TIRISTORES

1. INTRODUCCION
Los tiristores constituyen una familia de dispositivos que pueden tomar diferentes nombres y caractersticas, pero donde todos los elementos que la componen se basan en el mismo principio de funcionamiento. Constructivamente son dispositivos de 4 capas semiconductoras N-P-N-P y cuya principal diferencia con otros dispositivos de potencia es que presentan un comportamiento biestable. Su construccin se debe en su origen a General Electric en 1957 y la comercializacin general comienza hacia 1960. Los tiristores pueden tener 2, 3 o 4 terminales, y ser de conduccin unilateral (un solo sentido) o bilateral (en ambos sentidos). Ante una seal adecuada pasan de un estado de bloqueo al de conduccin, debido a un efecto de realimentacin positiva. El pasaje inverso, de conduccin a bloqueo se produce por la disminucin de la corriente principal por debajo de un umbral. Funcionan como llaves, presentando dos estados posibles de funcionamiento: No conduccin (abierto) Conduccin (cerrado)

La estructura base comn consiste en mltiples capas P y N alternadas, pudiendo presentar algunas variaciones en los distintos miembros de la familia, particularizando su funcionamiento. La carga es aplicada sobre las mltiples junturas y la corriente de disparo es inyectada en una de ellas. Los tiristores pueden tomar muchas formas y nombres, pero tienen en comn que todos ellos son llaves de estado slido capaces de bloquear tensiones directas e inversas hasta el momento que son disparados. Al dispararlos se convierten en dispositivos de baja impedancia, conduciendo la corriente que fije el circuito exterior, permaneciendo indefinidamente en conduccin mientras la corriente no disminuya por debajo de un cierto valor. Una vez disparado y establecida la corriente principal, la corriente de disparo puede ser removida sin alterar el estado de conduccin del tiristor. Anlogamente una vez recuperada la capacidad de bloqueo, sta se mantiene sin otro requisito hasta la ocurrencia de un nuevo disparo. Estas caractersticas transforman al tiristor en un elemento muy til en aplicaciones de control. Comparado con llaves mecnicas, el tiristor tiene un elevado ciclo de servicio junto con relativamente muy bajos tiempos de encendido y apagado. Por ser dispositivos cuyo funcionamiento se basa en dos tipos de portadores, participan de las excelentes caractersticas de conduccin, pero cono tiempos de conmutacin considerables. Debido a su accin regenerativa, y baja resistencia una vez disparado, los tiristores son muy utilizados en aplicaciones de control de potencia, control de motores e inversores que impliquen muy elevadas corrientes y tensiones (miles de amperes y voltios) pero a frecuencias bajas. Los tiristores en su generalidad son dispositivos para interrumpir la circulacin de corriente.

Los Tiristores estn divididos por lo general por las siguientes capas: Capa de Control. Capa de Bloqueo. Capa de Andica.

2. ESTADOS DEL TIRISTOR

Un tiristor puede encontrarse en uno de los siguientes estados: Bloqueos Bloqueado con polarizacin inversa Bloqueado con polarizacin directa. Los tiristores permanecen indefinidamente en la condicin de bloqueo, a menos que se les suministre la adecuada energa al terminal de compuerta, estando el tiristor bloqueado con polarizacin directa. Excitar a un tiristor con polarizacin inversa no produce ningn cambio de estado, con excepcin de los TRIACS, donde pulsos de cualquier polaridad pueden producir el pasaje del estado de conduccin al de corte sin importar la polaridad de la tensin bloqueada. Conduccin. El tiristor es un dispositivo de control de tensin y no de corriente. Una vez en conduccin, la magnitud de corriente a circular por el mismo la fija el circuito exterior. Para que una vez encendido el tiristor se mantenga en el estado de conduccin al eliminarse la corriente de disparo de compuerta, se requiere que la corriente principal sea lo suficientemente elevada. El menor valor de corriente de nodo que debe establecerse antes de eliminar la corriente de compuerta se denomina corriente de cerrojo o de latch. Mantener el valor de la corriente nodo por encima de este valor es el nico requerimiento para que el tiristor permanezca conduciendo una vez retirada la corriente de compuerta. Se analizan a continuacin cada uno de estos estados y sus conmutaciones.

