DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Tesis que presenta PVEL ZIGA HARO

Para obtener el grado de Maestro en Ciencias

En la especialidad de Ingeniera Elctrica

Guadalajara, Jalisco, Noviembre de 2001

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Tesis de Maestra en Ciencias Ingeniera Elctrica Por

Pvel Ziga Haro

Ingeniero Electrnico Instituto Tecnolgico de Quertaro, 1994-1999

Becario de CONACyT, expediente No. 143878

Director de Tesis

Dr. Juan Manuel Ramrez Arredondo

CINVESTAV del IPN Unidad Guadalajara, Noviembre de 2001

DEDICATORIA

Dedico ste trabajo de tesis a mi familia, ya que sin su apoyo y paciencia llegar al punto en el que ahora me encuentro hubiese sido imposible.

AGRADECIMIENTOS
Agradezco a mis padres por haberme proporcionado los medios necesarios para llevar a cabo mis estudios. Agradezco tambin a mis compaeros por haberme brindado su amistad; as como a mis profesores por los conocimientos adquiridos. Agradezco a mi asesor el apoyo en la realizacin de ste trabajo. Agradezco al Consejo Nacional de Ciencia y Tecnologa por el apoyo econmico prestado. En general agradezco a cada persona que de cualquier manera contribuyo en ste trabajo.

II

RESUMEN
En ste trabajo se presenta el anlisis de uno de los dispositivos FACTS que ms impacto ha tenido desde su introduccin, el TCSC. ste dispositivo permite controlar la transferencia de potencia a travs de una lnea de transmisin, adems de ayudar en el amortiguamiento de oscilaciones y la estabilidad transitoria, entre otros problemas. Se presenta un anlisis en simulacin de aspectos relacionados con la implementacin real del dispositivo, como son la inclusin de la resistencia asociada al reactor del dispositivo, la insercin de una red snubber para limitar el crecimiento del voltaje a travs de los tiristores y el estudio del dispositivo separado en mdulos. Se muestra el proceso de identificacin de parmetros de los elementos que conforman al TCSC, as como una descripcin del diseo del circuito de disparo. Se analizan las seales obtenidas del TCSC en laboratorio, haciendo nfasis en las similitudes que stas presentan con respecto a los resultados mostrados en la literatura y en simulacin. Por ltimo se lleva a cabo la aplicacin de una red snubber al TCSC, puntualizando el efecto que sta tiene sobre las seales del dispositivo.

III

NDICE GENERAL
Resumen ndice de figuras Introduccin Captulo I. 1.1. 1.2. 1.3. 1.4. 1.5. 1.6. 1.7. 1.8. FACTS: Descripcin general III VII X 1 1 1 3 3 4 7 8 9 11 14 16 18 19 20 21 21 21 22
23 25

Introduccin................................................................................................. Problemtica ................................................................................................ Importancia de los parmetros del sistema.................................................. Flujo de potencia en rutas paralelas............................................................. Flujo de potencia en un sistema mallado..................................................... Tipos bsicos de controladores FACTS ...................................................... La importancia de los diferentes tipos de controladores ............................. Breve descripcin y definicin de los controladores FACTS ..................... 1.8.1. Controladores en derivacin........................................................... 1.8.2. Controladores serie......................................................................... 1.8.3. Controladores combinados serie-derivacin .................................. 1.9. Consideraciones adicionales........................................................................ 1.10. Resumen ...................................................................................................... 1.11. Bibliografa .................................................................................................. Captulo II. Elementos de electrnica de potencia 2.1. 2.2. Introduccin................................................................................................. Tiristor ......................................................................................................... 2.2.1. Rectificador controlado de silicio ...................................................
2.2.1.1. Caractersticas del SCR ........................................................................ 2.2.1.2. Encendido y apagado del SCR .............................................................

2.2.2. Tiristor de apagado por compuerta ................................................

2.2.2.1. Caractersticas del GTO ....................................................................... 2.2.2.2. Encendido y apagado del GTO............................................................. 2.2.2.3. Aspectos generales del GTO ................................................................

27
27 28 29

2.3.

Modulacin de ancho de pulso .................................................................... 2.3.1. Caractersticas del PWM ................................................................ 2.3.2. Modulacin senoidal ....................................................................... 2.3.3. Modulacin senoidal con muestreo natural.................................... 2.3.4. Sobremodulacin en esquemas de PWM senoidal .......................... 2.3.5. Modulacin senoidal con muestreo regular....................................

30 30 30 31 33 35

IV

NDICE GENERAL

2.4. 2.5.

Resumen ...................................................................................................... Bibliografa ..................................................................................................

37 37 39 39 40 51 54 58 61 65 66 67 67 67 70 71 71 71 72 73 74 75 75 79 82 82 83 84 85 85 87 88 89 89 89 93 95 97

Captulo III. TCSC: Aspectos prcticos de operacin 3.1. 3.2. 3.3. 3.4. 3.5. 3.6. 3.7. Introduccin................................................................................................. Resistencia del reactor ................................................................................. Efecto de la razn de cambio del voltaje en los tiristores con respecto al tiempo .......................................................................................................... Clculo de los componentes de la red snubber............................................ 3.4.1. Aplicacin........................................................................................ Mdulos del TCSC ...................................................................................... Resumen ...................................................................................................... Bibliografa ..................................................................................................

Captulo IV. Implementacin 4.1. 4.2. Introduccin................................................................................................. Identificacin de parmetros........................................................................ 4.2.1. Seleccin de seales de entrada...................................................... 4.2.2. Seleccin del tiempo de muestreo ................................................... 4.2.3. Identificacin en y fuera de lnea .................................................... 4.2.4. Comparacin de mtodos de estimacin de parmetros................. 4.2.5. Tipos de seales............................................................................... 4.2.6. Mtodo de los mnimos cuadrados.................................................. 4.2.7. Respuesta a la frecuencia................................................................ Parmetros de los dispositivos que componen al TCSC ............................. 4.3.1. Prueba de respuesta a la frecuencia del reactor ............................ 4.3.2. Prueba de respuesta a la frecuencia del capacitor ......................... Circuito de disparo....................................................................................... 4.4.1. Acondicionamiento de seal............................................................ 4.4.2. Microcontrolador ............................................................................ 4.4.3. Actuador .......................................................................................... Adquisicin de datos ................................................................................... Circuito de prueba........................................................................................ Resumen ...................................................................................................... Bibliografa ..................................................................................................

4.3. 4.4.

4.5. 4.6. 4.7. 4.8.

Captulo V. Anlisis de las seales medidas 5.1. 5.2. 5.3. 5.4. 5.5. Introduccin................................................................................................. Seales en estado transitorio........................................................................ Seales en estado estable ............................................................................. Respuesta ante cambios escaln en el ngulo de disparo ............................ Contenido armnico de las seales del dispositivo ante diferentes ngulos de disparo.....................................................................................................

NDICE GENERAL

5.6.

5.7. 5.8. 5.9.

Efectos de la inclusin de la resistencia asociada al reactor del dispositivo.................................................................................................... 5.6.1. Amortiguamiento de las seales...................................................... 5.6.2. Contenido armnico de las seales del sistema ante cambios en la resistencia asociada al reactor del dispositivo ........................... 5.6.3. Deformacin de las seales del sistema al incluir la resistencia asociada al reactor del dispositivo ................................................. Inclusin de la red snubber al TCSC ........................................................... Resumen ...................................................................................................... Bibliografa ..................................................................................................

103 103 104 108 113 115 116 117 119 120

Conclusiones y contribuciones Trabajos futuros Publicaciones

VI

NDICE DE FIGURAS
1.1. 1.2. 1.3. 1.4. 1.5. 1.6. 1.7. 1.8. 1.9. 1.10. 1.11. 1.12. 1.13. 1.14. 2.1. 2.2. 2.3. 2.4. 2.5. 2.6. 2.7. 2.8. 2.9. 2.10. 2.11. 2.12. 2.13. 2.14. 2.15. 2.16. 3.1. 3.2. 3.3. 3.4. Red con transmisin en rutas paralelas ................................................................. Controladores FACTS en serie con la lnea.......................................................... Red de transmisin mallada .................................................................................. Dispositivos FACTS utilizados en una red mallada ............................................. Diagrama esquemtico del controlador serie y derivacin ................................... Diagrama esquemtico del controlador serie-serie y serie-derivacin ................. Diagrama esquemtico del STATCOM basado en convertidores de voltaje y corriente................................................................................................................. Diagrama esquemtico de la unidad BESS, el SSG y el SMES ........................... Diagrama esquemtico del SVC ........................................................................... Diagrama esquemtico del TSC, el TCR y el TSR............................................... Diagrama esquemtico del TCBR......................................................................... Diagrama esquemtico del SSSC, el TCSC y el TSSC ........................................ Diagrama esquemtico del TCSR y el TSSR........................................................ Diagrama esquemtico del UPFC y el TCPST ..................................................... Smbolo esquemtico del SCR.............................................................................. Estructura y modelo de dos transistores del SCR ................................................. Curva caracterstica V I .................................................................................... Tiempo de apagado de conmutacin..................................................................... Diagrama esquemtico de un SCR con compuerta amplificadora........................ Smbolo esquemtico del GTO ............................................................................. Estructura y modelo de dos transistores del GTO................................................. GTO con red snubber ............................................................................................ Principio de la modulacin senoidal con onda portadora triangular..................... Forma de onda PWM que se obtiene utilizando SPWM con muestreo natural, p = 12 , M = 0.75 ................................................................................................. Formas de onda de voltaje para un inversor trifsico SPWM............................... Valor RMS del voltaje fundamental de lnea relativo a Vcd contra la relacin de modulacin para SPWM ....................................................................................... Sobremodulacin en SPWM ................................................................................. Saltos de voltaje debidos a la sobremodulacin.................................................... Esquema SPWM de muestreo regular simtrico................................................... Esquema SPWM de muestreo regular asimtrico................................................. Diagrama esquemtico del TCSC (equivalente y mdulos) ................................. Reactancia fundamental del TCSC ....................................................................... Diagrama esquemtico del TCSC utilizado en simulacin................................... Comparacin entre ecuacin y simulacin ........................................................... 3 4 5 6 7 8 10 12 13 14 14 15 16 17 22 22 24 26 27 27 29 29 31 32 33 34 34 35 36 36 39 40 41 42

VII

NDICE DE FIGURAS

3.5. 3.6. 3.7. 3.8. 3.9. 3.10. 3.11. 3.12. 3.13. 3.14. 3.15. 3.16. 3.17. 3.18. 3.19. 3.20. 3.21. 3.22. 3.23. 4.1. 4.2. 4.3. 4.4. 4.5. 4.6. 4.7. 4.8. 4.9. 4.10. 4.11. 4.12. 4.13. 4.14. 4.15. 4.16. 4.17. 4.18. 5.1. 5.2. 5.3. 5.4. 5.5.
VIII

Impedancia equivalente con diferentes valores de Rt .......................................... Mdulo insertado en una lnea .............................................................................. Corriente de lnea con diferentes ...................................................................... Comportamiento del sistema con diferentes ..................................................... Tiempo de estabilizacin del sistema ante cambios en .................................... Corriente de lnea con = 58 y diferentes valores de Rt ................................... Comportamiento del sistema con = 58 y diferentes valores de Rt ................. Reactancia equivalente con [57 , 59 ] con diferentes valores de Rt ............. Circuito resistivo ................................................................................................... Circuito inductivo y caracterstica dv dt ............................................................. Circuito inductivo con tiristores y snubber ........................................................... Capacitancia interna del SCR................................................................................ Diagrama esquemtico con red snubber utilizado para el anlisis........................ Voltaje en los tiristores (ngulo de disparo de 56) .............................................. Conmutacin de Vt (ngulo de disparo de 56) .................................................... Voltaje en los tiristores.......................................................................................... Reactancia equivalente de un sistema multimdulos............................................ Corriente de lnea con = 56 y = 57 ............................................................ Corriente de lnea con mdulos a diferente valor de ........................................ Generacin de seales de entrada, medicin de seales de salida y almacenamiento de datos ...................................................................................... Procedimiento general del proceso de identificacin............................................ Construccin general del proceso y modelo ......................................................... Seales de prueba.................................................................................................. Ajuste de una lnea recta a travs de un conjunto de puntos................................. Diagrama esquemtico del reactor ........................................................................ Circuito equivalente del reactor y su componente resistiva.................................. Circuito de prueba del reactor ............................................................................... Impedancia del reactor medida y calculada contra la frecuencia.......................... Diagrama esquemtico del capacitor .................................................................... Circuito de prueba del capacitor ........................................................................... Impedancia del capacitor medida y calculada contra la frecuencia ...................... Diagrama esquemtico del circuito de disparo ..................................................... Etapa de acondicionamiento de seal ................................................................... Etapa del actuador ................................................................................................. Diagrama esquemtico del circuito de prueba ...................................................... Diagrama esquemtico del TCSC de laboratorio usado en simulacin ................ Impedancia equivalente a frecuencia fundamental del circuito de prueba ........... Perodo transitorio del TCSC con = 42 ........................................................... Principales variables del TCSC con = 42 ........................................................ Perodo transitorio del TCSC con = 50 ........................................................... Principales variables del TCSC con = 50 ........................................................ Perodo transitorio del TCSC con = 69 ...........................................................

42 43 44 46 47 48 50 51 52 52 53 53 54 59 60 60 61 63 64 69 70 72 73 73 76 77 78 79 79 80 81 82 83 84 86 86 87 90 90 91 91 92

NDICE DE FIGURAS

5.6. 5.7. 5.8. 5.9. 5.10. 5.11. 5.12. 5.13. 5.14. 5.15. 5.16. 5.17. 5.18. 5.19. 5.20. 5.21. 5.22. 5.23. 5.24. 5.25. 5.26. 5.27. 5.28. 5.29. 5.30. 5.31. 5.32. 5.33. 5.34. 5.35. 5.36. 5.37. 5.38. 5.39. 5.40. 5.41.

Principales variables del TCSC con = 69 ........................................................ 92 Corriente de lnea con = 69 ............................................................................. 93 Corriente en los tiristores con = 69 ................................................................. 94 Voltaje en el capacitor con = 69 ...................................................................... 94 Corriente de lnea ante cambios escaln en el ngulo de disparo ......................... 95 Corriente en tiristores ante cambios escaln en el ngulo de disparo................... 96 Voltaje en el capacitor ante cambios escaln en el ngulo de disparo.................. 96 Principales variables del TCSC ante cambios escaln en ................................ 97 Contenido armnico de I l con = 42 ............................................................... 98 Contenido armnico de I l con = 50 ............................................................... 99 Contenido armnico de I l con = 69 ............................................................... 99 Contenido armnico de I t con = 42 ............................................................... 100 Contenido armnico de I t con = 50 ............................................................... 100 Contenido armnico de I t con = 69 ............................................................... 101 Contenido armnico de Vc con = 42 .............................................................. 101 Contenido armnico de Vc con = 50 .............................................................. 102 Contenido armnico de Vc con = 69 .............................................................. 102 Principales variables del TCSC cuando Rm = 0.1 ............................................. 103 Principales variables del TCSC cuando Rm = 1 ................................................ 104 Contenido armnico de I l cuando Rm = 0.1 ..................................................... 105 Contenido armnico de I l cuando Rm = 1 ........................................................ 105 Contenido armnico de I t cuando Rm = 0.1 ..................................................... 106 Contenido armnico de I t cuando Rm = 1 ........................................................ 106 Contenido armnico de Vc cuando Rm = 0.1 .................................................... 107 Contenido armnico de Vc cuando Rm = 1 ....................................................... 107 Seales del TCSC con = 31 ............................................................................. 109 Seales del TCSC con = 24 ............................................................................. 109 Seales del TCSC con = 16 ............................................................................. 110 Seales del TCSC con = 50 ............................................................................. 110 Seales del TCSC con = 60 ............................................................................. 111 Contenido armnico de I l con = 31 ............................................................... 111 Contenido armnico de I l con = 24 ............................................................... 112 Contenido armnico de I l con = 16 ............................................................... 112 Circuito usado en laboratorio con la inclusin de una red snubber ...................... 113 Voltaje en los tiristores al momento de la conmutacin ....................................... 114 Voltaje y corriente en los tiristores con = 42 .................................................. 115

IX

INTRODUCCIN
Con el advenimiento de la electrnica de potencia se han desarrollado dispositivos, hoy conocidos como FACTS, que aprovechan las bondades de los elementos semiconductores de potencia con el fin de mejorar el desempeo de la red elctrica. Actualmente los sistemas elctricos de potencia son redes de gran tamao y complejidad no solo en extensin territorial sino tambin en la cantidad y diversidad de los elementos que los conforman, debido a esto presentan un gran nmero de problemas operativos y de control, que se traducen en prdidas econmicas para las compaas suministradoras de servicio elctrico, as como para los usuarios. Los dispositivos FACTS se han consolidado como una alternativa de solucin a muchos de los problemas que actualmente enfrenta el sector elctrico, puesto que stos permiten controlar los parmetros que rigen la transferencia de potencia. Adems presentan una serie de beneficios como la utilizacin de lneas de transmisin muy cerca de sus lmites trmicos, incremento de los mrgenes de estabilidad, control del flujo de potencia a travs de rutas preestablecidas, entre otros. Esto tiene como consecuencia un mejor aprovechamiento de los recursos disponibles permitiendo as ahorros en el aspecto econmico. Si bien los dispositivos FACTS se instalan para operar en estado estacionario, son bien conocidas las virtudes que stos tienen en estado transitorio, adems de ayudar al amortiguamiento de oscilaciones, estabilidad de voltaje, estabilidad dinmica, compensacin de reactivos, limitacin de corrientes de falla y en problemas de resonancia subscrona. Uno de los FACTS que ms importancia ha tomado desde su advenimiento es el capacitor serie controlado por tiristores (TCSC): Este dispositivo se inserta en serie con la lnea de transmisin y consta de un reactor controlado por tiristores (TCR) conectado en paralelo con un capacitor fijo, permitiendo as un control efectivo de la corriente de lnea y por consiguiente de la potencia transmitida, tambin contribuye de manera positiva en el amortiguamiento de oscilaciones de potencia, estabilidad transitoria y dinmica y estabilidad de voltaje, entre otros; debido a esto es que se lleva a cabo ste trabajo de investigacin enfocado a su anlisis e implementacin en laboratorio. La principal motivacin de ste trabajo es el contar con un dispositivo fsico que permita verificar modelos matemticos y simuladores; por otro lado tambin puede utilizarse para corroborar el desempeo de estrategias de control. Esto permite a la comunidad educativa materializar el trabajo terico desarrollado, as como ganar experiencia en el uso y diseo de dispositivos FACTS con miras al diseo, construccin y aplicacin de stos en redes elctricas de gran tamao. As, el objetivo de ste trabajo de investigacin es construir a nivel laboratorio un dispositivo FACTS, especficamente el TCSC, con el propsito de verificar los resultados
X

INTRODUCCIN

tericos presentados en la literatura y profundizar en el estudio de aspectos no tratados anteriormente. El trabajo est estructurado en cinco captulos, de los cuales los dos primeros representan una investigacin bibliogrfica, y los tres siguientes muestran el cuerpo del trabajo de investigacin conformado de una parte desarrollada en simulacin y finalmente los aspectos relativos a la implementacin real y pruebas de desempeo del dispositivo. En el captulo I se hace una revisin de dispositivos FACTS, puntualizando sus caractersticas de operacin, de desempeo, as como su conexin en el sistema de potencia. En el captulo II se presenta una revisin de dos de los dispositivos de electrnica de potencia ms importantes en la tecnologa FACTS, explicando sus principales caractersticas as como sus ventajas y desventajas, adems se revisan aspectos referentes a la modulacin de ancho de pulso y a una de las tcnicas mas utilizadas que es la modulacin senoidal. El captulo III muestra una serie de resultados en simulacin acerca de aspectos que se presentan en la operacin real del TCSC, como son la consideracin de la resistencia asociada al reactor del dispositivo. Se presenta una metodologa para el clculo de redes de amortiguamiento, necesarias para la operacin segura de sistemas con tiristores que contienen cargas inductivas. Por ltimo se analizan las caractersticas del dispositivo considerando varios mdulos, ste captulo es un prembulo a la implementacin fsica del TCSC. En el captulo IV se muestra la identificacin de parmetros de los elementos que componen al TCSC, empleando una prueba de respuesta a la frecuencia; se presenta tambin la descripcin referente a la construccin del circuito de disparo utilizado, haciendo nfasis en las etapas que lo conforman. Asimismo se explica lo que concierne a la adquisicin de las seales usando una tarjeta de adquisicin de datos y lo que respecta al circuito de prueba. En el captulo V se presentan los resultados obtenidos en laboratorio al realizar pruebas de desempeo al TCSC que comprenden el anlisis de las principales seales en estado transitorio y estable, stas ltimas comparadas con simulaciones. Tambin se llevan a cabo pruebas para analizar la respuesta al cambio escaln en el ngulo de disparo, adems se analiza el contenido armnico de las seales. Se estudian los efectos que trae consigo la inclusin de la resistencia asociada al reactor del dispositivo, tales como amortiguamiento, deformacin y contenido armnico de las seales del TCSC.

XI

INTRODUCCIN

Finalmente se ilustran los resultados obtenidos al insertar una red snubber al TCSC, puntualizando el efecto que tiene sta sobre la razn de cambio del voltaje a travs de los tiristores. Se hace hincapi en el hecho de que los resultados obtenidos arrojan conclusiones comparables a las presentadas en la literatura, as como de las obtenidas en simulacin.

XII

CAPTULO I
FACTS: Descripcin general
1.1. Introduccin
En ste captulo se revisa la problemtica de los sistemas elctricos de potencia, haciendo nfasis en el uso de los dispositivos conocidos como FACTS para la solucin de problemas de estado estacionario y dinmico, debido al gran nmero de ventajas que stos presentan sobre los dispositivos de conmutacin mecnica. Se revisa tambin la clasificacin de FACTS en funcin de la forma de conexin que estos dispositivos tienen en la red. As como una descripcin de los principales dispositivos, clarificando las diferencias entre ellos y mencionando sus principales caractersticas.

