que ligado entre a base e a tenso de alimentao (VCC).

Anlise do circuito de base

O circuito de base, tambm denominado malha de base, compe-se do resistor de base (RB) e da juno base-emissor ligados em srie e aplicados tenso de alimentao. Considerando que a juno base-emissor do transistor se comporta como um diodo, em um circuito equivalente, verifica-se que o diodo base-emissor polarizado diretamente e permite a circulao da corrente atravs do resistor. Essa corrente a corrente de base.

Determinao do resistor de base

A corrente quiescente que circula na base do transistor (IB) depende dos seguintes valores: Valor do resistor (elemento de controle); Tenso de alimentao (j definida); Do tipo de transistor utilizado (j definido). Do circuito equivalente verifica-se que a corrente circulante na base dada pela expresso:

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IBQ =

VCC - VBE RB

Nessa igualdade, VCC a tenso de alimentao, VBE a ddp na juno base-emissor e RB o resistor de base. Operando essa expresso, obtm-se a frmula para determinar o resistor de base:

RB =

VCC - VBE IBQ

Um exemplo completo de determinao do resistor de base para a obteno de um ponto de operao desejado apresentado a seguir. Determinar o valor do resistor de base necessrio para obter um VCEQ = -3 V em um circuito com um transistor de silcio BC200 (silcio), cuja reta de carga j est traada na curva.

Observando o encontro da reta de carga com a curva de IB = 80A, verifica-se que esse ponto determina um VCEQ de aproximadamente -3,2 V.

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Considerando que a diferena de 0,2 V admissvel, o valor de IBQ necessrio -80 A. Para determinar o valor de RB, aplica-se a equao:

RB =

VCC - VBE IBQ

7,5 - 0,6 = 86250 0,00008

Observao O resistor de base utilizado para a polarizao por corrente de base constante normalmente de valor elevado (por exemplo, 68k, 220k, 470k) porque as correntes de base dos transistores so baixas, da ordem de micro ou miliampres.

Estabilidade trmica dos circuitos transistorizados

A corrente de coletor dos transistores est sujeita a variaes de valor em funo da temperatura, devido s correntes de fuga ICBO e ICEO. Assim, a equao que determina IC deve levar em conta essas correntes de fuga: IC = IB + ICBO ( + 1) Como ICEO = ICBO ( + 1), pode-se fazer tambm: IC = IB + ICEO A corrente de coletor responsvel pela tenso no resistor de coletor (VRC = RC IC) e, consequentemente, pela tenso VCE pois, VCE = VCC - VRC. Assim, as variaes da corrente de coletor, ocasionadas pelas variaes de temperatura,

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modificam a forma como as tenses se dividem entre o transistor e o resistor de coletor e retiram o transistor de seu ponto de funcionamento.

O aumento da temperatura desloca o ponto de funcionamento (Q) para a parte superior da reta de carga. A diminuio da temperatura desloca o ponto de funcionamento para a parte inferior da reta de carga. Observao Todo o circuito eletrnico com transistores apresenta um certo grau de instabilidade trmica.

Fator de estabilidade (S)

O fator de estabilidade (S) um coeficiente utilizado para avaliar o grau de estabilidade trmica de um estgio transistorizado. Esse fator corresponde ao quociente entre a variao da corrente de coletor (IC) e a variao da corrente de fuga (ICBO) responsvel pelo fenmeno, ou seja:

S=

IC ICBO

Quanto menor for a variao de (IC) em funo da variao de ICBO (ICBO) melhor ser a qualidade do estgio transistorizado. Isso significa que quanto menor for o resultado da diviso IC/ICBO, mais estvel o circuito. A estabilidade trmica admissvel depende fundamentalmente da aplicao qual o circuito se destina.

Circuitos com polarizao por corrente de base constante

O mtodo de polarizao por corrente de base constante no deve ser empregado em circuitos que estejam sujeitos a grandes variaes trmicas. Esse tipo de polarizao propicia uma
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estabilidade trmica muito pequena. O fator de estabilidade trmica dos circuitos polarizados por corrente de base constante dado pela expresso: S = + 1. Com valor de S elevado, o circuito tem pouca estabilidade trmica. Por outro lado, o fator S = + 1 indica que quanto maior for o do transistor, maior ser sua instabilidade.