3. CLASIFICACION
El tiristor tiene dos estados estables de operacin que son el de conduccin y el de bloqueo, que depende de las retroalimentaciones de las uniones con estructura PNPN; estas uniones pueden ser tres o ms y los elementos de conexin pueden ser dos o ms tenindosela familia de dispositivos siguientes: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. Diodo Shockley - Diodo tiristor de cuatro capas. SCR- Silicon Controlled Rectifier - Rectificador controlado de silicio. TRIAC- Triodo AC Switch - Trodo de Corriente Alternar. PUT- Programable Unijuntion Transistor - Transistor Uniunin Programable. GTOS- Gate Turn off Switch - Tiristor bloqueable o con puerta de extincin. LASCR- Light Activated Silicon Controlled Switch - Rectificador controlado por Luz. SUS- Silicon Unilateral Switch - Conmutador unilateral de silicio. SBS- Silicon Bilateral Switch - Conmutador bilateral de silicio. SCS- Silicon Controlled Switch - Tiristor tetrodo (dos electrodos de mando).

10. DIAC- Diode for Alternating Current- Diodo para Corriente Alterna.

Los dispositivos ms conocidos de la familia de los tiristores para aplicaciones de potencia son: SCR (Silicon Controled Rectifiers) TRIACS GTO (Gate Turn Off)

Los primeros son unidireccionales diseados para conmutar cargas con corrientes en un solo sentido, cubriendo desde aplicaciones de muy baja potencia hasta las que requieren el control de miles de voltios y amperes. Los TRIACS en cambio, son bidireccionales y permiten la circulacin de corriente en ambas direcciones para aplicaciones de baja potencia. Finalmente, los GTO (Gate Turn Off) al igual que los SCR son dispositivos de conduccin unidireccional pero con la particularidad de poder ser apagados mediante una seal de compuerta. Su uso se encuentra en aplicaciones de muy elevada potencia. En particular, el SCR (Silicon Controlled Rectifier), si bien es solo uno de los miembros de la familia de los tiristores es el ms caracterizado, por lo que se ha vuelto una costumbre generalizada denominarlos por el nombre de la familia. En consecuencia, por lo general, al utilizarse el trmino tiristor, en realidad se suele hacer referencia a los SCR, y se los conoce inclusive as en el comercio, si bien en los manuales se lo ubica correctamente con el nombre de SCR. Los tiristores son elementos constructivamente robustos, y al igual que en todo dispositivo de potencia, en su utilizacin no deben ser superados los valores mximos permitidos por el fabricante. Sin embargo, adems de las consideraciones habituales, en los tiristores deben tenerse en cuenta consideraciones particulares al estar destinados a ser usados exclusivamente como llaves. Existen dos parmetros caractersticos de los tiristores que deben considerarse al momento de su aplicacin, y que no pueden ser excedidos, sin afectar la duracin de su vida til o directamente destruirlos. Estos parmetros caractersticos de los tiristores son la velocidad de crecimiento de la tensin en condiciones de bloqueo (dv/dt) y el crecimiento de la corriente principal en el momento del encendido (di/dt). Para el encendido de los tiristores, debe proveerse un pulso de disparo de la energa y rapidez suficiente para lograr su rpida y completa puesta en conduccin. En forma general, la corriente de encendido debe ser al menos superior a tres veces la mnima especificada con un pulso de tiempo de crecimiento menor a 1 microsegundo y duracin superior a los 10 microsegundos. Para su apagado, salvo los GTO que pueden ser llevados del estado de conduccin a corte mediante la inyeccin de una corriente negativa de compuerta, todos los restantes dispositivos de la familia solo se apagan mediante la disminucin del su corriente por debajo del valor de mantenimiento. La excitacin puede provenir de distintos circuitos incluyendo circuitos a transistores, circuitos integrados de familias lgicas, circuitos integrados especficos de control de potencia, optoacopladores, transformadores de pulsos, u otros miembros de la familia de tiristores destinados a su disparo tales como: Diac PUT SBS