1.2. Problemtica
Actualmente los sistemas elctricos de potencia constan de una gran cantidad de interconexiones, no slo entre compaas prestadoras de servicio elctrico pertenecientes a un pas, sino tambin entre sistemas de diferentes pases [1]; esto obedece principalmente a cuestiones de carcter econmico y de seguridad en la operacin del sistema. Las interconexiones en los sistemas de potencia tienen el propsito de compartir plantas generadoras, as como cargas; de esta manera se minimizan los costos de generacin, debido a que si la carga puede alimentarse utilizando cualquier planta generadora se pueden utilizar las ms econmicas. El costo de lneas de transmisin, as como las dificultades que se presentan para su construccin, su localizacin, derecho de va, etc., a menudo limitan la capacidad de transmisin, trayendo como consecuencia que se presenten casos en los que no se puede disponer de la energa de menor costo. A medida que un sistema de potencia crece en trminos de transferencia de energa y extensin territorial se hace ms complejo y difcil de controlar. Esto puede traer como consecuencia grandes flujos de potencia en lneas sin un control adecuado, as como

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

oscilaciones dinmicas en el sistema, evitando la utilizacin plena del potencial de transmisin. En los ltimos aos la demanda en los sistemas de potencia ha aumentado y seguir incrementndose, lo que conlleva a una serie de problemas como sobrecarga y/o subutilizacin del potencial de transmisin. En la actualidad los sistemas elctricos de potencia estn bsicamente controlados por dispositivos mecnicos. En los esquemas de proteccin y control se utilizan una gran variedad de dispositivos electrnicos, sistemas de cmputo y telecomunicaciones. Sin embargo, cuando se toma la accin de control y las seales llegan a los circuitos de potencia, los dispositivos de conmutacin son mecnicos y presentan una velocidad de respuesta baja, as como una tendencia a desgastarse rpidamente comparados con los dispositivos estticos, esto presenta una limitante en la velocidad de operacin. As, el desempeo de estos dispositivos representa desde el punto de vista de operacin en estado estable y dinmico un problema de controlabilidad del sistema. Este tipo de limitaciones se han venido solucionando de tal manera que el sistema de potencia opere de manera efectiva y segura, con la ventaja, por ejemplo, de tener mejores mrgenes de operacin. Los dispositivos FACTS son una tecnologa basada en elementos de electrnica de potencia de alta velocidad [4], y pueden solucionar problemas que se presentan en los sistemas de potencia, como obtener el mayor provecho de los sistemas de transmisin y ayudar a la estabilidad del sistema [2]. Mediante el uso de la tecnologa FACTS se puede controlar el flujo de potencia y mejorar la capacidad til de las lneas de transmisin. Estos dispositivos permiten controlar la corriente en una lnea a un costo relativamente bajo comparado con lo que representa su construccin, esto abre nuevas expectativas para incrementar la capacidad de las lneas ya existentes y/o controlar el flujo de potencia a travs de ellas. La posibilidad en las mejoras estriba en que los controladores FACTS poseen la cualidad de controlar todas las caractersticas fundamentales de los sistemas de potencia; perfil de voltaje, flujos en lneas, impedancia serie y derivacin y la topologa de la red [3]. Mediante la modificacin de dichos parmetros estos dispositivos pueden forzar el flujo de potencia en una lnea cerca de su lmite trmico. Los FACTS son un conjunto de controladores que pueden ser utilizados de manera individual o coordinados para controlar uno o varios de los parmetros mencionados [1]. Un dispositivo FACTS bien seleccionado y bien ubicado puede disminuir las limitaciones especficas de una lnea. Los dispositivos de conmutacin mecnica pueden sustituirse por dispositivos electrnicos de potencia de respuesta rpida, aunque debe tenerse en cuenta que los dispositivos FACTS no son un substituto para los conmutadores mecnicos. Previo a la introduccin del concepto de FACTS hecha por Narain G. Hingorani, ya se haban utilizado controladores basados en electrnica de potencia que ahora entran en el concepto. Uno de estos dispositivos es el compensador esttico de reactivos (SVC). El cual fue utilizado por primera vez en el control de un sistema de transmisin de CA en 1978 en un proyecto conjunto del EPRI y la Minnesota Power and Light [5]. Este dispositivo se
2

CAPTULO I

FACTS: DESCRIPCIN GENERAL

conecta en derivacin para control de voltaje. An antes que los SVCs hubo dos versiones de reactores estticos saturables que se utilizaban para la limitacin de sobrevoltajes.

1.3. Importancia de los parmetros del sistema

Mediante el uso de los dispositivos FACTS es posible controlar parmetros de las lneas, afectando as el flujo de potencia a travs de stas como se muestra a continuacin [6]. El control de la impedancia de lnea permite un control efectivo de la corriente. Si la diferencia angular no es grande, que por lo general es lo deseado, el control de la impedancia de lnea o del ngulo permite el control de la potencia activa. La inyeccin de un voltaje en serie con la lnea a cualquier ngulo de fase con respecto al voltaje en la lnea permite el control de la magnitud y la fase de la corriente de lnea. Esto significa que la inyeccin de un fasor de voltaje con ngulo de fase variable puede controlar con precisin el flujo de potencia activa y reactiva. La inyeccin de un voltaje en serie, y ortogonal al flujo de corriente proporciona la posibilidad de incrementar o decrementar la magnitud de dicha corriente; como el flujo de corriente est retrasado 90 del voltaje de lnea, la inyeccin de potencia reactiva en serie permite el control de la corriente de lnea y por consiguiente la potencia activa si la diferencia angular no es grande.

1.4. Flujo de potencia en rutas paralelas

Para ilustrar las bondades que presentan los dispositivos FACTS se considera el siguiente ejemplo. En la Fig. 1.1 [6] se muestra un rea de gran generacin representada por el generador G1 que suministra potencia hacia un rea con dficit de generacin representada por el generador G2 a travs de dos rutas paralelas. Si no se aplica ningn tipo de control, la transferencia de potencia es inversamente proporcional a las impedancias de las lneas de transmisin que intervienen.
Gen. 1 Impedancia = X Potencia =2/3 Impedancia = 2X Potencia =1/3 Gen. 2

Carga

Carga

Fig. 1.1. Red con transmisin en rutas paralelas.

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Una de las alternativas que existen para remediar este problema es el uso de un controlador FACTS en serie con la lnea de transmisin como se muestra en la Fig. 1.2 [6]. Al controlar la impedancia, Fig. 1.2a, o el ngulo de fase, Fig. 1.2b, se puede controlar el flujo de potencia a voluntad hasta prcticamente alcanzar el lmite trmico de la lnea.
Gen. 1 Impedancia variable Flujo de potencia deseado Carga a) Carga Gen. 2

Gen. 1 ngulo de fase variable Flujo de potencia deseado Carga b) Fig. 1.2. Controladores FACTS en serie con la lnea.

Gen. 2

Carga

1.5. Flujo de potencia en un sistema mallado

Para este caso se considera un esquema simplificado en el que dos generadores ubicados en zonas distintas envan energa a una carga a travs de una red que consiste de tres lneas en una conexin mallada como se muestra en la Fig. 1.3 [1]. Para este ejemplo las lneas G1C, G2C y G1G2 tienen un lmite continuo de carga de 2000, 1250 y 1000 MW, respectivamente. Los lmites de emergencia son del doble para cada una de las lneas y pueden soportarlos por un perodo de tiempo que permita redistribuir la potencia en caso que ocurra la prdida de una de las lneas. Sabemos que la transferencia de potencia se rige de acuerdo a la impedancia serie de la lnea que es altamente inductiva y es independiente de lmites trmicos, prdidas en la lnea o contratos de suministro. Si el generador G1 tiene un nivel de generacin de 2000 MW y el generador G2 de 1000 MW se est entregando a la carga un total de 3000 MW. Las impedancias para cada lnea se muestran en la Fig. 1.3, as como el flujo de potencia transmitido para cada una dependiendo de su impedancia. Como puede observarse estos niveles de transferencia de potencia sobrecargan la lnea G2C. Para corregir este problema se podra disminuir la generacin en G2 y aumentar en G1, y de esta manera alimentar la carga sin sobrecargar la lnea G2C.
4

CAPTULO I 1400MW

FACTS: DESCRIPCIN GENERAL

G1

10
2000MW

3000MW Carga

10
600MW

5
1600MW

G2

1000MW

Fig. 1.3. Red de transmisin mallada.

Si se inserta un capacitor con una reactancia a frecuencia fundamental de 5 , como se muestra en la Fig. 1.4a, la impedancia total de la lnea se reduce de 10 a 5 , de esta manera el flujo de potencia a travs de las lneas G1G2, G2C y G1C ser de 250, 1250 y 1750 MW respectivamente [1]. Es obvio suponer que si el capacitor serie es ajustable se podrn alcanzar otros niveles de transferencia de potencia dependiendo de las necesidades del sistema. Si el capacitor es de conmutacin mecnica se ver limitado en trminos de velocidad de operacin ya que los componentes mecnicos tienden a desgastarse; de esta manera el dispositivo no podr cubrir los requerimientos de carga en las lneas ya que estos cambian de manera continua con las condiciones operativas, pronsticos de generacin y salida de lneas. La compensacin capacitiva serie puede provocar resonancia elctrica con valores por debajo de la frecuencia fundamental, que puede interactuar con las resonancias mecnicas de los sistemas turbina-generador que alimentan la lnea y causar as un problema de resonancia subsncrona (SSR) [7], la cual presenta valores tpicos de 10 a 50 Hz para un sistema de 60 Hz. Este fenmeno se presenta cuando una de las frecuencias de resonancia mecnica de la flecha de un generador multiturbina coincide con la frecuencia sncrona (60 Hz) menos la frecuencia de resonancia elctrica del capacitor y la impedancia inductiva de la lnea. La resonancia subsncrona puede llegar a daar la flecha de la turbina si no se corrige a tiempo. Por otra parte si el capacitor es controlado parcial o totalmente por tiristores puede operarse tan velozmente como se desee, puede modularse para amortiguar cualquier condicin de resonancia subsncrona; esta caracterstica permite al sistema pasar de una condicin de operacin en estado estacionario a otra sin el riesgo de dao a la flecha del generador. De esta manera un capacitor serie controlado por tiristores (TCSC) puede mejorar significativamente la estabilidad de la red, as como controlar de manera rpida la potencia activa a travs de una lnea de transmisin [8].

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC G1 2000MW 250MW 1250MW

1750MW

C 3000MW Carga

G2 G1 a) C

1000MW G1 -4.24 C

7
G2 b) G2 c)

Fig. 1.4. Dispositivos FACTS utilizados en una red mallada.

Volviendo al ejemplo de la red mallada, al insertar un reactor de 7 en serie con la lnea G2C se incrementa su impedancia, y se obtiene la misma distribucin de flujos de potencia que utilizando el capacitor serie, sto se muestra en la Fig. 1.4b [1]. Al igual que como ocurre con el capacitor, el reactor serie puede ser controlado por tiristores, de esta manera se consigue ajustar el flujo de potencia as como el amortiguamiento de oscilaciones. Otra de las opciones es instalar un regulador de ngulo de fase controlado por tiristores en lugar de un capacitor o un reactor serie, ste puede colocarse en cualquiera de las tres lneas y obtenerse resultados similares. En la Fig. 1.4c el regulador se instala en la lnea G1C para reducir la diferencia de ngulo de fase entre ambas barras [1]. Del ejemplo anterior puede notarse que usando un solo controlador FACTS se obtiene el resultado deseado, adems se pueden emplear diferentes dispositivos en diferentes lneas. As, la decisin del tipo de controlador y el lugar de instalacin se puede hacer tomando en cuenta aspectos econmicos, operativos, etc. Beneficios posibles de la tecnologa FACTS [1]. Un mayor control de potencia, para permitir el flujo en rutas preestablecidas. Incremento de la capacidad de carga de la lnea hasta su lmite trmico. Amortiguamiento de oscilaciones de potencia que pueden daar equipos o limitar la capacidad de transmisin til.

CAPTULO I

FACTS: DESCRIPCIN GENERAL

Una mayor habilidad para la transferencia de potencia entre reas controladas para poder reducir el margen de reserva de generacin. Incremento del uso de fuentes de generacin de costo ms bajo. Limitar los efectos de fallas en el sistema y fallas en equipos previniendo salidas en cascada.

1.6. Tipos bsicos de controladores FACTS

De manera general los controladores FACTS pueden dividirse en cuatro categoras [6]. Controladores serie. Controladores en derivacin. Controladores serie-serie. Controladores serie-derivacin.

Controlador serie (Fig. 1.5a). El controlador serie puede consistir en una impedancia variable como un capacitor, reactor, etc., o una fuente variable de voltaje basada en electrnica de potencia a frecuencia fundamental, subsncrona, armnica o una combinacin de ellas. El principio de operacin de todos los controladores serie es inyectar un voltaje en serie con la lnea. Una impedancia variable multiplicada por la corriente que fluye a travs de ella representa un voltaje en serie inyectado a la lnea. Mientras el voltaje est en cuadratura con la corriente de lnea, el controlador serie solo aporta o consume potencia reactiva; cualquier otro ngulo de fase representa manejo de potencia activa. Controlador en derivacin (Fig. 1.5b). Al igual que como sucede con el controlador serie, el controlador en derivacin puede consistir de una impedancia variable, fuente variable de voltaje, o una combinacin de ambas. El principio de operacin de todos los controladores en derivacin es inyectar corriente al sistema en el punto de conexin. Una impedancia variable conectada al voltaje de lnea causa un flujo de corriente variable que representa una inyeccin de corriente a la lnea. Mientras la corriente inyectada est en cuadratura con el voltaje de lnea, el controlador en derivacin solo aporta o consume potencia reactiva; cualquier otro ngulo de fase representa manejo de potencia activa.

e
Lnea

Lnea

a)

b)

Fig. 1.5. Diagrama esquemtico del controlador serie y derivacin.

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Controlador serie-serie (Fig. 1.6a). Este tipo de controlador puede ser una combinacin de dispositivos serie independientes controlados de manera coordinada en un sistema de transmisin multilnea. Puede tambin ser un controlador unificado en el que los dispositivos serie proveen compensacin reactiva serie para cada lnea, adems de transferencia de potencia activa entre lneas a travs del enlace de potencia. La capacidad de transferencia de potencia activa que presenta un controlador serie-serie unificado, llamado controlador de flujo de potencia interlnea hace posible el balance de flujo de potencia activa y reactiva en las lneas y de esta manera maximiza el uso de los sistemas de transmisin. En este caso el trmino unificado significa que las terminales de CD de los convertidores de todos los controladores se conectan para lograr una transferencia de potencia activa entre s. Controlador serie-derivacin (Fig. 1.6b). Este dispositivo puede ser una combinacin de dispositivos en derivacin y serie controlados de manera coordinada, o un controlador de flujo de potencia unificado con elementos serie y derivacin. El principio de operacin de los controladores serie-derivacin es inyectar corriente al sistema con la parte en derivacin del controlador, y voltaje en serie con la lnea utilizando la parte serie. Cuando los controladores serie y derivacin son unificados puede haber un intercambio de potencia activa entre ellos a travs del enlace de potencia. e
Lneas de CA Lnea

i
Enlace de CD Control coordinado b)

a)

Fig. 1.6. Diagrama esquemtico del controlador serie-serie y serie-derivacin.

1.7. La importancia de los diferentes tipos de controladores

Es importante notar que un controlador serie tiene su impacto sobre el voltaje de lnea y por consiguiente directamente sobre el flujo de corriente y potencia a travs de la lnea. Por otro lado si el propsito de utilizar un dispositivo es controlar el flujo de corriente/potencia y el amortiguamiento de oscilaciones, el controlador serie es ms poderoso que el controlador en derivacin, ya que ste permite la posibilidad de modificar la impedancia serie de la lnea de transmisin, que es uno de los parmetros que determinan el flujo de corriente/potencia [6]. De manera similar, el controlador en derivacin puede verse como una fuente de corriente que extrae o inyecta corriente a la lnea. De esta manera un dispositivo en derivacin es una forma de controlar el voltaje en y alrededor del punto de conexin a travs de la inyeccin de corriente reactiva en atraso o en adelanto, puede tambin darse una combinacin de

CAPTULO I

FACTS: DESCRIPCIN GENERAL

corriente activa y reactiva para un control ms efectivo de voltaje y amortiguamiento de oscilaciones de voltaje. Lo anterior no significa que no se pueda utilizar un controlador serie para mantener el voltaje de lnea dentro de un rango especificado. Despus de todo, las fluctuaciones de voltaje son en gran medida una consecuencia de la cada del voltaje en la impedancia serie de las lneas, transformadores y generadores. As, si se utiliza un controlador FACTS en serie se puede mejorar el perfil de voltaje, pero a un costo muy elevado. Un controlador en derivacin es mucho ms efectivo para mantener el perfil de voltaje requerido en una subestacin. Una de las ventajas del controlador en derivacin es que abastece al nodo independientemente de las lneas conectadas a l. Si la solucin de un problema involucra controladores serie se podra requerir, aunque no necesariamente, un controlador para cada una de las lneas conectadas a la subestacin; no obstante, esto no implica una razn decisiva para elegir un controlador en derivacin, ya que el nivel de potencia requerido en un controlador serie es pequeo comparado con el de un controlador en derivacin. De cualquier manera el dispositivo en derivacin no puede controlar el flujo de potencia sobre las lneas. Por otro lado, se sugiere disear los controladores serie para operar durante contingencias, sobrecargas dinmicas y corrientes de corto circuito. Estos dispositivos se pueden proteger mediante supresores de picos, o a travs de dispositivos de estado slido que inhiben su operacin cuando la corriente de falla es demasiado grande. De lo expuesto anteriormente se puede prever que la combinacin de controladores serie y derivacin puede ofrecer las ventajas de cada uno de ellos, como lo son control de flujo de corriente/potencia de lnea y el control de voltaje nodal.

1.8. Breve descripcin y definicin de los controladores FACTS

En sta seccin se describen y se definen brevemente controladores en derivacin, serie y serie-derivacin; los prrafos en letra cursiva corresponden a definiciones del grupo de trabajo de FACTS de IEEE [9]. Debe mencionarse que los controladores basados en convertidores pueden usar convertidores de voltaje de corriente, ambos en base a tiristores de apagado por compuerta. Como se muestra en la Fig. 1.7a el convertidor de voltaje se representa por un tiristor de apagado por compuerta en paralelo con un diodo conectado inversamente y un capacitor de CD como fuente de voltaje. El convertidor de corriente se representa por un tiristor de apagado por compuerta con un diodo en serie y un reactor de CD como fuente de corriente, como se muestra en la Fig. 1.7b.

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Para el convertidor de voltaje, el voltaje de CD del capacitor se presenta, en el lado de CA, como un voltaje de CA a travs de la conmutacin de los tiristores en forma secuencial. A travs de una configuracin adecuada del convertidor es posible controlar la salida de voltaje de CA en magnitud y fase con relacin al voltaje de CA del sistema.
Lnea Lnea

a)

b)

Fig. 1.7. Diagrama esquemtico del STATCOM basado en convertidores de voltaje y corriente.

Cuando la capacidad de almacenamiento del capacitor de CD es pequea y no hay otra fuente de poder conectada, ste no puede proporcionar o absorber potencia activa ms de un ciclo. El voltaje de CA de salida se mantiene a 90 con respecto a la corriente de CA, en adelanto o en atraso, en este caso el convertidor se usa para absorber o suministrar nicamente potencia reactiva. Para el convertidor de corriente, la corriente de CD se representa en el lado de CA a travs de la conmutacin de tiristores en forma secuencial como una corriente de CA variable en amplitud y fase con relacin al voltaje de CA del sistema. Desde un punto de vista de costo se prefieren los convertidores de voltaje sobre los de corriente. El grupo de trabajo de FACTS de IEEE sugiere trminos y definiciones para dispositivos FACTS y para controladores FACTS [9]. Se presentan ahora las definiciones de los trminos ms comunes en la literatura. Flexibilidad de transmisin de potencia elctrica. La habilidad de hacer cambios en el sistema elctrico de transmisin o condiciones de operacin mientras se mantienen mrgenes suficientes de estado estable y transitorio. Sistemas de transmisin flexibles de CA (FACTS). Sistemas de transmisin de corriente alterna que incorporan electrnica de potencia y otros controladores estticos, para incrementar la controlabilidad y la capacidad de transferencia de potencia.

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CAPTULO I

FACTS: DESCRIPCIN GENERAL

En la definicin anterior debe hacerse notar que las palabras otros controladores estticos implican que puede haber otros controladores estticos que no estn basados en electrnica de potencia. Controlador FACTS. Sistema basado en electrnica de potencia y otros equipos estticos que proporcionan control sobre uno o ms de los parmetros de los sistemas de transmisin de CA.

1.8.1. Controladores en derivacin

Compensador esttico sncrono (STATCOM). Compensador esttico sncrono operado como compensador esttico de reactivos en derivacin, en el que es posible controlar la corriente de salida capacitiva o inductiva de manera independiente del voltaje de CA del sistema. El STATCOM es uno de los controladores FACTS ms importantes. Puede estar basado en convertidores de corriente o de voltaje. La Fig. 1.7 muestra un diagrama simple de una lnea con un STATCOM basado en un convertidor de voltaje y en un convertidor de corriente. Generador esttico sncrono (SSG). Convertidor esttico de potencia autoconmutado alimentado de una fuente de energa elctrica apropiada y operado para producir un conjunto de voltajes de salida multifase ajustables, que puede ser acoplado a un sistema de potencia de CA con el propsito de intercambiar independientemente y de manera controlada potencia activa y reactiva. Claramente el SSG es una combinacin de STATCOM y cualquier fuente de energa para absorber o suministrar potencia. El trmino SSG, generaliza la conexin de cualquier fuente de energa incluyendo una batera, imn superconductor, capacitor de CD de gran almacenamiento, otro rectificador/inversor, etc., su diagrama esquemtico se muestra en la Fig. 1.8. Dentro de la definicin de SSG est tambin el sistema de almacenamiento de energa de batera (BESS), definido por IEEE como. Sistema de almacenamiento de energa de batera (BESS). Sistema de almacenamiento de energa basado en qumica que usa conexin paralela de convertidores de voltaje capaces de ajustar rpidamente la cantidad de energa que es entregada o absorbida del sistema de potencia. La Fig. 1.8 muestra un diagrama simple de una lnea en donde el medio de almacenamiento est conectado a un STATCOM. Para aplicaciones de transmisin, el tamao de la unidad BESS de almacenamiento tiende a ser pequea, aproximadamente de unas cuantas decenas de MVAs.

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DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Otro subconjunto del SSG, adecuado para aplicaciones de transmisin, es el imn superconductor de almacenamiento de energa (SMES), a continuacin se presenta la definicin dada por IEEE.
Lnea

Interfaz Almacenamiento Fig. 1.8. Diagrama esquemtico de la unidad BESS, el SSG y el SMES.

Imn superconductor de almacenamiento de energa (SMES). Dispositivo electromagntico superconductor de almacenamiento de energa que contiene convertidores electrnicos que rpidamente inyectan y/o absorben potencia activa y/o reactiva o controlan en forma dinmica el flujo de potencia en un sistema de CA. Ya que la corriente de CD en el imn no puede cambiar rpidamente, la entrada o salida de potencia en el imn se ajusta controlando el voltaje a travs de l utilizando una interfaz electrnica apropiada para la conexin con un STATCOM, en la Fig. 1.8 se muestra su diagrama esquemtico. Compensador esttico de reactivos (SVC). Este dispositivo genera o absorbe potencia reactiva, la salida se ajusta para intercambiar corriente capacitiva o inductiva y as mantener o controlar parmetros especficos (tpicamente el voltaje en una barra) del sistema elctrico de potencia. Este es un trmino general para un reactor controlado o conmutado por tiristores, y/o un capacitor conmutado por tiristores, o una combinacin de ambos. El SVC se basa en tiristores convencionales, es decir, dispositivos sin capacidad de apagado. La diferencia que existe entre ste dispositivo y un STATCOM estriba en el principio bsico de operacin. En el STATCOM la compensacin se hace mediante un generador de reactivos en base a convertidores, los cuales funcionan como una fuente de voltaje sncrono conectada en derivacin; por otro lado el SVC opera a base de TCRs y TSCs que hacen la funcin de una admitancia reactiva controlada conectada en derivacin, su diagrama esquemtico se muestra en la Fig. 1.9.

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CAPTULO I

FACTS: DESCRIPCIN GENERAL

Lnea

Filtro Fig. 1.9. Diagrama esquemtico del SVC.

Reactor controlado por tiristores (TCR). Reactor controlado por tiristores que vara su reactancia efectiva de manera continua mediante control parcial de conduccin de los tiristores. El TCR es un subconjunto del SVC en el que el tiempo de conduccin, y por lo tanto la corriente en el reactor en derivacin est controlada por un conmutador de tiristores con control de ngulo de disparo, en la Fig. 1.10b se muestra su diagrama esquemtico. Reactor conmutado por tiristores (TSR). Reactor conmutado por tiristores cuya reactancia efectiva vara mediante la operacin de conduccin total o nula de los tiristores. El TSR es tambin un subconjunto del SVC. El TSR se compone de varios reactores conectados en derivacin que son operados entre encendido y apagado por conmutadores en base a tiristores sin ningn control de ngulo de disparo, para as lograr los cambios requeridos en la potencia reactiva consumida por el sistema. El uso de conmutadores en base a tiristores sin control de ngulo de disparo resulta en costos y prdidas menores, pero con el inconveniente de que no se tiene control continuo, su diagrama esquemtico se muestra en la Fig. 1.10b. Capacitor conmutado por tiristores (TSC). Capacitor en derivacin conmutado por tiristores cuya reactancia efectiva vara de acuerdo a la operacin de los tiristores de conduccin total o nula. El TSC es tambin un subconjunto del SVC en el que los conmutadores de CA basados en tiristores se utilizan para conectar o desconectar unidades de capacitores en serie, para as alcanzar la potencia reactiva requerida por el sistema. A diferencia de los reactores en derivacin, los capacitores en derivacin no pueden conmutarse contnuamente con un control de ngulo de disparo, en la Fig. 1.10a se muestra su diagrama esquemtico.