Correo do ponto de funcionamento

Devido a diferenas existentes no processo de fabricao, os transistores de um mesmo tipo podem apresentar ganhos de correntes diferentes, variando em uma ampla faixa. O transistor BC337, por exemplo, pode apresentar um ganho de corrente () situado entre 60 e 630. A curva caracterstica de sada, fornecida pelo fabricante, representa a caracterstica mdia para um tipo de transistor. Como na polarizao por corrente de base constante o ponto de funcionamento depende diretamente do ganho de corrente do transistor, comum ocorrer uma diferena entre os valores reais obtidos no circuito e os valores do projeto.

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No exemplo apresentado, o transistor apresenta um ganho de corrente superior mdia resultando em uma modificao do ponto de funcionamento.

Neste caso, necessrio corrigir o circuito de forma que o ponto de funcionamento seja o desejado. Como o ganho de corrente do transistor no pode ser alterado, a correo feita atravs do resistor de base. Dependendo de como o ganho de corrente real do componente se situa em relao ao ganho mdio, podem ocorrer trs situaes: VCEQ do transistor prximo ao valor desejado; VCEQ do transistor muito abaixo do valor desejado; VCEQ do transistor muito acima do valor desejado.

VCEQ prximo ao valor desejado

O funcionamento do circuito se situa prximo ao ponto desejado quando o ganho real do transistor aproximadamente igual ao ganho mdio, fornecido pela curva caracterstica.

Nesse caso, no necessrio realizar uma correo, porque as diferenas entre os valores desejados e os valores reais so pequenas.

VCEQ muito abaixo do valor desejado

Quando o ganho real do transistor maior que o valor mdio, o ponto de funcionamento sofre um
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deslocamento para a parte superior da reta de carga.

Tomando como ponto de partida os dados obtidos a partir da curva caracterstica (mdia), vemos que, devido ao maior ganho de corrente do transistor, o mesmo circuito com os mesmos resistores apresenta um resultado muito diferente do desejado.

Como o ganho de corrente do transistor no pode ser modificado, o maior ganho de corrente compensado reduzindo-se a corrente de base quiescente (IBQ). Com a reduo da corrente de base (IBQ), a corrente de coletor se reduz, retornando ao valor desejado. Para reduzir a corrente de base IBQ, aumenta-se o valor do resistor RB.

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VCEQ muito acima do valor desejado

Se o transistor apresenta um ganho real menor que o ganho mdio, o ponto de funcionamento sofre um deslocamento para a parte inferior da reta de carga.

Tomando novamente como ponto de partida os dados obtidos a partir da curva caracterstica, o ponto de funcionamento do circuito muito diferente do desejado, e uma correo necessria.

O ganho de corrente mais baixo do transistor deve ser compensado atravs de um aumento correspondente na corrente de base quiescente (IBQ). Para aumentar IBQ, o valor de RB deve ser
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reduzido.

Regies de operao de um transistor

O ponto de operao de um transistor pode ser localizado em qualquer posio ao longo da reta de carga. De acordo com a posio em que o ponto de operao se situa na reta de carga, diz-se que o transistor est operando em uma destas trs regies: Regio de corte; Regio de saturao; Regio ativa.

Regio de corte
Um transistor est na regio de corte quando as junes base-emissor e base-coletor esto polarizadas inversamente. A polarizao inversa na juno BE torna a corrente de base nula. Com base na expresso para clculo de IC e na corrente IB = 0, tem-se: IC = IB + b ICBO Como ICBO = ICEO, temos: IC = 0 + ICBO, ou seja, IC = ICBO Nos transistores de silcio, a corrente de coletor apenas de fuga (corrente de saturao inversa ICEO) e seu valor da ordem de microampres. Com corrente de coletor praticamente nula, no h queda no resistor de coletor, VRC = RC . IC, e o VCE o prprio valor da tenso de alimentao do circuito, ou seja, VCE = VCC (na regio de corte). O circuito transistorizado a seguir apresenta as junes BE e BC polarizadas inversamente (em corte). A reta de carga correspondente apresenta o ponto de corte sobre o eixo horizontal.

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Observao Em geral, nos transistores de silcio, basta cortar a corrente de base para levar o transistor ao corte, sendo desnecessrio polarizar inversamente a juno BE.