Adems de los mencionados, otro elemento de encendido de uso habitual es el Transistor Unijuntura, conocido por las siglas UJT de su denominacin inglesa, Unijunction Transistor. Dada que su constitucin y funcionamiento no se corresponden a la familia de los transistores, el UJT debe tratarse aparte, por fuera de la familia. Pero solo nos basaremos en el los siguientes: SCR- El Rectificador Controlado de Silicio PUT- Transistor Uniunin Programable TRIAC -Trodo de Corriente Alternar SBS- Conmutador bilateral de silicio. DIAC- Diodo para Corriente Alterna

3.1 EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

El rectificador controlado de silicio (en ingls SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP.

Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y gate (puerta). La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir.

El SCR se puede modelar como 2 transistores tpicos PNP y NPN, por eso se dice tambin que el tiristor funciona con tensin realimentada. Se crean as 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta est conectado a la unin J2 (unin NP).

Funcionamiento

Tipos de disparos Para producir el disparo del SCR: IAK > IL. Para mantenerse en la zona de conduccin, por el SCR debe circular IH, por debajo de la cual el SCR se bloqueara. Disparo por puerta En la figura 1tenemos un circuito de disparo por puerta. El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es: VT = VG + IG R R = VFG /IFG

R viene dada por la pendiente de la recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia (fig. 2) para obtener la mxima seguridad en el disparo. Una vez disparado el SCR perdemos el control en puerta. Las condiciones de bloqueo se recobran cuando VAK < VH y cuando IAK < IH

Disparo por mdulo de tensin Es el debido al mecanismo de multiplicacin por avalancha. Disparo por gradiente de tensin Una subida brusca del potencial de nodo en el sentido directo de conduccin provoca el disparo. Este caso ms que un mtodo, se considera un inconveniente.

Disparo por radiacin Est asociado a la creacin de pares electrn-hueco por la absorcin de la luz del elemento semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR. Disparo por temperatura

Asociado al aumento de pares electrn-hueco generados y recogidos por la unin N2-P1 de la estructura del SCR. La tensin de ruptura VBR (si se alcanza durante 10 ms, el SCR puede destruirse) permanece cte. hasta un cierto valor de la Tra y despus disminuye al aumentar esta. El pulso de disparo ha de ser de una duracin considerable, o bien, repetitivo si se est trabajando en corriente alterna. En este ltimo caso, segn se atrase o adelante el pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento (en la prctica, cuando la onda senoidal cruza por cero).

Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un tiristor, ste puede dispararse y entrar en conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da como caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador parsito existente entre la puerta y el nodo.

CURVA CARACTERSTICA

Parmetros del SCR: VRDM: Mximo voltaje inverso de activacin. VFOM: Mximo voltaje directo sin activacin. IF: Mxima corriente directa permitida. PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo. VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para la activacin. IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener activado el SCR. dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir activacin. di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.

APLICACIONES DEL SCR

Las aplicaciones de los SCR se extiende desde la rectificacin de corrientes alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos, pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna. La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conduccin estar controlada por la seal de puerta. De esta forma se podr variar la tensin continua de salida si se hace variar el momento del disparo. Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas estn las siguientes: Controles del elevador. Circuitos de retardo de tiempo. Fuentes de alimentacin regulada. Interruptores estticos. Controles de motores. Recortadores. Inversores. Ciclo conversores. Cargadores de bateras. Circuitos de proteccin. Controles de calefaccin. Controles de fase.