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DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Lnea

Lnea

a)

b)

Fig. 1.10. Diagrama esquemtico del TSC, el TCR y el TSR.

Resistencia de frenado controlada por tiristores (TCBR) (Fig. 1.11). Una resistencia en derivacin operada en base a tiristores, controlada para dar estabilidad al sistema de potencia o para minimizar la aceleracin de potencia de una unidad generadora durante un disturbio.
Lnea

Fig. 1.11. Diagrama esquemtico del TCBR.

1.8.2. Controladores serie

Compensador serie esttico sncrono (SSSC). Generador esttico sncrono operado sin una fuente de poder externa al igual que un compensador serie, cuya salida de voltaje est en cuadratura y controlada independientemente de la corriente de lnea con el propsito de incrementar o decrementar la cada de voltaje reactivo a travs de la lnea y as controlar la potencia elctrica transmitida. El SSSC puede incluir dispositivos de almacenamiento de energa para transitorios o dispositivos de absorcin de energa para mejorar el comportamiento dinmico del sistema de potencia a travs de compensacin temporal adicional de potencia activa, para

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CAPTULO I

FACTS: DESCRIPCIN GENERAL

incrementar o decrementar momentneamente la cada resistiva de voltaje a travs de la lnea. El SSSC es uno de los controladores FACTS ms importantes. Es parecido a un STATCOM excepto porque el voltaje de CA de salida est en serie con la lnea. Puede construirse en base a convertidores de voltaje o de corriente, su diagrama esquemtico se muestra en la Fig. 1.12a. Capacitor serie controlado por tiristores (TCSC). Compensador de reactancia capacitiva que consiste de un banco de capacitores en serie, en paralelo con un reactor controlado por tiristores a fin de proveer una reactancia capacitiva serie variable. El TCSC est basado en tiristores sin capacidad de apagado. Este dispositivo es una alternativa para el SSSC, y es un dispositivo FACTS muy importante. Un reactor variable como un TCR se conecta en paralelo con un capacitor serie; cuando el ngulo de disparo del TCR es de 180, no existe conduccin a travs del reactor y el capacitor serie tiene su impedancia normal; mientras el ngulo de disparo decrece desde 180, la impedancia capacitiva aumenta; cuando el ngulo de disparo es de 90, existe conduccin total a travs del reactor y la impedancia total se vuelve inductiva, ya que la impedancia del reactor se disea para ser mucho ms baja que la del capacitor serie. Con un ngulo de disparo de 90 el TCSC ayuda a limitar la corriente de falla. Este dispositivo puede consistir de uno o de varios mdulos a fin de lograr un mejor desempeo, en la Fig. 1.12b se muestra su diagrama esquemtico. Capacitor serie conmutado por tiristores (TSSC). Compensador de reactancia capacitiva que consiste de un banco de capacitores serie en paralelo con un reactor conmutado por tiristores para proveer control de reactancia capacitiva. Este dispositivo al no tener control de ngulo de disparo solo puede operar en dos condiciones distintas, ngulo de disparo de 90 o 180, esta caracterstica puede reducir el costo y las prdidas del controlador, su diagrama esquemtico se muestra en la Fig. 1.12b.
Lnea

Lnea

a)

b)

Fig. 1.12. Diagrama esquemtico del SSSC, el TCSC y el TSSC.

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DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Reactor serie controlado por tiristores (TCSR). Compensador de reactancia inductiva que consiste de un reactor serie en paralelo con un TCR a fin de proveer una reactancia inductiva variable. Cuando el ngulo de disparo del TCR es 180 deja de conducir, y el reactor sin control acta como un limitador de corriente de falla. A medida que el ngulo decrece desde 180, la inductancia neta decrece hasta que el ngulo de disparo es de 90, en este punto la inductancia neta es el paralelo de los dos reactores. Este dispositivo al igual que el TCSC puede consistir de una o de varias unidades pequeas en serie, en la Fig. 1.13 se muestra su diagrama esquemtico. Reactor serie conmutado por tiristores (TSSR). Compensador de reactancia inductiva que consiste de un reactor serie en paralelo con un reactor conmutado por tiristores, a fin de proveer control de reactancia inductiva serie. Este dispositivo es un complemento del TCSR, con la diferencia de que en el TSSR los tiristores no tienen control de ngulo de disparo, su diagrama esquemtico se muestra en la Fig. 1.13.

Lnea

Fig. 1.13. Diagrama esquemtico del TCSR y el TSSR.

1.8.3. Controladores combinados serie-derivacin

Controlador de flujos de potencia unificado (UPFC). Es una combinacin del compensador esttico sncrono (STATCOM) y el compensador serie esttico sncrono (SSSC), acoplados a travs de un enlace de CD, para permitir el flujo bidireccional de potencia activa entre las terminales serie de salida del SSSC y las terminales en derivacin de salida del STATCOM, controlados para proveer compensacin activa y reactiva serie sin una fuente de energa elctrica externa. El UPFC a travs de la inyeccin de voltaje en serie, es capaz de controlar el voltaje de lnea, impedancia, y ngulo, o alternativamente el flujo de potencia activa y reactiva de la lnea. El UPFC puede tambin proporcionar compensacin reactiva en derivacin con control independiente. El UPFC es un dispositivo capaz de controlar potencia activa y reactiva a travs de la lnea, as como voltaje de lnea. Esto es debido a que ste dispositivo tiene la capacidad de afectar

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CAPTULO I

FACTS: DESCRIPCIN GENERAL

los parmetros que determinan la transferencia de potencia, como son, magnitudes de voltaje, impedancia de lnea y ngulos de fase [10]. El diagrama esquemtico del UPFC se muestra en la Fig. 1.14a.
Lnea

Lnea

SSSC STATCOM

Enlace de CD a) b)

Fig. 1.14. Diagrama esquemtico del UPFC y el TCPST.

Transformador cambiador de fase controlado por tiristores (TCPST). Transformador cambiador de fase ajustado por tiristores para proporcionar un ngulo de fase que vara rpidamente. Generalmente el cambio de fase se obtiene sumando un voltaje en cuadratura en serie con una de las fases de la lnea. Este vector se obtiene de las otras dos fases a travs de transformadores conectados en derivacin. Para hacer variar ste voltaje se utilizan diferentes configuraciones de dispositivos de electrnica de potencia. Una configuracin capaz de invertir la polaridad del voltaje permite el cambio de fase en cualquier direccin. A este controlador se le conoce tambin como regulador de ngulo de fase controlado por tiristores, en la Fig. 1.14b se muestra su diagrama esquemtico. Controlador de potencia interfase (IPC). Controlador serie de potencia activa y reactiva que consiste, en cada fase, de ramas capacitivas e inductivas sujetas por separado a voltajes con cambio de fase. La potencia activa y reactiva puede ajustarse independientemente a travs de los cambiadores de fase y/o las impedancias de rama, utilizando conmutadores mecnicos o electrnicos. En el caso particular de que la impedancia capacitiva e inductiva formen un par conjugado, cada terminal del IPC es una fuente de corriente pasiva dependiente del voltaje en la otra terminal. El IPC utiliza un grupo trifsico de reactores y capacitores instalados en serie entre dos sistemas o subsistemas de potencia. ste dispositivo asegura una operacin predecible y segura bajo condiciones normales as como de contingencia, de sta manera el IPC es capaz de proporcionar soporte de potencia reactiva para ajuste de voltajes en una condicin de contingencia [11]. La Tabla 1.1 resume los atributos de control de los principales dispositivos FACTS.
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DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC Tabla 1.1. Diversos dispositivos FACTS.

Controladores FACTS Compensador Esttico Sncrono (STATCOM) Generador Esttico Sncrono (SSG)

Atributos de Control Control de voltaje, compensacin de reactivos, amortiguamiento de oscilaciones, estabilidad de voltaje Control de voltaje, compensacin de reactivos, amortiguamiento de oscilaciones, estabilidad transitoria y dinmica, estabilidad de voltaje Compensador esttico de Control de voltaje, compensacin de reactivos, reactivos (SVC, TCR, TSC, amortiguamiento de oscilaciones, estabilidad de voltaje TSR) Resistencia de frenado Amortiguamiento de oscilaciones, estabilidad transitoria y controlada por tiristores dinmica (TCBR) Compensador serie esttico Control de corriente, amortiguamiento de oscilaciones, sncrono (SSSC) estabilidad transitoria y dinmica, estabilidad de voltaje, limitacin de la corriente de falla Compensador serie esttico Control de corriente, amortiguamiento de oscilaciones, sncrono (SSSC con estabilidad transitoria y dinmica, estabilidad de voltaje almacenamiento) Capacitor serie controlado por Control de corriente, amortiguamiento de oscilaciones, tiristores (TCSC, TSSC) estabilidad transitoria y dinmica, estabilidad de voltaje, limitacin de la corriente de falla Reactor serie controlado por Control de corriente, amortiguamiento de oscilaciones, tiristores (TCSR, TSSR) estabilidad transitoria y dinmica, estabilidad de voltaje, limitacin de la corriente de falla Transformador cambiador de Control de potencia activa, amortiguamiento de fase controlado por tiristores oscilaciones, estabilidad transitoria y dinmica, estabilidad (TCPST) de voltaje Controlador Unificado de Control de potencia activa y reactiva, control de voltaje, Flujos de Potencia (UPFC) compensacin de reactivos, amortiguamiento de oscilaciones, estabilidad transitoria y dinmica, estabilidad de voltaje, limitacin de la corriente de falla Controlador de potencia Control de potencia reactiva, control de voltaje, interfase (IPC) amortiguamiento de oscilaciones, estabilidad transitoria y dinmica, estabilidad de voltaje

1.9. Consideraciones adicionales

En un sistema elctrico de potencia se presentan contingencias entre las que pueden estar, prdida de generacin, de carga, de una o varias lneas, etc.; una vez que stas se liberan mediante la operacin de interruptores, relevadores u otros dispositivos de proteccin, el sistema queda en un estado llamado de posfalla, si ste es aceptable el sistema es seguro. La seguridad de un sistema implica tener un margen adecuado de recursos, ya sea de generacin, transmisin, etc., para que ste pueda continuar abasteciendo energa despus
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FACTS: DESCRIPCIN GENERAL

de que ocurre una contingencia, adems de que el personal de operacin pueda controlar elementos ajustables del sistema para garantizar una operacin segura ante posibles fallas; para lograr esto se deben establecer lmites de operacin en el estado de prefalla y a menudo en el estado de posfalla. As, un sistema que satisface estos lmites es seguro para hacer una transicin a un estado aceptable una vez que se ha liberado la falla; la presencia de lmites en el estado de posfalla limitan la operacin del sistema en estado normal, a menudo a expensas de los aspectos econmicos. Una caracterstica que hace que los dispositivos FACTS sean an ms atractivos es que son efectivos en los tres estados de operacin de un sistema: prefalla, transitorio y posfalla [3]. La habilidad que presentan estos dispositivos de controlar transitorios y de afectar rpida y significativamente el estado siguiente inmediato a una falla, con frecuencia significa que el impacto que tienen las restricciones impuestas a ste en las operaciones del sistema en estado normal se pueden minimizar, dejando as una regin de operacin de prefalla mayor para optimizar aspectos econmicos. As, un sistema que se disea adecuadamente con un margen de operacin suficiente, hace posible satisfacer seguridad y economa durante su operacin. Por otro lado, un dispositivo FACTS puede lograr que una lnea opere muy cercana a sus lmites trmicos, esto afecta favorablemente el aspecto econmico, ya que se evita la construccin de nuevas lneas de transmisin, adems de que la energa se puede hacer fluir a travs de rutas establecidas [1], permitiendo as el intercambio de potencia entre diferentes compaas prestadoras de servicio elctrico, as como entre diferentes pases. Una de las consecuencias que trae el incremento en la transferencia de potencia a travs de una o ms lneas del sistema es que puede conducir a sobrecalentamientos; de esta manera, con el uso extensivo de estos dispositivos se har necesario el monitoreo trmico de la red. Otro de los aspectos que tambin deben tomarse en cuenta es que los FACTS, as como cualquier otro componente en el sistema introduce modos a las ecuaciones que rigen su comportamiento, tornndose ste ms complejo; esto puede conducir a interacciones no deseadas entre equipos, debido a esto, debe preverse la coordinacin de todos los controladores del sistema incluyendo aquellos de los dispositivos FACTS, haciendo cada vez ms complejo el control del sistema de potencia. As pues, la inclusin de ste tipo de elementos al sistema de potencia ofrece una serie de ventajas en diferentes aspectos como el econmico, entre otros; pero tambin trae consigo desventajas que deben tomarse en cuenta para la operacin segura del sistema.

1.10. Resumen
Se ha presentado un resumen general del concepto de dispositivos FACTS, sus caractersticas, sus bondades y su clasificacin. Se enfatiza que sta tecnologa har, en un futuro prximo, que los sistemas elctricos de potencia operen de una forma ms segura y confiable. La tendencia de los FACTS se dirige hacia su construccin en base a fuentes conmutadas de voltaje, y muchos de stos dispositivos an se encuentran en etapa de desarrollo y prueba. La mayora de ellos tiene su aplicacin en el mejoramiento de la operacin en estado estacionario aunque secundariamente ayuda a mejorar el estado transitorio.

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DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

1.11. Bibliografa
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[6]

[7] [8]

[9]

[10]

[11]

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CAPTULO II
Elementos de electrnica de potencia
2.1. Introduccin
En ste captulo se presentan dos de los dispositivos de electrnica de potencia ms importantes en la tecnologa FACTS, se describe su principio de funcionamiento, as como sus principales caractersticas. Se explican tambin las condiciones necesarias que deben presentarse para un encendido y apagado correcto de los dispositivos. Adems se revisan tcnicas de modulacin de ancho de pulso, tiles para el control de inversores, que incorporan elementos de electrnica de potencia.

2.2. Tiristor
El nombre tiristor es genrico para dispositivos compuestos de cuatro capas de silicio (pnpn), que presentan un mecanismo interno regenerativo que engancha al dispositivo en el estado de encendido [1]. Estos dispositivos conducen mientras la corriente de carga externa sea ms grande que la corriente de mantenimiento del dispositivo [2]. En circuitos de potencia se utilizan como conmutadores cuatro miembros de este gnero de dispositivos. El rectificador controlado de silicio (SCR). El conmutador de triodo de corriente alterna (TRIAC). El tiristor de apagado por compuerta (GTO). El tiristor controlado por MOS (MCT).

El SCR es un dispositivo semicontrolado que puede encenderse en un tiempo especfico, pero debe apagarse mediante la accin del circuito en el que se encuentra conectado. El GTO y el MCT tienen la capacidad de encendido y apagado utilizando su terminal de control llamada compuerta. Estos dispositivos solo pueden bloquear voltaje en polarizacin directa. El TRIAC es similar al SCR, pero permite conducir y bloquear voltaje en cualquier direccin. A continuacin se describen los dispositivos SCR y GTO.

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DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

2.2.1. Rectificador controlado de silicio

El SCR es el dispositivo tiristor ms utilizado en aplicaciones de electrnica de potencia, su smbolo esquemtico se muestra en la Fig. 2.1. Este dispositivo es semicontrolado, y se enciende mediante un pulso positivo de corriente que se aplica a una de sus terminales llamada compuerta, cuando el nodo es positivo con respecto al ctodo [3], esto inicia un mecanismo interno regenerativo que engancha al dispositivo en su estado de encendido, an cuando la corriente de compuerta ya no est presente [1]. El SCR se apaga cuando la corriente a travs de l cae por debajo de la corriente de mantenimiento.
nodo

Compuerta

Ctodo

Fig. 2.1. Smbolo esquemtico del SCR.

El SCR tiene una estructura pnpn, y su accin de conmutacin puede explicarse mediante la configuracin de retroalimentacin regenerativa de los transistores pnp y npn que componen el dispositivo, esto se muestra en la Fig. 2.2. Con la compuerta abierta el dispositivo est apagado y no circula corriente de nodo a ctodo, excepto por la corriente de fuga. Cuando un pulso positivo de corriente se aplica a la compuerta, la cual es la base del transistor npn, ste se enciende haciendo circular una corriente a travs de l, la cual a su vez es la corriente de base del transistor pnp. La corriente de colector resultante en este dispositivo alimenta la base del transistor npn [2]. Este proceso contina hasta que ambos transistores se saturan, dejando as al SCR en estado de conduccin. El tiempo que dura este proceso de encendido es muy corto, y est limitado por la razn de cambio de la corriente de nodo con respecto al tiempo (dI A dt ) [1].
Ctodo n p n Compuerta n p p n p n p n p nodo Ctodo Pulso Compuerta

nodo

Fig. 2.2. Estructura y modelo de dos transistores del SCR.

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CAPTULO II

ELEMENTOS DE ELECTRNICA DE POTENCIA

2.2.1.1. Caractersticas del SCR Este dispositivo presenta caractersticas importantes entre las cuales estn. Corriente de estado inactivo I D . Cuando el voltaje de nodo se hace positivo con respecto al ctodo, y si no se ha aplicado seal a la compuerta slo fluye una pequea corriente de fuga a travs del dispositivo, y ste se encuentra en estado de bloqueo directo o desactivado. Se le llama corriente de estado inactivo, I D , a la corriente de fuga. Voltaje de ruptura directo VBO . Cuando el dispositivo se sujeta a un voltaje de nodo a ctodo positivo mayor que un valor conocido como voltaje de ruptura directo, VBO , la corriente de fuga del dispositivo es suficiente para hacer entrar en conduccin al SCR en ausencia de corriente de compuerta, a esto se le conoce como ruptura por avalancha. Corriente de enganche I L . Si la corriente de nodo es menor que un valor conocido como corriente de enganche, I L , al reducirse el voltaje de nodo a ctodo el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche es la corriente de nodo mnima que se requiere para mantener al dispositivo en estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de compuerta. Corriente de mantenimiento I H . Si la corriente directa de nodo decae de un nivel conocido como corriente de mantenimiento, I H , el dispositivo entrar en estado de bloqueo. Este parmetro representa la corriente mnima para mantener al SCR en estado de rgimen permanente. Corriente inversa I R . Si el voltaje de ctodo es positivo con respecto al nodo, el dispositivo se encontrar en estado de bloqueo inverso, y una corriente de fuga inversa conocida como corriente inversa, I R , fluir a travs de l. Caracterstica dI A dt . Un SCR requiere de un tiempo mnimo para dispersar la conduccin de la corriente en forma uniforme a travs de sus uniones. Este proceso de conduccin se caracteriza por una velocidad de dispersin, u s , que se considera constante durante todo el proceso [4]. Si la velocidad de elevacin de la corriente de nodo es muy grande en comparacin con la velocidad de dispersin del proceso de activacin, se produce un aumento de temperatura debido a una alta densidad de corriente, que es proporcional al voltaje de nodo a ctodo antes del encendido, as como a la razn de cambio de I A [4]; esto puede provocar un fallo del dispositivo debido a un exceso de temperatura. A esta caracterstica de la corriente de nodo se le conoce como la razn de cambio de la corriente de nodo, dI A dt . Una razn de

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DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

cambio excesivamente grande puede destruir al dispositivo, por esto se protege contra esta caracterstica. Caracterstica dV AK dt . Cuando el voltaje de nodo a ctodo (V AK ) tiene una razn de cambio muy grande, la corriente que fluye a travs de la capacitancia de las uniones cuando V AK est cambiando tiene el mismo efecto que la corriente de compuerta, y si sta es suficientemente grande puede encender al SCR. A sta caracterstica del voltaje V AK se le conoce como la razn de cambio del voltaje de nodo a ctodo, dV AK dt . En la Fig. 2.3 se muestra una curva de las caractersticas voltaje-corriente del dispositivo y a continuacin se describen sus cinco distintas regiones [5]. IA
(3) Cada directa de voltaje (en estado de conduccin) Corriente de Corriente de enganche mantenimiento

(2)
(0)

Voltaje de ruptura directo (1)

(4) Corriente de fuga inversa

V AK
Corriente de fuga directa

(5) Fig. 2.3. Curva caracterstica V I .

0-1. El dispositivo se encuentra en estado de bloqueo directo o desactivado, con una alta impedancia. Se produce la ruptura por avalancha (o el encendido) donde dV AK dI A = 0 ; en el punto 1 se define el voltaje de ruptura directo. 1-2. El dispositivo se encuentra en una regin de resistencia-negativa, esto es, la corriente aumenta mientras el voltaje disminuye rpidamente. 2-3. El dispositivo se encuentra en estado de conduccin o encendido, con una baja impedancia. 0-4. El dispositivo est en estado de bloqueo inverso.
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CAPTULO II

ELEMENTOS DE ELECTRNICA DE POTENCIA

4-5. El dispositivo est en la regin de ruptura inversa. 2.2.1.2. Encendido y apagado del SCR El tiristor se activa cuando se incrementa su corriente de nodo, esto puede darse por distintas causas entre las cuales estn las siguientes [6]: Trmica. Cuando la temperatura del tiristor aumenta, tambin lo hace la corriente de fuga, pudiendo tener como consecuencia la activacin del dispositivo. Luz. La incidencia de luz en las uniones del tiristor puede tambin activar al dispositivo, esto se logra al permitir que la luz llegue a los discos de silicio. Alto voltaje. Si el dispositivo se sujeta a un voltaje directo de nodo a ctodo mayor que el voltaje de ruptura directo VBO , la corriente de fuga resultante ser suficiente para iniciar el proceso regenerativo. Este tipo de activacin puede resultar destructiva, por lo que debe evitarse. dV AK dt . Si la razn de cambio del voltaje de nodo a ctodo es grande, la corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar al tiristor. Un valor grande de corriente de carga puede daar al dispositivo, por lo que el dispositivo se protege contra una relacin dV AK dt grande.

Corriente de compuerta. Si el SCR est polarizado directamente, al aplicar un voltaje positivo entre la compuerta y el ctodo se inyecta una corriente que activa al dispositivo. Cuando el dispositivo se dispara se produce una corriente directa de nodo; se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o activado. En este estado la cada de voltaje se debe a la cada hmica en las cuatro capas del SCR, y es pequea. El SCR se apaga cuando la corriente a travs de l cae por debajo de I H . El apagado del dispositivo puede darse mediante la lnea de CA, esto es, en el semiciclo negativo del voltaje de alimentacin el dispositivo est en polarizacin inversa y se apagar, o puede emplearse un circuito auxiliar [3]. Cuando el SCR est apagado tiene la capacidad de bloquear el voltaje de nodo a ctodo ya sea en polarizacin directa o inversa. Cuando el SCR se apaga, muestra el mismo fenmeno de recuperacin inversa que un diodo, hay un perodo durante el proceso de apagado en el que la corriente de nodo es menor que cero (I A < 0 ) . An despus de que I A = 0 , el SCR es incapaz de bloquear el voltaje directo hasta que la carga que queda en el dispositivo decae por debajo de un valor crtico. Al tiempo requerido para ste proceso se le llama el tiempo de apagado de conmutacin del circuito, t q . Si se aplica un voltaje directo antes de que haya transcurrido

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DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

el tiempo t q , se corre el riesgo de iniciar el proceso regenerativo y encender el dispositivo otra vez [1]. El tiempo t q se especifica en las hojas de datos para un voltaje inverso dado aplicado durante este intervalo, as como para una razn de cambio del voltaje despus de este intervalo [7]. En la Fig. 2.4 se muestra el tiempo t q . Existen formas de reducir t q ajustando el diseo del SCR, aunque una consecuencia adicional es que se tiene un voltaje mayor en estado de encendido. Por esta razn hay dos tipos estndar de SCRs, el tipo rectificador y el inversor. El tipo rectificador tiene un voltaje en estado de encendido menor, pero tiene un tiempo de apagado mayor con relacin al tipo inversor. El tipo rectificador se utiliza generalmente en aplicaciones de rectificacin del voltaje de lnea a frecuencias de hasta 400 Hz y el tipo inversor se usa en aplicaciones de alta frecuencia de conmutacin forzada [7], es decir, se utiliza un circuito de conmutacin para desactivar los dispositivos, tambin se utiliza en manejadores de motores y otras aplicaciones de PWM, as como en convertidores resonantes de alta frecuencia. IA

tq dV AK dt Von V AK

Fig. 2.4. Tiempo de apagado de conmutacin t q .