Regio de saturao
Um transistor est na regio de saturao, quando a tenso VBE maior que a tenso VCE. Isso ocorre quando as junes BE e BC esto polarizadas diretamente. Veja figura a seguir.

O que caracteriza a regio de saturao o fato de que a juno coletor-base tambm fica diretamente polarizada em virtude de VBE ser maior que VCE. Na curva caracterstica de sada, a regio de saturao fica prxima ao eixo vertical, onde os valores de VCE so mnimos e os valores de IC so mximos.

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Nas curvas caractersticas de sada normais, a regio de saturao corresponde a uma faixa muito estreita. Por isso, alguns manuais trazem uma segunda curva caracterstica de sada somente para a regio de saturao.

Regio ativa
A regio ativa corresponde a todo o trecho da reta de carga entre as regies de corte e de saturao.

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O transistor quando polarizado na regio ativa, funciona como amplificador. Nela, a juno BE polarizada diretamente e a juno BC polarizada inversamente. O grfico e o circuito apresentados a seguir mostram a caracterstica de sada e as tenses eltricas de um transistor polarizado na regio ativa.

Em resumo, pode-se dizer que um transistor estar na regio ativa sempre que VCE for maior que VBE e menor que VCC, ou seja, fora das regies de saturao e corte.

Polarizao de base por divisor de tenso

A polarizao de base pode ser feita a partir de um divisor de tenso, atravs do qual se aplica uma tenso VBE entre base e emissor do transistor. O circuito da figura que segue mostra o emprego desse tipo de polarizao.
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O divisor de tenso aplica uma tenso base (VB) que polariza diretamente a juno baseemissor, provocando a circulao da corrente IBQ. Como o emissor est aterrado, a tenso de base VB a prpria tenso VBE aplicada ao transistor e tambm a prpria ddp sobre RB2, pois VRB2 = VB = VBE. O valor da corrente IBQ ajustado aumentando ou diminuindo a tenso VBE, que fornecida pelo divisor. Normalmente, os circuitos polarizados por divisor de tenso tm ainda um resistor de emissor RE cuja funo melhorar a estabilidade trmica do circuito.

Esse tipo de polarizao, acrescido do resistor de emissor, o mais empregado porque propicia um alto grau de estabilidade trmica ao circuito. Outra caracterstica importante a menor variao dos valores de polarizao quando o transistor substitudo.

Anlise do circuito de coletor

Nos circuitos polarizados por divisor de tenso, a malha de coletor se compe de: fonte de alimentao; Resistor de coletor; Transistor;
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Resistor de emissor. A tenso fornecida pela fonte se distribui sobre os componentes do circuito de coletor.

Segundo a Lei de Kirchhoff para circuitos srie, a soma das tenses eqivale tenso de alimentao, ou seja: VRC + VCE + VRE = VCC. As quedas de tenso no resistor de coletor (VRC) e no resistor de emissor (VRE) dependem da corrente no circuito de coletor: VRC = RC IC e VRE = RE IE A diferena entre IC e IE muito pequena, pois corresponde ao valor de IB (IE = IC + IB). Por isso, costuma-se considerar IE = IC. Assim, a expresso da queda de tenso no resistor de emissor pode ser reescrita da seguinte maneira: VRE = Re IC. As equaes do circuito de coletor so: VCC = VRC + VCE + VRE VRC = RC IC VRE = RE IC Exemplo Determinar os valores de VRC, VRE e VCE no circuito a seguir

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VRC = RC . IC = 1000 0,004 = 4 V VRE = RE . IC = 270 0,004 = 1,08 V Dispondo de VCC, VRC e VRE, pode-se determinar o VCE do transistor: VCC = VRC + VCE + VRE Portanto, VCE = VCC - (VRC + VRE) VCE = 10 - (4,0 + 1,08) = 10 - 5,08 = 4,92 V

O circuito de base
O circuito de base, que corresponde ao divisor de tenso, tem a funo de polarizar diretamente a juno base-emissor do transistor, provocando a circulao da corrente IBQ. Quando o circuito de polarizao utiliza um resistor de emissor, a tenso aplicada entre base e emissor (VBE) corresponde diferena entre a tenso de base e a tenso de emissor, ou seja, VBE = VB - VRE. A tenso VBE aplicada juno base-emissor, que se comporta como um diodo em conduo, d origem a uma corrente de base.