3.2 TRANSISTOR UNIUNIN PROGRAMABLE (PUT)

Transistores de Uni unin Programables (PUT) son tiristores de tres terminales que se desencadenan en la conduccin cuando la tensin en el nodo excede la tensin en la puerta. El PUT es similar a la UJT, pero su relacin de enfrentamiento intrnseca se puede ajustar por dos resistencias externas. Por lo tanto, se utiliza el nombre "programable". Una opcin de venta es una versin ms avanzada de un transistor Unijunction (UJT). En un transistor monounin programable, caractersticas de funcionamiento, tales como la resistencia de base a base, tensin intrnseca

enfrentamiento, actual valle y pico de corriente se pueden programar mediante el establecimiento de los valores de dos resistencias externas. Las solicitudes de transistores Uniunin programable (PUT) son factores desencadenantes de tiristores, osciladores, el pulso, y circuitos de sincronizacin, con frecuencias de hasta 10 kHz. Un circuito integrado puede incluir no slo un chip de circuito integrado, sino tambin un transistor circuito tal como un transistor unijuntura programable. Es un dispositivo que a diferencia del transistor bipolar comn que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas. El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: ctodo K, nodo A, puerta G. A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros de conduccin del PUT son controlados por la terminal G. Este transistor tiene dos estados: Uno deconduccin (hay corriente entre A y K y lacada de voltaje es pequea) y otro de cortecuando la corriente de A a K es muy pequea. Este transistor se polariza de la siguiente manera:

Del grfico anterior se deduce que: IG= 0, VG= VBB* [RB2 / (RB1+ RB2)] = n X VBB Dnde: n = RB2/ (RB1+ RB2) La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias estn en el exterior y pueden modificarse. Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la tensin mnima de funcionamiento es menor en el PUT.

Para pasar al modo activo desde el estado de corte (donde la corriente entre A y K es muy pequea) hay que elevar el voltaje entre A y K hasta el Valor Vp, que depende del valor del voltaje en la compuerta G. FUNCIONAMIENTO

Slo hasta que la tensin en A alcance el valor Vp, el PUT entrar en conduccin (encendido) y se mantendr en este estado hasta que IA corriente que atraviesa el PUT) sea reducido de valor. Esto se logra reduciendo el voltaje entre A y K o reduciendo el voltaje entre G y K.

Aplicaciones
OSCILADOR CON PUT El funcionamiento es el siguiente: El condensador C se carga a travs de la resistencia R hasta que el voltaje en A alcanza el voltaje Vp. En este momento el PUT se dispara y entra en conduccin. El voltaje en VG cae casi hasta 0 (cero) voltios y el PUT se apaga, repitindose otra vez el proceso (oscilador).

Ver a continuacin las formas de onda de las tensiones en C, K y G.

La frecuencia de oscilacin es: f = 1 / 1.2 x RC

Es un dispositivo semiconductor el cual posee tres terminales las cuales son: compuerta, nodo 1 y nodo 2, el cual se usa para controlar l flujo de corriente , y a la vez este posee una particularidad la cual es que conduce en ambos sentidos . El TRIAC puede ser disparado

independientemente de la polarizacin de la puerta, segn la corriente de la puerta sea positiva o negativa.

3.3 TRODO DE CORRIENTE ALTERNAR (TRIAC)

Es un dispositivo semiconductor el cual posee tres terminales las cuales son: compuerta, nodo 1 y nodo 2, el cual se usa para controlar el flujo de corriente, y a la vez este posee una particularidad la cual es que conduce en ambos sentidos. El TRIAC puede ser disparado independientemente de la polarizacin de la puerta, segn la corriente de la puerta sea positiva o negativa.

La nomenclatura de nodo 1 (A1) y nodo 2 (A2) pueden ser cambiadas por terminal principal 1 (T1) y terminal principal 2

(T2).

ESTRUCTURA
La estructura contiene seis capas como se indica en la Figura 2, aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. En sentido T2-T1 conduce a travs de P1N1P2N2 y en sentido T1-T2 a travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La complicacin de su estructura lo hace ms delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 (A) eficaces y desde 400 a 1000 (V) de tensin de pico repetitivo. Los TRIAC son fabricados para funcionar a frecuencias bajas; los fabricados para trabajar a frecuencias medias son denominados alternistores.