Los SCR modernos utilizan una compuerta amplificadora, en la que se dispara un dispositivo auxiliar TA mediante una seal de control, la salida amplificada de TA se aplica como seal de compuerta al SCR principal TM , esto se muestra en la Fig. 2.5. La compuerta amplificadora permite caractersticas altamente dinmicas en las razones de cambio dV AK dt y dI A dt , simplificando el diseo de los circuitos de proteccin [6]. Al igual que otros dispositivos semiconductores de potencia, el SCR necesita una red snubber para: (1) proteger el dispositivo de voltajes transitorios; (2) limitar el efecto

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CAPTULO II

ELEMENTOS DE ELECTRNICA DE POTENCIA

dI A dt del nodo; (3) reducir la caracterstica dV AK dt en estado de apagado; (4) reducir las prdidas por conmutacin en el dispositivo [3].

Tiristor auxiliar

Tiristor principal

Fig. 2.5. Diagrama esquemtico de un SCR con compuerta amplificadora.

2.2.2. Tiristor de apagado por compuerta

El GTO es un dispositivo pnpn de enganche, pero tambin de desenganche que puede construirse con especificaciones similares a las de un SCR; su smbolo esquemtico se muestra en la Fig. 2.6. Este al igual que un SCR puede hacerse entrar en conduccin mediante un pulso positivo de corriente aplicado en la compuerta, pero permite tambin la capacidad de apagado mediante un pulso negativo de corriente aplicado a la misma terminal [3].
nodo

Compuerta

Ctodo

Fig. 2.6. Smbolo esquemtico del GTO.

2.2.2.1. Caractersticas del GTO El GTO presenta caractersticas importantes similares a las del SCR, las cuales se resumen a continuacin. Corriente de estado inactivo I D . Voltaje de ruptura directo VBO .
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DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Corriente de enganche I L . Corriente de mantenimiento I H . Corriente inversa I R . Caracterstica dI A dt . Caracterstica dV AK dt . Corriente de pico controlable en estado activo I TGQ . A la corriente de nodo mxima que puede apagarse desde la terminal de compuerta se le denomina corriente de pico controlable en estado activo. Ganancia de apagado del GTO. Se define como la razn de la corriente de nodo al pico negativo de la corriente de compuerta requerida para apagar el dispositivo. 2.2.2.2. Encendido y apagado del GTO El comportamiento de encendido de un GTO es similar al de un SCR, aunque sus caractersticas de apagado son ms complejas. En la Fig. 2.7 se muestra su estructura as como su circuito equivalente de dos transistores. Una vez activado el GTO tiene un voltaje en estado activo ms alto que el de los SCR [6], esto se traduce en prdidas en el dispositivo. Un GTO para desactivarse requiere de un pulso relativamente alto de corriente negativa. Puesto que la corriente presenta una ganancia baja necesita corrientes grandes en la terminal de compuerta para poder apagarse. Por ejemplo, un dispositivo de 4000V, 3000A requiere un pulso de 750A [3]. El voltaje necesario para aplicar el pulso de alta corriente es bajo, y siendo un pulso de corta duracin, la energa requerida para el apagado no es grande. Pero las prdidas son suficientemente grandes, y representan una razn econmica significativa en trminos de requerimientos de enfriamiento si se consideran el nmero de vlvulas y eventos de apagado en un convertidor [8]. La energa requerida para el apagado es de 10 a 20 veces la que se requiere para el encendido en un GTO, y la energa requerida para el encendido del GTO es de 10 a 20 veces la que necesita un SCR [8]. El costo y tamao de los circuitos de apagado para el GTO son comparables al costo del dispositivo mismo.

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CAPTULO II Ctodo Compuerta n n+ p n n+ p n

ELEMENTOS DE ELECTRNICA DE POTENCIA Ctodo Desactivar Activar p Compuerta p n p nodo

nodo

Fig. 2.7. Estructura y modelo de dos transistores del GTO.

En un SCR, una vez que la corriente llega a cero a causa del sistema externo, el voltaje a travs del dispositivo automticamente se vuelve negativo inmediatamente despus de la corriente cero. Un GTO por otro lado se apaga mientras el circuito est conduciendo en polarizacin directa. Por lo tanto, para un apagado exitoso es necesario reducir la razn de cambio del voltaje directo con la ayuda de un circuito snubber. Es por esto que las aplicaciones que utilizan dispositivos GTO se disean con circuitos snubber grandes, y a causa de las altas prdidas en estos, la frecuencia de conmutacin usualmente se restringe a 1 o 2KHz [3]. El circuito snubber tambin determina la razn de cambio del V AK [1]. En la Fig. 2.8 se muestra un GTO con una red snubber.
Red snubber

IA IG

Fig. 2.8. GTO con red snubber.

2.2.2.3. Aspectos generales del GTO La mayora de las aplicaciones de los GTO son para fuentes convertidoras de voltaje (VSC). Estos tambin se utilizan en manejadores de mquinas de CD y CA, fuentes de poder ininterrumpibles (UPS), compensadores estticos de reactivos, y convertidores en celdas fotovolticas. Estas aplicaciones van de cientos de KW a varios MW, y esto aumenta contnuamente con el desarrollo de la electrnica de potencia.

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DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Los GTO tienen varias ventajas sobre los SCR: (1) la eliminacin de los componentes auxiliares en la conmutacin forzada que da como resultado una reduccin en costo, peso y volumen; (2) la reduccin del ruido acstico y electromagntico debido a la eliminacin de bobinas de induccin en la conmutacin; (3) una desactivacin ms rpida que permite frecuencias de conmutacin ms altas; (4) una eficiencia mejorada de los convertidores [6].

2.3. Modulacin de ancho de pulso

Los controladores FACTS son dispositivos que incorporan elementos de electrnica de potencia. En el caso de los controladores FACTS basados en convertidores, la tcnica de modulacin de ancho de pulso (PWM) se utiliza para el control en fuentes convertidoras de voltaje y corriente, para proporcionar las seales de disparo a los dispositivos de electrnica de potencia [9]. Las tcnicas PWM son de gran utilidad en aplicaciones de alta potencia, y dependiendo de requerimientos especficos como control instantneo de la salida de un convertidor, minimizacin de componentes armnicas o control de la amplitud de salida de un convertidor, se puede seleccionar el patrn de generacin PWM necesario para la aplicacin [9].

2.3.1. Caractersticas del PWM

El valor promedio (CD) de cualquier onda est determinado por el rea existente entre la onda y la referencia. En una forma de onda rectangular, si se cambia el ancho del pulso manteniendo el perodo constante se tiene la posibilidad de controlar el valor promedio de la seal (Vcd ) [10]. De esta manera el objetivo de la modulacin de ancho de pulso es generar una onda en la que utilizando una estrategia de control se pueda variar el ancho de los pulsos. Los esquemas PWM son ampliamente utilizados en aplicaciones de electrnica de potencia tales como inversores [6].

2.3.2. Modulacin senoidal

El mtodo PWM senoidal, llamado tambin SPWM es muy popular en aplicaciones industriales y se menciona extensivamente en la literatura [6]. En este tipo de modulacin, en lugar de mantener constante el ancho de todos los pulsos, como sucede en otros esquemas PWM, el ancho de cada pulso vara en proporcin con la amplitud de una onda senoidal modulante que se compara con una onda portadora triangular [6] como se muestra

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CAPTULO II

ELEMENTOS DE ELECTRNICA DE POTENCIA

en la Fig. 2.9 [11], los puntos de interseccin naturales entre ambas ondas determinan la seal modulada de salida.

Seal modulante

Comparador + Seal portadora Seal modulada PWM de salida

Fig. 2.9. Principio de la modulacin senoidal con onda portadora triangular.

2.3.3. Modulacin senoidal con muestreo natural

En la modulacin senoidal con muestreo natural una seal modulante senoidal vm (wt ) = Vm sen (wt ) se aplica a una seal portadora triangular vc (wt ) de amplitud mxima Vc y desplazada por una componente de CD como se muestra en la Fig. 2.10 [11]. Los puntos de interseccin natural de vm (wt ) y vc (wt ) , determinan el tiempo de encendido y la duracin de los pulsos modulados, as, el patrn de pulsos se describe debido al muestreo natural. En la Fig. 2.10 la amplitud V de la seal de salida PWM vo (wt ) est determinada por el voltaje de CD de alimentacin (no por el patrn de conmutacin) si el esquema se aplica a un inversor. En las formas de onda PWM el patrn de pulsos depende de la relacin del pico de voltaje modulante Vm al pico de voltaje de la onda portadora Vc , sta relacin a menudo es llamada ndice de modulacin o relacin de modulacin, M [11]. M= Vm Vc (2.1)

Variando el valor del voltaje pico Vm y manteniendo Vc constante se controla el ndice de modulacin, y por consiguiente la seal de salida modulada [6]. El rango usual de M es 0 M 1.

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DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

v Vc Vm

1 fc

vc (t ) vm (t ) 2

vo V

V 1 f

Fig. 2.10. Forma de onda PWM que se obtiene utilizando SPWM con muestreo natural, p = 12 ,

M = 0.75 . Una propiedad bsica de las formas de onda PWM es la relacin entre las frecuencias de la onda portadora y modulante, llamada relacin de modulacin de frecuencia, p [6]. p= donde: f c es la frecuencia de la onda portadora. f m es la frecuencia de la onda modulante. Si hay un nmero entero de ciclos de la onda portadora en cada ciclo de la onda modulante ( p entero) la modulacin es sncrona [12], y en este caso se dice que ambas seales estn sincronizadas [3], de otra manera la modulacin es asncrona [7], y la seal portadora corre libre con respecto a la seal modulante [3]. Si p es un entero impar entonces la forma de onda modulada tiene simetra de media onda (los medios ciclos positivos y negativos son simtricos) y no contiene armnicos de orden par [11]. Con un valor grande de p los armnicos dominantes de la forma de onda PWM son tambin grandes y estn agrupados alrededor de la frecuencia portadora y sus bandas laterales [11]. En operacin trifsica la onda portadora triangular usualmente es simtrica, sin componente de CD. En este esquema se tienen tres ondas senoidales modulantes, cada una de ellas desplazada 120 [6] y se puede utilizar una portadora comn para las tres fases [3]. Esto se muestra en la Fig. 2.11, as como las formas de onda que se obtienen para un inversor fc fm (2.2)

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CAPTULO II

ELEMENTOS DE ELECTRNICA DE POTENCIA

trifsico, en esta, la relacin de frecuencia p = 9 y la relacin de modulacin M es casi la unidad. Para obtener a la salida una onda de frecuencia y voltaje variables, se pueden variar la frecuencia y la amplitud de la onda modulante [3]. Para una operacin trifsica balanceada p debe ser un mltiplo impar de 3. La frecuencia portadora es entonces un mltiplo de 3 de la frecuencia modulante, as, la forma de onda modulada de salida no contiene a la frecuencia portadora o sus armnicos.
Fase A Fase B Fase C

v AO

vBO

vCO

Fig. 2.11. Formas de onda de voltaje para un inversor trifsico SPWM.

En general, los armnicos k de la forma de onda modulada estn dados por k = np m donde: n es el orden armnico de la portadora. m es la banda lateral de la portadora. (2.3)

2.3.4. Sobremodulacin en esquemas de PWM senoidal

La operacin cuando M se incrementa ms all de la unidad se llama sobremodulacin [6], y en este caso el voltaje de salida ya no es proporcional a M como se muestra en la Fig. 2.12. En esta condicin de sobremodulacin ya no se presenta el proceso natural de muestreo. Existen intersecciones entre la onda portadora y la onda modulante que se pierden, como se ilustra en la Fig. 2.13. El resultado de esto es que hay pulsos que no se presentan, siendo este un problema de saltos de voltaje [3] tal y como lo muestra la Fig. 2.14.

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DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

VL 6 = 0.78 3 2 2 = 0.61

1( rms )

Vcd

Lineal 1

Sobremodulacin

Onda cuadrada 3.24 M

Fig. 2.12. Valor RMS del voltaje fundamental de lnea relativo a Vcd contra la relacin de modulacin para SPWM.

Cuando M alcanza el valor M = 3.24 , las formas de onda originales de PWM se pierden y se entra en operacin de onda cuadrada. La variacin del voltaje fundamental modulado de salida contra la relacin de modulacin M se muestra en la Fig. 2.12 [7]. vc vm

Fig. 2.13. Sobremodulacin en SPWM.

La sobremodulacin conduce a una operacin de onda cuadrada e incrementa el contenido armnico en comparacin con la operacin en el rango lineal [6]. Otras opciones para incrementar el voltaje fundamental modulado de salida ms all de M = 1 , sin incremento de armnicos, son usar una onda de referencia (modulante) no senoidal como una onda trapezoidal o una senoidal con componente de tercera armnica.

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CAPTULO II

ELEMENTOS DE ELECTRNICA DE POTENCIA

Fig. 2.14. Saltos de voltaje debidos a la sobremodulacin.

2.3.5. Modulacin senoidal con muestreo regular

Como alternativa al muestreo natural la onda de referencia senoidal puede muestrearse a intervalos de tiempo regulares. Si el muestreo ocurre en instantes que corresponden a los picos positivos o a los picos positivos y negativos de la onda portadora triangular, como se muestra en la Fig. 2.15 y Fig. 2.16, el proceso se conoce como muestreo regular o uniforme [11]. Un valor de muestreo de la onda senoidal de referencia se mantiene constante hasta el prximo instante de muestreo cuando ocurre una transicin escaln. La versin escalonada de la onda de referencia se vuelve la onda modulante. La onda modulada de salida resultante est definida por las intersecciones entre la onda portadora y la onda escalonada modulante. Cuando el muestreo ocurre a la frecuencia de la portadora y coincide con los picos positivos de la onda portadora, como se muestra en la Fig. 2.15, las intersecciones de los lados adyacentes de la portadora con la onda escalonada son equidistantes con respecto a los picos no muestreados (negativos). Para cualquier valor de M el ancho de los pulsos de la onda modulada son simtricos con respecto a los picos inferiores (no muestreados) de la portadora, a este proceso se le llama muestreo regular simtrico [11]. El ancho de los pulsos es proporcional a la altura del escaln respectivo y el centro de los pulsos ocurre a tiempos de muestreo uniformemente espaciados. Cuando el muestreo coincide con ambos, el pico positivo y negativo de la onda portadora, Fig. 2.16, el proceso se conoce como muestreo regular asimtrico [11]. Los lados adyacentes de la onda portadora triangular intersectan la onda modulante escalonada a niveles diferentes de escaln, as, la onda modulada resultante tiene pulsos que son asimtricos con respecto al punto de muestreo.

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DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC Muestreo y retencin vc en f c

vr

vm

Seal modulada (salida) Fig. 2.15. Esquema SPWM de muestreo regular simtrico.

Tanto para el muestreo regular simtrico como asimtrico, las formas de onda moduladas de salida pueden describirse por expresiones analticas. El nmero de valores necesarios de una onda senoidal para definir una onda escalonada de muestreo es igual a la relacin de modulacin de frecuencia p (muestreo simtrico) o al doble, 2 p (muestreo asimtrico) [11]. En ambos casos el nmero de valores de muestreo es mucho menor que en el muestreo natural que requiere una muestra a instantes de muestreo de cada grado o medio grado de la onda senoidal modulante.
Muestreo y retencin vc en 2 f c

vr

vm

Seal modulada (salida) Fig. 2.16. Esquema SPWM de muestreo regular asimtrico.

Es comn que los sistemas PWM sean actualmente implementados con tcnicas digitales modernas usando PROM (memoria programable de solo lectura) y circuitos LSI (integracin a gran escala). Esto es en parte para evitar el uso de sistemas electrnicos analgicos con sus problemas asociados como nivel de CD, la confiabilidad en osciladores de baja frecuencia, etc. La razn de que se prefiera usar la tcnica PWM de muestreo regular en lugar de la tcnica de muestreo natural se debe a que requiere mucha menor memoria computacional basada en ROM. Adems, la naturaleza analtica de las formas de onda del PWM de muestreo
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CAPTULO II

ELEMENTOS DE ELECTRNICA DE POTENCIA

regular hace esta aproximacin factible para su implementacin usando tcnicas basadas en microprocesador ya que el ancho de los pulsos es fcil de calcular.

2.4. Resumen
Se muestran las caractersticas de operacin del SCR y el GTO, las condiciones para el encendido y apagado de los mismos explicando sus ventajas y desventajas, de esto puede deducirse porqu son dos de los dispositivos de electrnica de potencia ms utilizados en la tecnologa FACTS. Se explican tcnicas de modulacin de ancho de pulso, las cuales son tiles para el control de dispositivos FACTS que incorporan elementos de electrnica de potencia, tales como fuentes convertidoras de voltaje y corriente.

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[8]

37

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

[9] [10] [11] [12]

Yong Hua Song, Allan T. Johns, Flexible ac transmission systems (FACTS), primera edicin, IEE Power and energy series, 1999. J. Michael Jacob, Industrial Control Electronics applications and design, primera edicin, Prentice Hall, 1988. W. Shepherd, L. N. Hulley, D. T. W. Liang, Power Electronics and Motor Control, segunda edicin, Cambridge University Press, 1995. Bimal K. Bose, Power Electronics and Variable Frequency Drives, primera edicin, IEEE Press, 1997.

38

CAPTULO III
TCSC: Aspectos prcticos de operacin
3.1. Introduccin
El TCSC es uno de los dispositivos FACTS ms importantes. En ste captulo se estudia incluyendo caractersticas que se presentan en la operacin real del dispositivo. El diagrama esquemtico del TCSC se muestra en la Fig. 3.1a, ste consta de un capacitor conectado en paralelo con un TCR que est compuesto por un reactor en serie con un arreglo de dos SCRs conectados en antiparalelo. Los SCR son elementos semiconductores que conducen cuando la corriente de nodo es positiva y se les aplica una seal de disparo. Ct Lt
a)

b) Fig. 3.1. Diagrama esquemtico del TCSC (equivalente y mdulos).

En la actualidad existen dispositivos TCSC operando en sistemas de potencia, estos dispositivos generalmente constan de varios mdulos conectados como se muestra en la Fig. 3.1b, donde se considera un dispositivo subdividido en cuatro mdulos separados. En lo subsecuente se utilizar el mdulo equivalente para el anlisis y posteriormente se explicar la operacin con varios mdulos.
39

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Para el anlisis desarrollado se utiliza un solo mdulo que representa un equivalente de los cuatro bloques, Fig. 3.1a.

3.2. Resistencia del reactor

Como cualquier elemento real, el capacitor y el reactor de un dispositivo TCSC tienen asociadas una resistencia, en este caso se analiza el impacto que tiene la resistencia del reactor (Rt ) , despreciando la del capacitor. En la Fig. 3.2 se muestra la respuesta de la impedancia a frecuencia fundamental contra el ngulo de disparo, esta curva se obtiene con los valores de X = 15 (Ct = 176.8388F ) y X
Lt

= 2.56

(Lt = 6.7906mH )

Ct

del mdulo equivalente y Rt = 0 , estos valores de

elementos corresponden a los del dispositivo instalado en la subestacin de Kayenta [1].

100 80 60 40
Impedancia ( )

Regin inductiva

20 0 -20 -40 -60 -80 -100

Regin capacitiva

10

20

30

40

50

60

70

80

90

ngulo de disparo (grados)

Fig. 3.2. Reactancia fundamental del TCSC.

Para los valores de rectancia mencionados el ngulo de resonancia se localiza cuando el ngulo de disparo de los tiristores es = 52.82 . La grfica anterior se obtiene utilizando la expresin analtica para la impedancia a frecuencia fundamental presentada en [2]; sta se muestra a continuacin.

40

CAPTULO III

TCSC: ASPECTOS PRCTICOS DE OPERACIN

A 2 0 X TCSC = jX C + j + XC I m 2 2 4ktan k sen ( ) + k + 1 sen (2 ) 2 A jX C 2 Im k 1

(3.1)

donde:

es el ngulo de disparo. I m es la corriente aplicada al TCSC.

X C = 1 C , 0 = 1 LC , k = 0 , A =
2 0 Im . 2 0 2

Tambin, se obtuvo mediante simulacin la parte de la grfica correspondiente a la regin capacitiva; se considera nicamente sta puesto que es en la que opera normalmente el dispositivo. La simulacin para obtener la impedancia fundamental se realiza utilizando el circuito de la Fig. 3.3, en el cual la fuente de corriente es I = sen (t ) .

Ct Lt

Fig. 3.3. Diagrama esquemtico del TCSC utilizado en simulacin.

Puede observarse en la Fig. 3.4 que resultan prcticamente los mismos valores de impedancia al utilizar la expresin analtica y mediante simulacin. Para mostrar el efecto que la resistencia del reactor Rt tiene en el comportamiento de la impedancia del dispositivo, se llevan a cabo simulaciones con Rt = 0.05 y Rt = 0.1 . Se puede observar en la Fig. 3.5 que la inclusin de la resistencia suaviza la pendiente de la curva a medida que el ngulo de disparo decrece desde 90.

41

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

-10 -20 -30 -40

Impedancia ( )

Ecuacin Simulacin

-50 -60 -70 -80 -90 -100 50

55

60

65

70

75

80

85

90

ngulo de disparo (grados)

Fig. 3.4. Comparacin entre ecuacin y simulacin.

-10 -20 -30 -40
Impedancia ( ) Rt=0 Rt=0.05 Rt=0.1

-50 -60 -70 -80 -90 -100 50

55

60

65

70

75

80

85

90

ngulo de disparo (grados)

Fig. 3.5. Impedancia equivalente con diferentes valores de Rt .

42

CAPTULO III

TCSC: ASPECTOS PRCTICOS DE OPERACIN

Ahora se efectan simulaciones en el tiempo con el mdulo equivalente insertado en una red como la que se muestra en la Fig. 3.6 para observar el tiempo en que el sistema alcanza el estado estacionario. Vc Lt V It Ct Rt

Ll

Rl

Il

Ll

Rl

Fig. 3.6. Mdulo insertado en una lnea.