A prpria curva caracterstica da juno base-emissor , essencialmente, a curva caracterstica de um diodo em conduo. Atravs da aplicao do valor correto de VBE, obtm-se a condio de
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funcionamento desejada para o circuito.

Determinao analtica dos componentes polarizadores

Embora a incluso do resistor de emissor torne o circuito mais estvel termicamente, isso se torna um problema quando se faz a anlise grfica atravs da reta de carga. Por isso, a determinao dos valores dos resistores de polarizao feita matematicamente. Para simplificar a anlise matemtica podem ser consideradas algumas aproximaes e estimativas que no prejudicam os resultados obtidos, como, por exemplo, a pequena diferena existente entre IC e IE (corrente de base) que no representa erro, se comparada com a tolerncia dos resistores (5 ou 1%), ou seja, IC IE. Na determinao dos valores dos elementos polarizadores, toma-se como pontos de partida os seguintes valores:
Tenso alimentao (VCC); Corrente de coletor (ICQ); Tenso sobre o resistor de coletor (VRCQ).

A tenso sobre o resistor de coletor (VRC) e a tenso de alimentao esto relacionadas entre si. Nesse tipo de estgio, adota-se normalmente uma tenso no resistor de coletor igual ou prxima metade da tenso de alimentao:
VRCQ = VCC 2

A corrente de coletor (ICQ) assume, nos estgios transistorizados polarizados por divisor, valores que variam entre 1 e 10 mA. Dispondo-se de valores VCC, ICQ e VRCQ, pode-se determinar os valores dos componentes da malha de coletor. O resistor de coletor calculado atravs da Lei de Ohm, aplicada aos valores do transistor, ou seja,

RC =

VRCQ ICQ

Adotando para o resistor de emissor uma queda de tenso de 10% da tenso de alimentao (VRE = 0,1 . VCC), obtm-se um fator de estabilidade timo, entre10 e 15. Desta forma, o resistor de emissor determinado pela equao:

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RE =

VRE IE

Como VRE 0,1 . VCC e IE ICQ

RE = 0,1 . VCC ICQ

O divisor de tenso formado pelos resistores de base tem a funo de fornecer a tenso VB base do transistor. Para que a juno base-emissor conduza, a tenso fornecida base deve ser a tenso de conduo de juno mais VRE.

A tenso de sada do divisor a prpria queda de tenso no resistor RB2 de forma que: VRB2 = VBE + VRE A tenso sobre RB1 a tenso de alimentao menos a parcela que cabe a RB2. VRB2 = VCC - VRB1 Dispondo dos dois valores de tenso sobre os resistores, deve-se escolher um valor para a corrente de funcionamento do divisor. Para que o circuito tenha um fator de estabilidade timo, a corrente do divisor (ID) deve ser suficientemente alta para que pequenas variaes na corrente absorvida pela base no alterem significativamente a proporo da tenso sobre os resistores. ID >> IBQ Em funo dessa necessidade, adota-se ID = 10 . IBQ Como

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IBQ =

ICC

e considerando-se que o transistor tenha mnimo de 100, podemos dizer:

ID = 10 . IBQ = = 10 = 10
LCC

100

ID = ID = 0,1LCC

LCC

Com os valores de tenso dos resistores, VRB1 e VRB2 e a corrente que circula por eles, pode-se determinar seus valores pela Lei de 0hm. Assim, temos:
RB1 = VRB1 0,1ICC

VRB1 = VCC VRB2

RB2 =

VRB2 ID

VRB2 0,1ICC

RB2 =

VRE + VBE 0,1ICC

Exemplo Determinar os valores de RC, RE, RB1 e RB2 para que o circuito fique polarizado na regio ativa.

RC =

VRCQ ICQ

10 = 1724 0,0058

Clculo de RE: VREQ = 0,1 . VCC = 0,1 . 20 = 2 V

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RE =

VREQ ICQ

2 = 344 0,0058

Clculo de RB2 VRB2 = VBE + VREQ = 0,6 + 2 = 2,6 V ID = 0,1 IC = 0,1 5,8 mA = 0,58 mA

RB2 =

VRB2 ID

2,6 = 4482 0,00058

ou 4,48k

Clculo de RB1 VRB1 = VCC - VRB2 = 20 - 2,6 = 17,4 V

RB1 =

VRB1 ID

17,4 = 30000 0,00058

ou 30k

Usando os valores de resistores comerciais com 5% de tolerncia, o circuito seria montado conforme mostra a figura que segue.