El TRIAC acta como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo Figura 3, este dispositivo es equivalente a dos "latchs"(transistores conectados con realimentacin positiva, donde la seal de retorno aumenta el efecto de la seal de entrada). La diferencia ms importante que se encuentra entre el funcionamiento de un triac y el de dos tiristores es que en este ltimo caso cada uno de los dispositivos conducir durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente, bloquendose cuando la corriente cambia de polaridad, dando como resultado una conduccin completa de la corriente alterna. El TRIAC, sin embargo, se bloquea durante el breve instante en que

la corriente de carga pasa por el valor cero, hasta que se alcanza el valor mnimo de tensin entre T2 y T1, para volver de nuevo a conducir, suponiendo que la excitacin de la puerta sea la adecuada. Esto implica la prdida de un pequeo ngulo de conduccin, que en el caso de cargas resistivas, en las que la corriente est en fase con la tensin, no supone ningn problema. En el caso de cargas reactivas se debe tener en cuenta, en el diseo del circuito, que en el momento en que la corriente pasa por cero no coincide con la misma situacin de la tensin aplicada, apareciendo en este momento unos impulsos de tensin entre los dos terminales del componente.

FUNCIONAMIENTO Y CARACTERSTICAS Mtodos de disparo.

Como hemos dicho, el TRIAC posee dos nodos denominados (MT1 y MT2) y una compuerta G. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden con respecto al nodo 1. El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. Veamos cules son los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo. 1. El primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas con respecto al nodo MT1 y este es el modo ms comn (Intensidad de compuerta entrante). La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2, que es favorecida en el rea prxima a la compuerta por la cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de compuerta. Esta cada de tensin se simboliza en la figura por signos + y -. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1 que bloquea el potencial exterior y son acelerados por ella inicindose la conduccin.

2. El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos con respecto al nodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente).

Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin.

3. El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la tensin del nodo
MT2 es positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de disparo de la compuerta es negativa con respecto al nodo MT1( Intensidad de compuerta saliente). El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal, que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin.

Existe un gran nmero de posibilidades para realizar en la prctica el disparo del TRIAC, pudindose elegir aquella que ms resulte adecuada para la aplicacin concreta de que se trate. Se pueden resumir en dos variantes bsicas:

Disparo por corriente continua. Disparo por corriente alterna.

Disparo por corriente continua.

En este caso la tensin de disparo proviene de una fuente de tensin continua aplicada al TRIAC a travs de una resistencia limitadora de la corriente de puerta. Es necesario disponer de un elemento interruptor en serie con la corriente de disparo encargado de la funcin de control, que puede ser un simple interruptor mecnico o un transistor trabajando en conmutacin. Este sistema de disparo es el normalmente empleado en los circuitos electrnicos alimentados por tensiones continuas cuya funcin sea la de control de una corriente a partir de una determinada seal de excitacin, que generalmente se origina en un transductor de cualquier tipo.

Disparo por corriente alterna.

El disparo por corriente alterna se puede realizar mediante el empleo de un transformador que suministre la tensin de disparo, o bien directamente a partir de la propia tensin de la red con una resistencia limitadora de la corriente de puerta adecuada y algn elemento interruptor que entregue la excitacin a la puerta en el momento preciso.

APLICACIONES
TRIACs se utilizan en una serie de aplicaciones. Sin embargo, no suelen utilizarse en aplicaciones de conmutacin de alta potencia - una de las razones de esto es las caractersticas de conmutacin no simtricas. Para aplicaciones de alta potencia esto crea una serie de dificultades, especialmente con la interferencia electromagntica. Sin embargo TRIACs todava se utilizan para muchas aplicaciones de conmutacin elctricos: Reguladores de luz domsticos Controles de velocidad del ventilador elctrico Controles de motores pequeos Control de los pequeos electrodomsticos potencia de CA