Las simulaciones se llevan a cabo para ngulos de disparo ( ) dentro de la regin capacitiva del dispositivo y con Rt = 0 , Lt = 6.7906mH , Ct = 176.8388F , Ll = 24.1384mH , Rl = 1.5662 , Ll = 129.9765mH , Rl = 8.4337 y V = 6000 sen(t ) . A medida que se aleja del ngulo de resonancia el sistema alcanza con mayor rapidez el estado estacionario, esto se observa en la Fig. 3.7, en donde aparecen las corrientes de lnea (I l ) con diferentes ngulos de disparo.
ngulo de disparo de 56
1 1 2 2

500 400 300 200

Corriente de lnea (A)

100 0 -100 -200 -300 -400 -500

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Tiempo (seg)

43

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

ngulo de disparo de 58

300

200

100
Corriente de lnea (A)

-100

-200

-300

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Tiempo (seg)

b
ngulo de disparo de 60

250 200 150 100

Corriente de lnea (A)

50 0 -50 -100 -150 -200 -250

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Tiempo (seg)

c Fig. 3.7. Corriente de lnea con diferentes

En la Fig. 3.8 se muestra el comportamiento del sistema de la Fig. 3.6 en grficas que incluyen las tres principales variables del TCSC (corriente de lnea (I l ) , corriente en los
44

CAPTULO III

TCSC: ASPECTOS PRCTICOS DE OPERACIN

tiristores (I t ) y voltaje en el capacitor (Vc ) ). A medida que las rbitas peridicas comienzan a coincidir significa que el sistema ha alcanzado su estado estable.
ngulo de disparo de 56
4

x 10 2

Voltaje en el capacitor (V)

-1

-2 4000 2000 0 -2000 0 -4000 -500 500

Corriente en tiristores (A)

Corriente de lnea (A)

a
ngulo de disparo de 58
4

x 10 1

Voltaje en el c apacitor (V)

0.5

-0.5

-1 1000 500 0 -500 -200 -1000 -400 200 0 400

Corriente en tiristores (A)

Corriente de lnea (A)

45

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

ngulo de disparo de 60

6000

Voltaje en el capacitor (V)

4000 2000 0 -2000 -4000 -6000 500 400 0 -200 200 0 -500 -400

Corriente en tiristores (A)

Corriente de lnea (A)

c Fig. 3.8. Comportamiento del sistema con diferentes

En la Fig. 3.8 tambin se puede notar que a medida que se aleja del ngulo de resonancia la estabilizacin del sistema es ms rpida. ste efecto puede observarse en la Fig. 3.9; en sta se muestra el tiempo de estabilizacin del sistema ante cambios en el ngulo de disparo; se nota que efectivamente el sistema alcanza el estado estacionario con ms rapidez cuando el ngulo de disparo se acerca a los 90. Puesto que el TCSC tiene impacto sobre la corriente de lnea del sistema de potencia, se analiza su comportamiento en el tiempo, incluyendo la resistencia Rt para observar los efectos que trae consigo su inclusin. En la Fig. 3.10 se muestra I l considerando un ngulo de disparo = 58 , en la Fig. 3.10a con Rt = 0 , en la Fig. 3.10b con Rt = 0.05 y en la Fig. 3.10c con Rt = 0.1 . Se toma = 58 slo para ejemplificar el comportamiento con diferentes valores de resistencia.

46

CAPTULO III

TCSC: ASPECTOS PRCTICOS DE OPERACIN

2.5

Tiempo de estabilizacin (seg)

1.5

0.5

0 55

60

65

70

75

80

85

90

ngulo de disparo (grados)

Fig. 3.9. Tiempo de estabilizacin del sistema ante cambios en

ngulo de disparo de 58 con R t=0

300

200

100
Corriente de lnea (A)

-100

-200

-300

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5
Tiempo (seg)

0.6

0.7

0.8

0.9

47

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

ngulo de disparo de 58 con Rt=0.05

250 200 150 100

Corriente de lnea (A)

50 0 -50 -100 -150 -200 -250

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Tiempo (seg)

b
ngulo de disparo de 58 con Rt=0.1

250 200 150 100

Corriente de lnea (A)

50 0 -50 -100 -150 -200 -250

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Tiempo (seg)

Fig. 3.10. Corriente de lnea con

= 58

y diferentes valores de Rt .

48

CAPTULO III

TCSC: ASPECTOS PRCTICOS DE OPERACIN

En la Fig. 3.11 se muestra el comportamiento del sistema en grficas que incluyen las tres principales variables del TCSC con = 58 , la Fig. 3.11a corresponde al sistema con Rt = 0 , la Fig. 3.11b al sistema con Rt = 0.05 y la Fig. 3.11c al sistema con Rt = 0.1 .
ngulo de disparo de 58 c on R t =0
4

x 10 1

Voltaje en el capacitor (V)

0.5

-0.5

-1 1000 500 0 -500 -200 -1000 -400 200 0 400

Corriente en tiristores (A)

Corriente de lnea (A)

a
ngulo de disparo de 58 c on Rt =0.05
4

x 10 1

Voltaje en el capacitor (V)

0.5

-0.5

-1 1000 500 0 -500 -200 -1000 -400 200 0 400

Corriente en tiristores (A)

Corriente de lnea (A)

b 49

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

ngulo de disparo de 58 con R t =0.1

4

x 10 1

Voltaje en el capacitor (V)

0.5

-0.5

-1 1000 500 0 -500 -200 -1000 -400 200 0 400

Corriente en tiristores (A)

Corriente de lnea (A)

c Fig. 3.11. Comportamiento del sistema con

= 58

y diferentes valores de Rt .

Se logra una disminucin en el tiempo de estabilizacin de I l , debido a la inclusin y posteriormente al aumento del valor de Rt . En la Fig. 3.12 se nota el aumento en la impedancia a frecuencia fundamental debido al incremento en Rt . Como puede apreciarse de las grficas anteriores Rt es un elemento de amortiguamiento; as, a medida que Rt aumenta tambin lo hace el amortiguamiento del sistema, pero de igual manera aumentan las prdidas elctricas. Rt representa la resistencia asociada a Lt , pero se puede colocar una resistencia adicional si se desea aumentar el amortiguamiento del sistema bajo condiciones especficas, por ejemplo, para amortiguar una condicin de resonancia subsncrona [3].

50

CAPTULO III

TCSC: ASPECTOS PRCTICOS DE OPERACIN

-30 -32 -34 -36

Impedancia ( )

-38 -40 -42 -44 -46 -48 -50 57

Rt=0 Rt=0.05 Rt=0.1

57.2

57.4

57.6

57.8

58

58.2

58.4

58.6

58.8

59

ngulo de disparo (grados)

Fig. 3.12. Reactancia equivalente con

[57 , 59 ] con diferentes valores de Rt .

3.3. Efecto de la razn de cambio del voltaje en los tiristores con respecto al tiempo
Un SCR cesa su conduccin cuando la corriente de nodo es menor que un valor llamado corriente de mantenimiento I H , cuando esto sucede el voltaje a travs del dispositivo puede tomar las siguientes dos condiciones. 1. En un circuito como el que se muestra en la Fig. 3.13 con una carga puramente resistiva el voltaje y la corriente se encuentran en fase, en este caso cuando la corriente a travs del SCR decae por debajo de I H y cruza por cero, el voltaje a travs de l cruza por cero tambin; as, el SCR puede bloquear este voltaje inverso que en los primeros instantes es muy pequeo. 2. Para cargas inductivas, el defasamiento entre el voltaje y la corriente significa que al tiempo que la corriente a travs del dispositivo cae por debajo de la corriente de mantenimiento y ste deja de conducir, existe un cierto voltaje que debe aparecer a travs de l, esto se presenta en la Fig. 3.14 [4].

51

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Fig. 3.13. Circuito resistivo.

Si la razn de cambio del voltaje con respecto al tiempo (dv dt ) es demasiado grande el dispositivo entrar en conduccin y se perder el control. A fin de mantener este control con cargas inductivas, la razn de cambio dv dt debe limitarse con una red serie RC colocada en paralelo con el dispositivo como se muestra en la Fig. 3.15 [4].

L R

v i

dv dt

Fig. 3.14. Circuito inductivo y caracterstica dv dt .

El capacitor Cs , Fig. 3.15, limita la razn de cambio dv dt a travs del SCR. La resistencia Rs es necesaria para reducir la corriente de Cs cuando el dispositivo est en conduccin [5] y para amortiguar las oscilaciones producidas por la capacitancia Cs con la inductancia de carga Lt [4]. A esta red RC se le conoce comnmente como red snubber. La red snubber no solo limita el crecimiento del voltaje durante la conmutacin, tambin suprime voltajes transitorios que pueden presentarse como resultado de disturbios en la lnea de CA y que pueden conducir a un falso disparo de los tiristores [5].

52

CAPTULO III

TCSC: ASPECTOS PRCTICOS DE OPERACIN

Rt V

Lt

Rs Cs

Fig. 3.15. Circuito inductivo con tiristores y snubber.

El dv dt puede ser de las siguientes dos formas. a) dv dt esttico. El dv dt esttico es la medida de la habilidad de un tiristor de mantener un estado de bloqueo bajo la influencia de un voltaje transitorio. El dv dt esttico es una consecuencia del efecto Miller y del proceso regenerativo que enciende al dispositivo. Un cambio de voltaje a travs de la capacitancia de colector (Fig. 3.16) de la unin del SCR induce una corriente a travs de l. Esta corriente es proporcional a la razn de cambio del voltaje, si sta es lo suficientemente grande puede encender el dispositivo [4].
nodo

p n Compuerta p n C

Ctodo Fig. 3.16. Capacitancia interna del SCR.

b) dv dt de conmutacin. El dv dt de conmutacin se aplica cuando un dispositivo con una carga inductiva ha estado conduciendo y se apaga. El voltaje y la corriente estn fuera de fase. El SCR se apaga cuando la corriente cae por debajo de I H , en ese momento el voltaje es alto y con polaridad opuesta a la direccin de conduccin. Un apagado satisfactorio requiere que el voltaje a travs del dispositivo aumente al voltaje instantneo de lnea con una razn de cambio lo suficientemente lenta para prevenir un falso disparo. Existe una carga en el volumen del

53

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

cristal del SCR debida a la conduccin previa. La carga en las fronteras de la unin de colector (unin responsable de la capacitancia de colector) debida al dv dt esttico est tambin presente. El apagado depende del efecto Miller de desplazamiento de corriente, generado por el dv dt a travs de la capacitancia de colector y de las corrientes resultantes de la carga interna almacenada en el volumen del dispositivo. Si la corriente de recuperacin inversa resultante de estas dos componentes es alta, el dispositivo se encender [4].

3.4. Clculo de los componentes de la red snubber

El circuito de la Fig. 3.17 es un circuito amortiguado sintonizado que est formado por Rs , Cs , Rt y Lt y en menor medida la capacitancia del dispositivo (que se desprecia) [4]. Cuando el dispositivo deja de conducir (esto ocurre cada medio ciclo del voltaje de lnea cuando la corriente cae por debajo del valor de I H ), recibe un escaln del voltaje de lnea que depende del factor de potencia de la carga. Una carga dada fija los valores de Rt y Lt ; as, el diseador puede variar Rs y Cs , esto se hace generalmente de manera experimental ajustando ambos valores para lograr un amortiguamiento crtico y un dv dt bajo [4]. El dv dt puede disminuirse al incrementar Cs , y Rs puede incrementarse para disminuir las oscilaciones del circuito resonante Lt Cs . La Fig. 3.17 muestra el circuito equivalente para carga y snubber utilizado para el anlisis; ste circuito es una red RLC serie tpica. Rt Lt

Rs Vs Cs

Fig. 3.17. Diagrama esquemtico con red snubber utilizado para el anlisis.

Para el anlisis del circuito se utiliza la expresin que describe su comportamiento, en donde se asumen condiciones iniciales iguales a cero y donde Vs es la funcin escaln aplicada al circuito.

54

CAPTULO III

TCSC: ASPECTOS PRCTICOS DE OPERACIN

Vs = Rt i (t ) + Lt

di (t ) 1 i (t )dt + Rs i (t ) + dt Cs

(3.2)

Reordenando y aplicando transformada de Laplace se obtiene la siguiente expresin, Vs 1 I (s ) = sLt I (s ) + (Rt + Rs )I (s ) + s Cs s Factorizando y resolviendo resulta la siguiente relacin para I (s ) , Vs Lt I (s ) = Rt + Rs 1 s2 + L s + L C t t s Obteniendo las races del polinomio y arreglando la ecuacin se tiene, Vs Lt I (s ) = 2 Rt + Rs 1 Rt + Rs + s 2 Lt 2 Lt Lt C s Rt + Rs s 2L t (3.3)

(3.4)

1 2 Rt + Rs 1 2L LC t t s

(3.5)

Para forzar al sistema a una condicin de amortiguamiento crtico ambas races deben ser iguales, de ah se desprende la siguiente igualdad, Rt + Rs 1 2L = LC t t s de esta manera la expresin para I (s ) se convierte en,
2

(3.6)

55

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

I (s ) =

Vs Lt Rt + Rs s L 2 t

(3.7)

Aplicando transformada inversa de Laplace finalmente se obtiene la expresin en el dominio del tiempo para la corriente, V t i (t ) = s te Lt
R +R s t 2 Lt

(3.8)

Una vez obtenida i (t ) se determina la ecuacin para obtener el voltaje en la red snubber (el voltaje en la red snubber ser el de los tiristores cuando estn bloqueados) la cual est dada por, Vt (t ) = Vs Lt di (t ) Rt i (t ) dt (3.9)

sustituyendo i (t ) en la expresin anterior se obtiene,

Rt + R Rt + R s s Vs t d Vs t 2 Lt 2 Lt Vt (t ) = Vs Lt te Rt te dt Lt Lt

(3.10)

derivando y reordenando los trminos finalmente resulta,

Rt + Rs t Vt (t ) = Vs + Vs te 2L t Rt + Rs 2 Lt

Vs e

Rt + Rs t 2L t

Vs t Rt te Lt

Rt + Rs 2 Lt

(3.11)

la relacin anterior representa el voltaje en los tiristores cuando estn bloqueados. Se desea determinar el valor y el tiempo de ocurrencia del voltaje pico V p , para ello se deriva la expresin y se iguala a cero,
Rt + Rs 2L Rt + Rs Rt + Rs t dVt (t ) t = Vs + t e dt 2 Lt 2 Lt

56

CAPTULO III

TCSC: ASPECTOS PRCTICOS DE OPERACIN

Rt + Rs t Vs 2L e t

Rt + Rs 2 Lt

Rt + Rs Rt + Rs t 2 Lt e + Vs + 2L t

R +R R +R s t t t s 2L 2 L V Vs Rt + Rs t t s t Rt t e R e + t L L Lt 2 t t

(3.12)

haciendo

dVt (t ) = 0 y resolviendo para t se obtiene, dt Rt tp = V Rt s Lt Rt + Rs Vs 2Vs 2L Lt t

Rt + Rs Rt + Rs 2L Vs 2L t t

(3.13)

donde t p es el tiempo en el que ocurre el voltaje pico. Sustituyendo t p en la expresin para Vt (t ) se obtiene el valor del voltaje pico que resulta,
R +R V Rt s 2Vs t s 2L Lt t V R +R R +R s V t s R s t t L 2L s 2L t t t R + Rs t 2 Lt

V p (t ) = Vs + e

Rt + Rs Vs R V 2 t s R + R Lt 2 Lt t s Vs 2 Rt + Rs 2 Lt Vs Rt + Rs Rt L 2L Vs 2L t t t

Rt + Rs V Rt s 2Vs Lt V 2 Lt Vs Rt s 2 Lt V R + R R R + s t s t s Rt L 2L Vs 2L t t t

(3.14)

Habiendo determinado la magnitud y tiempo en que ocurre el voltaje pico es posible calcular los valores y tiempos de ocurrencia de los voltajes en 10% y 63% del valor pico. Esto es necesario a fin de determinar el dv dt aproximado por la siguiente ecuacin [4]. dv V63 V10 = dt t63 t10 (3.15)

57

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

donde V10 y t10 son el voltaje y el tiempo de ocurrencia en 10%, y V63 y t63 son el voltaje y el tiempo de ocurrencia en 63% del voltaje pico. Ya que el diseo de una red snubber depende de la carga, es casi imposible simular y probar cada combinacin posible bajo condiciones de operacin. Por otro lado es factible medir la amplitud pico y el dv dt a travs del dispositivo utilizando un osciloscopio y as hacer la seleccin final de Rs y Cs de manera experimental. A continuacin se seleccionan los parmetros de una red snubber para el circuito de la Fig. 3.7 con los correspondientes valores de elementos. Las especificaciones de los tiristores a utilizar son las siguientes: Corriente RMS en estado activo (IT ( RMS ) ) = 3850 A 25 C Voltaje de bloqueo directo/Voltaje de bloqueo inverso (VDRM VRRM ) = 4200V Razn de cambio del voltaje de nodo a ctodo con respecto al tiempo (dv dt ) = 500 V s El rango de operacin del dispositivo es amplio, y puesto que no se puede disear una red snubber para cada punto de operacin, aqu se selecciona el punto en el que se tiene la mayor magnitud de voltaje en los tiristores (sta magnitud determina el valor de Vs ), y se presenta cuando el ngulo de disparo de los tiristores se acerca al ngulo de resonancia. Se escoge como ejemplo un ngulo de disparo de 56, el voltaje en los SCRs para esta condicin de operacin se muestra en la Fig. 3.18. De la Fig. 3.18 se obtiene la amplitud de Vs (se toma un valor ligeramente mayor al voltaje pico para tener un margen de error); para realizar el clculo primeramente se propone un valor para Cs y utilizando la ecuacin (3.6) se obtiene un valor para Rs , posteriormente se obtiene el dv dt con la ayuda de la expresin (3.15), ste valor debe seleccionarse de manera que no sobrepase la especificacin del dispositivo. Debe tenerse presente que un valor alto de Rs reducir la corriente de descarga de Cs , as como un valor alto de Cs reducir el dv dt pero aumentar las prdidas de la red snubber [5].

3.4.1. Aplicacin
Se especifican los parmetros de Rt y Lt que sern utilizados, el valor del escaln de voltaje se obtiene de la Fig. 3.18 y es Vs = 15000V ; para efectuar el clculo primeramente se propone un valor de Cs = 0.33F , con este valor se obtienen los siguientes parmetros aplicando las expresiones (3.5) y (3.14).

58

CAPTULO III

TCSC: ASPECTOS PRCTICOS DE OPERACIN

1.5

x 10

Voltaje en los tiristores (V)

0.5

-0.5

-1

-1.5 1.45

1.455

1.46

1.465

1.47

1.475

1.48

1.485

1.49

1.495

1.5

Tiempo (seg)

Fig. 3.18. Voltaje en los tiristores (ngulo de disparo de 56)

Rs = 286.8477 dv dt = 413.2756V s Se simula el circuito de la Fig. 3.7 con los parmetros correspondientes, primero sin la red snubber y posteriormente con la inclusin de ella, para este caso se utilizan los valores de Cs y Rs obtenidos con el procedimiento presentado. En la Fig. 3.19 se muestra el comportamiento de Vt en ambos casos, en donde se observa que cuando se incluye la red snubber el voltaje en los tiristores presenta un cambio gradual, a diferencia del cambio abrupto si no se incluye la red. Otro de los efectos que trae consigo la inclusin de la red snubber es el cambio en la amplitud de las seales. En la Fig. 3.20 se muestra el voltaje en los tiristores, en lnea continua para el caso en que no se incluye red snubber, y en lnea punteada con la inclusin de ella; puede observarse el cambio en la amplitud de Vt . En este caso el ngulo de disparo es de 56.

59

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

14000 12000 10000

Voltaje en los tiristores (V) Vt sin snubber Vt con snubber

8000 6000 4000 2000 0 -2000 1.4913

1.4914

1.4915

1.4916

1.4917

1.4918

1.4919

1.492

Tiempo (seg)

Fig. 3.19. Conmutacin de Vt (ngulo de disparo de 56).

x 10
4

1.5

Voltaje en los tiristores (V)

0.5

-0.5

-1

-1.5 1.45

1.455

1.46

1.465

1.47

1.475

1.48

1.485

1.49

1.495

1.5

Tiempo (seg)

Fig. 3.20. Voltaje en los tiristores.

60

CAPTULO III

TCSC: ASPECTOS PRCTICOS DE OPERACIN

3.5. Mdulos del TCSC

El TCSC generalmente se representa como un sistema compuesto por un capacitor, un reactor y un conmutador de CA, pero en la operacin real del dispositivo esto no es as, el TCSC est compuesto por mdulos separados conectados es serie, como se muestra en la Fig. 3.1b. La consideracin que se hace para representar al dispositivo como un solo elemento consiste en asumir que el control del ngulo de disparo es comn para todos los mdulos, de esta manera, la reactancia de cada mdulo es la misma y se pueden sumar las reactancias capacitiva e inductiva de cada uno de los mdulos y representar el sistema como un dispositivo con un capacitor y un reactor equivalentes. Existen aplicaciones en donde se necesita un control suave de la reactancia del TCSC, a fin de amortiguar de forma segura oscilaciones de potencia, o regular el flujo de potencia en rutas predeterminadas. Estas aplicaciones pueden necesitar un control fino de la reactancia cuando las lneas con TCSC estn por encima de su nivel de corriente nominal [6]. Al tener el TCSC dividido en segmentos se puede lograr un control suave de la reactancia, si se permite que cada mdulo opere con un control de ngulo de disparo independiente. En la Fig. 3.21 se muestra una porcin de la regin capacitiva de la reactancia a frecuencia fundamental, estas curvas se obtienen al fijar primero tres mdulos en = 89 y dejar con ngulo de disparo variable solo a uno, posteriormente se dejan variables los dems mdulos hasta que finalmente ningn mdulo queda con ngulo de disparo fijo. Cada mdulo tiene una reactancia capacitiva X Ct = 3.75 (Ct = .70736mF ) y una reactancia inductiva X = 0.64

(Lt = 1.7mH ) .
-10 -20 -30 -40
Reactancia () 4 mdulos variables 3 mdulos fijos y 1 variable 2 mdulos fijos y 2 variables 1 mdulo fijo y 3 variables

Lt

-50 -60 -70 -80 -90 -100

55

60

65

70

75

80

85

90

ngulo de disparo (grados)

Fig. 3.21. Reactancia equivalente de un sistema multimdulos.

61

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Puede observarse que la reactancia a frecuencia fundamental del dispositivo vara con ms suavidad cuando los mdulos del TCSC operan con ngulo de disparo independiente, sta caracterstica puede ser de utilidad en casos especficos, como por ejemplo cuando se desea un control preciso de la corriente a travs de una lnea de transmisin por cuestiones de intercambio de energa entre redes elctricas. A medida que el valor del ngulo de disparo se acerca al de resonancia, el aumento en la reactancia a frecuencia fundamental es ms pronunciado, y las seales del dispositivo son de amplitud cada vez ms grande, as, la diferencia en amplitud entre dos seales que se obtienen cuando el dispositivo opera cerca del ngulo de resonancia y todos los mdulos del TCSC utilizan el mismo ngulo de disparo puede ser considerable, an en casos en que la variacin del ngulo de disparo sea de 1. En la Fig. 3.22 se muestran las corrientes de lnea a dos diferentes ngulos de disparo, con = 56 en la Fig. 3.22a y con = 57 en la Fig. 3.22b. Cuando el sistema se encuentra cerca del ngulo de resonancia, debido a la amplitud de las seales, el dispositivo puede estar ya por encima de su nivel de corriente nominal, en estos casos es conveniente tener un cambio suave en la reactancia a frecuencia fundamental del TCSC [6]. Esto es, al tener un dispositivo dividido en cuatro mdulos se puede lograr lo deseado, en la Fig. 3.23 se muestra la corriente de lnea al modificar el ngulo de disparo de los mdulos uno a la vez desde su valor inicial = 56 , hasta su valor final = 57 .
ngulo de disparo de 56

500 400 300 200

Corriente de lnea (A)

100 0 -100 -200 -300 -400 -500

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Tiempo (seg)

62

CAPTULO III

TCSC: ASPECTOS PRCTICOS DE OPERACIN

ngulo de disparo de 57

500 400 300 200

Corriente de lnea (A)

100 0 -100 -200 -300 -400 -500

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Tiempo (seg)

b Fig. 3.22. Corriente de lnea con

= 56

= 57 .

1 mdulo en 57 y 3 en 56

500 400 300 200

Corriente de lnea (A)

100 0 -100 -200 -300 -400 -500

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Tiempo (seg)

63

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

2 mdulos en 57 y 2 en 56

500 400 300 200

Corriente de lnea (A)

100 0 -100 -200 -300 -400 -500

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Tiempo (seg)

b
3 mdulos en 57 y 1 en 56

500 400 300 200

Corriente de lnea (A)

100 0 -100 -200 -300 -400 -500

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Tiempo (seg)

c Fig. 3.23. Corriente de lnea con mdulos a diferente valor de

Como puede apreciarse, cuando todos los mdulos tienen el mismo ngulo de disparo, el cambio en la amplitud de la corriente de lnea es considerable, a diferencia de cuando se

64

CAPTULO III

TCSC: ASPECTOS PRCTICOS DE OPERACIN

opera cada segmento del dispositivo con un distinto. En la Fig. 3.23 se muestran tres seales intermedias entre el cambio de ngulo de disparo de 56 a 57, pero en el caso de que el dispositivo estuviera compuesto de un mayor nmero de mdulos el cambio sera an ms suave.