Modificao do ponto de operao

Os estgios transistorizados polarizados por divisor de tenso, por possurem tima estabilidade trmica, no necessitam de correes em funo de variaes de temperatura. A modificao do ponto de funcionamento nestes estgios acontece apenas quando necessrio alterar o ponto de funcionamento. Vamos supor como condio inicial, por exemplo, um estgio polarizado por divisor de tenso com os valores indicados no circuito a seguir.

Situao 1:
Deseja-se aumentar o VCE do transistor. Para isso, necessrio reduzir a queda de tenso nos resistores RE e RC.
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As tenses VRC e VRE dependem da corrente IC (VRC = RC IC e VRE RE IC). A reduo nos valores de VRC e VRE pode ser obtida pela reduo de IC. Como a corrente IC diretamente proporcional a IB, para reduzir IC se reduz IB. Nesse tipo de polarizao, a corrente IB determinada pela tenso VBE.

Portanto, para reduzir IB, deve-se reduzir a tenso VBE que corresponde diferena de tenso entre a base (VB) e o emissor (VRE), ou seja, VBE = VB - VRE. A tenso VB fornecida pelo divisor de tenso, resistor de base RB1 e resistor de base RB2. Para reduzir VBE, reduz-se VB, alterando os valores dos resistores que compem o divisor de tenso. Resumindo o processo de correo, utilizando setas para indicar os valores que aumentam () ou diminuem (), tem-se:

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Situao 2:
Deseja-se reduzir o VCE do transistor. Para isso, deve-se reduzir RB1 ou aumentar RB2. A seqncia de blocos a seguir mostra o comportamento do circuito.

Fator de estabilidade
Os circuitos polarizados por divisor de tenso se caracterizam por apresentar um timo, ou bom, fator de estabilidade S. Este fator dado pela equao: S= RE + RB RE + RB +1

Nessa igualdade, o ganho de corrente de base para o coletor do transistor, RE o valor do resistor de emissor e RB o valor equivalente de Thvenin dos dois resistores divisores de tenso
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da base:

RB =

RB1 . RB2 RB1 + RB2

Princpio de funcionamento da estabilizao trmica

As variaes de temperatura influenciam a corrente de coletor do circuito (IC). A equao da corrente de coletor mostra a dependncia trmica: IC = . IB + ICBO . varia com a temperatura A parcela da corrente de coletor que provocada pela corrente de fuga ICBO . ( + 1) no pode ser alterada porque se deve a fenmenos internos do transistor. A polarizao por divisor de tenso atua na parcela de IC que provocada pela corrente de base. Isso faz as variaes na corrente de fuga serem compensadas por variaes opostas na corrente IB: IC (IB + ICBO) Ou seja, ICBO aumenta IB reduzida na mesma proporo pelo circuito ICBO diminui IB aumentada na mesma proporo pelo circuito

Essa correo automtica pode ser facilmente compreendida analisando-se o comportamento de um circuito sujeito a variaes trmicas.

A partir do momento em que a temperatura aumenta, a corrente de coletor IC tende a aumentar como conseqncia do aumento da corrente de fuga. Condio inicial T ICBO IC

A modificao de IC provoca uma mudana indesejvel no ponto de operao. A partir do momento em que IC aumenta, IE aumenta tambm (IE = IC + IB): IC IE

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O aumento em IE provoca a existncia de uma queda de tenso maior em RE: VRE = IE . RE IE VRE Como a tenso VBE depende da tenso fornecida pelo divisor de tenso (fixa) e de VRE, observa-se que o seu valor decresce. VBE = VB - VRE VB fixo VRE aumenta VRE VBE VBE diminui

Diminuindo o VBE do transistor, a corrente de base IB diminui. VBE IB

A reduo em IB ocorre na proporo correta para reduzir a corrente de coletor ao seu valor original. Condio Final IB IC (Volta ao valor original)

Com esse processo de correo, o circuito praticamente insensvel s variaes de temperatura.

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