3.6. Resumen
El dispositivo TCSC consta de tres elementos esenciales: un capacitor, un reactor y un conmutador bidireccional que est compuesto por un par de SCRs conectados en antiparalelo. Si se consideran componentes ideales, la respuesta del sistema tambin ser ideal. Puesto que un dispositivo real tiene elementos adicionales, la respuesta del sistema real y el ideal no ser la misma. En ste captulo se estudian los efectos que trae como consecuencia la inclusin de la resistencia asociada al reactor del dispositivo, y la inclusin de la red snubber, necesaria para el control eficaz del sistema, as como las diferencias existentes al utilizar un dispositivo separado en mdulos. Al incluir la resistencia del reactor se observa que existe un amortiguamiento adicional al presentado originalmente por el sistema. Esto se entiende cuando se observa el cambio que tiene la impedancia a frecuencia fundamental incluyendo la resistencia, Fig. 3.5. El amortiguamiento puede observarse tambin al analizar las Fig. 3.10 y Fig. 3.11, sta resistencia es la asociada a la inductancia del sistema, esto es, no se puede elegir su valor, pero puede variar si se modifica el diseo del reactor; as, es importante conocer los efectos que trae como consecuencia la inclusin de ste parmetro. La inclusin de la red snubber tiene como resultado cambios en las seales del sistema, se observa una disminucin de la pendiente del voltaje en las terminales de los tiristores al momento del apagado. Esto es importante puesto que debido a ello se puede evitar el falso disparo de los tiristores y as mantener el control del sistema. Otra de las consecuencias es la modificacin de la fase, teniendo como consecuencia un cambio en el tiempo de disparo de los tiristores, como se muestra en la Fig. 3.19, ya que el disparo est sincronizado con I l . Asimismo cambia la amplitud de las seales del sistema debido a que la red snubber produce prdidas elctricas. Cuando se analiza el TCSC dividido en mdulos, se observa que se puede tener un control ms fino de la reactancia a frecuencia fundamental del dispositivo, esto es importante en determinadas situaciones, por ejemplo, cuando se necesita regular con precisin el flujo de potencia a travs de una ruta predeterminada. A medida que se aumenta el nmero de mdulos el cambio de la reactancia a frecuencia fundamental puede hacerse cada vez ms preciso.

65

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

3.7. Bibliografa
[1] Sasan G. Jalali, Ron A. Hedin, Marcos Pereira, Kadry Sadek, A stability model for the advanced series compensator (ASC), IEEE Transactions on Power Delivery, vol. 11, no. 2, pp. 1128-1137, Abril 1996. Ricardo J. Dvalos, Juan M. Ramrez, A Review of a Quasi-Static and a Dynamic TCSC Model, IEEE Power Engineering Review, vol. 20, no. 11, pp. 63-65, Noviembre 2000. Narain G. Hingorani, Laszlo Gyugyi, Understanding FACTS Concepts and Technology of Flexible AC Transmission Systems, primera edicin, IEEE Press, 1999. Thyristor Device Data TRIACs & SCRs, Motorola, 1995. Muhammad H. Rashid, Electrnica de potencia Circuitos, dispositivos y aplicaciones, segunda edicin, Prentice Hall, 1995. E. V. Larsen, K. Clark, S. A. Miske Jr., J. Urbanek, Characteristics and rating considerations of thyristor controlled series compensation, IEEE Transactions on Power Delivery, vol. 9, no. 2, pp. 992-1000, Abril 1994.

[2]

[3]

[4] [5] [6]

66

CAPTULO IV
Implementacin
4.1. Introduccin
En ste captulo se revisan los aspectos que conciernen a la implementacin en laboratorio del dispositivo TCSC. Debido a la necesidad de determinar los valores de los elementos que componen el dispositivo se llevan a cabo pruebas de respuesta a la frecuencia para estimar los parmetros de inductancia y capacitancia. Se revisa el diseo del circuito de disparo, necesario para el control de encendido de los tiristores, as como el aspecto relativo a la obtencin de informacin. Adems, se estudia la caracterstica impedancia-frecuencia fundamental del circuito de prueba, esto para identificar las regiones de operacin del dispositivo al modificar el ngulo de disparo de los tiristores.

4.2. Identificacin de parmetros

El objetivo de mencionar aspectos generales del proceso de identificacin, radica en tener un acercamiento con los mtodos y consideraciones empleadas en la realizacin de sta parte del trabajo. Es importante la aplicacin del modelo en estudio, ya que esto determina los requerimientos de precisin y el mtodo de identificacin. El conocimiento previo del proceso, est basado en el entendimiento de las leyes fsicas, lo que proporciona una idea sobre si es lineal o no lineal, invariante en el tiempo o variante en el tiempo, si tiene un comportamiento proporcional o integral, su tiempo de retardo y caractersticas de ruido. Debido a estas caractersticas y a las condiciones del proceso de operacin, el diseo de experimentos y la seleccin del mtodo de identificacin estn ntimamente relacionados. El diseo de experimentos incluye la seleccin y determinacin de los siguientes aspectos: Seales de entrada (amplitudes, espectro).

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DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Tiempo de muestreo. Periodo del tiempo de medicin. Identificacin del tipo de lazo (abierto o cerrado). Equipo para la generacin de seales, almacenamiento de datos y cmputo. Filtrado de seales (altas y bajas frecuencias). Identificacin en lnea o fuera de lnea.
Tabla 4.1. Principales enfoques de mtodos de identificacin.

Mtodos de identificacin Tcnicas de respuesta al escaln Tcnica de respuesta a la frecuencia Anlisis de Fourier y espectral Tcnicas de correlacin Estimacin de parmetros

Modelo no-paramtrico X X X X X

Modelo paramtrico X X

En la Tabla 4.1 se hace mencin de las clases ms importantes de mtodos de identificacin. Anlisis de Fourier. Es principalmente utilizado para la determinacin de las caractersticas de respuesta en frecuencia de procesos lineales usando seales continuas. Anlisis de Correlacin. Es un mtodo en el dominio del tiempo y es aplicado en procesos lineales con seales continuas as como con seales discretas. Se permite la entrada de seales de tipo estocstico o seales peridicas; como resultado se obtienen las funciones de correlacin . Anlisis Espectral. Se usa bajo las mismas condiciones empleadas en el anlisis de correlacin. Los resultados son valores de las caractersticas de respuesta a la frecuencia. Los resultados de los anlisis de Fourier, correlacin y espectral son para modelos no paramtricos, lo que supone que los procesos son linealizables. Uno de los ms importantes mtodos de estimacin de parmetros es el mtodo basado en el principio de mnimos cuadrados. Existen diferentes maneras de generar seales de entrada, as como de medicin de seales de salida y almacenamiento de datos, Fig. 4.1.

68

CAPTULO IV

IMPLEMENTACIN

Grabadora

U
Procesos a)

Analizador

Procesos

G ( j ) Y ( )
Cinta magntica Procesos U computacionales

b)

Generador de seales

Procesos

Procesos

c)

Cinta de papel

Resultados

d)

Fig. 4.1. Generacin de seales de entrada, medicin de seales de salida y almacenamiento de datos.

La Fig. 4.1 tiene la siguiente descripcin: a) Proceso simple de identificacin cambiando manualmente la entrada y almacenando los datos por medio de una grabadora; b) analizador de respuesta de frecuencia (utilizando correlacin ortogonal para entradas armnicas); c) identificacin fuera de lnea utilizando un generador de seales y una cinta magntica; d) identificacin en lnea utilizando un proceso computacional. El proceso de identificacin del modelo tiene que ser verificado comparando la salida medida con la calculada mediante el modelo. Dependiendo de los resultados de sta verificacin, la estructura del modelo (orden, tiempo de retardo, etc.) tiene que ser cambiada (bsqueda de la estructura del modelo), o los experimentos debern ser repetidos. El esquema de la Fig. 4.2 indica que el proceso de identificacin en general, es un procedimiento iterativo. Para llevar a cabo el proceso de identificacin de parmetros de dispositivos elctricos, es importante considerar los siguientes aspectos: Seleccin de seales de entrada. Seleccin de tiempo de muestreo. Identificacin en o fuera de lnea. Comparacin de mtodos de estimacin de parmetros.

69

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Presupuesto

Meta final

Conocimiento previo

Proceso Leyes fsicas Mediciones previas Condiciones de operacin

Diseo de experimentos

Generacin de seales, medicin y almacenamiento de datos

Aplicacin del mtodo de identificacin

Adopcin de la estructura del modelo

Proceso del modelo No Paramtrico paramtrico

Determinacin de la estructura del modelo

Verificacin del modelo S Modelo final

No

Fig. 4.2. Procedimiento general del proceso de identificacin.

4.2.1. Seleccin de seales de entrada

Para identificar la parte controlable y observable de un proceso dinmico, la seal de entrada tiene que satisfacer ciertas condiciones. Un requerimiento mnimo consiste en que la dinmica del proceso tiene que ser excitado continuamente por la seal de entrada durante el perodo de medicin, lo que significa que la seal de entrada tiene que ser suficientemente rica para excitar todos los modos de inters durante los experimentos. Un requerimiento importante es que la seal de entrada sea construida para minimizar ciertos errores del modelo con respecto al ruido, limitaciones de las seales de entrada y salida y tiempos de medicin. De lo anterior se deduce que se tiene que buscar en todo momento la optimizacin de las seales de entrada para poder obtener resultados satisfactorios.

70

CAPTULO IV

IMPLEMENTACIN

4.2.2. Seleccin del tiempo de muestreo

Para la identificacin de modelos discretos, el tiempo de muestreo tiene que ser seleccionado convenientemente antes de iniciar el experimento. El principal objetivo cuando se muestrea una seal continua y (t ) , es que toda la informacin relevante est retenida con mayor precisin en la seal muestreada y * (kT ) . Los factores que afectan la eleccin del tiempo de muestreo adecuado, son el ancho de banda del sistema bajo estudio y la capacidad del sistema de adquisicin de datos para muestrear en ste rango de frecuencia. Lo anterior, proporciona una idea del rango ms bajo que se pueda considerar como adecuado, para prevenir prdidas de informacin debido al fenmeno conocido como aliasing, donde la respuesta en frecuencia del sistema de datos muestreado se distorsiona cuando son dobladas las frecuencias ms altas. TEOREMA DE MUESTREO DE SHANNON. Si se considera una seal continua y (t ) con la componente de ms alta frecuencia f h (Hz ) , y suponiendo que sta es muestreada a una frecuencia f s (Hz ) . Entonces es posible reconstruir y (t ) de su versin muestreada y * (kT ) si y slo si: fs 2 fh

(4.1)

4.2.3. Identificacin en y fuera de lnea

Para el caso de la identificacin en lnea el proceso de identificacin se realiza cuando el sistema se mantiene operando. Una manera de llevar una identificacin de sta naturaleza es por medio del procesamiento en tiempo real, en donde los datos son evaluados inmediatamente despus de cada muestreo o grupo de procesamiento, el conjunto de datos se evala despus de haber realizado todas las mediciones. En el caso de la identificacin fuera de lnea, los datos obtenidos en el proceso inicialmente son almacenados en archivos, para despus ser evaluados. En ste enfoque de identificacin, el procesamiento de datos en conjunto se aplica para que todos los datos sean evaluados a la vez. Con los datos obtenidos se puede llevar a cabo una identificacin directa, o en un solo paso, por ejemplo una estimacin por mnimos cuadrados.

4.2.4. Comparacin de mtodos de estimacin de parmetros

Una vez que se han determinado las condiciones externas para el proceso de identificacin, tiene que seleccionarse un mtodo apropiado de anlisis, ya que en la mayora de los casos pueden aplicarse diversos mtodos para obtener un cierto tipo de procesamiento de modelos, dependiendo del sistema bajo estudio.

71

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Para la eleccin del mtodo adecuado de estimacin de parmetros para modelos paramtricos lineales y en tiempo discreto, hay aspectos que deben tomarse en cuenta, entre los cuales estn los siguientes: El funcionamiento con respecto a la precisin del modelo identificado (errores del modelo) dependiente del tiempo (propiedades de convergencia). El esfuerzo computacional (almacenamiento y tiempo de computacin). Las suposiciones y los factores previos para la seleccin del modelo.

4.2.5. Tipos de seales

La Fig. 4.3 muestra una manera de cmo los procesos pueden ser escogidos y relacionados sobre la base de seales de entrada y salida. Los modelos son clasificados de acuerdo a su capacidad para generar una seal de salida y M la cual ser muy similar a la seal y generada por el proceso cuando los modelos y procesos son excitados por la misma seal de entrada u .
Generador de seal

n
Proceso

Modelo

yM

Comparacin

Fig. 4.3. Construccin general del proceso y modelo.

Con frecuencia, muchos modelos se describen por su funcin de ponderacin W (t ) o su funcin de respuesta en frecuencia H ( j ) . El elemento ms utilizado de ste conjunto de representaciones probablemente es la respuesta en frecuencia representada mediante una grfica de Bode. Los modelos paramtricos se describen por el nmero y los valores de los parmetros de las ecuaciones diferenciales, funciones de respuesta a la frecuencia o funciones de transferencia. Los mtodos de identificacin pueden clasificarse de acuerdo a las seales de prueba empleadas. Esto conduce a dos grupos de mtodos, uno de los cuales usa seales de prueba no peridicas y el otro seales peridicas. En el caso de seales de prueba de entradas no peridicas comnmente se emplean seales como: impulsos de diferentes formas y corta duracin; funciones de escaln y funciones rampa. La Fig. 4.4a muestra un grupo de seales de prueba no peridicas.

72

CAPTULO IV

IMPLEMENTACIN

Las seales peridicas comnmente utilizadas son seales senoidales o seales monofrecuencia binarias, o seales multifrecuencia que contienen seales de amplitudes significativas y ms de una frecuencia. La Fig. 4.4b ejemplifica ste tipo de seales.
a) b) c) Monofrecuencia Multifrecuencia

u t
d) e) f)

a Fig. 4.4. Seales de prueba.

4.2.6. Mtodo de los mnimos cuadrados

Un procedimiento para estimar los parmetros de cualquier modelo lineal es el mtodo de los mnimos cuadrados, que se puede ejemplificar de una manera sencilla aplicndolo para ajustar una lnea recta a travs de un conjunto de puntos que representan los datos. Supngase que se desea ajustar el modelo: E ( y ) = 0 + 1 x al conjunto de puntos mostrados en la Fig. 4.5. y yi ) y i (4.2)

Fig. 4.5. Ajuste de una lnea recta a travs de un conjunto de puntos.

xi

En ste caso se asume que y = 0 + 1 x + , en donde , tiene una distribucin de ) y ) son estimados de los parmetros y , entonces probabilidad con E () = 0 . Si 0 1 0 1 ) ) ) y = 0 + 1 x es obviamente un estimado de E ( y ) .

73

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

El procedimiento de los mnimos cuadrados para ajustar una recta a travs de un conjunto de n puntos es similar al mtodo que se puede utilizar para ajustar una recta a simple vista; es decir, se pretende que las desviaciones sean "pequeas" en cierto sentido. Una manera conveniente para lograr esto, y que nos aporta estimadores con propiedades adecuadas, es minimizar la suma de los cuadrados de las desviaciones verticales de la recta ajustada (notar las desviaciones en la Fig. 4.5). Por lo tanto si: ) = ) + )x y i 0 1 i (4.3)

es el valor que se predice del i-simo valor de y (cuando x = xi ), entonces la desviacin ) (llamada a veces el error) es: del valor observado de y a partir de la recta y ) yi y i y la suma de los cuadrados de las desviaciones que deben minimizarse es:
n ) )2 = n [ y ( ) x )]2 SCE = i =1 ( yi y i =1 i )0 + i 1 i

(4.4)

(4.5)

la cantidad SCE se llama tambin suma de los cuadrados de los errores.

4.2.7. Respuesta a la frecuencia

En ste trabajo para la determinacin de los parmetros de la bobina y capacitor del TCSC se utiliza la tcnica de respuesta a la frecuencia. La cual se entiende como la respuesta en estado de rgimen permanente de un sistema ante una entrada senoidal. El mtodo de respuesta en frecuencia consiste en variar la frecuencia de la seal de entrada a un circuito determinado en un rango de inters, estudindose la respuesta en frecuencia resultante. Una ventaja del mtodo es la fcil disponibilidad de seales de prueba senoidales para diversos rangos de frecuencia y amplitudes. Una segunda ventaja consiste en obtener la funcin de transferencia que describe el comportamiento senoidal en el estado estacionario de un sistema, reemplazando en la funcin del sistema T (s ) a s por j . La funcin de transferencia que representa el comportamiento senoidal en el estado estacionario de un sistema es entonces una funcin de la variable compleja j y de su propia funcin compleja T ( j ) que tiene una magnitud y un ngulo de fase, que se representan por grficas que proporcionan un medio significativo para el anlisis y diseo de sistemas. El anlisis de grficas puede llevarse a cabo mediante la aplicacin del criterio de Nyquist, as como el anlisis de los diagramas de Bode, siendo ste ltimo el que se emplear en este trabajo. El concepto de funcin de transferencia se aplica nicamente a sistemas lineales invariantes en el tiempo. Frecuentemente las funciones de transferencia se utilizan para caracterizar las
74

CAPTULO IV

IMPLEMENTACIN

relaciones de salida/entrada en los sistemas. El manejo de la funcin de transferencia para entradas senoidales est dada por la siguiente expresin: G (s ) = Y (s ) X (s ) (4.6)

donde Y (s ) es la seal senoidal de salida y X (s ) , es la seal senoidal de entrada. En el caso de un circuito RL puede escribirse: G (s ) s = j = R( j ) + X ( j ) (4.7)

La funcin de transferencia puede representarse por una magnitud G ( j ) y una fase

( j ) . Es posible representar una funcin de transferencia senoidal por dos diagramas distintos; uno que da la amplitud en funcin de la frecuencia y el otro que proporciona el ngulo de fase en funcin de la frecuencia.
El diagrama logartmico o diagrama de Bode consta de dos grficos: el primero es un diagrama del logaritmo del mdulo de una funcin de transferencia senoidal, mientras que el segundo es un diagrama del ngulo de fase; ambos son representados en funcin de la frecuencia con escala logartmica. La escala logartmica se utiliza para las frecuencias, y la escala lineal tanto para la amplitud (en decibelios) como para el ngulo de fase (grados). La representacin logartmica es til, porque presenta las caractersticas de alta y baja frecuencia de la funcin de transferencia en un solo diagrama, haciendo ms fcil la expansin en el rango de bajas frecuencias utilizando una escala logartmica en vez de una escala lineal, ya que a frecuencias bajas se presentan caractersticas importantes en determinados sistemas.

4.3. Parmetros de los dispositivos que componen al TCSC

Para la implementacin en laboratorio del dispositivo TCSC es necesario conocer con cierta precisin los valores de los elementos a utilizar, en este caso son el valor del reactor y el capacitor que componen el dispositivo; para estimar estos valores se propone llevar a cabo pruebas de respuesta a la frecuencia a ambos elementos.

4.3.1. Prueba de respuesta a la frecuencia del reactor

Se realiza la prueba de respuesta a la frecuencia al reactor para estimar los valores de inductancia y resistencia asociados. El reactor empleado es de alambre magneto calibre #18 con 460 vueltas, y ncleo de aire. La prueba est basada en la representacin matemtica del elemento cuyo diagrama esquemtico se presenta en la Fig. 4.6.
75

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC +

i N

Fig. 4.6. Diagrama esquemtico del reactor.

El flujo en el sistema es l , y representa el flujo producido por la corriente a travs del reactor y que enlaza sus devanados. La ecuacin de voltaje del sistema es la siguiente, v = ri + donde: r es la resistencia del reactor. es el enlace de flujo del reactor. i es la corriente a travs del reactor. Se agrega la componente resistiva, puesto que cualquier elemento inductivo real tiene asociada una resistencia. Se asume que l enlaza la totalidad de las vueltas del reactor, por lo que los enlaces de flujo pueden escribirse como sigue, d dt (4.8)

= N l
donde N es el nmero de vueltas del reactor.

(4.9)

Asumiendo que el sistema magntico es lineal, y aplicando la ley de Ohm para circuitos magnticos resulta, l = donde Rl es la reluctancia. Sustituyendo (4.10) en (4.9) resulta la siguiente expresin, Ni Rl (4.10)

N 2i Rl

(4.11)

76

CAPTULO IV

IMPLEMENTACIN

Cuando el sistema magntico es lineal generalmente se representa en trminos de inductancias, sta se define de la siguiente manera, Ll = N2 Rl (4.12)

De esta forma sustituyendo (4.12) en (4.11) obtenemos el enlace de flujo del reactor en funcin de la inductancia,

= Ll i

(4.13)

Finalmente sustituyendo (4.13) en (4.8) resulta la siguiente expresin, que representa el voltaje en funcin de la corriente y los elementos del sistema, v = ri + dLl i dt (4.14)

De la ecuacin (4.8) se desprende el circuito equivalente mostrado en la Fig. 4.7.

+

i Ll

v
-

Fig. 4.7. Circuito equivalente del reactor y su componente resistiva.

Utilizando la representacin fasorial de la expresin (4.14) obtenemos, V = rI + j (Ll I ) Factorizando y despejando resulta la impedancia del elemento, Z= V = r + jLl I (4.16) (4.15)

Utilizando la ecuacin (4.16) se pueden obtener expresiones para la magnitud y la fase de la impedancia, dadas por las siguientes relaciones, Z = r 2 + (Ll )
2

(4.17) (4.18)

L = arctan l r

77

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

La expresin (4.16) se utiliza para representar el comportamiento de la impedancia con respecto a la frecuencia. Con el grfico obtenido y el modelo (4.16) se lleva a cabo, mediante mnimos cuadrados, un ajuste de curvas con los datos medidos en laboratorio para estimar los valores de la resistencia y de la inductancia del reactor. Para las mediciones en laboratorio se usa el circuito de la Fig. 4.8, en donde v = 5 sen (t ) y r = 5 . La resistencia externa r se emplea para medir la corriente. La prueba consiste en hacer un barrido en frecuencia manteniendo el voltaje de alimentacin y midiendo los valores de voltaje rms y corriente rms en el reactor. En la Tabla 4.2 se muestran los valores obtenidos de la prueba.
+

I v
-

r L

V
-

Fig. 4.8. Circuito de prueba del reactor. Tabla 4.2. Mediciones obtenidas en laboratorio.

Frecuencia (Hz) 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250

Voltaje (V) 1.534 1.715 1.870 2.030 2.159 2.286 2.400 2.506 2.599 2.679 2.749 2.818 2.875 2.928 2.971 3.017 3.053 3.087 3.120 3.145 3.170

Corriente (A) 0.4512 0.4390 0.4246 0.4104 0.3966 0.3824 0.3670 0.3536 0.3402 0.3270 0.3150 0.3028 0.2914 0.2810 0.2708 0.2610 0.2522 0.2440 0.2356 0.2278 0.2210

Los valores de resistencia e inductancia estimados son L = 9.062mH y R = 1.8731 . La Fig. 4.9 presenta las curvas correspondientes de impedancia del reactor medida y calculada contra la frecuencia. Puede notarse que las curvas medida y calculada son muy similares, lo que representa un ajuste de curvas satisfactorio.

78

CAPTULO IV

IMPLEMENTACIN

16
Z calculada Z medida

14

12

Impedancia ( )

10

2 2 10

10

10

Frecuencia (rad/s)

Fig. 4.9. Impedancia del reactor medida y calculada contra la frecuencia.

4.3.2. Prueba de respuesta a la frecuencia del capacitor

Se realiza la prueba de respuesta a la frecuencia al capacitor para estimar los valores de capacitancia y resistencia asociados. Para esto se emplea la representacin matemtica del elemento cuyo diagrama esquemtico se muestra en la Fig. 4.10.
+

r C

v
-

Fig. 4.10. Diagrama esquemtico del capacitor.

La ecuacin de voltaje que rige el comportamiento del circuito es, v = ir + donde: r es la resistencia del capacitor. 1 idt C (4.19)

79

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

C es la capacitancia. i es la corriente que circula por el capacitor. Calculando la representacin fasorial de la ecuacin (4.19) se tiene, V = Ir + I Cj (4.20)

Factorizando y despejando resulta la impedancia del circuito descrita por, Z= V 1 =r+ I Cj (4.21)

Utilizando la ecuacin (4.21) se pueden obtener expresiones para la magnitud y la fase de la impedancia, dadas por las siguientes relaciones, Z = r 2 + ( 1 C )
2

(4.22) (4.23)

1 C = arctan r

La expresin (4.21) es la utilizada para calcular la impedancia del capacitor y as llevar a cabo un ajuste de curvas con los datos medidos en laboratorio para estimar los valores de resistencia y capacitancia dados. Nuevamente, la resistencia externa r se emplea para medir la corriente circulante. Para las mediciones en laboratorio se utiliza el circuito de la Fig. 4.11, en donde v = 5 sen (t ) y r = 5 . La prueba consiste en efectuar un barrido en frecuencia manteniendo el voltaje de alimentacin y midiendo los valores de voltaje rms y corriente rms del capacitor; en la Tabla 4.3 se muestran los valores obtenidos de la prueba.
+

r C

v
-

V
-

Fig. 4.11. Circuito de prueba del capacitor.

Los valores de resistencia y capacitancia que resultan de la prueba son C = 172.7504F y R = 0.003885 . La Fig. 4.12 muestra las curvas correspondientes de impedancia del capacitor medida y calculada contra la frecuencia, en sta se observa que las curvas prcticamente se traslapan, considerndose con esto un ajuste satisfactorio de curvas.

80

CAPTULO IV

IMPLEMENTACIN Tabla 4.3. Mediciones al circuito de prueba del capacitor obtenidas en laboratorio.

Frecuencia (Hz) 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250
20 18 16 14
Impedancia ( )

Voltaje (V) 3.370 3.310 3.240 3.170 3.094 3.012 2.933 2.847 2.762 2.679 2.600 2.525 2.448 2.373 2.304 2.237 2.170 2.105 2.040 1.990 1.935

Corriente (A) 0.1822 0.2160 0.2466 0.2748 0.3024 0.3268 0.3508 0.3716 0.3904 0.4090 0.4238 0.4378 0.4526 0.4642 0.4756 0.4858 0.4948 0.5030 0.5108 0.5188 0.5252
Z calculada Z medida

12 10 8 6 4 2 2 10

10

10

Frecuencia (rad/s)

Fig. 4.12. Impedancia del capacitor medida y calculada contra la frecuencia.

81

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

4.4. Circuito de disparo

Para controlar el ngulo de disparo se requiere de un circuito que proporcione una seal a los dispositivos semiconductores de potencia. sta seal se aplica con un retardo proporcional al ngulo de disparo al que se desea que operen los tiristores. Para el encendido de los tiristores se emplea un circuito cuyo elemento principal es un microcontrolador. En la Fig. 4.13 se muestra el diagrama esquemtico del circuito de disparo integrado al TCSC. ste consta de tres partes principales que se describen enseguida: Acondicionamiento de seal Microcontrolador Actuador Il Rl

Microcontrolador Seal de referencia Detector de cruce por cero Actuador

Acondicionamiento de seal

Fig. 4.13. Diagrama esquemtico del circuito de disparo.

4.4.1. Acondicionamiento de seal

Esta etapa consta de dos partes, seal de referencia y detector de cruce por cero. Para el disparo de los tiristores se toma como referencia el cruce por cero de la corriente de lnea; sta es una prctica comn ya que minimiza la generacin de armnicas [1]. As, la seal de referencia a utilizar es la corriente de lnea. Para sincronizar el disparo de los tiristores con el cruce por cero de la corriente de lnea se utiliza una seal de voltaje, VR , proporcional a la corriente de lnea, esta se toma de la
l

resistencia de lnea Rl . Para tener la seal de voltaje en niveles apropiados para los dispositivos electrnicos del circuito de encendido se utiliza un sensor de voltaje de efecto Hall, la salida de ste es una seal atenuada, VR ' , de la seal medida. Adems el sensor
l

asla elctricamente el circuito de disparo, protegindolo ante cualquier contingencia que pudiera presentarse en la etapa de potencia.

82

CAPTULO IV

IMPLEMENTACIN

Una vez que se tiene la seal de referencia es necesario conocer el momento en que sta cruza por cero, para esto se utiliza el detector de cruce por cero. ste tiene como objetivo convertir la seal de referencia en una seal cuadrada con amplitud de 5V en la que los cruces por cero coinciden con los cruces por cero de la corriente de lnea; se prefiere una seal cuadrada ya que en sta se tiene una transicin de negativo a positivo o viceversa cada vez que se presenta un cruce por cero de la seal de referencia. El diagrama esquemtico de sta etapa se muestra en la Fig. 4.14; en ste, Vsq , es una seal cuadrada que se obtiene cuando VR ' pasa a travs del amplificador operacional A1 , posteriormente
l

pasa a travs de una etapa de atenuacin y finalmente Vsq ' es la seal de salida de la etapa. VR VR '
l

Vsq
+ -

Vsq '
+

+ Sensor de efecto Hall -

A1

A2

Seal de referencia Detector de cruce por cero Fig. 4.14. Etapa de acondicionamiento de seal.

4.4.2. Microcontrolador
En esta etapa se utiliza un microcontrolador marca ATMEL modelo AT90S1200 de 20 terminales, el cual programado de forma adecuada proporciona los pulsos de disparo. El microcontrolador se programa de modo que represente un comparador analgico que detecta las transiciones de subida y bajada de la seal cuadrada que entrega el detector de cruce por cero, esta caracterstica se utiliza para sincronizar el pulso de disparo con el cruce por cero de la corriente de lnea. Se utilizan dos terminales de salida del microcontrolador, esto es, cada tiristor tiene un pulso de encendido independiente. Una vez que el microcontrolador ha detectado el cruce por cero de la seal cuadrada, dependiendo si la transicin fue de negativo a positivo o veceversa, aplica en una de sus salidas un pulso de disparo con un retardo proporcional al ngulo de disparo deseado. El sistema repite el proceso cada vez que se da una transicin de la seal cuadrada. En ste trabajo el ngulo de disparo tiene una precisin de 1 elctrico y es especificado utilizando 7 bits de entrada al microcontrolador. A continuacin se mencionan las principales caractersticas del microcontrolador empleado [2].

83

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

89 instrucciones. La mayora de ejecucin en un ciclo de reloj. 64 bytes de EEPROM. 32 X 8 registros de trabajo de propsito general. 15 lneas de entrada/salida programables. Vcc: 2.7-6.0V. Operacin esttica de 0-16MHz. Temporizador/contador de 8 bits con prescalador independiente. Fuentes de interrupcin internas y externas. Comparador analgico integrado. Opcin de un oscilador RC integrado para no utilizar componentes externos. En sta aplicacin el cristal de reloj utilizado es de 10MHz.

4.4.3. Actuador
Una vez que el microcontrolador ha proporcionado el pulso de encendido, ste se debe aplicar a la compuerta del tiristor apropiado, esto se hace mediante un circuito optoacoplado para cada dispositivo semiconductor con el propsito de aislar elctricamente el circuito de disparo del circuito de potencia, y as evitar daos al circuito electrnico en caso de que se presente una contingencia en la etapa de potencia, el diagrama esquemtico se muestra en la Fig. 4.15; el circuito optoacoplado consta de un diodo emisor de luz (LED) y tiene salida TRIAC.
Optoacoplador 1

Optoacoplador 2

Fig. 4.15. Etapa del actuador.

84

CAPTULO IV

IMPLEMENTACIN

4.5. Adquisicin de datos

La adquisicin de las seales a una PC de escritorio se hace utilizando una tarjeta de adquisicin de datos National Instruments; la interfaz usada para manejar la tarjeta es el lenguaje de programacin Matlab y especficamente la caja de herramientas de adquisicin de datos [3]. Una vez adquiridos los datos del circuito de prueba de laboratorio, stos se pueden manipular a fin de realizar diferentes tipos de anlisis usando el lenguaje Matlab. En ste caso se hace anlisis de Fourier a las seales adquiridas, con el objeto de determinar su contenido armnico. La adquisicin de las seales se hace utilizando una conexin diferencial, en sta configuracin se usan dos canales analgicos por cada seal que se desea medir; se emplea ste tipo de configuracin puesto que reduce el ruido captado por las terminales de medicin [4]. A continuacin se mencionan las principales caractersticas de la tarjeta utilizada [4]. Modelo NI 6023E. Utiliza Bus PCI. 16 canales analgicos de terminacin simple (single-ended), 8 diferenciales. 12 bits de resolucin. Tasa de muestreo de 200kmuestras/seg. Rango de entrada de 0.05 a 10V . 8 lneas digitales de entrada/salida. 2 temporizador/contador de 24 bits. Disparadores (triggers) digitales.

4.6. Circuito de prueba

Empleando el reactor y capacitor anteriormente descritos, se construy el dispositivo TCSC monofsico de la Fig. 4.16. Este es un circuito sencillo que consta del TCSC en serie con una resistencia de lnea, alimentados por una fuente de voltaje senoidal, en donde V = 120 2 sen (wt ) , Rl = 30 , Rm = 0.1 , CTCSC compuesta de una parte capacitiva Ct = 172.7504F y una parte resistiva RC = 0.003885 , finalmente LTCSC que est
85

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

compuesta por su parte inductiva Lt = 9.062mH y su parte resistiva Rt = 1.8731 . En ste trabajo se estudian los efectos que trae consigo la inclusin de la resistencia del reactor; la resistencia del capacitor se desprecia. Vc Rl Il Lt Rt Ct Rm V LTCSC It

Fig. 4.16. Diagrama esquemtico del circuito de prueba.

Como se mostr en el captulo III, la inclusin de la resistencia del reactor tiene efectos sobre la impedancia a frecuencia fundamental del dispositivo; en el circuito de prueba Rt es de un valor grande, adems se incluye una resistencia de medicin Rm , con objeto de capturar la forma de onda correspondiente a la corriente en los tiristores. Utilizando el circuito de la Fig. 4.17, en donde I = sen (t ) , se obtiene mediante simulacin una porcin de la impedancia a frecuencia fundamental del circuito de laboratorio, sta corresponde a la regin capacitiva. Se obtiene solo la porcin de la regin capacitiva ya que es donde normalmente opera el dispositivo, adems, debido a que la resistencia asociada al reactor tiene un valor relativamente alto la regin inductiva prcticamente desaparece.

Ct Lt Rm , Rt

Fig. 4.17. Diagrama esquemtico del TCSC de laboratorio usado en simulacin.

En la Fig. 4.18 se muestra la porcin de la impedancia a frecuencia fundamental que corresponde a la regin capacitiva; de sta grfica se puede intuir que la regin inductiva del dispositivo es muy pequea, adems, el cambio en la impedancia a frecuencia fundamental es lento, es decir, si se modifica el ngulo de disparo de los tiristores en el TCSC a un valor cercano al ngulo de resonancia, el valor de la impedancia no cambia de manera tan abrupta como en el caso mostrado en el captulo III, en el que no se incluye la resistencia del reactor. Esto puede interpretarse como un aumento en la regin de operacin
86

CAPTULO IV

IMPLEMENTACIN

del dispositivo, pero como se muestra en el captulo V, se presentan deformaciones de las seales en el TCSC debido a la inclusin de sta resistencia.
-15

-20

-25
Impedancia ( )

-30

-35

-40

-45 30

40

50

60

70

80

90

ngulo de disparo (grados)

Fig. 4.18. Impedancia equivalente a frecuencia fundamental del circuito de prueba.

4.7. Resumen
Se utiliza la prueba de respuesta a la frecuencia para estimar los valores de los elementos puesto que es una prueba sencilla y no requiere de instrumentacin especializada, adems el buen ajuste que se obtiene entre las curvas medida y calculada para ambos elementos indica una solucin satisfactoria. Para el circuito de disparo se utiliza un microcontrolador ya que se desea tener un control preciso del ngulo de disparo, adems la programacin es sencilla comparada con otros dispositivos, y puesto que no es necesario realizar clculos durante la ejecucin del programa, puede evitarse el uso de microprocesadores o procesadores digitales de seales. Otra de las ventajas que presenta el microcontrolador es tener perifricos integrados como el comparador analgico. Al utilizar en la etapa de acondicionamiento de seal un sensor que asla elctricamente la seal de potencia con la seal medida se evitan posibles daos a los componentes electrnicos del circuito de disparo si se presenta una falla en la etapa de potencia; lo mismo sucede en la etapa del actuador, en la que se utiliza un circuito optoacoplado con el mismo propsito.
87

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Se utiliza una tarjeta de adquisicin de datos ya que se desea tener disponible la informacin de las seales medidas, esto con el propsito de poder realizar anlisis de Fourier para determinar el contenido armnico de stas. Al usar el lenguaje de programacin Matlab, y la caja de herramientas de adquisicin de datos, el anlisis de las seales se torna amigable. En el circuito de prueba el hecho de que el reactor construido tenga una componente resistiva de valor alto, trae consigo efectos en la caracterstica de impedancia a frecuencia fundamental, aumentando la regin capacitiva del dispositivo, esto podra interpretarse como una ventaja, pero debe tomarse en consideracin que la inclusin de la resistencia aumenta las prdidas elctricas. El enfoque, los dispositivos y las herramientas utilizadas en ste trabajo se eligen tomando en cuenta aspectos econmicos y de desempeo, cabe tambin mencionar que no son la nica alternativa de solucin.

4.8. Bibliografa
[1] [2] [3] [4] Scott G. Helbing, G. G. Karady, "Investigations of an advanced form of series compensation", IEEE Trans. Power Delivery, vol. 9, no. 2, pp. 939-945, Abril 1994. AVR Enhanced RISC Microcontroller Data Book, ATMEL, 1997. Data Acquisition Toolbox Users Guide, Copyright 1999-2000 by The MathWorks, Inc. DAQ 6023E/6024E/6025E User Manual, Copyright 1999 National Instruments Corporation.

88

CAPTULO V
Anlisis de las seales medidas
5.1. Introduccin
En ste captulo se presentan los resultados obtenidos en laboratorio de las pruebas hechas al circuito a escala del TCSC. Se muestran las seales en estado transitorio, en estado estable, y se comparan stas ltimas con simulaciones hechas en el programa EMTDC. Se analiza tambin la respuesta del sistema ante cambios de tipo escaln en el ngulo de disparo, haciendo hincapi en el perodo transitorio y la duracin de ste. Adems se estudia el contenido armnico de las principales seales del dispositivo y cmo cambia cuando se modifica el ngulo de disparo de los tiristores. Se presentan los efectos que trae consigo la inclusin de la resistencia asociada al reactor de dispositivo, como son un perodo transitorio ms corto, deformacin de las seales y por consiguiente un cambio en el contenido armnico de las seales. Por ltimo se muestran los efectos que trae consigo la inclusin de una red snubber en la pendiente del voltaje a travs de los tiristores.

5.2. Seales en estado transitorio

Las principales seales del TCSC son la corriente de lnea (I l ) , corriente en los tiristores (I t ) , y voltaje en el capacitor (Vc ) . stas se estudian para conocer el comportamiento del dispositivo en estado transitorio. En la Fig. 5.1 empleando un ngulo de disparo = 42 , Fig. 5.3 con = 50 y Fig. 5.5 con = 69 , se muestran las tres principales variables del TCSC. En las grficas se observan las amplitudes reales de las seales, puede notarse que a medida que el ngulo de disparo se acerca a 90, la amplitud de I t decrece, debido a una disminucin en el tiempo de conduccin de los tiristores; el mismo comportamiento se observa con Vc . En las Figs. 5.2, 5.4 y 5.6 se presentan grficas que incluyen las tres principales variables del TCSC ( I l , I t y Vc ), stas grficas corresponden a las condiciones de las Figs. 5.1, 5.3 y 5.5, respectivamente. Puede observarse que a medida que el ngulo de disparo decrece, el tiempo en que la seal alcanza el estado estacionario es ms largo, como se indica en [1], esto puede notarse ya que a medida que las ondas peridicas comienzan a juntarse significa que el sistema ha alcanzado el estado estacionario.
89

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Il = 4.13Ap Vc = 95Vp I t = 4.9 Ap

Il It Vc

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

Tiempo (seg)

Fig. 5.1. Perodo transitorio del TCSC con

= 42 .

100

Voltaje en el capacitor (V)

50

-50

-100 5 5 0 0 -5 -5

C orriente en tiristores (A)

C orriente de lnea (A)

Fig. 5.2. Principales variables del TCSC con

= 42 .

90

CAPTULO V

ANLISIS DE LAS SEALES MEDIDAS

Il = 4.5 Ap Vc = 88Vp It = 3.4 Ap

Il It Vc

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

Tiempo (seg)

Fig. 5.3. Perodo transitorio del TCSC con

= 50 .

100

Voltaje en el capacitor (V)

50

-50

-100 4 2 0 -2 C orriente en tiristores (A) -4 -5 0 5

C orriente de lnea (A)

Fig. 5.4. Principales variables del TCSC con

= 50 .

91

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Il = 5 Ap Vc = 78Vp

Il It

It = 1.06 Ap

Vc

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

Tiempo (seg)

Fig. 5.5. Perodo transitorio del TCSC con

= 69 .

80 60

Voltaje en el capacitor (V)

40 20 0 -20 -40 -60 -80 1.5 1 0.5 0 -0.5 -1 C orriente en tiristores (A) -1.5 -6 -4 C orriente de lnea (A) -2 0 2 4 6

Fig. 5.6. Principales variables del TCSC con

= 69 .

92

CAPTULO V

ANLISIS DE LAS SEALES MEDIDAS

5.3. Seales en estado estable

En sta seccin se muestran las seales en estado estable obtenidas del circuito de laboratorio, y se hace una comparacin con seales obtenidas de simulacin en el programa EMTDC. En las Figs. 5.7, 5.8 y 5.9, se ilustran la corriente de lnea, la corriente en los tiristores y el voltaje del capacitor respectivamente, en donde se observan las seales medidas en laboratorio y las seales obtenidas a partir de simulacin, ambas con un ngulo de disparo = 69 . En las grficas puede notarse la gran semejanza entre las seales de laboratorio y las de simulacin. Las formas de onda son prcticamente iguales, solo difieren en amplitud, lo cual puede deberse a la incertidumbre que existe en los parmetros del circuito de laboratorio, as como de errores de medicin. En la grfica de corriente en los tiristores se hace un poco ms notoria la diferencia de amplitudes. Un dispositivo FACTS como el TCSC generalmente se construye para operar en estado estable [2]. As que las seales en estado estacionario son las que determinan la impedancia equivalente que el dispositivo representa en el sistema de potencia, y por consiguiente la corriente y transferencia de potencia a travs de la lnea en la que se encuentra instalado el dispositivo.
6
Real EMTDC

2
Corriente de lnea (A)

-2

-4

-6

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

Tiempo (seg)

Fig. 5.7. Corriente de lnea con

= 69 .

93

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

1.5
Real EMTDC

Corriente en tiristores (A)

0.5

-0.5

-1

-1.5

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

Tiempo (seg)

Fig. 5.8. Corriente en los tiristores con

100 80 60 40
Voltaje en el capacitor (V)

= 69 .
Real EMTDC

20 0 -20 -40 -60 -80 -100

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

Tiempo (seg)

Fig. 5.9. Voltaje en el capacitor con

= 69 .

94

CAPTULO V

ANLISIS DE LAS SEALES MEDIDAS

5.4. Respuesta ante cambios escaln en el ngulo de disparo

En sta seccin se realizan pruebas en el circuito de laboratorio para observar el comportamiento del dispositivo TCSC ante cambios escaln en el ngulo de disparo. Se tiene el dispositivo funcionando en estado estacionario, con un ngulo de disparo = 42 , se provoca un cambio escaln en el ngulo de disparo a = 69 aproximadamente en t = 0.62 seg , el ngulo de disparo se mantiene por aproximadamente 1seg y despus se presenta otro cambio escaln, regresando al ngulo de disparo inicial. En las Figs. 5.10, 5.11 y 5.12 se muestran la corriente de lnea, la corriente en los tiristores y el voltaje en el capacitor respectivamente ante cambios escaln en el ngulo de disparo; en las grficas puede observarse que la transicin de una condicin de estado estacionario a otra se presenta con rapidez, que es una caracterstica deseable e importante en todo dispositivo FACTS. En la Fig. 5.13 se muestra una grfica que incluye I l , I t y Vc ; en sta se puede observar con ms claridad la transicin que se presenta al pasar de un estado estacionario a otro. En la grfica se muestran dos rbitas principales, una exterior y una interior, stas rbitas representan el estado estacionario en = 42 y el estado estacionario en = 69 respectivamente. En el punto (1) se provoca el primer cambio escaln que corresponde a la transicin de = 42 a = 69 y en el punto (2) se presenta otro cambio escaln del ngulo de disparo regresando a la condicin inicial en = 42 .
6

2
Corriente de lnea (A)

-2

-4

-6

0.5

1.5
Tiempo (seg)

2.5

Fig. 5.10. Corriente de lnea ante cambios escaln en el ngulo de disparo.

95

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

5 4 3 2
Corriente en tiristores (A)

1 0 -1 -2 -3 -4 -5

0.5

1.5
Tiempo (seg)

2.5

Fig. 5.11. Corriente en tiristores ante cambios escaln en el ngulo de disparo.

100 80 60 40
Voltaje en el capacitor (V)

20 0 -20 -40 -60 -80 -100

0.5

1.5
Tiempo (seg)

2.5

Fig. 5.12. Voltaje en el capacitor ante cambios escaln en el ngulo de disparo.

96

CAPTULO V

ANLISIS DE LAS SEALES MEDIDAS

100

Voltaje en el capacitor (V)

50

(2)
-50

-100 5

(1)
6 0 -2 0 -4 C orriente de lnea (A) 2 4

C orriente en tiristores (A)

-5

-6

Fig. 5.13. Principales variables del TCSC ante cambios escaln en

Puede notarse que la transicin que se presenta en ambos casos, es decir cuando se provocan los dos cambios escaln en el ngulo de disparo, dura aproximadamente tres cuartos de ciclo, esto se puede notar ya que cada rbita representa un ciclo de operacin del dispositivo. En el estado estacionario las ondas peridicas coinciden, es por eso que solo se aprecian dos rbitas principales. Es importante conocer el tiempo que tarda el sistema en alcanzar un nuevo estado estacionario, ya que al presentarse una falla el dispositivo debe alcanzar un estado estable diferente al inicial, y si el tiempo de duracin del transitorio no es pequeo, puede ser suficiente para lograr que el sistema presente oscilaciones y eventualmente caiga en la inestabilidad.

5.5. Contenido armnico de las seales del dispositivo ante diferentes ngulos de disparo
En sta seccin se estudia el comportamiento del contenido armnico de la corriente de lnea, corriente en los tiristores y voltaje en el capacitor, a medida que el ngulo de disparo se acerca a 90 para tres ngulos de disparo diferentes. Se estudia el contenido armnico de las principales seales del TCSC, con el propsito de verificar el comportamiento que el dispositivo presenta en simulacin.

97

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Se sabe que con ste tipo de dispositivos se utilizan filtros, as, es importante determinar el contenido armnico de las seales del TCSC para disear correctamente los filtros a usar. En las Figs. 5.14, 5.15 y 5.16 se muestra I l , en las Figs. 5.17, 5.18 y 5.19 se presenta I t y en las Figs. 5.20, 5.21 y 5.22 se ilustra Vc para un ngulo de disparo de = 42 , = 50 y = 69 , respectivamente. En las grficas se observa que el voltaje en el capacitor disminuye su contenido armnico a medida que el ngulo de disparo se acerca a 90 como se muestra en [3], la corriente de lnea exhibe el mismo comportamiento que Vc , esto es de esperarse ya que a medida que se acerca a 90 el dispositivo opera ms alejado del ngulo de resonancia. Un comportamiento opuesto presenta la corriente en los tiristores, en la cual el contenido armnico aumenta a medida que se acerca a 90, ste comportamiento es debido a que en = 0 la corriente en los tiristores es totalmente senoidal y a medida que el ngulo de disparo se acerca a 90 la forma de onda de corriente en los tiristores se vuelve menos senoidal y por consiguiente aumenta su contenido armnico. Puede observarse tambin que todas las seales exhiben solo componentes armnicas de orden impar, esto coincide con lo indicado en [4].
8 7 6 5 4 3 2 1 0

Magnitud armnica de I l con respecto a la fundamental (%)

60

120

180

240

300

360

420

480

540

600

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.14. Contenido armnico de I l con

= 42 .

98

CAPTULO V

ANLISIS DE LAS SEALES MEDIDAS

8 7
Magnitud armnica de I l con respecto a la fundamental (%)

6 5 4 3 2 1 0

60

120

180

240

300

360

420

480

540

600

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.15. Contenido armnico de I l con

8 7
Magnitud armnica de I l con respecto a la fundamental (%)

= 50 .

6 5 4 3 2 1 0

60

120

180

240

300

360

420

480

540

600

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.16. Contenido armnico de I l con

= 69 .

99

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

100 90
Magnitud armnica de I t con respecto a la fundamental (%)

80 70 60 50 40 30 20 10 0

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.17. Contenido armnico de I t con

100 90
Magnitud armnica de I t con respecto a la fundamental (%)

= 42 .

80 70 60 50 40 30 20 10 0

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.18. Contenido armnico de I t con

= 50 .

100

CAPTULO V

ANLISIS DE LAS SEALES MEDIDAS

100 90
Magnitud armnica de I t con respecto a la fundamental (%)

80 70 60 50 40 30 20 10 0

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.19. Contenido armnico de I t con

10 9
Magnitud armnica de Vc con respecto a la fundamental (%)

= 69

8 7 6 5 4 3 2 1 0

60

120

180

240

300

360

420

480

540

600

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.20. Contenido armnico de Vc con

= 42 .

101

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

10 9
Magnitud armnica de Vc con respecto a la fundamental (%)

8 7 6 5 4 3 2 1 0

60

120

180

240

300

360

420

480

540

600

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.21. Contenido armnico de Vc con

10 9
Magnitud armnica de Vc con respecto a la fundamental (%)

= 50 .

8 7 6 5 4 3 2 1 0

60

120

180

240

300

360

420

480

540

600

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.22. Contenido armnico de Vc con

= 69 .

102

CAPTULO V

ANLISIS DE LAS SEALES MEDIDAS

5.6. Efectos de la inclusin de la resistencia asociada al reactor del dispositivo

Tradicionalmente en la literatura se ha modelado al TCSC como un arreglo de elementos ideales; el capacitor y el reactor representado solo por sus respectivas reactancias y los tiristores representados como conmutadores ideales. En sta seccin se presentan los resultados obtenidos al incluir la resistencia asociada al reactor del TCSC, ya que un elemento real tiene una resistencia asociada.

5.6.1. Amortiguamiento de las seales

La resistencia asociada al reactor del dispositivo (Rt ) representa un elemento de amortiguamiento adicional al sistema, en las Figs. 5.23 y 5.24 se muestran grficas que contienen las tres principales variables del sistema con un ngulo de disparo = 42 , cuando Rm = 0.1 y Rm = 1 respectivamente, en stas se observa el tiempo que tarda el dispositivo en alcanzar el estado estacionario. Puede notarse que cuando aumenta el valor de la resistencia en serie con el reactor el tiempo que tarda el sistema en alcanzar el estado estacionario disminuye, esto puede considerarse como un aumento en el amortiguamiento del sistema.

100

Voltaje en el capacitor (V)

50

-50

-100 5 5 0 0 -5 -5

C orriente en tiristores (A)

C orriente de lnea (A)

Fig. 5.23. Principales variables del TCSC cuando Rm = 0.1 .

103

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

100

Voltaje en el capacitor (V)

50

-50

-100 5 5 0 0 -5 -5

C orriente en tiristores (A)

C orriente de lnea (A)

Fig. 5.24. Principales variables del TCSC cuando Rm = 1 .

5.6.2. Contenido armnico de las seales del sistema ante cambios en la resistencia asociada al reactor del dispositivo
En sta seccin se analiza el contenido armnico de las principales seales ante un aumento en la resistencia en serie con el reactor. En las Figs. 5.25 y 5.26 se muestra la corriente de lnea, en las Figs. 5.27 y 5.28 la corriente en los tiristores y en las Figs. 5.29 y 5.30 el voltaje en el capacitor con un ngulo de disparo = 42 , cuando Rm = 0.1 y Rm = 1 respectivamente. En stas grficas puede observarse que el contenido armnico de la corriente de lnea y el voltaje en el capacitor tienen un comportamiento semejante, cuando aumenta Rm se exhibe un pequeo decremento en la magnitud de la tercera armnica, mientras que la magnitud de la quinta y sptima armnica presentan un aumento en su magnitud. Observando las grficas de corriente en los tiristores se nota un comportamiento diferente, cuando Rm aumenta se nota un incremento en la magnitud de todas las componentes armnicas.

104

CAPTULO V

ANLISIS DE LAS SEALES MEDIDAS

8 7 6 5 4 3 2 1 0

Magnitud armnica de I l con respecto a la fundamental (%)

60

120

180

240

300

360

420

480

540

600

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.25. Contenido armnico de I l cuando Rm = 0.1 .

8 7
Magnitud armnica de I l con respecto a la fundamental (%)

6 5 4 3 2 1 0

60

120

180

240

300

360

420

480

540

600

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.26. Contenido armnico de I l cuando Rm = 1 .

105

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

100 90
Magnitud armnica de I t con respecto a la fundamental (%)

80 70 60 50 40 30 20 10 0

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.27. Contenido armnico de I t cuando Rm = 0.1

100 90
Magnitud armnica de I t con respecto a la fundamental (%)

80 70 60 50 40 30 20 10 0

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.28. Contenido armnico de I t cuando Rm = 1 .

106

CAPTULO V

ANLISIS DE LAS SEALES MEDIDAS

10 9
Magnitud armnica de Vc con respecto a la fundamental (%)

8 7 6 5 4 3 2 1 0

60

120

180

240

300

360

420

480

540

600

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.29. Contenido armnico de Vc cuando Rm = 0.1 .

10 9
Magnitud armnica de Vc con respecto a la fundamental (%)

8 7 6 5 4 3 2 1 0

60

120

180

240

300

360

420

480

540

600

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.30. Contenido armnico de Vc cuando Rm = 1 .

107

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

5.6.3. Deformacin de las seales del sistema al incluir la resistencia asociada al reactor del dispositivo
Otro de los efectos que trae consigo la inclusin de la resistencia asociada al reactor del dispositivo es la deformacin de las seales. En las Figs. 5.31, 5.32 y 5.33 se ilustran la corriente de lnea, corriente en tiristores y voltaje en el capacitor, para un ngulo de disparo de = 31 , = 24 y = 16 respectivamente. En stas grficas puede observarse que la resistencia asociada al reactor del dispositivo y la inclusin de Rm = 0.1 producen deformaciones en las seales del TCSC, esto se hace ms notorio en las seales de corriente de lnea y voltaje en el capacitor. Puede notarse tambin, que a medida que el ngulo de disparo disminuye, la deformacin de las seales es cada vez mayor, esto deriva en un aumento en el contenido armnico del sistema. En las Figs. 5.34 y 5.35 se muestran la corriente de lnea, corriente en tiristores y voltaje en el capacitor para un ngulo de disparo = 50 y = 60 respectivamente, stas grficas se obtienen mediante simulacin utilizando el circuito mostrado en el captulo IV; en ste circuito se alimenta al TCSC con una fuente de corriente. Las simulaciones se llevan a cabo utilizando los valores de inductancia y capacitancia del circuito de laboratorio y despreciando Rt y Rm . Los ngulos de disparo de las seales reales y de las seales de simulacin son diferentes puesto que cuando no se incluyen Rt y Rm el ngulo de resonancia para el circuito usado en simulacin se presenta en aproximadamente = 47 . ste diagrama es el que se muestra comnmente en la literatura para modelado del TCSC. Puede observarse que las seales obtenidas de simulacin no se deforman al cambiar el ngulo de disparo del dispositivo, an cuando ste opera cerca del ngulo de resonancia, a diferencia de lo observado en las Figs. 5.31, 5.32 y 5.33 en donde se incluye la resistencia asociada al reactor del dispositivo. As, es importante tomar en cuenta ste cambio en las seales del dispositivo y prever sus efectos. En las Figs. 5.36, 5.37 y 5.38 se presentan las magnitudes de las componentes armnicas de la corriente de lnea que corresponden a las Figs. 5.31, 5.32 y 5.33 respectivamente. Puede notarse que el contenido armnico aumenta a medida que el ngulo de disparo es ms pequeo; sta tendencia coincide con el incremento en la deformacin de las seales cuando el ngulo de disparo decrece.

108

CAPTULO V

ANLISIS DE LAS SEALES MEDIDAS

Il It Vc

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

Tiempo (seg)

Fig. 5.31. Seales del TCSC con

= 31 .
Il It Vc

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

Tiempo (seg)

Fig. 5.32. Seales del TCSC con

= 24 .

109

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

Il It Vc

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

Tiempo (seg)

Fig. 5.33. Seales del TCSC con

= 16 .

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

Tiempo (seg)

Fig. 5.34. Seales del TCSC con

= 50 .

110

CAPTULO V

ANLISIS DE LAS SEALES MEDIDAS

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

Tiempo (seg)

Fig. 5.35. Seales del TCSC con

20 18
Magnitud armnica de I l con respecto a la fundamental (%)

= 60 .

16 14 12 10 8 6 4 2 0

60

120

180

240

300

360

420

480

540

600

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.36. Contenido armnico de I l con

= 31 .

111

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

20 18
Magnitud armnica de I l con respecto a la fundamental (%)

16 14 12 10 8 6 4 2 0

60

120

180

240

300

360

420

480

540

600

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.37. Contenido armnico de I l con

20 18
Magnitud armnica de I l con respecto a la fundamental (%)

= 24 .

16 14 12 10 8 6 4 2 0

60

120

180

240

300

360

420

480

540

600

Frecuencia (Hz)

Fig. 5.38. Contenido armnico de I l con

= 16 .

112

CAPTULO V

ANLISIS DE LAS SEALES MEDIDAS

5.7. Inclusin de la red snubber al TCSC

Las redes snubber son circuitos de amortiguamiento necesarios para limitar la razn de cambio del voltaje a travs de los tiristores con respecto al tiempo. En la Fig. 5.39 se muestra el circuito utilizado en laboratorio, al cual se le incluye una red snubber. Vc Rl Il Lt Rt Ct Rm LTCSC It Cs Rs

Fig. 5.39. Circuito usado en laboratorio con la inclusin de una red snubber.

Para las pruebas hechas en el circuito de laboratorio no se necesita el uso de una red snubber puesto que los niveles de voltaje utilizados son bajos comparados con la razn de cambio del voltaje en los tiristores usados que es tpicamente de 200 V s ; adems, stos operan a una frecuencia relativamente baja (60Hz). As, los valores de capacitancia y resistencia utilizados se escogen solo como ejemplo para mostrar el efecto que se presenta en la seal de voltaje en los tiristores al incluir el circuito de amortiguamiento. En la Fig. 5.40 se ilustra el voltaje en los tiristores con un ngulo de disparo = 42 , en donde se muestran las seales al momento de la conmutacin con red snubber incluida y sin ella. Los valores de los elementos del circuito de amortiguamiento son Cs = 5F y Rs = 82.1 , de stos parmetros resulta una razn de cambio del voltaje con respecto al tiempo de aproximadamente 0.5972 V s . sta se calcula utilizando la metodologa mostrada en el captulo III. Puede observarse que al incluir la red snubber, la pendiente del voltaje a travs de los tiristores disminuye considerablemente con respecto al caso en que no se incluye. Otro de los efectos que trae consigo la inclusin de ste circuito de amortiguamiento es el cambio en la amplitud de las seales. En la Fig. 5.41a se muestra el voltaje en los tiristores con un ngulo de disparo = 42 , en lnea continua para el caso en que no se incluye la red snubber, y en lnea punteada con la inclusin de sta. Puede observarse un cambio en la amplitud de las seales tras la inclusin de la red de amortiguamiento.

113

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

90 80 70 60
Voltaje en los tiristores (V)

Vt sin snubber Vt con snubber

50 40 30 20 10 0 -10 0.188 0.1882 0.1884 0.1886 0.1888 0.189 0.1892 0.1894 0.1896 0.1898
Tiempo (seg)

0.19

Fig. 5.40. Voltaje en los tiristores al momento de la conmutacin.

100 80 60 40
Voltaje en los tiristores (V)

20 0 -20 -40 -60 -80 -100 0.085

0.09

0.095

0.1
Tiempo (seg)

0.105

0.11

0.115

114

CAPTULO V

ANLISIS DE LAS SEALES MEDIDAS

5 4 3 2
Corriente en tiristores (A)

1 0 -1 -2 -3 -4 -5 0.085

0.09

0.095

0.1
Tiempo (seg)

0.105

0.11

0.115

b Fig. 5.41. Voltaje y corriente en los tiristores con

= 42 .

La inclusin de la red snubber tiene efectos sobre todas las seales del sistema, en la Fig. 5.41b se muestra la corriente en tiristores, en donde se observa que al momento del apagado de los tiristores se presenta una pequea oscilacin debida a que inicia el ciclo de carga del capacitor.

5.8. Resumen
Al analizar las seales en estado transitorio puede notarse que a medida que el ngulo de disparo se acerca a 90, el tiempo que tardan las seales en alcanzar el estado estacionario es ms corto. Al comparar las seales medidas en laboratorio con las obtenidas de simulacin, puede notarse una gran semejanza, esto permite verificar el desempeo de los paquetes de simulacin. Cuando se estudia el comportamiento del sistema ante cambios escaln en el ngulo de disparo, la importancia reside en el perodo transitorio que se presenta en las transiciones de un estado estacionario a otro, y sus caractersticas, como son el tiempo de estabilizacin y la magnitud de las seales. Al observar estas seales puede verse que el dispositivo alcanza con rapidez el nuevo estado estacionario, lo cual es importante ya que si el perodo transitorio dura demasiado puede conducir a oscilaciones que afecten al sistema e incluso lo lleven a la inestabilidad.
115

DISEO E IMPLEMENTACIN EN LABORATORIO DE UN DISPOSITIVO TCSC

El estudio del contenido armnico de las seales del dispositivo exhibe resultados que coinciden con los presentados en la literatura, esto es importante ya que as se corrobora el buen funcionamiento de los modelos matemticos. Al analizar los efectos que trae consigo la inclusin de la resistencia asociada al reactor del dispositivo, puede notarse que con un aumento en el valor de sta resistencia disminuye el tiempo que tarda el sistema en alcanzar el estado estacionario, tambin puede observarse que se presenta una deformacin en las seales del TCSC y por consiguiente un cambio en el contenido armnico, a diferencia de cuando no se incluye la resistencia.. Cuando se analizan las seales del TCSC al incluir la red snubber se observa una disminucin en el tiempo de crecimiento del voltaje en los tiristores, esto es necesario para mantener el control del circuito.

5.9. Bibliografa
[1] Scott G. Helbing, G. G. Karady, Investigations of an advanced form of series compensation, IEEE Transactions on Power Delivery, vol. 9, no. 2, pp. 939-945, Abril 1994. Narain G. Hingorani, Laszlo Gyugyi, Understanding FACTS Concepts and Technology of Flexible AC Transmission Systems, primera edicin, IEEE Press, 1999. Ricardo J. Dvalos, Modelado y anlisis dinmico del TCSC y su aplicacin para mejorar el comportamiento electromecnico en redes elctricas, CINVESTAV del IPN Unidad Guadalajara, 2000. E. V. Larsen, K. Clark, S. A. Miske, Jr., J. Urbanek, Characteristics and rating considerations of thyristor controlled series compensation, IEEE Transactions on Power Delivery, vol. 9, no. 2, pp. 992-1000, Abril 1994.

[2]

[3]

[4]

116

CONCLUSIONES Y CONTRIBUCIONES
La finalidad de ste trabajo es presentar el diseo y construccin de un TCSC a nivel laboratorio. Para llevar a cabo la implementacin del TCSC y de cualquier otro dispositivo deben tomarse en cuenta aspectos que se presentan en la operacin real y que suelen despreciarse en modelos matemticos. Como primer paso en ste trabajo se hacen simulaciones como prembulo a la implementacin real. Cuando se incluye la resistencia asociada al reactor del dispositivo se observa que ste elemento aumenta el amortiguamiento del sistema, ya que recorre el valor en el que se presenta el ngulo de resonancia, aumentando as la regin capacitiva del dispositivo, esto puede interpretarse como una ventaja, pero no hay que perder de vista el hecho de que tambin aumentan las prdidas elctricas. Al insertar una red snubber que tiene como resultado cambios en las seales del sistema, se presenta una disminucin de la pendiente del voltaje en los tiristores al momento del apagado. Esto es importante puesto que debido a ello se puede evitar el falso disparo de los elementos semiconductores de potencia y as mantener el control del sistema. Al analizar el TCSC dividido en mdulos puede observarse un control ms fino de la reactancia a frecuencia fundamental del dispositivo, esto es relevante en situaciones en las que necesita regularse con precisin el flujo de potencia a travs de una lnea de transmisin. A medida que aumenta el nmero de mdulos el cambio en la reactancia a frecuencia fundamental se vuelve ms preciso. Uno de los pasos necesarios para llevar a cabo la implementacin es conocer los parmetros de los elementos a utilizar, as como el diseo y construccin del circuito de disparo. Se utiliza la prueba de respuesta a la frecuencia como medio para determinar parmetros puesto que es una prueba sencilla y no requiere de instrumentacin especializada, adems el buen ajuste que presentan las curvas medida y calculada indica una solucin satisfactoria. Como elemento principal en el circuito de disparo se utiliza un microcontrolador ya que se desea tener un control preciso del ngulo de disparo; la programacin es sencilla comparada con otros dispositivos como microprocesadores o procesadores digitales de seales. Adems, una ventaja que presenta el microcontrolador en tener perifricos integrados como el comparador analgico.

117

CONCLUSIONES Y CONTRIBUCIONES

En la etapa de acondicionamiento de seal se usa un sensor de voltaje de efecto Hall que tiene la ventaja de aislar los circuitos de potencia y electrnicos para evitar posibles daos si se presenta una contingencia en la etapa de potencia; lo mismo sucede con la etapa del actuador, en la que se utiliza un circuito optoacoplado con el mismo propsito. Se implementa el dispositivo TCSC y se llevan a cabo una serie de pruebas para verificar su desempeo. Al analizar las seales en estado transitorio puede notarse que a medida que el ngulo de disparo se acerca a 90, el tiempo en que las seales alcanzan el estado estacionario disminuye. Cuando se comparan las seales medidas en laboratorio con las obtenidas de simulacin, puede verse una gran semejanza, esto permite verificar el desempeo de los paquetes de simulacin. Cuando se estudia el comportamiento del sistema ante cambios escaln en el ngulo de disparo es importante notar las transiciones de un estado estacionario a otro, as como sus caractersticas, como son el tiempo de estabilizacin y la magnitud de las seales. El estudio del contenido armnico de las seales del dispositivo exhibe resultados comparables a los presentados en la literatura, esto es de gran importancia ya que ayuda a verificar modelos matemticos. Cuando se analizan los efectos que trae consigo la inclusin de la resistencia asociada al reactor del dispositivo, puede observarse que un incremento en el valor de ste parmetro disminuye el tiempo que tarda el sistema en alcanzar el estado estacionario, tambin puede notarse una deformacin en las seales del TCSC y por consiguiente un cambio en el contenido armnico. Finalmente se lleva a cabo la aplicacin de una red snubber al TCSC en donde puede verse la disminucin de la razn de cambio del voltaje en los tiristores con respecto al tiempo, as pueden evitarse falsos disparos y conservar el control del circuito. A manera de conclusin general del trabajo, mediante las pruebas realizadas al TCSC se corroboraron los resultados presentados en la literatura, as como los obtenidos en simulacin.

118

TRABAJOS FUTUROS
Como trabajos futuros se proponen las siguientes opciones: Implementacin trifsica del TCSC, as como su insercin en una pequea red de potencia para analizar su operacin. Aplicacin de estrategias de control a fin de verificar el desempeo de las mismas en condiciones de operacin reales. Extensin a la compensacin serie mediante el uso de fuentes convertidoras de voltaje. Implementacin de otros dispositivos FACTS.

119

PUBLICACIONES
Desde el inicio de ste trabajo de investigacin a la fecha se han aceptado, presentado en congreso o revista y sujeto a revisin los siguientes artculos: [1] R. J. Dvalos, J. M. Ramrez, P. Ziga H., Estudio del TSCS mediante un modelo en espacio de estado, Congreso Nacional de Instrumentacin SOMI XV, ELE-122, Octubre 2000. R. J. Dvalos, J. M. Ramrez, P. Ziga H., Anlisis dinmico del TCSC, Congreso Nacional de Instrumentacin SOMI XV, ELE-12-3, Octubre 2000. J. M. Ramrez, I. Coronado, P. Ziga H., R. J. Dvalos, A. Valenzuela, I. Castillo, Control de una red elctrica de potencia, Avance y Perspectiva, vol. 19, pp. 347357, Noviembre-Diciembre de 2000. P. Ziga H., R. J. Dvalos, J. M. Ramrez, I. Coronado, Anlisis de corrientes y voltajes en los dispositivos SVC y TCSC, Congreso Bienal CIGRE Mxico, CIGRE/2001_14-07, Junio de 2001. I. Coronado, J. M. Ramrez, P. Ziga H., Comparacin de metodologas para la inclusin del UPFC en estudios de estado estacionario, Congreso Bienal CIGRE Mxico, CIGRE/2001_14-04, Junio de 2001. P. Ziga H., J. M. Ramrez, I. Coronado, Anlisis armnico del TCR incluyendo la resistencia asociada al reactor del dispositivo, Decimocuarta Reunin de Verano de Potencia y Aplicaciones Industriales/2001, RVP-AI/2001-EDU-21, Julio de 2001. P. Ziga H., J. M. Ramrez, I. Coronado, Metodologa para el clculo de redes snubber en tiristores y su aplicacin al TCSC, Decimocuarta Reunin de Verano de Potencia y Aplicaciones Industriales/2001, RVP-AI/2001-EDU-22, Julio de 2001. I. Coronado, J. M. Ramrez, P. Ziga H., Impacto del UPFC en los modos de oscilacin electromecnicos en un SMBI, Decimocuarta Reunin de Verano de Potencia y Aplicaciones Industriales/2001, RVP-AI/2001-SIS-12, Julio de 2001. I. Coronado, J. M. Ramrez, P. Ziga H., Localizacin de un UPFC en un SEP para amortiguar oscilaciones electromecnicas, Decimocuarta Reunin de Verano de Potencia y Aplicaciones Industriales/2001, RVP-AI/2001-SIS-13, Julio de 2001.

[2] [3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[9]

120

PUBLICACIONES

[10]

I. Coronado, P. Ziga H., J. M. Ramrez, FACTS: soluciones modernas para la industria elctrica, Avance y perspectiva, vol. 20, pp. 235-244, Julio-Agosto de 2001. P. Ziga H., Juan M. Ramrez, Design and implementation of a single-phase TCSC, Sometido a International Journal of Electrical Power and Energy Systems. P. Ziga H., Juan M. Ramrez, Laboratory tests of a single-phase TCSC: Development and performance, Sometido a IEEE Power Engineering Review.

[11] [12]

121